JP2000003140A

JP2000003140A - 有機ｅｌディスプレイ

Info

Publication number: JP2000003140A
Application number: JP10181460A
Authority: JP
Inventors: Takashi Tanaka; 俊田中; Hisashi Nakada; 久士中田; Hiroshi Yamamoto; 洋山本
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-06-12
Filing date: 1998-06-12
Publication date: 2000-01-07

Abstract

(57)【要約】【課題】さらなる小型、薄型化が可能で、高信頼性
で、しかも低コスト化を図れ、製造が容易な有機ＥＬデ
ィスプレイを提供する。【解決手段】基板１と、この基板上に形成された有機
ＥＬ構造体と、この有機ＥＬ構造体を封止する封止板２
とを有し、前記封止板２は有機ＥＬ構造体を駆動ないし
制御するための回路の少なくとも一部を有し、かつ基板
１上に形成されている回路と封止板２上の回路とを接続
するための配線構造体３を有し、前記配線構造体３の少
なくとも一部が基板１上であって、封止板２が配置され
ていない部分に配置され、かつこの配線構造体３には、
基板１面と水平方向以外の方向に導通する回路要素が形
成されている有機ＥＬディスプレイとした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子に関
し、詳しくは、有機ＥＬ素子を用いてマトリクス表示を
行う有機ＥＬディスプレイに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機ＥＬ素子が盛んに研究されて
いる。これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミ
ン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸着により薄膜と
し、さらにアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ3 ）などの
蛍光物質を発光層として積層し、さらにＭｇなどの仕事
関数の小さな金属電極（電子注入電極）を形成した基本
構成を有する素子で、１０Ｖ前後の電圧で数１００から
数１００００cd/m² ときわめて高い輝度が得られること
で注目されている。

【０００３】ところで、従来よりＬＣＤ等のディスプレ
イを製造する場合、ディスプレイ本体部分と、これを駆
動する回路部分とを別々に組み立て、これを後からフレ
キシブルコネクター、エラスティックコネクター等によ
り接続し、一体としてディスプレイとしていた。

【０００４】しかし、ディスプレイ本体と、駆動回路と
を別個に設けることとすると、その分余分にスペースを
必要とし、小型薄型に適した有機ＥＬディスプレイの利
点を十分に発揮することができない。また、特にディス
プレイが大型化、高精細化した場合、駆動する走査線や
データ線等の電極本数が多くなり、それに応じて上記コ
ネクター類も大型化してしまう。このため、製造が困難
になると共に、接続するコネクタのライン数が増えるに
従い、接触不良や断線等の故障の発生率が多くなり信頼
性が低下してしまう。また、特に駆動回路からのケーブ
ル等のように比較的大きな電流容量を必要とするケーブ
ルは、太い線径であるため嵩張り、これを取り回すため
の余分なスペースがさらに必要になる。

【０００５】このような問題を解決する手段として、ド
ライブ回路をフレキシブル基板上に実装したＴＣＰ（テ
ープキャリアパッケージ）を用いることが検討されてい
る。しかしながら、ＴＣＰそれ自体が高価であり、しか
もＴＣＰを形成するフレキシブル基板と回路基板間の接
続時に、異方性導電フィルム、ペースト等の副材料を用
いて接続しなければならず、安定性を得るため余分なス
ペースを必要とし、取り個数の減少と、副材料のために
コスト高を招くといった問題を有していた。また、スペ
ースを有効に活用できないばかりか、依然としてＴＣＰ
を形成するためのスペースも必要であった。さらに、接
続のため、パネルに構造的な段差部分を生じてしまい、
モジュール体として組み立てる際の強度を確保するため
の設計が必要となり、薄型化を図る上での障害となって
いた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、さ
らなる小型、薄型化が可能で、高信頼性で、低コスト化
を図れ、しかも製造が容易な有機ＥＬディスプレイを提
供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】ディスプレイ本体と、駆
動回路等とを一体とすれば余分なスペースが減少し、小
型薄型に適した有機ＥＬディスプレイの利点を十分に発
揮することでき、信頼性も向上する。有機ＥＬ構造体を
成膜する基板上に駆動回路等を設けることも考えられ
る。この場合、基板表面側には設けることができないの
で、基板裏面側に設けることとなるが、その場合には大
面積化するためにスペースが限られてしまう。また、基
板上に駆動回路等を設ける場合、有機ＥＬ構造体成膜後
では、その構造膜にダメージを与えてしまうおそれがあ
る。なお、有機ＥＬ構造膜成膜前には回路素子を設ける
ことができない。

