JP2000094564A - 高機能被膜形成基体、及び該基体の形成方法 - Google Patents
高機能被膜形成基体、及び該基体の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、高硬度性、及び清浄（抗菌）作用の双
方の特性を備えた基体、特に刃を搭載したシェーバーが
開発されていなかった。 【解決手段】 母材の一方の主面に光触媒反応による抗
菌作用を持つ被膜が形成され、他方の主面に硬質炭素被
膜が形成されていることを特徴とする。
方の特性を備えた基体、特に刃を搭載したシェーバーが
開発されていなかった。 【解決手段】 母材の一方の主面に光触媒反応による抗
菌作用を持つ被膜が形成され、他方の主面に硬質炭素被
膜が形成されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、清浄作用と高硬度
化を必要とする基体、例えばシェーバー刃（内刃、外
刃）、エアコン、空気清浄器、及び空気清浄作用を機能
として持つ各種製品の摺動部材、更に清浄（抗菌）作用
を機能として持つ各種製品の摺動部材からなる高機能被
膜形成基体、及び該基体の形成方法に関する。
化を必要とする基体、例えばシェーバー刃（内刃、外
刃）、エアコン、空気清浄器、及び空気清浄作用を機能
として持つ各種製品の摺動部材、更に清浄（抗菌）作用
を機能として持つ各種製品の摺動部材からなる高機能被
膜形成基体、及び該基体の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、例えば、電気シェーバーにおいて
は、刃の表面改質の技術が取り入れられ、シェーバー外
刃の母材表面にZrN、或いは高硬度被膜が形成され、耐
摩耗性、耐食性、切れ味の向上を図る改良が為されてお
り、その技術が特開平７−６２５６１号公報（Int6:C23
C 26/00）に開示されている。
は、刃の表面改質の技術が取り入れられ、シェーバー外
刃の母材表面にZrN、或いは高硬度被膜が形成され、耐
摩耗性、耐食性、切れ味の向上を図る改良が為されてお
り、その技術が特開平７−６２５６１号公報（Int6:C23
C 26/00）に開示されている。
【０００３】一方、電気シェーバーは直接外刃が人間の
顔の皮膚に触れるため、その衛生面では考慮されるべき
製品である。このような観点から、最近では抗菌材料が
着目されており、その抗菌材料が特開平８-１３４６３
０号公報（Int6:C23C 14/08）に開示されている。
顔の皮膚に触れるため、その衛生面では考慮されるべき
製品である。このような観点から、最近では抗菌材料が
着目されており、その抗菌材料が特開平８-１３４６３
０号公報（Int6:C23C 14/08）に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、これまで
は、高硬度性、及び清浄作用の双方の特性を備えた基
体、特に刃を搭載したシェーバーが開発されていないの
が現状である。
は、高硬度性、及び清浄作用の双方の特性を備えた基
体、特に刃を搭載したシェーバーが開発されていないの
が現状である。
【０００５】従って、本発明は、耐摩耗性、耐食性、摺
動特性の点で優れ、かつ清浄作用を有する基体を提供す
ることにある。
動特性の点で優れ、かつ清浄作用を有する基体を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の高機能被膜形成
基体は、母材の一方の主面に光触媒反応による清浄作用
を持つ被膜が形成され、他方の主面に硬質被膜が形成さ
れていることを特徴とする。
基体は、母材の一方の主面に光触媒反応による清浄作用
を持つ被膜が形成され、他方の主面に硬質被膜が形成さ
れていることを特徴とする。
【０００７】前記硬質被膜が硬質炭素被膜であることを
特徴とする。
特徴とする。
【０００８】母材の一方の主面に光触媒反応による清浄
作用を持つ材料に炭素が混合された被膜が形成され、他
方の主面に硬質炭素被膜が形成されていることを特徴と
する。
作用を持つ材料に炭素が混合された被膜が形成され、他
方の主面に硬質炭素被膜が形成されていることを特徴と
する。
【０００９】前記炭素が前記被膜中で傾斜機能化してい
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【００１０】前記炭素が前記母材側から前記被膜表面側
に向かって減少していることを特徴とする。
に向かって減少していることを特徴とする。
【００１１】前記母材の一方の主面に、光触媒反応によ
る清浄作用を持つ酸化チタン、硫化カドミウム、硫化亜
鉛、ニオブ、酸化第二鉄のうちいずれかを含有する被膜
が形成されたことを特徴とする。
る清浄作用を持つ酸化チタン、硫化カドミウム、硫化亜
鉛、ニオブ、酸化第二鉄のうちいずれかを含有する被膜
が形成されたことを特徴とする。
【００１２】前記母材の一方の主面に形成された被膜と
前記母材との間、又は前記母材の他方の主面に形成され
た硬質炭素被膜と前記母材との間に中間層が形成されて
いることを特徴とする。
前記母材との間、又は前記母材の他方の主面に形成され
た硬質炭素被膜と前記母材との間に中間層が形成されて
いることを特徴とする。
【００１３】前記中間層がSi,Ti,Zr,Ge,Ru,Mo,W或るい
はこれらの混合物、又は、これらの単体或いは混合物の
酸化物、窒化物、もしくは炭化物、或いは硬質炭素被膜
であることを特徴とする。
はこれらの混合物、又は、これらの単体或いは混合物の
酸化物、窒化物、もしくは炭化物、或いは硬質炭素被膜
であることを特徴とする。
【００１４】前記中間層上に形成される被膜原子のうち
少なくとも一種類の原子を前記中間層に混入しており、
その原子が前記中間層において傾斜機能化していること
を特徴とする。
少なくとも一種類の原子を前記中間層に混入しており、
その原子が前記中間層において傾斜機能化していること
を特徴とする。
【００１５】前記中間層上に形成される被膜原子のうち
少なくとも一種類の原子を前記中間層に混入しており、
その原子が前記中間層側から前記被膜側に向かって多く
なっていることを特徴とする。
少なくとも一種類の原子を前記中間層に混入しており、
その原子が前記中間層側から前記被膜側に向かって多く
なっていることを特徴とする。
【００１６】前記母材がNi,Al,Fe,ステンレス系の合
金、或いはTi,Zr,Al,Si,Cr,Hf,Geの元素を有するセラミ
ックスであることを特徴とする。
金、或いはTi,Zr,Al,Si,Cr,Hf,Geの元素を有するセラミ
ックスであることを特徴とする。
【００１７】前記基体が電気シェーバーの外刃であるこ
