JP2000001484A - Production of pyromellitic anhydride - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】本発明は無水ピロメリット酸の製造方法に
関する。更に詳しくは、本発明は1,2,4,5−テト
ラアルキルベンゼンを接触気相酸化して高純度の無水ピ
ロメリット酸を高収率で製造する方法に関する。The present invention relates to a method for producing pyromellitic anhydride. More specifically, the present invention relates to a method for producing high-purity pyromellitic anhydride in high yield by catalytic vapor-phase oxidation of 1,2,4,5-tetraalkylbenzene.
【0002】[0002]
【従来の技術】1,2,4,5−テトラアルキルベンゼ
ンを接触気相酸化して無水ピロメリット酸を製造するこ
とは工業的に広く行われている。そして、この接触気相
酸化に用いる触媒、反応方法などに関して数多くの特許
が提出されている。2. Description of the Related Art The production of pyromellitic anhydride by catalytic vapor phase oxidation of 1,2,4,5-tetraalkylbenzene is widely practiced industrially. Numerous patents have been filed for catalysts and reaction methods used for the catalytic gas phase oxidation.
【0003】2層以上に分割された触媒層を使用して接
触気相酸化を行うことも公知である。例えば、Euro
pean Patent 163,231および特開平
1−245857号には、活性を異にする複数の触媒層
を使用することによって、触媒層でのホットスポットの
発生を抑制する方法が開示されている。It is also known to perform catalytic gas phase oxidation using a catalyst layer divided into two or more layers. For example, Euro
Pean Patent 163,231 and JP-A-1-245857 disclose a method for suppressing the generation of hot spots in the catalyst layer by using a plurality of catalyst layers having different activities.
【0004】また、特開平8−41067号公報には、
触媒層を2層以上に分割し、反応ガス出口側にバナジウ
ムとモリブデンおよび/またはタングステンとを含む触
媒[但し、Mo(W)/V(原子比)=0.01〜2]
の層を設け、原料ガス入口側にバナジウムとモリブデン
および/またはタングステンとを含む触媒[但し、Mo
(W)/V(原子比)<0.01]またはバナジウムと
アルカリ金属とを含む触媒[但し、アルカリ金属/V
(原子比)=0.1〜2.5]の層を設けることによっ
て、テトラアルキルベンゼンの気相酸化を行うことが記
載されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-41067 discloses that
The catalyst layer is divided into two or more layers, and a catalyst containing vanadium, molybdenum and / or tungsten on the reaction gas outlet side [however, Mo (W) / V (atomic ratio) = 0.01 to 2]
And a catalyst containing vanadium and molybdenum and / or tungsten on the source gas inlet side [however, Mo
(W) / V (atomic ratio) <0.01] or a catalyst containing vanadium and an alkali metal [however, alkali metal / V
(Atomic ratio) = 0.1 to 2.5] is described to perform gas-phase oxidation of tetraalkylbenzene.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記特開平8−410
67号公報記載の方法は、高純度の無水ピロメリット酸
を高収率で製造するとの目的をそれなりに達成したもの
であるが、無水ピロメリット酸の収率をより高くするこ
とは、工業的にも望ましいことである。SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-410 is disclosed.
The method described in Japanese Patent No. 67 achieves the object of producing high-purity pyromellitic anhydride at a high yield as such, but increasing the yield of pyromellitic anhydride is industrially difficult. It is also desirable.
【0006】かくして、本発明の目的は、1,2,4,
5−テトラアルキルベンゼンを接触気相酸化して高純度
の無水ピロメリット酸を高収率で製造する方法を提供す
ることにある。Thus, an object of the present invention is to provide 1, 2, 4,
It is an object of the present invention to provide a method for producing high-purity pyromellitic anhydride in high yield by subjecting 5-tetraalkylbenzene to catalytic vapor phase oxidation.
【0007】本発明は、前記特開平8−41067号公
報記載の方法において、該方法においていう「第1の触
媒(A)」の前に配置される「第2の触媒(B)」の代
わりに新規な触媒を用いることにより、上記目的を達成
しようとするものである。[0007] The present invention relates to a method described in the above-mentioned JP-A-8-41067, wherein the "second catalyst (B)" disposed before the "first catalyst (A)" in the method is used. The purpose of the present invention is to achieve the above object by using a novel catalyst.
【0008】本発明によれば、1,2,4,5−テトラ
アルキルベンゼンおよび分子状酸素を含有する原料混合
ガスを触媒層が充填された固定床多管式反応器に供給し
接触気相酸化を行うことにより無水ピロメリット酸を製
造する方法において、触媒層を少なくとも2層に分割
し、反応ガス出口側の層および原料混合ガス入口側の層
にそれぞれ下記の触媒Aおよび触媒Bを充填することを
特徴とする無水ピロメリット酸の製造方法が提供され
る。According to the present invention, a mixed gaseous raw material containing 1,2,4,5-tetraalkylbenzene and molecular oxygen is supplied to a fixed-bed multitubular reactor filled with a catalyst layer to perform catalytic gas-phase oxidation. In the method for producing pyromellitic anhydride by carrying out, the catalyst layer is divided into at least two layers, and the layer on the reaction gas outlet side and the layer on the raw material mixed gas inlet side are filled with the following catalysts A and B, respectively. A method for producing pyromellitic anhydride is provided.
【0009】触媒A 下記一般式(1)で表される触媒。 Catalyst A A catalyst represented by the following general formula (1).
【0010】 Va(A)bPcAgd(B)eOx (1) ここで、Vはバナジウム、Pはリン、Agは銀、(A)
はモリブデンおよびタングステンから選ばれる少なくと
も1種の元素、(B)はアルカリ金属およびアルカリ土
類金属から選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素元
素を表し、a、b、c、d、eおよびxはそれぞれの原
子数を表し、a=1としたとき、0<b≦2、0<c≦
1、d=0〜0.2、e=0〜0.1であり、xは酸素
元素以外のそれぞれの元素の酸化状態によって定まる数
値である。Va (A) bPcAgd (B) eOx (1) where V is vanadium, P is phosphorus, Ag is silver, and (A)
Is at least one element selected from molybdenum and tungsten, (B) is at least one element selected from alkali metals and alkaline earth metals, O is an oxygen element, a, b, c, d, e and x represents the number of each atom, and when a = 1, 0 <b ≦ 2, 0 <c ≦
1, d = 0 to 0.2, e = 0 to 0.1, and x is a numerical value determined by the oxidation state of each element other than the oxygen element.
【0011】触媒B 下記一般式(2)で表される触媒。 Catalyst B A catalyst represented by the following general formula (2).
【0012】 VaTib(C)c(D)dCeeOx (2) ここで、Vはバナジウム、Tiはチタン、Ceはセリウ
ム、(C)は希土類元素(セリウムを除く)から選ばれ
る少なくとも1種の元素、(D)はリン、アンチモン、
ハフニウム、ニオブ、タンタル、ホウ素および硫黄から
選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素元素を表し、
a、b、c、d、eおよびxはそれぞれの原子数を表
し、a=1としたとき、0<b≦500、0<c≦0.
5、d=0〜1、e=0〜0.5であり、xは酸素元素
以外のそれぞれの元素の酸化状態によって定まる数値で
ある。VaTib (C) c (D) dCeeOx (2) where V is vanadium, Ti is titanium, Ce is cerium, and (C) is at least one element selected from rare earth elements (excluding cerium); (D) is phosphorus, antimony,
O represents at least one element selected from hafnium, niobium, tantalum, boron and sulfur, and O represents an oxygen element;
a, b, c, d, e, and x represent the number of atoms, and when a = 1, 0 <b ≦ 500, 0 <c ≦ 0.
5, d = 0 to 1, e = 0 to 0.5, and x is a numerical value determined by the oxidation state of each element other than the oxygen element.
【0013】本発明はによれば、また、1,2,4,5
−テトラアルキルベンゼンおよび分子状酸素を含有する
原料混合ガスを触媒層が充填された固定床多管式反応器
に供給し接触気相酸化を行うことにより無水ピロメリッ
ト酸を製造する方法において、触媒層を少なくとも3層
に分割し、反応ガス出口側の層、中間の層、および原料
混合ガス入口側の層にそれぞれ下記の触媒A、触媒Bお
よび触媒Cを充填することを特徴とする無水ピロメリッ
ト酸の製造方法が提供される。According to the present invention, there is also provided:
A method for producing pyromellitic anhydride by supplying a raw material mixed gas containing tetraalkylbenzene and molecular oxygen to a fixed-bed multitubular reactor filled with a catalyst layer and performing catalytic gas phase oxidation; Is divided into at least three layers, and a layer on the reaction gas outlet side, an intermediate layer, and a layer on the inlet side of the raw material mixed gas are filled with the following catalysts A, B and C, respectively. A method for producing an acid is provided.
【0014】触媒A 前記と同じ。 Catalyst A Same as above.
【0015】触媒B 前記と同じ。 Catalyst B Same as above.
【0016】触媒C 下記一般式(3)で表される触媒。 Catalyst C A catalyst represented by the following general formula (3).
【0017】 Va(E)b(F)c(G)dOx (3) ここで、Vはバナジウム、(E)はアルカリ金属から選
ばれる少なくとも1種の元素、(F)はリンおよび銅か
ら選ばれる少なくとも1種の元素、(G)は銀、硫黄、
タンタル、ホウ素、タングステンおよびモリブデンから
選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素元素を表し、
a、b、c、dおよびxはそれぞれの原子数を表し、a
=1のとき、0<b≦2.5、c=0〜3およびd=0
〜2であり、xは酸素元素以外のそれぞれの元素の酸化
状態によって定まる数値である。Va (E) b (F) c (G) dOx (3) where V is vanadium, (E) is at least one element selected from alkali metals, and (F) is selected from phosphorus and copper. (G) is silver, sulfur,
O represents at least one element selected from tantalum, boron, tungsten and molybdenum, and O represents an oxygen element;
a, b, c, d and x each represent the number of atoms;
= 1, 0 <b ≦ 2.5, c = 0-3 and d = 0
And x is a numerical value determined by the oxidation state of each element other than the oxygen element.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】図1は、触媒層を2層に分割した
場合における各触媒層に充填する触媒種を示したブロッ
ク図であり、図2は、触媒層を3層に分割した場合にお
ける各触媒層に充填する触媒種を示したブロック図であ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a block diagram showing catalyst types to be filled in each catalyst layer when the catalyst layer is divided into two layers, and FIG. 2 shows a case where the catalyst layer is divided into three layers. FIG. 3 is a block diagram showing catalyst species to be filled in each catalyst layer in FIG.
【0019】各図において、左側が原料混合ガスの入口
側であり、右側が反応ガスの出口側である。In each figure, the left side is the inlet side of the raw material mixed gas, and the right side is the outlet side of the reaction gas.
【0020】最初に、図1に示す態様、すなわち、触媒
層を2層に分割する場合、について説明する。この場合
には、反応ガス出口側の層に触媒Aを充填し、原料混合
ガス入口側の層に触媒Bを充填する。そして、本発明
は、この触媒Bとして、新規な触媒を使用する点に特徴
を有する。First, the embodiment shown in FIG. 1, that is, the case where the catalyst layer is divided into two layers will be described. In this case, the layer on the reaction gas outlet side is filled with the catalyst A, and the layer on the material mixture gas inlet side is filled with the catalyst B. The present invention is characterized in that a novel catalyst is used as the catalyst B.
