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JP2000009443A - Method and device for measuring form - Google Patents

Method and device for measuring form

Info

Publication number
JP2000009443A
JP2000009443A JP10176935A JP17693598A JP2000009443A JP 2000009443 A JP2000009443 A JP 2000009443A JP 10176935 A JP10176935 A JP 10176935A JP 17693598 A JP17693598 A JP 17693598A JP 2000009443 A JP2000009443 A JP 2000009443A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light distribution
light
distribution data
substrate
shape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP10176935A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noriyuki Kondo
教之 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP10176935A priority Critical patent/JP2000009443A/en
Publication of JP2000009443A publication Critical patent/JP2000009443A/en
Abandoned legal-status Critical Current

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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for measuring a form which can measure a fine pattern accurately. SOLUTION: A laser beam outputted from a laser outputting part 11 is condensed at a focal point 14a of an objective lens 14 set on a substrate 100. The condensed laser beam is reflected near the focal point 14a. The light distribution which is a brightness distribution in directions within a space caused by the reflection depends on a pattern form. A light distribution detecting part 15 detects the light distribution. A CPU 21 collects detected light-distribution data sequentially detected when the focal point 14a so moves as to cross the pattern formed at the substrate 100. Among a plurality of logical light-distribution data obtained logically from a known form, such logical light-distribution data most approximate to the collected detection light-distribution data is obtained. The known form based on the logical light-distribution data is decided as a pattern formed on the substrate 100.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示器用ガラス基板などの基板上に形成されるパター
ンの形状を測定する形状測定方法及びその装置に係り、
特に、微細なパターンの形状を測定することができる技
術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for measuring a shape of a pattern formed on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display.
In particular, the present invention relates to a technique capable of measuring the shape of a fine pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウエハや液晶表示器用ガラ
ス基板などの基板上に形成されたパターンの形状を測定
する形状測定装置として、例えばコンフォーカル顕微
鏡、レーザ顕微鏡、表面粗さ計、光段差計などがある。
この従来例では、図10に示すレーザ顕微鏡について説
明する。このレーザ顕微鏡は、光学系が収納される顕微
鏡ユニット60と、顕微鏡ユニット60からの出力に応
じた演算処理を行なう演算部61と、演算部61の演算
結果に応じて顕微鏡ユニット60を上下左右に駆動する
駆動部62とを備えて構成されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a shape measuring device for measuring the shape of a pattern formed on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display, there are known, for example, a confocal microscope, a laser microscope, a surface roughness meter, an optical step meter. and so on.
In this conventional example, a laser microscope shown in FIG. 10 will be described. The laser microscope includes a microscope unit 60 in which an optical system is housed, an arithmetic unit 61 that performs arithmetic processing according to an output from the microscope unit 60, and a microscope unit 60 that moves up, down, left, and right in accordance with the arithmetic result of the arithmetic unit 61. And a driving unit 62 for driving.

【0003】レーザ出力部63から出力されたレーザ光
は、ハーフミラー64で反射されて、第1の対物レンズ
65に入射する。第1の対物レンズ65は、入射したレ
ーザ光を第1の対物レンズ65の焦点65aに集光す
る。チューブレンズ66は、第1の対物レンズ65を介
して、基板69上で反射したレーザ光を集光する。チュ
ーブレンズ66の焦点66aの位置には、スリット板6
7のスリット67aが配備されており、このスリット6
7aを通過したレーザ光は、受光素子68で受光され
る。受光素子68は、受光したレーザ光の受光量に応じ
た出力をする。
The laser light output from the laser output section 63 is reflected by a half mirror 64 and enters a first objective lens 65. The first objective lens 65 focuses the incident laser light on a focal point 65 a of the first objective lens 65. The tube lens 66 condenses the laser light reflected on the substrate 69 via the first objective lens 65. At the position of the focal point 66a of the tube lens 66, the slit plate 6
7, a slit 67a is provided.
The laser light that has passed through 7a is received by light receiving element 68. The light receiving element 68 outputs an output according to the amount of received laser light.

【0004】基板69上に形成されているパターンの形
状を測定する場合には、第1の対物レンズ65の焦点6
5aを基板69上で走査させる。このとき、基板69上
のパターン表面と焦点65aがずれると、スリット板6
7のスリット67aの位置でレーザ光は集光されなくな
り、受光素子68で受光されるレーザ光の受光量が低下
する。そこで、演算部61は、駆動部62によって顕微
鏡ユニット60を鉛直方向(z方向)に移動させて、受
光素子68で受光されるレーザ光の受光量が最大になる
ように制御する。このときの顕微鏡ユニット60の鉛直
方向の移動量を求めることで、基板69上に形成された
パターンの高さを求めることができる。また、顕微鏡ユ
ニット60を水平方向(X方向またはY方向)に移動さ
せることで、パターンの幅も求めることができる。した
がって、基板69上において顕微鏡ユニット60を移動
させることで、基板69上に形成されたパターンの形状
を測定することができる。
When measuring the shape of the pattern formed on the substrate 69, the focal point 6 of the first objective lens 65 is measured.
5a is scanned on the substrate 69. At this time, if the pattern surface on the substrate 69 deviates from the focal point 65a, the slit plate 6
The laser light is no longer focused at the position of the slit 67a, and the amount of laser light received by the light receiving element 68 decreases. Therefore, the calculation unit 61 controls the drive unit 62 to move the microscope unit 60 in the vertical direction (z direction) so that the amount of laser light received by the light receiving element 68 is maximized. By obtaining the amount of vertical movement of the microscope unit 60 at this time, the height of the pattern formed on the substrate 69 can be obtained. Further, by moving the microscope unit 60 in the horizontal direction (X direction or Y direction), the width of the pattern can also be obtained. Therefore, by moving the microscope unit 60 on the substrate 69, the shape of the pattern formed on the substrate 69 can be measured.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。従来例のように、測定装置における測定光の波長
が基板上に形成されるパターンに対して十分に短い波長
であれば、幾何光学上そのパターンで回折する回折波に
ついては無視することができる。したがって、上述した
レーザ顕微鏡などのように、基板上で反射したレーザ光
の受光量が最大になるように、基板と第1の対物レンズ
との距離(Z方向)を調節するとともに、水平面内でレ
ーザ顕微鏡を走査させることで、その各移動量からパタ
ーンの幅や高さなどを求めて、パターンの形状を測定し
ていた。
However, the prior art having such a structure has the following problems. If the wavelength of the measuring light in the measuring device is sufficiently short with respect to the pattern formed on the substrate as in the conventional example, the diffracted wave diffracted by the pattern can be ignored in geometric optics. Therefore, as in the above-described laser microscope, the distance (Z direction) between the substrate and the first objective lens is adjusted so that the amount of laser light reflected on the substrate is maximized, and the distance between the substrate and the first objective lens is adjusted within the horizontal plane. By scanning a laser microscope, the width, height, and the like of the pattern are obtained from each movement amount, and the shape of the pattern is measured.

【0006】しかし、近年、半導体ウエハ上に形成され
るパターンは、非常に微細化され始めており、その微細
なパターンは、上述した測定光の波長に対して、同等ま
たはそれ以下の大きさで形成されている。その微細なパ
ターンを従来のレーザ顕微鏡などの測定装置を用いて測
定すると、基板上のパターンで生じる回折波や遮断周波
数などの影響により、パターンの形状を正確に測定する
ことができなくなるという問題がある。
However, in recent years, the pattern formed on a semiconductor wafer has begun to be extremely miniaturized, and the fine pattern has a size equal to or smaller than the above-mentioned wavelength of the measuring light. Have been. When measuring such a fine pattern using a measuring device such as a conventional laser microscope, there is a problem that the shape of the pattern cannot be accurately measured due to the influence of a diffracted wave or a cutoff frequency generated in the pattern on the substrate. is there.

【0007】また、走査形電子顕微鏡(SEM)や走査
形トンネル顕微鏡(STM)などの測定装置によって、
上述した微細なパターンを測定することもできる。しか
し、微細なパターンの形状等の測定は、例えば半導体製
造プロセスにおいて多数回行なわれる重要な検査工程で
あり、SEMなどの装置は非常に高価であるとともに、
その使用手順や装置規模が大がかりなものなので、製造
工程内にそれらを配備することは製造コストの上昇、ス
ループットの低下の原因になるという問題がある。さら
に、SEMにおいては、非破壊検査・測定が行なえない
という問題もある。
[0007] Further, a measuring device such as a scanning electron microscope (SEM) or a scanning tunnel microscope (STM) is used.
The fine pattern described above can also be measured. However, measurement of the shape of a fine pattern or the like is an important inspection step performed many times in a semiconductor manufacturing process, for example, and an apparatus such as an SEM is very expensive,
Since the use procedure and apparatus scale are large, there is a problem that arranging them in the manufacturing process causes an increase in manufacturing cost and a decrease in throughput. Further, there is a problem that nondestructive inspection / measurement cannot be performed in the SEM.

