JP2000003768A - 半導体素子のコンコクタ及びその使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子のコンコクタ及びその使用方法に
関し、コンタクタのカバーをコンタクタベースに押圧す
る力が半導体素子の端子の接触圧とは独立的に定められ
ることができるようにしたことを目的とする。 【解決手段】 コンタクト電極１６と第１の突き当て部
分１８とを有するコンタクタベース２０と、半導体素子
を保持するための保持部分２２と第２の突き当て部分２
４とを有するカバー２６と、ラッチ機構３２とを備え、
カバーがコンタクタベースに向かって動かされるときに
最初に保持部分２２に保持された半導体素子１２の端子
１４がコンタクト電極１６に接触し、それから半導体素
子の端子がコンタクト電極に接触した状態で第１の突き
当て部分１８と第２の突き当て部分２４が互いに当接
し、カバーがコンタクタベースに向かってさらに動かさ
れるのを阻止するように形成されている構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子のコンコ
クタ及びその使用方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩやＶＬＳＩ等の半導体素子
の高集積化、高密度化の勢いは著しく、半導体素子の端
子も微細化される。半導体素子を製造したら、半導体素
子を試験する。半導体素子の試験装置は、半導体素子を
取り付けるソケットを含み、ソケットに設けた電極に通
電しながら半導体素子の試験を行う。

【０００３】半導体素子が直接にソケットに取付けられ
ない場合には、半導体素子をコンタクタ（又はキャリ
ヤ）に取り付け、半導体素子をコンタクタごとソケット
に取り付ける。しかし、半導体素子の電極が微細化する
につれて、コンタクタの供給は大変困難なものとなって
きており、半導体素子の開発と同時に適合するコンタク
タを準備しておかなければならなくなってきている。

【０００４】パッケージングされていない状態の半導体
素子（ベアチップ）を機器の基板に実装する方向にあ
る。例えば、携帯機器（携帯電話、携帯端末、テレビ一
体型ビデオ等）は小型、軽量化のためにベアチップを使
用する場合が多い。また、高速性能の観点からも、複数
の半導体素子を組み込んだ半導体素子パッケージである
ＭＣＭ（マルチチップモジュール）化が進んでいる。こ
のため、パッケージングされていない状態の半導体素
子、すなわちベアチップやウエハの状態の半導体素子を
試験すること（ｋＧＤ Known Good Die）が避けて通れ
ない。

【０００５】しかしながら、パッケージングされていな
い状態の半導体素子の端子はパッケージングされた状態
の半導体素子の端子と比べて著しく小さく、狭いピッチ
であるため、従来のパッケージングされた状態の半導体
素子のために開発されたソケットをそのまま使用するこ
とができない。また、パッケージングされた半導体素子
デバイスも、ＣＳＰ（Chip Saize Pacakage ）等は今後
さらに端子の狭いピッチ化が進むことが予想され、同様
な課題を有している。

【０００６】コンタクタは、半導体素子の端子が接触す
べきコンタクト電極を有するコンタクタベースと、コン
タクタベースに配置された半導体素子をコンタクタベー
スに向かって押圧するためのカバーとを備える。狭いピ
ッチのコンタクト電極の配置自体が上記したように難し
いが、コンタクト電極が仮に問題なく配置されたとして
も、半導体素子の端子をコンタクタベースのコンタクト
電極に正確に位置合わせするのが難しく、なおかつ、一
旦位置合わせしても、試験を行う間に受ける外部からの
振動や衝撃に対して両者の位置関係を維持するのは非常
に難しい。

【０００７】図３０は従来の半導体素子のコンタクタの
一例を示している。図３０において、従来の半導体素子
のコンタクタは、コンタクタベース１とカバー５とを備
える。コンタクタベース１はコンタクト電極２とガイド
壁３とを有し、半導体素子４の端子がコンタクト電極２
と接触するようになっている。カバー５は半導体素子４
をコンタクタベース１に向かって矢印で示されるように
押しつけ、よって半導体素子４の端子が大きな接触圧で
確実にコンタクト電極２と接触するようになっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ガイド壁３は半導体素
子４の外形に嵌合するような形状を有し、半導体素子４
をガイド壁３に沿って挿入すれば、半導体素子４の端子
がコンタクト電極２と位置合わせされるようになってい
る。しかしながら、上記したように、半導体素子４の端
子の微細化が進んでいる状況では、半導体素子４の外形
を利用しての機械的な位置合わせでは、半導体素子４の
端子を精度よく位置合わせすることが難しい。例えば、
ベアチップやＫＧＤ用のコンタクタでも、この方法を採
用している事例はあるが、下記のような課題を指摘され
ている。

【０００９】（ａ）半導体素子４の外形を精度よくカッ
トする必要があるため、半導体素子４のダイシング工程
で通常の半導体素子チップよりも装置、ツールの厳しい
管理が必要であり、ダイシングコストが高くなる。具体
的には、ダイサーの刃であるブレードの磨耗管理が必要
になる。あるいは、ブレードが少しでも磨耗すると、ま
だカットは可能であるにもかかわらずブレードを交換し
なければならないため、高コストになる。

【００１０】（ｂ）ガイド壁と半導体素子の外形の間に
は必ずガタ（クリアランス）が存在するため、半導体素
子４を支持したコンタクタベース１にカバー５を装着す
る際に、あるいはカバー５を外す際に、カバー５から半
導体素子４に少しでも横方向の力がかかると、半導体素
子４がコンタクタベース１に対してずれて、端子の接触
位置がずれるため、コンタクト傷（圧痕）が大きくな
り、試験後の実装に不利になる可能性がある。

【００１１】そこで、例えば図３１において、半導体素
子４とコンタクタベース１の両方の位置を画像で認識
し、両者の位置を補正して位置合わせして、この状態で
真空導入孔６から真空を導入しながら両者の位置を保持
しながら、カバー５を装着して半導体素子４をコンタク
タベース１に押圧保持する方法がある。しかしながら、
この方法も次の問題がある。

【００１２】（ａ）半導体素子４とコンタクタベース１
を位置合わせしてカバー５を装着するときに、カバー５
装着の衝撃で半導体素子４の位置がずれてしまう。特
に、カバー５を矢印で示されるように枢動運動して取付
ける場合には、この傾向は著しい。また、カバー５を装
着する前に真空導入孔６に真空が導入して半導体素子４
をコンタクタベース１に保持させておいても、半導体素
子４とコンタクタベース１との間が密閉空間にならない
ので真空レベルが上がらない。すなわち、コンタクタ電
極２が凸部となっていて、半導体素子４とコンタクタベ
ース１との間に隙間ができるため、真空圧があまり上が
らない。そのため、半導体素子４をコンタクタベース１
に保持するための保持力は大きくならない。そこで、カ
バー５をコンタクタベース１に向かって押圧するとき、
大きな横方向の力が半導体素子４にかかると、半導体素
子４の位置がずれやすい。

【００１３】（ｂ）また、最終的には、半導体素子４は
カバー５による押圧力によってコンタクタベース１に保
持される。カバー５が半導体素子４を押しつける力は、
半導体素子４の端子とコンタクタ電極２との接触圧と等
しく、あまり大きくすることはできない。そこで、コン
タクタにこの押圧力よりも大きい力が加わると、半導体
素子４の位置ずれを起こす可能性がある。