【0021】触媒Aは次の一般式(1)で表される。The catalyst A is represented by the following general formula (1).
【0022】 Va(A)bPcAgd(B)eOx (1) ここで、Vはバナジウム、Pはリン、Agは銀、(A)
はモリブデンおよびタングステンから選ばれる少なくと
も1種の元素、(B)はアルカリ金属およびアルカリ土
類金属から選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素元
素を表し、a、b、c、d、eおよびxはそれぞれの原
子数を表し、a=1としたとき、0<b≦2、0<c≦
1、d=0〜0.2、e=0〜0.1であり、xは酸素
元素以外のそれぞれの元素の酸化状態によって定まる数
値である。Va (A) bPcAgd (B) eOx (1) where V is vanadium, P is phosphorus, Ag is silver, and (A)
Is at least one element selected from molybdenum and tungsten, (B) is at least one element selected from alkali metals and alkaline earth metals, O is an oxygen element, a, b, c, d, e and x represents the number of each atom, and when a = 1, 0 <b ≦ 2, 0 <c ≦
1, d = 0 to 0.2, e = 0 to 0.1, and x is a numerical value determined by the oxidation state of each element other than the oxygen element.
【0023】触媒Aにおいて、モリブデンおよびタング
ステンから選ばれる少なくとも1種の元素(以下、「モ
リブデンおよび/またはタングステン」という場合もあ
る)の含有量はバナジウムに対する原子比として0を超
え2以下、好ましくは0.01〜2、より好ましくは
0.05〜1である。モリブデンおよび/またはタング
ステンをこの範囲で含有することにより、ジメチルフタ
ル酸、アルデヒド類などのような中間酸化物から無水ピ
ロメリット酸への選択率が高くなり、また生成した無水
ピロメリット酸の再酸化を抑制することができる。In the catalyst A, the content of at least one element selected from molybdenum and tungsten (hereinafter sometimes referred to as “molybdenum and / or tungsten”) is more than 0 and preferably not more than 2 as an atomic ratio to vanadium, preferably It is 0.01-2, more preferably 0.05-1. By containing molybdenum and / or tungsten in this range, selectivity from intermediate oxides such as dimethylphthalic acid and aldehydes to pyromellitic anhydride is increased, and reoxidation of generated pyromellitic anhydride is performed. Can be suppressed.
【0024】また、リンの含有量はバナジウムに対する
原子比として0を超え1以下、好ましくは0.002〜
1、より好ましくは0.01〜1である。リンをこの範
囲で含有することにより、無水ピロメリット酸の収率が
高くなる。The content of phosphorus is more than 0 and 1 or less, preferably 0.002 to 2, as an atomic ratio to vanadium.
1, more preferably 0.01 to 1. By containing phosphorus in this range, the yield of pyromellitic anhydride can be increased.
【0025】触媒Aは任意成分として銀をバナジウムに
対する原子比として0.2以下、好ましくは0.001
〜0.2、より好ましくは0.01〜0.1の割合で含
有していてもよい。また、アルカリ金属およびアルカリ
土類金属から選ばれる少なくとも1種をバナジウムに対
する原子比として0.1以下、好ましくは0.001〜
0.1、より好ましくは0.001〜0.05の割合で
含有していてもよい。これらを使用することにより、無
水ピロメリット酸の収率が向上する。The catalyst A is an optional component in which the atomic ratio of silver to vanadium is 0.2 or less, preferably 0.001 or less.
To 0.2, more preferably 0.01 to 0.1. Further, at least one selected from an alkali metal and an alkaline earth metal has an atomic ratio to vanadium of 0.1 or less, preferably 0.001 to 0.1.
0.1, more preferably 0.001 to 0.05 may be contained. By using these, the yield of pyromellitic anhydride is improved.
【0026】触媒Aの調製方法については特に制限はな
く、この種の触媒の調製に一般に用いられている方法に
従って、各元素を含む硝酸塩、炭酸塩、有機酸塩、アン
モニウム塩、酸化物などを出発原料として使用して、調
製することができる。The method for preparing the catalyst A is not particularly limited, and nitrates, carbonates, organic acid salts, ammonium salts, oxides and the like containing each element can be prepared according to a method generally used for preparing this type of catalyst. Can be prepared using as starting material.
【0027】触媒Aは、通常、担体に担持して使用す
る。担体としては、一般に使用されている不活性担体で
あればいずれも使用することができる。例えば、見掛け
気孔率5〜50%、BET比表面積5m2/g以下、好
ましくは0.05〜1m2/gの無機質多孔質担体が好
適に用いられる。なかでも、アルミニウム含量が10重
量%以下、好ましくは3重量%以下で、SiC含量が5
0重量%以上、好ましくは90重量%以上、特に98%
程度の、自己焼結型炭化ケイ素が好適に用いられる。担
体の形状については特に制限はなく、球状、リング状、
円柱状、円錐状、サドル状などのいずれでもよい。その
大きさについても特に制限はなく、例えば球状の場合、
平均粒径が3〜15mm、好ましくは3〜10mmのも
のが用いられる。The catalyst A is usually used by being supported on a carrier. As the carrier, any generally used inert carrier can be used. For example, an inorganic porous carrier having an apparent porosity of 5 to 50% and a BET specific surface area of 5 m 2 / g or less, preferably 0.05 to 1 m 2 / g is suitably used. In particular, the aluminum content is 10% by weight or less, preferably 3% by weight or less, and the SiC content is 5% by weight or less.
0% by weight or more, preferably 90% by weight or more, especially 98%
To some extent, self-sintered silicon carbide is preferably used. The shape of the carrier is not particularly limited, and is spherical, ring-shaped,
Any of a columnar shape, a conical shape, a saddle shape, and the like may be used. There is no particular limitation on its size. For example, in the case of a spherical shape,
Those having an average particle size of 3 to 15 mm, preferably 3 to 10 mm are used.
【0028】担体への担持は、噴霧担持法、含浸担持法
などのような従来公知の方法によって行うことができ
る。例えば、バナジウム、モリブデンおよび/またはタ
ングステン、およびリンの硝酸塩、炭酸塩、有機酸塩、
アンモニウム塩、酸化物などを水に添加し、均一に混合
して得られる水溶液またはスラリーを、90〜350
℃、好ましくは200〜350℃の温度に加熱した担体
に噴霧して担持した後、300〜650℃、好ましくは
400〜600℃の温度で1〜10時間、好ましくは2
〜6時間焼成すればよい。バナジウムとモリブデンおよ
び/またはタングステンとリンとの合計担持量(酸化物
換算)は、通常、担体の見掛け体積100ccに対して
3〜100g、好ましくは5〜30gである。The support on the carrier can be carried out by a conventionally known method such as a spray support method, an impregnation support method and the like. For example, nitrates, carbonates, organic acid salts of vanadium, molybdenum and / or tungsten, and phosphorus,
An aqueous solution or a slurry obtained by adding an ammonium salt, an oxide, or the like to water and mixing uniformly is mixed with an aqueous solution of 90 to 350.
C., preferably sprayed onto a carrier heated to a temperature of 200 to 350 ° C., and then carried out at a temperature of 300 to 650 ° C., preferably 400 to 600 ° C. for 1 to 10 hours, preferably 2 to 10 hours.
It may be fired for up to 6 hours. The total carrying amount (in terms of oxide) of vanadium and molybdenum and / or tungsten and phosphorus is usually 3 to 100 g, preferably 5 to 30 g per 100 cc of apparent volume of the carrier.
【0029】なお、触媒Aの調製の際に、触媒活性成分
の分散用粉体として酸化チタン、酸化スズ、酸化ジルコ
ニウムなどを使用することができる。特に、BET比表
面積が5〜100m2/g、好ましくは5〜40m2/g
のものが好適に用いられる。これらを使用することによ
り、触媒活性成分の担体からの剥離を抑制することがで
きる。また、触媒強度を高めるために、触媒調製時に炭
化ケイ素(SiC)ウィスカーなどの繊維状物を触媒活
性成分を含むスラリーに添加し、よく混練した後、担体
に担持してもよい。In preparing the catalyst A, titanium oxide, tin oxide, zirconium oxide, or the like can be used as a powder for dispersing the catalytically active component. In particular, the BET specific surface area is 5 to 100 m 2 / g, preferably 5 to 40 m 2 / g
Is preferably used. By using these, the separation of the catalytically active component from the carrier can be suppressed. Further, in order to increase the catalyst strength, a fibrous substance such as silicon carbide (SiC) whiskers may be added to the slurry containing the catalytically active component at the time of preparing the catalyst, kneaded well, and then supported on a carrier.
【0030】反応ガス出口側の層に充填する触媒Aは必
ずしも同一なものである必要はなく、例えば前記一般式
(1)で示す元素組成の範囲において、元素の種類およ
び原子比を適宜変更することができる。具体的には、例
えばモリブデンおよび/またはタングステンのバナジウ
ムに対する原子比が入口側から出口側に向かって連続
的、または断続的に変化するようにしてもよい。また、
触媒層の最高温度を低下させる目的で、一般に希釈用に
用いられている不活性物質、例えばシリカ、アルミナ、
ステアタイト、コージュライト、ムライト、シリコンカ
ーバイド、金属製ラシヒリングなど、で適宜希釈しても
よい。The catalyst A to be filled in the layer on the reaction gas outlet side does not necessarily have to be the same. For example, within the range of the elemental composition represented by the general formula (1), the types and atomic ratios of the elements are appropriately changed. be able to. Specifically, for example, the atomic ratio of molybdenum and / or tungsten to vanadium may be changed continuously or intermittently from the inlet side to the outlet side. Also,
For the purpose of lowering the maximum temperature of the catalyst layer, inert substances generally used for dilution, for example, silica, alumina,
It may be appropriately diluted with steatite, cordierite, mullite, silicon carbide, metal Raschig ring, or the like.
【0031】触媒Aは、生成無水ピロメリット酸に対す
る酸化活性が低く、また中間酸化物からの無水ピロメリ
ット酸への選択率が高いという特性を有する。このた
め、反応ガス出口側の層に充填する触媒として好適なも
のである。触媒Aは、特開平8−41067号公報に記
載されており、その詳細な作用効果については、この公
報を参照することができる。The catalyst A has such characteristics that it has a low oxidizing activity for pyromellitic anhydride formed and a high selectivity for pyromellitic anhydride from an intermediate oxide. Therefore, it is suitable as a catalyst to be filled in the layer on the reaction gas outlet side. The catalyst A is described in JP-A-8-41067, and this publication can be referred to for its detailed operation and effect.
【0032】触媒Bは次の一般式(2)によって表され
る。The catalyst B is represented by the following general formula (2).
【0033】 VaTib(C)c(D)dCeeOx (2) ここで、Vはバナジウム、Tiはチタン、Ceはセリウ
ム、(C)は希土類元素(セリウムを除く)から選ばれ
る少なくとも1種の元素、(D)はリン、アンチモン、
ハフニウム、ニオブ、タンタル、ホウ素および硫黄から
選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素元素を表し、
a、b、c、d、eおよびxはそれぞれの原子数を表
し、a=1としたとき、0<b≦500、0<c≦0.
