JP2000003978A - Semiconductor device - Google Patents
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- Wire Bonding (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体チップに入出力される信号品質の劣化を
防止する。
【解決手段】デバイスホール16を有したフレキシブル
絶縁テープ12に配線パターン18を配置する。配線パ
ターン18の一端はデバイスホール16から突出されて
おり、このインナーリードと半導体チップ14とを接続
させることで当該半導体チップ14に配線パターン18
を介して信号の入出力を可能にしている。ここでデバイ
スホール16の四隅には配線パターン18が引き回され
ない領域28が存在するが、当該領域28には、ダミー
パターン30が設けられる。そしてこのダミーパターン
30が隣り合う配線パターン18と導通がなされるとと
もに、配線パターン18を接地用パターンとしているの
でダミーパターン30の電位は接地電位となり安定し、
ダミーパターン30がノイズ源となり配線パターン18
に影響を及ぼすことを防止することができる。
(57) [Summary] To prevent deterioration of signal quality input / output to / from a semiconductor chip. A wiring pattern is arranged on a flexible insulating tape having a device hole. One end of the wiring pattern 18 protrudes from the device hole 16. By connecting the inner leads to the semiconductor chip 14, the wiring pattern 18
The input and output of a signal is enabled via the. Here, at the four corners of the device hole 16, there are regions 28 where the wiring patterns 18 are not routed, and the regions 28 are provided with dummy patterns 30. The dummy pattern 30 is electrically connected to the adjacent wiring pattern 18 and the wiring pattern 18 is used as a grounding pattern, so that the potential of the dummy pattern 30 becomes the ground potential and becomes stable.
The dummy pattern 30 becomes a noise source and the wiring pattern 18
Can be prevented.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁テープ上に配
線パターンが形成されたフレキシブル回路基板に半導体
チップを搭載した半導体装置に係り、特に半導体チップ
に入出力される信号品質の劣化防止をなす半導体装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a flexible circuit board having a wiring pattern formed on an insulating tape, and more particularly, to preventing deterioration of signal quality input / output to / from the semiconductor chip. The present invention relates to a semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、フレキシブル回路基板に半導体チ
ップを接合し樹脂で封止した半導体装置が用いられてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, a semiconductor device in which a semiconductor chip is bonded to a flexible circuit board and sealed with a resin has been used.
【0003】以下、図4を用いて、上述した半導体装置
の構造について説明する。当該図4は、従来の半導体装
置の構造を示す平面図である。同図に示すように、半導
体装置1には、フレキシブル回路基板2に半導体チップ
3を搭載した形態となっている。Hereinafter, the structure of the above-described semiconductor device will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a plan view showing the structure of a conventional semiconductor device. As shown in FIG. 1, the semiconductor device 1 has a configuration in which a semiconductor chip 3 is mounted on a flexible circuit board 2.
【0004】フレキシブル回路基板2は、絶縁テープ
(主にポリイミドが用いられる)からなるベース材4を
四角状に打ち抜き形成した形態となっており、その中央
部には半導体チップ3を装着するためのデバイスホール
5が形成されている。The flexible circuit board 2 has a form in which a base material 4 made of an insulating tape (mainly polyimide is used) is punched in a square shape, and a central portion for mounting the semiconductor chip 3 is provided. Device holes 5 are formed.
【0005】このようなベース材4の片側表面には、銅
箔からなる配線パターン6が複数引き回されており、当
該配線パターン6の片側端部はデバイスホール5から突
出し半導体チップ3の電極との接続をなすインナーリー
ド7となり、また他方端部には装置外部との接続をなす
アウターリード8となっている。A plurality of wiring patterns 6 made of copper foil are routed on one surface of the base material 4, and one end of the wiring pattern 6 protrudes from the device hole 5 and is connected to the electrode of the semiconductor chip 3. And an outer lead 8 at the other end for connection to the outside of the apparatus.
【0006】そして半導体チップ3の電極(図示せず)
と、インナーリード7とを接続することで、配線パター
ン6を介して装置外部から半導体チップ3への信号の入
出力を可能にしている。The electrodes (not shown) of the semiconductor chip 3
Is connected to the inner leads 7, so that signals can be input and output from the outside of the device to the semiconductor chip 3 via the wiring pattern 6.
