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JP2000002484A - Heat treatment equipment - Google Patents

Heat treatment equipment

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Publication number
JP2000002484A
JP2000002484A JP10188258A JP18825898A JP2000002484A JP 2000002484 A JP2000002484 A JP 2000002484A JP 10188258 A JP10188258 A JP 10188258A JP 18825898 A JP18825898 A JP 18825898A JP 2000002484 A JP2000002484 A JP 2000002484A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lcd substrate
heating
mounting table
heat
substrate
Prior art date
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Application number
JP10188258A
Other languages
Japanese (ja)
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JP3833827B2 (en
Inventor
Kiyohisa Tateyama
清久 立山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
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Publication of JP2000002484A publication Critical patent/JP2000002484A/en
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Publication of JP3833827B2 publication Critical patent/JP3833827B2/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 大型の載置台を使用しなくても基板を均一に
熱処理することができる。 【解決手段】 加熱載置台42上面にLCD基板Gの外
周を囲む溝52を設けると共に,LCD基板Gの外周が
溝52から一定の距離を隔てて配置するように形成す
る。そして,溝52の内部を密閉可能な蓋体54を加熱
載置台42に取り付ける。加熱載置台42の外周に移動
する熱量が従来よりも減少するために,加熱載置台42
の外周からの放熱を従来よりも抑えることができる。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To uniformly heat-treat a substrate without using a large mounting table. SOLUTION: A groove 52 surrounding the outer periphery of an LCD substrate G is provided on the upper surface of a heating table 42, and the outer periphery of the LCD substrate G is formed so as to be arranged at a certain distance from the groove 52. Then, a lid 54 capable of sealing the inside of the groove 52 is attached to the heating table 42. Since the amount of heat transferred to the outer periphery of the heating table 42 is smaller than before, the heating table 42
The heat radiation from the outer periphery can be suppressed more than before.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,載置したLCD基
板等の基板を熱処理する熱処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus for heat treating a substrate such as a mounted LCD substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に,液晶表示装置(LCD)の製造
工程においては,LCD基板の表面に,例えばITO
(Indium Tin Oxide)の薄膜や電極パ
ターンを形成するために,半導体製造工程の場合と同様
にフォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォ
トリソグラフィ技術は,LCD基板の表面にレジスト液
を塗布するレジスト塗布工程,形成されたレジスト膜に
回路パターンを露光する露光処理工程,露光処理後のL
CD基板に現像液を供給する現像処理工程等の各種処理
工程を有している。
2. Description of the Related Art Generally, in a manufacturing process of a liquid crystal display device (LCD), for example, an ITO
In order to form a thin film (Indium Tin Oxide) and an electrode pattern, a photolithography technique is used as in the case of the semiconductor manufacturing process. This photolithography technique includes a resist coating step of applying a resist solution to the surface of an LCD substrate, an exposure step of exposing a circuit pattern to the formed resist film, and an L step after the exposure processing.
It has various processing steps such as a development processing step of supplying a developing solution to the CD substrate.

【0003】これらの処理工程のうち,レジスト塗布工
程と露光処理工程との間では,LCD基板とレジスト膜
との密着性を向上させるためにレジスト膜中の溶剤を蒸
発除去させる加熱処理工程が行われている。この工程の
際に使用される加熱処理装置には,LCD基板を支持し
た状態で昇降自在な昇降ピンと,LCD基板を加熱可能
な矩形状の加熱載置台とが備えられている。加熱載置台
にはヒータ等の発熱体が内蔵されており,加熱処理装置
に搬入されたLCD基板は加熱載置台からの熱で加熱処
理される。
[0003] Among these processing steps, between the resist coating step and the exposure processing step, a heat treatment step of evaporating and removing a solvent in the resist film is performed in order to improve the adhesion between the LCD substrate and the resist film. Have been done. The heat treatment apparatus used in this step is provided with elevating pins that can move up and down while supporting the LCD substrate, and a rectangular heating table that can heat the LCD substrate. A heating element such as a heater is built in the heating mounting table, and the LCD substrate carried into the heat processing apparatus is heated by the heat from the heating mounting table.