5、d=0〜1、e=0〜0.5であり、xは酸素元素
以外のそれぞれの元素の酸化状態によって定まる数値で
ある。VaTib (C) c (D) dCeeOx (2) where V is vanadium, Ti is titanium, Ce is cerium, and (C) is at least one element selected from rare earth elements (excluding cerium); (D) is phosphorus, antimony,
O represents at least one element selected from hafnium, niobium, tantalum, boron and sulfur, and O represents an oxygen element;
a, b, c, d, e, and x represent the number of atoms, and when a = 1, 0 <b ≦ 500, 0 <c ≦ 0.
5, d = 0 to 1, e = 0 to 0.5, and x is a numerical value determined by the oxidation state of each element other than the oxygen element.
【0034】触媒Bにおいて、チタンの含有量はバナジ
ウムに対する原子比として0を超え500以下、好まし
くは2〜500、より好ましくは1〜200、特に好ま
しくは2〜50である。チタンをこの範囲で含有するこ
とにより、無水ピロメリット酸の収率が向上し、また燃
焼ガスの発生を抑制することができる。In the catalyst B, the content of titanium is from 0 to 500, preferably 2 to 500, more preferably 1 to 200, and particularly preferably 2 to 50 as an atomic ratio to vanadium. By containing titanium in this range, the yield of pyromellitic anhydride can be improved and the generation of combustion gas can be suppressed.
【0035】希土類元素(セリウムを除く)の代表例と
しては、スカンジウム、イットリウム、ランタン、プラ
セオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガド
リニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、
エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウ
ムを挙げることができる。希土類元素の含有量はバナジ
ウムに対する原子比として0を超え0.5以下、好まし
くは0.0005〜0.5、より好ましくは0.001
〜0.2である。希土類元素をこの範囲で含有すること
により、無水ピロメリット酸の収率が向上する。Representative examples of rare earth elements (excluding cerium) include scandium, yttrium, lanthanum, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium,
Erbium, thulium, ytterbium and lutetium can be mentioned. The content of the rare earth element is more than 0 and 0.5 or less as an atomic ratio to vanadium, preferably 0.0005 to 0.5, and more preferably 0.001 to 0.5.
0.20.2. By containing the rare earth element in this range, the yield of pyromellitic anhydride is improved.
【0036】触媒Bは任意成分として、リン、アンチモ
ン、ハフニウム、ニオブ、タンタル、ホウ素および硫黄
から選ばれる少なくとも1種の元素をバナジウムに対す
る原子比として1以下、好ましくは0.001〜1、よ
り好ましくは0.001〜0.5の割合で含有していて
もよい。また、セリウムをバナジウムに対する原子とし
て0.5以下、好ましくは0.0005〜0.5、より
好ましくは0.001〜0.2の割合で含有していても
よい。これらを使用することにより、無水ピロメリット
酸の収率が向上する。The catalyst B contains at least one element selected from phosphorus, antimony, hafnium, niobium, tantalum, boron and sulfur as an optional component in terms of atomic ratio to vanadium of 1 or less, preferably 0.001 to 1, more preferably 0.001 to 1. May be contained at a ratio of 0.001 to 0.5. Further, cerium may be contained in an amount of 0.5 or less, preferably 0.0005 to 0.5, more preferably 0.001 to 0.2 as an atom relative to vanadium. By using these, the yield of pyromellitic anhydride is improved.
【0037】触媒Bの調製方法については特に制限はな
く、この種の触媒の調製に一般に用いられている方法に
従って、各元素を含む硝酸塩、炭酸塩、有機酸塩、アン
モニウム塩、酸化物などを出発原料として使用して、調
製することができる。The method for preparing the catalyst B is not particularly limited, and nitrates, carbonates, organic acid salts, ammonium salts, oxides and the like containing each element can be prepared according to a method generally used for the preparation of this type of catalyst. Can be prepared using as starting material.
【0038】触媒Bは、通常、担体に担持して使用す
る。担体としては、一般に使用されている不活性担体で
あればいずれも使用することができる。例えば、見掛け
気孔率5〜50%、BET比表面積5m2/g以下、好
ましくは0.05〜1m2/gの無機質多孔質担体が好
適に用いられる。なかでも、アルミニウム含量が10重
量%以下、好ましくは3重量%以下で、SiC含量が5
0重量%以上、好ましくは90重量%以上、特に98%
程度の、自己焼結型炭化ケイ素が好適に用いられる。担
体の形状については特に制限はなく、球状、リング状、
円柱状、円錐状、サドル状などのいずれでもよい。その
大きさについても特に制限はなく、例えば球状の場合、
平均粒径が3〜15mm、好ましくは3〜10mmのも
のが用いられる。The catalyst B is usually used by being supported on a carrier. As the carrier, any generally used inert carrier can be used. For example, an inorganic porous carrier having an apparent porosity of 5 to 50% and a BET specific surface area of 5 m 2 / g or less, preferably 0.05 to 1 m 2 / g is suitably used. In particular, the aluminum content is 10% by weight or less, preferably 3% by weight or less, and the SiC content is 5% by weight or less.
0% by weight or more, preferably 90% by weight or more, especially 98%
To some extent, self-sintered silicon carbide is preferably used. The shape of the carrier is not particularly limited, and is spherical, ring-shaped,
Any of a columnar shape, a conical shape, a saddle shape, and the like may be used. There is no particular limitation on its size. For example, in the case of a spherical shape,
Those having an average particle size of 3 to 15 mm, preferably 3 to 10 mm are used.
【0039】担体への担持は、噴霧担持法、含浸担持法
などのような従来公知の方法によって行うことができ
る。例えば、バナジウム、チタン、および希土類元素の
硝酸塩、炭酸塩、有機酸塩、アンモニウム塩、酸化物な
どを水に添加し、均一に混合して得られる水溶液または
スラリーを、90〜350℃、好ましくは200〜35
0℃の温度に加熱した担体に噴霧して担持した後、30
0〜650℃、好ましくは400〜600℃の温度で1
〜10時間、好ましくは2〜6時間焼成すればよい。バ
ナジウムとチタンと希土類元素との合計担持量(酸化物
換算)は、通常、担体の見掛け体積100ccに対して
3〜100g、好ましくは5〜30gである。The loading on the carrier can be carried out by a conventionally known method such as a spray loading method or an impregnation loading method. For example, an aqueous solution or a slurry obtained by adding vanadium, titanium, and a rare earth element nitrate, carbonate, organic acid salt, ammonium salt, oxide, and the like to water and uniformly mixing the resultant is 90 to 350 ° C., preferably 200-35
After spraying and supporting the carrier heated to a temperature of 0 ° C., 30
0 to 650 ° C, preferably 400 to 600 ° C.
The firing may be performed for 10 to 10 hours, preferably 2 to 6 hours. The total carrying amount (in terms of oxide) of vanadium, titanium and rare earth element is usually 3 to 100 g, preferably 5 to 30 g, based on an apparent volume of 100 cc of the carrier.
【0040】なお、触媒Bの調製の際に、触媒活性成分
の分散用粉体として、酸化スズ、酸化ジルコニウムなど
を使用することができる。特に、BET比表面積が5〜
100m2/g、好ましくは5〜40m2/gのものが好
適に用いられる。これらを使用することにより、触媒活
性成分の担体からの剥離を抑制することができる。ま
た、触媒強度を高めるために、触媒調製時に炭化ケイ素
(SiC)ウィスカーなどの繊維状物を触媒活性成分を
含むスラリーに添加し、よく混練した後、担体に担持し
てもよい。In preparing the catalyst B, tin oxide, zirconium oxide, or the like can be used as a powder for dispersing the catalytically active component. In particular, the BET specific surface area is 5
100 m 2 / g, preferably suitably used those 5 to 40 m 2 / g. By using these, the separation of the catalytically active component from the carrier can be suppressed. Further, in order to increase the catalyst strength, a fibrous substance such as silicon carbide (SiC) whiskers may be added to the slurry containing the catalytically active component at the time of preparing the catalyst, kneaded well, and then supported on a carrier.
【0041】反応ガス入口側の層に充填する触媒Bは必
ずしも同一なものである必要はなく、例えば前記一般式
(2)で示す元素組成の範囲において、元素の種類およ
び原子比を適宜変更することができる。具体的には、例
えば希土類元素のバナジウムに対する原子比が入口側か
ら出口側に向かって連続的、または断続的に変化するよ
うにしてもよい。また、触媒層の最高温度を低下させる
目的で、一般に希釈用に用いられている不活性物質、例
えばシリカ、アルミナ、ステアタイト、コージュライ
ト、シリコンカーバイド、金属製ラシヒリングなど、で
適宜希釈してもよい。The catalyst B to be filled in the layer on the reaction gas inlet side is not necessarily required to be the same. For example, within the range of the elemental composition represented by the general formula (2), the types and atomic ratios of the elements are appropriately changed. be able to. Specifically, for example, the atomic ratio of the rare earth element to vanadium may be changed continuously or intermittently from the inlet side to the outlet side. Further, for the purpose of lowering the maximum temperature of the catalyst layer, an inert substance generally used for dilution, for example, silica, alumina, steatite, cordierite, silicon carbide, a metal Raschig ring, or the like, may be appropriately diluted. Good.
【0042】触媒Bは、1,2,4,5−テトラアルキ
ルベンゼンに対する酸化活性が高く、特に低温活性に優
れたものである。このため、反応ガス入口側の層に充填
する触媒として好適なものである。The catalyst B has a high oxidizing activity for 1,2,4,5-tetraalkylbenzene, and is particularly excellent in low-temperature activity. Therefore, it is suitable as a catalyst to be filled in the layer on the reaction gas inlet side.
【0043】触媒Aを充填した触媒層(以下、「触媒A
層」という)と触媒Bを充填した触媒層(以下、「触媒
B層」という)との層長比については、特に制限はない
が、通常、触媒A層の長さを触媒B層の長さよりも大き
くするのがよい。具体的には、触媒A層の長さ/触媒B
層の長さを10/1〜1/1、好ましくは8/1〜2/
1とするのがよい。なお、触媒のほかに希釈用不活性物
質を充填する場合には、希釈用不活性物質を除いた実質
的な触媒層の長さをもって層長とする。A catalyst layer filled with catalyst A (hereinafter referred to as “catalyst A
The layer length ratio between the catalyst layer filled with the catalyst B (hereinafter referred to as “catalyst B layer”) and the catalyst layer filled with the catalyst B is not particularly limited. It is better to make it larger. Specifically, the length of the catalyst A layer / the catalyst B
The length of the layer is 10/1 to 1/1, preferably 8/1 to 2 /
It is better to set to 1. In the case where an inert substance for dilution is filled in addition to the catalyst, the layer length is substantially the length of the catalyst layer excluding the inert substance for dilution.
