JP2000009672A - 接触燃焼式ガスセンサ - Google Patents
接触燃焼式ガスセンサInfo
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- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000007084 catalytic combustion reaction Methods 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 感度が良好で、消費電力が小さく、また、間
歇運転を行っても耐久性・信頼性が高い優れた接触燃焼
式ガスセンサを提供する。 【解決手段】 2層の酸化触媒担持担体層の間に平面状
ヒータが配されてなる検知素子を有する接触燃焼式ガス
センサ。
歇運転を行っても耐久性・信頼性が高い優れた接触燃焼
式ガスセンサを提供する。 【解決手段】 2層の酸化触媒担持担体層の間に平面状
ヒータが配されてなる検知素子を有する接触燃焼式ガス
センサ。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、接触燃焼式ガスセ
ンサ技術に関する。
ンサ技術に関する。
【0002】
【従来の技術】接触燃焼式ガスセンサは酸化触媒を担持
した担体上での可燃性ガスの酸化反応による発熱を検出
するガスセンサであり、通常、温度等の環境変化の影響
を排除するために、このような担体を酸化触媒層として
有する検出素子と、検出素子における酸化触媒層と同様
の熱挙動を有しながらも酸化触媒性を有しない補償層を
有する補償素子、及び抵抗値既知の電気抵抗を用いてホ
ィートストンブリッジ回路を形成させて用いる。
した担体上での可燃性ガスの酸化反応による発熱を検出
するガスセンサであり、通常、温度等の環境変化の影響
を排除するために、このような担体を酸化触媒層として
有する検出素子と、検出素子における酸化触媒層と同様
の熱挙動を有しながらも酸化触媒性を有しない補償層を
有する補償素子、及び抵抗値既知の電気抵抗を用いてホ
ィートストンブリッジ回路を形成させて用いる。
【0003】なお、このような接触燃焼式ガスセンサは
酸化反応の反応熱を鋭敏に検出するため、及び、検出素
子を接触反応に適した温度に保つヒータの消費電力を減
少させて電池駆動を可能とするため、検出・補償素子付
近からの熱伝導による損失が小さいことが望まれる。こ
こでこのような検出素子付近の熱容量を小さくするため
特開平8−94561号公報記載の技術では、センサ素
子を空洞上にマイクロマシーニング技術を用いて懸垂部
として形成した酸化シリコン絶縁層に検出素子を構成す
ることが提案されている(図3参照)。シリコン基板上
に酸化絶縁膜を形成し、その上に白金などの金属抵抗体
を用いて形成したヒータ、さらにその上にパラジウム等
の酸化触媒を担持させたアルミナなどの触媒担体による
触媒層を形成し、これらからセンサ素子が構成される。
酸化反応の反応熱を鋭敏に検出するため、及び、検出素
子を接触反応に適した温度に保つヒータの消費電力を減
少させて電池駆動を可能とするため、検出・補償素子付
近からの熱伝導による損失が小さいことが望まれる。こ
こでこのような検出素子付近の熱容量を小さくするため
特開平8−94561号公報記載の技術では、センサ素
子を空洞上にマイクロマシーニング技術を用いて懸垂部
として形成した酸化シリコン絶縁層に検出素子を構成す
ることが提案されている(図3参照)。シリコン基板上
に酸化絶縁膜を形成し、その上に白金などの金属抵抗体
を用いて形成したヒータ、さらにその上にパラジウム等
の酸化触媒を担持させたアルミナなどの触媒担体による
触媒層を形成し、これらからセンサ素子が構成される。
【0004】このようなセンサは低消費電力であって電
池駆動が可能であり、かつ、応答性に優れると云った利
点の他に、半導体製造技術によって小型化及び量産が容
易である。さらに、信号処理回路を集積化あるいはハイ
ブリット化することも可能である。しかしながら、電池
交換の煩雑さを回避するために更なる低消費電力化が求
められ、また、そのために間歇駆動を行おうとすると上
記センサではヒータと酸化シリコン絶縁層との間、ある
いは触媒層と酸化シリコン絶縁層との間に剥離が生じて
センサとして用いることができなくなると云う障害が多
発した。
池駆動が可能であり、かつ、応答性に優れると云った利
点の他に、半導体製造技術によって小型化及び量産が容
易である。さらに、信号処理回路を集積化あるいはハイ
ブリット化することも可能である。しかしながら、電池
交換の煩雑さを回避するために更なる低消費電力化が求
められ、また、そのために間歇駆動を行おうとすると上
記センサではヒータと酸化シリコン絶縁層との間、ある
いは触媒層と酸化シリコン絶縁層との間に剥離が生じて
センサとして用いることができなくなると云う障害が多