【0008】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、比較的安価な装置で、微細なパターン
を正確に測定することができる形状測定方法及びその装
置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a shape measuring method and a device capable of accurately measuring a fine pattern with a relatively inexpensive device. Aim.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、基板上に形成されたパタ
ーンの形状を測定する形状測定方法であって、光源から
出力された所定の測定光を前記基板上に集光する過程
と、前記集光された測定光が前記基板上で反射すること
によって生じる、空間内の各方向への光度分布である配
光を検出する過程と、前記集光された測定光と前記基板
とを前記測定光が前記パターンを横切るように相対的に
移動させる過程と、前記移動に伴って逐次検出される前
記配光の集合である検出配光データ群を記憶する過程
と、既知の形状のパターンから求められる前記配光の集
合である基準配光データ群を、複数の既知の形状のパタ
ーンのそれぞれについて求める過程と、前記複数の基準
配光データ群の中から、前記検出配光データ群に近似す
る基準配光データ群を求める過程と、前記検出配光デー
タ群に近似する基準配光データ群に対応するパターンの
既知の形状に基づいて、前記基板上に形成されたパター
ンの形状を確定する過程とを備えることを特徴とするも
のである。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. That is, the invention according to claim 1 is a shape measuring method for measuring the shape of a pattern formed on a substrate, wherein a step of condensing predetermined measurement light output from a light source on the substrate, The step of detecting a light distribution that is a luminous intensity distribution in each direction in space, which is caused by the collected measurement light being reflected on the substrate, and the step of detecting the collected measurement light and the substrate. A step of relatively moving the measurement light so as to cross the pattern, a step of storing a detected light distribution data group that is a set of the light distributions sequentially detected with the movement, and a pattern of a known shape. A step of obtaining a reference light distribution data group, which is a set of the obtained light distributions, for each of a plurality of patterns having a known shape; and, from the plurality of reference light distribution data groups, approximating the detected light distribution data group. Reference light distribution day Obtaining a group, and determining a shape of a pattern formed on the substrate based on a known shape of a pattern corresponding to a reference light distribution data group approximating the detected light distribution data group. It is characterized by the following.

【0010】請求項2に記載の発明は、基板上に形成さ
れたパターンの形状を測定する形状測定装置であって、
所定の測定光を出力する光源と、前記光源から出力され
た測定光を前記基板上に集光する集光手段と、前記集光
手段によって集光された測定光が前記基板上で反射する
ことによって生じる、空間内の各方向への光度分布であ
る配光を検出する配光検出手段と、前記集光手段によっ
て集光された測定光と前記基板とを前記測定光が前記パ
ターンを横切るように相対的に移動させる移動手段と、
前記移動手段による移動に伴って前記配光検出手段で逐
次検出される前記配光の集合である検出配光データ群を
記憶する記憶手段と、既知の形状のパターンから求めら
れる前記配光の集合である基準配光データ群を、複数の
既知の形状のパターンのそれぞれについて求める基準配
光取得手段と、前記基準配光取得手段で求められた複数
の基準配光データ群の中から、前記記憶手段に記憶され
た検出配光データ群に近似する基準配光データを求める
近似データ演算手段と、前記近似データ演算手段によっ
て求められた基準配光データに対応するパターンの既知
の形状に基づいて、前記基板上に形成されたパターンの
形状を確定する確定手段とを備えることを特徴とするも
のである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a shape measuring apparatus for measuring a shape of a pattern formed on a substrate,
A light source that outputs a predetermined measurement light, a light collecting unit that collects the measurement light output from the light source on the substrate, and the measurement light that is collected by the light collection unit is reflected on the substrate. Light distribution detecting means for detecting light distribution which is a luminous intensity distribution in each direction in a space generated by the light source, and the measurement light and the substrate condensed by the light condensing means so that the measurement light crosses the pattern. Moving means for moving relatively to the;
A storage unit for storing a detected light distribution data group, which is a set of the light distributions sequentially detected by the light distribution detection unit along with the movement by the moving unit, and a set of the light distribution obtained from a pattern of a known shape A reference light distribution data group, and a reference light distribution acquisition unit that obtains each of a plurality of patterns of known shapes, and from among the plurality of reference light distribution data groups that are obtained by the reference light distribution acquisition unit, the storage unit Approximate data calculation means for obtaining reference light distribution data approximate to the detected light distribution data group stored in the means, based on the known shape of the pattern corresponding to the reference light distribution data obtained by the approximate data calculation means, Determining means for determining the shape of the pattern formed on the substrate.

【0011】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の形状測定装置において、前記光源から配光検出手段ま
での光路の途中に測定光を偏光する偏光手段を備えるも
のである。
According to a third aspect of the present invention, in the shape measuring apparatus according to the second aspect, a polarizing means for polarizing the measuring light is provided in the optical path from the light source to the light distribution detecting means.

【0012】請求項4に記載の発明は、請求項3に記載
の形状測定装置において、前記配光検出手段は、前記偏
光手段によってP偏光された測定光に基づくP偏光配光
を検出するとともに、前記偏光手段によってS偏光され
た測定光に基づくS偏光配光を検出するものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the shape measuring apparatus according to the third aspect, the light distribution detecting means detects a P-polarized light distribution based on the measurement light P-polarized by the polarizing means. And S-polarized light distribution based on the measurement light S-polarized by the polarizing means.

【0013】[0013]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。光源から出力された測定光は、基板上に集光され
る。集光された測定光は、基板上で反射する。この反射
による空間内の各方向への光度分布、すなわち配光はパ
ターンの形状に依存する。基板上に形成されたパターン
を横切るように、集光された測定光と基板とを相対的に
移動させ、基板からの配光の集合である検出配光データ
群を記憶する。複数の既知の形状のパターンについて各
々求められた複数の基準配光データ群の中から、検出配
光データ群に近似する基準配光データ群を求める。この
基準配光データに対応するパターンの形状に基づいて、
基板上に形成されたパターンの形状を確定する。基板上
に形成されたパターンは、ここで確定された形状で形成
されたパターンとして測定される。
The operation of the first aspect of the invention is as follows. The measurement light output from the light source is collected on the substrate. The collected measurement light is reflected on the substrate. The luminous intensity distribution in each direction in the space due to the reflection, that is, the light distribution depends on the shape of the pattern. The collected measurement light and the substrate are relatively moved so as to cross the pattern formed on the substrate, and a detected light distribution data group, which is a set of light distribution from the substrate, is stored. A reference light distribution data group approximating the detected light distribution data group is obtained from the plurality of reference light distribution data groups obtained for each of the plurality of known shape patterns. Based on the shape of the pattern corresponding to this reference light distribution data,
The shape of the pattern formed on the substrate is determined. The pattern formed on the substrate is measured as a pattern formed in the shape determined here.

【0014】請求項2に記載の発明によれば、光源から
出力された測定光は、集光手段によって基板上に集光さ
れる。測定光は基板上で反射し、パターンの形状に依存
する空間内の各方向への光度分布である配光が配光検出
手段によって検出される。移動手段による測定光と基板
との相対移動によって、配光検出手段で逐次検出される
配光の集合である検出配光データ群を記憶手段に記憶す
る。基準配光取得手段は、既知の形状のパターンについ
て求められる配光の集合である基準配光データ群を、複
数の既知の形状のパターンについてそれぞれ求める。近
似データ演算手段は、基準配光取得手段で求められた複
数の基準配光データ群の中から、検出配光データ群に近
似する基準配光データ群を求める。確定手段は、この基
準配光データに対応するパターンの形状に基づいて、基
板上に形成されたパターンの形状を確定する。
According to the second aspect of the present invention, the measuring light output from the light source is focused on the substrate by the focusing means. The measurement light is reflected on the substrate, and a light distribution, which is a light intensity distribution in each direction in a space depending on the shape of the pattern, is detected by the light distribution detecting means. A detected light distribution data group, which is a set of light distributions sequentially detected by the light distribution detecting means by the relative movement of the measurement light and the substrate by the moving means, is stored in the storage means. The reference light distribution obtaining means obtains a reference light distribution data group, which is a set of light distributions obtained for a pattern having a known shape, for a plurality of patterns having a known shape. The approximate data calculation means obtains a reference light distribution data group that approximates the detected light distribution data group from the plurality of reference light distribution data groups obtained by the reference light distribution acquisition means. The determination means determines the shape of the pattern formed on the substrate based on the shape of the pattern corresponding to the reference light distribution data.