【００１４】本発明の目的は、半導体素子をコンタクタ
に確実に保持することができ、且つコンタクタのカバー
をコンタクタベースに押圧する力が半導体素子の端子の
接触圧とは独立的に定められるようにした半導体素子の
コンコクタ及びその使用方法を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体素子
のコンコクタは、半導体素子の端子が接触すべきコンタ
クト電極と第１の突き当て部分とを有するコンタクタベ
ースと、半導体素子を保持するための保持部分と該第１
の突き当て部分と当接可能な第２の突き当て部分とを有
するカバーと、該第１の突き当て部分と該第２の突き当
て部分とが互いに当接した状態で該カバーをコンタクタ
ベースにロックするラッチ機構とを備えてなる。該第１
の突き当て部分及び該第２の突き当て部分、並びに該コ
ンタクト電極及び該保持部分は、該カバーが該コンタク
タベースに向かって動かされるときに該保持部分に保持
された半導体素子の端子がコンタクト電極に接触し、該
カバーが該コンタクタベースに向かってさらに動かされ
るときに半導体素子の端子がコンタクト電極に接触した
状態で該第１の突き当て部分と該第２の突き当て部分が
互いに当接し、該カバーが該コンタクタベースに向かっ
てさらに動かされるのを阻止するように形成されてい
る、ことを特徴とするものである。

【００１６】この構成においては、半導体素子をカバー
の保持部分に保持させ、半導体素子の端子がコンタクト
電極に対応した位置に位置するように、半導体素子をコ
ンタクタベースに対して位置合わせする。それから、カ
バーをコンタクタベースへ向かって動かす。最初に、半
導体素子の端子がコンタクト電極に接触し、カバーを押
し続けると、半導体素子の端子がコンタクト電極に接触
する接触圧が大きくなる。

【００１７】半導体素子の端子がコンタクト電極に適切
な接触力で接触した後、第１の突き当て部分と第２の突
き当て部分とが互いに当接するようになっている。第１
の突き当て部分と第２の突き当て部分とが互いに当接す
ると、カバーがコンタクタベースに向かってさらに動か
されることができない。よって、半導体素子の端子とコ
ンタクト電極との間の接触圧は、コンタクト電極又はカ
バーの保持部分の弾性力、並びに第１の突き当て部分と
第２の突き当て部分との互いの当接の時点で定められる
適切な値となる。

【００１８】そこで、ラッチ機構が、第１の突き当て部
分と第２の突き当て部分とが互いに当接した状態でカバ
ーをコンタクタベースにロックする。ラッチ機構はこの
状態のままでカバーをコンタクタベースに対して所定の
ロック力で保持する。こうして、半導体素子の端子とコ
ンタクト電極との間の接触圧は、カバーをコンタクタベ
ースにロックするロック力とは独立的である。カバーを
コンタクタベースにロックするロック力は、カバーとコ
ンタクタベースとの間にずれが生じないように十分に大
きな値とすることができる。

【００１９】好ましくは、該ラッチ機構は、該カバー及
び該コンタクタベースの一方に設けられ、該カバーをコ
ンタクタベースにロックするために弾性変形可能なラッ
チ部材と、該カバー及び該コンタクタベースの他方に設
けられ、該ラッチ部材を係止する係止部材とを含む。こ
の場合、該ラッチ部材はその端部に設けられた爪を含
み、該ラッチ部材が弾性変形する間に該爪が該係止部材
に係合する構成とすることができる。また、該係止部材
は間隔をあけて配置された２つの爪からなり、該ラッチ
部材の爪は該係止部材の２つの爪の間を通る部分と該２
つの爪に係合する部分とを含む構成とすることができ
る。

【００２０】好ましくは、該コンタクト電極は弾性を有
し、該カバーが該コンタクタベースに向かって動かされ
るときに、最初に半導体素子の端子がコンタクト電極に
接触し、その後で該コンタクト電極が弾性変形しつつ該
第１の突き当て部分と該第２の突き当て部分とが互いに
当接し、よって半導体素子の端子がコンタクト電極に圧
力下で接触した状態に維持されるようになっている。

【００２１】この場合、該保持部分は該カバーに一体的
に設けられる構成とすることができる。好ましくは、該
保持部分は該カバーに可動に取付けられ且つ該コンタク
タベースに向かう方向に弾性体によって付勢されてお
り、該カバーが該コンタクタベースに向かって動かされ
るときに、最初に半導体素子の端子がコンタクト電極に
接触し、その後で該弾性体が弾性変形しつつ該第１の突
き当て部分と該第２の突き当て部分とが互いに当接し、
よって半導体素子の端子がコンタクト電極に圧力下で接
触した状態に維持されるようになっている。

【００２２】この場合、該コンタクト電極は該コンタク
タベースの上に設けられた絶縁性の薄膜の上に設けら
れ、さらに該コンタクト電極に接続された配線が該絶縁
性の薄膜の上に設けられている構成とすることができ
る。また、該第１の突き当て部分は該コンタクト電極と
該配線の外端部に設けられる外部端子との間に位置する
構成とすることができる。

【００２３】好ましくは、該保持部分は半導体素子を該
保持部分に保持させるための保持手段を含む。この場
合、該保持手段は該保持部分に設けられた真空導入孔を
含み、該真空導入孔を介して導入された真空により半導
体素子を該保持部分に保持する構成とすることができ
る。また、該保持部分は、真空導入孔を有する板からな
り、該カバーが吸着ヘッドを通すヘッド導入孔を有する
構成とすることができる。

【００２４】好ましくは、該ラッチ機構は、該カバーに
設けられ、該カバーを該コンタクタベースにロックする
ために弾性変形可能なラッチ部材と、該コンタクタベー
スに設けられ、該ラッチ部材を係止する係止部材とを含
み、該ラッチ部材は中央部分と両脚部分とからなる断面
Π形の部材からなり、該中央部分が該カバーに保持さ
れ、該脚部分が該係止部材に係合される。

【００２５】好ましくは、該保持部分は該カバーに可動
に取付けられ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾
性体によって付勢されており、該保持部分は中央部分と
両脚部分とからなる断面逆Π形の部材からなり、該脚部
分が該カバーに保持され、該中央部分が半導体素子を保
持する。さらに好ましくは、該ラッチ機構は、該カバー
に設けられ、該カバーを該コンタクタベースにロックす
るために弾性変形可能なラッチ部材と、該コンタクタベ
ースに設けられ、該ラッチ部材を係止する係止部材とを
含み、該ラッチ部材は中央部分と両脚部分とからなる断
面Π形の部材からなり、該中央部分が該カバーに保持さ
れ、該脚部分が該係止部材に係合され、該保持部分は該
カバーに可動に取付けられ且つ該コンタクタベースに向
かう方向に弾性体によって付勢されており、該保持部分
は中央部分と両脚部分とからなる断面逆Π形の部材から
なり、該脚部分が該カバーに保持され、該中央部分が半
導体素子を保持する。

【００２６】好ましくは、該保持部分は該カバーに可動
に取付けられ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾
性体によって付勢されており、該弾性体は、ばねの圧縮
がすすむとばね定数が高くなるような非線型ばねであ
り、半導体素子とコンタクト電極が接触しはじめたとき
は、ばね定数が低く、もし両者の平行度が傾いていた場
合でも保持部分が容易に傾きを補正するように動けるた
め、接触圧が特定の半導体素子の端子及びコンタクト電
極に集中するのを軽減し、半導体素子あるいはコンタク
タベースを損傷するのを防止する。