発した。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来の問題点を改善する、すなわち、感度が良好で、消費
電力が小さく、また、間歇運転を行っても耐久性・信頼
性が高い優れた接触燃焼式ガスセンサを提供することを
目的とする。
来の問題点を改善する、すなわち、感度が良好で、消費
電力が小さく、また、間歇運転を行っても耐久性・信頼
性が高い優れた接触燃焼式ガスセンサを提供することを
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の接触燃焼式ガス
センサは上記課題を解決するため、請求項1に記載の通
り、2層の酸化触媒担持担体層の間に平面状ヒータが配
されてなる検知素子を有する接触燃焼式ガスセンサであ
る。
センサは上記課題を解決するため、請求項1に記載の通
り、2層の酸化触媒担持担体層の間に平面状ヒータが配
されてなる検知素子を有する接触燃焼式ガスセンサであ
る。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の接触燃焼式ガスセンサの
検知素子において、上記のように2層の酸化触媒担持担
体層の間に平面状ヒータが配されてなる構成を有するこ
とが必要である。このようないわばサンドイッチ構造に
より層間の剥離が著しく減少する。さらに、このとき酸
化触媒担持担体層同士が直接積層される箇所があると、
層間の剥離が事実上なくなる。本発明の構成により、酸
化シリコン等からなる基板上に検知素子を密着して形成
する必要がなくなる。このとき、これら2層の酸化触媒
担持担体層の平面状ヒータが配されていない面は共に被
検ガスに直接接触することができ、さらにこのとき基板
等への熱伝導による熱損失が低減して感度が向上し、ま
た、同時に消費電力が低減可能となる。なお、本発明に
おける平面状ヒータとは、平面状の発熱部を有するヒー
タ以外に、線状体からなるヒータであってその発熱部の
少なくとも一部が「己」字を連ねた形状あるいは渦巻き
形状を構成するなど、実質的に平面状になっているヒー
タであっても良い。このとき、平面状ヒータが配された
箇所でも酸化触媒担持担体層同士が直接積層される箇所
ができて、効果的に層間剥離が防止される。なお、この
平面状ヒータは例えば、白金をスパッタし、フォトリソ
工程を経てドライエッチングすることによって容易に形
成することができる。本発明の接触燃焼式ガスセンサに
おける酸化触媒担持担体層とは、パラジウム、白金など
の大気中の可燃ガスを接触反応によって酸化させる酸化
触媒が担持されたアルミナ、酸化シリコンなどの担体か
らなる層を云う。このような酸化触媒担持担体層は酸化
触媒、アルミナ、水あるいは必要に応じて有機溶媒など
を混練して作成したペーストを塗布した後焼成しても、
あるいは、蒸着等の真空製膜技術を応用しても形成する
ことができる。
検知素子において、上記のように2層の酸化触媒担持担
体層の間に平面状ヒータが配されてなる構成を有するこ
とが必要である。このようないわばサンドイッチ構造に
より層間の剥離が著しく減少する。さらに、このとき酸
化触媒担持担体層同士が直接積層される箇所があると、
層間の剥離が事実上なくなる。本発明の構成により、酸
化シリコン等からなる基板上に検知素子を密着して形成
する必要がなくなる。このとき、これら2層の酸化触媒
担持担体層の平面状ヒータが配されていない面は共に被
検ガスに直接接触することができ、さらにこのとき基板
等への熱伝導による熱損失が低減して感度が向上し、ま
た、同時に消費電力が低減可能となる。なお、本発明に
おける平面状ヒータとは、平面状の発熱部を有するヒー
タ以外に、線状体からなるヒータであってその発熱部の
少なくとも一部が「己」字を連ねた形状あるいは渦巻き
形状を構成するなど、実質的に平面状になっているヒー
タであっても良い。このとき、平面状ヒータが配された
箇所でも酸化触媒担持担体層同士が直接積層される箇所
ができて、効果的に層間剥離が防止される。なお、この
平面状ヒータは例えば、白金をスパッタし、フォトリソ
工程を経てドライエッチングすることによって容易に形
成することができる。本発明の接触燃焼式ガスセンサに
おける酸化触媒担持担体層とは、パラジウム、白金など
の大気中の可燃ガスを接触反応によって酸化させる酸化
触媒が担持されたアルミナ、酸化シリコンなどの担体か
らなる層を云う。このような酸化触媒担持担体層は酸化
触媒、アルミナ、水あるいは必要に応じて有機溶媒など
を混練して作成したペーストを塗布した後焼成しても、
あるいは、蒸着等の真空製膜技術を応用しても形成する
ことができる。
【0008】本発明の接触燃焼式ガスセンサにおいて、
その検知素子がシリコン基板に設けられた空洞上に形成
されていると集積化及びハイブリット化が容易となる。
一方、検知素子同様にシリコン基板に設けられた空洞上
に補償素子を配することにより、検知素子と同等の環境
とすることができ、より完全な補償が可能となる。な
お、この補償素子はその目的から、酸化触媒が担持され
ていない以外検知素子と同様の構成を有するものである