【0004】ところで,歩留まりを向上させるために
は,LCD基板の全面に対して均一に熱を供給し,レジ
スト膜に含有された溶剤をLCD基板から均一に蒸発除
去させることが必要となる。ところが,従来の加熱載置
台は周辺部からの放熱量が多く,熱がLCD基板に対し
て均一に供給されない場合があった。そのため従来で
は,かかる影響を少なくさせるために,レジスト膜から
溶剤を蒸発除去させることのできる熱をLCD基板に対
して供給可能な大型の加熱載置台を使用していた。
In order to improve the yield, it is necessary to uniformly supply heat to the entire surface of the LCD substrate and to uniformly evaporate and remove the solvent contained in the resist film from the LCD substrate. However, the conventional heating mounting table has a large amount of heat radiation from the peripheral portion, and heat may not be uniformly supplied to the LCD substrate. Therefore, conventionally, in order to reduce such an influence, a large-sized heating mounting table capable of supplying heat capable of evaporating and removing the solvent from the resist film to the LCD substrate has been used.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら,大型の
加熱載置台を使用した場合には,加熱処理装置の小型化
が図れなくなる。また加熱載置台の製造や組立にかかる
コストも高くなってしまう。
However, when a large heating table is used, the size of the heating apparatus cannot be reduced. In addition, the cost for manufacturing and assembling the heating mounting table increases.

【0006】本発明はかかる点に鑑みて成されたもので
あり,大型の載置台を使用しなくても基板を均一に熱処
理可能な熱処理装置を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of uniformly heat treating a substrate without using a large mounting table.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に,請求項1に記載の熱処理装置は,載置台に基板を載
置して熱処理する熱処理装置において,前記載置台の上
面に載置した基板の外周を囲む溝を設けたことを特徴と
している。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for mounting a substrate on a mounting table and performing heat treatment on the mounting table. And a groove surrounding the outer periphery of the substrate.

【0008】請求項1に記載の熱処理装置によれば,溝
内部の雰囲気が熱の伝搬を遮断するために,載置台の外
周に伝わる熱量が従来よりも少なくなる。従って,載置
台の外周からの放熱量が従来よりも少なくなる。その結
果,載置台の面内温度分布がより均一化し,大型の載置
台を使用しなくても基板に対して均一な熱処理を施すこ
とが可能となる。
According to the heat treatment apparatus of the first aspect, since the atmosphere inside the groove blocks the propagation of heat, the amount of heat transmitted to the outer periphery of the mounting table is smaller than in the prior art. Therefore, the amount of heat radiation from the outer periphery of the mounting table is smaller than in the related art. As a result, the in-plane temperature distribution of the mounting table is made more uniform, and a uniform heat treatment can be performed on the substrate without using a large mounting table.

【0009】ところで溝の内面からの放熱により,載置
台の溝近傍の面内温度は,載置台の中央部近傍の均一な
面内温度よりも低くなってしまう。請求項2はこの点に
鑑みてなされたものであり,請求項1の熱処理装置にお
いて,前記載置台の上面に載置した基板の外周から所定
の間隔を開けて前記溝を設けたことを特徴としている。
かかる構成によれば,基板の外周と溝との間には所定の
間隔が開いているために,載置された基板には載置台の
中央部近傍の均一な熱量が供給される。従って,基板に
対して,より均一な熱処理を施すことが可能となる。
By the way, the in-plane temperature near the groove of the mounting table is lower than the uniform in-plane temperature near the center of the mounting table due to heat radiation from the inner surface of the groove. Claim 2 has been made in view of this point, and in the heat treatment apparatus of Claim 1, the groove is provided at a predetermined interval from the outer periphery of the substrate mounted on the upper surface of the mounting table. And
According to this configuration, since a predetermined interval is provided between the outer periphery of the substrate and the groove, a uniform amount of heat near the center of the mounting table is supplied to the mounted substrate. Therefore, a more uniform heat treatment can be performed on the substrate.

【0010】請求項3に記載の発明は,請求項1または
2に記載の熱処理装置において,前記溝を密閉するため
の蓋体を設けたことを特徴としている。かかる構成によ
れば,溝内の雰囲気が蓋体で密閉されるために,載置台
の溝より放出される熱量がより少なくなる。
According to a third aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus of the first or second aspect, a lid for sealing the groove is provided. According to this configuration, since the atmosphere in the groove is sealed by the lid, the amount of heat released from the groove of the mounting table is further reduced.

【0011】請求項4に記載の発明は,請求項1,2ま
たは3に記載の熱処理装置において,前記溝内に断熱材
を配置してなることを特徴としている。かかる構成によ
れば,溝内に配置された断熱材のために載置台の外周に
伝わる熱量がより少なくなる。従って,載置台の外周か
らの放熱量がより少なくなる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus of the first, second or third aspect, a heat insulating material is disposed in the groove. According to this configuration, the amount of heat transmitted to the outer periphery of the mounting table is further reduced due to the heat insulating material arranged in the groove. Therefore, the amount of heat radiation from the outer periphery of the mounting table is further reduced.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下,添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。この実施の形態
は,塗布現像処理装置内に組み込まれた加熱処理装置と
して具体化されている。なお,図1は塗布現像処理装置
の斜視図を,図2は塗布現像処理装置の平面図をそれぞ
れ示している。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. This embodiment is embodied as a heat treatment device incorporated in a coating and developing treatment device. 1 is a perspective view of the coating and developing apparatus, and FIG. 2 is a plan view of the coating and developing apparatus.