とを特徴とする。
とを特徴とする。
【００１８】前記硬質被膜がセラミックス被膜であるこ
とを特徴とする。
とを特徴とする。
【００１９】前記セラミックス被膜は金属、或いは半導
体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類の
元素との化合物であることを特徴とする。
体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類の
元素との化合物であることを特徴とする。
【００２０】前記セラミックス被膜に含まれる窒素、酸
素、炭素のうち少なくとも1種類の元素が傾斜機能化し
ていることを特徴とする。
素、炭素のうち少なくとも1種類の元素が傾斜機能化し
ていることを特徴とする。
【００２１】前記セラミックス被膜は金属、或いは半導
体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類を
含むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカルとを
照射することによって形成されることを特徴とする。
体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類を
含むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカルとを
照射することによって形成されることを特徴とする。
【００２２】前記セラミックス被膜はZr、Ti、Al、Cr、H
f、Si、Ge、Fe、B、Mg、Ta、Wと窒素、酸素、炭素のう
ち少なくとも1種類の元素との化合物であることを特徴
とする。
f、Si、Ge、Fe、B、Mg、Ta、Wと窒素、酸素、炭素のう
ち少なくとも1種類の元素との化合物であることを特徴
とする。
【００２３】更に、本発明の高機能被膜形成基体の形成
方法は、母材の一方の主面に光触媒反応による清浄作用
を持つ被膜が形成され、他方の主面にセラミックス被膜
が形成され、該セラミックス被膜は金属、或いは半導体
材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類を含
むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカルとを照
射することによって形成されることを特徴とする。
方法は、母材の一方の主面に光触媒反応による清浄作用
を持つ被膜が形成され、他方の主面にセラミックス被膜
が形成され、該セラミックス被膜は金属、或いは半導体
材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類を含
むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカルとを照
射することによって形成されることを特徴とする。
【００２４】前記セラミックス被膜は金属、或いは半導
体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類を
含むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカルとを
照射して第１被膜層を形成する第１工程と、その第１工
程に続けて金属、或いは半導体材料と、窒素、酸素、炭
素のうち少なくとも1種類を含むガスの分子、又は原子
を供給して第2被膜層を形成する第2工程とからなること
を特徴とする。
体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類を
含むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカルとを
照射して第１被膜層を形成する第１工程と、その第１工
程に続けて金属、或いは半導体材料と、窒素、酸素、炭
素のうち少なくとも1種類を含むガスの分子、又は原子
を供給して第2被膜層を形成する第2工程とからなること
を特徴とする。
【００２５】前記セラミックス被膜は金属、或いは半導
体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類の
元素との化合物であることを特徴とする。
体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類の
元素との化合物であることを特徴とする。
【００２６】前記セラミックス被膜に含まれる窒素、酸
素、炭素のうち少なくとも1種類の元素が傾斜機能化し
ていることを特徴とする。
素、炭素のうち少なくとも1種類の元素が傾斜機能化し
ていることを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１乃至図
５に基づいて説明する。
５に基づいて説明する。
【００２８】尚、本発明の実施の形態における硬質炭素
被膜は、ダイヤモンド被膜、ダイヤモンド構造と非晶質
炭素構造との混合被膜、或るいは非晶質炭素被膜のうち
いずれであっても良い。
被膜は、ダイヤモンド被膜、ダイヤモンド構造と非晶質
炭素構造との混合被膜、或るいは非晶質炭素被膜のうち
いずれであっても良い。
【００２９】また、中間層はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、
Ｒｕ、Ｍｏ、Ｗ或るいはこれらの酸化物、これらの窒化
物、もしくはこれらの炭化物が該当する。
Ｒｕ、Ｍｏ、Ｗ或るいはこれらの酸化物、これらの窒化
物、もしくはこれらの炭化物が該当する。
【００３０】図１は、本発明において、硬質炭素被膜を
形成することができるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の一例
を示す概略断面図である。
形成することができるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の一例
を示す概略断面図である。
【００３１】図１を参照して、真空チャンバ８の内部に
は、プラズマ発生室４と、基体ホルダ９が設置される反
応室が設けられている。プラズマ発生室４には、導波管
２の一端が取り付けられており、導波管２の他端には、
マイクロ波供給手段１が設けられている。
は、プラズマ発生室４と、基体ホルダ９が設置される反
応室が設けられている。プラズマ発生室４には、導波管
２の一端が取り付けられており、導波管２の他端には、
マイクロ波供給手段１が設けられている。
【００３２】マイクロ波供給手段１で発生したマイクロ
波は、導波管２及びマイクロ波導入窓３を通って、プラ
ズマ発生室４に導かれる。プラズマ発生室４には、プラ