【０００８】ところで、有機ＥＬディスプレイは、発光
素子としての有機ＥＬ構造体を保護するため、通常、発
光面とは反対側となる部分にガラス等の封止板を有す
る。この封止板は有機ＥＬ構造体成膜後に装着され、通
常、取り出し電極等の理由で、基板と封止板とでは面積
が異なり、両者の間に段差が生じ、その部分が無駄な空
間として存在する。この、封止板の配置されていない領
域に、立体的な回路を形成できる配線構造体を配置し、
好ましくはこの配線構造体上にも駆動回路等の一部を形
成することにより、容易にディスプレイ本体と、駆動回
路等とを一体とすることができる。これにより、デッド
スペースを有効に活用でき、より小型、薄型にすること
ができる。また、この配線構造体自体が、パネル段差部
の補強の役割を果たし、外装材の剛性を多少低下させて
もパネルの剛性増加により、必要な強度を保つことがで
きる。また、封止板や配線板は基板と分離でき、加熱プ
ロセスが必要な回路部分の実装を、有機ＥＬ構造体を別
にして行うことができる。さらに、配線構造体、封止板
単位での回路検査を行うことができ、有機ＥＬ構造体が
形成された基板への実装を良品のみとすることができ、
歩留まり率が向上する。

【０００９】すなわち、上記目的は、以下の（１）〜
（９）の構成により実現される。（１）基板と、この基板上に形成された有機ＥＬ構造
体と、この有機ＥＬ構造体を封止する封止板とを有し、
前記封止板は有機ＥＬ構造体を駆動ないし制御するため
の回路の少なくとも一部を有し、かつ基板上に形成され
ている電極ないし回路と基板以外の回路とを接続するた
めの配線構造体を有し、前記配線構造体の少なくとも一
部が基板上であって、封止板が配置されていない部分に
配置され、かつこの配線構造体には、基板面と水平方向
以外の方向に導通する回路要素が形成されている有機Ｅ
Ｌディスプレイ。（２）前記配線構造体は、基板面と平行な方向に導通
する回路要素を有する多層基板である上記（１）または
（２）の有機ＥＬディスプレイ。（３）前記配線構造体は、樹脂多層基板である上記
（１）または（２）の有機ＥＬディスプレイ。（４）前記配線構造体は基板上に接着されている上記
（１）〜（３）のいずれかの有機ＥＬディスプレイ。（５）前記配線構造体の上端面が、前記封止板の上端
面とほぼ同位置となっている上記（１）〜（４）のいず
れかの有機ＥＬディスプレイ。（６）前記配線構造体は、基板の２辺に沿って略Ｌ字
状に形成されている部分を有する上記（１）〜（５）の
いずれかの有機ＥＬディスプレイ。（７）前記配線構造体は、封止板上にも配置されてい
る上記（１）〜（６）のいずれかの有機ＥＬディスプレ
イ。（８）前記配線構造体には、少なくとも有機ＥＬ構造
体の駆動回路の一部が設けられている上記（１）〜
（７）のいずれかの有機ＥＬディスプレイ。（９）前記封止板には、少なくとも有機ＥＬ構造体の
制御回路ないし駆動回路の一部が設けられている上記
（１）〜（８）のいずれかの有機ＥＬディスプレイ。

【００１０】

【作用】本発明の配線構造体は、基板上の回路（配線・
電極等）と外部回路、好ましくは封止板上の回路との電
気的な配線構造を有する。また、構造体として適度な強
度と、形状保持性とを有する。このため、空間を物理的
および電気的に有効利用した上でパネル補強の役割も果
たすこととなる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬディスプレイ
は、基板と、この基板上に形成された有機ＥＬ構造体
と、この有機ＥＬ構造体を封止する封止板とを有し、前
記封止板は有機ＥＬ構造体を駆動ないし制御するための
回路の少なくとも一部を有し、かつ基板上に形成されて
いる回路と封止板上の回路とを接続するための配線構造
体を有し、前記配線構造体の少なくとも一部が基板上で
あって、封止板が配置されていない部分に配置され、か
つこの配線構造体は、基板面と水平方向以外の方向に導
通する回路要素が形成されている。

【００１２】また、好ましくは前記配線構造体は、縦方
向（基板面と水平な方向以外の方向）と横方向との回路
要素を有する立体的な回路を形成することができる多層
基板が好ましく、より好ましくは剛性を有する樹脂多層
基板である。

【００１３】このように、基板上であって封止板の配置
されていない位置に配線構造体を配置することにより、
デッドスペースを有効に活用することができ、ディスプ
レイをよりコンパクトで薄く形成することができる。

【００１４】本発明の有機ＥＬディスプレイは、例えば
図１に示すように、表示面側となる基板１と、この基板
１上に形成された有機ＥＬ構造体（図示しない）と、こ
の有機ＥＬ構造体を封止する封止板２とを有し、前記封
止板２は有機ＥＬ構造体を駆動ないし制御するための回
路の少なくとも一部２２，２３を有する。また、基板上
の回路と封止板２上の回路２２，２３とは配線構造体３
で接続されている。