【0015】請求項3に記載の発明によれば、光源から
配光検出手段までの光路の途中に備える偏光手段は、光
源から送られる測定光を偏光する。配光検出手段は、偏
光された測定光に基づく配光を検出する。
According to the third aspect of the present invention, the polarizing means provided in the optical path from the light source to the light distribution detecting means polarizes the measuring light sent from the light source. The light distribution detecting means detects a light distribution based on the polarized measurement light.

【0016】請求項4に記載の発明によれば、配光検出
手段は、偏光手段によってP偏光された測定光に基づく
P偏光配光を検出するとともに、S偏光された測定光に
基づくS偏光配光を検出する。
According to the fourth aspect of the present invention, the light distribution detecting means detects the P-polarized light distribution based on the measurement light P-polarized by the polarizing means, and detects the S-polarized light based on the S-polarized measurement light. Detect light distribution.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。 <第1実施例>本発明の第1実施例に係る形状測定装置
を図1に示す。この形状測定装置は、半導体ウエハ、ガ
ラス基板や金属基板などの基板100上に形成された微
細なパターンに所定の測定光を照射する光学系ユニット
1と、光学系ユニット1を制御する制御系ユニット2と
を備えて構成されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. <First Embodiment> FIG. 1 shows a shape measuring apparatus according to a first embodiment of the present invention. The shape measuring device includes an optical system unit 1 that irradiates a predetermined pattern on a fine pattern formed on a substrate 100 such as a semiconductor wafer, a glass substrate, or a metal substrate, and a control system unit that controls the optical system unit 1. 2 is provided.

【0018】光学系ユニット1は、所定の測定光である
レーザ光を出力するレーザ出力部11を備えている。こ
のレーザ出力部11は、本発明における光源に相当す
る。このレーザ出力部11に対向して配備された第1偏
光板12aは、レーザ出力部11から出力されたレーザ
光(図1中、鎖線矢印で示す)を例えばP偏光とする。
The optical system unit 1 has a laser output section 11 for outputting a laser beam as a predetermined measuring beam. This laser output unit 11 corresponds to a light source in the present invention. The first polarizing plate 12a provided so as to face the laser output unit 11 converts the laser light (indicated by a chain line arrow in FIG. 1) output from the laser output unit 11 into, for example, P-polarized light.

【0019】ハーフミラー13は、第1偏光板12aを
通過してP偏光されたレーザ光の一部を下方に向けて反
射する。ハーフミラー13で反射されたレーザ光は、対
物レンズ14に入射する。この対物レンズ14は、本発
明における集光手段に相当する。対物レンズ14は、そ
の焦点14aが基板100上に来るように配備されてい
て、この対物レンズ14に入射したレーザ光を基板10
0上の焦点14aに集光する。なお、基板100は、図
示しない載置台上に載置されている。
The half mirror 13 reflects a part of the P-polarized laser light passing through the first polarizing plate 12a downward. The laser light reflected by the half mirror 13 enters the objective lens 14. This objective lens 14 corresponds to the light collecting means in the present invention. The objective lens 14 is provided so that its focal point 14a is located on the substrate 100, and the laser beam incident on the objective lens 14 is
The light is focused on the focal point 14a on the zero. The substrate 100 is mounted on a mounting table (not shown).

【0020】基板100上の焦点14aに集光されたレ
ーザ光は、その焦点14a付近の基板100上で反射す
る。基板100上で反射するレーザ光は、焦点14a付
近の基板100上に形成されたパターンの形状に応じ
て、基板100よりも上方の空間への光度がばらつく。
つまり、パターンの形状に応じて空間内の各方向への光
度分布である配光が変化する。
The laser light focused on the focal point 14a on the substrate 100 is reflected on the substrate 100 near the focal point 14a. The luminous intensity of the laser beam reflected on the substrate 100 to the space above the substrate 100 varies according to the shape of the pattern formed on the substrate 100 near the focal point 14a.
That is, the light distribution, which is the luminous intensity distribution in each direction in the space, changes according to the shape of the pattern.

【0021】対物レンズ14は、基板100上で反射し
て生じた配光を捉える。この配光は、その状態を維持さ
せたまま、ハーフミラー13を通過するとともに、第2
偏光板12bで再びP偏光されて、配光検出部15で受
光される。配光検出部15は、例えばライン状に形成さ
れた複数個の受光素子を備えて構成されている。それら
の各受光素子はレーザ光を各々受光するので、受光素子
全体としてレーザ光の配光を検出することができる。配
光検出部15で検出されたレーザ光の配光は、検出配光
データとして制御系ユニット2側に収集される。なお、
第1偏光板12aと第2偏光板12bとは、本発明にお
ける偏光手段に相当する。また、配光検出部15は、本
発明における配光検出手段に相当する。
The objective lens 14 captures light distribution generated by reflection on the substrate 100. This light distribution passes through the half mirror 13 while maintaining the state, and
The light is again P-polarized by the polarizing plate 12 b and received by the light distribution detection unit 15. The light distribution detection unit 15 includes, for example, a plurality of light receiving elements formed in a line shape. Since each of the light receiving elements receives the laser light, the light distribution of the laser light can be detected as the whole light receiving element. The light distribution of the laser light detected by the light distribution detection unit 15 is collected on the control system unit 2 side as detected light distribution data. In addition,
The first polarizing plate 12a and the second polarizing plate 12b correspond to the polarizing means in the present invention. The light distribution detecting unit 15 corresponds to a light distribution detecting unit in the present invention.

【0022】制御系ユニット2は、制御系ユニット2を
統括的に制御したり、所定の演算処理をしたりするCP
U21と、CPU21によって逐次収集された検出配光
データを記憶するメモリ22と、各種の設定を指示する
例えばマウス23と、基板100上に形成されたパター
ンの形状等を表示するモニタ24と、CPU21の指示
に応じて光学系ユニット1を上下左右に駆動する3軸駆
動型のサーボモータなどの駆動機構で構成されている駆
動部25とを備えて構成されている。なお、CPU21
は、本発明における基準配光取得手段、近似データ演算
手段および確定手段に相当し、メモリ22は本発明にお
ける記憶手段に、駆動部25は本発明における移動手段
に相当する。
The control system unit 2 controls the control system unit 2 in a centralized manner and performs a predetermined arithmetic processing.
U21, a memory 22 for storing detected light distribution data sequentially collected by the CPU 21, a mouse 23 for instructing various settings, a monitor 24 for displaying the shape of a pattern formed on the substrate 100, and a CPU 21. And a drive unit 25 including a drive mechanism such as a three-axis drive type servomotor that drives the optical system unit 1 up, down, left and right in response to the instruction. Note that the CPU 21
Corresponds to the reference light distribution acquisition unit, the approximate data calculation unit, and the determination unit in the present invention, the memory 22 corresponds to the storage unit in the present invention, and the driving unit 25 corresponds to the moving unit in the present invention.

【0023】以下、制御系ユニット2によって形状測定
装置全体で行なわれる処理を図2のフローチャートを参
照しながら説明する。なお、この実施例では、フォトリ
ソグラフィ工程などで、基板100に所定の微細なパタ
ーンを形成した後に、その微細なパターンの断面形状を
測定する場合について説明する。
Hereinafter, processing performed by the control system unit 2 in the entire shape measuring apparatus will be described with reference to the flowchart of FIG. In this embodiment, a case will be described in which a predetermined fine pattern is formed on the substrate 100 by a photolithography process or the like, and then the cross-sectional shape of the fine pattern is measured.

【0024】ステップS1(初期画面を表示) 形状測定装置が起動されると、CPU21は、図4
(a)に示すような初期画面40をモニタ24に表示す
るとともに、光学系ユニット1を初期状態にする。初期
画面40には、オペレータの希望する処理をCPU21
に実行させるための所定の命令である、キャリブレーシ
ョン命令41と、形状設定命令42と、測定開始命令4
3とが表示されている。さらに、初期画面40には、各
命令41〜43を指示するためのマウスカーソル5が合
わせて表示されている。マウスカーソル5は、マウス2
3の動きに連動して画面上を移動するとともに、マウス
23に備える図示しないボタンをクリックすることで、
マウスカーソル5が重ねられた部分の所定の命令を指示
するものである。
Step S1 (Display Initial Screen) When the shape measuring device is activated, the CPU 21 proceeds to FIG.
An initial screen 40 as shown in (a) is displayed on the monitor 24, and the optical system unit 1 is set in an initial state. In the initial screen 40, a process desired by the operator is displayed on the CPU 21.
Instruction, a shape setting instruction 42, and a measurement start instruction 4
3 is displayed. Further, on the initial screen 40, a mouse cursor 5 for indicating each of the instructions 41 to 43 is also displayed. The mouse cursor 5 is the mouse 2
By moving on the screen in conjunction with the movement of 3 and clicking a button (not shown) provided on the mouse 23,
This is for instructing a predetermined command in a portion where the mouse cursor 5 is overlaid.