ことが望ましい。
その検知素子がシリコン基板に設けられた空洞上に形成
されていると集積化及びハイブリット化が容易となる。
一方、検知素子同様にシリコン基板に設けられた空洞上
に補償素子を配することにより、検知素子と同等の環境
とすることができ、より完全な補償が可能となる。な
お、この補償素子はその目的から、酸化触媒が担持され
ていない以外検知素子と同様の構成を有するものである
ことが望ましい。
【0009】
【実施例】以下に本発明の接触燃焼式ガスセンサについ
て例を示して具体的に説明する。図1(a)に本発明に
係るガスセンサαの斜視図、図2にその上面図(部分
図)を示す。これらの図において、符号1を付して検知
素子が示され、符号2を付して補償素子が示されてい
る。検知素子1は、アルミナからなる担体層3の酸化触
媒であるパラジウムを担持した部分(「酸化触媒担持
部」とも云う)3a、その上に設けられた平面状のヒー
タ1a、さらにヒータ1aを完全に覆うように設けられ
たパラジウムを担持したアルミナからなる担体層1b
(「酸化触媒担持担体層」とも云う)とから構成されて
いる。
て例を示して具体的に説明する。図1(a)に本発明に
係るガスセンサαの斜視図、図2にその上面図(部分
図)を示す。これらの図において、符号1を付して検知
素子が示され、符号2を付して補償素子が示されてい
る。検知素子1は、アルミナからなる担体層3の酸化触
媒であるパラジウムを担持した部分(「酸化触媒担持
部」とも云う)3a、その上に設けられた平面状のヒー
タ1a、さらにヒータ1aを完全に覆うように設けられ
たパラジウムを担持したアルミナからなる担体層1b
(「酸化触媒担持担体層」とも云う)とから構成されて
いる。
【0010】また、補償素子2は担体層3の触媒を有し
ない部分(「触媒非担持部」とも云う)3b、その上に
設けられた平面状のヒータ2a、さらにヒータ2aを完
全に覆うように設けられたアルミナからなる触媒を有し
ない担体層2b(「触媒非担持担体層」とも云う)とか
ら構成されている。これら検知素子1及び補償素子2の
ヒータ1a及び2aの両端部にはそれぞれ1対の接点部
1c及び2cが設けられている。これら接点部はそれぞ
れリード線4を介して2組のピン5に接続されている。
なお、上記担体層3は酸化シリコンからなる絶縁層6を
介してシリコン基板7上に設けられていて、このシリコ
ン基板7はセンサ台座8に固定されている。なお前述の
ピン5はこの台座8の裏面まで連続してかつ突出してい
て、ソケットと嵌合して共にホイートストンブリッジを
構成する電気回路への接続に供せられている。
ない部分(「触媒非担持部」とも云う)3b、その上に
設けられた平面状のヒータ2a、さらにヒータ2aを完
全に覆うように設けられたアルミナからなる触媒を有し
ない担体層2b(「触媒非担持担体層」とも云う)とか
ら構成されている。これら検知素子1及び補償素子2の
ヒータ1a及び2aの両端部にはそれぞれ1対の接点部
1c及び2cが設けられている。これら接点部はそれぞ
れリード線4を介して2組のピン5に接続されている。
なお、上記担体層3は酸化シリコンからなる絶縁層6を
介してシリコン基板7上に設けられていて、このシリコ
ン基板7はセンサ台座8に固定されている。なお前述の
ピン5はこの台座8の裏面まで連続してかつ突出してい
て、ソケットと嵌合して共にホイートストンブリッジを
構成する電気回路への接続に供せられている。
【0011】絶縁層6、シリコン基板7、台座8には空
洞9が設けられていて(図1(b)にシリコン基板7よ
り上の部分を示し、かつ、絶縁層6及びシリコン基板7
における空洞9の部分を破線で示してある)、空洞9上
に上記検知素子及び補償素子が位置し、それぞれの素子
の担体層3の裏面側(図示されていない)も、担体層1
あるいは担体層2の表面(図における上面)同様に被検
ガスと接触するようになっている。いわばブリッジ構造
を有するこのようなガスセンサαの感度は極めて良好な
ものとなっていて、応答性も良好で、またヒータ1a及
び2aの消費電力は小さいものとなっている。
洞9が設けられていて(図1(b)にシリコン基板7よ
り上の部分を示し、かつ、絶縁層6及びシリコン基板7
における空洞9の部分を破線で示してある)、空洞9上
に上記検知素子及び補償素子が位置し、それぞれの素子
の担体層3の裏面側(図示されていない)も、担体層1
あるいは担体層2の表面(図における上面)同様に被検
ガスと接触するようになっている。いわばブリッジ構造
を有するこのようなガスセンサαの感度は極めて良好な
ものとなっていて、応答性も良好で、またヒータ1a及
び2aの消費電力は小さいものとなっている。
【0012】このようなセンサは例えば次のようにして
得ることができる。シリコン基板を熱酸化炉にて酸化し
てその表面に酸化シリコン層(5000Å)を形成す
る。両面に形成された酸化シリコン層の内、裏面(素子
を形成しない面)の酸化シリコン膜を所定のパターンに
エッチングした。次いで、このシリコン基板の1面にア