【００１５】なお、図１の例では、基板１上には、有機
ＥＬ構造体からの配線接続された、配線構造体と接続す
るための端子１１が形成されており、この端子１１上に
配線構造体３が配置されると、配線構造体３と端子１１
とが接続されるようになっている。また、封止板２上に
は、有機ＥＬ構造体を制御ないし駆動するための回路の
一部２２，２３が形成され、さらにこの回路２２は配線
構造体３と接続するための端子２１に接続されている。
そして、この端子２１と配線構造体３とが接続されるこ
とにより、基板１上の回路と封止板２上の回路とが接続
されることとなる。この場合、基板１上の端子のピッチ
としては、５０μm 〜１mm程度、特に１００μm 〜５０
０μm 程度が好ましい。この範囲内であれば、基板と配
線構造体との端子同士を良好に接続することができる。

【００１６】この配線構造体３は、好ましくは基板１上
の封止板２が配置されている部分以外の領域に配置され
る。従って、基板１上の封止板２が配置されている部分
以外の領域とほぼ同形状であるか、その一部を構成する
ことが好ましい。なお、実際には、これから多少大きく
ても小さくてもよい。また、配線構造体３の高さは、封
止板２の高さと同程度であることが好ましい。同程度の
高さとすることにより、封止板との接続が容易となる。
なお、接続手段によっては、接続が容易なように高さを
変えてもよい。

【００１７】このように、基板１と封止板２とで形成さ
れた領域のデッドスペースを埋めるように配線構造体３
を配置することで、空間を有効に活用することができ、
ディスプレイをよりコンパクトにすることができる。こ
のような領域は、ディスプレイの種類や大きさ等により
異なるが、通常、幅１〜２０mm、特に１〜１０mm程度、
高さ０．５〜５mm、特に１〜２mm程度である。

【００１８】配線構造体３は、基板面と水平でない方
向、通常、垂直な方向に導通する回路要素が形成されて
いるものであれば特に限定されるものではないが、多層
基板、さらに剛性を有する樹脂多層基板が好ましい。ま
た、特にファインピッチを要求される場合にはビルドア
ップ基板が好ましい。基板面と垂直方向に形成された回
路要素を有することにより、封止板上の回路と基板上の
回路との接続が容易になる。多層基板は、通常のプリン
ト基板材料であるエポキシや、ガラスエポキシ等を用い
たものの他、種々の樹脂材料を用いたものが検討されて
おり、その他セラミックスを用いたものについても実用
化されている。これらのなかでも樹脂製の基板が好まし
い。樹脂製の基板を用いることでディスプレイの機械強
度が向上し、保護部材としても機能し、製造時の取り扱
いが容易になる。多層配線構造体とすることで、回路を
空間内に有効に形成することができる。特に、ディスプ
レイの場合、マトリクス状に形成された多数の配線を接
続したり、各ＩＣを接続するためのバスラインのよう
に、並列に接続される複数の配線を有する場合が多く、
そのような回路の形成に有効である。

【００１９】このような多層配線構造体は、基板の外周
部を取り囲むように配置・形成することが好ましい。基
板の周りを多層配線構造体で囲むことにより、基板を衝
撃などから保護し、製造時や、搬送時の取り扱いが容易
となり、故障が減少する。この場合に用いる多層配線構
造体としては、ある程度の剛性と弾性を有する樹脂製の
多層基板が適している。

【００２０】このような多層配線構造体として最も好ま
しいものの一つとしてビルドアップ基板が挙げられる。
樹脂多層基板は、例えば、アラミド不繊布等のような樹
脂基材中に、多層に形成されたＡｇ，Ｃｕ等のような導
電層を有し、各層の導電層間をビアホールと称する導電
体の柱により接続したものである。このビアホールは、
通常、スルーホールよりも小さく、しかも内部まで導電
物質とすることができ、ビアホール上にも部品（チップ
部品）を搭載することができる。なお、配線構造体上に
実装される電子部品は、通常、サーフェスマウントとな
る。

【００２１】配線構造体３には、例えば図２に示すよう
に、有機ＥＬ構造体を駆動するための回路３３を形成す
ると、さらにスペースを有効に活用することができる。
すなわち、通常、有機ＥＬ構造体はマトリクス状に形成
されている場合が多く、そのようなマトリクス回路を駆
動するための回路を配線構造体に形成することにより、
この配線構造体から基板上のマトリクス回路を直接駆動
することができる。しかも、配線構造体との接続は、駆
動回路を動作させるのに必要な信号線だけでよいので、
配線が少なくなる。なお、配線構造体に駆動回路に加
え、これを制御するための制御回路を形成すれば、さら
に封止板との配線が少なくなる。なお、上記例では配線
構造体３上に回路３３の構成素子を搭載しているが、多
層基板の内部に素子の要素を形成することも可能であ
り、その場合には配線構造体３上面を平坦にすることが
できる。また、図２のその他の構成は図１と略同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。

【００２２】基板上に配線構造体を実装する第１の接続
手段としては、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料中
に、導電性フィラーを分散させた異方性導電フィルムを
用いて熱圧着する方法や、バンプ構造により接続する方
法、カシメによる方法等が挙げられるが、基板にガラス
透明基板を用いている場合には、基板の裏側から光ビー
ムを照射してハンダ付けする方法等でもよい。