【００２７】好ましくは、該保持部分の脚部分は該カバ
ーに設けられたガイド穴に挿入され、異なった大きさの
部分を有する。あるいは、該保持部分は少なくとも部分
的に摩擦係数の高い材料で作られることができる。ある
いは、該第１及び第２の突き当て部分の少なくとも一方
は表面を粗くする表面処理を施されている。あるいは、
保持部分の少なくとも半導体素子の接触するエリアは、
摩擦係数の高い材料及び熱伝導性の高い材料の１つを含
むことができる。あるいは、該ラッチ機構が、カバーと
コンタクタベースの位置を拘束することのないものであ
る。

【００２８】さらに、本発明による半導体素子のコンコ
クタの使用方法は、上記した半導体素子のコンコクタに
おいて、半導体素子をカバーの保持部分に保持し、該カ
バーの保持部分に保持された半導体素子の端子をコンタ
クタベースのコンタクト電極と位置合わせし、半導体素
子がコンタクト電極に接触するようにカバーをコンタク
タベースに向かって動かし、第１の突き当て部分と第２
の突き当て部分とを互いに当接させ、該カバーをラッチ
機構によりコンタクタベースにロックする、工程を含む
ことを特徴とする。

【００２９】好ましくは、該カバーをラッチ機構により
コンタクタベースにロックする工程の後で、保持部分か
らの半導体素子の保持を解除する工程をさらに含む。好
ましくは、半導体素子をカバーの保持部分に保持する工
程は、該保持部分に設けられた真空導入孔に真空を導入
することにより行われ、保持部分からの半導体素子の保
持を解除する工程は、該保持部分に設けられた真空導入
孔への真空の導入を解除する。

【００３０】好ましくは、該カバーをコンタクタベース
にロックした後で半導体素子をコンタクトタから取り出
す工程をさらに含み、該半導体素子をコンタクトタから
取り出す工程は、半導体素子をカバーの保持部分に保持
し、半導体素子をカバーの保持部分に保持した状態で該
ラッチ機構のロックを解除し、該カバーをコンタクタベ
ースから移動させ、半導体素子を該保持部分から解除す
る、工程を含む。

【００３１】好ましくは、該半導体素子の端子をコンタ
クタベースのコンタクト電極と位置合わせする工程は、
半導体素子を保持部分に保持した状態で半導体素子の端
子とコンタクタベースのコンタクト電極の位置関係を画
像認識装置で検出し、カバー及びコンタクタベースの少
なくとも一方の位置を補正する。好ましくは、該半導体
素子の端子をコンタクタベースのコンタクト電極と位置
合わせする工程は、半導体素子を保持部分に保持した状
態で該カバーをガイドに沿ってコンタクタベースに向か
って移動させる。

【００３２】さらに、本発明は、上記したコンコクタに
半導体素子を装着するための半導体素子のコンタクタの
セット装置を提供する。

【００３３】

【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明の第１実施
例による半導体素子のコンタクタを示す図である。コン
タクタ１０は、半導体素子１２の端子１４が接触すべき
コンタクト電極１６と第１の突き当て部分１８とを有す
るコンタクタベース２０を備える。この例では、コンタ
クト電極１６は弾性変形可能なピンで形成されている。

【００３４】さらに、コンタクタ１０は、半導体素子１
２を保持するための保持部分２２と第１の突き当て部分
１８と当接可能な第２の突き当て部分２４とを有するカ
バー２６を備える。この例では、保持部分２２はカバー
２６と一体的な部分として形成される。第１の突き当て
部分１８はコンタクタベース２０の表面に形成され、第
２の突き当て部分２４はコンタクタベース２０と対向す
るカバー２６の表面に形成される。

【００３５】保持部分２２は半導体素子１２の保持手段
として真空導入孔２８を有し、吸着ヘッド３０によって
真空導入孔２８に真空を導入し、半導体素子１２をカバ
ー２６の保持部分２２に真空吸着し、保持させることが
できる。なお、保持部分２２は半導体素子１２の端子１
４とは反対側の平坦な表面を吸着するので、図３１を参
照して説明した場合よりも真空の逃げる量が少なく、よ
り大きな保持力で半導体素子１２を保持することができ
る。こうして、半導体素子１２をカバー２６と実質的に
一体の物として動かすことができる。

【００３６】さらに、コンタクタ１０は、第１の突き当
て部分１８と第２の突き当て部分２４とが互いに当接し
た状態でカバー２６をコンタクタベース２０にロックす
るラッチ機構３２を備える。ラッチ機構３２は、カバー
２６に設けられ、カバー２６をコンタクタベース２０に
ロックするために弾性変形可能なラッチ部材３４と、コ
ンタクタベース２０に設けられ、ラッチ部材３４を係止
する係止部材３６とを含む。より詳細には、ラッチ部材
３４はその端部に設けられた爪３５を含み、ラッチ部材
３４が弾性変形する間に爪３５が係止部材３６に係合す
るようになっている。

【００３７】第１の突き当て部分１８及び第２の突き当
て部分２４、並びにコンタクト電極１６及び保持部分２
２は、下記の関係で作られている。すなわち、カバー２
６がコンタクタベース２０に向かって動かされるとき
に、保持部分２２に保持された半導体素子１２の端子１
４がコンタクト電極１６に接触し、カバー２６がコンタ
クタベース２０に向かってさらに動かされるときに半導
体素子１２の端子１４がコンタクト電極１６に接触した
状態で第１の突き当て部分１８と第２の突き当て部分２
４が互いに当接し、カバー２６がコンタクタベース２０
に向かってさらに動かされるのを阻止する。

【００３８】つまり、コンタクト電極１６が第１の突き
当て部分１８の上面よりもわずかに上側にあり、半導体
素子１２の下面は第２の突き当て部分２４の下面ととど
同一の高さにあるので、カバー２６がコンタクタベース
２０に向かって動かされるときに、最初に保持部分２２
に保持された半導体素子１２の端子１４がコンタクト電
極１６に接触する。カバー２６がコンタクタベース２０
に向かってさらに動かされると、コンタクト電極１６が
弾性変形しながら半導体素子１２の端子１４がコンタク
ト電極１６に接触し続ける。それから、第１の突き当て
部分１８と第２の突き当て部分２４とが互いに当接し、
カバー２６がコンタクタベース２０に向かってさらに動
かされるのを阻止する。従って、半導体素子１２の端子
１４とコンタクト電極１６との間の接触圧は、コンタク
ト電極１６の弾性変形量によって定められる。

【００３９】ラッチ機構３２のラッチ部材３４は図２に
示されるように破線で示される初期の形状から実線で示
されるように弾性変形した状態で爪３５が係止部材３６
に係合する。カバー２６はラッチ機構３２のラッチ部材
３４のこのロック力によってコンタクタベース２０に対
してロックされる。このロック力は半導体素子１２の端
子１４とコンタクト電極１６との間の接触圧とは独立的
である。

【００４０】従って、半導体素子１２の端子１４とコン
タクト電極１６との接触圧は一定の値に維持され、且つ
カバー２６がコンタクタベース２０に対して所定のロッ
ク力でロックされた状態で、半導体素子１２はコンタク
ト１０内に保持される。コンタクタ１０は半導体素子１
２を保持した状態で移動されることができ、例えばコン
タクタ１０を試験装置のソケットに運ぶことができる。
カバー２６をコンタクタベース２０にロックするロック
力は、カバー２６とコンタクタベース２０との間にずれ
が生じないように十分に大きな値とすることができる。

