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JP2000009666A - X線分析装置 - Google Patents

X線分析装置

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Publication number
JP2000009666A
JP2000009666A JP10176848A JP17684898A JP2000009666A JP 2000009666 A JP2000009666 A JP 2000009666A JP 10176848 A JP10176848 A JP 10176848A JP 17684898 A JP17684898 A JP 17684898A JP 2000009666 A JP2000009666 A JP 2000009666A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
target material
ray
rays
fixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10176848A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuaki Shimizu
一明 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rigaku Corp
Original Assignee
Rigaku Industrial Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rigaku Industrial Corp filed Critical Rigaku Industrial Corp
Priority to JP10176848A priority Critical patent/JP2000009666A/ja
Publication of JP2000009666A publication Critical patent/JP2000009666A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 元素分析と、広い波長領域における反射率測
定による構造分析とを1台で簡便に行えるX線分析装置
を提供する。 【解決手段】 試料1 またはターゲット材2 にX線3 を
照射するX線管4 と、試料1 またはターゲット材2 が固
定される第1試料台5 と、試料1 から発生する2次X線
7 を分光する分光素子8 と、その分光素子8 と同位置に
選択的に配置され、前記ターゲット材2 から発生する固
有X線9 が入射されるように試料1 が固定される第2試
料台10と、前記分光素子8 で分光された蛍光X線16の強
度、または試料1 で反射された前記固有X線17の強度を
測定する検出器18とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、元素分析と構造分
析を1台で簡便に行えるX線分析装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、例えば、試料中の元素の定性
または定量分析には、波長分散型(角度スキャン型)の
蛍光X線分析装置が用いられ、試料の構造分析には、反
射率計が用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】したがって、ある試料
について元素分析と構造分析の両方を行うには、それぞ
れの分析に専用の装置が必要であった。また、従来の反
射率計においては、用いるX線が主としてCu −Kα線
であり、これによって、例えば、シリコンウエハに厚さ
200nmの炭素の膜をスパッタ成膜した単層の薄膜試料
について、反射率測定を行うと、図7に示すように、薄
膜による干渉の振動状態が非常に弱く、振動の周期角度
も約0.018度と非常に小さい値となる。この角度
を、1/100の有効精度で読み取るには、装置とし
て、約0.0001度という達成困難な精度が要求され
ることになる。
【0004】同様に、例えば、シリコンウエハに厚さ2
nmのニッケルの膜と厚さ8nmの炭素の膜を交互に20層
対スパッタ成膜で積層した多層の薄膜試料についても、
図8に示すように、多層構造の周期長を決定するための
ピーク角度が、0.504度と小さい値となる。すなわ
ち、これらのような試料については、高精度な分析が困
難である。一方、軟X線領域において反射率測定を行え
ば、高精度な分析が可能であるが、そのような測定は、
SR光施設等の限られた特殊な装置でしか行えなかっ
た。
【0005】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、元素分析と、広い波長領域における反射率測
定による構造分析とを1台で簡便に行えるX線分析装置
を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項1のX線分析装置は、まず、試料またはター
ゲット材にX線を照射するX線管と、試料またはターゲ
ット材が固定される第1試料台とを備えている。また、
試料から発生する2次X線を分光する分光素子と、その
分光素子と同位置に選択的に配置され、前記ターゲット