【００２３】配線構造体と封止板を接続する第２の手段
としては、ハンダ付、ワイヤーボンド、アップルボン
ド、ヒートシルコネクター、導電性インクの印刷、ブリ
ッジ等の通常用いられている接続手段により接続するこ
とができる。

【００２４】アップルボンドとは、ワイヤーボンディン
グ（ボールボンディング法）で用いられているボール部
分のみを用いて配線構造体−封止板のパターン間を接続
するものである。配線構造体−封止板間のパターンが接
近しているため、ボールのみでも接続することができ
る。この場合、配線構造体−封止板間の空隙は、１５０
μm 以下、特に０〜１０μm 程度が好ましい。ボールの
大きさとしては、通常、１０〜３００μm 程度、好まし
くは５０〜１００μm 程度である。ボールの材質として
は、通常のワイヤーボンディングに用いられているもの
であればよく、例えばＡｕ，Ａｌ等を挙げることができ
る。従って、接続部分のパターン幅は、５〜３００μm
程度が好ましい。アップルボンドについては、例えば、
日経エレクトロニクス 1998.4.6(no.713) P170に記載さ
れている。

【００２５】ワイヤーボンドは、通常のワイヤーボンデ
ィング、例えばボールボンディング法、ウエッジボンデ
ィング法、スティッチボンディング法、バードビークボ
ンディング法等により接続したものである。ワイヤーボ
ンドに用いられるワイヤーとしては、通常、線径：１０
〜５０μm 程度である。材質は上記ボールと同様であ
る。ボンド面積としては、通常、３０〜１００μm² 程
度である。

【００２６】上記ワイヤーボンドは、市販のボンディン
グ装置により容易に行うことができる。また、アップル
ボンドについても、これに僅かな改造を施すことにより
行うことができる。

【００２７】図３は、本発明の他の構成例を示した分解
斜視図である。この例では基板１上の封止板２の配置さ
れていない領域に応じて、配線構造体をＬ字状に形成し
ている。また、封止板２上には、外部回路と接続するた
めの外部接続手段２４を有し、フラットケーブル２５等
により、表示データ等を与えるホストコンピュータ等と
接続できるようになっている。また、図４に示すよう
に、図２と同様にして配線構造体３上に回路素子３１を
配置し、駆動回路等の回路の一部を構成してもよい。図
３、図４のその他の構成要素は図１，図２と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。

【００２８】基板１上に配置された配線構造体２は、図
５に示すように、第１の接続手段４により基板１の回路
と接続されると共に、第２の接続手段５（図示例ではワ
イヤーボンド）により封止板上の回路２２と接続され
る。

【００２９】図６は、配線構造体３の構造と基板１等の
位置関係を示した部分断面図である。配線構造体３は、
図示例のように、内部に複数層の導電層３７を有し、さ
らにこれらの導電層３７同士をビアホール３６で上下に
接続している。また、基板１上には、配線構造体３と対
向する部分に有機ＥＬ構造体６と接続されている端子１
１が配置され、この端子１１と丁度対向するように形成
配置された配線構造体３下部の端子３８と、第１の接続
手段４を介して接続されている。また、配線構造体３上
部に形成されている端子３５は、ワイヤーボンド等の接
続手段５を介して、封止板２上の端子２１と接続されて
いる。なお、封止板２は、接着剤７により固定されてい
る。

【００３０】このように、基板上の空いたスペースに配
線構造体を配置し、回路の一部を立体的に形成すること
により、高密度、高精度の電気接合要する工程数を削減
することができ、製造が容易になる。

【００３１】基板としては特に限定されるものではな
く、有機ＥＬ素子が積層可能なものであればよいが、通
常、発光した光を取り出す表示面としての機能も有する
ことから、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材
料を用いることが好ましい。また、基板に色フィルター
膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜
を用いて発光色をコントロールしてもよい。また、発光
した光を取り出す側ではない場合には、基板は透明でも
不透明であってもよく、不透明である場合にはセラミッ
クス等を使用してもよい。

【００３２】基板の大きさも特に限定されるものではな
いが、好ましくは最大長、特に対角長が１０〜３５０m
m、特に３０〜３００mmの範囲が好ましい。最大長は１
０mm未満、３５０mmを超えるものであっても問題ない
が、収納スペースが制限されたり、製造が困難になって
くる。

【００３３】封止板の材料としては、好ましくは平板
状、または断面コ字状で内部に有機ＥＬ構造体を収容し
うる空間を有するガラスやアルミナ、石英等の硬質部材
や、樹脂等の材料が挙げられる。ガラス材として、例え
ば、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸
ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラ
ス組成のものが好ましい。また、樹脂材としてはエポキ
シ材、テフロン、シリコン等が好ましい。これらの封止
板材料の線膨張係数は、基板の線膨張係数の０．０１〜
１００倍、特に０．１〜１０倍程度が好ましい。また、
ガラス等の平板を用いる場合には、封止用接着剤と、必
要によりスペーサとを使用するとよい。また、封止材料
としては金属であってもかまわないが、表面に絶縁コー
ティング、絶縁塗装、表面処理等を施して、絶縁処理を
行う必要がある。封止板３に断面コ字状となる凹部を形
成する手段としては、エッチングやサンドブラスト等に
より、封止板３の表面を削ればよい。