【0013】塗布現像処理装置1は,例えば矩形状のL
CD基板Gを搬入出するローダ部2と,LCD基板Gを
処理する第1の処理部3と,この第1の処理部3と中継
部4とを介して連設された第2の処理部5と,この第2
の処理部5と例えば露光装置(図示せず)との間でLC
D基板Gを授受するためのインターフェイス部7とから
構成されている。
The coating and developing apparatus 1 is, for example, a rectangular L
A loader unit 2 for loading / unloading the CD substrate G, a first processing unit 3 for processing the LCD substrate G, and a second processing unit connected via the first processing unit 3 and the relay unit 4 5 and this second
LC between the processing unit 5 and, for example, an exposure apparatus (not shown)
And an interface unit 7 for transmitting and receiving the D board G.

【0014】ローダ部2にはカセット載置台10が設け
られており,このカセット載置台10には,例えば未処
理のLCD基板Gを収納するカセット11,11と,処
理済みのLCD基板Gが収納されるカセット12,12
とがLCD基板Gの出入口を第1の処理部3側に向けて
一列に載置されている。またローダ部2には,LCD基
板を搬送自在な副搬送装置13が備えられている。
The loader section 2 is provided with a cassette mounting table 10 which stores cassettes 11 for storing unprocessed LCD substrates G and processed LCD substrates G, for example. Cassettes 12, 12
Are placed in a line with the entrance of the LCD substrate G facing the first processing unit 3 side. The loader unit 2 is provided with a sub-transport device 13 that can transport the LCD substrate.

【0015】副搬送装置13は搬送レール13aに沿っ
た方向(Y方向)と,各カセット11,12内のLCD
基板Gの収納方向(Z方向)に移動自在であり,かつθ
方向にも回転自在となるように構成されている。そし
て,副搬送装置13はLCD基板Gを載置自在な受け渡
し台14に対してもアクセス可能となるように構成され
ている。
The sub-transport device 13 is provided with a direction (Y direction) along the transport rail 13a and an LCD in each of the cassettes 11 and 12.
It is movable in the storage direction (Z direction) of the substrate G, and θ
It is configured to be rotatable in any direction. The sub-transport device 13 is configured to be able to access the transfer table 14 on which the LCD substrate G can be placed.

【0016】第1の処理部3には,LCD基板Gに対し
て所定の処理を施す各種の処理装置が主搬送装置15の
搬送レール16を挟んで両側に配置されている。即ち,
搬送レール16の一側には,各カセット11,11から
取り出されたLCD基板Gを洗浄するスクラバ洗浄装置
17と,LCD基板Gに対して現像処理を施す現像処理
装置18とが並んで配置され,搬送レール16の他側に
は紫外線オゾン洗浄装置19と,LCD基板Gを冷却処
理する冷却処理装置20,21と,LCD基板Gを加熱
処理する加熱処理装置22とが適宜多段に配置されてい
る。これら各種の処理装置に対するLCD基板Gの搬入
出は,主搬送装置15に装備された搬送アーム15aに
より行われる。なお,かかる第1の処理部3と後述する
第2の処理部5との間に形成された前記中継部4には,
LCD基板Gを載置自在な受け渡し台23が備えられて
いる。
In the first processing section 3, various processing apparatuses for performing predetermined processing on the LCD substrate G are arranged on both sides of the transport rail 16 of the main transport apparatus 15. That is,
On one side of the transport rail 16, a scrubber cleaning device 17 for cleaning the LCD substrate G taken out of each of the cassettes 11, 11 and a developing device 18 for performing a developing process on the LCD substrate G are arranged side by side. On the other side of the transport rail 16, an ultraviolet / ozone cleaning device 19, cooling devices 20 and 21 for cooling the LCD substrate G, and a heat processing device 22 for heating the LCD substrate G are appropriately arranged in multiple stages. I have. The loading and unloading of the LCD substrate G to and from these various processing apparatuses is performed by a transfer arm 15a provided in the main transfer device 15. Note that the relay unit 4 formed between the first processing unit 3 and a second processing unit 5 described later includes:
A delivery table 23 on which the LCD substrate G can be placed is provided.