【0007】ところでこのような半導体装置1では、配
線パターン6の両側に入出力に寄与しないダミーパター
ン9を形成し、ベース材4に破断が発生してもダミーパ
ターン9が最初にこれを受け配線パターン6の保護を行
うものが知られている。In the semiconductor device 1 described above, a dummy pattern 9 that does not contribute to input / output is formed on both sides of the wiring pattern 6, and even if a break occurs in the base material 4, the dummy pattern 9 first receives this and connects the wiring. A device that protects the pattern 6 is known.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし上述した半導体
装置において領域に設けられたダミーパターンは、デバ
イスホール内に設置された半導体チップや装置外部とも
接続がなされておらず、電位的に浮いた状態となってい
た。このため半導体装置がノイズ環境下に置かれると、
ダミーパターンがアンテナの役割を果たし当該ダミーパ
ターンがノイズ源となり、もって隣り合う配線パターン
の信号品質が劣化するというおそれがあった。However, in the above-described semiconductor device, the dummy pattern provided in the region is not connected to the semiconductor chip installed in the device hole or the outside of the device, and is in a state of floating in potential. Had become. Therefore, if the semiconductor device is placed in a noisy environment,
The dummy pattern plays a role of an antenna, and the dummy pattern serves as a noise source, which may deteriorate the signal quality of the adjacent wiring pattern.
【0009】本発明は上記従来の問題点に着目し、半導
体装置自体がノイズレベルが大きい環境下に置かれて
も、配線パターンを介して半導体チップに入出力される
信号の品質を劣化させることのない半導体装置を提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention focuses on the above-described conventional problems and degrades the quality of signals input to and output from a semiconductor chip via a wiring pattern even when the semiconductor device itself is placed in an environment with a high noise level. It is an object to provide a semiconductor device without any.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、配線パターン
の無い領域(ダミーパターンが形成された領域)と接地
用パターン(アース)とを接続すれば、または配線パタ
ーンの無い領域を挟み込む配線パターンの少なくとも一
方を接地用パターンとし、これを配線パターンの無い領
域に延長させれば、従来のダミーパターンの設置目的が
果たせるとともに、当該ダミーパターンの電位が変動し
アンテナ作用が生じるのを防止できるという知見に基づ
いてなされたものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method of connecting a region having no wiring pattern (a region where a dummy pattern is formed) and a grounding pattern (earth), or a method of forming a wiring pattern sandwiching a region having no wiring pattern. If at least one of them is a grounding pattern and is extended to a region having no wiring pattern, the purpose of installing the conventional dummy pattern can be fulfilled, and the potential of the dummy pattern can be prevented from fluctuating and an antenna effect can be prevented. This is based on knowledge.
【0011】すなわち請求項1に係る半導体装置におい
ては、デバイスホールを有した絶縁基板に配線パターン
とダミーパターンとを配置し、前記配線パターンの一端
を前記デバイスホールから突出させたフレキシブル回路
基板と、突出させた前記配線パターンと接続をなす半導
体チップを有する半導体装置であって、前記ダミーパタ
ーンを前記配線パターンにおける接地用パターンに接続
したことを特徴としている。請求項1に記載の半導体装
置によれば、ダミーパターンは接地用パターンと同一の
電位(アースがなされた状態)になるのでアンテナ作用
(外来ノイズによる相互誘導)により電位がふらつくこ
とがない。そしてこの電位のふらつきを抑えられたこと
からダミーパターンがノイズ発生源となり、隣り合う配
線パターンにノイズが及ぶのを防止することができる。That is, in the semiconductor device according to the first aspect, a wiring pattern and a dummy pattern are arranged on an insulating substrate having a device hole, and a flexible circuit board having one end of the wiring pattern protruding from the device hole; A semiconductor device having a semiconductor chip connected to the projecting wiring pattern, wherein the dummy pattern is connected to a ground pattern in the wiring pattern. According to the semiconductor device of the first aspect, the dummy pattern has the same potential (grounded state) as the ground pattern, so that the potential does not fluctuate due to the antenna function (mutual induction by external noise). Since the fluctuation of the potential is suppressed, the dummy pattern becomes a noise generation source, so that it is possible to prevent the noise from affecting adjacent wiring patterns.