【００４１】図３は、図１及び図２のカバー２６の変形
例を示す図である。図１のカバー２６の保持部分２２は
真空導入孔２８を有し、真空吸着により半導体素子１２
を保持部分２２に保持させたのに対し、図３のカバー２
６の保持部分２２はそのような真空導入孔２８の代わり
に弾性変形可能な爪２８ａを備えている。半導体素子１
２は弾性変形可能な爪２８ａによって図１のカバー２６
の保持部分２２に保持される。

【００４２】図４は本発明の第２実施例による半導体素
子のコンタクタを示す図である。コンタクタ１０は、コ
ンタクタベース２０と、カバー２６と、ラッチ機構３２
とを備えている。コンタクタベース２０は省略的に示さ
れているが、図１のものと同様に構成される。すなわ
ち、コンタクタベース２０はコンタクト電極１６と第１
の突き当て部分１８とを有する。

【００４３】カバー２６は、半導体素子１２を保持する
ための保持部分２２と第１の突き当て部分１８と当接可
能な第２の突き当て部分２４とを有する。この例におい
ては、保持部分２２は、カバー２６とは別の部材として
形成され、カバー２６に可動に取付けられる。保持部分
２２はコンタクタベース２０に向かう方向に弾性体３８
によって付勢されている。

【００４４】保持部分２２に保持された半導体素子１２
の端子１４は第２の突き当て部分２４の下面よりもわず
かに下側に位置するので、カバー２６がコンタクタベー
ス２０に向かって動かされるときに、最初に半導体素子
１２の端子１４がコンタクト電極１８に接触する。この
場合、弾性体３８が弾性変形して半導体素子１２の端子
１４のコンタクト電極１６に対する接触圧を提供する。

【００４５】従って、コンタクタベース２０のコンタク
ト電極１８は図１及び図２に示すように弾性変形するピ
ンでなくてもよい。この場合、コンタクト電極１８は後
で説明するメンブレンコンタクタ（図１５）として形成
されることができる。メンブレンコンタクタは接触によ
るたわみ量が小さいが、図４の構成により適切な保持力
を設定することができる。

【００４６】より詳細には、保持部分２２は、中央部分
２２ａと両脚部分２２ｂとからなる断面逆Π形の部材か
らなる。中央部分２２ａは板状の部材であって、半導体
素子１２はこの中央部分２２ａに保持される。脚部分２
２ｂは柱状の部材であって、カバー２６に設けた穴４０
に移動可能に且つ抜け止め４１をして保持される。弾性
体３８は各脚部分２２ｂのまわりに配置されたコイルバ
ネからなる。

【００４７】半導体素子１２が保持部分２２に保持され
た状態では半導体素子１２は第２の突き当て部分２４の
下面よりも下に突き出ており、カバー２６をコンタクタ
ベース２０に向かって動かすと、半導体素子１２の端子
１４がコンタクト電極１８に接触する。カバー２６をさ
らに動かすと、弾性体３８がたわみつつ、半導体素子１
２の端子１４がコンタクト電極１８に接触し続ける。

【００４８】真空導入孔２８はこの中央部分２２ａに設
けられる。一方は、カバー２６は吸着ヘッド３０（図
１）を通すヘッド導入孔４２を有する。つまり、吸着ヘ
ッド３０はカバー２６のヘッド導入孔４２を通って中央
部分２２ａにあてがわれることができる。図５から図７
は、保持部分２２及び半導体素子１２を取り除いた状態
でラッチ機構３２のラッチ部材３４を示す図である。図
４から図７に示されるように、ラッチ機構３２のラッチ
部材３４は、中央部分３４ａと両脚部分３４ｂとからな
る断面Π形の部材からなる。中央部分３４ａは穴３４ｃ
を有し、カバー２６に設けた突起４４が穴３４ｃにスナ
ップフィットされる。こうして、中央部分３４ａはカバ
ー２６に保持され、脚部分３４ｂがコンタクタベース２
０の係止部材３６に係合される。

【００４９】図６に示されるように、第１の突き当て部
分１８と第２の突き当て部分２４とが互いに当接したと
きの中央部分３４ａとコンタクタベース２０の係止部材
３６との間の距離ｌ₁ は、中央部分３４ａと脚部分３４
ｂの爪３５との間の距離ｌ₂よりも大きい。従って、図
７に示されるように、ラッチ部材３４の脚部分３４ｂの
爪３５がコンタクタベース２０の係止部材３６に係合し
たときには、ラッチ部材３４が大きく弾性変形し、カバ
ー２６をコンタクタベース２０に保持する。カバー２６
はラッチ部材３４の変形を吸収するスロット２６ｓを有
する。この場合にも、カバー２６をコンタクタベース２
０に対してロックするラッチ機構３２のロック力は、半
導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６との間の
接触圧とは独立的である。

【００５０】図８から図１０は図４の保持部分２２の変
形例を示す図である。図８は保持部分２２の斜視図、図
９は保持部分２２を取付けたカバー２６の平面図、図１
０は保持部分２２及びカバー２６の断面図である。保持
部分２２は、中央部分２２ａと両脚部分２２ｂとからな
り、これらの部分は板金により一体的な構造として形成
されている。従って、保持部分２２は放熱性が優れ、半
導体素子１２の試験中に発生する熱を放散することがで
きる。

【００５１】脚部分２２ｂの端部は抜け止め用フック２
２ｃを有する。脚部分２２ｂは隣接する２つを互いに近
接させながら長穴として形成されたカバー２６の穴４０
に挿入され、隣接する２つの脚部分２２ｂが元に戻ると
きに抜け止め用フック２２ｃが脚部分２２ｂがカバー２
６の穴４０から抜けるのを防止する。図９には、ラッチ
部材３４を止めるための突起４４、及び孔２８、４２が
示されている。

【００５２】図１１は脚部分２２ｂの変形例を示す図で
ある。２つの脚部分２２ｂは互いに角度をつけて形成さ
れている。抜け止め用フック２２ｃがカバー２６の表面
に係合している状態では、脚部分２２ｂの側壁はカバー
２６の穴４０の側壁に弾性的に係合し、抜け止め用フッ
ク２２ｃがカバー２６の表面から離れるにつれて、破線
で示されるように脚部分２２ｂの側壁はカバー２６の穴
４０の側壁に弾性的に係合しなくなる。これは、後で説
明する非線型バネと同様の作用をする。

【００５３】図４から図１１のコンタクタ１０の基本的
な作用は図１及び図２のコンタクタ１０の作用と同様で
ある。図１２は本発明の第３実施例による半導体素子の
コンタクタを示す図である。コンタクタ１０は、前の実
施例と同様に、コンタクタベース２０と、カバー２６
と、ラッチ機構３２とを備えている。図１２の実施例が
前の実施例と異なる点は、ラッチ機構３２のラッチ部材
３２がコンタクタベース２０に設けられ、ラッチ部材３
２の爪３５と係合する係止手段３５がカバー２６に設け
られていることである。この実施例のコンタクタ１０の
基本的な作用は前の実施例のコンタクタ１０の作用と同
様である。

【００５４】図１３はラッチ機構３２の爪の変形例を示
す図である。係止部材３６は間隔をあけて配置された２
つの爪３６ａからなり、ラッチ部材３４の爪３５は係止
部材３６の２つの爪３６ａの間を通る部分と２つの爪３
６ａに係合する部分とを含む。従って、ラッチ部材３４
の爪３５は例えば図１に示される爪３５のように鋭角的
な鉤形状を必要とせず、よって作りやすく且つ磨耗しに
くい。

