JP2000009845A - 放射線イメージセンサ - Google Patents
放射線イメージセンサInfo
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
-
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- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シンチレータの破損を防止することができる
放射線イメージセンサを提供することである。 【解決手段】 シンチレータパネル４と撮像素子６とを
備える放射線イメージセンサ２において、前記シンチレ
ータパネル４は、放射線透過性の基板１０と、この基板
１０上に形成された潮解性を有するシンチレータ１２
と、このシンチレータ１２を覆う弾性を有する有機膜１
４とを備え、前記シンチレータパネル４と前記撮像素子
６との間にマッチングオイル２０を介在させて前記シン
チレータパネル４と前記撮像素子６とを貼り合わせ、前
記シンチレータパネル４及び前記撮像素子６の側壁部を
樹脂２４で固着している。
放射線イメージセンサを提供することである。 【解決手段】 シンチレータパネル４と撮像素子６とを
備える放射線イメージセンサ２において、前記シンチレ
ータパネル４は、放射線透過性の基板１０と、この基板
１０上に形成された潮解性を有するシンチレータ１２
と、このシンチレータ１２を覆う弾性を有する有機膜１
４とを備え、前記シンチレータパネル４と前記撮像素子
６との間にマッチングオイル２０を介在させて前記シン
チレータパネル４と前記撮像素子６とを貼り合わせ、前
記シンチレータパネル４及び前記撮像素子６の側壁部を
樹脂２４で固着している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、医療用のＸ線撮
影等に用いられる放射線イメージセンサに関するもので
ある。
影等に用いられる放射線イメージセンサに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】医療、工業用のＸ線撮影では、従来、Ｘ
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメー
ジングシステムが普及してきている。このような放射線
イメージングシステムにおいては、放射線検出素子によ
り２次元の放射線による画素データを電気信号として取
得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表
示している。
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメー
ジングシステムが普及してきている。このような放射線
イメージングシステムにおいては、放射線検出素子によ
り２次元の放射線による画素データを電気信号として取
得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表
示している。
【０００３】従来、代表的な放射線検出素子として、特
表平４−５０５８１０号公報に開示されている放射線検
出素子が知られている。この放射線検出素子は、基板上
に形成されたシンチレータと撮像素子とを接着剤で接合
し、基板側から入射した放射線をシンチレータで可視光
に変換して検出している。
表平４−５０５８１０号公報に開示されている放射線検
出素子が知られている。この放射線検出素子は、基板上
に形成されたシンチレータと撮像素子とを接着剤で接合
し、基板側から入射した放射線をシンチレータで可視光
に変換して検出している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板上に形
成されたシンチレータの一つ一つの柱状結晶の高さは一
定ではなく凹凸を有するため、撮像素子と貼り合わせる
際にシンチレータの先端部が撮像素子の受光面にぶつか
りシンチレータの先端部を破損してしまう恐れがある。
また、撮像素子とシンチレータを接着剤により固着した
場合には、温度変化による歪みが基板に生じ、この歪み
によりシンチレータの柱状結晶に破損が生じることがあ
る。特に撮像素子に冷却型ＣＣＤを用いる場合には、急
激な温度変化により歪みが大きくなることからシンチレ
ータの破損が生じ易くなる。
成されたシンチレータの一つ一つの柱状結晶の高さは一
定ではなく凹凸を有するため、撮像素子と貼り合わせる
際にシンチレータの先端部が撮像素子の受光面にぶつか
りシンチレータの先端部を破損してしまう恐れがある。
また、撮像素子とシンチレータを接着剤により固着した
場合には、温度変化による歪みが基板に生じ、この歪み