【0012】請求項2に係る半導体装置においては、前
記ダミーパターンに隣り合う前記配線用パターンを前記
接地用パターンとし、前記ダミーパターンと接続したこ
とを特徴としている。請求項2に記載の半導体装置によ
れば、ダミーパターンに隣り合う配線パターンが接地用
パターンになるので、ダミーパターンを接地用パターン
に接続させることが容易になる。なお配線パターンを接
地用パターンにするには、対象となる配線パターンと接
続をなす半導体チップの電極を接地用電極に設定すれば
よい。According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor device, the wiring pattern adjacent to the dummy pattern is used as the ground pattern and is connected to the dummy pattern. According to the semiconductor device of the second aspect, since the wiring pattern adjacent to the dummy pattern is the grounding pattern, it is easy to connect the dummy pattern to the grounding pattern. In order to make the wiring pattern a grounding pattern, the electrode of the semiconductor chip connected to the target wiring pattern may be set as the grounding electrode.
【0013】請求項3に係る半導体装置においては、前
記ダミーパターンを複数設けるとともに、これらダミー
パターンを結ぶ連結用パターンを設け、この連結用パタ
ーンと前記ダミーパターンとを前記接地用パターンに接
続したことを特徴としている。請求項3に記載の半導体
装置によれば、上記の作用に加え複数のダミーパターン
を連結用パターンによって一体化がなされることから、
基板に対するダミーパターンの接触面積を増やすことが
できる。このためダミーパターンが基板上から剥離する
のを防止することができる。According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor device, a plurality of the dummy patterns are provided, a connecting pattern for connecting the dummy patterns is provided, and the connecting pattern and the dummy pattern are connected to the ground pattern. It is characterized by. According to the semiconductor device of the third aspect, in addition to the above-described operation, a plurality of dummy patterns are integrated by the connection pattern.
The contact area of the dummy pattern with the substrate can be increased. For this reason, it is possible to prevent the dummy pattern from peeling off from the substrate.
【0014】請求項4に係る半導体装置においては、デ
バイスホールを有した絶縁基板に配線パターンとダミー
パターンとを配置し、前記配線パターンの一端を前記デ
バイスホールから突出させたフレキシブル回路基板と、
突出させた前記配線パターンと接続をなす半導体チップ
を有する半導体装置であって、前記デバイスホールの周
囲に前記配線パターンを分岐させるとともに、分岐をな
した前記配線パターンを接地用パターンとしたことを特
徴としている。請求項4に記載の半導体装置によれば、
分岐された配線パターンがデバイスホール周囲に配置さ
れる。そして分岐をなした配線パターンを接地用パター
ンとしたので電位が一定しており、配線パターンにはア
ンテナ作用(外来ノイズによる相互誘導)が生じること
がない。そしてこの電位のふらつきを抑えられたことか
ら分岐をなした配線パターンがノイズ発生源となり、隣
り合う配線パターンにノイズが及ぶのを防止することが
できる。そして分岐された配線パターンは、配線パター
ンの保護といったダミーパターンと同様の目的に用いる
ことができる。According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor device, a wiring pattern and a dummy pattern are arranged on an insulating substrate having a device hole, and a flexible circuit board having one end of the wiring pattern protruding from the device hole;
A semiconductor device having a semiconductor chip connected to the projecting wiring pattern, wherein the wiring pattern is branched around the device hole, and the branched wiring pattern is a grounding pattern. And According to the semiconductor device of the fourth aspect,
The branched wiring pattern is arranged around the device hole. Since the branched wiring pattern is used as the grounding pattern, the potential is constant, and the wiring pattern does not have an antenna effect (mutual induction by external noise). Since the fluctuation of the potential is suppressed, the branched wiring pattern becomes a noise generation source, so that it is possible to prevent the noise from affecting adjacent wiring patterns. The branched wiring pattern can be used for the same purpose as the dummy pattern such as protection of the wiring pattern.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る半導体装置に
好適な具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a semiconductor device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0016】図1は、実施の形態に係る半導体装置を示
す平面図であり、図2は図1における要部拡大図を示
す。これらの図に示すように、半導体装置10は、ポリ
イミドを材質とする長方形状のフレキシブル絶縁テープ
12を有している。そしてその中央部分には半導体チッ
プ14を収容可能にするだけの大きさを持つデバイスホ
ール16が形成されている。FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor device according to an embodiment, and FIG. 2 is an enlarged view of a main part in FIG. As shown in these figures, the semiconductor device 10 has a rectangular flexible insulating tape 12 made of polyimide. A device hole 16 having a size large enough to accommodate the semiconductor chip 14 is formed in a central portion thereof.