ズマ発生室４内にアルゴン（Ａｒ）ガス等の放電ガスを
導入させるための放電ガス導入管５が設けられている。
また、プラズマ発生室４の周囲には、プラズマ磁界発生
装置６が設けられている。
波は、導波管２及びマイクロ波導入窓３を通って、プラ
ズマ発生室４に導かれる。プラズマ発生室４には、プラ
ズマ発生室４内にアルゴン（Ａｒ）ガス等の放電ガスを
導入させるための放電ガス導入管５が設けられている。
また、プラズマ発生室４の周囲には、プラズマ磁界発生
装置６が設けられている。
【００３３】真空チャンバ８内の反応室には、ドラム状
のホルダ９が、図１の紙面に垂直な回転軸のまわりを回
転自在となるように設置されており、ホルダ９には、図
示省略するモータが連結されている。
のホルダ９が、図１の紙面に垂直な回転軸のまわりを回
転自在となるように設置されており、ホルダ９には、図
示省略するモータが連結されている。
【００３４】ホルダ９の外周面には、複数（本実施例で
は２４個）のシェーバー刃の基体が等しい間隔で装着さ
れている。ホルダ９には、高周波電源（図示せず）が接
続されている。
は２４個）のシェーバー刃の基体が等しい間隔で装着さ
れている。ホルダ９には、高周波電源（図示せず）が接
続されている。
【００３５】ホルダ９の周囲には、金属製の筒状のシー
ルドカバー（図示せず）がホルダ９から約５ｍｍの距離
隔てて設けられている。このシールドカバーは、接地電
極に接続されており、このシールドカバーは、被膜を形
成するときに、ホルダ９に印加される高周波（ＲＦ）電
圧によって被膜形成箇所以外のホルダ９と真空チャンバ
８との間の放電が発生するのを防止するために設けられ
ている。
ルドカバー（図示せず）がホルダ９から約５ｍｍの距離
隔てて設けられている。このシールドカバーは、接地電
極に接続されており、このシールドカバーは、被膜を形
成するときに、ホルダ９に印加される高周波（ＲＦ）電
圧によって被膜形成箇所以外のホルダ９と真空チャンバ
８との間の放電が発生するのを防止するために設けられ
ている。
【００３６】シールドカバーには、開口部が形成されて
いる。この開口部を通って、プラズマ発生室４から引き
出されたプラズマが、ホルダ９に装着された基体に放射
されるようになっている。真空チャンバ８内には、反応
ガス導入管１０が設けられている。この反応ガス導入管
１０の先端は、シールドカバーの開口部の斜め上方に位
置する。 ＜実施例１＞図２は、本発明の基体の一例の構造を示し
たものであり、図２（ａ）は、母材の一主面（Ａ）に酸
化チタンを形成し、（一主面とは反対側の）他の主面
（Ｂ）にＳｉ中間層を形成した後、硬質炭素被膜を形成
した基体の例である。
いる。この開口部を通って、プラズマ発生室４から引き
出されたプラズマが、ホルダ９に装着された基体に放射
されるようになっている。真空チャンバ８内には、反応
ガス導入管１０が設けられている。この反応ガス導入管
１０の先端は、シールドカバーの開口部の斜め上方に位
置する。 ＜実施例１＞図２は、本発明の基体の一例の構造を示し
たものであり、図２（ａ）は、母材の一主面（Ａ）に酸
化チタンを形成し、（一主面とは反対側の）他の主面
（Ｂ）にＳｉ中間層を形成した後、硬質炭素被膜を形成
した基体の例である。
【００３７】前述した被膜形成装置を用いてシェーバー
外刃(Ｎｉ電鋳)上に、図２（ａ）に示すような硬質炭素
被膜を形成すると共に、その硬質炭素被膜を形成した面
とは反対側の主面に酸化チタンを形成する実施例につい
て以下具体的に説明する。
外刃(Ｎｉ電鋳)上に、図２（ａ）に示すような硬質炭素
被膜を形成すると共に、その硬質炭素被膜を形成した面
とは反対側の主面に酸化チタンを形成する実施例につい
て以下具体的に説明する。
【００３８】まず、シェーバー外刃の裏面に中間層を形
成し、その後、硬質炭素被膜を形成する実施例について
述べる。
成し、その後、硬質炭素被膜を形成する実施例について
述べる。
【００３９】最初に、真空チャンバ８内を１０-5〜１０
-7Ｔｏｒｒに排気して、ホルダ９を約１０ｒｐｍの速度
で回転させる。
-7Ｔｏｒｒに排気して、ホルダ９を約１０ｒｐｍの速度
で回転させる。
【００４０】中間層は、ターゲット７にＳｉターゲット
を設置し、ホルダ９とターゲット７間に高周波電力を印
加し、プラズマ中のイオンの衝突によるターゲット７の
スパッタを行うマグネトロンスパッタ法により約３０ｎ
ｍの膜厚で形成した。
を設置し、ホルダ９とターゲット７間に高周波電力を印
加し、プラズマ中のイオンの衝突によるターゲット７の
スパッタを行うマグネトロンスパッタ法により約３０ｎ
ｍの膜厚で形成した。
【００４１】次に、放電ガス導入管５からＡｒガスを
５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給すると共に、マイクロ波
供給手段１から２．４５ＧＨｚ、１００Ｗのマイクロ波
を供給して、プラズマ発生室４内に形成されたＡｒプラ
ズマをシェーバー外刃の表面に放射する。
５．７×１０-4Ｔｏｒｒで供給すると共に、マイクロ波
供給手段１から２．４５ＧＨｚ、１００Ｗのマイクロ波
を供給して、プラズマ発生室４内に形成されたＡｒプラ
ズマをシェーバー外刃の表面に放射する。
【００４２】これと同時に、反応ガス管１０からＣＨ4
ガスを１．３×１０-3Ｔｏｒｒで供給しながら、高周波
電源から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力をホルダ９に印加
する。
ガスを１．３×１０-3Ｔｏｒｒで供給しながら、高周波
電源から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力をホルダ９に印加
する。
【００４３】以上の工程により、シェーバー外刃上に、
膜厚２１０ｎｍの硬質炭素被膜を形成した。
膜厚２１０ｎｍの硬質炭素被膜を形成した。
【００４４】更に、シェーバー外刃の表裏を反対にして
ホルダ９に設置し、シェーバー外刃上にマグネトロンス
パッタ法により酸化チタンを形成した。この時、ターゲ
ット７はＳｉからＴｉに変更し、また、チャンバー内に
は１．０×１０-3Ｔｏｒｒの酸素を導入し、酸化チタン
を形成した。
ホルダ９に設置し、シェーバー外刃上にマグネトロンス
パッタ法により酸化チタンを形成した。この時、ターゲ
ット７はＳｉからＴｉに変更し、また、チャンバー内に
は１．０×１０-3Ｔｏｒｒの酸素を導入し、酸化チタン
を形成した。
【００４５】なお、この酸化チタンの硬度は１,０００
ビッカースであり、保護特性に優れた膜であることが分
かった。また、膜は透明であり、膜厚を変化させ、光の
干渉を利用することにより、様々な色調の変化も可能で