ルミナとパラジウムを蒸着し、検知素子を構成する部分
に酸化触媒担持担体層(厚さ:10000Å)と、補償
素子を構成する部分にアルミナのみを蒸着して触媒非担
持担体層(厚さ:10000Å)とを形成した。上記2
種の担体層のそれぞれに白金からなる平面状のヒータ
(厚さ:2500Å)及び接点部をスパッタによって形
成した。なお、この例では平面状のヒータは線状の白金
線が「己」字を連ねてなる形状で形成されているため、
このヒータが配された箇所においても酸化触媒担持担体
層同士、あるいは、触媒非担持担体層同士が密着しその
結果、層間の剥離が防止される。
得ることができる。シリコン基板を熱酸化炉にて酸化し
てその表面に酸化シリコン層(5000Å)を形成す
る。両面に形成された酸化シリコン層の内、裏面(素子
を形成しない面)の酸化シリコン膜を所定のパターンに
エッチングした。次いで、このシリコン基板の1面にア
ルミナとパラジウムを蒸着し、検知素子を構成する部分
に酸化触媒担持担体層(厚さ:10000Å)と、補償
素子を構成する部分にアルミナのみを蒸着して触媒非担
持担体層(厚さ:10000Å)とを形成した。上記2
種の担体層のそれぞれに白金からなる平面状のヒータ
(厚さ:2500Å)及び接点部をスパッタによって形
成した。なお、この例では平面状のヒータは線状の白金
線が「己」字を連ねてなる形状で形成されているため、
このヒータが配された箇所においても酸化触媒担持担体
層同士、あるいは、触媒非担持担体層同士が密着しその
結果、層間の剥離が防止される。
【0013】さらにこれらヒータを完全に覆うようにし
て、検知素子形成部にパラジウム及びアルミナを、補償
素子形成部にアルミナのみを蒸着して、それぞれ厚さ5
000Åの酸化触媒担持担体層及び触媒非担持担体層を
作成し、それぞれ検知素子及び補償素子を形成した。な
お、このとき作成された酸化触媒担持担体層及び触媒非
担持担体層は共に上述の平面状のヒータより面積が大き
く、そのため、酸化触媒担持担体層同士、あるいは、触
媒非担持担体層同士が密着する部分があって、その結果
これら層間の剥離が効果的に防止される。
て、検知素子形成部にパラジウム及びアルミナを、補償
素子形成部にアルミナのみを蒸着して、それぞれ厚さ5
000Åの酸化触媒担持担体層及び触媒非担持担体層を
作成し、それぞれ検知素子及び補償素子を形成した。な
お、このとき作成された酸化触媒担持担体層及び触媒非
担持担体層は共に上述の平面状のヒータより面積が大き
く、そのため、酸化触媒担持担体層同士、あるいは、触
媒非担持担体層同士が密着する部分があって、その結果
これら層間の剥離が効果的に防止される。
【0014】次いで、これら検知素子及び補償素子の裏
面に当たる部分のシリコン基板を異方エッチングにより
除去し、次いで、このエッチングにより露出した部分の
酸化シリコン層をドライエッチャーにより裏面からエッ
チングし担体層を露出させた。その後、このセンサ本体
部を台座に接着し、さらに台座に付属する電気接続用ピ
ンと各素子のヒータの端子部とをリード線を用いて接続
して図1及び図2に示したガスセンサαを得た。このよ
うな2層の酸化触媒担持担体層の間に平面状ヒータが配
されてなる検知素子を有する接触燃焼式ガスセンサは感
度も高く、耐久性に優れたものである。
面に当たる部分のシリコン基板を異方エッチングにより
除去し、次いで、このエッチングにより露出した部分の
酸化シリコン層をドライエッチャーにより裏面からエッ
チングし担体層を露出させた。その後、このセンサ本体
部を台座に接着し、さらに台座に付属する電気接続用ピ
ンと各素子のヒータの端子部とをリード線を用いて接続
して図1及び図2に示したガスセンサαを得た。このよ
うな2層の酸化触媒担持担体層の間に平面状ヒータが配
されてなる検知素子を有する接触燃焼式ガスセンサは感
度も高く、耐久性に優れたものである。
【0015】
【発明の効果】本発明の接触燃焼式ガスセンサは、耐久
性・経時安定性及び信頼性が高い、感度の良好な優れた
接触燃焼式ガスセンサである。
性・経時安定性及び信頼性が高い、感度の良好な優れた
接触燃焼式ガスセンサである。
【図1】(a)本発明に係る接触燃焼式ガスセンサの一
例αを示す斜視図である。 (b)絶縁層及びシリコン基板に設けられた空洞を示す
ための部分透視図である。
例αを示す斜視図である。 (b)絶縁層及びシリコン基板に設けられた空洞を示す
ための部分透視図である。
【図2】図1のガスセンサαの上面図(部分図)であ
る。
る。
【図3】従来技術に係る接触燃焼式ガスセンサを示す図
である。
である。
α 本発明に係るガスセンサ 1 検知素子 1a ヒータ 1b 酸化触媒担持担体層 1c 接点部 2 補償素子 2a ヒータ 2b 触媒非担持担体層 2c 接点部 3 担体層 3a 酸化触媒担持部 3b 触媒非担持部 4 リード線 5 ピン 6 絶縁層 7 シリコン基板 8 センサ台座 9 空洞
Claims (3)
- 【請求項1】 2層の酸化触媒担持担体層の間に平面状