【0017】デバイスホール16の周囲には銅箔で形成
された配線パターン18が引き回されており、当該配線
パターン18の端部はデバイスホール16における各辺
20からインナーリード22として突出している。そし
て半導体チップ14はこのデバイスホール16の中央部
分に収まるとともに、半導体チップ14に設けた接続用
電極15をインナーリード22と接続することで配線パ
ターン18を介して半導体チップ14に信号に入出力を
可能にしている。なおデバイスホール16の内側には図
示しない樹脂モールドが塗布されており、半導体チップ
14とインナーリード22とを封止することでこれを保
護するようにしている。A wiring pattern 18 made of copper foil is routed around the device hole 16, and the end of the wiring pattern 18 protrudes from each side 20 of the device hole 16 as an inner lead 22. The semiconductor chip 14 fits in the central portion of the device hole 16, and the connection electrode 15 provided on the semiconductor chip 14 is connected to the inner lead 22 to input and output signals to and from the semiconductor chip 14 via the wiring pattern 18. Making it possible. A resin mold (not shown) is applied inside the device hole 16, and the semiconductor chip 14 and the inner lead 22 are sealed to protect the semiconductor chip 14.
【0018】ところで配線パターン18は半導体チップ
14の入出力の関係から引き回しがあらかじめ設定され
ており、同図においてはインナーリード22から延長さ
れる配線パターン18は、入力側および出力側によって
フレキシブル絶縁テープ12の外縁となる上下の辺24
側に分けられるようになっている。By the way, the wiring pattern 18 is set in advance from the input / output relationship of the semiconductor chip 14, and in the figure, the wiring pattern 18 extended from the inner lead 22 is a flexible insulating tape by the input side and the output side. Upper and lower sides 24 that are outer edges of 12
It can be divided into sides.
【0019】そして辺24側から突出する配線パターン
20の端部はアウターリード26となっており、このア
ウターリード26を用い装置外部と接続することで半導
体チップに信号の入出力を可能にしている。The end of the wiring pattern 20 protruding from the side 24 is an outer lead 26. By connecting the outer lead 26 to the outside of the device, signals can be input / output to / from the semiconductor chip. .
【0020】なおインナーリード22とアウターリード
26との間、すなわちフレキシブル絶縁テープ12上に
引き回される配線パターン18の表面は、レジスト(保
護用樹脂皮膜)で覆われており、配線パターン同士に短
絡等が生じるのを防止するようにしている。The space between the inner lead 22 and the outer lead 26, that is, the surface of the wiring pattern 18 routed on the flexible insulating tape 12 is covered with a resist (protective resin film). A short circuit or the like is prevented from occurring.
【0021】こうした半導体装置10においては、イン
ナーリード22を起点として配線パターン18が引き回
されるが、デバイスホール16は同図に示すように四角
形状となっている。このため隣り合う各辺20から引き
出される配線パターン18の間には、当該配線パタ−ン
18が引き回されない領域28が存在する。In such a semiconductor device 10, the wiring pattern 18 is routed from the inner lead 22 as a starting point, but the device hole 16 has a square shape as shown in FIG. For this reason, between the wiring patterns 18 drawn from the adjacent sides 20, there is a region 28 where the wiring pattern 18 is not drawn.
【0022】こうした領域28は、デバイスホール16
の周囲における四隅部分に位置しているが、この領域2
8には、デバイスホール16周囲の補強を行う目的か
ら、銅箔からなるダミーパターン30が領域28を埋め
るように形成されている。Such a region 28 is formed in the device hole 16.
Are located at the four corners around the
In FIG. 8, a dummy pattern 30 made of copper foil is formed so as to fill the region 28 for the purpose of reinforcing around the device hole 16.