材から発生する固有X線が入射されるように試料が固定
される第2試料台とを備えている。さらに、前記分光素
子で分光された蛍光X線の強度、または前記第2試料台
に固定された試料で反射された前記固有X線の強度を測
定する検出器を備えている。
【0007】請求項1のX線分析装置によれば、第1試
料台に試料またはターゲット材のいずれを固定するか、
および、それに応じて分光素子または第2試料台のいず
れをX線光路に配置するかによって、蛍光X線分析装置
としても、反射率計としても機能するので、元素分析と
構造分析を1台で簡便に行える。また、反射率計として
機能する場合、X線管から発生するX線をそのまま用い
るのではなく、所望のターゲット材に照射して発生する
固有X線を用いるので、ターゲット材の選択により、軟
X線領域を含め広い波長領域における反射率測定が容易
に行える。
【0008】請求項2のX線分析装置は、まず、前記請
求項1の装置と同様のX線管と、第1試料台と、分光素
子とを備えている。そして、分光素子とは別の位置に配
置され、前記ターゲット材から発生する固有X線が入射
されるように試料が固定される第2試料台を備えてい
る。さらに、前記分光素子で分光された蛍光X線の強度
を測定する第1検出器と、前記第2試料台に固定された
試料で反射された前記固有X線の強度を測定する第2検
出器とを備えている。請求項2のX線分析装置によって
も、前記請求項1の装置と同様の作用効果が得られる。
【0009】請求項3のX線分析装置は、請求項1また
は2の装置において、前記ターゲット材が複数であり、
前記第1試料台を駆動して所望のターゲット材にX線を
照射させるターゲット材選択手段を備えている。請求項
3のX線分析装置によれば、所望のターゲット材の選択
が容易である。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1実施形態のX
線分析装置を図面にしたがって説明する。まず、この装
置の構成について説明する。この装置は、図1に示すよ
うに、試料1またはターゲット材2にX線3を照射する
X線管4と、試料1またはターゲット材2が固定される
第1試料台5とを備えている。ここで、ターゲット材2
は複数であり、例えば、ベリリウムからなるもの2A、
グラファイトからなるもの2B、マグネシウムからなる
もの2C、けい素からなるもの2Dが、円板状の第1試
料台5に周方向に並べて固定されており、第1試料台5
を中心軸5cまわりに回転駆動させるターゲット材選択
手段6により、所望のターゲット材2A,2B…にX線
3が照射される。
【0011】ターゲット材2としては、この他に、ほう
素、窒化ほう素、窒化けい素、二酸化けい素、ふっ化リ
チウム、塩化ナトリウム、またはアルミニウム等からな
るものでもよく、適宜交換して第1試料台5に固定する
ことができる。なお、第1試料台5には、試料1も固定
されるから、ターゲット材選択手段6は、第1試料台5
を回転駆動して試料1にX線3を照射させることもでき
る。
【0012】また、第1実施形態の装置は、試料1から
発生する2次X線7を分光する分光素子8と、その分光
素子8と同位置に選択的に配置され、前記ターゲット材
2から発生する固有X線9(図2)が入射されるように
試料1が固定される第2試料台10とを備えている。具
体的には、例えば、略立方体の選択手段11の連続する
3面に3種の分光素子8A,8B,8Cが固定されてお
り、残る1面に、伸縮する軸12aを有する微動機構1
2(選択手段11の内部に組み込まれている)を介し
て、第2試料台10が設けられている。選択手段11
は、紙面に垂直な中心軸11cの回りに回転し、所望の
分光素子8A,8B…または第2試料台10に固定され
た試料1(図2)の表面に、試料1から発生する2次X
線7またはターゲット材2から発生する固有X線9(図
2)を入射させる。
【0013】なお、第1実施形態の装置は、試料1から
発生する2次X線7またはターゲット材2から発生する
固有X線9(図2)を平行化するソーラースリット1
3、図2に示すようにターゲット材2から発生する固有
X線9または第2試料台10に固定された試料1に反射
された固有X線17を細く絞る平行ビーム化スリット1
4A,14B、および、装置が反射率計として機能する
場合にのみ、それら平行ビーム化スリット14A,14
Bを光路に進出させ、蛍光X線分析装置として機能する
場合(図1)には光路から退避させる進退手段15A,
15Bも備えている。
【0014】さらに、第1実施形態の装置は、図1の分
光素子8で分光された蛍光X線16の強度、または第2
試料台10に固定された試料1で反射された固有X線1
7(図2)の強度を測定するF−PC等の検出器18を
備えている。検出器18は、入射口またはその近傍にソ
ーラースリットを有している。
【0015】ここで、例えば、装置が蛍光X線分析装置
として機能する場合には、所定範囲の分光素子8への入
射角θについて走査すべく、入射角θと、分光角(分光
素子8へ入射する2次X線7の延長線と分光された蛍光
X線16のなす角)2θとが連動するように、いわゆる
ゴニオメータ等の連動手段(図示せず)により、分光素
子8(具体的にはそれを固定した選択手段11全体)が
その表面の中心を通る紙面に垂直な軸Oを中心に回転さ
れ、その回転角の2倍だけ、検出器18が共通の軸Oを
中心に円19に沿って回転される。同様に、図2に示す
ように、装置が反射率計として機能する場合には、所定