【0017】第2の処理部5には,主搬送装置25の搬
送レール26を挟んだ一側に,塗布・周縁部除去装置2
7が配置され,この搬送レール26を挟んだ他側には,
LCD基板Gに疎水化処理を施す疎水化処理装置28
と,LCD基板Gを冷却する冷却処理装置29と,レジ
スト塗布後のLCD基板Gを加熱処理する加熱処理装置
30,30とが多段に配置されている。なお,上記主搬
送装置25には第2の処理部5に属する各種処理装置に
LCD基板Gを搬入出する搬送アーム25aが装備され
ている。
The second processing section 5 includes, on one side of the main transfer device 25 with the transfer rail 26 interposed therebetween, the coating / peripheral portion removal device 2.
7 is disposed, and on the other side of the transfer rail 26,
Hydrophobizing device 28 for performing hydrophobizing treatment on LCD substrate G
And a cooling processing device 29 for cooling the LCD substrate G and heat processing devices 30 and 30 for heating the LCD substrate G after resist application. The main transfer device 25 is provided with a transfer arm 25a for transferring the LCD substrate G into and out of various processing devices belonging to the second processing unit 5.

【0018】インターフェイス部7には塗布現像処理装
置1と露光装置(図示せず)とのタクトを調整するため
に,LCD基板Gを一時的に収納して待機させるカセッ
ト31,31と,LCD基板Gを載置自在な受け渡し台
32と,各カセット31,31,受け渡し台32,露光
装置(図示せず)に対してLCD基板Gを搬送自在な副
搬送装置33とが装備されている。
In order to adjust the tact time between the coating and developing apparatus 1 and the exposure apparatus (not shown), the interface section 7 has cassettes 31 for temporarily storing and waiting the LCD substrate G, and an LCD substrate G A transfer table 32 on which G can be placed, and a sub-transfer device 33 that can transfer the LCD substrate G to each of the cassettes 31, 31, the transfer table 32, and an exposure device (not shown) are provided.

【0019】塗布現像処理装置1は以上のように構成さ
れている。次に,本実施の形態にかかる加熱処理装置3
0について説明する。
The coating and developing apparatus 1 is configured as described above. Next, the heat treatment apparatus 3 according to the present embodiment
0 will be described.

【0020】加熱処理装置30は図3に示すように,L
CD基板Gを加熱処理する処理室40が形成されてお
り,この処理室40にはヒータ等の発熱体41を内蔵し
たアルミニューム等の材質からなる矩形状の加熱載置台
42と,加熱載置台42を包囲するシャッタ43とが備
えられている。
As shown in FIG. 3, the heat treatment device 30
A processing chamber 40 for heating the CD substrate G is formed. The processing chamber 40 has a rectangular heating mounting table 42 made of a material such as aluminum and a heating element 41 such as a heater, and a heating mounting table 42. A shutter 43 surrounding the shutter 42 is provided.

【0021】シャッタ43は昇降シリンダ44により上
下動自在に構成されており,シャッタ43が上昇した際
には,シャッタ43と上部中央に排気口45を有するカ
バー46から垂下したストッパ47とが接触して上記処
理室40が形成されるようになっている。ストッパ47
には給気口(図示せず)が設けられており,この給気口
(図示せず)から処理室40内に流入した空気は排気口
45から排気されるように構成されている。
The shutter 43 is vertically movable by an elevating cylinder 44. When the shutter 43 is lifted, the shutter 43 comes into contact with a stopper 47 which is suspended from a cover 46 having an exhaust port 45 at the upper center. Thus, the processing chamber 40 is formed. Stopper 47
Is provided with an air supply port (not shown), and the air flowing into the processing chamber 40 from the air supply port (not shown) is exhausted from the exhaust port 45.

【0022】また,処理室40内にはLCD基板Gを支
持可能な昇降ピン48が備えられている。昇降ピン48
はモータ49の駆動で上下動自在となるように形成され
ており,LCD基板Gを2点鎖線で示す位置で支持する
ことができるように形成されている。そしてこの状態か
ら昇降ピン48を下降させると,LCD基板Gは実線で
示すように加熱載置台42上に載置される。なお,LC
D基板Gが加熱載置台42に載置された際には,プロキ
シミティピン51に支持される。
The processing chamber 40 is provided with elevating pins 48 capable of supporting the LCD substrate G. Lifting pin 48
Is formed so as to be vertically movable by driving a motor 49, and is formed so as to be able to support the LCD substrate G at a position indicated by a two-dot chain line. Then, when the lifting pins 48 are lowered from this state, the LCD substrate G is mounted on the heating mounting table 42 as shown by a solid line. Note that LC
When the D substrate G is mounted on the heating mounting table 42, it is supported by the proximity pins 51.