【0025】ステップS2(初期設定) オペレータは、キャリブレーション用基板を形状測定装
置の図示しない載置台上に載置する。さらに、オペレー
タは、初期画面40を観察しながらマウスカーソル5を
移動させて、キャリブレーション命令41を指示する。
キャリブレーション命令41が指示されると、CPU2
1は、レーザ出力部11からレーザ光を出力して、キャ
リブレーション用基板で反射して得られるレーザ光の配
光を検出する。この検出された配光を校正用検出配光デ
ータとして収集し、この校正用検出配光データに基づい
て校正を行なう。
Step S2 (Initial Setting) The operator places the calibration substrate on a mounting table (not shown) of the shape measuring apparatus. Further, the operator moves the mouse cursor 5 while observing the initial screen 40, and instructs the calibration command 41.
When the calibration command 41 is instructed, the CPU 2
1 outputs a laser beam from the laser output unit 11 and detects a light distribution of the laser beam obtained by being reflected by the calibration substrate. The detected light distribution is collected as calibration detection light distribution data, and calibration is performed based on the calibration detection light distribution data.

【0026】オペレータは、基板100に形成されるパ
ターンの形状に相当するモデルを選択するために、初期
画面40のモデル設定命令42を指示する(図4(a)
参照)。CPU21は、モデル設定命令42が指示され
ると、図4(b)に示すモデル設定画面45をモニタ2
4に表示する。
The operator instructs a model setting command 42 on the initial screen 40 to select a model corresponding to the shape of the pattern formed on the substrate 100 (FIG. 4A).
reference). When the model setting instruction 42 is instructed, the CPU 21 displays a model setting screen 45 shown in FIG.
4 is displayed.

【0027】モデル設定画面45には、モデル1〜nが
表示される。モデル1〜nは、フォトリソグラフィ工程
などで基板100に形成されたと推定される微細なパタ
ーンの断面形状に相当するものである。図4(b)のモ
デル設定画面45では、モデル1〜4だけが表示されて
いるが、マウスカーソル5によってスクロールバー46
を上下に移動させることにより、モデル設定画面45内
の表示を上下方向にスクロールさせて、モデル1〜n内
のいずれかのモデルをモデル設定画面45に表示させる
ことができる。
On the model setting screen 45, models 1 to n are displayed. The models 1 to n correspond to the cross-sectional shape of a fine pattern presumed to be formed on the substrate 100 by a photolithography process or the like. Although only the models 1 to 4 are displayed on the model setting screen 45 of FIG.
Is moved up and down, the display in the model setting screen 45 can be scrolled up and down, and any one of the models 1 to n can be displayed on the model setting screen 45.

【0028】例えば、モデル設定画面45に表示される
モデル1は、基板100上に形成されたパターンが、角
度t、高さhの段差を持つ断面形状であることを示すも
のである。また、モデル3は、幅w、深さh、角度tの
溝形の断面形状であることを示すものである。さらに、
モデル4は、幅w、高さh、角度tの凸形の断面形状で
あることを示すものである。なお、幅w、高さ又は深さ
h、角度tは、パターンの形状を特定するための要素で
ある。このステップS2では、基板100上に形成され
たパターンの断面形状を指示する。
For example, the model 1 displayed on the model setting screen 45 indicates that the pattern formed on the substrate 100 has a sectional shape having a step having an angle t and a height h. The model 3 indicates a groove-shaped cross-sectional shape having a width w, a depth h, and an angle t. further,
Model 4 indicates a convex cross-sectional shape having a width w, a height h, and an angle t. The width w, height or depth h, and angle t are elements for specifying the pattern shape. In this step S2, the sectional shape of the pattern formed on the substrate 100 is specified.

【0029】基板100に例えばモデル3に示す断面形
状のパターンが形成されていると推定される場合、オペ
レータは、マウスカーソル5によってモデル3を指示す
る。モデル3が指示されると、CPU21は再び初期画
面40を表示する。さらに、オペレータは、パターンの
断面形状を測定するため、測定開始命令43を指示す
る。
When it is estimated that a pattern having the cross-sectional shape shown in the model 3 is formed on the substrate 100, the operator designates the model 3 with the mouse cursor 5. When the model 3 is instructed, the CPU 21 displays the initial screen 40 again. Further, the operator instructs a measurement start command 43 to measure the cross-sectional shape of the pattern.

【0030】ステップS3(配光データを測定) CPU21は、測定開始命令43が指示されると、光学
系ユニット1に測定開始を指示するとともに、駆動部2
5に光学系ユニット1の移動を指示する。光学系ユニッ
ト1は、基板100上にレーザ光を集光させて、その基
板100で反射して生じた配光を、配光検出部15で検
出する。このとき、駆動部25によって光学系ユニット
1は、所定の距離を所定の速度で移動する。CPU21
は、配光検出部15で検出される配光を検出配光データ
として、所定間隔ごとにメモリ22に記憶する。
Step S3 (Measurement of Light Distribution Data) When the measurement start command 43 is instructed, the CPU 21 instructs the optical system unit 1 to start measurement, and the driving unit 2
5 is instructed to move the optical system unit 1. The optical system unit 1 focuses a laser beam on the substrate 100, and the light distribution detection unit 15 detects a light distribution generated by reflection on the substrate 100. At this time, the optical unit 1 is moved by a predetermined distance at a predetermined speed by the driving unit 25. CPU 21
Stores the light distribution detected by the light distribution detector 15 as detected light distribution data in the memory 22 at predetermined intervals.

【0031】例えば、図5に示すような溝形の断面形状
のパターンが基板100上に形成されている場合、レー
ザ光が集光される焦点14aは、光学系ユニット1の移
動とともに所定の距離である、測定位置X1から測定位
置Xnの間を移動する。なお、測定位置X1は、例えば
溝形の断面形状のパターンの中央から距離lの位置に設
定される。なお、この測定位置X1は、例えば基板10
0に形成されたアライメントマークや、基板100の端
面を基準にすることもできる。
For example, when a groove-shaped cross-sectional pattern as shown in FIG. 5 is formed on the substrate 100, the focal point 14a where the laser light is focused is moved at a predetermined distance with the movement of the optical system unit 1. Is moved between the measurement position X1 and the measurement position Xn. The measurement position X1 is set, for example, at a position of a distance 1 from the center of the groove-shaped cross-sectional pattern. Note that this measurement position X1 is, for example,
An alignment mark formed at 0 or an end face of the substrate 100 may be used as a reference.

【0032】CPU21は、焦点14aが測定位置X1
から測定位置Xn間を移動している間、焦点14a付近
で反射して生じる配光を検出配光データとして所定の間
隔で収集する。その結果、測定位置X1、X2、・・
・、Xn-1、Xnにおけるの検出配光データ(以下、複
数の検出配光データ全体を示す場合には、単に「検出配
光データ群Rr 」と呼ぶ)を収集することができる。こ
こで、焦点14a付近で生じる配光とは、焦点14aで
生じる配光と、焦点14aの近傍で生じる配光とを含む
ものである。
The CPU 21 determines that the focal point 14a is at the measurement position X1.
During the movement from the measurement position Xn to the measurement position Xn, light distribution generated by reflection near the focal point 14a is collected at predetermined intervals as detected light distribution data. As a result, the measurement positions X1, X2,.
, Xn-1 and Xn-1 can be collected (hereinafter, simply referred to as "detected light distribution data group Rr" when indicating a plurality of detected light distribution data as a whole). Here, the light distribution generated near the focal point 14a includes the light distribution generated at the focal point 14a and the light distribution generated near the focal point 14a.

【0033】各測定位置X1〜Xnで各々検出される各
検出配光データを図6に示す。図6に示す各検出配光デ
ータは、配光曲線で示されている。この配光曲線は、焦
点14aで反射されたレーザ光の焦点14aを中心とし
て、空間内の各方向への光度分布を、方向の関数として
示した曲線であり、焦点14aを原点とする極座標で表
されている。以下、メモリ22に収集される検出配光デ
ータは、極座標で表された配光曲線として説明する。な
お、配光曲線は、上述した極座標で表されるもののほ
か、配光検出部15の全体で捉えられる光度分布を、横
軸を各受光素子の位置に、縦軸をその各受光素子で検出
される光度に対応させる座標系で表すこともできる。
FIG. 6 shows each detected light distribution data detected at each of the measurement positions X1 to Xn. Each detected light distribution data shown in FIG. 6 is represented by a light distribution curve. This light distribution curve is a curve showing, as a function of the direction, the luminous intensity distribution in each direction in the space around the focal point 14a of the laser light reflected by the focal point 14a, and is a polar coordinate having the focal point 14a as the origin. Is represented. Hereinafter, the detected light distribution data collected in the memory 22 will be described as a light distribution curve represented by polar coordinates. Note that, in addition to the light distribution curve represented by the polar coordinates described above, the luminous intensity distribution captured by the entire light distribution detection unit 15 is detected by the horizontal axis at the position of each light receiving element and the vertical axis by the light receiving element. It can also be represented by a coordinate system corresponding to the luminosity to be measured.