範囲の試料1への入射角θについて走査すべく、試料1
(具体的にはそれを固定した第2試料台10を有する選
択手段11全体)と前記検出器18および平行ビーム化
スリット14Bが前記連動手段により連動して回転され
る。
【0016】次に、第1実施形態のX線分析装置の動作
について説明する。今、この装置を用いて、基板上に薄
膜を形成した薄膜試料1について、まず、薄膜の元素分
析を行い、次に薄膜の構造分析を行うとする。そこで、
図1に示すように、第1試料台5に試料1を固定し、タ
ーゲット材選択手段6により第1試料台5を回転駆動し
て試料1をX線管4の直下に位置させ、X線3を照射す
ると、試料1から発生する2次X線7が、ソーラスリッ
ト13により平行化され、その平行化された2次X線7
が、選択手段11により選択された分光素子8Bに、連
動手段による回転中心Oにおいて入射して分光され、そ
の分光された蛍光X線16の強度が、検出器18によ
り、所定の入射角θの範囲で順次測定される。すなわ
ち、従来の波長分散型蛍光X線分析装置と同様に、薄膜
試料1について薄膜の元素分析が行われる。
【0017】次に、薄膜の構造分析を行う場合には、図
2に示すように、第2試料台10に試料1を固定し、選
択手段11を回転させ、さらに試料1の厚さに応じて微
動機構12の軸12aを伸縮させて、ターゲット材2か
ら発生する固有X線9が、試料1の表面に、連動手段に
よる回転中心Oにおいて入射するように、試料1を位置
させる。そして、ターゲット材選択手段6により、所望
のターゲット材例えばグラファイトからなるもの2Bを
X線管4の直下に位置させ、X線3を照射すると、ター
ゲット材2Bから発生する固有X線すなわちC−Kα線
9が、ソーラスリット13により平行化され、その一部
が進退手段15Aにより光路に挿入された平行ビーム化
スリット14Aを通過し、その通過したC−Kα線9
が、試料1で反射(回折)され、平行ビーム化スリット
14Bを通過し、その強度が、検出器18により、所定
の入射角θの範囲で順次測定される。すなわち、薄膜試
料1について反射率測定ひいては薄膜の構造分析が行わ
れる。
【0018】このとき、用いるX線がC−Kα線である
ので、試料1が、従来の技術で述べたのと同一の、厚さ
200nmの炭素の単層の膜を有するシリコンウエハであ
る場合には、従来の図7に比べ、図5に示すように、薄
膜による干渉の振動状態が非常に強く(振幅が大き
く)、その周期角度も0.56度と従来の約30倍の大
きい値となる。この角度であれば、1/100の有効精
度で読み取るにも、装置として、約0.005度の精度
で足りることになる。
【0019】同様に、例えば、試料1が、やはり従来の
技術で述べたのと同一の、厚さ2nmのニッケルの膜と厚
さ8nmの炭素の膜を20層対有するシリコンウエハであ
る場合には、従来の図8に比べ、図6に示すように、多
層構造の周期長を決定するためのピーク角度が、13.
6度と従来の約30倍の大きい値となる。すなわち、こ
れらのような試料1についても、高精度な分析が可能で
ある。
【0020】このように第1実施形態のX線分析装置に
よれば、X線管4の直下に試料1またはターゲット材2
のいずれを位置させるか、および、それに応じて分光素
子8または第2試料台に固定された試料1のいずれをX
線光路に配置するかによって、蛍光X線分析装置として
も、反射率計としても機能するので、元素分析と構造分
析を1台で簡便に行える。また、図2に示すように、反
射率計として機能する場合、X線管4から発生するX線
3をそのまま用いるのではなく、所望のターゲット材2
A,2B…に照射して発生する固有X線9を用いるの
で、ターゲット材2A,2B…の選択により、SR光施
設等の特殊な装置によることなく、軟X線領域を含め広
い波長領域における反射率測定が容易に行える。さら
に、ターゲット材選択手段6により、所望のターゲット
材2A,2B…の選択が容易である。
【0021】次に、本発明の第2実施形態のX線分析装
置を図面にしたがって説明する。この装置は、図3に示
すように、第2試料台20が分光素子8とは別の位置に
配置され、検出器28も、分光素子8で分光された蛍光
X線16の強度を測定する第1検出器28Aとは別に、
第2試料台20に固定された試料1で反射された固有X
線17(図4)の強度を測定する第2検出器28Bを備
えており、ゴニオメータ等の連動手段も、各検出器28
A,28Bに応じてそれぞれに備えている点で、前記第
1実施形態の装置と異なるが、その他の点では同様の構
成であるので説明を省略する。具体的には、選択手段2
1は、X線光路から退避するための面21aを有してお
り、図4に示すように、ターゲット材2から発生してそ
の退避面21a前を通過する固有X線9の進行方向に、
選択手段21とは別体に、微動機構22の伸縮する軸2
2aに支持された第2試料台20を備えている。
【0022】この装置を用いて、試料1の元素分析を行
う場合には、図3に示すように、試料1から発生する2
次X線7が、選択手段21により選択された分光素子8
Bに、連動手段による回転中心OA において入射して分
光され、その分光された蛍光X線16の強度が、検出器
28Aにより、所定の入射角θの範囲で順次測定され、
前記第1実施形態の装置と同様に、試料1について元素
分析が行われる。
【0023】試料の構造分析を行う場合には、図4に示
すように、選択手段21を回転させてX線光路から退避