【００５５】図１４及び図１５はコンタクタベース２０
に設けられたコンタタクト電極１６を形成するメンブレ
ンコンタクトの例を示す図である。メンブレンコンタク
トはコンタクタベース２０の上に設けられたＰＩ等の絶
縁性の薄膜４６の上に設けられた銅等の配線４８を有す
る。配線４８の内端部にメッキ等により導体の突部を設
けてコンタタクト電極１６とする。配線４８の外端部５
０は外部端子になる。メンブレンコンタクトは狭いピッ
チで精度よく配線４８及びコンタタクト電極１６を形成
できる。メンブレンコンタクトのコンタタクト電極１６
は上下移動量が少ないので、図４に示したようにバネ負
荷されて移動可能な保持部分２２をもった構成とともに
使用されるのが好ましい。

【００５６】メンブレンコンタクトを使用する場合、第
１の突き当て部分１８はコンタクト電極１６と配線４８
の外端部に設けられる外部端子５０との間に位置するよ
うにする。それによって、試験装置の端子が第１の突き
当て部分１８に邪魔されることなく外部端子５０に接触
せしめられることができる。図１６は半導体素子１２を
保持したカバー２６とコンタクタベース２０との位置合
わせ装置の概略を示す図である。コンタクタベース２０
は微細送り機構５２上に配置される。微細送り機構５２
はＸステージ、Ｙステージ、θステージを含む。カバー
２６はＺステージを含む送り機構（図示せず）に取付け
られる。

【００５７】最初に、半導体素子１２をカバー２６の保
持部分２２に保持させる。図示の実施例においては、吸
着ヘッド３０が真空導入孔２８にあてがわれ、真空を導
入することにより半導体素子１２をカバー２６の保持部
分２２に保持させる。なお、吸着ヘッド３０がカバー２
６全体を支持できる場合には、吸着ヘッド３０をＺステ
ージに取付けておけばよい。

【００５８】ＣＣＤカメラ等を含む画像認識装置５４が
カバー２６とコンタクタベース２０との間に配置され
る。画像認識装置５４はカバー２６とコンタクタベース
２０とを結ぶ線上に進出でき、また同線上から退いた位
置へ退避できる。画像認識装置５４のヘッドはハーフミ
ラーを備え、あるいは回転可能であり、カバー２６に支
持された半導体素子１２の端子１４とコンタクタベース
２０のコンタクト電極１６を検出することができる。従
って、画像認識装置５４の出力に応じて微細送り機構５
２を作動させて、カバー２６とコンタクタベース２０と
を位置合わせすることができる。位置合わせが終了した
ら、画像認識装置５４を退避させる。

【００５９】それから、位置合わせした位置関係を維持
しながら、カバー２６をコンタクタベース２０に向かっ
て移動させる。吸着ヘッド３０が真空導入孔２８に真空
を導入し続け、半導体素子１２は真空吸引によってカバ
ー２６の保持部分２２に保持され続ける。上記したよう
に、半導体素子１２の平坦面がカバー２６の保持部分２
２に吸着されるので、吸着力は比較的に大きい。

【００６０】カバー２６をコンタクタベース２０に向か
って移動させると、最初に半導体素子１２の端子１４が
コンタクト電極１６に接触し、端子１４は弾性体のばね
力で定められる保持力でコンタクト電極１６に接触す
る。このように、カバー２６とコンタクタベース２０と
を位置合わせした状態でカバー２６をコンタクタベース
２０に向かって移動させるので、半導体素子１２の端子
１４はコンタクト電極１６に正確に接触する。

【００６１】それから第１の突き当て部分１８と第２の
突き当て部分２４とを互いに強く当接させ、カバー２６
のコンタクタベース２０に向かう運動を停止される。そ
こで、ラッチ機構３２を係止部材３６に係合させ、カバ
ー２６を所定のロック力でコンタクタベース２０にロッ
クさせる。ラッチ機構３２を操作するときに、コンタク
タ１０に衝撃がくわわるが、第１の突き当て部分１８と
第２の突き当て部分２４とを互いに強く当接させている
のが、内部の保持部分２２や半導体素子１２には衝撃は
あまり伝わらず、位置ずれは生じない。

【００６２】この後、吸着ヘッド３０の真空を解除し、
吸着ヘッド３０をカバー２６の保持部分２２から離す。
半導体素子１２の端子１４は弾性体のばね力で定められ
る保持力でコンタクト電極１６に保持されている。この
ように、半導体素子１２の位置合わせは半導体素子１２
をカバー２６と一体化させた状態で行い、それらラッチ
完了まで、一度も半導体素子１２とカバー２６と吸着ヘ
ッド３０との位置関係が変わらないので、非常に正確な
位置合わせができる。また、カバー２６はラッチ機構３
２の弾性力でコンタクタベース２０に強く保持されるの
で、その後の試験工程でコンタクタ１０に振動や衝撃が
くわわっても、位置ずれは生じない。

【００６３】図１７は位置合わせしたカバー２６をコン
タクタベース２０から取り外す工程を示す図である。カ
バー２６をコンタクタベース２０から取り外す工程は図
１６を参照して説明した工程の逆を行うことになる。ま
ず、吸着ヘッド３０で半導体素子１２カバー２６の保持
部分２２に吸着し、ラッチ機構３２を解除する。このと
き、第１の突き当て部分１８と第２の突き当て部分２４
とを互いに強く当接させておいて、治具５６を用いてラ
ッチを解除する。

【００６４】それから、半導体素子１２とカバー２６と
吸着ヘッド３０とをコンタクタベース２０に対して移動
させる。こうして、半導体素子１２がずれたり、落下し
たりすることなく、カバー２６をコンタクタベース２０
から分離することができる。それから、吸着ヘッド３０
の真空を解除し、半導体素子１２をカバー２６から取り
外すことができる。

【００６５】図１８は図１６の実施例の変形例を示す図
である。この実施例では、画像認識装置５４の代わりに
ガイドを用いる。すなわち、半導体素子１２の端子１４
をコンタクタベース２０のコンタクト電極１６と位置合
わせする工程は、半導体素子１２を保持部分２２に保持
した状態でカバー２６をガイドに沿ってコンタクタベー
ス２０に向かって移動させる。

【００６６】図１８においては、コンタクタベース２０
は位置決めガイドピン５８を有し、保持部分２２は位置
決め穴６０を有する。こうして、カバー２６をコンタク
タベース２０に向かって移動させると、半導体素子１２
の端子１４とコンタクト電極１６を正しく位置合わせで
きる。位置決めガイドピン５８と位置決め穴６０は逆で
もよい。また、ガイドは位置決めガイドピン５８や位置
決め穴６０に限らない。

【００６７】図１９は非線型ばねを含むカバーの例を示
す図である。図１９（Ａ）に示されるように、カバー２
６の保持部分２２に取付けられた弾性体３８はばね定数
の異なる第１部分３８ａ及び第２部分３８ｂからなる非
線型のコイルスプリングである。非線型のコイルスプリ
ング３８は第１部分３８ａ及び第２部分３８ｂが一体的
な構造のものでもよく、これらが別体の構造のものでも
よい。また、非線型のコイルスプリング３８は２つの部
分だけでなく、３つ以上の部分からなるようにしてもよ
い。