【0023】加熱載置台42には図4,5に示すよう
に,載置されたLCD基板Gの全周を囲む溝52が設け
られている。そして加熱載置台42にLCD基板Gが載
置された際には,LCD基板Gの外周と溝52との間に
所定間隔が開くように形成されている。
As shown in FIGS. 4 and 5, the heating table 42 is provided with a groove 52 surrounding the entire periphery of the mounted LCD substrate G. When the LCD substrate G is mounted on the heating mounting table 42, a predetermined interval is formed between the outer periphery of the LCD substrate G and the groove 52.

【0024】さらに加熱載置台42には図6に示すよう
に,熱伝導性の低い例えばフッ素樹脂等からなる中空の
蓋体54が取り付けられている。蓋体54は,例えばク
ランプ(図示せず)等の固定手段で加熱載置台42に固
定される。そして,加熱載置台42に対して蓋体54が
固定された際には,溝52の内部を気密に維持すること
ができるように形成されている。
Further, as shown in FIG. 6, a hollow lid 54 made of, for example, fluororesin having low thermal conductivity is attached to the heating mounting table 42. The lid 54 is fixed to the heating table 42 by fixing means such as a clamp (not shown). When the lid 54 is fixed to the heating table 42, the inside of the groove 52 can be kept airtight.

【0025】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置
30は以上のように構成されている。次に,加熱処理装
置30の作用,効果について説明する。
The heat treatment apparatus 30 according to the embodiment of the present invention is configured as described above. Next, the operation and effect of the heat treatment device 30 will be described.

【0026】カセット載置台10上に未処理のLCD基
板Gを収納したカセット11が載置されると,副搬送装
置13がカセット11にアクセスしてLCD基板Gを1
枚抜き取る。次いで,副搬送装置13はローダ部2に装
備された受け渡し台14までこのLCD基板Gを搬送
し,このLCD基板Gを受け渡し台14上に受け渡す。
When the cassette 11 containing the unprocessed LCD substrate G is mounted on the cassette mounting table 10, the sub-transport device 13 accesses the cassette 11 and removes the LCD substrate G by one.
Remove the sheets. Next, the sub-transport device 13 transports the LCD substrate G to the transfer table 14 provided in the loader unit 2 and transfers the LCD substrate G to the transfer table 14.

【0027】次いで,このLCD基板Gは主搬送装置1
5の搬送アーム15aに保持された状態で紫外線オゾン
洗浄装置19に搬送され,LCD基板Gに付着した有機
汚染物が除去される。その後,オゾン洗浄が終了したL
CD基板Gは主搬送装置15でスクラバ洗浄装置17に
搬送されてスクラブ洗浄処理が施された後,再び搬送ア
ーム15aに保持された状態で受け渡し台23に搬送さ
れる。
Next, the LCD substrate G is mounted on the main transfer device 1
The organic contaminants adhered to the LCD substrate G are transported to the ultraviolet / ozone cleaning device 19 while being held by the transport arm 15a. After that, the ozone cleaning is completed.
The CD substrate G is transferred to the scrubber cleaning device 17 by the main transfer device 15 and subjected to scrub cleaning processing, and then transferred to the transfer table 23 while being held by the transfer arm 15a again.

【0028】受け渡し台23に受け渡されたLCD基板
Gは,主搬送装置25の搬送アーム25aに保持された
状態で疎水化処理装置28に搬送される。そして,疎水
化処理が終了したLCD基板Gは,再び搬送アーム25
aに保持された状態で塗布・周縁部除去装置27に搬送
される。
The LCD substrate G transferred to the transfer table 23 is transferred to the hydrophobizing device 28 while being held by the transfer arm 25a of the main transfer device 25. Then, the LCD substrate G that has been subjected to the hydrophobizing process is again transferred to the transfer arm 25
While being held at a, it is transported to the coating / peripheral part removing device 27.