によりシンチレータの柱状結晶に破損が生じることがあ
る。特に撮像素子に冷却型ＣＣＤを用いる場合には、急
激な温度変化により歪みが大きくなることからシンチレ
ータの破損が生じ易くなる。
【０００５】この発明の課題は、シンチレータの破損を
防止することができる放射線イメージセンサを提供する
ことである。
防止することができる放射線イメージセンサを提供する
ことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の放射線イ
メージセンサは、シンチレータパネルと撮像素子とを備
える放射線イメージセンサにおいて、前記シンチレータ
パネルは、放射線透過性の基板と、この基板上に形成さ
れたシンチレータと、このシンチレータを覆う弾性を有
する有機膜とを備え、前記シンチレータパネルと前記撮
像素子との間にマッチングオイルを介在させて前記シン
チレータパネルと前記撮像素子とを重ね合わせ、前記シ
ンチレータパネル及び前記撮像素子の側壁部を樹脂で固
着したことを特徴とする。
メージセンサは、シンチレータパネルと撮像素子とを備
える放射線イメージセンサにおいて、前記シンチレータ
パネルは、放射線透過性の基板と、この基板上に形成さ
れたシンチレータと、このシンチレータを覆う弾性を有
する有機膜とを備え、前記シンチレータパネルと前記撮
像素子との間にマッチングオイルを介在させて前記シン
チレータパネルと前記撮像素子とを重ね合わせ、前記シ
ンチレータパネル及び前記撮像素子の側壁部を樹脂で固
着したことを特徴とする。
【０００７】この請求項１記載の放射線イメージセンサ
によれば、シンチレータを弾性を有する有機膜により覆
い、マッチングオイルを介在させて撮像素子とを重ね合
わせているため、弾性を有する有機膜を介してシンチレ
ータパネルを撮像素子に貼り合わせる場合にシンチレー
タに作用する衝撃を緩和することができシンチレータの
破損を防止することができる。また、温度変化により基
板に歪みが生じた場合であっても、シンチレータが弾性
を有する有機膜により覆われているため、この弾性を有
する有機膜により基板の歪みに基づきシンチレータに作
用する応力を緩和することができシンチレータの破損を
防止することができる。
によれば、シンチレータを弾性を有する有機膜により覆
い、マッチングオイルを介在させて撮像素子とを重ね合
わせているため、弾性を有する有機膜を介してシンチレ
ータパネルを撮像素子に貼り合わせる場合にシンチレー
タに作用する衝撃を緩和することができシンチレータの
破損を防止することができる。また、温度変化により基
板に歪みが生じた場合であっても、シンチレータが弾性
を有する有機膜により覆われているため、この弾性を有
する有機膜により基板の歪みに基づきシンチレータに作
用する応力を緩和することができシンチレータの破損を
防止することができる。
【０００８】また、請求項２記載の放射線イメージセン
サは、請求項１記載の放射線イメージセンサの前記シン
チレータが柱状構造を有することを特徴とする。
サは、請求項１記載の放射線イメージセンサの前記シン
チレータが柱状構造を有することを特徴とする。
【０００９】この請求項２記載の放射線イメージセンサ
によれば、柱状構造を有するシンチレータの先端部が弾
性を有する有機膜により覆われているため、シンチレー
タパネルを撮像素子に重ね合わせる場合に柱状構造のシ
ンチレータの先端部に作用する衝撃及び温度変化による
歪みに基づきシンチレータに作用する応力を緩和するこ
とができ柱状構造のシンチレータの先端部の破損を防止
することができる。
によれば、柱状構造を有するシンチレータの先端部が弾
性を有する有機膜により覆われているため、シンチレー
タパネルを撮像素子に重ね合わせる場合に柱状構造のシ
ンチレータの先端部に作用する衝撃及び温度変化による
歪みに基づきシンチレータに作用する応力を緩和するこ
とができ柱状構造のシンチレータの先端部の破損を防止
することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を参照して、こ
の発明の実施の形態の説明を行う。図１は実施の形態に
かかる放射線イメージセンサ２の断面図である。図１に
示すように、放射線イメージセンサ２は、シンチレータ
パネル４と撮像素子６とを貼り合わせ、セラミックケー
ス８に収容した構成を有している。
の発明の実施の形態の説明を行う。図１は実施の形態に
かかる放射線イメージセンサ２の断面図である。図１に
示すように、放射線イメージセンサ２は、シンチレータ
パネル４と撮像素子６とを貼り合わせ、セラミックケー
ス８に収容した構成を有している。
【００１１】ここでシンチレータパネル４のＡｌ製の基
板１０の一方の表面には、入射した放射線を可視光に変