させ、第2試料台20に試料1を固定し、さらに試料1
の厚さに応じて微動機構22の軸22aを伸縮させて、
ターゲット材2から発生する固有X線9が、試料1の表
面に、連動手段による回転中心OB において入射するよ
うに、試料1を位置させる。そして、ターゲット材選択
手段6により、所望のターゲット材2BをX線管4の直
下に位置させ、X線3を照射すると、ターゲット材2B
から発生する固有X線9が、ソーラスリット13により
平行化され、その一部が進退手段15Aにより光路に挿
入された平行ビーム化スリット14Aを通過し、その通
過した固有X線9が、試料1で反射(回折)され、平行
ビーム化スリット14Bを通過し、その強度が、検出器
28Bにより、所定の入射角θの範囲で順次測定され
る。すなわち、試料1について反射率測定ひいては構造
分析が行われる。
【0024】第2実施形態の装置によっても、前記第1
実施形態の装置と同様の作用効果が得られる。なお、第
2実施形態の装置においては、検出器28B側の進退手
段15Bは不要で、検出器28B側の平行ビーム化スリ
ット14Bは、検出器28Bに対し固定されていてよ
い。
【0025】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のX
線分析装置によれば、第1試料台に試料またはターゲッ
ト材のいずれを固定するか、および、それに応じて分光
素子または第2試料台のいずれをX線光路に配置するか
によって、蛍光X線分析装置としても、反射率計として
も機能するので、元素分析と構造分析を1台で簡便に行
える。また、反射率計として機能する場合、X線管から
発生するX線をそのまま用いるのではなく、所望のター
ゲット材に照射して発生する固有X線を用いるので、タ
ーゲット材の選択により、軟X線領域を含め広い波長領
域における反射率測定が容易に行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態であるX線分析装置が、
蛍光X線分析装置として機能する状態を示す概略図であ
る。
【図2】同装置が、反射率計として機能する状態を示す
概略図である。
【図3】本発明の第2実施形態であるX線分析装置が、
蛍光X線分析装置として機能する状態を示す概略図であ
る。
【図4】同装置が、反射率計として機能する状態を示す
概略図である。
【図5】前記第1実施形態の装置による単層の薄膜を有
する試料の反射率の測定結果を示す図である。
【図6】同装置による多層の薄膜を有する試料の反射率
の測定結果を示す図である。
【図7】従来の反射率計による単層の薄膜を有する試料
の反射率の測定結果を示す図である。
【図8】同反射率計による多層の薄膜を有する試料の反
射率の測定結果を示す図である。
【符号の説明】
1…試料、2…ターゲット材、3…X線管から照射され
るX線、4…X線管、5…第1試料台、6…ターゲット
材選択手段、7…試料から発生する2次X線、8…分光
素子、9…ターゲット材から発生する固有X線、10,
20…第2試料台、16…分光された蛍光X線、17…
反射された固有X線、18,28…検出器。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料またはターゲット材にX線を照射す
    るX線管と、 試料またはターゲット材が固定される第1試料台と、 試料から発生する2次X線を分光する分光素子と、 その分光素子と同位置に選択的に配置され、前記ターゲ
    ット材から発生する固有X線が入射されるように試料が
    固定される第2試料台と、 前記分光素子で分光された蛍光X線の強度、または前記
    第2試料台に固定された試料で反射された前記固有X線
    の強度を測定する検出器とを備えたX線分析装置。
  2. 【請求項2】 試料またはターゲット材にX線を照射す
    るX線管と、 試料またはターゲット材が固定される第1試料台と、 試料から発生する2次X線を分光する分光素子と、 その分光素子とは別の位置に配置され、前記ターゲット
    材から発生する固有X線が入射されるように試料が固定
    される第2試料台と、 前記分光素子で分光された蛍光X線の強度を測定する第
    1検出器と、 前記第2試料台に固定された試料で反射された前記固有
    X線の強度を測定する第2検出器とを備えたX線分析装
    置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2において、 前記ターゲット材が複数であり、 前記第1試料台を駆動して所望のターゲット材にX線を
    照射させるターゲット材選択手段を備えたX線分析装
    置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000055841A (ja) * 1998-08-13 2000-02-25 Fujitsu Ltd X線分析方法
JP2002039969A (ja) * 2000-07-25 2002-02-06 Fujitsu Ltd 薄膜の密度測定方法及び磁気ディスク装置
JP2013514527A (ja) * 2009-12-17 2013-04-25 サーモ フィッシャー サイエンティフィック (エキュブラン) エスアーエールエル 試料のx線解析を実行する方法及び装置

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