【0029】この塗布・周縁部除去装置27でレジスト
液が塗布され,周縁部の不要なレジスト膜が除去された
LCD基板Gは,搬送アーム25aで加熱処理装置30
に搬送される。
The LCD substrate G from which the resist solution has been applied by the coating / periphery removing device 27 and the unnecessary resist film on the peripheral portion has been removed is heated by the transfer arm 25a.
Transported to

【0030】この際,LCD基板Gは図7に示すよう
に,下降したシャッタ43の上方から搬送アーム25a
と共に処理室40内に進入し,1点鎖線で示す上昇した
昇降ピン48上に支持される。そして,搬送アーム25
aを処理室40から退出させた後にシャッタ43を上昇
させて処理室40内を気密にする。その後,LCD基板
Gを昇降ピン48と共に図8の1点鎖線で示した位置か
ら実線の位置まで下降させて,LCD基板Gをプロキシ
ミティピン51上に支持させる。プロキシミティピン5
1上に支持されたLCD基板Gは,加熱載置台42から
の熱により加熱処理される。
At this time, the LCD substrate G is moved from above the lowered shutter 43 to the transfer arm 25a as shown in FIG.
At the same time, it enters the processing chamber 40 and is supported on the ascending and descending pins 48 indicated by the dashed line. And the transfer arm 25
After retracting a from the processing chamber 40, the shutter 43 is raised to make the processing chamber 40 airtight. Thereafter, the LCD substrate G is lowered from the position shown by the dashed line in FIG. 8 to the position shown by the solid line in FIG. 8 together with the lifting pins 48, and the LCD substrate G is supported on the proximity pins 51. Proximity pin 5
The LCD substrate G supported on 1 is heated by heat from the heating mounting table 42.

【0031】かかる加熱処理が終了した後は,昇降ピン
48が上昇してシャッタ43が下降する。次いで,搬送
アーム25aが処理室40内に進入して昇降ピン48か
らLCD基板Gを受け取った後,LCD基板Gを保持し
た状態で処理室40内から退出する。加熱処理装置30
から搬出されたLCD基板Gは,その後受け渡し台32
上に受け渡され,今度は副搬送装置33により露光装置
(図示せず)に搬送される。
After the completion of the heating process, the lift pins 48 are raised and the shutter 43 is lowered. Next, the transfer arm 25a enters the processing chamber 40 and receives the LCD substrate G from the elevating pins 48, and then exits from the processing chamber 40 while holding the LCD substrate G. Heat treatment device 30
The LCD substrate G carried out from the
It is transferred to the upper side, and is then transferred to the exposure device (not shown) by the sub-transport device 33.

【0032】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置
30では加熱載置台42の表面に溝52を設けたことに
より,加熱載置台42の外周に移動する熱量が従来より
も少なくなる。従って,加熱載置台42の外周からの放
熱量が少なくなるために,加熱載置台42の面内温度分
布がより均一化する。その結果,従来のように大型の加
熱載置台を使用しなくても,LCD基板Gに対して均一
な加熱処理を施すことが可能となる。
In the heat treatment apparatus 30 according to the embodiment of the present invention, since the grooves 52 are provided on the surface of the heating mounting table 42, the amount of heat moving to the outer periphery of the heating mounting table 42 is smaller than in the prior art. Therefore, since the amount of heat radiation from the outer periphery of the heating table 42 is reduced, the in-plane temperature distribution of the heating table 42 becomes more uniform. As a result, it is possible to perform a uniform heating process on the LCD substrate G without using a large heating mounting table as in the related art.

【0033】また溝52の内周面からの放熱により加熱
載置台42の溝52近傍の面内温度は,加熱載置台42
中央部の均一な面内温度よりも低くなるが,本実施の形
態では溝52から所定間隔離れた位置にLCD基板Gを
載置するために,LCD基板Gには加熱載置台42から
の均一な熱量が供給される。従って,LCD基板Gに対
して均一な加熱処理を施すことが可能となる。
Further, due to heat radiation from the inner peripheral surface of the groove 52, the in-plane temperature of the heating table 42 near the groove 52 is reduced.
Although the temperature is lower than the uniform in-plane temperature at the center, in the present embodiment, since the LCD substrate G is mounted at a position spaced from the groove 52 by a predetermined distance, the LCD substrate G is uniformly heated from the heating mounting table 42. Heat is supplied. Therefore, it is possible to perform a uniform heating process on the LCD substrate G.

【0034】そして,溝52の内部の雰囲気が蓋体54
で密閉されるために,加熱載置台42の溝52から放出
される熱量がさらに少なくなる。従って,加熱載置台4
2の面内温度分布がより均一化するために,LCD基板
Gに対する加熱処理をさらに均一に行うことが可能とな
る。
The atmosphere inside the groove 52 is
, The amount of heat released from the groove 52 of the heating table 42 is further reduced. Therefore, the heating table 4
Since the in-plane temperature distribution of No. 2 becomes more uniform, the heat treatment on the LCD substrate G can be performed more uniformly.