あることも分かった。
ビッカースであり、保護特性に優れた膜であることが分
かった。また、膜は透明であり、膜厚を変化させ、光の
干渉を利用することにより、様々な色調の変化も可能で
あることも分かった。
【００４６】ところで、酸化チタンについては、既に光
触媒作用による清浄（抗菌）作用があることは見出され
ている。酸化チタンは、そのバンドギャップが３．２ｅ
Ｖであり、波長３８０ｎｍ以下の紫外線で励起され、内
部に電子、正孔対が生成される。酸化チタン表面で吸着
物質と電子による反応と正孔による反応が起こり、酸化
チタンは、正孔の持つ強い酸化力により、吸着物質を分
解する、所謂光触媒反応に優れている。
触媒作用による清浄（抗菌）作用があることは見出され
ている。酸化チタンは、そのバンドギャップが３．２ｅ
Ｖであり、波長３８０ｎｍ以下の紫外線で励起され、内
部に電子、正孔対が生成される。酸化チタン表面で吸着
物質と電子による反応と正孔による反応が起こり、酸化
チタンは、正孔の持つ強い酸化力により、吸着物質を分
解する、所謂光触媒反応に優れている。
【００４７】従って、酸化チタンを形成した基体は既
に、清浄（抗菌）作用を有する基体となっている。例え
ば、シェーバーなどの応用では、光触媒効果、清浄効果
が果たす役割は大きいと考えられる。
に、清浄（抗菌）作用を有する基体となっている。例え
ば、シェーバーなどの応用では、光触媒効果、清浄効果
が果たす役割は大きいと考えられる。
【００４８】なお、この酸化チタンの形成については、
前述の実施例では、酸素分圧を１．０×１０-3Ｔｏｒｒ
としたが、より大きい分圧とすると酸化チタンの構造は
より疎となり、表面積を大きくすることができ、反応性
を高めることが可能である。
前述の実施例では、酸素分圧を１．０×１０-3Ｔｏｒｒ
としたが、より大きい分圧とすると酸化チタンの構造は
より疎となり、表面積を大きくすることができ、反応性
を高めることが可能である。
【００４９】また、中間層材料については、ターゲット
材料をＳｉからＴｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｗに取
り替えることによってＳｉと同様な作用効果をもたらす
ことが可能である。
材料をＳｉからＴｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｗに取
り替えることによってＳｉと同様な作用効果をもたらす
ことが可能である。
【００５０】更に、窒素、酸素、炭素を含むガスを導入
することにより、それらの窒化物、酸化物、炭化物にす
ることが可能である。
することにより、それらの窒化物、酸化物、炭化物にす
ることが可能である。
【００５１】本発明では、このような清浄（抗菌）作用
を持つ基体に対して、摺動特性が優れた基体を提供する
ことをその一つの目的としている。
を持つ基体に対して、摺動特性が優れた基体を提供する
ことをその一つの目的としている。
【００５２】従って、硬質炭素被膜を形成した基体の裏
面の硬度を測定し、その結果、本基体の裏面の硬度は約
３,０００ビッカースであり、硬質炭素被膜を形成して
いないものに比べて約６倍の高硬度化が実現できている
ことが分かった。
面の硬度を測定し、その結果、本基体の裏面の硬度は約
３,０００ビッカースであり、硬質炭素被膜を形成して
いないものに比べて約６倍の高硬度化が実現できている
ことが分かった。
【００５３】更に、ビッカース圧子による押し込み試験
(１ｋｇ)でも剥離はなく、密着性においても優れている
ことを確認している。
(１ｋｇ)でも剥離はなく、密着性においても優れている
ことを確認している。
【００５４】また、硬質炭素被膜を形成した基体と形成
していない基体とにおいて、アルミナボールを用いた摺
動試験を行った結果、硬質炭素被膜を形成した基体で
は、荷重１０ｇで約３,０００回の摺動でも全くその表
面には傷などが見られないのに対し、未コーティングの
基体では、摩耗痕が見られ、硬質炭素被膜を形成するこ
とにより、明らかに耐摩耗性が向上することが分かっ
た。
していない基体とにおいて、アルミナボールを用いた摺
動試験を行った結果、硬質炭素被膜を形成した基体で
は、荷重１０ｇで約３,０００回の摺動でも全くその表
面には傷などが見られないのに対し、未コーティングの
基体では、摩耗痕が見られ、硬質炭素被膜を形成するこ
とにより、明らかに耐摩耗性が向上することが分かっ
た。
【００５５】更に、前述のシェーバー外刃の代わりにＳ
ｉ基体を用いて、膜厚２５０ｎｍの硬質炭素系被膜を形
成し、アルミナボールを用いた摩耗試験（荷重：２００
ｇ）を行い、摩耗深さにより摩耗特性を評価し、図３に
その結果を示す。
ｉ基体を用いて、膜厚２５０ｎｍの硬質炭素系被膜を形
成し、アルミナボールを用いた摩耗試験（荷重：２００
ｇ）を行い、摩耗深さにより摩耗特性を評価し、図３に
その結果を示す。
【００５６】尚、この時、基体に印加する基体バイアス
電圧を０から−１５０Ｖまで変化させて硬質炭素被膜を
形成した。
電圧を０から−１５０Ｖまで変化させて硬質炭素被膜を
形成した。
【００５７】バイアス電圧を印加しない場合には、硬質
炭素被膜の摩耗により、下地Ｓｉが露出したのに対し、
バイアス電圧を印加した場合には、摩耗深さは数十ｎｍ
以下と摩耗特性は飛躍的に向上していることが分かる。
炭素被膜の摩耗により、下地Ｓｉが露出したのに対し、
バイアス電圧を印加した場合には、摩耗深さは数十ｎｍ
以下と摩耗特性は飛躍的に向上していることが分かる。
【００５８】以上のように、本発明により、その表面に
抗菌特性を持ち、かつ裏面には優れた耐摩耗性を同時に
有する基体が実現できていることが分かる。
抗菌特性を持ち、かつ裏面には優れた耐摩耗性を同時に
有する基体が実現できていることが分かる。
【００５９】尚、清浄（抗菌）作用を有する酸化チタン
以外に、硫化カドミウム、硫化亜鉛、ニオブ、酸化第二
鉄のうちいずれかを含有する被膜を形成しても、酸化チ
タンと同様な効果を奏すると考えられる。 ＜実施例２＞次に、表面がより高硬度となるように、酸
化チタン中に炭素が添加されている基体の形成例を図２
（ｂ）に示す。図２（ｂ）は、母材の一主面（Ａ）に炭
素原子が添加された酸化チタンを形成し、（一主面とは
反対側の）他の主面（Ｂ）にＳｉ中間層を形成した後、
硬質炭素被膜を形成した基体の例である。
以外に、硫化カドミウム、硫化亜鉛、ニオブ、酸化第二
鉄のうちいずれかを含有する被膜を形成しても、酸化チ
タンと同様な効果を奏すると考えられる。 ＜実施例２＞次に、表面がより高硬度となるように、酸
化チタン中に炭素が添加されている基体の形成例を図２
（ｂ）に示す。図２（ｂ）は、母材の一主面（Ａ）に炭
