JP2000002768A - シンチレータファイバプレート及び放射線イメージセンサ - Google Patents
シンチレータファイバプレート及び放射線イメージセンサInfo
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- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光出力を十分に確保することができるシンチ
レータファイバプレートを提供することである。 【解決手段】 ファイバオプティカルプレート１０上に
シンチレータ１４を形成したシンチレータファイバプレ
ート２において、前記ファイバオプティカルプレート１
０と前記シンチレータ１４との間に前記ファイバオプテ
ィカルプレート及び前記シンチレータの光学的屈折率よ
りも小さい光学的屈折率を有する材料からなる中間層
（ＬｉＦ層）１２を設けたことを特徴とする。
レータファイバプレートを提供することである。 【解決手段】 ファイバオプティカルプレート１０上に
シンチレータ１４を形成したシンチレータファイバプレ
ート２において、前記ファイバオプティカルプレート１
０と前記シンチレータ１４との間に前記ファイバオプテ
ィカルプレート及び前記シンチレータの光学的屈折率よ
りも小さい光学的屈折率を有する材料からなる中間層
（ＬｉＦ層）１２を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、医療用のＸ線撮
影等に用いられるシンチレータファイバプレート及び放
射線イメージセンサに関するものである。
影等に用いられるシンチレータファイバプレート及び放
射線イメージセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】医療、工業用のＸ線撮影では、従来、Ｘ
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメー
ジングシステムが普及してきている。このような放射線
イメージングシステムにおいては、放射線検出素子によ
り２次元の放射線による画素データを電気信号として取
得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表
示している。
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメー
ジングシステムが普及してきている。このような放射線
イメージングシステムにおいては、放射線検出素子によ
り２次元の放射線による画素データを電気信号として取
得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表
示している。
【０００３】従来、放射線検出素子を構成するシンチレ
ータファイバプレートとして、特公平５−３９５５８号
公報に開示されているシンチレータファイバプレートが
知られている。このシンチレータファイバプレートは、
ＦＯＰ上に直接、典型的なシンチレータ材料であるＣｓ
Ｉからなるシンチレータを形成している。
ータファイバプレートとして、特公平５−３９５５８号
公報に開示されているシンチレータファイバプレートが
知られている。このシンチレータファイバプレートは、
ＦＯＰ上に直接、典型的なシンチレータ材料であるＣｓ
Ｉからなるシンチレータを形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
シンチレータファイバプレートにおいては、十分な光出
力を確保することができなかった。ところで上述のシン
チレータファイバプレートにおいて、光出力を向上させ
るためにはシンチレータを厚くすることが考えられる
が、シンチレータを厚くすると解像度特性の大幅な低下
を招くという問題があった。
シンチレータファイバプレートにおいては、十分な光出
力を確保することができなかった。ところで上述のシン
チレータファイバプレートにおいて、光出力を向上させ
るためにはシンチレータを厚くすることが考えられる
が、シンチレータを厚くすると解像度特性の大幅な低下
を招くという問題があった。
【０００５】この発明の課題は、光出力を十分に確保す
ることができるシンチレータファイバプレート及び放射
線イメージセンサを提供することである。
ることができるシンチレータファイバプレート及び放射
線イメージセンサを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のシンチレ
ータファイバプレートは、ファイバオプティカルプレー