換する柱状構造のシンチレータ１２が形成されている。
このシンチレータ１２には、ＴｌドープのＣｓＩが用い
られている。この基板１０に形成されたシンチレータ１
２は、基板１０と共に全面が弾性を有する第１のポリパ
ラキシリレン膜（第１の有機膜）１４で覆われており、
シンチレータ１２側の第１のポリパラキシリレン膜１４
の表面にＳｉＯ2（透明無機膜）膜１６が形成されてい
る。更に、ＳｉＯ2膜１６の表面及び基板１０側のＳｉ
Ｏ2膜１６が形成されていない部分の第１のポリパラキ
シリレン膜１４の表面に第２のポリパラキシリレン膜
（第２の有機膜）１８が形成されており全面が第２のポ
リパラキシリレン膜１８で覆われている。
板１０の一方の表面には、入射した放射線を可視光に変
換する柱状構造のシンチレータ１２が形成されている。
このシンチレータ１２には、ＴｌドープのＣｓＩが用い
られている。この基板１０に形成されたシンチレータ１
２は、基板１０と共に全面が弾性を有する第１のポリパ
ラキシリレン膜（第１の有機膜）１４で覆われており、
シンチレータ１２側の第１のポリパラキシリレン膜１４
の表面にＳｉＯ2（透明無機膜）膜１６が形成されてい
る。更に、ＳｉＯ2膜１６の表面及び基板１０側のＳｉ
Ｏ2膜１６が形成されていない部分の第１のポリパラキ
シリレン膜１４の表面に第２のポリパラキシリレン膜
（第２の有機膜）１８が形成されており全面が第２のポ
リパラキシリレン膜１８で覆われている。
【００１２】また、撮像素子６は、マッチングオイルと
してのシリコン樹脂層を２０を介してシンチレータパネ
ル４のシンチレータ１２側に貼り付けられており、撮像
素子６の底部がセラミックケース８の収容部８ａに収容
されている。更に、シンチレータパネル４及び撮像素子
６の側壁部がボンディングワイヤ２２を保護しシンチレ
ータプレート４をセラミックケース８に固定するための
樹脂２４により固められている。
してのシリコン樹脂層を２０を介してシンチレータパネ
ル４のシンチレータ１２側に貼り付けられており、撮像
素子６の底部がセラミックケース８の収容部８ａに収容
されている。更に、シンチレータパネル４及び撮像素子
６の側壁部がボンディングワイヤ２２を保護しシンチレ
ータプレート４をセラミックケース８に固定するための
樹脂２４により固められている。
【００１３】次に、図２〜図３を参照して、シンチレー
タパネル４の製造工程について説明する。図２（ａ）に
示されるようなＡｌ製の基板１０（厚さ０．５ｔ）の一
方の表面に、ＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着
法によって成長させてシンチレータ１２を２００μｍの
厚さで形成する（図２（ｂ）参照）。
タパネル４の製造工程について説明する。図２（ａ）に
示されるようなＡｌ製の基板１０（厚さ０．５ｔ）の一
方の表面に、ＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着
法によって成長させてシンチレータ１２を２００μｍの
厚さで形成する（図２（ｂ）参照）。
【００１４】シンチレータ１２を形成するＣｓＩは、吸
湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を
吸湿して潮解してしまうため、これを防止するためにＣ
ＶＤ法により第１のポリパラキシリレン膜１４を形成す
る。即ち、シンチレータ１２が形成された基板１０をＣ
ＶＤ装置に入れ、第１のポリパラキシリレン膜１４を１
０μｍの厚さで成膜する。これによりシンチレータ１２
及び基板１０の表面全体に第１のポリパラキシリレン膜
１４が形成される（図２（ｃ）参照）。シンチレータ１
２の先端部は凹凸であることから、この第１のポリパラ
キシリレン膜１４は、シンチレータ１２の先端部を平坦
化する役目も有する。
湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を
吸湿して潮解してしまうため、これを防止するためにＣ
ＶＤ法により第１のポリパラキシリレン膜１４を形成す
る。即ち、シンチレータ１２が形成された基板１０をＣ
ＶＤ装置に入れ、第１のポリパラキシリレン膜１４を１
０μｍの厚さで成膜する。これによりシンチレータ１２
及び基板１０の表面全体に第１のポリパラキシリレン膜
１４が形成される（図２（ｃ）参照）。シンチレータ１
２の先端部は凹凸であることから、この第１のポリパラ
キシリレン膜１４は、シンチレータ１２の先端部を平坦
化する役目も有する。
【００１５】次に、シンチレータ１２側の第１のポリパ
ラキシリレン膜１４の表面にＳｉＯ2膜１６をスパッタ
リングにより２００ｎｍの厚さで成膜する（図３（ａ）
参照）。
ラキシリレン膜１４の表面にＳｉＯ2膜１６をスパッタ