ヒータが配されてなる検知素子を有することを特徴とす
る接触燃焼式ガスセンサ。 - 【請求項2】 シリコン基板に設けられた空洞上に上記
検知素子を有することを特徴とする請求項1に記載の接
触燃焼式ガスセンサ。 - 【請求項3】 シリコン基板に設けられた空洞上に補償
素子を有することを特徴とする請求項2に記載の接触燃
焼式ガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10180879A JP2000009672A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 接触燃焼式ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10180879A JP2000009672A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 接触燃焼式ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000009672A true JP2000009672A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16090942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10180879A Withdrawn JP2000009672A (ja) | 1998-06-26 | 1998-06-26 | 接触燃焼式ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000009672A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009008258A1 (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | センサ装置及びその製造方法 |
| KR101128359B1 (ko) * | 2003-06-12 | 2012-03-23 | 리켄 게이키 가부시키가이샤 | 접촉 연소식 가스센서, 및 그 제조방법 |
| JP2012145597A (ja) * | 2012-05-07 | 2012-08-02 | Citizen Holdings Co Ltd | 接触燃焼式ガスセンサ |
| JP2016061593A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | ヤマハファインテック株式会社 | 接触燃焼式ガスセンサ |
| CN114324481A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-12 | 浙江工业大学 | 一种催化燃烧式氢气传感器及其制备方法 |
| GB2604041A (en) * | 2021-02-22 | 2022-08-24 | Draeger Safety Ag & Co Kgaa | Gas detection device with a detector and with a compensator and gas detection process with such a gas detection device |
-
1998
- 1998-06-26 JP JP10180879A patent/JP2000009672A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB2604041A (en) * | 2021-02-22 | 2022-08-24 | Draeger Safety Ag & Co Kgaa | Gas detection device with a detector and with a compensator and gas detection process with such a gas detection device |
| GB2604041B (en) * | 2021-02-22 | 2023-02-22 | Draeger Safety Ag & Co Kgaa | Gas detection device with a detector and with a compensator and gas detection process with such a gas detection device |
| CN114324481A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-12 | 浙江工业大学 | 一种催化燃烧式氢气传感器及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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