【0035】また上記実施の形態では,溝52内部の雰
囲気で加熱載置台42の外周に移動する熱量を少なくす
るようにしていたが,本発明ではこれに代えて他の実施
の形態にかかる加熱処理装置60を提案することも可能
である。
In the above embodiment, the amount of heat moving to the outer periphery of the heating table 42 in the atmosphere inside the groove 52 is reduced. However, in the present invention, the heating according to another embodiment is replaced with this. It is also possible to propose a processing device 60.

【0036】この加熱処理装置60は図9に示すよう
に,溝52の内部に熱伝導性の低い,例えばフッ素樹脂
等の断熱材61が配置されている。かかる構成によれ
ば,加熱載置台42の外周に伝わる熱量が断熱材61に
遮断されて少なくなる。従って,加熱載置台42の外周
からの放熱量がより少なくなるために,加熱載置台42
の面内温度分布がより均一化する。その結果,上記実施
の形態と同様に,大型の加熱載置台を使用しなくても,
LCD基板Gに対して均一な加熱処理を施すことが可能
となる。
As shown in FIG. 9, in the heat treatment apparatus 60, a heat insulating material 61 having a low thermal conductivity, such as a fluororesin, is disposed inside the groove 52. According to such a configuration, the amount of heat transmitted to the outer periphery of the heating mounting table 42 is blocked by the heat insulating material 61 and reduced. Accordingly, since the amount of heat radiation from the outer periphery of the heating table 42 becomes smaller,
The temperature distribution in the plane becomes more uniform. As a result, similar to the above embodiment, even if a large heating table is not used,
It is possible to perform a uniform heating process on the LCD substrate G.

【0037】なお,溝52の内部に配置させる断熱材6
1は図10に示すように,加熱載置台42の上面から突
出させるようにして配置してもよい。
The heat insulating material 6 to be arranged inside the groove 52
1 may be arranged so as to protrude from the upper surface of the heating table 42 as shown in FIG.

【0038】かかる構成によれば,処理室40内部にお
いてLCD基板Gの周りの空気の流れが,断熱材61で
遮られる。その結果,LCD基板Gの面内温度の変化を
防止することが可能となり,LCD基板Gに対する均一
な加熱処理をより確実に行うことが可能となる。
According to this configuration, the flow of air around the LCD substrate G inside the processing chamber 40 is blocked by the heat insulating material 61. As a result, a change in the in-plane temperature of the LCD substrate G can be prevented, and uniform heating of the LCD substrate G can be performed more reliably.

【0039】なお上記実施の形態では,レジスト塗布後
のLCD基板Gを加熱処理する加熱処理装置30を例に
挙げて説明したが,本発明はかかる例には限定されず,
現像処理後の加熱処理装置22はもちろん,例えば疎水
化処理装置28に対しても適用が可能である。また,蓋
体54は中空の矩形状であるとして説明したが,溝52
の内部を気密にすることができる形状であればいかなる
形状で形成してもよい。
In the above embodiment, the heat treatment apparatus 30 for heating the LCD substrate G after resist application has been described as an example. However, the present invention is not limited to such an example.
The present invention can be applied not only to the heat treatment device 22 after the development process but also to, for example, the hydrophobic treatment device 28. Although the lid 54 is described as having a hollow rectangular shape, the groove 52
It may be formed in any shape as long as the inside can be made airtight.

【0040】また,溝52の内部に断熱材61を配置
し,かつ上記蓋体54を加熱載置台42に取り付けるよ
うにしてもよい。かかる構成によれば,加熱載置台42
の外周に伝わる熱量をさらに少なくすることができる。
そして,本発明に使用可能な基板は上記実施の形態のよ
うにLCD基板Gには限定されず,例えばCD基板や半
導体ウェハ等であってもよい。
Further, the heat insulating material 61 may be arranged inside the groove 52 and the cover 54 may be attached to the heating table 42. According to this configuration, the heating mounting table 42
Can further reduce the amount of heat transmitted to the outer periphery.
The substrate that can be used in the present invention is not limited to the LCD substrate G as in the above embodiment, but may be, for example, a CD substrate or a semiconductor wafer.

【0041】[0041]

【発明の効果】請求項1〜4に記載の発明では,載置台
の外周からの放熱量が少なくなるために,載置台の面内
温度が従来よりも均一化する。従って,従来のような大
型の載置台を使用しなくても,基板に対して均一な熱処
理を施すことができる。
According to the first to fourth aspects of the present invention, since the amount of heat radiation from the outer periphery of the mounting table is reduced, the in-plane temperature of the mounting table becomes more uniform than before. Therefore, a uniform heat treatment can be performed on the substrate without using a conventional large mounting table.