素原子が添加された酸化チタンを形成し、（一主面とは
反対側の）他の主面（Ｂ）にＳｉ中間層を形成した後、
硬質炭素被膜を形成した基体の例である。
【００６０】この時、プロセス中の例えばメタンガス
（ＣＨ4）の流量を減少させることにより、酸化チタン
中の炭素を母材側から被膜表面側に向かって減少させた
傾斜機能構造を有する基体を作製することが可能とな
る。
（ＣＨ4）の流量を減少させることにより、酸化チタン
中の炭素を母材側から被膜表面側に向かって減少させた
傾斜機能構造を有する基体を作製することが可能とな
る。
【００６１】母材の裏面の硬質炭素被膜形成について
は、前述の実施例１と同様である。母材の表面に関して
は、シェーバー外刃の表裏を反対にしてホルダに設置
し、放電ガス導入管５からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔ
ｏｒｒで供給すると共に、マイクロ波供給手段１から
２．４５ＧＨｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プ
ラズマ発生室４内に形成されたＡｒプラズマをシェーバ
ー外刃の表面に放射する。
は、前述の実施例１と同様である。母材の表面に関して
は、シェーバー外刃の表裏を反対にしてホルダに設置
し、放電ガス導入管５からＡｒガスを５．７×１０-4Ｔ
ｏｒｒで供給すると共に、マイクロ波供給手段１から
２．４５ＧＨｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プ
ラズマ発生室４内に形成されたＡｒプラズマをシェーバ
ー外刃の表面に放射する。
【００６２】これと同時に、反応ガス管１０からＣＨ4
ガスを１．３×１０-3Ｔｏｒｒ、酸素を１．０×１０-3
Ｔｏｒｒ供給しながら、高周波電源から１３．５６ＭＨ
ｚのＲＦ電力をホルダ９に印加する。これと同時にマグ
ネトロンスパッタ法により、Ｔｉのスパッタを行い、基
体上にＴｉを供給する。
ガスを１．３×１０-3Ｔｏｒｒ、酸素を１．０×１０-3
Ｔｏｒｒ供給しながら、高周波電源から１３．５６ＭＨ
ｚのＲＦ電力をホルダ９に印加する。これと同時にマグ
ネトロンスパッタ法により、Ｔｉのスパッタを行い、基
体上にＴｉを供給する。
【００６３】以上の工程により、シェーバー外刃表面上
に、炭素を含有した酸化チタン被膜を形成した。この
時、プロセスが進行するに従い、供給するＣＨ4ガスを
減少させていくと、母材側から被膜表面側に向かって、
炭素の濃度が減少した、いわゆる傾斜機能化した被膜を
形成することができる。 ＜実施例３＞実施例３では、基体として髭（ひげ）を導
入する開口部を有するシェーバー外刃に炭素を含有した
酸化チタン及び硬質炭素被膜の形成について図４に従っ
て述べる。図４は、基体ホルダへのシェーバー外刃の取
り付け例を示す。
に、炭素を含有した酸化チタン被膜を形成した。この
時、プロセスが進行するに従い、供給するＣＨ4ガスを
減少させていくと、母材側から被膜表面側に向かって、
炭素の濃度が減少した、いわゆる傾斜機能化した被膜を
形成することができる。 ＜実施例３＞実施例３では、基体として髭（ひげ）を導
入する開口部を有するシェーバー外刃に炭素を含有した
酸化チタン及び硬質炭素被膜の形成について図４に従っ
て述べる。図４は、基体ホルダへのシェーバー外刃の取
り付け例を示す。
【００６４】シェーバー外刃２０は、髭（ひげ）を導入
する開口部２１が存在する。この開口部を利用して、酸
化チタン形成面２２と反対側の面２３の硬質炭素被膜形
成を先に行うが、この際、基体ホルダ２４とシェーバー
外刃２０とをあらかじめ浮かせておき、酸化チタン形成
面にも炭素を回り込ませておく。
する開口部２１が存在する。この開口部を利用して、酸
化チタン形成面２２と反対側の面２３の硬質炭素被膜形
成を先に行うが、この際、基体ホルダ２４とシェーバー
外刃２０とをあらかじめ浮かせておき、酸化チタン形成
面にも炭素を回り込ませておく。
【００６５】その後、酸化チタンをマグネトロンスパッ
タ法により、基体バイアス電圧-100Vで形成すると、Ｔ
ｉのイオンが運動エネルギーを持ち、酸化チタンに炭素
が混合した層が形成される。
タ法により、基体バイアス電圧-100Vで形成すると、Ｔ
ｉのイオンが運動エネルギーを持ち、酸化チタンに炭素
が混合した層が形成される。
【００６６】これによって、最表面では酸化チタンのみ
であるので、清浄（抗菌）作用は失われることなく、炭
素の含有により、酸化チタンのみの被膜に比べてより高
硬度な被膜の形成が可能となり、この面でも優れた保護
特性を有する基体の作製が可能となる。
であるので、清浄（抗菌）作用は失われることなく、炭
素の含有により、酸化チタンのみの被膜に比べてより高
硬度な被膜の形成が可能となり、この面でも優れた保護
特性を有する基体の作製が可能となる。
【００６７】なお、この基体の反対側の硬質炭素被膜に
ついては前述と同様の特性を持つことを確認している。
ついては前述と同様の特性を持つことを確認している。
【００６８】また、このような母材に開口部が存在する
と、この開口部を通して酸化チタン表面のみならず、母
材裏面（酸化チタンが形成されている面と反対側の面）
からも光が酸化チタンに入射するため、より光触媒効
果、清浄効果が高められる。
と、この開口部を通して酸化チタン表面のみならず、母
材裏面（酸化チタンが形成されている面と反対側の面）
からも光が酸化チタンに入射するため、より光触媒効
果、清浄効果が高められる。
【００６９】更に、内刃への硬質炭素被膜形成、或いは
酸化チタン被膜形成も前述と同様の方法で可能である。
さらに、内刃に開口部を設けて同様の効果が存在するこ
とを確認している。 ＜実施例４＞実施例４では、実施例１、２における酸化
チタンが形成された面とは反対側の面に窒化ジルコニウ
ム（ZrN）被膜を形成する形成方法について図面を用い
て説明する。
酸化チタン被膜形成も前述と同様の方法で可能である。
さらに、内刃に開口部を設けて同様の効果が存在するこ
とを確認している。 ＜実施例４＞実施例４では、実施例１、２における酸化
チタンが形成された面とは反対側の面に窒化ジルコニウ
ム（ZrN）被膜を形成する形成方法について図面を用い
て説明する。
【００７０】図５は窒化ジルコニウムの被膜を形成する
ための真空チャンバ及びイオン注入装置を示し、１１は
１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに排気される真空チャンバ、１
２は該真空チャンバ１１内に配置され、図５の矢印方向
に１０〜２０ｒｐｍの速度で回転可能にされたホルダ
ー、１３はシェーバー外刃、１４は電子ビームによって