【0044】触媒Aおよび触媒Bの各反応管への充填量
については、触媒性能などによって変わるので好適な充
填量に適宜調整して充填するのがよい。触媒Aの充填量
は、通常、この充填層における空間速度が2,000〜
20,000hr-1、好ましくは3,000〜15,0
00hr-1となるようにするのがよい。また、触媒Bの
充填量は、通常、この充填層における空間速度が10,
000〜50,000hr-1、好ましくは15,000
〜40,000hr-1となるようにするのがよい。な
お、触媒層を希釈した場合、その空間速度は、希釈しな
い場合よりも低くする必要があり、希釈の程度によって
は上記の範囲以下となることもある。The amount of the catalyst A and the catalyst B to be charged into each reaction tube varies depending on the performance of the catalyst and the like. The packing amount of the catalyst A is usually such that the space velocity in the packed bed is 2,000 to
20,000 hr -1 , preferably 3,000 to 15.0
It is better to set it to 00 hr -1 . The amount of the catalyst B is usually set such that the space velocity in this packed bed is 10,
000 to 50,000 hr -1 , preferably 15,000
It is good to be set to 4040,000 hr −1 . In addition, when the catalyst layer is diluted, the space velocity thereof needs to be lower than that in the case where the catalyst layer is not diluted, and may be lower than the above range depending on the degree of dilution.
【0045】なお、図1に示す態様においては、触媒A
層と触媒B層との中間に、不活性物質、例えばシリカ、
アルミナ、ステアタイト、コージュライト、シリコンカ
ーバイド、金属製ラシヒリングなど、の層を充填するこ
とにより、組成の異なる触媒からの汚染をさけることが
できる。In the embodiment shown in FIG.
In between the layer and the catalyst B layer, an inert substance such as silica,
Filling with layers of alumina, steatite, cordierite, silicon carbide, metal Raschig rings, etc., prevents contamination from catalysts of different compositions.
【0046】次に、図2に示す態様、すなわち、触媒層
を3層に分割する場合、について説明する。この場合に
は、反応ガス出口側の層に触媒Aを、反応ガス入口側の
層に触媒Cを、そしてその中間に触媒Bを充填する。触
媒Aおよび触媒Bは前記のものと同じである。本発明
は、前記の2層分割の場合と同様に、触媒Bとして新規
な触媒を用いる点に特徴を有する。Next, an embodiment shown in FIG. 2, that is, a case where the catalyst layer is divided into three layers will be described. In this case, the catalyst A is filled in the layer on the reaction gas outlet side, the catalyst C is filled in the layer on the reaction gas inlet side, and the catalyst B is filled in between. Catalyst A and catalyst B are the same as described above. The present invention is characterized in that a new catalyst is used as the catalyst B, as in the case of the two-layer separation.
【0047】触媒Cは次の一般式(3)で表される。The catalyst C is represented by the following general formula (3).
【0048】 Va(E)b(F)c(G)dOx (3) ここで、Vはバナジウム、(E)はアルカリ金属から選
ばれる少なくとも1種の元素、(F)はリンおよび銅か
ら選ばれる少なくとも1種の元素、(G)は銀、硫黄、
タンタル、ホウ素、タングステンおよびモリブデンから
選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素元素を表し、
a、b、c、dおよびxはそれぞれの原子数を表し、a
=1のとき、0<b≦2.5、c=0〜3およびd=0
〜2であり、xは酸素元素以外のそれぞれの元素の酸化
状態によって定まる数値である。Va (E) b (F) c (G) dOx (3) where V is vanadium, (E) is at least one element selected from alkali metals, and (F) is selected from phosphorus and copper. (G) is silver, sulfur,
O represents at least one element selected from tantalum, boron, tungsten and molybdenum, and O represents an oxygen element;
a, b, c, d and x each represent the number of atoms;
= 1, 0 <b ≦ 2.5, c = 0-3 and d = 0
And x is a numerical value determined by the oxidation state of each element other than the oxygen element.
【0049】触媒Cにおいて、アルカリ金属から選ばれ
る少なくとも1種の元素の含有量はバナジウムに対する
原子比として0を超え2.5以下、好ましくは0.1〜
2.5、より好ましくは0.2〜2である。アルカリ金
属をこの範囲で含有することにより、ピロメリット酸の
収率が向上する。In the catalyst C, the content of at least one element selected from alkali metals is more than 0 and not more than 2.5, preferably 0.1 to 0.1 as an atomic ratio to vanadium.
2.5, more preferably 0.2 to 2. By containing the alkali metal in this range, the yield of pyromellitic acid is improved.
【0050】触媒Cは任意成分としてリンおよび銅から
選ばれる少なくとも1種をバナジウムに対する原子比と
して3以下、好ましくは0.2〜3、より好ましくは
0.2〜2.5の割合で含んでいてもよい。これを用い
ることにより、ピロメリット酸の収率を高めることがで
きる。The catalyst C contains at least one selected from phosphorus and copper as an optional component in an atomic ratio to vanadium of 3 or less, preferably 0.2 to 3, more preferably 0.2 to 2.5. May be. By using this, the yield of pyromellitic acid can be increased.
【0051】触媒Cの調製方法については特に制限はな
く、この種の触媒の調製に一般に用いられている方法に
従って、各元素を含む硝酸塩、炭酸塩、有機酸塩、アン
モニウム塩、酸化物などを出発原料として使用して、調
製することができる。The method for preparing the catalyst C is not particularly limited, and according to a method generally used for the preparation of this type of catalyst, a nitrate, carbonate, organic acid salt, ammonium salt, oxide or the like containing each element is used. Can be prepared using as starting material.
【0052】触媒Cにおいては、触媒活性物質の分散を
目的として無機粉体を加えるのが好ましい。この無機粉
体としては、不活性なものが好ましく、例えばケイ素を
含有した熱的に安定な無機粉体、具体的には結晶性シリ
カ、非晶質シリカ、炭化ケイ素、ムライト、コージライ
ト、あるいはケイソウ土のような天然の鉱物などを挙げ
ることができる。これらのうち、ケイソウ土などのよう
な安価な天然の鉱物が好適に用いられる。これらの無機
粉体を添加することにより、選択性を落とすことなく、
触媒の活性を適度に高め、反応ガス入口側に充填する触
媒としての効果が更に高められることになる。これらの
無機粉体の添加量については、その粒度分布、粒子形
状、比表面積などによって異なるので一概に特定できな
いが、触媒活性成分がくまなく無機粉体の表面を覆うこ
とが好ましく、通常、触媒活性成分(酸化物換算)の
0.05〜10重量倍、特に0.1〜5重量倍とするの
が好ましい。また、従来の無水ピロメリット酸製造用触
媒に用いられてきたチタニアなどのような無機粉体は、
バナジウムの活性を高める作用があり、それによって触
媒Cの選択性を低下させるので、触媒活性物質の分散を
目的とするこのような多量の添加は好ましくない。In the catalyst C, it is preferable to add an inorganic powder for the purpose of dispersing the catalytically active substance. As the inorganic powder, an inert powder is preferable, for example, a thermally stable inorganic powder containing silicon, specifically, crystalline silica, amorphous silica, silicon carbide, mullite, cordierite, or Examples include natural minerals such as diatomaceous earth. Of these, inexpensive natural minerals such as diatomaceous earth are preferably used. By adding these inorganic powders, without reducing selectivity,
The activity of the catalyst is appropriately increased, and the effect of the catalyst to be filled on the reaction gas inlet side is further enhanced. The addition amount of these inorganic powders cannot be specified unconditionally because they vary depending on the particle size distribution, particle shape, specific surface area, etc., but it is preferable that the catalytically active components cover the entire surface of the inorganic powders, The content is preferably 0.05 to 10 times, especially 0.1 to 5 times the weight of the active ingredient (as oxide). In addition, inorganic powders such as titania, which has been used for a conventional catalyst for producing pyromellitic anhydride,
Such a large addition for the purpose of dispersing the catalytically active substance is not preferred, since it has the effect of increasing the activity of vanadium, thereby reducing the selectivity of catalyst C.
【0053】触媒Cは、通常、担体に担持して使用す
る。担体としては、一般に使用されている不活性担体で
あればいずれも使用することができる。例えば、見掛け
気孔率5〜50%、BET比表面積5m2/g以下、好
ましくは0.05〜1m2/gの無機質多孔質担体が好
適に用いられる。なかでも、アルミニウム含量が10重
量%以下、好ましくは3重量%以下で、SiC含量が5
0重量%以上、好ましくは90重量%以上、特に98%
程度の、自己焼結型炭化ケイ素が好適に用いられる。担
体の形状については特に制限はなく、球状、リング状、
円柱状、円錐状、サドル状などのいずれでもよい。その
大きさについても特に制限はなく、例えば球状の場合、
平均粒径が3〜15mm、好ましくは3〜10mmのも
のが用いられる。The catalyst C is usually used on a carrier. As the carrier, any generally used inert carrier can be used. For example, an inorganic porous carrier having an apparent porosity of 5 to 50% and a BET specific surface area of 5 m 2 / g or less, preferably 0.05 to 1 m 2 / g is suitably used. In particular, the aluminum content is 10% by weight or less, preferably 3% by weight or less, and the SiC content is 5% by weight or less.
0% by weight or more, preferably 90% by weight or more, especially 98%
To some extent, self-sintered silicon carbide is preferably used. The shape of the carrier is not particularly limited, and is spherical, ring-shaped,
Any of a columnar shape, a conical shape, a saddle shape, and the like may be used. There is no particular limitation on its size. For example, in the case of a spherical shape,
Those having an average particle size of 3 to 15 mm, preferably 3 to 10 mm are used.
【0054】担体への担持は、噴霧担持法、含浸担持法
などのような従来公知の方法によって行うことができ
る。例えば、バナジウムおよびアルカリ金属の硝酸塩な
どのような無機塩、または炭酸塩、アンモニウム塩など
のような有機酸塩を水に添加し、均一に混合して得られ
る水溶液またはスラリーを、90〜350℃、好ましく
は200〜350℃の温度に加熱した担体に噴霧して担
持した後、400〜700℃、好ましくは500〜65
0℃の温度で1〜10時間、好ましくは2〜6時間焼成
すればよい。バナジウムとアルカリ金属との合計担持量
(酸化物換算)は、通常、担体の見掛け体積100cc
に対して3〜100g、好ましくは10〜70gであ
る。The loading on the carrier can be carried out by a conventionally known method such as a spray loading method or an impregnation loading method. For example, an aqueous solution or slurry obtained by adding an inorganic salt such as vanadium and a nitrate of an alkali metal or an organic acid salt such as a carbonate or an ammonium salt to water and uniformly mixing the resulting mixture is heated to 90 to 350 ° C. , Preferably after being sprayed and supported on a carrier heated to a temperature of 200 to 350 ° C, 400 to 700 ° C, preferably 500 to 65 ° C.
It may be fired at a temperature of 0 ° C. for 1 to 10 hours, preferably 2 to 6 hours. The total carrying amount (in terms of oxide) of vanadium and alkali metal is usually 100 cc apparent volume of the carrier.
3 to 100 g, preferably 10 to 70 g.
【0055】なお、触媒Cの調製法としては、これら各
元素をなるべく均一に混合することが好ましく、水など
の溶媒中で上記元素を含む出発原料を撹拌、混合あるい
は混練して、液状またはスラリー状として、これを担体
上に担持することによって触媒Cを調製する。また、触
媒強度を高めるために、触媒調製時にウィスカーなどの
繊維状物を触媒活性成分を含むスラリーに添加し、よく
混練した後、担体に担持してもよい。As a method for preparing the catalyst C, it is preferable to mix these elements as uniformly as possible. A starting material containing the above elements is stirred, mixed or kneaded in a solvent such as water to obtain a liquid or slurry. As a result, the catalyst C is prepared by supporting this on a carrier. In order to increase the strength of the catalyst, a fibrous material such as whiskers may be added to the slurry containing the catalytically active component at the time of preparing the catalyst, kneaded well, and then supported on a carrier.