ト上にシンチレータを形成したシンチレータファイバプ
レートにおいて、前記ファイバオプティカルプレートと
前記シンチレータとの間に前記ファイバオプティカルプ
レート及び前記シンチレータの光学的屈折率よりも小さ
い光学的屈折率を有する材料からなる中間層を設けたこ
とを特徴とする。
ータファイバプレートは、ファイバオプティカルプレー
ト上にシンチレータを形成したシンチレータファイバプ
レートにおいて、前記ファイバオプティカルプレートと
前記シンチレータとの間に前記ファイバオプティカルプ
レート及び前記シンチレータの光学的屈折率よりも小さ
い光学的屈折率を有する材料からなる中間層を設けたこ
とを特徴とする。
【０００７】この請求項１記載のシンチレータファイバ
プレートによれば、ファイバオプティカルプレートとシ
ンチレータとの間に設けられた中間層の光学的屈折率が
ファイバオプティカルプレート及びシンチレータの光学
的屈折率よりも小さいため、ファイバオプティカルプレ
ートに取り込むことができる光量を多くすることがで
き、ファイバオプティカルプレートの光出力を増加させ
ることができる。
プレートによれば、ファイバオプティカルプレートとシ
ンチレータとの間に設けられた中間層の光学的屈折率が
ファイバオプティカルプレート及びシンチレータの光学
的屈折率よりも小さいため、ファイバオプティカルプレ
ートに取り込むことができる光量を多くすることがで
き、ファイバオプティカルプレートの光出力を増加させ
ることができる。
【０００８】また、請求項２記載のシンチレータファイ
バプレートは、請求項１記載のシンチレータファイバプ
レートの前記中間層がＬｉＦ、ＣａＦ2、ＭｇＦ2及びＮ
ａＦからなる群の中の物質を含む材料からなる層である
ことを特徴とする。
バプレートは、請求項１記載のシンチレータファイバプ
レートの前記中間層がＬｉＦ、ＣａＦ2、ＭｇＦ2及びＮ
ａＦからなる群の中の物質を含む材料からなる層である
ことを特徴とする。
【０００９】また請求項３記載の放射線イメージセンサ
は、ファイバオプティカルプレート上にシンチレータを
形成し前記ファイバオプティカルプレートに撮像素子を
結合した放射線イメージセンサにおいて、前記ファイバ
オプティカルプレートと前記シンチレータとの間に前記
ファイバオプティカルプレート及び前記シンチレータの
光学的屈折率よりも小さい光学的屈折率を有する材料か
らなる中間層を設けたことを特徴とする。
は、ファイバオプティカルプレート上にシンチレータを
形成し前記ファイバオプティカルプレートに撮像素子を
結合した放射線イメージセンサにおいて、前記ファイバ
オプティカルプレートと前記シンチレータとの間に前記
ファイバオプティカルプレート及び前記シンチレータの
光学的屈折率よりも小さい光学的屈折率を有する材料か
らなる中間層を設けたことを特徴とする。
【００１０】この請求項３記載の放射線イメージセンサ
によれば、ファイバオプティカルプレートとシンチレー
タとの間に設けられた中間層の光学的屈折率がファイバ
オプティカルプレート及びシンチレータの光学的屈折率
よりも小さいため、ファイバオプティカルプレートに取
り込むことができる光量を多くすることができ、ファイ
バオプティカルプレートの光出力を増加させることがで
きる。
によれば、ファイバオプティカルプレートとシンチレー
タとの間に設けられた中間層の光学的屈折率がファイバ
オプティカルプレート及びシンチレータの光学的屈折率
よりも小さいため、ファイバオプティカルプレートに取
り込むことができる光量を多くすることができ、ファイ
バオプティカルプレートの光出力を増加させることがで
きる。
【００１１】また、請求項４記載の放射線イメージセン
サは、請求項３記載の放射線イメージセンサの前記中間
層がＬｉＦ、ＣａＦ2、ＭｇＦ2及びＮａＦからなる群の
中の物質を含む材料からなる層であることを特徴とす
る。
サは、請求項３記載の放射線イメージセンサの前記中間
層がＬｉＦ、ＣａＦ2、ＭｇＦ2及びＮａＦからなる群の
中の物質を含む材料からなる層であることを特徴とす
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態の説明を行う。図１は実施の形態にかかる
シンチレータファイバプレート２の断面図であり、図２
は実施の形態にかかる放射線イメージセンサ４の断面図
である。
の実施の形態の説明を行う。図１は実施の形態にかかる
シンチレータファイバプレート２の断面図であり、図２
は実施の形態にかかる放射線イメージセンサ４の断面図
である。
【００１３】図１に示すように、シンチレータファイバ