【００３４】封止板は、スペーサーを用いて高さを調整
し、所望の高さに保持してもよい。スペーサーの材料と
しては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガ
ラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好
ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であ
るが、その形状は特に限定されるものではなく、スペー
サーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状
であってもよい。その大きさとしては、円換算の直径が
１〜２０μm 、より好ましくは１〜１０μm 、特に２〜
８μm が好ましい。このような直径のものは、粒長１０
０μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に
規制されるものではないが、通常１μm程度である。

【００３５】なお、封止板に凹部を形成した場合には、
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用す
る場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、
特に２〜８μm の範囲が好ましい。

【００３６】スペーサーは、予め封止用接着剤中に混入
されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤
中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは０．０１
〜３０wt％、より好ましくは０．１〜５wt％である。

【００３７】接着剤としては、安定した接着強度が保
て、気密性が良好なものであれば特に限定されるもので
はないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
樹脂接着剤を用いることが好ましい。

【００３８】封止板上に回路を構成する方法としては、
蒸着法等により回路パターンをマスク蒸着したり、Ｃｕ
等の導体層形成後にこれをエッチングして所望のパター
ンを得る方法などの薄膜プロセスによるものや、所定の
パターンの導体層を厚膜プロセスにて得る方法などがあ
る。そして、形成された回路パターン上に必要な回路素
子をハンダ付したり、導電性ペーストを用いた接着等に
より装着すればよい。

【００３９】回路パターンは、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕのうち
の少なくとも１種を有することが好ましい。これらの金
属は低抵抗であり、薄膜、厚膜プロセスのいずれによっ
ても容易に所望のパターンに形成することができる。こ
れらの中でもＡｌが、コストや、安定性の点で好まし
い。

【００４０】封止板や配線構造体に形成される回路とし
ては、有機ＥＬ構造体、つまり有機ＥＬディスプレイ本
体を駆動するための回路の少なくとも一部である。

【００４１】有機ＥＬディスプレイ本体を駆動するため
の回路は、例えば図７に示すように、ディスプレイに表
示するデータや、表示に関するデータを与える主制御手
段１１１を有し、この主制御手段１１１から与えられる
表示データに応じて有機ＥＬディスプレイの走査電極、
データ電極を駆動する信号である走査電極駆動信号、デ
ータ電極駆動信号を送出するディスプレイ制御手段１１
２を有する。さらにこのディスプレイ制御手段１１２と
接続され、主制御手段１１１等から与えられる表示デー
タをマトリクスデータ、ビットマップデータ等に展開す
るためのデータや、あらかじめ決められた表示内容のデ
ータ等を格納する表示データ記憶手段１１３と、ディス
プレイ制御手段１１２からの走査電極駆動信号、データ
電極駆動信号により、有機ＥＬ構造体（有機ＥＬディス
プレイ本体）１１６の走査電極、データ電極を駆動する
走査電極駆動手段１１４と、データ電極駆動手段１１５
とを有する。

【００４２】主制御手段１１１は、有機ＥＬ構造体１１
６に表示させる表示データを与えたり、表示データ記憶
手段１１３に記憶されている表示データを指定したり、
表示に必要なタイミングや制御データを与えたりする。
この制御手段１１１は、通常、汎用のマイクロプロセッ
サ（ＭＰＵ）と、このＭＰＵと接続されている記憶媒体
（ＲＯＭ、ＲＡＭ等）上の制御アルゴリズム等により構
成することができる。

【００４３】主制御手段１１１には、ＣＩＳＣ、ＲＩＳ
Ｃ、ＤＳＰ等プロセッサの態様を問わず使用可能であ
り、その他ＡＳＩＣ等論理回路の組み合わせなどにより
構成してもよい。また、この例では主制御手段１１１は
独立に設けているが、ディスプレイ制御手段１１２や、
ディスプレイが備え付けられる装置の制御手段等と一体
としてもよい。

【００４４】ディスプレイ制御手段１１２は、主制御手
段１１１等から与えられる表示データ等を解析し、必要
により表示データ記憶手段１１３に格納されているデー
タを検索して、その表示データを有機ＥＬディスプレイ
上の所定の位置に表示させるためのマトリクスデータに
変換する。すなわち、表示する画像（イメージまたはキ
ャラクタ）データが、各マトリクスの交点で与えられる
有機ＥＬ素子の画素単位のドットデータとした場合、そ
のドット座標を与える走査電極とデータ電極を駆動する
ような信号を発生する。また、上記のような各フレーム
単位での駆動や、走査電極とデータ電極の駆動比（デュ
ーティ）制御等も行う。