リングにより２００ｎｍの厚さで成膜する（図３（ａ）
参照）。
【００１６】ＳｉＯ2膜１６は、シンチレータ１２の耐
湿性の向上を目的とするものであるため、シンチレータ
１２を覆う範囲で形成される。上述のようにシンチレー
タ１２の先端部は、第１のポリパラキシリレン膜１４に
より平坦化されているため、出力光量が減少しないよう
にＳｉＯ2膜１６を薄く（１００ｎｍ〜３００ｎｍ）形
成することができる。
湿性の向上を目的とするものであるため、シンチレータ
１２を覆う範囲で形成される。上述のようにシンチレー
タ１２の先端部は、第１のポリパラキシリレン膜１４に
より平坦化されているため、出力光量が減少しないよう
にＳｉＯ2膜１６を薄く（１００ｎｍ〜３００ｎｍ）形
成することができる。
【００１７】更に、ＳｉＯ2膜１６の表面及び基板１０
側のＳｉＯ2膜１６が形成されていない第１のポリパラ
キシリレン膜１４の表面に、ＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜
１６の剥がれ防止のための第２のポリパラキシリレン膜
１８を１０μｍ厚さで成膜する（図３（ｂ）参照）。こ
の工程を終了することによりシンチレータパネル４の製
造が終了する。
側のＳｉＯ2膜１６が形成されていない第１のポリパラ
キシリレン膜１４の表面に、ＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜
１６の剥がれ防止のための第２のポリパラキシリレン膜
１８を１０μｍ厚さで成膜する（図３（ｂ）参照）。こ
の工程を終了することによりシンチレータパネル４の製
造が終了する。
【００１８】その後、撮像素子６をシリコン樹脂層２０
を介してシンチレータパネル４のシンチレータ１２側に
貼り付ける。また、シンチレータパネル４に貼り付けら
れた撮像素子６の底部をセラミックケース８の収容部８
ａに収容して、ボンディングワイヤ２２により撮像素子
６のパッド部とセラミックケース８に固定されたリード
ピンとを電気的に接続する。そして、ボンディングワイ
ヤ２２を保護するため及びシンチレータプレート４をセ
ラミックケース８に固定するために、シンチレータパネ
ル４及び撮像素子６の側壁部を樹脂２４により固める。
この工程を終了することにより、図１に示す放射線イメ
ージセンサ２の製造が終了する。
を介してシンチレータパネル４のシンチレータ１２側に
貼り付ける。また、シンチレータパネル４に貼り付けら
れた撮像素子６の底部をセラミックケース８の収容部８
ａに収容して、ボンディングワイヤ２２により撮像素子
６のパッド部とセラミックケース８に固定されたリード
ピンとを電気的に接続する。そして、ボンディングワイ
ヤ２２を保護するため及びシンチレータプレート４をセ
ラミックケース８に固定するために、シンチレータパネ
ル４及び撮像素子６の側壁部を樹脂２４により固める。
この工程を終了することにより、図１に示す放射線イメ
ージセンサ２の製造が終了する。
【００１９】この実施の形態にかかる放射線イメージセ
ンサ２によれば、シンチレータ１２を第１のポリパラキ
シリレン膜１４により覆い、シリコン樹脂２０を介在さ
せて撮像素子６とを貼り合わせているため、第１のポリ
パラキシリレン膜１４によりシンチレータパネル４を撮
像素子６に貼り合わせる場合にシンチレータ１２の先端
部に作用する衝撃を緩和することができシンチレータ１
２の先端部の破損を防止することができる。また、温度
変化により基板１０に歪みが生じた場合であっても、シ
ンチレータ１２が第１のポリパラキシリレン膜１４によ
り覆われているため、この第１のポリパラキシリレン膜
１４により基板１０の歪みに基づきシンチレータ１２に
作用する応力を緩和することができシンチレータ１２の
破損を防止することができる。
ンサ２によれば、シンチレータ１２を第１のポリパラキ
シリレン膜１４により覆い、シリコン樹脂２０を介在さ
せて撮像素子６とを貼り合わせているため、第１のポリ
パラキシリレン膜１４によりシンチレータパネル４を撮
像素子６に貼り合わせる場合にシンチレータ１２の先端
部に作用する衝撃を緩和することができシンチレータ１
２の先端部の破損を防止することができる。また、温度
変化により基板１０に歪みが生じた場合であっても、シ
ンチレータ１２が第１のポリパラキシリレン膜１４によ
り覆われているため、この第１のポリパラキシリレン膜
１４により基板１０の歪みに基づきシンチレータ１２に
作用する応力を緩和することができシンチレータ１２の
破損を防止することができる。
【００２０】また、シンチレータパネル４及び撮像素子
６の側壁部が樹脂２４により固められているためシンチ
レータパネル４と撮像素子６との接続を強固なものとす
ることができる。