プレート２のファイバオプティカルプレート（以下、Ｆ
ＯＰという。）１０の一方の表面にはＬｉＦから成る中
間層１２が設けられている。また、この中間層１２上に
は、入射した放射線を可視光に変換する柱状構造のシン
チレータ１４が形成されている。このシンチレータ１４
には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられている。
プレート２のファイバオプティカルプレート（以下、Ｆ
ＯＰという。）１０の一方の表面にはＬｉＦから成る中
間層１２が設けられている。また、この中間層１２上に
は、入射した放射線を可視光に変換する柱状構造のシン
チレータ１４が形成されている。このシンチレータ１４
には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられている。
【００１４】このＦＯＰ１０に形成されたシンチレータ
１４は、保護膜としての第１のポリパラキシリレン膜
（透明有機膜）１６で覆われており、また、第１のポリ
パラキシリレン膜１６の表面にＡｌ膜１８が形成され、
更に、Ａｌ膜１８の表面及びＡｌ膜１８の形成されてい
ない第１のポリパラキシリレン膜１６の表面に第２のポ
リパラキシリレン膜２０が形成されている。このシンチ
レータファイバプレート２は、図２に示すようにＦＯＰ
１０を介して撮像素子（ＣＣＤ）２２と結合することに
より放射線イメージセンサ４として用いられる。
１４は、保護膜としての第１のポリパラキシリレン膜
（透明有機膜）１６で覆われており、また、第１のポリ
パラキシリレン膜１６の表面にＡｌ膜１８が形成され、
更に、Ａｌ膜１８の表面及びＡｌ膜１８の形成されてい
ない第１のポリパラキシリレン膜１６の表面に第２のポ
リパラキシリレン膜２０が形成されている。このシンチ
レータファイバプレート２は、図２に示すようにＦＯＰ
１０を介して撮像素子（ＣＣＤ）２２と結合することに
より放射線イメージセンサ４として用いられる。
【００１５】次に、図３〜図４を参照して、シンチレー
タファイバプレート２の製造工程について説明する。ま
ず、ＦＯＰ１０の一方の表面にＬｉＦ層から成る中間層
を形成する（図３（ａ）参照）。即ち真空蒸着法により
ＬｉＦ層１２を２００ｎｍの厚さで形成する。ここでＬ
ｉＦ層１２の光学的屈折率ｎは、ｎ＝１．３６である。
これに対して、ＦＯＰ１０のコアの光学的屈折率ｎ
コアは、ｎコア＝１．８であり、ＦＯＰ１０のクラッドの光
学的屈折率ｎクラット゛は、ｎクラット゛＝１．５であり、シンチ
レータ（ＣｓＩ）の光学的屈折率ｎシンチは、ｎシンチ＝１．
８である。したがって、ＬｉＦ層１２の光学的屈折率ｎ
の値は、ｎコア、ｎクラット゛及びｎシンチのいずれの値よりも小
さい値となっている。
タファイバプレート２の製造工程について説明する。ま
ず、ＦＯＰ１０の一方の表面にＬｉＦ層から成る中間層
を形成する（図３（ａ）参照）。即ち真空蒸着法により
ＬｉＦ層１２を２００ｎｍの厚さで形成する。ここでＬ
ｉＦ層１２の光学的屈折率ｎは、ｎ＝１．３６である。
これに対して、ＦＯＰ１０のコアの光学的屈折率ｎ
コアは、ｎコア＝１．８であり、ＦＯＰ１０のクラッドの光
学的屈折率ｎクラット゛は、ｎクラット゛＝１．５であり、シンチ
レータ（ＣｓＩ）の光学的屈折率ｎシンチは、ｎシンチ＝１．
８である。したがって、ＬｉＦ層１２の光学的屈折率ｎ
の値は、ｎコア、ｎクラット゛及びｎシンチのいずれの値よりも小
さい値となっている。
【００１６】次に、ＬｉＦ層１２の表面に、Ｔｌをドー
プしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させてシ
ンチレータ１４を２００μｍの厚さで形成する（図３
（ｂ）参照）。シンチレータ１４を形成するＣｓＩは、
吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気
を吸湿して潮解してしまうため、これを防止するために
ＣＶＤ法により第１のポリパラキシリレン膜１６を形成
する。即ち、シンチレータ１４が形成されたＦＯＰ１０
をＣＶＤ装置に入れ、第１のポリパラキシリレン膜１６
を１０μｍの厚さで成膜する。これによりシンチレータ
１４の表面全体及びＦＯＰ１０のシンチレータ１４が形
成されていない部分に第１のポリパラキシリレン膜１６
が形成される（図３（ｃ）参照）。
プしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させてシ
ンチレータ１４を２００μｍの厚さで形成する（図３
（ｂ）参照）。シンチレータ１４を形成するＣｓＩは、
吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気
を吸湿して潮解してしまうため、これを防止するために
ＣＶＤ法により第１のポリパラキシリレン膜１６を形成
する。即ち、シンチレータ１４が形成されたＦＯＰ１０
をＣＶＤ装置に入れ、第１のポリパラキシリレン膜１６
を１０μｍの厚さで成膜する。これによりシンチレータ
１４の表面全体及びＦＯＰ１０のシンチレータ１４が形
成されていない部分に第１のポリパラキシリレン膜１６
が形成される（図３（ｃ）参照）。
【００１７】次に、シンチレータ１４側の第１のポリパ
ラキシリレン膜１６の表面に、Ａｌ膜１８を３００ｎｍ
の厚さで蒸着する（図４（ａ）参照）。ここでＡｌ膜１
８は、シンチレータ１４の耐湿性の向上を目的とするも
のであるため、シンチレータ１４を覆う範囲で形成され
る。
ラキシリレン膜１６の表面に、Ａｌ膜１８を３００ｎｍ
の厚さで蒸着する（図４（ａ）参照）。ここでＡｌ膜１
８は、シンチレータ１４の耐湿性の向上を目的とするも
のであるため、シンチレータ１４を覆う範囲で形成され
る。
【００１８】更に、Ａｌ膜１８の表面及びＡｌ膜１８の
形成されていない第１のポリパラキシリレン膜１６の表
面に、再度ＣＶＤ法により第２のポリパラキシリレン膜
２０を１０μｍの厚さで成膜する（図４（ｂ）参照）。
この工程を終了することによりシンチレータファイバプ
レート２の製造が終了する。なお、放射線イメージセン
サ４は、このシンチレータファイバプレート２のＦＯＰ
１０に撮像素子（ＣＣＤ）２２を結合することにより製
造される。
形成されていない第１のポリパラキシリレン膜１６の表
面に、再度ＣＶＤ法により第２のポリパラキシリレン膜
２０を１０μｍの厚さで成膜する（図４（ｂ）参照）。
この工程を終了することによりシンチレータファイバプ
レート２の製造が終了する。なお、放射線イメージセン
サ４は、このシンチレータファイバプレート２のＦＯＰ
１０に撮像素子（ＣＣＤ）２２を結合することにより製
造される。
【００１９】次に、図５及び図６を参照して、シンチレ
ータファイバプレート２の光出力について説明する。ま
ず、図５に示すように発光点において発光した光の中で
Ａ方向に進む光は、中間層１２を透過しＦＯＰ１０のコ
ア１０ａ内を進み出力面より出力される。また、発光点
において発光した光の中でＢ方向に進む光は、中間層１
２を透過し、更に、ＦＯＰ１０のコア１０ａとクラッド
１０ｂの境界面も透過して吸収体１０ｃにより吸収され
る。更に、発光点において発光した光の中でＣ方向に進
む光は、シンチレータの光学的屈折率ｎシンチに比較して
中間層の光学的屈折率ｎが小さいことから中間層１２の
表面１２ａにおいて全反射されて、シンチレータ１４の
散乱面１４ｂに戻される。この散乱面１４ａにより散乱
された光は、一部が中間層１２を透過しＦＯＰ１０のコ
ア１０ａ内を進み出力面より出力される。
ータファイバプレート２の光出力について説明する。ま
ず、図５に示すように発光点において発光した光の中で
Ａ方向に進む光は、中間層１２を透過しＦＯＰ１０のコ
ア１０ａ内を進み出力面より出力される。また、発光点
において発光した光の中でＢ方向に進む光は、中間層１
２を透過し、更に、ＦＯＰ１０のコア１０ａとクラッド
１０ｂの境界面も透過して吸収体１０ｃにより吸収され
る。更に、発光点において発光した光の中でＣ方向に進
む光は、シンチレータの光学的屈折率ｎシンチに比較して
中間層の光学的屈折率ｎが小さいことから中間層１２の
表面１２ａにおいて全反射されて、シンチレータ１４の
散乱面１４ｂに戻される。この散乱面１４ａにより散乱
された光は、一部が中間層１２を透過しＦＯＰ１０のコ
ア１０ａ内を進み出力面より出力される。
【００２０】ここで、従来のＦＯＰの表面に直接シンチ
レータを設けたシンチレータファイバプレートにおいて
は中間層が設けられておらず、シンチレータの光学的屈
折率ｎとＦＯＰ１０のコア１０ａの光学的屈折率ｎコアが
等しいことから、上述のＣ方向に進む光も中間層１２を
透過し、ＦＯＰ１０のコア１０ａとクラッド１０ｂの境
界面も透過して吸収体１０ｃにより吸収される。従っ
て、このシンチレータファイバプレート２によれば、Ｃ
方向に進む光の一部が出力光となることから光出力を向
上させることができる。
レータを設けたシンチレータファイバプレートにおいて
は中間層が設けられておらず、シンチレータの光学的屈
折率ｎとＦＯＰ１０のコア１０ａの光学的屈折率ｎコアが
等しいことから、上述のＣ方向に進む光も中間層１２を