ジルコニウム（Zr）原子を蒸発させ、シェーバー外刃１
３に向けて放射する蒸発源、１５はシェーバー外刃１３
の方向に窒素イオン（Ｎイオン）を放射するか、或いは
窒素ガス（Ｎ2）を供給するかのいずれかを行うことが
できるアシストイオンガンである。
ための真空チャンバ及びイオン注入装置を示し、１１は
１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに排気される真空チャンバ、１
２は該真空チャンバ１１内に配置され、図５の矢印方向
に１０〜２０ｒｐｍの速度で回転可能にされたホルダ
ー、１３はシェーバー外刃、１４は電子ビームによって
ジルコニウム（Zr）原子を蒸発させ、シェーバー外刃１
３に向けて放射する蒸発源、１５はシェーバー外刃１３
の方向に窒素イオン（Ｎイオン）を放射するか、或いは
窒素ガス（Ｎ2）を供給するかのいずれかを行うことが
できるアシストイオンガンである。
【００７１】次に前述の装置を用いてシェーバー外刃１
３の表面にZrN被膜を形成する方法について説明する。
３の表面にZrN被膜を形成する方法について説明する。
【００７２】まず、真空チャンバ１１内を１０-5〜１０
-7Ｔｏｒｒに排気し、アシストイオンガン１５にN2ガス
を供給し、Ｎイオンを取り出して、これをシェーバー外
刃１３の表面に照射する。この時のＮイオンの加速電圧
は、７００ｅＶ、イオン電流密度は０．３８mA/cm2に設
定した。
-7Ｔｏｒｒに排気し、アシストイオンガン１５にN2ガス
を供給し、Ｎイオンを取り出して、これをシェーバー外
刃１３の表面に照射する。この時のＮイオンの加速電圧
は、７００ｅＶ、イオン電流密度は０．３８mA/cm2に設
定した。
【００７３】一方、Ｎイオンの照射と同時に蒸発源１４
を駆動し、Zr原子を蒸発させてシェーバー外刃１３の表
面に放射する。この時のZrの蒸発速度はシェーバー外刃
１３上での成膜速度に換算して６５０Å/min.に設定し
た。
を駆動し、Zr原子を蒸発させてシェーバー外刃１３の表
面に放射する。この時のZrの蒸発速度はシェーバー外刃
１３上での成膜速度に換算して６５０Å/min.に設定し
た。
【００７４】以上の工程を３０秒から１分程度行い、シ
ェーバー外刃１３の表面に膜厚２５０Å〜５００ÅのZr
Nの第１被膜層を形成した。
ェーバー外刃１３の表面に膜厚２５０Å〜５００ÅのZr
Nの第１被膜層を形成した。
【００７５】次にＮイオンの照射を止めて、イオンガン
１５よりイオン化されていないＮ2ガスをチャンバ１１
内に供給すると共に、このＮ2雰囲気中で蒸発源１４よ
りZrN原子をシェーバー外刃１３上の第１被膜層表面に
向かって放射した。この時のZrの蒸発速度は第１被膜層
表面での成膜速度に換算して６５０Å/min.に設定し
た。
１５よりイオン化されていないＮ2ガスをチャンバ１１
内に供給すると共に、このＮ2雰囲気中で蒸発源１４よ
りZrN原子をシェーバー外刃１３上の第１被膜層表面に
向かって放射した。この時のZrの蒸発速度は第１被膜層
表面での成膜速度に換算して６５０Å/min.に設定し
た。
【００７６】以上の工程を４分から４分３０秒程度行
い、ZrNの第１被膜層表面に、膜厚２６５０Å〜２９０
０Åを有するZrNの第２被膜層を形成した。以上の工程
の結果、シェーバー外刃１３の表面に膜厚２９００〜３
４００ÅのZrN被膜が形成されることになる。
い、ZrNの第１被膜層表面に、膜厚２６５０Å〜２９０
０Åを有するZrNの第２被膜層を形成した。以上の工程
の結果、シェーバー外刃１３の表面に膜厚２９００〜３
４００ÅのZrN被膜が形成されることになる。
【００７７】このZrN被膜の硬度は、１６００ビッカー
スであり、ビッカース圧子による押し込み試験（１ｋ
ｇ）でも剥離はなく、密着性においても優れていること
を確認している。また、硬質炭素被膜と同様に摺動試験
を行った。荷重１０ｇで３０００回の摺動でも表面の状
態には変化がなく、大幅に寿命が向上したことを確認し
た。
スであり、ビッカース圧子による押し込み試験（１ｋ
ｇ）でも剥離はなく、密着性においても優れていること
を確認している。また、硬質炭素被膜と同様に摺動試験
を行った。荷重１０ｇで３０００回の摺動でも表面の状
態には変化がなく、大幅に寿命が向上したことを確認し
た。
【００７８】また、本実施例では、二つの工程から被膜
形成方法を述べているが、ZrN形成は必ずしも本方法に
限定されるものではなく、第１工程の方法、即ち膜形成
中終始窒素イオンを照射する方法だけでも、ビッカース
圧子による押し込み試験（１ｋｇ）で剥離はなく、密着
性においても優れていることを確認している。 ＜実施例５＞Zrの蒸着とNイオン照射を同時に行って、Z
rN被膜を形成する際に、Zrの蒸着速度は、シェーバー外
刃１３上での成膜速度に換算して６５０Å/min.に設定
し、Nイオンの加速電圧は７００ｅＶに設定した。但
し、イオン電流密度は当初０．６mA/cm2とし、２分間で
０．３８mA/cm2で一定とし、合計５分間のプロセスで約
３１５０ÅのZrN被膜を形成した。
形成方法を述べているが、ZrN形成は必ずしも本方法に
限定されるものではなく、第１工程の方法、即ち膜形成
中終始窒素イオンを照射する方法だけでも、ビッカース
圧子による押し込み試験（１ｋｇ）で剥離はなく、密着
性においても優れていることを確認している。 ＜実施例５＞Zrの蒸着とNイオン照射を同時に行って、Z
rN被膜を形成する際に、Zrの蒸着速度は、シェーバー外
刃１３上での成膜速度に換算して６５０Å/min.に設定
し、Nイオンの加速電圧は７００ｅＶに設定した。但
し、イオン電流密度は当初０．６mA/cm2とし、２分間で
０．３８mA/cm2で一定とし、合計５分間のプロセスで約
３１５０ÅのZrN被膜を形成した。
【００７９】このようにして形成したZrN被膜の膜中窒
素量をSIMSで測定した結果、母材からZrN被膜表面側に
向かって減少し、その後、一定となっていることが分か
った。
素量をSIMSで測定した結果、母材からZrN被膜表面側に
向かって減少し、その後、一定となっていることが分か
った。
【００８０】この被膜については、密着性、摺動試験を
行った結果、優れていることが分かった。
行った結果、優れていることが分かった。
【００８１】また、同様の高硬度のZrN被膜は、イオン
のみならず、Ｎラジカルを用いても形成できることは実
験において確認している。
のみならず、Ｎラジカルを用いても形成できることは実
験において確認している。
【００８２】更に、本実施例では、ZrN被膜について述
べたが、本実施例の膜としては、Zr以外にセラミック
ス、Ti、Hf、Cr、Fe、B、Al、Si、Ge、Mg、Ta、Wの窒化