【００６８】非線型のコイルスプリング３８は、ばねの
圧縮がすすむとばね定数が高くなるような非線型ばねで
ある。すなわち、図１９（Ｂ）、（Ｃ）に示されるよう
に、カバー２６がコンタクタベース２０に近づく初期の
段階ではばねの圧縮が小さく、主としてばね定数が小さ
い第２部分３８ｂが大きく変形し、図１９（Ｄ）に示さ
れるように、カバー２６がコンタクタベース２０に近づ
く最終の段階ではばねの圧縮が大きくなり、ばね定数が
大きい第１部分３８ａも大きく変形するようになる。

【００６９】非線型のコイルスプリング３８は、例えば
カバー２６を吸着ヘッド６２で保持してコンタクタベー
ス２０に向かって動かすときに、カバー２６が傾きなが
らコンタクタベース２０に向かって動く場合に有利であ
る。すなわち、図１９（Ｂ）に示されるように、カバー
２６が傾きながらコンタクタベース２０に向かって動く
場合には、特定の半導体素子１２の端子１４とコンタク
ト電極１６とが集中的に接触する可能性がある。

【００７０】図１９（Ｃ）に示されるように、非線型の
コイルスプリング３８の第２部分３８ｂは小さな力がか
かっても大きく変形しやすいため、半導体素子１２の端
子１４がコンタクト電極１６に接触するときにカバー２
６が傾きを補正するように容易に動けるため、カバー２
６がコンタクタベース２０に対して平行になった状態で
半導体素子１２の端子１４とコンタクト電極１６とが接
触する。従って、特定の半導体素子１２の端子１４がコ
ンタクト電極１６に集中的に接触するのを軽減し、半導
体素子１２あるいはコンタクタベース２０（特にコンタ
クト電極１６）を損傷するのを防止する機能を有する。
カバー２６の第２の突き当て部分２４がコンタクタベー
ス２０の第１の突き当て部分１８に当接するような時点
では、非線型のコイルスプリング３８は半導体素子１２
の端子１４とコンタクト電極１６との接触を維持する十
分に大きな保持力を提供する。

【００７１】図２０及び図２１は突き当て部分の表面を
粗くする表面処理を施されている例を示す図である。カ
バー２６の第２の突き当て部分２４の突き当て面を粗く
し、細かい凹凸を設けてある。こうすれば、第１の突き
当て部分１８と第２の突き当て部分２４との間に滑りが
起こり難くなり、カバー２６とコンタクタベース２０と
の間で横ずれが生じにくくなる。特に、コンタクタベー
ス２０の表面に設けたメンブレンコンタクトが設けてあ
る場合、第２の突き当て部分２４が第１の突き当て部分
１８の位置する絶縁性の薄膜４６の部分に食い込み、横
ずれが生じにくくなる。

【００７２】図２２及び図２３はカバーの保持部分の脚
部分が異なった大きさの部分を有する例を示す図であ
る。この例では、図４の場合と同様に、保持部分２２の
脚部分２２ｂはカバー２６の穴４０に挿入され、弾性体
３８によって付勢され、抜け止め４１をしてある。保持
部分２２の脚部分２２ｂは、異なった大きさの第１の部
分２２ｘ及び第２の部分２２ｙを有する。

【００７３】保持部分２２がカバー２６に対して最下方
の位置にあるときには（図２２）、保持部分２２の脚部
分２２ｂの第２の部分２２ｙがカバー２６の穴４０にガ
タなく嵌まり、保持部分２２がカバー２６に対して横方
向には移動できない状態になっている。保持部分２２が
カバー２６に近づくと、脚部分２２ｂの第２の部分２２
ｙがカバー２６の穴４０から抜け、脚部分２２ｂの第１
の部分２２ｘがカバー２６の穴４０に入る。脚部分２２
ｂの第１の部分２２ｘがカバー２６の穴４０との間に隙
間が生じて、保持部分２２がカバー２６に対して微動可
能になる。

【００７４】従って、保持部分２２の脚部分２２ｂの第
２の部分２２ｙがカバー２６の穴４０にガタなく嵌まっ
て状態で、半導体素子１２を保持部分２２に吸着するこ
とにより、半導体素子１２はカバー２６に対して正確な
位置に保持されることができる。この状態で、半導体素
子１２は位置認識され、それからカバー２６がコンタク
タベース２０に向かって移動される。半導体素子１２の
端子１４とコンタクト電極１６とが接触するときに、保
持部分２２がコンタクタベース２０に傾いていても、前
の非線型バネを用いた場合と同様に保持部分２２が動く
ことができ、特定の半導体素子１２の端子１４とコンタ
クト電極１６とが集中的に接触するのを防止できる。

【００７５】また、図１１に示した例でも、保持部分２
２が最下方の位置にあるときには、保持部分２２の脚部
分２２ｂがカバー２６の穴４０にきつく接触し、保持部
分２２がコンタクタベース２０に向かって移動さされた
場合には、保持部分２２の脚部分２２ｂがカバー２６の
穴４０にゆるく接触する。従って、この場合にも、図２
２及び図２３と同様の作用が得られる。

【００７６】図２４は保持部分の少なくとも半導体素子
の接触するエリアに摩擦係数の高い材料を張りつけた例
を示す図である。使用する、表面に摩擦係数の高い材料
を張りつける、摩擦の高い表面コート材を用いる、及び
熱伝導性の高い材料で作ることの１つを含むことを特徴
とする請求項 つまり、摩擦係数の高い材料の層６４が保持部分２２の
下面に取付けられている。摩擦係数の高い材料の層６４
は、シリコンゴムとすることができ、これを支持部分２
２の下面に張りつけたり、コーティングしたりする。こ
うすれば、保持部分２２と半導体素子１２との間のすべ
りをできるだけ防止する。

【００７７】図２５は保持部分の少なくとも半導体素子
の接触するエリアに熱伝導性の高い材料を張りつけた例
を示す図である。さらに、保持部分２２を熱伝導性の高
い材料で作ることもできる。半導体素子１２は試験時に
熱を発生するので、保持部分２２を放熱フィンとして使
用することにより、半導体素子１２の過熱を防止するこ
とができる。

【００７８】図２６及び図２７はラッチ機構の変形例を
示す図である。図２６は、ラッチ機構３２のラッチ部材
３４の一部及び係止部材３６を示し、図２７は図２６の
係止部材３６の部分の平面図である。カバー２６に取付
けたラッチ部材３４の爪３５はコンタクタベース２０の
係止部材３６に係合するようになっている。係止部材３
６はコンタクタベース２０の側面の一部を半円形状にす
ることにより形成されている。

【００７９】ラッチ機構３２とコンタクタベース２０と
の間に角度ずれがある場合に、通常はラッチ機構３２は
カバー２６とコンタクタベース２０との間で相対回転運
動をさせようにし、カバー２６とコンタクタベース２０
との間で位置ずれが生じるが、上記した半円形状を採用
することにより、ラッチ機構３２とコンタクタベース２
０との間で半円経路に沿った位置ずれがあったとして
も、カバー２６とコンタクタベース２０との間では実質
的に位置ずれが生じない。従って、半導体素子１２の端
子１４とコンタクト電極１６とは前に正確に位置合わせ
された状態に維持される。

【００８０】図２８は、ラッチ機構の変形例を示す図で
ある。図２６及び図２７の係止部材３６がコンタクタベ
ース２０のコーナー部に設けられているのに対して、図
２８の係止部材３６はコンタクタベース２０の辺部に設
けられている。このように、ラッチ機構３４の係止部材
３６がカバー２６か、又はコンタクタベース２０に一体
化して具備されている場合には、水平方向には微動可能
な構造を有し、特に回転方向については、ラッチ機構３
２の接触部が線接触にならずに、点接触になるように、
係止部材３６の係止突起部を球状、又は半円状にすると
よい。

