JP2000091372A - 電子部品及びそのワイヤボンディングに使用するキャピラリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードフレーム等との接合力を高く維持して
断線のないワイヤボンディング構造及びこのワイヤボン
ディングのための好適なキャピラリの提供。 【解決手段】 ワイヤ５をリード３の表面にウェッジボ
ンディングするに際して、先端のエッジ６ｂの周りに曲
面状の第１圧下面６ｃとその周りに環状に形成された第
２圧下面６ｄを備えたキャピラリ６を用いて、ワイヤ５
の先端にウェッジ５ａを形成するとともに、このウェッ
ジ５ａに連なる部分をリード３の表面に漸近させたり接
合させたりし、更に圧下量を大きくして偏平部５ｂを形
成してリード３表面への接合力を強くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば半導体発
光素子をリードフレームにワイヤボンディングして樹脂
封止した発光装置等の電子部品に係り、特にボンディン
グされるワイヤの剥離や断線を防ぐワイヤボンディング
構造及びこのワイヤボンディングに使用するキャピラリ
に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば半導体発光素子を用いた発光ダ
イオードの分野では、リードフレームやプリント配線基
板に発光素子を実装する工程において、電気的導通のた
めにＡｕ線等を利用したワイヤボンディングが行なわれ
る。この工程では、発光素子の上面に電極がある場合で
は、電極及び半導体層へのダメージを抑えるため、電極
の表面にワイヤを付着させて小さな塊として電極に接合
するボールボンディングが行なわれる。そして、リード
フレーム側では、リードフレームの表面にワイヤを押し
つけながらカットするウェッジボンディングとすること
が通常である。

【０００３】ウェッジボンディングでは、リードフレー
ムの表面に対してワイヤが斜めに入射するので、ボンデ
ィング後にはリードフレームの表面とワイヤとの間に楔
状の隙間ができてしまう。このため、発光素子及びリー
ドフレームのボンディングエリアを含めて樹脂封止した
とき、内部に残っている水分がリフロー等の工程中で加
熱されて封止樹脂中で水蒸気となって膨張し、この膨張
によってワイヤがリードフレームから剥離してしまうこ
とがある。

【０００４】また、このような封止樹脂の膨張だけでな
く、封止樹脂を型成形するときには高温の溶融樹脂が注
入され常温中で冷却されるので、溶融樹脂が冷却硬化す
るときの熱応力及びこれに基づく内部応力の変化によっ
てワイヤに引張りが作用する。更に、使用環境の温度変
化によっても、封止樹脂の応力は様々に変動して、同様
にワイヤに引張りを作用させる。したがって、この引張
りによって、ワイヤ自身が破断したり、ボンディング面
からの剥離と破断とが同時に起きたりする。

【０００５】これに対し、たとえば特開平８−２９３５
１２号公報に記載のように、ワイヤをリードフレームの
表面と平行に密着させるようにし、ワイヤとその接合面
との間に樹脂を入り込ませないようにし、樹脂の膨張に
よる剥離を防止するようにしたものがある。

【０００６】このワイヤボンディングは、図４の（ａ）
に示すように素子５１にボールボンディングしたワイヤ
５３をリードフレーム５２にウェッジボンディングする
ため、ワイヤ５３を供給するキャピラリ５４をリードフ
レーム５２の表面に沿わせて図中の矢印方向に移動させ
るというものである。これにより、図４の（ｂ）に示す
ように、リードフレーム５２の表面との間に隙間を持た
せることなくワイヤ５３をボンディングできる。

【０００７】また、先の公報では、このようなキャピラ
リ５４の操作に代えて、リードフレーム５２へのボンデ
ィングの直後に金属平板（図示せず）を押し当て、リー
ドフレーム５２の表面にワイヤ５３を平坦化する方法に
よっても同様のウェッジボンディングが可能であるとさ
れている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、リードフレ
ーム５２の表面とワイヤ５３との間に樹脂が浸入しない
ようにするためには、リードフレーム５２に接合される
部分のワイヤ５３の全体をこのリードフレーム５２の表
面に密着させることが必要である。このため、ワイヤ５
３は図中の一点鎖線で示すようにリードフレーム５２に
含まれた部分から斜め上に立ち上げることができない。
したがって、斜め上に屈曲し始める点はリードフレーム
５２の外郭から外にはみ出した部分になるという制約を
受ける。

【０００９】このようにワイヤ５３の立ち上げ位置が規
制されてしまうと、リードフレーム５２と素子５１との
間隔が小さい場合、ワイヤ５３の屈曲点と発光素子のボ
ンディングエリアとの間の距離も短くなる。したがっ
て、ワイヤ５３には余裕のあるループを持たせることが
できず、断線の一つの原因となる。そして、リードフレ
ーム５２の幅が小さい場合では、キャピラリ５４をこの
リードフレーム５２に沿わせて移動させる距離の確保が
難しいので、同様にワイヤ５３のループに余裕を持たせ
ることができない。

【００１０】また、従来のボンディングでは、図５に示
すような断面を持つキャピラリが一般に用いられてい
る。このキャピラリ５５はその内部をワイヤ５６を通す
ためのキャビティ５５ａとして先端までを貫通させ、先
端にはワイヤ５６に対する圧力負荷によって剪断するた
めのエッジ５５ｂを環状に形成したものである。このエ
ッジ５５ｂは、ワイヤ５６に対して楔を打ち込むように
するために内側剪断面５５ｃと外側剪断面５５ｄとの組
合せとして形成されている。