物、或いは酸化物、炭化物でもZrN被膜の効果と同様の
効果を発揮することを確認済である。
べたが、本実施例の膜としては、Zr以外にセラミック
ス、Ti、Hf、Cr、Fe、B、Al、Si、Ge、Mg、Ta、Wの窒化
物、或いは酸化物、炭化物でもZrN被膜の効果と同様の
効果を発揮することを確認済である。
【００８３】また、この場合も母材に開口部が存在する
と、炭素系被膜と同様に両面からの光の入射が可能とな
り、光触媒効果、清浄効果が高められる。
と、炭素系被膜と同様に両面からの光の入射が可能とな
り、光触媒効果、清浄効果が高められる。
【００８４】尚、本実施例は例えばシェーバーであれ
ば、外刃のみならず内刃でも適用が可能であり、更にコ
ンプレッサ、印刷用マスク、スキージ、薄膜磁気ヘッド
等の摺動部材、更には太陽電池、半導体装置に対して本
発明を適用することが可能である。
ば、外刃のみならず内刃でも適用が可能であり、更にコ
ンプレッサ、印刷用マスク、スキージ、薄膜磁気ヘッド
等の摺動部材、更には太陽電池、半導体装置に対して本
発明を適用することが可能である。
【００８５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、耐摩耗性、耐食性、摺動特性の点で優れ、かつ
清浄作用を有する基体を提供することができる。
よれば、耐摩耗性、耐食性、摺動特性の点で優れ、かつ
清浄作用を有する基体を提供することができる。
【図１】硬質炭素被膜を形成することができるＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面図である。
ラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）は、母材の一主面に酸化チタンを形
成し、（一主面とは反対側の）他の主面にＳｉ中間層を
形成した後、硬質炭素被膜を形成した基体を示し、一方
図２（ｂ）は、母材の一主面に炭素原子が添加された酸
化チタンを形成し、（一主面とは反対側の）他の主面に
Ｓｉ中間層を形成した後、硬質炭素被膜を形成した基体
を示す。
成し、（一主面とは反対側の）他の主面にＳｉ中間層を
形成した後、硬質炭素被膜を形成した基体を示し、一方
図２（ｂ）は、母材の一主面に炭素原子が添加された酸
化チタンを形成し、（一主面とは反対側の）他の主面に
Ｓｉ中間層を形成した後、硬質炭素被膜を形成した基体
を示す。
【図３】アルミナボールを用いた摩耗試験（荷重：２０
０ｇ）を行い、摩耗深さにより摩耗特性を評価した結果
である。
０ｇ）を行い、摩耗深さにより摩耗特性を評価した結果
である。
【図４】母材に開口部が存在するシェーバー外刃を基体
ホルダに取り付ける一例を示す概略断面図である。
ホルダに取り付ける一例を示す概略断面図である。
【図５】窒化ジルコニウムの被膜を形成するための真空
チャンバ及びイオン注入装置を示したものである。
チャンバ及びイオン注入装置を示したものである。
１ …マイクロ波供給手段 ２ …導波管 ３ …マイクロ波導入窓 ４ …プラズマ発生室 ５ …放電ガス導入管 ６ …プラズマ磁界発生装置 ７ …ターゲット ８ …真空チャンバ ９ …ホルダ １０…反応ガス導入管 ２０…シェーバー外刃 ２１…開口部 ２２…酸化チタン形成面 ２３…酸化チタン形成面と反対側の面 ２４…基体ホルダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 16/26 Ｃ２３Ｃ 16/26 Ｚ Ｆ１６Ｃ 33/12 Ｆ１６Ｃ 33/12 Ｚ 33/16 33/16 33/24 33/24 Ａ // Ｃ２３Ｃ 16/517 Ｃ２３Ｃ 16/50 Ｈ (72)発明者 蔵本 慶一 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 樽井 久樹 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (21)
- 【請求項１】 母材の一方の主面に光触媒反応による清
浄作用を持つ被膜が形成され、他方の主面に硬質被膜が
形成されていることを特徴とする高機能被膜形成基体。 - 【請求項２】 前記硬質被膜が硬質炭素被膜であること
を特徴とする請求項１記載の高機能被膜形成基体。 - 【請求項３】 母材の一方の主面に光触媒反応による清
浄作用を持つ材料に炭素が混合された被膜が形成され、
他方の主面に硬質炭素被膜が形成されていることを特徴
とする高機能被膜形成基体。 - 【請求項４】 前記炭素が前記被膜中で傾斜機能化して
いることを特徴とする請求項３記載の高機能被膜形成基
体。 - 【請求項５】 前記炭素が前記母材側から前記被膜表面
側に向かって減少していることを特徴とする請求項４記
載の高機能被膜形成基体。 - 【請求項６】 前記母材の一方の主面に、光触媒反応に
よる清浄作用を持つ酸化チタン、硫化カドミウム、硫化
亜鉛、ニオブ、酸化第二鉄のうちいずれかを含有する被
膜が形成されたことを特徴とする請求項４、又は請求項
５のうちいずれかに記載の高機能被膜形成基体。 - 【請求項７】 前記母材の一方の主面に形成された被膜
と前記母材との間、又は前記母材の他方の主面に形成さ
れた硬質炭素被膜と前記母材との間に中間層が形成され
ていることを特徴とする請求項２、請求項４乃至請求項
６のうちいずれかに記載の高機能被膜形成基体。 - 【請求項８】 前記中間層がSi,Ti,Zr,Ge,Ru,Mo,W或る
いはこれらの混合物、又は、これらの単体或いは混合物
の酸化物、窒化物、もしくは炭化物、或いは硬質炭素被
膜であることを特徴とする請求項７記載の高機能被膜形
成基体。 - 【請求項９】 前記中間層上に形成される被膜原子のう
ち少なくとも一種類の原子を前記中間層に混入してお
り、その原子が前記中間層において傾斜機能化している
ことを特徴とする請求項７、又は請求項８のうちいずれ
かに記載の高機能被膜形成基体。 - 【請求項１０】 前記中間層上に形成される被膜原子の
うち少なくとも一種類の原子を前記中間層に混入してお
り、その原子が前記中間層側から前記被膜側に向かって
多くなっていることを特徴とする請求項９記載の高機能
被膜形成基体。 - 【請求項１１】 前記母材がNi,Al,Fe,ステンレス系の
合金、或いはTi,Zr,Al,Si,Cr,Hf,Geの元素を有するセラ
ミックスであることを特徴とする請求項２、請求項４乃
至請求項１０のうちいずれかに記載の高機能被膜形成基
体。 - 【請求項１２】 前記基体が電気シェーバーの外刃であ
ることを特徴とする請求項１、又は請求項３のうちいず
れかに記載の高機能被膜形成基体。 - 【請求項１３】 前記硬質被膜がセラミックス被膜であ