【0056】反応ガス入口側の層に充填する触媒Cは必
ずしも同一なものである必要はなく、例えば前記一般式
(3)で示す元素組成の範囲において、元素の種類およ
び原子比を適宜変更することができる。具体的には、例
えばアルカリ金属のバナジウムに対する原子比が入口側
から出口側に向かって連続的、または断続的に変化する
ようにしてもよい。The catalyst C to be filled in the layer on the reaction gas inlet side is not necessarily required to be the same. For example, within the range of the elemental composition represented by the general formula (3), the kind and atomic ratio of the element are appropriately changed. be able to. Specifically, for example, the atomic ratio of alkali metal to vanadium may be changed continuously or intermittently from the inlet side to the outlet side.
【0057】触媒Cは、特開平8−41067号公報に
記載されており、その詳細な作用効果については、この
公報を参照することができる。The catalyst C is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-41067, which can be referred to for its detailed operation and effect.
【0058】触媒Cを充填した層(以下、「触媒C層」
という)の長さについては特に制限はなく、触媒A層の
長さの1/5以上であればよく、通常、触媒A層の長さ
の1/5〜1/2とすればよい。A layer filled with catalyst C (hereinafter referred to as a “catalyst C layer”)
The length of the catalyst A layer is not particularly limited, and may be 1 / or more of the length of the catalyst A layer, and may be generally 1 / to の of the length of the catalyst A layer.
【0059】上記の触媒A、触媒Bおよび触媒Cの各反
応管への充填量については、触媒性能などによって変わ
るので好適な充填量に適宜調整して充填するのがよい。
触媒Aの充填量は、通常、この充填層における空間速度
が2,000〜20,000hr-1、好ましくは3,0
00〜15,000hr-1となるようにするのがよい。
また、触媒Bの充填量は、通常、この充填層における空
間速度が10,000〜50,000hr-1、好ましく
は15,000〜40,000hr-1となるようにする
のがよい。また、触媒Cの充填量は、通常、この充填層
における空間速度が5,000〜50,000hh
r-1、好ましくは10,000〜30,000hr-1と
なるようにするのがよい。なお、触媒層を希釈した場
合、その空間速度は、希釈しない場合よりも低くする必
要があり、希釈の程度によっては上記の範囲以下となる
こともある。The amount of the catalyst A, the catalyst B, and the catalyst C to be charged into each reaction tube varies depending on the performance of the catalyst and the like.
The loading amount of the catalyst A is usually such that the space velocity in the packed bed is 2,000 to 20,000 hr -1 , preferably 3.0 to 20,000 hr -1 .
It is good to be 00-15,000 hr- 1 .
In addition, the amount of the catalyst B to be filled is usually such that the space velocity in the packed bed is 10,000 to 50,000 hr -1 , preferably 15,000 to 40,000 hr -1 . Further, the filling amount of the catalyst C is usually such that the space velocity in the packed bed is 5,000 to 50,000 hh.
r -1 , preferably 10,000 to 30,000 hr -1 . In addition, when the catalyst layer is diluted, the space velocity thereof needs to be lower than that in the case where the catalyst layer is not diluted, and may be lower than the above range depending on the degree of dilution.
【0060】なお、図2に示す態様においては、触媒A
層と触媒B層との間および/または触媒B層と触媒C層
との間に、不活性物質、例えばシリカ、アルミナ、ステ
アタイト、コージュライト、シリコンカーバイド、金属
製ラシヒリングなど、の層を充填することにより、組成
の異なる触媒からの汚染をさけることが可能となる。In the embodiment shown in FIG.
Between the layer and the catalyst B layer and / or between the catalyst B layer and the catalyst C layer is filled with a layer of an inert substance such as silica, alumina, steatite, cordierite, silicon carbide, metal Raschig ring, etc. By doing so, it becomes possible to avoid contamination from catalysts having different compositions.
【0061】本発明を実施する際の条件については特に
制限はなく、この種の反応に一般に用いられている条件
下に行うことができる。例えば、反応管としては、内径
が15〜40mm、好ましくは15〜30mmのものが
用いられる。また、反応温度については、熱媒体の温度
として、340〜460℃、好ましくは360〜440
℃で行うのがよい。空間速度については、前記のとおり
であるが、触媒系全体に対する空間速度は、1,000
〜15,000hr-1、好ましくは3,000〜10,
000hr-1とするのがよい。The conditions for carrying out the present invention are not particularly limited, and the reaction can be carried out under conditions generally used for this type of reaction. For example, a reaction tube having an inner diameter of 15 to 40 mm, preferably 15 to 30 mm is used. As for the reaction temperature, the temperature of the heat medium is 340 to 460 ° C, preferably 360 to 440.
It is good to carry out at ° C. The space velocity is as described above, but the space velocity for the entire catalyst system is 1,000.
~ 15,000 hr -1 , preferably 3,000 ~ 10,000
000 hr -1 is preferable.
【0062】本発明において原料として使用される1,
2,4,5−テトラアルキルベンゼンの代表例として
は、デュレンを挙げることができる。原料ガス中の1,
2,4,5−テトラアルキルベンゼンの濃度についても
特に制限はないが、通常、10〜100g/Nm3であ
り、好ましくは20〜50g/Nm3である。分子状酸
素は1,2,4,5−テトラアルキルベンゼンから無水
ピロメリット酸を生成するに十分な量で用いればよい。
通常、空気が用いられる。The 1,1 used as a raw material in the present invention
As a typical example of 2,4,5-tetraalkylbenzene, durene can be mentioned. 1, in the source gas
The concentration of the 2,4,5-tetraalkylbenzene is not particularly limited, but is usually 10 to 100 g / Nm 3 , preferably 20 to 50 g / Nm 3 . The molecular oxygen may be used in an amount sufficient to generate pyromellitic anhydride from 1,2,4,5-tetraalkylbenzene.
Usually, air is used.
【0063】[0063]
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に
説明する。なお、ここで使用した触媒は次のようにして
調製した。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. In addition, the catalyst used here was prepared as follows.
【0064】触媒A1 脱イオン水200ml中にシュウ酸150gを溶解さ
せ、これにメタバナジン酸アンモニウム120gおよび
モリブデン酸アンモニウム54.3gを加え均一に混合
した後、第一リン酸アンモニウム5.9gを溶解させ
た。脱イオン水を加えて約600mlの薬液を調製し
た。外部加熱式の回転炉中に平均粒子径4mmの球状の
自己焼結型炭化ケイ素担体200ccを入れて200〜
350℃に予熱しておき、これに上記触媒成分スラリー
を噴霧して触媒物質20gを担持させた。次いで、焼成
炉にて500℃で6時間焼成することにより、触媒A1
を得た。 Catalyst A1 150 g of oxalic acid was dissolved in 200 ml of deionized water, 120 g of ammonium metavanadate and 54.3 g of ammonium molybdate were added and mixed uniformly, and 5.9 g of ammonium monophosphate was dissolved. Was. About 600 ml of a drug solution was prepared by adding deionized water. 200 cc of a spherical self-sintered silicon carbide carrier having an average particle diameter of 4 mm was placed in an externally heated rotary furnace,
After preheating to 350 ° C., the catalyst component slurry was sprayed thereon to carry 20 g of a catalyst substance. Next, the catalyst A1 was fired at 500 ° C. for 6 hours in a firing furnace.
I got
【0065】触媒A2 脱イオン水200ml中にシュウ酸150gを溶解さ
せ、これにメタバナジン酸アンモニウム120gおよび
モリブデン酸アンモニウム54.3gを加え均一に混合
した後、第一リン酸アンモニウム5.9gを溶解させ
た。予め少量の脱イオン水に溶解した硝酸銀5.2gを
加えて撹拌した。さらに、予め少量の脱イオン水に溶解
した硝酸カルシウム4水和物1.2gを加えて撹拌し
た。脱イオン水を加えて約600mlの薬液を調製し
た。外部加熱式の回転炉中に平均粒子径4mmの球状の
自己焼結型炭化ケイ素担体200ccを入れて200〜
350℃に予熱しておき、これに上記触媒成分スラリー
を噴霧して触媒物質20gを担持させた。次いで、焼成
炉にて500℃で6時間焼成することにより、触媒A2
を得た。 Catalyst A2 150 g of oxalic acid was dissolved in 200 ml of deionized water, and 120 g of ammonium metavanadate and 54.3 g of ammonium molybdate were added and uniformly mixed. Then, 5.9 g of ammonium monophosphate was dissolved. Was. 5.2 g of silver nitrate previously dissolved in a small amount of deionized water was added and stirred. Further, 1.2 g of calcium nitrate tetrahydrate previously dissolved in a small amount of deionized water was added and stirred. About 600 ml of a drug solution was prepared by adding deionized water. 200 cc of a spherical self-sintered silicon carbide carrier having an average particle diameter of 4 mm was placed in an externally heated rotary furnace,
After preheating to 350 ° C., the catalyst component slurry was sprayed thereon to carry 20 g of a catalyst substance. Next, the catalyst A2 was fired at 500 ° C. for 6 hours in a firing furnace.
I got
【0066】上記の触媒A1および触媒A2の組成(原
子比)を表1に示す。Table 1 shows the compositions (atomic ratios) of the catalysts A1 and A2.
【0067】触媒B1(比較用) 脱イオン水120ml中にシュウ酸24gを溶解させ、
これにメタバナジン酸アンモニウム11.7gを加え、
さらに酸化チタン80gを加えて均一に混合し、脱イオ
ン水を加えて約290mlの触媒成分スラリーを調製し
た。外部加熱式の回転炉中に平均粒子径4mmの球状の
自己焼結型炭化ケイ素担体200ccを入れて150〜
250℃に予熱しておき、これに上記触媒成分スラリー
を噴霧して触媒物質10gを担持させた。次いで、焼成
炉にて550℃で6時間焼成することにより、触媒B1
(比較用)を得た。 Catalyst B1 (for comparison) Dissolve 24 g of oxalic acid in 120 ml of deionized water,
To this was added 11.7 g of ammonium metavanadate,
Further, 80 g of titanium oxide was added and mixed uniformly, and deionized water was added to prepare about 290 ml of a catalyst component slurry. 200 cc of a spherical self-sintering type silicon carbide carrier having an average particle diameter of 4 mm is placed in an externally heated rotary furnace, and 150 to 150
After preheating to 250 ° C., the catalyst component slurry was sprayed thereon to carry 10 g of a catalyst substance. Next, the catalyst B1 was fired at 550 ° C. for 6 hours in a firing furnace.
(For comparison) was obtained.
【0068】触媒B2 触媒B1の調製方法において、酸化チタンを添加するに
先立ち硝酸プラセオジウム6水和物0.44gを添加し
た以外は触媒B1の調製方法と同様にして、触媒B2を
調製した。 Catalyst B2 Catalyst B2 was prepared in the same manner as in the preparation of catalyst B1, except that 0.44 g of praseodymium nitrate hexahydrate was added prior to the addition of titanium oxide.