【0042】特に請求項2に記載の発明では,溝から所
定間隔をおいて基板が載置されるために,この基板には
溝からの発熱の影響がない均一な熱量が供給される。従
って,基板の均一な熱処理をより確実に行うことが可能
となる。
According to the second aspect of the present invention, since the substrate is placed at a predetermined distance from the groove, a uniform amount of heat is supplied to the substrate without being affected by heat generated from the groove. Therefore, uniform heat treatment of the substrate can be performed more reliably.

【0043】特に請求項3に記載の発明では,載置台に
設けられた溝から放出される熱量がより少なくなるため
に,載置台の面内温度分布がより均一化する。
According to the third aspect of the present invention, since the amount of heat released from the grooves provided in the mounting table is reduced, the in-plane temperature distribution of the mounting table becomes more uniform.

【0044】さらに請求項4に記載の発明では,溝内に
配置された断熱材のために,載置台の外周に伝わる熱量
がさらに減少する。従って,載置台の外周からの放熱量
がさらに少なくなる。
According to the fourth aspect of the present invention, the amount of heat transmitted to the outer periphery of the mounting table is further reduced because of the heat insulating material disposed in the groove. Therefore, the amount of heat radiation from the outer periphery of the mounting table is further reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態にかかる加熱処理装置を有する塗布
現像処理装置の外観を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of a coating and developing apparatus having a heat processing apparatus according to an embodiment.

【図2】図1の塗布現像処理装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the coating and developing apparatus of FIG. 1;

【図3】実施の形態にかかる加熱処理装置の断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the heat treatment apparatus according to the embodiment.

【図4】図3の加熱処理装置に具備された加熱載置台と
蓋体の構成を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a heating mounting table and a lid provided in the heat treatment apparatus of FIG. 3;

【図5】図4の加熱載置台の断面図である。FIG. 5 is a sectional view of the heating stage of FIG. 4;

【図6】図4の加熱載置台の内部を蓋体で密閉した様子
を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which the inside of the heating mounting table of FIG. 4 is sealed with a lid.

【図7】図3の加熱処理装置にLCD基板が搬入される
様子を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing a state in which an LCD substrate is carried into the heat treatment apparatus of FIG. 3;

【図8】図7の状態からLCD基板が加熱載置台に載置
される様子を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a state where the LCD substrate is placed on the heating placing table from the state of FIG. 7;

【図9】他の実施の形態にかかる加熱処理装置の断面図
である。
FIG. 9 is a cross-sectional view of a heat treatment apparatus according to another embodiment.

【図10】加熱載置台の上面から突出した断熱材で,処
理室内に供給された空気の流れが遮断される様子を示す
説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a state in which the flow of air supplied into the processing chamber is blocked by a heat insulating material protruding from the upper surface of the heating mounting table.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 塗布現像処理装置 30 加熱処理装置 42 加熱載置台 52 溝 54 蓋体 61 断熱材 G LCD基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coating development processing apparatus 30 Heat processing apparatus 42 Heating mounting table 52 Groove 54 Cover body 61 Insulation material G LCD board

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H090 HB07X HC18 3L113 AA01 AB06 AC08 AC45 AC46 AC48 AC49 AC52 AC53 AC54 AC63 AC64 AC75 AC76 AC90 BA34 DA02 DA04 DA06 DA11 DA14 DA20 5F046 KA04 KA07  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H090 HB07X HC18 3L113 AA01 AB06 AC08 AC45 AC46 AC48 AC49 AC52 AC53 AC54 AC63 AC64 AC75 AC76 AC90 BA34 DA02 DA04 DA06 DA11 DA14 DA20 5F046 KA04 KA07

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 載置台に基板を載置して熱処理する熱処
理装置において,前記載置台の上面に載置した基板の外
周を囲む溝を設けたことを特徴とする,熱処理装置。
1. A heat treatment apparatus for mounting a substrate on a mounting table and performing heat treatment, wherein a groove surrounding an outer periphery of the substrate mounted on the upper surface of the mounting table is provided.
【請求項2】 前記載置台の上面に載置した基板の外周
から所定の間隔を開けて前記溝を設けたことを特徴とす
る,請求項1に記載の熱処理装置。
2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the groove is provided at a predetermined interval from an outer periphery of the substrate mounted on the upper surface of the mounting table.
【請求項3】 前記溝を密閉するための蓋体を設けたこ
とを特徴とする,請求項1または2に記載の熱処理装
置。
3. The heat treatment apparatus according to claim 1, further comprising a lid for sealing the groove.
【請求項4】 前記溝内に断熱材を配置してなることを
特徴とする,請求項1,2または3に記載の熱処理装
置。
4. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein a heat insulating material is disposed in the groove.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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