【００４５】ディスプレイ制御手段１１２は、例えば、
所定の演算機能を有するプロセッサや複合論理回路、前
記プロセッサ等が外部の主制御手段等とのデータの授受
を行うためのバッファ、制御回路へのタイミング信号、
表示タイミング信号や外部記憶手段等への読み出し、書
き込みタイミング信号等を与えるタイミング信号発生回
路（発振回路）、外部の記憶手段から表示データ等の授
受を行う記憶素子制御回路、外部の記憶素子から読み出
したり、外部から与えられ、あるいはこれを加工するこ
とにより得られた表示データを駆動信号として送出する
駆動信号送出回路、外部から与えられる表示機能や表示
させるディスプレイ等に関するデータ、制御コマンド等
を格納する各種レジスタ等により構成することができ
る。

【００４６】表示データ記憶手段１１３は、外部から与
えられた画像データを、ディスプレイ上にマトリクスデ
ータとして展開するためのデータ（変換テーブル）や、
所定のキャラクタデータやイメージデータをそのままマ
トリクスデータに展開したデータ等が格納され、それぞ
れ必要に応じて格納位置（アドレス）を指定することに
より読み出し（書き込み）が可能なようになっている。
このような、表示データ記憶手段としてはＲＡＭ（ＶＲ
ＡＭ）、ＲＯＭ等の半導体記憶素子を好ましく挙げるこ
とができるが、これに限定されるものではなく、光や磁
気を応用した記憶媒体を用いてもよい。

【００４７】走査電極駆動手段１１４およびデータ電極
駆動手段１１５はディスプレイ制御手段１１２から与え
られた走査電極駆動信号、データ電極駆動信号に応じて
走査電極、データ電極を駆動する。有機ＥＬディスプレ
イを構成する有機ＥＬ素子は電流駆動により発光する発
光素子である。このため、通常電圧信号として与えられ
る走査電極駆動信号、データ電極駆動信号を所定の電流
値の信号に変換し、これを所定の走査電極、データ電極
に与えることにより駆動する。

【００４８】より具体的には、必要な電流容量を有する
電圧−電流変換素子、あるいは増幅素子（電力増幅）等
を用いて、所定位置の走査電極、データ電極を駆動す
る。このような駆動回路として、オープンドレイン、オ
ープンコレクタ回路、トーテムポール接続、プッシュプ
ル接続等が挙げられる。電圧−電流変換素子、あるいは
増幅素子としては、リレー等の有接点デバイスを用いる
ことも考えられるが、動作の高速性、信頼性等を考慮す
ると、トランジスタ、ＦＥＴおよびこれらと同等の機能
を有する半導体素子が好ましい。これら半導体素子は、
電源側または接地側のいずれかに走査電極、データ電極
を接続する。ここで、電源側、接地側とは直接電源や接
地ラインに接続する場合の他、電流制限抵抗、保護用デ
バイス、レギュレータ等の素子を介して接続する場合も
含まれる。

【００４９】本発明では上記回路構成要素のうち、特に
ディスプレイ制御手段１１２、表示データ記憶手段１１
３、走査電極駆動手段１１４およびデータ電極駆動手段
１１５等を封止板および配線構造体に、特に走査電極駆
動手段１１４およびデータ電極駆動手段１１５等を配線
構造体に形成することが好ましい。また、その他の回路
との接続には、図３に示したような外部回路接続手段２
４を用いて接続される。この場合、信号線としては、通
常、プロセッサ等の制御手段の処理に必要なデータが転
送可能な本数でよく、コネクタやケーブルが小型で済
み、線径が太いケーブルを使用する必要もなく、信頼性
も良好なものとなる。なお、他の回路は通常基板上等に
形成される。

【００５０】上記回路は有機ＥＬ構造体（有機ＥＬディ
スプレイ本体）を駆動するための回路構成の一例にすぎ
ず、同等な機能を有するものであれば他の回路構成をと
ることも可能である。また、ディスプレイ制御手段、走
査電極駆動手段およびデータ電極駆動手段等と明確に分
割せずにこれらが渾然一体となった構成であってもよ
い。なお、これらの回路装置は、通常、１種または２種
以上のＩＣおよびその周辺部品として構成されている。

【００５１】また、例えば図８に示すように、配線構造
体３を配置した基板１，封止板２の上に、さらに他の回
路基板７を配置し、これらを一体としてもよい。この場
合、回路基板上に有機ＥＬ構造体の駆動回路の構成素子
７３や、外部接続手段７４の主なもの、特にコントロー
ラーや温度補償回路等を配置し、この回路基板７を交換
することで異なった種類の規格や仕様に対応できるよう
にすれば、製造コストを低減でき、量産化にも貢献でき
る。なお、この場合、配線構造体３や封止板２上には回
路素子を配置しないか、必要最低限のものとすることが
好ましい。