【0034】図6に示された例えば測定位置X1での検
出配光データに基づく配光曲線60は、ほぼ半円形をし
ている。これは、焦点14aがある基板100上に凹凸
のパターンがない単なる平面であることを示している。
また、測定位置X3は焦点14aがパターンに近接する
位置である。この測定位置X3における焦点14a付近
で反射して生じる配光曲線61(図6参照)は、基板1
00上に形成されたパターンの形状と、焦点14aの位
置とに応じて、その配光曲線61が変形している。ま
た、測定位置X3〜Xn-1における配光曲線も同様に、
パターンの形状と、焦点14aとの位置とに応じて、そ
の配光曲線の形が変化している。さらに、測定位置Xn
では、焦点14aが単なる平面上に移動しているので、
測定位置X1と同様に、その配光曲線62はほぼ半円形
をしている。
The light distribution curve 60 based on the detected light distribution data at, for example, the measurement position X1 shown in FIG. 6 has a substantially semicircular shape. This indicates that the focal point 14a is a mere plane having no uneven pattern on the substrate 100.
The measurement position X3 is a position where the focal point 14a is close to the pattern. The light distribution curve 61 (see FIG. 6) generated by reflection near the focal point 14a at the measurement position X3 is
The light distribution curve 61 is deformed in accordance with the shape of the pattern formed on the light emitting portion 00 and the position of the focal point 14a. Similarly, the light distribution curves at the measurement positions X3 to Xn-1 are as follows.
The shape of the light distribution curve changes according to the shape of the pattern and the position of the focal point 14a. Further, the measurement position Xn
Then, since the focal point 14a moves on a mere plane,
Similar to the measurement position X1, the light distribution curve 62 is substantially semicircular.

【0035】ステップS4(パターン形状を確定) ステップS4で行なわれる処理を図3に示すステップT
1〜T3を参照しながら説明する。
Step S4 (determining the pattern shape) The processing performed in step S4 is shown in step T shown in FIG.
This will be described with reference to 1 to T3.

【0036】ステップT1(理論配光データ群を生成) CPU21は、ステップS2で指示されたモデル3を特
定するための要素(幅w、深さh、角度t)のそれぞれ
に、所定の値を与える。例えば、(幅w、深さh、角度
t)=(0.01〜0.50、0.01〜0.50、9
0〜180)をそれぞれ与える。これによって、複数種
類の溝形のモデル3が決まる。つまり、モデル3の幅w
を0.01μmピッチで0.01〜0.50μmまで変
化させ、深さhを0.01μmピッチで0.01〜0.
50μmまで変化させ、角度tを1°ピッチで90〜1
80°まで変化させることにより、幅w、深さhおよび
角度tがそれぞれ異なる複数種類の溝形のモデル3が決
まる。ステップT1は、本発明における基準配光取得手
段の機能に相当する。
Step T1 (Generates theoretical light distribution data group) The CPU 21 assigns a predetermined value to each of the elements (width w, depth h, angle t) for specifying the model 3 specified in step S2. give. For example, (width w, depth h, angle t) = (0.01 to 0.50, 0.01 to 0.50, 9
0 to 180). Thus, a plurality of types of groove-shaped models 3 are determined. That is, the width w of the model 3
At a pitch of 0.01 μm from 0.01 to 0.50 μm, and a depth h of 0.01 to 0.1 μm at a pitch of 0.01 μm.
The angle t is changed to 50 μm, and the angle t is 90 to 1 at 1 ° pitch.
By changing it to 80 °, a plurality of types of groove-shaped models 3 having different widths w, depths h and angles t are determined. Step T1 corresponds to the function of the reference light distribution acquisition means in the present invention.

【0037】具体的には、まず、CPU21は、(幅
w、高さh、角度t)=(0.01、0.01、90)
で特定される断面形状のモデル3を決める。CPU21
は、このモデル3のパターンが基板100上に形成され
ていると想定した場合に、ステップS3と同様のレーザ
光の焦点14aを、上述した測定位置X1〜Xnに対応
する仮想測定位置Y1〜Ynで仮想的に移動させる。こ
の焦点14aの移動に伴って、各仮想測定位置Y1〜Y
nで各々検出される配光を、理論配光データとして理論
的に求める。以下、各仮想測定位置Y1〜Ynで各々検
出される理論配光データ全体を示す場合には、単に「理
論配光データ群」と呼び、このモデル3で求められた複
数の理論配光データの全体を理論配光データ群Rs1とい
う。なお、理論配光データ及び理論配光データ群は、そ
れぞれ本発明における基準配光データ及び基準配光デー
タ群に相当する。
Specifically, first, the CPU 21 calculates (width w, height h, angle t) = (0.01, 0.01, 90)
The model 3 of the sectional shape specified by is determined. CPU 21
When the pattern 3 of the model 3 is assumed to be formed on the substrate 100, the same focus 14a of the laser beam as in step S3 is set to the virtual measurement positions Y1 to Yn corresponding to the measurement positions X1 to Xn described above. To move virtually. With the movement of the focal point 14a, the virtual measurement positions Y1 to Y
The light distribution detected by each of n is theoretically obtained as theoretical light distribution data. Hereinafter, when the entire theoretical light distribution data detected at each of the virtual measurement positions Y1 to Yn is indicated, it is simply referred to as a “theoretical light distribution data group”, and the plurality of theoretical light distribution data obtained by the model 3 is used. The whole is referred to as a theoretical light distribution data group Rs1. Note that the theoretical light distribution data and the theoretical light distribution data group correspond to the reference light distribution data and the reference light distribution data group in the present invention, respectively.

【0038】仮想測定位置Y1〜Ynで検出される各理
論配光データは、集光されたレーザ光、基板100上に
形成されるパターンの断面形状、焦点14aとパターン
との位置関係などが決まっているので、マックスウェル
の方程式によって理論的に求めることができる。
Each of the theoretical light distribution data detected at the virtual measurement positions Y1 to Yn determines the focused laser light, the cross-sectional shape of the pattern formed on the substrate 100, the positional relationship between the focal point 14a and the pattern, and the like. It can be theoretically obtained by Maxwell's equation.

【0039】次に、CPU21は、(幅w、高さh、角
度t)=(0.02、0.01、90)で特定される断
面形状のモデル3を決めて、理論配光データ群Rs2を求
める。同様にして、(幅w、高さh、角度t)=(0.
03、0.01、90)、(0.04、0.01、9
0)、・・・、(0.50、0.50、180)で各々
特定される断面形状のモデル3をそれぞれ決めて、各モ
デル3に応じた理論配光データ群Rs3〜Rsnをそれぞれ
求める。ステップT1で求められた理論配光データ群R
s1〜Rsnを図7に示す。
Next, the CPU 21 determines a model 3 having a cross-sectional shape specified by (width w, height h, angle t) = (0.02, 0.01, 90), and sets a theoretical light distribution data group. Find Rs2. Similarly, (width w, height h, angle t) = (0.
03, 0.01, 90), (0.04, 0.01, 9)
0),..., (0.50, 0.50, 180) are determined, and the theoretical light distribution data groups Rs3 to Rsn corresponding to each model 3 are determined. . The theoretical light distribution data group R obtained in step T1
FIG. 7 shows s1 to Rsn.

【0040】ステップT2(理論配光データ群を特定) ステップT1で求められた各理論配光データ群Rs1〜R
snと、ステップS3で求められた検出配光データ群Rr
との誤差量をそれぞれ算出し、検出配光データ群Rr に
最も近似する理論配光データ群を求める。ステップT2
は、本発明における近似データ演算手段の機能に相当す
る。
Step T2 (Specify theoretical light distribution data group) Each theoretical light distribution data group Rs1 to R obtained in step T1
sn and the detected light distribution data group Rr obtained in step S3
Is calculated, and a theoretical light distribution data group that is the closest to the detected light distribution data group Rr is obtained. Step T2
Corresponds to the function of the approximate data calculation means in the present invention.

【0041】具体的には、まず、測定位置X1における
検出配光データと、仮想測定Y1における理論配光デー
タとの誤差を算出する。同様にして、測定位置X2〜X
nにおける検出配光データと、仮想測定位置Y2〜Yn
における理論配光データとについてそれぞれの誤差を算
出する。ここで算出された各誤差の総和を求めること
で、誤差量を算出する。この誤差量の算出を、各理論配
光データ群Rs1〜Rsnについても行なう。
Specifically, first, an error between the detected light distribution data at the measurement position X1 and the theoretical light distribution data at the virtual measurement Y1 is calculated. Similarly, measurement positions X2 to X
n, the detected light distribution data at n and the virtual measurement positions Y2 to Yn
The respective errors are calculated with respect to the theoretical light distribution data in. The amount of error is calculated by calculating the sum of the calculated errors. The calculation of the error amount is also performed for each of the theoretical light distribution data groups Rs1 to Rsn.