透過し、ＦＯＰ１０のコア１０ａとクラッド１０ｂの境
界面も透過して吸収体１０ｃにより吸収される。従っ
て、このシンチレータファイバプレート２によれば、Ｃ
方向に進む光の一部が出力光となることから光出力を向
上させることができる。
【００２１】また、図６に示すように、シンチレータの
光学的屈折率ｎシンチに比較して中間層の光学的屈折率ｎ
が小さいことから、Ｄ方向に進む光は中間層１２の表面
１２ａにおいて屈折してＦＯＰ１０のコア１０ａに入射
する。即ち、図６の斜線で示す範囲の光成分が光出力の
向上に寄与する。
光学的屈折率ｎシンチに比較して中間層の光学的屈折率ｎ
が小さいことから、Ｄ方向に進む光は中間層１２の表面
１２ａにおいて屈折してＦＯＰ１０のコア１０ａに入射
する。即ち、図６の斜線で示す範囲の光成分が光出力の
向上に寄与する。
【００２２】この実施の形態にかかるシンチレータファ
イバプレート２、放射線イメージセンサ４によれば、低
屈折率の中間層１２を設けたことにより光出力を向上さ
せることができる。なお、シンチレータファイバプレー
ト２と従来のシンチレータファイバプレートとの光出力
を比較するために試験を行った結果、シンチレータファ
イバプレート２は、従来のシンチレータファイバプレー
トに対して約２０％光出力を向上させることができた。
イバプレート２、放射線イメージセンサ４によれば、低
屈折率の中間層１２を設けたことにより光出力を向上さ
せることができる。なお、シンチレータファイバプレー
ト２と従来のシンチレータファイバプレートとの光出力
を比較するために試験を行った結果、シンチレータファ
イバプレート２は、従来のシンチレータファイバプレー
トに対して約２０％光出力を向上させることができた。
【００２３】なお、上述の実施の形態においては、中間
層１２としてＬｉＦからなる層を用いているが、これに
限らずＣａＦ2、ＭｇＦ2、ＮａＦから成る層を用いても
良い。また、中間層は、空気層により構成しても良い。
層１２としてＬｉＦからなる層を用いているが、これに
限らずＣａＦ2、ＭｇＦ2、ＮａＦから成る層を用いても
良い。また、中間層は、空気層により構成しても良い。
【００２４】また、上述の実施の形態においては、中間
層１２の厚さを２００ｎｍとしているが、中間層１２が
厚過ぎる場合には解像度の低下を招くことから５μｍ以
下の厚さ、好ましくは１μｍ以下の厚さとすることが望
ましい。
層１２の厚さを２００ｎｍとしているが、中間層１２が
厚過ぎる場合には解像度の低下を招くことから５μｍ以
下の厚さ、好ましくは１μｍ以下の厚さとすることが望
ましい。
【００２５】また、上述の実施の形態においては、シン
チレータ１４としてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられている
が、これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、Ｌ
ｉＩ（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等から成る層を用いてもよ
い。
チレータ１４としてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられている
が、これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、Ｌ
ｉＩ（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等から成る層を用いてもよ
い。
【００２６】また、上述の実施の形態においては、シン
チレータ１４を水分から保護するために、第１のポリパ
ラキシリレン膜１６、Ａｌ膜１８及び第２のポリパラキ
シリレン膜２０を設けているが、第１のポリパラキシリ
レン膜１６のみを設けるようにしても良く、また、第１
のポリパラキシリレン膜１６及びＡｌ膜１８を設けるよ
うにしても良い。
チレータ１４を水分から保護するために、第１のポリパ
ラキシリレン膜１６、Ａｌ膜１８及び第２のポリパラキ
シリレン膜２０を設けているが、第１のポリパラキシリ
レン膜１６のみを設けるようにしても良く、また、第１
のポリパラキシリレン膜１６及びＡｌ膜１８を設けるよ
うにしても良い。
【００２７】また、上述の各実施の形態における、ポリ
パラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモ
ノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレ
ン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパ
ラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエ
チルパラキシリレン等を含む。
パラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモ
ノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレ
ン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパ
ラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエ
チルパラキシリレン等を含む。
【００２８】
【発明の効果】この発明によれば、ファイバオプティカ
ルプレートとシンチレータとの間に設けられた中間層に
より、ファイバオプティカルプレートに取り込むことが
できる光量を多くすることができ、ファイバオプティカ
ルプレートの光出力を増加させることができる。
ルプレートとシンチレータとの間に設けられた中間層に
より、ファイバオプティカルプレートに取り込むことが
できる光量を多くすることができ、ファイバオプティカ
ルプレートの光出力を増加させることができる。
【図１】この発明の実施の形態にかかるシンチレータフ
ァイバプレートの断面図である。
ァイバプレートの断面図である。
【図２】この発明の実施の形態にかかる放射線イメージ
センサの断面図である。
センサの断面図である。
【図３】この発明の実施の形態にかかるシンチレータフ
ァイバプレートの製造工程を示す図である。
ァイバプレートの製造工程を示す図である。
【図４】この発明の実施の形態にかかるシンチレータフ
ァイバプレートの製造工程を示す図である。
ァイバプレートの製造工程を示す図である。
【図５】この発明の実施の形態にかかるシンチレータフ
ァイバプレートにおける光出力を説明するための図であ
る。
ァイバプレートにおける光出力を説明するための図であ
る。
【図６】この発明の実施の形態にかかるシンチレータフ
ァイバプレートにおける光出力を説明するための図であ
る。
ァイバプレートにおける光出力を説明するための図であ
る。
２…シンチレータファイバプレート、４…放射線イメー
ジセンサ、１０…ＦＯＰ、１２…ＬｉＦ層、１４…シン
チレータ、１６…第１のポリパラキシリレン膜、１８…
Ａｌ膜、２０…第２のポリパラキシリレン膜、２２…撮
像素子。
ジセンサ、１０…ＦＯＰ、１２…ＬｉＦ層、１４…シン
チレータ、１６…第１のポリパラキシリレン膜、１８…
Ａｌ膜、２０…第２のポリパラキシリレン膜、２２…撮
像素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 幹章 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG15 GG16 GG19 JJ06 JJ37
Claims (4)
- 【請求項１】 ファイバオプティカルプレート上にシン
チレータを形成したシンチレータファイバプレートにお
いて、 前記ファイバオプティカルプレートと前記シンチレータ
との間に前記ファイバオプティカルプレート及び前記シ
ンチレータの光学的屈折率よりも小さい光学的屈折率を
有する材料からなる中間層を設けたことを特徴とするシ
ンチレータファイバプレート。 - 【請求項２】 前記中間層は、ＬｉＦ、ＣａＦ2、Ｍｇ
Ｆ2及びＮａＦからなる群の中の物質を含む材料からな
る層であることを特徴とする請求項１記載のシンチレー
タファイバプレート。 - 【請求項３】 ファイバオプティカルプレート上にシン
チレータを形成し、前記ファイバオプティカルプレート
に撮像素子を結合した放射線イメージセンサにおいて、 前記ファイバオプティカルプレートと前記シンチレータ
との間に前記ファイバオプティカルプレート及び前記シ
ンチレータの光学的屈折率よりも小さい光学的屈折率を
有する材料からなる中間層を設けたことを特徴とする放
射線イメージセンサ。 - 【請求項４】 前記中間層は、ＬｉＦ、ＣａＦ2、Ｍｇ
Ｆ2及びＮａＦからなる群の中の物質を含む材料からな
る層であることを特徴とする請求項３記載の放射線イメ
ージセンサ。
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|---|---|---|---|
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