【0023】当該ダミーパターン30は、隣り合う配線
パターン18の少なくとも一方と導通が図られるように
なっている(図中、配線パターン18a)。すなわちダ
ミーパターン30は、領域28に隣り合う配線パターン
18の幅を拡大したものであり、この配線パターン18
においてはどの位置でも同一の電位となっている。そし
て配線パターン18aと接続がなされる半導体チップ1
4の接続用電極15aを接地用電極(アース電極)とす
れば、配線パターン18aおよびダミーパターン30の
電位を接地電位にすることができる。なおダミーパター
ン30についてさらに詳細には、当該ダミーパターン3
0は、(電気的には)電位をもつものであり、周囲の配
線パターン18のいづれかと接続をなし、電位がういた
状態を防止するようにしているものである。The dummy pattern 30 is designed to be electrically connected to at least one of the adjacent wiring patterns 18 (wiring pattern 18a in the figure). That is, the dummy pattern 30 is obtained by enlarging the width of the wiring pattern 18 adjacent to the region 28.
Has the same potential at any position. The semiconductor chip 1 connected to the wiring pattern 18a
If the fourth connection electrode 15a is a ground electrode (earth electrode), the potential of the wiring pattern 18a and the dummy pattern 30 can be set to the ground potential. The dummy pattern 30 is described in more detail.
Numeral 0 has an (electrically) potential, which is connected to one of the surrounding wiring patterns 18 to prevent the potential from rising.
【0024】このようにダミーパターン30の電位を接
地用電位とすれば、例えば半導体装置10に外来ノイズ
(特に高周波)が加わったとしても、ダミーパターン3
0はアンテナ作用(外来ノイズによる相互誘導)により
電位がふらつくことがない。このためダミーパターン3
0がノイズ発生源となり、隣り合う配線パターン18に
ノイズが及ぶのを防止することができる。If the potential of the dummy pattern 30 is set to the ground potential in this way, even if external noise (especially high frequency) is applied to the semiconductor device 10, for example, the dummy pattern 3
In the case of 0, the potential does not fluctuate due to the antenna function (mutual induction by external noise). Therefore, dummy pattern 3
0 can be a noise source and can prevent the adjacent wiring patterns 18 from being affected by noise.
【0025】図3は、ダミーパターンに係る応用例を示
した要部拡大図である。同図においては、領域28以外
の構成については、前述の構成と同じであるため同一の
番号を付与して説明を行う。FIG. 3 is an enlarged view of a main part showing an application example relating to a dummy pattern. In the figure, the configuration other than the area 28 is the same as the above-described configuration, and therefore, the description will be given by assigning the same numbers.
【0026】同図に示すように応用例においては、ダミ
ーパターン32は領域28において複数本、平行に配置
されており、その方向は隣り合う配線パターン18bと
平行になっている。またこのように複数本だけ形成され
たダミーパターン32の片側には、当該ダミーパターン
34の端部同士を接続する連結用パターン36が形成さ
れている。そして当該連結用パターン36における片側
端部は領域28を越えて延長され、配線パターン18a
と接続されるようになっている。As shown in the figure, in the application example, a plurality of dummy patterns 32 are arranged in parallel in the region 28, and the direction thereof is parallel to the adjacent wiring pattern 18b. Further, on one side of the dummy pattern 32 formed only in this manner, a connection pattern 36 for connecting the ends of the dummy pattern 34 is formed. One end of the connection pattern 36 extends beyond the region 28, and the wiring pattern 18a
Is to be connected.
【0027】このようにダミーパターン34を複数形成
するとともに、これらダミーパターン34の一体化をな
す連結用パターン36を形成し、当該連結用パターン3
6を接地電位となっている配線パターン18aに接続す
れば、ダミーパターン34および連結用パターン36を
配線パターン18aと同一の電位(接地電位)にするこ
とができる。As described above, a plurality of dummy patterns 34 are formed, and a connection pattern 36 for integrating these dummy patterns 34 is formed.
6 is connected to the wiring pattern 18a at the ground potential, the dummy pattern 34 and the connection pattern 36 can be set to the same potential (ground potential) as the wiring pattern 18a.