【0069】触媒B3 脱イオン水120ml中にシュウ酸24gを溶解させ、
これにメタバナジン酸アンモニウム11.7gおよび第
一リン酸アンモニウム1.7gを加えて溶解した後、三
酸化アンチモン2.19gを加えた。硝酸ランタン6水
和物0.43gを添加し、さらに酸化チタン80gを加
えて均一に混合し、脱イオン水を加えて約290mlの
触媒成分スラリーを調製した。外部加熱式の回転炉中に
平均粒子径4mmの球状の自己焼結型炭化ケイ素担体2
00ccを入れて150〜250℃に予熱しておき、こ
れに上記触媒成分スラリーを噴霧して触媒物質10gを
担持させた。次いで、焼成炉にて550℃で6時間焼成
することにより、触媒B3を得た。 Catalyst B3 Dissolve 24 g of oxalic acid in 120 ml of deionized water,
After adding and dissolving 11.7 g of ammonium metavanadate and 1.7 g of ammonium monophosphate, 2.19 g of antimony trioxide was added. 0.43 g of lanthanum nitrate hexahydrate was added, 80 g of titanium oxide was further added and mixed uniformly, and deionized water was added to prepare a catalyst component slurry of about 290 ml. Spherical self-sintered silicon carbide support having an average particle diameter of 4 mm in an externally heated rotary furnace 2
Then, the catalyst component slurry was sprayed thereon to carry 10 g of the catalyst substance. Next, catalyst B3 was obtained by firing at 550 ° C. for 6 hours in a firing furnace.
【0070】触媒B4 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸プラセオジウム6水和物0.44gを添加
した以外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B4
を調製した。 Catalyst B4 Catalyst B4 was prepared in the same manner as in the preparation of catalyst B3, except that praseodymium nitrate hexahydrate was added in an amount of 0.44 g instead of lanthanum nitrate hexahydrate.
Was prepared.
【0071】触媒B5 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸ネオジウム6水和物0.44gを添加した
以外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B5を調
製した。 Catalyst B5 A catalyst B5 was prepared in the same manner as the catalyst B3, except that 0.44 g of neodymium nitrate hexahydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate. .
【0072】触媒B6 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸サマリウム6水和物0.45gを添加した
以外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B6を調
製した。 Catalyst B6 A catalyst B6 was prepared in the same manner as the catalyst B3, except that 0.45 g of samarium nitrate hexahydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate. .
【0073】触媒B7 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸ユウロビウム6水和物0.45gを添加し
た以外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B7を
調製した。 Catalyst B7 A catalyst B7 was prepared in the same manner as the catalyst B3, except that 0.45 g of eurobium nitrate hexahydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate. .
【0074】触媒B8 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸ガドリウム6水和物0.45gを添加した
以外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B8を調
製した。 Catalyst B8 A catalyst B8 was prepared in the same manner as the catalyst B3, except that 0.45 g of gadolinium nitrate hexahydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate. .
【0075】触媒B9 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸テルビウム6水和物0.45gを添加した
以外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B9を調
製した。 Catalyst B9 Catalyst B9 was prepared in the same manner as the preparation of catalyst B3, except that 0.45 g of terbium nitrate hexahydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate. .
【0076】触媒B10 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸ジスプロシウム5水和物0.44gを添加
した以外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B1
0を調製した。 Catalyst B10 Catalyst B3 was prepared in the same manner as in the preparation of catalyst B3 except that 0.44 g of dysprosium nitrate pentahydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate.
0 was prepared.
【0077】触媒B11 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸ホルミウム6水和物0.44gを添加した
以外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B11を
調製した。 Catalyst B11 A catalyst B11 was prepared in the same manner as the catalyst B3, except that 0.44 g of holmium nitrate hexahydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate. .
【0078】触媒B12 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸エルビウム6水和物0.45gを添加した
以外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B12を
調製した。 Catalyst B12 A catalyst B12 was prepared in the same manner as the catalyst B3, except that 0.45 g of erbium nitrate hexahydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate. .
【0079】触媒B13 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸ツリウム4水和物0.43gを添加した以
外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B13を調
製した。 Catalyst B13 A catalyst B13 was prepared in the same manner as the catalyst B3, except that 0.43 g of thulium nitrate tetrahydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate. .
【0080】触媒B14 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸イッテルビウム3水和物0.41gを添加
した以外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B1
4を調製した。 Catalyst B14 A catalyst B1 was prepared in the same manner as the catalyst B3, except that 0.41 g of ytterbium nitrate trihydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate.
4 was prepared.
【0081】触媒B15 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸ツリウム4水和物0.43gを10mlの
脱イオン水に溶解し、その2mlを添加した以外は触媒
B3の調製方法と同様にして、触媒B15を調製した。 Catalyst B15 Catalyst B3 was prepared in the same manner as in the preparation of catalyst B3 except that 0.43 g of thulium nitrate tetrahydrate was dissolved in 10 ml of deionized water instead of lanthanum nitrate hexahydrate, and 2 ml of the resulting solution was added. Catalyst B15 was prepared in the same manner as in the preparation method.
【0082】触媒B16 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸ツリウム4水和物0.86gを添加した以
外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B16を調
製した。 Catalyst B16 A catalyst B16 was prepared in the same manner as the catalyst B3, except that 0.86 g of thulium nitrate tetrahydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate. .
【0083】触媒B17 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸ツリウム4水和物4.28gを添加した以
外は触媒B3の調製方法と同様にして、触媒B17を調
製した。 Catalyst B17 Catalyst B17 was prepared in the same manner as in the preparation of catalyst B3, except that 4.28 g of thulium nitrate tetrahydrate was added instead of lanthanum nitrate hexahydrate. .
【0084】触媒B18 脱イオン水120ml中にシュウ酸47gを溶解させ、
これにメタバナジン酸アンモニウム23.4gおよび第
一リン酸アンモニウム1.7gを加えて溶解した後、三
酸化アンチモン4.38gを加え、次に硝酸ツリウム4
水和物0.43gを加え、さらに酸化チタン80gを加
えて均一に混合した。これに脱イオン水を加えて約29
0mlの触媒成分スラリーを調製した。外部加熱式の回
転炉中に平均粒子径4mmの球状の自己焼結型炭化ケイ
素担体200gを入れて150〜250℃に予熱してお
き、これに上記触媒成分スラリーを噴霧して触媒物質1
0gを担持させた。次いで、焼成炉にて550℃で6時
間焼成することにより、触媒B18を得た。 Catalyst B18 Dissolve 47 g of oxalic acid in 120 ml of deionized water,
After adding and dissolving 23.4 g of ammonium metavanadate and 1.7 g of ammonium monophosphate, 4.38 g of antimony trioxide was added thereto.
0.43 g of hydrate was added, and 80 g of titanium oxide was further added and mixed uniformly. Add deionized water to this and add about 29
0 ml of the catalyst component slurry was prepared. 200 g of a spherical self-sintering type silicon carbide carrier having an average particle diameter of 4 mm was placed in an externally heated rotary furnace, preheated to 150 to 250 ° C., and the above catalyst component slurry was sprayed onto the catalyst material 1 to prepare a catalyst substance 1.
0 g was loaded. Next, the mixture was calcined at 550 ° C. for 6 hours in a calcining furnace to obtain Catalyst B18.
【0085】触媒B19 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸プラセオジウム6水和物0.87gと硝酸
セリウム6水和物0.43gとを添加した以外は触媒B
3の調製方法と同様にして、触媒B19を調製した。 Catalyst B19 Catalyst B3 was prepared in the same manner as the catalyst B3 except that praseodymium nitrate hexahydrate 0.87 g and cerium nitrate hexahydrate 0.43 g were added instead of lanthanum nitrate hexahydrate.
Catalyst B19 was prepared in the same manner as in Preparation Method 3.
【0086】触媒B20 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸ホルミウム5水和物0.88gと硝酸セリ
ウム6水和物0.43gとを添加した以外は触媒B3の
調製方法と同様にして、触媒B20を調製した。 Catalyst B20 The procedure for preparing catalyst B3 was the same as that for preparing catalyst B3, except that 0.88 g of holmium nitrate pentahydrate and 0.43 g of cerium nitrate hexahydrate were added instead of lanthanum nitrate hexahydrate. Catalyst B20 was prepared in the same manner as described above.
【0087】触媒B21 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸エルビウム6水和物0.92gと硝酸セリ
ウム6水和物0.43gとを添加した以外は触媒B3の
調製方法と同様にして、触媒B21を調製した。 Catalyst B21 Preparation of catalyst B3 except for adding 0.92 g of erbium nitrate hexahydrate and 0.43 g of cerium nitrate hexahydrate in place of lanthanum nitrate hexahydrate in the method of preparing catalyst B3. Catalyst B21 was prepared in the same manner as in the method.
【0088】触媒B22 触媒B3の調製方法において、硝酸ランタン6水和物の
代わりに硝酸ツリウム4水和物0.86gと硝酸セリウ
ム6水和物0.43gとを添加した以外は触媒B3の調
製方法と同様にして、触媒B22を調製した。 Catalyst B22 Preparation of catalyst B3, except that in place of lanthanum nitrate hexahydrate, 0.86 g of thulium nitrate tetrahydrate and 0.43 g of cerium nitrate hexahydrate were added. In the same manner as in the method, catalyst B22 was prepared.
【0089】触媒B23 脱イオン水120ml中にシュウ酸47gを溶解させ、
これにメタバナジン酸アンモニウム23.4gを加えて
溶解した後、三酸化アンチモン4.38gを加え、次に
硝酸ツリウム4水和物0.43gとシュウ酸ニオブ0.
54gとを加え、さらに酸化チタン80gを加えて均一
に混合した。これに脱イオン水を加えて約290mlの
触媒成分スラリーを調製した。外部加熱式の回転炉中に
平均粒子径4mmの球状の自己焼結型炭化ケイ素担体2
00gを入れて150〜250℃に予熱しておき、これ
に上記触媒成分スラリーを噴霧して触媒物質10gを担
持させた。次いで、焼成炉にて550℃で6時間焼成す
ることにより、触媒B23を得た。 Catalyst B23 47 g of oxalic acid were dissolved in 120 ml of deionized water.
After adding and dissolving 23.4 g of ammonium metavanadate, 4.38 g of antimony trioxide was added, followed by 0.43 g of thulium nitrate tetrahydrate and 0.1 ml of niobium oxalate.
54 g, and 80 g of titanium oxide were further added and uniformly mixed. Deionized water was added thereto to prepare a slurry of about 290 ml of the catalyst component. Spherical self-sintered silicon carbide support having an average particle diameter of 4 mm in an externally heated rotary furnace 2
Then, the catalyst component slurry was sprayed thereon to carry 10 g of the catalyst substance. Next, the mixture was calcined at 550 ° C. for 6 hours in a calcining furnace to obtain Catalyst B23.
【0090】触媒B24 触媒B23の調製方法において、シュウ酸ニオブの代わ
りに酸化ハフニウム0.21gを添加した以外は触媒B
23の調製方法と同様にして、触媒B24を調製した。 Catalyst B24 Catalyst B23 was prepared in the same manner as the catalyst B23, except that 0.21 g of hafnium oxide was added instead of niobium oxalate.
Catalyst B24 was prepared in the same manner as in Preparation Method 23.
【0091】触媒B25 触媒B23の調製方法において、シュウ酸ニオブの代わ
りに酸化タンタル0.21gを添加した以外は、触媒B
23の調製方法と同様にして、触媒B25を調製した。 Catalyst B25 Catalyst B23 was prepared in the same manner as the catalyst B23, except that 0.21 g of tantalum oxide was added instead of niobium oxalate.