【００８１】図２９は、半導体素子のコンタクタのセッ
ト装置の例を示す図である。コンタクタ１０は上記した
例で説明した通りのカバー２６、保持部分２２、及びコ
ンタクタベース２０を備えたものである。コンタクタの
セット（及びリセット）装置は、半導体素子１２を保持
部分２２に一時的に吸着保持するための吸着ヘッド３０
と、位置合わせのための画像認識装置５４とを備える。
さらに、コンタクタのセット（及びリセット）装置は、
半導体素子１２を保持部分２２に供給し且つ保持部分２
２から取り出すための素子供給装置７０と、カバー２６
を保持してコンタクタベース２０に向かって動かすため
のカバー把持装置７２と、ラッチ機構３２を係止部材３
６に係合させるためのラッチ操作機構７４と、ラッチ機
構３２を係止部材３６から解除するためのラッチ解除装
置７６とを含む。

【００８２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体素子をコンタクタに確実に保持することができ、
且つコンタクタのカバーをコンタクタベースに押圧する
力が半導体素子の端子の接触圧とは独立的に定められる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例による半導体素子のコンタ
クタを示す図である。

【図２】ロックされた状態にある図１のコンタクタを示
す図である。

【図３】図１のカバーの変形例を示す図である。

【図４】本発明の第２実施例による半導体素子のコンタ
クタを示す図である。

【図５】ラッチ部材の詳細な例を示す図である。

【図６】図５のラッチ部材の部分拡大図である。

【図７】図６のラッチ部材の変形時を示す図である。

【図８】図４の保持部分の変形例を示す図である。

【図９】図８の保持部分を取付けたカバーの平面図であ
る。

【図１０】図８の保持部分及びカバーの断面図である。

【図１１】図８の保持部分の変形例を示す図である。

【図１２】本発明の第３実施例による半導体素子のコン
タクタを示す図である。

【図１３】ラッチ機構の爪の変形例を示す図である。

【図１４】コンタタクト電極を形成するメンブレンコン
タクトを示す側面図である。

【図１５】図１４のメンブレンコンタクトを示すコンタ
クタベースの斜視図である。

【図１６】半導体素子を保持したカバーとコンタクタベ
ースとの位置合わせ装置の概略を示す図である。

【図１７】カバーをコンタクタベースから取り外す工程
を示す図である。

【図１８】位置合わせの変形例を示す図である。

【図１９】非線型ばねを含むカバーの例を示す図であ
る。

【図２０】突き当て部分の表面を粗くする表面処理を施
されている例を示す図である。

【図２１】図２０の丸枠内の部分の拡大図である。

【図２２】保持部分の脚部分が異なった大きさの部分を
有する例を示す図である。

【図２３】図２２の保持部分が異なった位置にあるとこ
ろを示す図である。

【図２４】保持部分の少なくとも半導体素子の接触する
エリアに摩擦係数の高い材料を張りつけた例を示す図で
ある。

【図２５】保持部分の少なくとも半導体素子の接触する
エリアに熱伝導性の高い材料を張りつけた例を示す図で
ある。

【図２６】ラッチ機構の変形例を示す図である。

【図２７】図２６のラッチ部材の部分の平面図である。

【図２８】ラッチ機構の変形例を示す図である。

【図２９】半導体素子のコンタクタのセット装置の例を
示す図である。

【図３０】従来の半導体素子のコンタクタの一例を示す
図である。

【図３１】従来の半導体素子のコンタクタの他の例を示
す図である。

【符号の説明】

１０…コンタクタ １２…半導体素子 １４…端子 １６…コンタクト電極 １８…第１の突き当て部分 ２０…コンタクタベース ２２…保持部分 ２４…第２の突き当て部分 ２６…カバー ２８…真空導入孔 ３０…吸着ヘッド ３２…ラッチ機構 ３４…ラッチ部材 ３５…爪 ３６…係止部材 ３８…弾性体 ４０…穴 ４２…ヘッド導入孔 ４４…突起 ４６…薄膜 ４８…配線 ５０…外端部 ５２…微細送り機構 ５４…画像認識装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷山 誠 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AG00 AG01 AG11 AG12 AH07 5E024 CA30 CB10