６の側壁部が樹脂２４により固められているためシンチ
レータパネル４と撮像素子６との接続を強固なものとす
ることができる。
【００２１】なお、上述の実施の形態においては、マッ
チングオイルとしてシリコン樹脂２０を用いているが、
これに限らずエポキシ樹脂、シリコンオイル等を用いて
も良い。
チングオイルとしてシリコン樹脂２０を用いているが、
これに限らずエポキシ樹脂、シリコンオイル等を用いて
も良い。
【００２２】また、上述の実施の形態においては、ボン
ディングワイヤ２２を保護するため及びシンチレータプ
レート４をセラミックケース８に固定するために、シン
チレータパネル４及び撮像素子６の側壁部を一つの樹脂
２４により固めるているが、ボンディングワイヤ２２を
保護するための樹脂とシンチレータプレート４をセラミ
ックケース８に固定するための樹脂とを別々の樹脂とし
ても良い。
ディングワイヤ２２を保護するため及びシンチレータプ
レート４をセラミックケース８に固定するために、シン
チレータパネル４及び撮像素子６の側壁部を一つの樹脂
２４により固めるているが、ボンディングワイヤ２２を
保護するための樹脂とシンチレータプレート４をセラミ
ックケース８に固定するための樹脂とを別々の樹脂とし
ても良い。
【００２３】また、透明無機膜１６としてＳｉＯ2膜を
用いているが、これに限らずＡｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｉｎ2
Ｏ3，ＳｎＯ2，ＭｇＯ，ＳｉＮＯ及びＳｉＮ等を材料と
する無機膜を使用しても良い。
用いているが、これに限らずＡｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｉｎ2
Ｏ3，ＳｎＯ2，ＭｇＯ，ＳｉＮＯ及びＳｉＮ等を材料と
する無機膜を使用しても良い。
【００２４】また、上述の実施の形態においては、シン
チレータ１２としてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられている
が、これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、Ｌ
ｉＩ（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
チレータ１２としてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられている
が、これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、Ｌ
ｉＩ（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
【００２５】また、上述の実施の形態においては、基板
１０としてＡｌ製の基板が用いられているが、Ｘ線透過
率の良い基板であればよいことから、Ｃ（グラファイ
ト）製の基板、Ｂｅ製の基板等を用いてもよい。
１０としてＡｌ製の基板が用いられているが、Ｘ線透過
率の良い基板であればよいことから、Ｃ（グラファイ
ト）製の基板、Ｂｅ製の基板等を用いてもよい。
【００２６】また、上述の実施の形態においては、シン
チレータ１２が第１のポリパラキシリレン膜１４、Ｓｉ
Ｏ2膜１６及び第２のポリパラキシリレン膜１８により
覆われているが、第１のポリパラキシリレン膜１４のみ
で覆うようにしても良く、また、第１のポリパラキシリ
レン膜１４及びＳｉＯ2膜１６で覆うようにしても良
い。この場合においてもシンチレータ１２と接する第１
のポリパラキシリレン膜１４が弾性を有するため、上述
の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ２の場合と
同様にシンチレータ１２の破損の防止を図ることができ
る。
チレータ１２が第１のポリパラキシリレン膜１４、Ｓｉ
Ｏ2膜１６及び第２のポリパラキシリレン膜１８により
覆われているが、第１のポリパラキシリレン膜１４のみ
で覆うようにしても良く、また、第１のポリパラキシリ
レン膜１４及びＳｉＯ2膜１６で覆うようにしても良
い。この場合においてもシンチレータ１２と接する第１
のポリパラキシリレン膜１４が弾性を有するため、上述
の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ２の場合と
同様にシンチレータ１２の破損の防止を図ることができ
る。
【００２７】また、上述の実施の形態においては、撮像
素子６を用いているが、冷却型撮像素子（Ｃ−ＣＣＤ）
を用いても良い。この場合には、急激な温度変化により
シンチレータに作用する応力が大きくなるため、弾性を
有する有機膜によるシンチレータ破損防止の効果が増大
する。