Catalyst B25 was prepared in the same manner as in Preparation Method 23.
【0092】触媒B26 触媒B23の調製方法において、シュウ酸ニオブの代わ
りに99.5%ホウ酸3.11gを100mlの脱イオ
ン水で希釈し、その2mlを添加した以外は、触媒2B
3の調製方法と同様にして、触媒B26を調製した。 Catalyst B26 Catalyst B23 was prepared in the same manner as the catalyst B23, except that 3.11 g of 99.5% boric acid was diluted with 100 ml of deionized water instead of niobium oxalate, and 2 ml of the diluted solution was added.
Catalyst B26 was prepared in the same manner as in Preparation Method 3.
【0093】触媒B27 脱イオン水120ml中にシュウ酸47gを溶解させ、
これにメタバナジン酸アンモニウム23.4gおよび第
一リン酸アンモニウム1.7gを加えて溶解した後、硝
酸ツリウム4水和物0.43gを加え、さらに酸化チタ
ン80gを加えて均一に混合した。これに脱イオン水を
加えて約290mlの触媒成分スラリーを調製した。外
部加熱式の回転炉中に平均粒子径4mmの球状の自己焼
結型炭化ケイ素担体200gを入れて150〜250℃
に予熱しておき、これに上記触媒成分スラリーを噴霧し
て触媒物質10gを担持させた。次いで、焼成炉にて5
50℃で6時間焼成することにより、触媒B27を得
た。 Catalyst B27 Dissolve 47 g of oxalic acid in 120 ml of deionized water,
After adding and dissolving 23.4 g of ammonium metavanadate and 1.7 g of ammonium monophosphate, 0.43 g of thulium nitrate tetrahydrate was added, and 80 g of titanium oxide was further added and mixed uniformly. Deionized water was added thereto to prepare a slurry of about 290 ml of the catalyst component. 200 g of a spherical self-sintering type silicon carbide carrier having an average particle diameter of 4 mm was placed in a rotary furnace of an external heating type, and 150 to 250 ° C.
, And the catalyst component slurry was sprayed thereon to carry 10 g of a catalyst substance. Then, in a firing furnace,
By calcining at 50 ° C. for 6 hours, catalyst B27 was obtained.
【0094】上記の触媒B1〜触媒B27の組成(原子
比)を表2に示す。Table 2 shows the compositions (atomic ratios) of the catalysts B1 to B27.
【0095】触媒C1 脱イオン水450ml中にメタバナジン酸アンモニウム
93gと85%リン酸46gとを加えて均一な溶液とし
た。この溶液に硝酸カリウム24.1gと硝酸セシウム
46.5gと硝酸銅3水和物384gとを加え、さらに
ケイソウ土(マンビル(Manville)社製スノー
フロス(Snow Floss))65gを加え、よく
撹拌して均一な触媒成分スラリーとし、脱イオン水を加
えて全体の薬液量を1400mlとした。外部加熱式の
回転炉中に平均粒子径4mmの球状の自己焼結型炭化ケ
イ素担体200ccを入れて150〜250℃に予熱し
ておき、これに上記触媒成分スラリーを噴霧して触媒物
質50gを担持させた。次いで、焼成炉にて610℃で
6時間焼成することにより、触媒C1を得た。この触媒
C1の組成(原子比)を表3に示す。 Catalyst C1 93 g of ammonium metavanadate and 46 g of 85% phosphoric acid were added to 450 ml of deionized water to form a uniform solution. 24.1 g of potassium nitrate, 46.5 g of cesium nitrate, and 384 g of copper nitrate trihydrate were added to this solution, and 65 g of diatomaceous earth (Snow Floss, manufactured by Manville) was added, followed by sufficient stirring. A uniform catalyst component slurry was prepared, and deionized water was added to bring the total chemical volume to 1400 ml. 200 cc of a spherical self-sintered silicon carbide carrier having an average particle diameter of 4 mm was placed in an externally heated rotary furnace, preheated to 150 to 250 ° C., and the above catalyst component slurry was sprayed thereon to obtain 50 g of a catalyst substance. Supported. Next, the catalyst was fired at 610 ° C. for 6 hours in a firing furnace to obtain a catalyst C1. Table 3 shows the composition (atomic ratio) of the catalyst C1.
【0096】触媒C2 脱イオン水450ml中にメタバナジン酸アンモニウム
93gを加えて均一な溶液とした。この溶液に硫酸カリ
ウム20.8gと硫酸セシウム43.2g、硫酸銅三水
和物384gを順番に加える。さらにモリブデン酸アン
モニウム14.0gとタングステン酸アンモニウム2
1.4gを加える。さらにケイソウ土(マンビル(Ma
nville)社製スノーフロス(Snow Flos
s))65gを加え、よく撹拌して均一な触媒成分スラ
リーとし、脱イオン水を加えて全体の薬液量を1400
mlとした。外部加熱式の回転炉中に平均粒子径4mm
の球状の自己焼結型炭化ケイ素担体200ccを入れて
150〜250℃に予熱しておき、これに上記触媒成分
スラリーを噴霧して触媒物質60gを担持させた。次い
で、焼成炉にて610℃で6時間焼成することにより、
触媒C2を得た。 Catalyst C2 93 g of ammonium metavanadate was added to 450 ml of deionized water to form a uniform solution. 20.8 g of potassium sulfate, 43.2 g of cesium sulfate, and 384 g of copper sulfate trihydrate are sequentially added to this solution. Further, 14.0 g of ammonium molybdate and ammonium tungstate 2
Add 1.4 g. In addition, diatomaceous earth (Manville (Ma
Snow Floss (Snow Flos) manufactured by Nville
s)) Add 65 g, stir well to make a uniform catalyst component slurry, add deionized water to make the total chemical volume 1400
ml. Average particle size 4mm in rotary furnace with external heating
200 cc of the spherical self-sintering-type silicon carbide carrier was preheated to 150 to 250 ° C., and the above catalyst component slurry was sprayed thereon to carry 60 g of the catalyst substance. Next, by firing in a firing furnace at 610 ° C. for 6 hours,
Catalyst C2 was obtained.
【0097】この触媒C2の組成(原子比)を表3に示
す。Table 3 shows the composition (atomic ratio) of the catalyst C2.
【0098】[0098]
【表1】 [Table 1]
【0099】[0099]
【表2】 [Table 2]
【0100】[0100]
【表3】 比較例1 内径20mm、長さ400mmのステンレス鋼製の反応
管に反応ガス出口側から触媒A1を150mmの層長で
充填した。次に、触媒B1(比較用)を75mmの層長
で充填した。最後に原料ガスの予熱層として平均粒子径
5mmのガラス玉を150mm充填した。この触媒層に
20g/Nm3の濃度のデュレンおよび残部が空気であ
る原料混合ガスを6.3L(リットル)/min.で通
じて空間速度5400hr-1で反応を行った。反応温度
は最適温度に調節した。[Table 3] Comparative Example 1 A stainless steel reaction tube having an inner diameter of 20 mm and a length of 400 mm was filled with the catalyst A1 in a layer length of 150 mm from the reaction gas outlet side. Next, catalyst B1 (for comparison) was packed in a layer length of 75 mm. Finally, 150 mm of glass balls having an average particle diameter of 5 mm were filled as a preheating layer of the raw material gas. The catalyst layer was charged with 6.3 L (liter) / min. Of a raw material mixed gas having a concentration of 20 g / Nm 3 and the balance air. The reaction was carried out at a space velocity of 5400 hr -1 . The reaction temperature was adjusted to the optimal temperature.
【0101】生成した反応ガスは空冷式結晶管および脱
イオン水を満たした洗気瓶2個にて捕集し、液体クロマ
トグラフによりピロメリット酸収率を求め、これを換算
して無水ピロメリット酸収率を求めた。結果を表4に示
す。The generated reaction gas was collected in an air-cooled crystal tube and two gas-washing bottles filled with deionized water, and the pyromellitic acid yield was determined by liquid chromatography. The acid yield was determined. Table 4 shows the results.
【0102】実施例1 比較例1において、触媒B1(比較用)の代わりに触媒
B2を使用した以外は比較例1と同様に反応を行った。
結果を表4に示す。[0102] In Example 1 Comparative Example 1, except for using the catalyst B2 in place of the catalyst B1 (comparative) The reaction was performed in the same manner as in Comparative Example 1.
Table 4 shows the results.
【0103】実施例2〜26 比較例1において、触媒B1(比較用)の代わりに触媒
B2〜B27を使用し、触媒A1の代わりに触媒A2を
使用した以外は比較例1と同様に反応を行った。結果を
表4に示す。 Examples 2 to 26 In Comparative Example 1, the reaction was carried out in the same manner as in Comparative Example 1 except that the catalysts B2 to B27 were used instead of the catalyst B1 (for comparison) and the catalyst A2 was used instead of the catalyst A1. went. Table 4 shows the results.
【0104】実施例27 内径20mm、長さ400mmのステンレス鋼製の反応
管に反応ガス出口側から触媒A1を150mmの層長で
充填した。次に、触媒B12を75mmの層長で充填し
た。さらに、触媒C1を50mmの層長で充填した。最
後に原料ガスの予熱層として平均粒子径5mmのガラス
玉を100mm充填した。この触媒層に20g/Nm3
の濃度のデュレンおよび残部が空気である原料混合ガス
を6.3L/min.で通じて空間速度4400hr-1
で反応を行った。反応温度は最適温度に調節した。 Example 27 A stainless steel reaction tube having an inner diameter of 20 mm and a length of 400 mm was filled with the catalyst A1 in a layer length of 150 mm from the reaction gas outlet side. Next, the catalyst B12 was packed in a layer length of 75 mm. Further, the catalyst C1 was packed in a layer length of 50 mm. Finally, 100 mm of glass balls having an average particle diameter of 5 mm were filled as a preheating layer of the raw material gas. 20 g / Nm 3 was added to this catalyst layer.
Of raw material mixed gas having a concentration of 6.3 L / min. Space velocity of 4400hr -1
The reaction was carried out. The reaction temperature was adjusted to the optimal temperature.
【0105】生成した反応ガスは空冷式結晶管および脱
イオン水を満たした洗気瓶2個にて捕集し、液体クロマ
トグラフによりピロメリット酸収率を求め、これを換算
して無水ピロメリット酸収率を求めた。結果を表5に示
す。The generated reaction gas was collected in an air-cooled crystal tube and two gas-washing bottles filled with deionized water, and the pyromellitic acid yield was determined by liquid chromatography. The acid yield was determined. Table 5 shows the results.
【0106】実施例28 実施例27において、触媒B12に代わりに触媒B19
を、触媒C1の代わりに触媒C2を使用した以外は実施
例27と同様に反応を行った。結果を表5に示す。 Example 28 In Example 27, catalyst B19 was used instead of catalyst B12.
Was reacted in the same manner as in Example 27 except that catalyst C2 was used instead of catalyst C1. Table 5 shows the results.
【0107】[0107]
【表4】 [Table 4]
【0108】[0108]
【表5】 [Table 5]
【0109】[0109]
【発明の効果】本発明の方法によれば、高純度の無水ピ
ロメリット酸を高収率で製造することができるので生産
性が向上すると共に、最適反応温度が低下するので安定
操業が可能となる。According to the method of the present invention, high-purity pyromellitic anhydride can be produced in a high yield, so that the productivity is improved, and the optimum reaction temperature is lowered, so that stable operation is possible. Become.