【0042】CPU21は、各理論配光データ群Rs1〜
Rsnの誤差量を算出し、誤差量が最小値になる例えば理
論配光データ群Rsiを特定する(図7参照)。なお、検
出配光データ群Rr の測定位置X1が、理論配光データ
群の仮想測定位置Y1に対してずれている場合には、誤
差量を正確に求めることができない場合がある。この場
合には、検出配光データ群Rr の各検出配光データの測
定位置X1〜Xnを適宜シフトさせて、このシフトさせ
た検出配光データ群Rr と、理論配光データRs1〜Rsn
との間で誤差量を求めて、その誤差量が最小となる理論
配光データ群Rsiを求める。
The CPU 21 sets each of the theoretical light distribution data groups Rs1 to Rs1 to
The error amount of Rsn is calculated, and, for example, a theoretical light distribution data group Rsi that minimizes the error amount is specified (see FIG. 7). If the measurement position X1 of the detected light distribution data group Rr is shifted from the virtual measurement position Y1 of the theoretical light distribution data group, the error amount may not be obtained accurately. In this case, the measurement positions X1 to Xn of the detected light distribution data of the detected light distribution data group Rr are appropriately shifted, and the shifted detected light distribution data group Rr and the theoretical light distribution data Rs1 to Rsn are shifted.
Is calculated, and a theoretical light distribution data group Rsi that minimizes the error is calculated.

【0043】ステップT3(断面形状の要素を確定) CPU21は、理論配光データ群Rsiに基づく断面形状
のモデル3の要素(幅w、高さh、角度t)=(wi、
hi、ti)を把握する。さらに、CPU21は、理論
配光データ群Rsiと、検出配光データ群Rr との誤差量
に応じて、(幅w、高さh、角度t)=(wi、hi、
ti)を、理論配光データ群Rsi+1に基づく断面形状の
モデル3の要素(幅w、高さh、角度t)=(wi+1、
hi+1、ti+1)、または、理論配光データ群Rsi-1に
基づく断面形状のモデル3の要素(幅w、高さh、角度
t)=(wi-1、hi-1、ti-1)の各値で補間する。
この補間された要素(幅w、高さh、角度t)=(w
I、hI、tI)を、モデル3の要素として最終的に確
定する。ステップT3は、本発明における確定手段の機
能に相当する。
Step T3 (Determine the Element of the Sectional Shape) The CPU 21 determines the element (width w, height h, angle t) of the model 3 of the sectional shape based on the theoretical light distribution data group Rsi = (wi,
hi, ti). Further, the CPU 21 calculates (width w, height h, angle t) = (wi, hi, wi) in accordance with the error amount between the theoretical light distribution data group Rsi and the detected light distribution data group Rr.
ti) is calculated by using the elements (width w, height h, angle t) of the cross-sectional shape model 3 based on the theoretical light distribution data group Rsi + 1 = (wi + 1,
hi + 1, ti + 1) or the element (width w, height h, angle t) of the model 3 of the cross-sectional shape based on the theoretical light distribution data group Rsi-1 = (wi-1, hi-1, ti) Interpolate with each value of -1).
This interpolated element (width w, height h, angle t) = (w
I, hI, tI) are finally determined as elements of the model 3. Step T3 corresponds to the function of the determination means in the present invention.

【0044】ステップS5(確定形状を表示) CPU21は、図8に示す測定結果画面80をモニタ2
4に表示する。この測定結果初期画面80には、モデル
3の要素(幅w、高さh、角度t)=(wI、hI、t
I)によって特定される断面形状と、各要素の値wI、
hI、tIとがそれぞれ表示される。オペレータは、測
定結果画面80を観察することで、基板100に形成さ
れた微細なパターンの断面形状を把握する。
Step S5 (display the determined shape) The CPU 21 displays the measurement result screen 80 shown in FIG.
4 is displayed. In the initial screen 80 of the measurement result, the elements of the model 3 (width w, height h, angle t) = (wI, hI, t
The cross-sectional shape specified by I) and the value wI of each element,
hI and tI are displayed respectively. The operator grasps the cross-sectional shape of the fine pattern formed on the substrate 100 by observing the measurement result screen 80.

【0045】ステップS6(終了?) さらに、他のパターンの断面形状を測定する場合には、
上述したステップS2〜S6を繰り返し行なう。他のパ
ターンを測定しない場合には、処理を終了する。
Step S6 (End?) Further, when measuring the cross-sectional shape of another pattern,
Steps S2 to S6 described above are repeatedly performed. If another pattern is not measured, the process ends.

【0046】上述した装置によれば、基板100上で反
射したレーザ光(測定光)の空間内における各方向への
光度分布を検出することで、基板100に形成された微
細なパターンの断面形状を測定している。つまり、従来
の形状測定装置であるレーザ顕微鏡などの測定方法と
は、全く異なる測定方法を利用することによって、従来
装置よりも簡単な構成で、かつ、従来装置では測定する
ことができなかった微細なパターンを測定することがで
きる。また、複数の既知の形状のパターンから理論的に
求めた複数の理論配光データ群の中から、測定によって
得られた検出配光データ群に最も近似する理論配光デー
タ群を求め、さらに、この理論配光データ群に基づくパ
ターンの形状を特定する要素を、その求められた理論配
光データ近傍の理論配光データに基づくパターンの形状
を特定する要素によって補間しているので、基板100
に形成されたパターンの形状をより正確に求めることが
できる。
According to the above-described apparatus, by detecting the luminous intensity distribution of the laser light (measurement light) reflected on the substrate 100 in each direction in the space, the sectional shape of the fine pattern formed on the substrate 100 is detected. Is measured. In other words, by using a measurement method that is completely different from a measurement method such as a laser microscope, which is a conventional shape measurement device, it has a simpler configuration than the conventional device and has a finer structure that cannot be measured by the conventional device. It can measure various patterns. In addition, from a plurality of theoretical light distribution data groups theoretically obtained from a plurality of known shape patterns, a theoretical light distribution data group most similar to a detected light distribution data group obtained by measurement is obtained. The element for specifying the shape of the pattern based on the theoretical light distribution data group is interpolated by the element for specifying the shape of the pattern based on the theoretical light distribution data near the calculated theoretical light distribution data.
The shape of the pattern formed in the pattern can be obtained more accurately.

【0047】<第2実施例>次に、図9を用いて第2実
施例について説明する。図9は、第2実施例に係る形状
測定装置を示すブロック図である。上述した第1実施例
と共通する部分については、同一符号を付し、その説明
を省略する。なお、図9に示すように、第2実施例の形
状測定装置は、第1実施例の形状測定装置の第2偏光板
12bの代わりに、測定光をP偏光およびS偏光に偏光
する偏光ビームスプリッター18を備えるものである。
<Second Embodiment> Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a block diagram illustrating a shape measuring apparatus according to the second embodiment. Portions common to the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. As shown in FIG. 9, the shape measuring apparatus according to the second embodiment is different from the shape measuring apparatus according to the first embodiment in that, instead of the second polarizing plate 12b, a polarization beam that polarizes measurement light into P-polarized light and S-polarized light. It has a splitter 18.

【0048】偏光ビームスプリッター18は、ハーフミ
ラー13を通過してきたレーザ光の配光をP偏光すると
ともに、S偏光するものである。例えば、偏光ビームス
プリッター18を透過して、第1配光検出部15aに入
射するレーザ光は、P偏光される。一方、偏光ビームス
プリッター18内で反射して、第2配光検出部15bに
入射するレーザ光は、S偏光される。第1偏光板12a
および偏光ビームスリッター18は本発明における偏光
手段に相当し、第1配光検出部15aおよび第2配光検
出部15bは、本発明における配光検出手段に相当す
る。
The polarization beam splitter 18 serves to P-polarize and S-polarize the light distribution of the laser beam passing through the half mirror 13. For example, the laser light that passes through the polarization beam splitter 18 and enters the first light distribution detection unit 15a is P-polarized. On the other hand, the laser light that is reflected in the polarization beam splitter 18 and enters the second light distribution detection unit 15b is S-polarized. First polarizing plate 12a
The polarization beam slitter 18 corresponds to a polarization unit in the present invention, and the first light distribution detecting unit 15a and the second light distribution detecting unit 15b correspond to a light distribution detecting unit in the present invention.