【0028】そしてダミーパターン34を複数本形成し
たことから前述の効果に加え、隣り合う配線パターン1
8とのパターン濃度の均一化を図ることができる。すな
わち配線パターン18周囲のパターン濃度が均一化され
ると熱膨張係数も略等しくなり、装置自体に温度変化が
繰り返し加わっても、配線パターン18に熱膨張係数の
違いによるストレスが加わらず、もって配線パターン1
8にクラックや断線が発生するのを防止することができ
る。Since a plurality of dummy patterns 34 are formed, in addition to the above-described effects, adjacent wiring patterns 1 are formed.
8, the pattern density can be made uniform. That is, when the pattern density around the wiring pattern 18 is made uniform, the thermal expansion coefficients become substantially equal, and even if the device itself is repeatedly subjected to a temperature change, the wiring pattern 18 is not subjected to stress due to the difference in the thermal expansion coefficient, and the wiring Pattern 1
8 can be prevented from being cracked or disconnected.
【0029】さらに複数のダミーパターン34を連結用
パターン34で一体化させたことからフレキシブル絶縁
テープ12に対するダミーパターン34の接触面積が増
加し、フレキシブル絶縁テープ12の屈曲等によりダミ
ーパターン34が脱落するのを防止することができる。Further, since the plurality of dummy patterns 34 are integrated by the connecting patterns 34, the contact area of the dummy patterns 34 with the flexible insulating tape 12 increases, and the dummy patterns 34 fall off due to bending of the flexible insulating tape 12 or the like. Can be prevented.
【0030】なお本実施の形態では、ダミーパターンに
隣り合う配線パターンを接地用パターンとし接地電位と
したが、この形態に限られることもなく、例えばダミー
パターンに隣り合わない配線用パターンとダミーパター
ンとをパターン引き回しや、ジャンパ等により接続して
電位を設定するようにしてもよい。In this embodiment, the wiring pattern adjacent to the dummy pattern is used as the ground pattern and the ground potential is used. However, the present invention is not limited to this mode. For example, the wiring pattern not adjacent to the dummy pattern and the dummy pattern may be used. May be connected by pattern routing or a jumper to set the potential.
【0031】また配線パターンを接地用電位にするため
に半導体チップの電極を用いたが、半導体チップの電極
の代わりに、アウターリードに接続される外部端子を接
地用電極として用いるようにしてもよい。Although the electrodes of the semiconductor chip are used to set the wiring pattern to the ground potential, an external terminal connected to the outer lead may be used as the ground electrode instead of the electrodes of the semiconductor chip. .
【0032】さらにダミーパターンを配置させる領域
を、デバイスホールの四隅としたが、この形態に限られ
る必要もなく半導体チップの電極の配列によっては、デ
バイスホールにおける各辺の中央部分に設けるようにし
てもよい。Further, the regions where the dummy patterns are arranged are the four corners of the device hole. However, the present invention is not limited to this configuration. Depending on the arrangement of the electrodes of the semiconductor chip, the dummy pattern may be provided at the center of each side of the device hole. Is also good.
【0033】[0033]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、デ
バイスホールを有した絶縁基板に配線パターンとダミー
パターンとを配置し、前記配線パターンの一端を前記デ
バイスホールから突出させたフレキシブル回路基板と、
突出させた前記配線パターンと接続をなす半導体チップ
を有する半導体装置であって、前記ダミーパターンを前
記配線パターンにおける接地用パターンに接続したこと
から、ダミーパターンは接地用パターンと同一の電位で
安定する。このため前記ダミーパターンがアンテナにな
りノイズ発生源となるのを防止することができ、配線パ
ターンを介して半導体チップに入出力される信号の品質
が劣化するのを防止することができる。As described above, according to the present invention, a flexible circuit board in which a wiring pattern and a dummy pattern are arranged on an insulating substrate having a device hole, and one end of the wiring pattern protrudes from the device hole. When,
A semiconductor device having a semiconductor chip connected to the protruding wiring pattern, wherein the dummy pattern is connected to a ground pattern in the wiring pattern, so that the dummy pattern is stabilized at the same potential as the ground pattern. . For this reason, it is possible to prevent the dummy pattern from acting as an antenna and a noise source, and to prevent the quality of signals input to and output from the semiconductor chip via the wiring pattern from deteriorating.
【図1】実施の形態に係る半導体装置を示す平面図を示
す。FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor device according to an embodiment.