【図1】本発明における触媒層配置の一実施態様を示す
ブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a catalyst layer arrangement according to the present invention.
【図2】本発明における触媒層配置の他の実施態様を示
すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing another embodiment of a catalyst layer arrangement according to the present invention.
Claims (4)
ンおよび分子状酸素を含有する原料混合ガスを触媒層が
充填された固定床多管式反応器に供給し接触気相酸化を
行うことにより無水ピロメリット酸を製造する方法にお
いて、該触媒層を反応ガス出口側の層と原料混合ガス入
口側の層との少なくとも2層に分割し、反応ガス出口側
の層に下記一般式(1) Va(A)bPcAgd(B)eOx (1) ここで、Vはバナジウム、Pはリン、Agは銀、(A)
はモリブデンおよびタングステンから選ばれる少なくと
も1種の元素、(B)はアルカリ金属およびアルカリ土
類金属から選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素元
素を表し、a、b、c、d、eおよびxはそれぞれの原
子数を表し、a=1としたとき、0<b≦2、0<c≦
1、d=0〜0.2、e=0〜0.1であり、xは酸素
元素以外のそれぞれの元素の酸化状態によって定まる数
値である、で表される触媒Aを充填し、原料混合ガス入
口側の層に一般式(2) VaTib(C)c(D)dCeeOx (2) ここで、Vはバナジウム、Tiはチタン、Ceはセリウ
ム、(C)は希土類元素(セリウムを除く)から選ばれ
る少なくとも1種の元素、(D)はリン、アンチモン、
ハフニウム、ニオブ、タンタル、ホウ素および硫黄から
選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素元素を表し、
a、b、c、d、eおよびxはそれぞれの原子数を表
し、a=1としたとき、0<b≦500、0<c≦0.
5、d=0〜1、e=0〜0.5であり、xは酸素元素
以外のそれぞれの元素の酸化状態によって定まる数値で
ある、で表される触媒Bを充填する、ことを特徴とする
方法。1. A mixed gaseous raw material containing 1,2,4,5-tetraalkylbenzene and molecular oxygen is supplied to a fixed-bed multitubular reactor filled with a catalyst layer to perform catalytic gas-phase oxidation. In the method for producing pyromellitic anhydride, the catalyst layer is divided into at least two layers, that is, a layer on the reaction gas outlet side and a layer on the inlet side of the raw material mixed gas, and the layer on the reaction gas outlet side has the following general formula (1) Va (A) bPcAgd (B) eOx (1) where V is vanadium, P is phosphorus, Ag is silver, (A)
Is at least one element selected from molybdenum and tungsten, (B) is at least one element selected from alkali metals and alkaline earth metals, O is an oxygen element, a, b, c, d, e and x represents the number of each atom, and when a = 1, 0 <b ≦ 2, 0 <c ≦
1, d = 0 to 0.2, e = 0 to 0.1, and x is a numerical value determined by the oxidation state of each element other than the oxygen element. In the layer on the gas inlet side, the general formula (2) VaTib (C) c (D) dCeeOx (2) where V is vanadium, Ti is titanium, Ce is cerium, and (C) is a rare earth element (excluding cerium). At least one element selected, (D) is phosphorus, antimony,
O represents at least one element selected from hafnium, niobium, tantalum, boron and sulfur, and O represents an oxygen element;
a, b, c, d, e, and x represent the number of atoms, and when a = 1, 0 <b ≦ 500, 0 <c ≦ 0.
5, d = 0 to 1, e = 0 to 0.5, and x is a value determined by the oxidation state of each element other than the oxygen element. how to.
リカ、アルミナ、ステアタイト、コージュライト、シリ
コンカーバイド及び金属製ラシヒリングから選ばれる不
活性物質の層を充填する、請求項1に記載の方法。2. An intermediate between the catalyst A layer and the catalyst B layer is filled with a layer of an inert substance selected from silica, alumina, steatite, cordierite, silicon carbide and metal Raschig rings. The method described in.
ンおよび分子状酸素を含有する原料混合ガスを触媒層が
充填された固定床多管式反応器に供給し接触気相酸化を
行うことにより無水ピロメリット酸を製造する方法にお
いて、該触媒層を反応ガス出口側の層と中間の層と原料
混合ガス入口側の層との少なくとも3層に分割し、反応
ガス出口側の層に下記一般式(1) Va(A)bPcAgd(B)eOx (1) ここで、Vはバナジウム、Pはリン、Agは銀、(A)
はモリブデンおよびタングステンから選ばれる少なくと
も1種の元素、(B)はアルカリ金属およびアルカリ土
類金属から選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素元
素を表し、a、b、c、d、eおよびxはそれぞれの原
子数を表し、a=1としたとき、0<b≦2、0<c≦
1、d=0〜0.2、e=0〜0.1であり、xは酸素
元素以外のそれぞれの元素の酸化状態によって定まる数
値である、で表される触媒Aを充填し、中間の層に下記
一般式(2) VaTib(C)c(D)dCeeOx (2) ここで、Vはバナジウム、Tiはチタン、Ceはセリウ
ム、(C)は希土類元素(セリウムを除く)から選ばれ
る少なくとも1種の元素、(D)はリン、アンチモン、
ハフニウム、ニオブ、タンタル、ホウ素および硫黄から
選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素元素を表し、
a、b、c、d、eおよびxはそれぞれの原子数を表
し、a=1としたとき、0<b≦500、0<c≦0.
5、d=0〜1、e=0〜0.5であり、xは酸素元素
以外のそれぞれの元素の酸化状態によって定まる数値で
ある、で表される触媒Bを充填し、原料混合ガス入口側
の層に下記一般式(3) Va(E)b(F)c(G)dOx (3) ここで、Vはバナジウム、(E)はアルカリ金属から選
ばれる少なくとも1種の元素、(F)はリンおよび銅か
ら選ばれる少なくとも1種の元素、(G)は銀、硫黄、
タンタル、ホウ素、タングステンおよびモリブデンから
選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素元素を表し、
a、b、c、dおよびxはそれぞれの原子数を表し、a
=1のとき、0<b≦2.5、c=0〜3およびd=0
〜2であり、xは酸素元素以外のそれぞれの元素の酸化
状態によって定まる数値である、で表される触媒Cを充
填することを特徴とする方法。3. A mixed gaseous raw material containing 1,2,4,5-tetraalkylbenzene and molecular oxygen is supplied to a fixed-bed multitubular reactor filled with a catalyst layer to perform catalytic gas-phase oxidation. In the method for producing pyromellitic anhydride, the catalyst layer is divided into at least three layers: a layer on the reaction gas outlet side, an intermediate layer, and a layer on the inlet side of the raw material mixed gas. Formula (1) Va (A) bPcAgd (B) eOx (1) where V is vanadium, P is phosphorus, Ag is silver, and (A)
Is at least one element selected from molybdenum and tungsten, (B) is at least one element selected from alkali metals and alkaline earth metals, O is an oxygen element, a, b, c, d, e and x represents the number of each atom, and when a = 1, 0 <b ≦ 2, 0 <c ≦
1, d = 0 to 0.2, e = 0 to 0.1, and x is a value determined by the oxidation state of each element other than the oxygen element. The layer has the following general formula (2) VaTib (C) c (D) dCeeOx (2) where V is vanadium, Ti is titanium, Ce is cerium, and (C) is at least one selected from rare earth elements (excluding cerium). One element, (D) is phosphorus, antimony,
O represents at least one element selected from hafnium, niobium, tantalum, boron and sulfur, and O represents an oxygen element;
a, b, c, d, e, and x represent the number of atoms, and when a = 1, 0 <b ≦ 500, 0 <c ≦ 0.
5, d = 0 to 1, e = 0 to 0.5, and x is a numerical value determined by the oxidation state of each element other than the oxygen element. In the layer on the side, the following general formula (3) Va (E) b (F) c (G) dOx (3) where V is vanadium, (E) is at least one element selected from alkali metals, (F ) Is at least one element selected from phosphorus and copper, (G) is silver, sulfur,
O represents at least one element selected from tantalum, boron, tungsten and molybdenum, and O represents an oxygen element;
a, b, c, d and x each represent the number of atoms;
= 1, 0 <b ≦ 2.5, c = 0-3 and d = 0
~ 2, wherein x is a value determined by the oxidation state of each element other than the oxygen element.
/または触媒Bの層と触媒Cとの中間に、シリカ、アル
ミナ、ステアタイト、コージュライト、シリコンカーバ
イド及び金属製ラシヒリングから選ばれる不活性物質の
層を充填する、請求項3に記載の方法。4. A material selected from the group consisting of silica, alumina, steatite, cordierite, silicon carbide and a metal Raschig in the middle of the catalyst A layer and the catalyst B layer and / or the middle of the catalyst B layer and the catalyst C. 4. The method of claim 3, wherein the layer of inert material is filled.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068479A JP2000001484A (en) | 1998-03-17 | 1999-03-15 | Production of pyromellitic anhydride |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6598298 | 1998-03-17 | ||
| JP10-65982 | 1998-03-17 | ||
| JP11068479A JP2000001484A (en) | 1998-03-17 | 1999-03-15 | Production of pyromellitic anhydride |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000001484A true JP2000001484A (en) | 2000-01-07 |
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ID=26407146
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11068479A Withdrawn JP2000001484A (en) | 1998-03-17 | 1999-03-15 | Production of pyromellitic anhydride |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000001484A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6723171B2 (en) | 2001-01-25 | 2004-04-20 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Process for extracting solid material from shell-and-tube reactor |
| EP1746081A1 (en) | 2005-07-21 | 2007-01-24 | Mitsubishi Gas Chemical Company Inc. | Production method of highly pure pyromellitic dianhydride |
| EP2135671A2 (en) | 2008-06-19 | 2009-12-23 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Catalyst and method for producing carboxylic acid and/or carboxylic anhydride in the presence of the catalyst |
| CN102658188A (en) * | 2012-05-11 | 2012-09-12 | 石家庄昊普化工有限公司 | Double-layer catalyst and preparation thereof, and application of catalyst in preparation of pyromellitic dianhydride |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP11068479A patent/JP2000001484A/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6723171B2 (en) | 2001-01-25 | 2004-04-20 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Process for extracting solid material from shell-and-tube reactor |
| EP1746081A1 (en) | 2005-07-21 | 2007-01-24 | Mitsubishi Gas Chemical Company Inc. | Production method of highly pure pyromellitic dianhydride |
| US7569707B2 (en) | 2005-07-21 | 2009-08-04 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Production method of highly pure pyromellitic dianhydride |
| EP2135671A2 (en) | 2008-06-19 | 2009-12-23 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Catalyst and method for producing carboxylic acid and/or carboxylic anhydride in the presence of the catalyst |
| US8357625B2 (en) | 2008-06-19 | 2013-01-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Catalyst and method for producing carboxylic acid and/or carboxylic anhydride in the presence of the catalyst |
| CN102658188A (en) * | 2012-05-11 | 2012-09-12 | 石家庄昊普化工有限公司 | Double-layer catalyst and preparation thereof, and application of catalyst in preparation of pyromellitic dianhydride |
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