【0049】第1配光検出部15aは、P偏光されたP
偏光配光を検出する。第2配光検出部15bは、S偏光
されたS偏光配光を検出する。
The first light distribution detecting section 15a outputs a P-polarized P
Detect the polarized light distribution. The second light distribution detection unit 15b detects S-polarized S-polarized light distribution.

【0050】CPU21は、焦点14aの移動に伴っ
て、第1配光検出部15aで逐次検出されるP偏光配光
をP偏光検出配光データとして収集するとともに、第2
配光検出部15bで逐次検出されるS偏光配光をS偏光
検出配光データとして収集する。収集されたP偏光検出
配光データ群と、S偏光検出配光データ群とをメモリ2
2に記憶する。
The CPU 21 collects the P-polarized light distribution sequentially detected by the first light distribution detecting unit 15a as the P-polarized light detection light distribution data in accordance with the movement of the focal point 14a.
The S-polarized light distribution sequentially detected by the light distribution detector 15b is collected as S-polarized light distribution data. The collected P-polarized light distribution data group and the S-polarized light distribution data group are stored in the memory 2.
Stored in 2.

【0051】例えば、メモリ22は、測定位置X1〜X
nの各測定位置でのP偏光検出配光データと、S偏光検
出配光データとの2つデータが、測定位置X1〜Xnの
各測定位置での検出配光データとして記憶する。
For example, the memory 22 stores the measurement positions X1 to X
The two data of the P-polarized light detection light distribution data and the S-polarization detection light distribution data at each of the n measurement positions are stored as the detected light distribution data at each of the measurement positions X1 to Xn.

【0052】CPU21は、第1実施例におけるステッ
プT1で理論配光データを求める場合に、P偏光された
レーザ光の配光を理論的に求めた理論P偏光検出配光デ
ータと、S偏光されたレーザ光の配光を理論的に求めた
理論S偏光検出配光データとの2つのデータが含まれる
理論配光データを求める。以下、第1実施例の検出配光
データおよび理論配光データとして、基板100に形成
されたパターンの形状を求める。
When obtaining the theoretical light distribution data at step T1 in the first embodiment, the CPU 21 calculates the theoretical P-polarized light detection light distribution data obtained by theoretically obtaining the light distribution of the P-polarized laser light and the S-polarized light distribution data. Theoretical light distribution data including theoretical S-polarization detection light distribution data obtained by theoretically calculating the light distribution of the obtained laser light. Hereinafter, the shape of the pattern formed on the substrate 100 will be obtained as the detected light distribution data and the theoretical light distribution data of the first embodiment.

【0053】上述した第2実施例に係る形状測定装置で
は、P偏光された配光に基づくP偏光検出配光データ
と、S偏光された配光に基づくS偏光検出配光データと
を検出配光データとしているので、これら全データに基
づく検出配光データ群と、理論配光データ群との誤差量
を求める際に、算出する誤差の要素が増えて、より適切
な誤差量を求めることができる。
The shape measuring apparatus according to the second embodiment detects and distributes P-polarized light distribution data based on P-polarized light distribution and S-polarized light distribution data based on S-polarized light distribution. Since optical data is used, when calculating the amount of error between the detected light distribution data group based on all these data and the theoretical light distribution data group, the number of error elements to be calculated increases, and it is possible to obtain a more appropriate error amount. it can.

【0054】なお、上述した各実施例で検出された検出
配光データおよび理論配光データ(図6、7参照)は、
測定対象である基板100の材質、測定光の状態、基板
周囲の雰囲気などによって、その配光曲線の形状が変化
するものである。したがって、本実施例は単なる一例で
あって、本発明はこれに限定されるものではない。
The detected light distribution data and the theoretical light distribution data (see FIGS. 6 and 7) detected in each of the above-described embodiments are:
The shape of the light distribution curve changes depending on the material of the substrate 100 to be measured, the state of the measurement light, the atmosphere around the substrate, and the like. Therefore, the present embodiment is merely an example, and the present invention is not limited to this.

【0055】この発明は以下のように変形実施すること
が可能である。 (1)上述した第1実施例では、測定光をP偏光する場
合について説明したが、本発明はこれに限られるもので
はなく、測定光をP偏光に垂直なS偏光する場合にも適
用することができる。
The present invention can be modified as follows. (1) In the first embodiment described above, the case where the measurement light is P-polarized has been described. However, the present invention is not limited to this, and is also applicable to the case where the measurement light is S-polarized perpendicular to the P-polarized light. be able to.

【0056】(2)上述した各実施例では、基板100
に形成されたパターンの断面形状について説明したが、
測定光が集光される焦点14aを、基板100の全面で
移動させることで、パターンの3次元形状を測定するこ
ともできる。
(2) In each of the above embodiments, the substrate 100
Although the cross-sectional shape of the pattern formed in was described,
The three-dimensional shape of the pattern can be measured by moving the focal point 14a where the measurement light is converged over the entire surface of the substrate 100.

【0057】(3)上述した各実施例では、基板100
を単一素材として考えたが、例えば、初期設定(ステッ
プS2)において2種類以上の素材から構成されるもの
を、モデル1〜nとともに選択するようにしてもよい。
(3) In each of the above embodiments, the substrate 100
Is considered as a single material, but for example, in the initial setting (step S2), a material composed of two or more types of materials may be selected together with the models 1 to n.

【0058】(4)上述した各実施例では、測定光とし
てレーザ光を用いたが、測定光を出力する光源として、
例えば、水銀灯、ハロゲンランプ、キセノンランプなど
でもよい。但し、光学フィルタ等を用いて単色光とする
のが好ましい。
(4) In each of the above-described embodiments, laser light was used as the measurement light.
For example, a mercury lamp, a halogen lamp, a xenon lamp, or the like may be used. However, it is preferable that the light is monochromatic light using an optical filter or the like.

【0059】(5)上述した各実施例では、第1偏光板
12aと、第2偏光板12bまたは偏光ビームスプリッ
ター18を偏光手段として用いたが、例えば、単一の偏
光板を対物レンズ14と、ハーフミラ13との間に設け
ることもできる。
(5) In each of the above embodiments, the first polarizing plate 12a, the second polarizing plate 12b, or the polarizing beam splitter 18 is used as the polarizing means. , Half mirror 13.

【0060】(6)上述した各実施例では、配光検出部
15はライン型の受光素子で構成されたものであった
が、例えば、マトリックス型の受光素子で構成される、
CCDなどの面センサでもよい。
(6) In each of the above-described embodiments, the light distribution detecting section 15 is constituted by a line type light receiving element. However, for example, the light distribution detecting section 15 is constituted by a matrix type light receiving element.
A surface sensor such as a CCD may be used.

【0061】(7)上述した各実施例では、焦点14a
を移動させるために光学系ユニット1を移動するように
構成したが、例えば、基板100を移動するように構成
してもよい。
(7) In each of the above embodiments, the focal point 14a
Although the optical system unit 1 is configured to move to move the substrate, for example, the substrate 100 may be configured to move.

【0062】(8)上述した各実施例では、レーザ出力
部11に対面する位置に第1偏光板12aを配備した
が、例えば、レーザ出力部11から出力されるレーザ光
(測定光)がすでに偏光されている場合には、第1偏光
板12aを取り除くこともできる。
(8) In each of the above-described embodiments, the first polarizing plate 12a is provided at a position facing the laser output unit 11. For example, the laser light (measurement light) output from the laser output unit 11 is already provided. When polarized, the first polarizing plate 12a can be removed.

【0063】(9)上述した各実施例では、ステップT
1(図3)において、CPU21による理論的な演算に
よって理論配光データ及び理論配光データ群を基準配光
データ及び基準配光データ群として取得したが、実際に
形状が確認されている複数のパターンを準備し、各パタ
ーンに対してステップS3(図2)の工程を実施するこ
とによって、測定データを基準配光データ及び基準配光
データ群として取得しても良い。
(9) In each of the above-described embodiments, step T
In FIG. 1 (FIG. 3), the theoretical light distribution data and the theoretical light distribution data group are obtained as the reference light distribution data and the reference light distribution data group by the theoretical operation by the CPU 21, but a plurality of shapes whose shapes are actually confirmed are obtained. By preparing the patterns and performing the process of step S3 (FIG. 2) for each pattern, the measurement data may be acquired as the reference light distribution data and the reference light distribution data group.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、基板上で集光された測定光が
反射し、パターンの形状に依存する空間内の各方向への
光度分布である配光に基づいて、基板上に形成されたパ
ターンの形状を測定するので、パターンの形状が、測定
光の波長に比べて十分に大きくない場合にも、そのパタ
ーンの形状を正確に測定することができる。
As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, the measurement light condensed on the substrate is reflected and directed in each direction in the space depending on the shape of the pattern. Since the shape of the pattern formed on the substrate is measured based on the light distribution that is the luminous intensity distribution, even if the pattern shape is not sufficiently large compared to the wavelength of the measurement light, the shape of the pattern can be measured. It can be measured accurately.