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子の端子が接触すべきコンタク
   ト電極と第１の突き当て部分とを有するコンタクタベー
   スと、 半導体素子を保持するための保持部分と該第１の突き当
   て部分と当接可能な第２の突き当て部分とを有するカバ
   ーと、 該第１の突き当て部分と該第２の突き当て部分とが互い
   に当接した状態で該カバーをコンタクタベースにロック
   するラッチ機構とを備え、 該第１の突き当て部分及び該第２の突き当て部分、並び
   に該コンタクト電極及び該保持部分は、該カバーが該コ
   ンタクタベースに向かって動かされるときに該保持部分
   に保持された半導体素子の端子がコンタクト電極に接触
   し、該カバーが該コンタクタベースに向かってさらに動
   かされるときに半導体素子の端子がコンタクト電極に接
   触した状態で該第１の突き当て部分と該第２の突き当て
   部分が互いに当接し、該カバーが該コンタクタベースに
   向かってさらに動かされるのを阻止するように形成され
   ている、ことを特徴とする半導体素子のコンコクタ。
2. 【請求項２】 該ラッチ機構は、該カバー及び該コンタ
   クタベースの一方に設けられ、該カバーをコンタクタベ
   ースにロックするために弾性変形可能なラッチ部材と、
   該カバー及び該コンタクタベースの他方に設けられ、該
   ラッチ部材を係止する係止部材とを含むことを特徴とす
   る請求項１に記載の半導体素子のコンコクタ。
3. 【請求項３】 該ラッチ部材はその端部に設けられた爪
   を含み、該ラッチ部材が弾性変形する間に該爪が該係止
   部材に係合することを特徴とする請求項２に記載の半導
   体素子のコンコクタ。
4. 【請求項４】 該係止部材は間隔をあけて配置された２
   つの爪からなり、該ラッチ部材の爪は該係止部材の２つ
   の爪の間を通る部分と該２つの爪に係合する部分とを含
   むことを特徴とする請求項３に記載の半導体素子のコン
   コクタ。
5. 【請求項５】 該コンタクト電極は弾性を有し、該カバ
   ーが該コンタクタベースに向かって動かされるときに、
   最初に半導体素子の端子がコンタクト電極に接触し、そ
   の後で該コンタクト電極が弾性変形しつつ該第１の突き
   当て部分と該第２の突き当て部分とが互いに当接し、よ
   って半導体素子の端子がコンタクト電極に圧力下で接触
   した状態に維持されるようになっていることを特徴とす
   る請求項１に記載の半導体素子のコンコクタ。
6. 【請求項６】 該保持部分は該カバーに一体的に設けら
   れることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子のコ
   ンコクタ。
7. 【請求項７】 該保持部分は該カバーに可動に取付けら
   れ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾性体によっ
   て付勢されており、該カバーが該コンタクタベースに向
   かって動かされるときに、最初に半導体素子の端子がコ
   ンタクト電極に接触し、その後で該弾性体が弾性変形し
   つつ該第１の突き当て部分と該第２の突き当て部分とが
   互いに当接し、よって半導体素子の端子がコンタクト電
   極に圧力下で接触した状態に維持されるようになってい
   ることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコン
   コクタ。
8. 【請求項８】 該コンタクト電極は該コンタクタベース
   の上に設けられた絶縁性の薄膜の上に設けられ、さらに
   該コンタクト電極に接続された配線が該絶縁性の薄膜の
   上に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の
   半導体素子のコンコクタ。
9. 【請求項９】 該第１の突き当て部分は該コンタクト電
   極と該配線の外端部に設けられる外部端子との間に位置
   することを特徴とする請求項８に記載の半導体素子のコ
   ンコクタ。
10. 【請求項１０】 該保持部分は半導体素子を該保持部分
    に保持させるための保持手段を含むことを特徴とする請
    求項１に記載の半導体素子のコンコクタ。
11. 【請求項１１】 該保持手段は該保持部分に設けられた
    真空導入孔を含み、該真空導入孔を介して導入された真
    空により半導体素子を該保持部分に保持することを特徴
    とする請求項１０に記載の半導体素子のコンコクタ。
12. 【請求項１２】 該保持部分は、真空導入孔を有する板
    からなり、該カバーが吸着ヘッドを通すヘッド導入孔を
    有することを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子
    のコンコクタ。
13. 【請求項１３】 該ラッチ機構は、該カバーに設けら
    れ、該カバーを該コンタクタベースにロックするために
    弾性変形可能なラッチ部材と、該コンタクタベースに設
    けられ、該ラッチ部材を係止する係止部材とを含み、該
    ラッチ部材は中央部分と両脚部分とからなる断面Π形の
    部材からなり、該中央部分が該カバーに保持され、該脚
    部分が該係止部材に係合されることを特徴とする請求項
    １に記載の半導体素子のコンコクタ。
14. 【請求項１４】 該保持部分は該カバーに可動に取付け
    られ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾性体によ
    って付勢されており、該保持部分は中央部分と両脚部分
    とからなる断面逆Π形の部材からなり、該脚部分が該カ
    バーに保持され、該中央部分が半導体素子を保持するこ
    とを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンコク
    タ。
15. 【請求項１５】 該ラッチ機構は、該カバーに設けら
    れ、該カバーを該コンタクタベースにロックするために
    弾性変形可能なラッチ部材と、該コンタクタベースに設
    けられ、該ラッチ部材を係止する係止部材とを含み、該
    ラッチ部材は中央部分と両脚部分とからなる断面Π形の
    部材からなり、該中央部分が該カバーに保持され、該脚
    部分が該係止部材に係合され、 該保持部分は該カバーに可動に取付けられ且つ該コンタ
    クタベースに向かう方向に弾性体によって付勢されてお
    り、該保持部分は中央部分と両脚部分とからなる断面逆
    Π形の部材からなり、該脚部分が該カバーに保持され、
    該中央部分が半導体素子を保持することを特徴とする請
    求項１に記載の半導体素子のコンコクタ。
16. 【請求項１６】 該保持部分は該カバーに可動に取付け
    られ且つ該コンタクタベースに向かう方向に弾性体によ
    って付勢されており、該弾性体は、ばねの圧縮がすすむ
    とばね定数が高くなるような非線型ばねであり、半導体
    素子とコンタクト電極が接触しはじめたときは、ばね定
    数が低く、もし両者の平行度が傾いていた場合でも保持
    部分が容易に傾きを補正するように動けるため、接触圧
    が特定の半導体素子の端子及びコンタクト電極に集中す
    るのを軽減し、半導体素子あるいはコンタクタベースを
    損傷するのを防止することを特徴とする請求項１に記載
    の半導体素子のコンコクタ。
17. 【請求項１７】 該保持部分の脚部分は該カバーに設け
    られたガイド穴に挿入され、異なった大きさの部分を有
    することを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子の
    コンコクタ。
18. 【請求項１８】 該保持部分は少なくとも部分的に摩擦
    係数の高い材料で作られることを特徴とする請求項１に
    記載の半導体素子のコンコクタ。
19. 【請求項１９】 該第１及び第２の突き当て部分の少な
    くとも一方は表面を粗くする表面処理を施されているこ
    とを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンコク
    タ。
20. 【請求項２０】 該保持部分の少なくとも半導体素子の
    接触するエリアは、摩擦係数の高い材料及び熱伝導性の
    高い材料の１つを含むことを特徴とする請求項１に記載
    の半導体素子のコンコクタ。
21. 【請求項２１】 該ラッチ機構が、カバーとコンタクタ
    ベースの位置を拘束することのないものであることを特
    徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンコクタ。
22. 【請求項２２】 半導体素子の端子が接触すべきコンタ
    クト電極と第１の突き当て部分とを有するコンタクタベ
    ースと、半導体素子を保持するための保持部分と該第１
    の突き当て部分と当接可能な第２の突き当て部分とを有
    するカバーと、該第１の突き当て部分と該第２の突き当
    て部分とが互いに当接した状態で該カバーをコンタクタ
    ベースにロックするラッチ機構とを備えた半導体素子の
    コンコクタの使用方法であって、 半導体素子をカバーの保持部分に保持し、 該カバーの保持部分に保持された半導体素子の端子をコ
    ンタクタベースのコンタクト電極と位置合わせし、 半導体素子がコンタクト電極に接触するようにカバーを
    コンタクタベースに向かって動かし、 第１の突き当て部分と第２の突き当て部分とを互いに当
    接させ、 該カバーをラッチ機構によりコンタクタベースにロック
    する、工程を含む半導体素子のコンコクタの使用方法。
23. 【請求項２３】 該カバーをラッチ機構によりコンタク
    タベースにロックする工程の後で、保持部分からの半導
    体素子の保持を解除する工程をさらに含むことを特徴と
    する請求項２２に記載の半導体素子のコンコクタの使用
    方法。
24. 【請求項２４】 半導体素子をカバーの保持部分に保持
    する工程は、該保持部分に設けられた真空導入孔に真空
    を導入することにより行われ、保持部分からの半導体素
    子の保持を解除する工程は、該保持部分に設けられた真
    空導入孔への真空の導入を解除することを特徴とする請
    求項２３に記載の半導体素子のコンコクタの使用方法。
25. 【請求項２５】 該カバーをコンタクタベースにロック
    した後で半導体素子をコンタクトタから取り出す工程を
    さらに含み、該半導体素子をコンタクトタから取り出す
    工程は、 半導体素子をカバーの保持部分に保持し、 半導体素子をカバーの保持部分に保持した状態で該ラッ
    チ機構のロックを解除し、 該カバーをコンタクタベースから移動させ、 半導体素子を該保持部分から解除する、工程を含むこと
    を特徴とする請求項２３に記載の半導体素子のコンコク
    タの使用方法。
26. 【請求項２６】 該半導体素子の端子をコンタクタベー
    スのコンタクト電極と位置合わせする工程は、半導体素
    子を保持部分に保持した状態で半導体素子の端子とコン
    タクタベースのコンタクト電極の位置関係を画像認識装
    置で検出し、カバー及びコンタクタベースの少なくとも
    一方の位置を補正することを特徴とする請求項２２に記
    載の半導体素子のコンコクタの使用方法。
27. 【請求項２７】 該半導体素子の端子をコンタクタベー
    スのコンタクト電極と位置合わせする工程は、半導体素
    子を保持部分に保持した状態で該カバーをガイドに沿っ
    てコンタクタベースに向かって移動させることを特徴と
    する請求項２２に記載の半導体素子のコンコクタの使用
    方法。
28. 【請求項２８】 請求項１から２１のいずれか１項に記
    載のコンコクタに半導体素子を装着するための半導体素
    子のコンタクタのセット装置。