【００５２】この場合、封止板２や配線構造体３と回路
基板７とは、上記第１の接続手段と同様な方法で接続す
ることができ、また、ラミネート等を用いてもよい。

【００５３】さらに、例えば、図９に示すように、配線
構造体３と回路基板を一体として形成してもよい。この
場合、基板と同形状の配線構造体３の封止板を収納する
部分を切削加工したり、そのような形状に整形すればよ
い。このように、基板の周囲や封止板上を配線構造体で
覆うことにより、さらに基板や封止板が保護され、衝撃
に強いディスプレイとなる。

【００５４】本発明の有機ＥＬ構造体は、例えば、基板
上に１組以上のマトリクス配置された走査電極（電子注
入電極）およびデータ電極（ホール注入電極）を有し、
これらの電極の間に有機層であるホール注入・輸送層、
発光および電子注入輸送層、必要により保護層が積層さ
れ、さらにこの上にガラス等の封止板を配置した構成を
有する。

【００５５】封止板上に形成された回路はアップルボン
ドまたはワイヤーボンドにより基板上の回路と電気的に
接続され、それぞれ走査電極（電子注入電極）およびデ
ータ電極（ホール注入電極）と接続される。これによ
り、封止板上の走査電極駆動手段（回路）およびデータ
電極駆動手段（回路）と、走査電極（電子注入電極）お
よびデータ電極（ホール注入電極）とが接続されること
となる。

【００５６】有機ＥＬ構造体は、次のようなものであ
る。

【００５７】発光層は、ホール（正孔）および電子の注
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比較
的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好まし
い。

【００５８】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホール
を妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光
層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再
結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。

【００５９】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常５〜５００nm
程度、特に１０〜３００nmとすることが好ましい。

【００６０】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は１nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で５００nm程度、輸送層で５００nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
２層設けるときも同じである。

【００６１】有機ＥＬ素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９
２号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも１種が挙げられる。また、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特願平６−１１０５６９号
のフェニルアントラセン誘導体、特願平６−１１４４５
６号のテトラアリールエテン誘導体等を用いることがで
きる。

【００６２】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜２０wt% 、さらには０．
１〜１５wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み
合わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長
特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が
可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。

【００６３】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００６４】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］等がある。

【００６５】このほかのホスト物質としては、特願平６
−１１０５６９号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平６−１１４４５６号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。

【００６６】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。

【００６７】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も１種のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、０．０１〜２０wt% 、さらには０．１〜１５wt% と
することが好ましい。

【００６８】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。

【００６９】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。

【００７０】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。

【００７１】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。

【００７２】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物／電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、１／９９〜９９／１、さらに好ましく
は１０／９０〜９０／１０、特に好ましくは２０／８０
〜８０／２０程度となるようにすることが好ましい。

【００７３】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には１〜８５nmとすることが好まし
く、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすること
が好ましい。

【００７４】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。

【００７５】ホール注入輸送層には、例えば、特開昭６
３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号公
報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６８１
号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５−２
９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公報、特
開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００１７２
号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラア
リールベンジシン化合物（トリアリールジアミンないし
トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサ
ジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの
化合物は、１種のみを用いても、２種以上を併用しても
よい。２種以上を併用するときは、別層にして積層した
り、混合したりすればよい。

【００７６】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極（ＩＴＯ等）側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層す
ることが好ましい。また、ホール注入電極表面には薄膜
性の良好な化合物を用いることが好ましい。このような
積層順については、ホール注入輸送層を２層以上設ける
ときも同様である。このような積層順とすることによっ
て、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポ
ットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化す
る場合、蒸着を用いているので１〜１０nm程度の薄い膜
も均一かつピンホールフリーとすることができるため、
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部
に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変
化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホー
ル注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着
することにより形成することができる。

【００７７】電子注入輸送層には、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）等の８−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などの
キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は
発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合は
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等を使用する
ことが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同
様に、蒸着等によればよい。

【００７８】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を２層以上設け
るときも同様である。

【００７９】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．１μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が０．１μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、ホールの注入効率も著し
く低下する。

【００８０】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。

【００８１】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。

【００８２】また、有機ＥＬ構造体は上記有機層の他
に、基板および基板上に有機層を挟み込むように形成さ
れた、ホール注入電極、電子注入電極等の機能性薄膜を
有する。

【００８３】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：０．１〜５０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１
〜１２at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、
Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０at％）等が挙げられ
る。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。

【００８４】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、０．５nm以上、
好ましくは１nm以上、より好ましくは３nm以上とすれば
よい。また、その上限値には特に制限はないが、通常膜
厚は３〜５００nm程度とすればよい。電子注入電極の上
には、さらに補助電極ないし保護電極を設けてもよい。

【００８５】蒸着時の圧力は好ましくは１×１０^-8〜１
×１０^-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば１００〜１４００℃、有機材料であれば１００〜５０
０℃程度が好ましい。