素子６を用いているが、冷却型撮像素子（Ｃ−ＣＣＤ）
を用いても良い。この場合には、急激な温度変化により
シンチレータに作用する応力が大きくなるため、弾性を
有する有機膜によるシンチレータ破損防止の効果が増大
する。
【００２８】また、上述の実施の形態における、ポリパ
ラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモノ
クロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、
ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキ
シリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチル
パラキシリレン等を含む。
ラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモノ
クロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、
ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキ
シリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチル
パラキシリレン等を含む。
【００２９】
【発明の効果】この発明の放射線イメージセンサによれ
ば、シンチレータを弾性を有する有機膜により覆い、マ
ッチングオイルを介在させて撮像素子とを重ね合わせて
いるため、弾性を有する有機膜を介してシンチレータパ
ネルを撮像素子に重ね合わせる場合にシンチレータに作
用する衝撃を緩和することができシンチレータの先端部
の破損を防止することができる。また、温度変化により
基板に歪みが生じた場合であっても、シンチレータが弾
性を有する有機膜により覆われているため、この弾性を
有する有機膜により基板の歪みに基づきシンチレータに
作用する応力を緩和することができシンチレータの破損
を防止することができる。
ば、シンチレータを弾性を有する有機膜により覆い、マ
ッチングオイルを介在させて撮像素子とを重ね合わせて
いるため、弾性を有する有機膜を介してシンチレータパ
ネルを撮像素子に重ね合わせる場合にシンチレータに作
用する衝撃を緩和することができシンチレータの先端部
の破損を防止することができる。また、温度変化により
基板に歪みが生じた場合であっても、シンチレータが弾
性を有する有機膜により覆われているため、この弾性を
有する有機膜により基板の歪みに基づきシンチレータに
作用する応力を緩和することができシンチレータの破損
を防止することができる。
【図１】この発明の実施の形態にかかる放射線イメージ
センサの断面図である。
センサの断面図である。
【図２】この発明の実施の形態にかかるシンチレータパ
ネルの製造工程を示す図である。
ネルの製造工程を示す図である。
【図３】この発明の実施の形態にかかるシンチレータパ
ネルの製造工程を示す図である。
ネルの製造工程を示す図である。
２…放射線イメージセンサ、４…シンチレータパネル、
６…撮像素子、８…セラミックケース、１０…基板、１
２…シンチレータ、１４…第１のポリパラキシリレン
膜、１６…ＳｉＯ2膜、１８…第２のポリパラキシリレ
ン膜、２０…シリコン樹脂層、２２…ボンディングワイ
ヤ、２４…樹脂。
６…撮像素子、８…セラミックケース、１０…基板、１
２…シンチレータ、１４…第１のポリパラキシリレン
膜、１６…ＳｉＯ2膜、１８…第２のポリパラキシリレ
ン膜、２０…シリコン樹脂層、２２…ボンディングワイ
ヤ、２４…樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 宏人 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG19 JJ06 JJ09 JJ35
Claims (2)
- 【請求項１】 シンチレータパネルと撮像素子とを備え
る放射線イメージセンサにおいて、 前記シンチレータパネルは、放射線透過性の基板と、こ
の基板上に形成されたシンチレータと、このシンチレー
タを覆う弾性を有する有機膜とを備え、 前記シンチレータパネルと前記撮像素子との間にマッチ
ングオイルを介在させて前記シンチレータパネルと前記
撮像素子とを重ね合わせ、前記シンチレータパネル及び
前記撮像素子の側壁部を樹脂で固着したことを特徴とす
る放射線イメージセンサ。 - 【請求項２】 前記シンチレータは、柱状構造を有する
ことを特徴とする請求項１記載の放射線イメージセン
サ。
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