【図2】図1における要部拡大図を示す。FIG. 2 is an enlarged view of a main part in FIG.
【図3】ダミーパターンに係る応用例を示した要部拡大
図である。FIG. 3 is an enlarged view of a main part showing an application example relating to a dummy pattern.
【図4】従来の半導体装置の構造を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the structure of a conventional semiconductor device.
1 半導体装置 2 フレキシブル回路基板 3 半導体チップ 4 ベース材 5 デバイスホール 6 配線パターン 7 インナーリード 8 アウターリード 9 ダミーパターン 10 半導体装置 12 フレキシブル絶縁テープ 14 半導体チップ 15 接続用電極 16 デバイスホール 18 配線パターン 20 各辺 22 インナーリード 24 辺 26 アウターリード 28 領域 30 ダミーパターン 32 ダミーパターン 34 連結用パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Flexible circuit board 3 Semiconductor chip 4 Base material 5 Device hole 6 Wiring pattern 7 Inner lead 8 Outer lead 9 Dummy pattern 10 Semiconductor device 12 Flexible insulating tape 14 Semiconductor chip 15 Connecting electrode 16 Device hole 18 Wiring pattern 20 Each Side 22 Inner lead 24 Side 26 Outer lead 28 Area 30 Dummy pattern 32 Dummy pattern 34 Connection pattern
Claims (4)
パターンとダミーパターンとを配置し、前記配線パター
ンの一端を前記デバイスホールから突出させたフレキシ
ブル回路基板と、突出させた前記配線パターンと接続を
なす半導体チップを有する半導体装置であって、前記ダ
ミーパターンを前記配線パターンにおける接地用パター
ンに接続したことを特徴とする半導体装置。A wiring pattern and a dummy pattern are arranged on an insulating substrate having a device hole, and a flexible circuit board having one end of the wiring pattern protruding from the device hole is connected to the protruding wiring pattern. A semiconductor device having a semiconductor chip, wherein the dummy pattern is connected to a ground pattern in the wiring pattern.
用パターンを前記接地用パターンとし、前記ダミーパタ
ーンと接続したことを特徴とする請求項1に記載の半導
体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the wiring pattern adjacent to the dummy pattern is used as the ground pattern and is connected to the dummy pattern.
に、これらダミーパターンを結ぶ連結用パターンを設
け、この連結用パターンと前記ダミーパターンとを前記
接地用パターンに接続したことを特徴とする請求項1ま
たは請求項2に記載の半導体装置。3. A method according to claim 1, wherein a plurality of said dummy patterns are provided, a connecting pattern connecting said dummy patterns is provided, and said connecting pattern and said dummy pattern are connected to said ground pattern. The semiconductor device according to claim 2.
パターンとダミーパターンとを配置し、前記配線パター
ンの一端を前記デバイスホールから突出させたフレキシ
ブル回路基板と、突出させた前記配線パターンと接続を
なす半導体チップを有する半導体装置であって、前記デ
バイスホールの周囲に前記配線パターンを分岐させると
ともに、分岐をなした前記配線パターンを接地用パター
ンとしたことを特徴とする半導体装置。4. A wiring pattern and a dummy pattern are arranged on an insulating substrate having a device hole, and a flexible circuit board having one end of the wiring pattern protruding from the device hole is connected to the protruding wiring pattern. A semiconductor device having a semiconductor chip to be formed, wherein the wiring pattern is branched around the device hole, and the branched wiring pattern is used as a grounding pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10168988A JP2000003978A (en) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10168988A JP2000003978A (en) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000003978A true JP2000003978A (en) | 2000-01-07 |
Family
ID=15878279
Family Applications (1)
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| JP10168988A Withdrawn JP2000003978A (en) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000003978A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005183740A (en) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Printed wiring board and semiconductor device |
| JP2008047781A (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Nec Lcd Technologies Ltd | Tape carrier, tape carrier for liquid crystal display device, and liquid crystal display device |
| JP2008135705A (en) * | 2006-10-27 | 2008-06-12 | Nok Corp | Seal structure |
| WO2009041087A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Nok Corporation | Sealing structure |
-
1998
- 1998-06-16 JP JP10168988A patent/JP2000003978A/en not_active Withdrawn
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