【００８６】ホール注入電極は、発光した光を取り出す
ため、透明ないし半透明な電極が好ましい。透明電極と
しては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ
（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂ 、Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ 等が挙げられるが、好ましくはＩＴＯ（錫ドー
プ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウ
ム）が好ましい。ＩＴＯは、通常Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯと
を化学量論組成で含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚
していてもよい。ホール注入電極は、透明性が必要でな
いときは、不透明の公知の金属材質であってもよい。

【００８７】ホール注入電極は、発光波長帯域、通常３
５０〜８００nm、特に各発光光に対する光透過率が８０
％以上、特に９０％以上であることが好ましい。発光光
はホール注入電極を通って取り出されるため、その透過
率が低くなると、発光層からの発光自体が減衰され、発
光素子として必要な輝度が得られなくなる傾向がある。
ただし、一方のみから発光光を取り出すときには、取り
出し側と反対側の発光光に対し８０％以上であればよ
い。両側から取り出すときには、各発光光に対し８０％
以上であればよい。

【００８８】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは５
０〜５００nm、さらには５０〜３００nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。

【００８９】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法、特にパルスＤ
Ｃスパッタ法により形成することが好ましい。

【００９０】有機ＥＬ構造体各層を成膜した後に、Ｓｉ
Ｏ_X 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素重
合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよい。
保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さ
は５０〜１２００nm程度とする。保護膜は、前記の反応
性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法、Ｐ
ＥＣＶＤ法等により形成すればよい。

【００９１】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。

【００９２】有機ＥＬ構造体は、直流駆動やパルス駆動
等され、交流駆動することもできる。印加電圧は、通
常、２〜３０V 程度である。

【００９３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、さらなる
小型、薄型化が可能で、高信頼性で、しかも低コストか
を図れ、製造が容易な有機ＥＬディスプレイを提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬディスプレイの一構成例を示
す分解斜視図である。

【図２】図１の配線構造体に回路構成素子を搭載した状
態を示す分解斜視図である。

【図３】本発明の有機ＥＬディスプレイの他の構成例を
示す分解斜視図である。

【図４】図３の配線構造体に回路構成素子を搭載した状
態を示す分解斜視図である。

【図５】図４の組立状態を示す外観斜視図である。

【図６】図４の部分断面図である。

【図７】有機ＥＬディスプレイ本体を駆動するための回
路構成の一例を示したブロック図である。

【図８】本発明の有機ＥＬディスプレイの他の構成例を
示す分解斜視図で、さらに回路基板を配置して一体化し
たものである。

【図９】図８の回路基板と配線構造体を一体化した状態
を示す一部断面図である。

【符号の説明】

１基板２封止板３配線構造体４第１の接続手段５第２の接続手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山本洋東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB06 AB18 BA06 BB01 BB07 DA01 DB03 EA01 EB00 FA02 5C080 AA06 AA07 BB05 DD22 DD27 FF12 JJ02 JJ06 5G435 AA06 AA17 AA18 BB04 CC09 EE04 EE32 EE33 EE36 EE41 GG43 KK09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、この基板上に形成された有機Ｅ
Ｌ構造体と、この有機ＥＬ構造体を封止する封止板とを
有し、前記封止板は有機ＥＬ構造体を駆動ないし制御するため
の回路の少なくとも一部を有し、かつ基板上に形成され
ている電極ないし回路と基板以外の回路とを接続するた
めの配線構造体を有し、前記配線構造体の少なくとも一部が基板上であって、封
止板が配置されていない部分に配置され、かつこの配線
構造体には、基板面と水平方向以外の方向に導通する回
路要素が形成されている有機ＥＬディスプレイ。
【請求項２】前記配線構造体は、基板面と平行な方向
に導通する回路要素を有する多層基板である請求項１の
有機ＥＬディスプレイ。
【請求項３】前記配線構造体は、樹脂多層基板である
請求項１または２の有機ＥＬディスプレイ。
【請求項４】前記配線構造体は基板上に接着されてい
る請求項１〜３のいずれかの有機ＥＬディスプレイ。
【請求項５】前記配線構造体の上端面が、前記封止板
の上端面とほぼ同位置となっている請求項１〜４のいず
れかの有機ＥＬディスプレイ。
【請求項６】前記配線構造体は、基板の２辺に沿って
略Ｌ字状に形成されている部分を有する請求項１〜５の
いずれかの有機ＥＬディスプレイ。
【請求項７】前記配線構造体は、封止板上にも配置さ
れている請求項１〜６のいずれかの有機ＥＬディスプレ
イ。
【請求項８】前記配線構造体には、少なくとも有機Ｅ
Ｌ構造体の駆動回路の一部が設けられている請求項１〜
７のいずれかの有機ＥＬディスプレイ。
【請求項９】前記封止板には、少なくとも有機ＥＬ構
造体の制御回路ないし駆動回路の一部が設けられている
請求項１〜８のいずれかの有機ＥＬディスプレイ。