ることを特徴とする請求項１記載の高機能被膜形成基
体。 - 【請求項１４】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種
類の元素との化合物であることを特徴とする請求項１３
記載の高機能被膜形成基体。 - 【請求項１５】 前記セラミックス被膜に含まれる窒
素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類の元素が傾斜機
能化していることを特徴とする請求項１４記載の高機能
被膜形成基体。 - 【請求項１６】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種
類を含むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカル
とを照射することによって形成されることを特徴とする
請求項１４、又は請求項１５のうちいずれかに記載の高
機能被膜形成基体。 - 【請求項１７】 前記セラミックス被膜はZr、Ti、Al、C
r、Hf、Si、Ge、Fe、B、Mg、Ta、Wと窒素、酸素、炭素
のうち少なくとも1種類の元素との化合物であることを
特徴とする請求項１３乃至請求項１６のうちいずれかに
記載の高機能被膜形成基体。 - 【請求項１８】 母材の一方の主面に光触媒反応による
清浄作用を持つ被膜が形成され、他方の主面にセラミッ
クス被膜が形成され、該セラミックス被膜は金属、或い
は半導体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1
種類を含むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカ
ルとを照射することによって形成されることを特徴とす
る高機能被膜形成基体の形成方法。 - 【請求項１９】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種
類を含むガスの分子、原子、又はイオン或いはラジカル
とを照射して第１被膜層を形成する第１工程と、その第
１工程に続けて金属、或いは半導体材料と、窒素、酸
素、炭素のうち少なくとも1種類を含むガスの分子、又
は原子を供給して第2被膜層を形成する第2工程とからな
ることを特徴とする請求項１８記載の高機能被膜形成基
体の形成方法。 - 【請求項２０】 前記セラミックス被膜は金属、或いは
半導体材料と、窒素、酸素、炭素のうち少なくとも1種
類の元素との化合物であることを特徴とする請求項１
８、１９のうちいずれかに記載の高機能被膜形成基体の
形成方法。 - 【請求項２１】 前記セラミックス被膜に含まれる窒
素、酸素、炭素のうち少なくとも1種類の元素が傾斜機
能化していることを特徴とする請求項１８記載の高機能
被膜形成基体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26538998A JP3695953B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 被膜形成基体、及び該基体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP26538998A JP3695953B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 被膜形成基体、及び該基体の形成方法 |
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|---|---|
| JP2000094564A true JP2000094564A (ja) | 2000-04-04 |
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ID=17416508
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP26538998A Expired - Lifetime JP3695953B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 被膜形成基体、及び該基体の形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001340672A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-11 | Kaijirushi Hamono Kaihatsu Center:Kk | 刃部材及びその刃先の製造方法 |
| WO2002098619A1 (en) * | 2001-05-28 | 2002-12-12 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Razor blade |
| JP2006241487A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 鉄鋼製品及びその製造方法 |
| JP2006241488A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 非鉄金属製品及びその製造方法 |
| JP2006243081A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 表示材 |
| CN117127142A (zh) * | 2023-10-08 | 2023-11-28 | 鑫钏五金制品(深圳)有限公司 | 一种抗菌硬质不锈钢刀具及其加工工艺 |
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|---|---|---|---|---|
| JP5879180B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-03-08 | 日立マクセル株式会社 | 電気かみそり |
-
1998
- 1998-09-18 JP JP26538998A patent/JP3695953B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7124511B2 (en) | 2001-05-28 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Razor blade |
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