【0065】請求項2に記載の発明によれば、請求項1
に記載の方法発明を好適に実施することができるととも
に、装置の構成を従来に比べて簡単にすることができる
ので、装置を安価に製造することができる。
According to the invention described in claim 2, according to claim 1
And the configuration of the device can be simplified as compared with the conventional method, so that the device can be manufactured at low cost.

【0066】請求項3に記載の発明によれば、偏光手段
によって偏光された測定光に基づいた配光を配光検出手
段で検出しているので、基板上に形成されたパターンの
形状をより正確に測定することができる。
According to the third aspect of the present invention, since the light distribution based on the measurement light polarized by the polarizing means is detected by the light distribution detecting means, the shape of the pattern formed on the substrate can be further improved. It can be measured accurately.

【0067】請求項4に記載の発明によれば、P偏光さ
れた測定光に基づくP偏光配光と、S偏光された測定光
に基づくS偏光配光との両方を検出しているので、基板
上に形成されたパターンの形状をより正確に測定するこ
とができる。
According to the fourth aspect of the present invention, both the P-polarized light distribution based on the P-polarized measurement light and the S-polarized light distribution based on the S-polarized measurement light are detected. The shape of the pattern formed on the substrate can be measured more accurately.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施例に係る形状測定装置を示すブロック
図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a shape measuring apparatus according to a first embodiment.

【図2】形状測定装置で行なわれる処理の流れを示すフ
ローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart illustrating a flow of a process performed by the shape measuring device.

【図3】ステップS4で行なわれる処理の流れを示すフ
ローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing a flow of a process performed in step S4.

【図4】形状測定装置で表示される初期画面およびモデ
ル設定画面を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an initial screen and a model setting screen displayed on the shape measuring device.

【図5】形状測定装置でパターンを測定する様子を示す
図である。
FIG. 5 is a diagram showing how a pattern is measured by a shape measuring device.

【図6】形状測定装置で検出された検出配光データ群を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a detected light distribution data group detected by the shape measuring device.

【図7】形状測定装置で理論的に求められた理論配光デ
ータ群を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a theoretical light distribution data group theoretically obtained by the shape measuring device.

【図8】測定結果画面を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a measurement result screen.

【図9】第2実施例に係る形状測定装置を示すブロック
図である。
FIG. 9 is a block diagram illustrating a shape measuring apparatus according to a second embodiment.

【図10】従来の形状測定装置を示すブロック図であ
る。
FIG. 10 is a block diagram showing a conventional shape measuring device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 …光学系ユニット 2 …制御系ユニット 11 …レーザ出力部 12a…第1偏光板 12b…第2偏光板 13 …ハーフミラー 14 …対物レンズ 15 …配光検出部 15a…第1配光検出部 15b…第2配光検出部 21 …CPU 22 …メモリ 23 …マウス 24 …モニタ 25 …駆動部 100 …基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical system unit 2 ... Control system unit 11 ... Laser output part 12a ... 1st polarizing plate 12b ... 2nd polarizing plate 13 ... Half mirror 14 ... Objective lens 15 ... Light distribution detection part 15a ... First light distribution detection part 15b ... Second light distribution detecting section 21... CPU 22... Memory 23.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA54 BB02 BB18 CC17 FF41 GG04 HH04 HH08 LL32 MM01 QQ24 QQ39 RR08 4M106 BA05 CA19 CA39 DB02 DB08 DB12 DB14 DJ17 DJ20 DJ21 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F065 AA54 BB02 BB18 CC17 FF41 GG04 HH04 HH08 LL32 MM01 QQ24 QQ39 RR08 4M106 BA05 CA19 CA39 DB02 DB08 DB12 DB14 DJ17 DJ20 DJ21

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に形成されたパターンの形状を測
定する形状測定方法であって、 光源から出力された所定の測定光を前記基板上に集光す
る過程と、 前記集光された測定光が前記基板上で反射することによ
って生じる、空間内の各方向への光度分布である配光を
検出する過程と、 前記集光された測定光と前記基板とを前記測定光が前記
パターンを横切るように相対的に移動させる過程と、 前記移動に伴って逐次検出される前記配光の集合である
検出配光データ群を記憶する過程と、 既知の形状のパターンから求められる前記配光の集合で
ある基準配光データ群を、複数の既知の形状のパターン
のそれぞれについて求める過程と、 前記複数の基準配光データ群の中から、前記検出配光デ
ータ群に近似する基準配光データ群を求める過程と、 前記検出配光データ群に近似する基準配光データ群に対
応するパターンの既知の形状に基づいて、前記基板上に
形成されたパターンの形状を確定する過程とを備えるこ
とを特徴とする形状測定方法。
1. A shape measuring method for measuring a shape of a pattern formed on a substrate, comprising: condensing predetermined measurement light output from a light source on the substrate; The process of detecting light distribution, which is a luminous intensity distribution in each direction in a space, which is caused by light reflecting off the substrate, and the measurement light converging the condensed measurement light and the substrate to form the pattern. A step of relatively moving so as to cross, a step of storing a detected light distribution data group which is a set of the light distribution sequentially detected with the movement, and a step of storing the light distribution obtained from a pattern of a known shape. A step of obtaining a set of reference light distribution data groups for each of a plurality of patterns of known shapes; and a reference light distribution data group approximating the detected light distribution data group from the plurality of reference light distribution data groups. The process of seeking Determining a shape of a pattern formed on the substrate based on a known shape of a pattern corresponding to a reference light distribution data group approximating the detected light distribution data group. Measuring method.
【請求項2】 基板上に形成されたパターンの形状を測
定する形状測定装置であって、 所定の測定光を出力する光源と、 前記光源から出力された測定光を前記基板上に集光する
集光手段と、 前記集光手段によって集光された測定光が前記基板上で
反射することによって生じる、空間内の各方向への光度
分布である配光を検出する配光検出手段と、 前記集光手段によって集光された測定光と前記基板とを
前記測定光が前記パターンを横切るように相対的に移動
させる移動手段と、 前記移動手段による移動に伴って前記配光検出手段で逐
次検出される前記配光の集合である検出配光データ群を
記憶する記憶手段と、 既知の形状のパターンから求められる前記配光の集合で
ある基準配光データ群を、複数の既知の形状のパターン
のそれぞれについて求める基準配光取得手段と、 前記基準配光取得手段で求められた複数の基準配光デー
タ群の中から、前記記憶手段に記憶された検出配光デー
タ群に近似する基準配光データを求める近似データ演算
手段と、 前記近似データ演算手段によって求められた基準配光デ
ータに対応するパターンの既知の形状に基づいて、前記
基板上に形成されたパターンの形状を確定する確定手段
とを備えることを特徴とする形状測定装置。
2. A shape measuring device for measuring the shape of a pattern formed on a substrate, comprising: a light source for outputting predetermined measuring light; and a measuring light output from the light source condensed on the substrate. Light collecting means, and light distribution detecting means for detecting light distribution, which is a luminous intensity distribution in each direction in a space, generated by the measurement light collected by the light collecting means being reflected on the substrate, Moving means for relatively moving the measurement light condensed by the light condensing means and the substrate so that the measurement light crosses the pattern; and sequentially detecting the light distribution detecting means with the movement by the moving means. Storage means for storing a detected light distribution data group, which is a set of light distributions, and a reference light distribution data group, which is a set of light distributions obtained from a pattern of a known shape, is converted into a plurality of patterns of a known shape. About each of Reference light distribution obtaining means, and a plurality of reference light distribution data groups obtained by the reference light distribution obtaining means, the reference light distribution data approximating the detected light distribution data group stored in the storage means. Approximation data calculating means to be obtained, and determining means for determining the shape of the pattern formed on the substrate based on the known shape of the pattern corresponding to the reference light distribution data obtained by the approximate data calculating means. A shape measuring device characterized by the above-mentioned.
【請求項3】 請求項2に記載の形状測定装置におい
て、 前記光源から配光検出手段までの光路の途中に測定光を
偏光する偏光手段を備える形状測定装置。
3. The shape measuring apparatus according to claim 2, further comprising: a polarizing unit that polarizes the measuring light in an optical path from the light source to the light distribution detecting unit.
【請求項4】 請求項3に記載の形状測定装置におい
て、 前記配光検出手段は、前記偏光手段によってP偏光され
た測定光に基づくP偏光配光を検出するとともに、前記
偏光手段によってS偏光された測定光に基づくS偏光配
光を検出する形状測定装置。
4. The shape measuring apparatus according to claim 3, wherein the light distribution detecting means detects a P-polarized light distribution based on the measurement light P-polarized by the polarizing means, and S-polarized light by the polarizing means. A shape measuring device for detecting S-polarized light distribution based on the measured measuring light.
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