【００１１】このようなエッジ５５ｂを持つキャピラリ
では、同図の（ａ）に示すようにワイヤ５６の先端を図
４の（ａ）で示した素子５１の電極に突き当てること
で、ボール５６ａをワイヤ５６の一端に形成するボール
ボンディングが可能である。また、リードフレームに対
しては、同図の（ｂ）に示すようにワイヤ５６を素子側
へ抜き出すようにし、エッジ５５ｂによってワイヤ５６
を剪断することでウェッジボンディングすることができ
る。

【００１２】図６は図５に示したキャピラリ５５によっ
てリードフレーム５２にボンディングされたワイヤ５６
のウェッジ５６ｂ部分を示す拡大断面図である。

【００１３】ウェッジ５６ｂはキャピラリ５５のエッジ
５５ｂ部分の圧下によって圧縮塑性変形したもので、こ
の圧縮変形量に比例してリードフレーム５２との接合力
がほぼ決まる。したがって、ウエッジボンディングで
は、キャピラリ５５の圧下力を適正にしてさえおけば、
ワイヤ５６のリードフレーム５２からの剥離は防止され
る。

【００１４】ところが、図示の例のように、ウェッジ５
６ｂ部分からワイヤが立ち上がってリードフレーム５２
の表面との間に隙間があると、先に述べたように樹脂封
止後の水分の蒸発によって接合は外れやすい。特に、ワ
イヤ５６の元々の径を持つ部分とウェッジ５６ｂの一端
（図において左端）との間の肉厚の差がある部分で斜め
に立ち上げるようにすると、この部分に応力が集中して
容易に破断しやすくなる。

【００１５】このようなワイヤ５６の破断を防ぐには、
図４の（ａ）に示したようにキャピラリ５４をリードフ
レーム５２と平行に引きずるように操作すればよい。し
かしながら、ワイヤのループを形成する場合と同様にキ
ャピラリ５４，５５を平行に引きずる距離の確保が必要
であるため、小型品等への対応に限界がある。

【００１６】以上のように、従来のワイヤのウェッジボ
ンディングでは、封止樹脂に含まれた水分の蒸発による
ワイヤの剥離を防止しようとすれば、ワイヤをリードフ
レームの端部まで密着させる必要があるので、素子側と
の間でのワイヤのループ確保のアセンブリに影響を及ぼ
す。また、キャピラリのエッジによる押圧では、その押
圧力によってリードフレーム側との圧着が得られるが、
図６で示したようにウェッジとの間の肉厚の差が大きく
なり、応力集中による断線の恐れがある。

【００１７】本発明において解決すべき課題は、リード
フレーム等との接合力を高く維持して封止樹脂による応
力の負荷がワイヤに作用しにくいワイヤボンディング構
造を持つ電子部品及びこのワイヤボンディングのための
好適なキャピラリを提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子等
の機能素子とリード等の導通材との間にワイヤをボンデ
ィングし、前記機能素子及びワイヤを含んで樹脂封止す
る電子部品において、前記導通材の表面にウェッジボン
ディングする前記ワイヤの先端部を圧下して楔状のウェ
ッジとするとともに、このウェッジに連なる部分であっ
て前記導通材の外郭の近傍までの範囲を、前記導通材の
外郭側から前記ウェッジ側へ向けて交差角度がほぼ１°
以下で漸近する形状としてなることを特徴とする。

【００１９】また、ウェッジに連なる部分であって前記
導通材の外郭の近傍までの範囲を、前記導通材の表面に
接合したものとしてもよく、この場合では前記導通材の
表面に接合される前記ワイヤの長さを５０〜５００μｍ
とすることが好ましい。

【００２０】更に、ウェッジに連なる部分であって前記
導通材の外郭の近傍までの範囲を圧下して偏平断面とし
且つ前記導通材の表面に接合した構成としてもよい。

【００２１】また、本発明のキャピラリは、電子部品に
おける半導体素子等の機能素子とリード等の導通材との
間をワイヤボンディングするためのキャピラリであっ
て、ボンディング用のワイヤを通すキャビティの先端に
形成され前記ワイヤを剪断するためのエッジと、前記エ
ッジの周りに形成され前記ワイヤを楔状のウェッジに圧
縮変形させる第１圧下面と、この第１圧下面の周りに形
成され先端との間に段差を持たせたほぼ平坦な環状面の
第２圧下面とを備えてなることを特徴とする。

【００２２】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、半導体
素子等の機能素子とリード等の導通材との間にワイヤを
ボンディングし、前記機能素子及びワイヤを含んで樹脂
封止する電子部品において、前記導通材の表面にウェッ
ジボンディングする前記ワイヤの先端部を圧下して楔状
のウェッジとするとともに、このウェッジに連なる部分
であって前記導通材の外郭の近傍までの範囲を、前記導
通材の外郭側から前記ウェッジ側へ向けて交差角度がほ
ぼ１°以下で漸近する形状としてなるワイヤボンディン
グ構造を持つ電子部品であり、ウェッジから連なる部分
を導通材の表面に１°程度の交差角度の傾斜とすること
でワイヤと導通材の表面の間への樹脂の入り込み量を抑
え、ワイヤに加わる封止樹脂の応力を低減できるという
作用を有する。

【００２３】請求項２に記載の発明は、半導体素子等の
機能素子とリード等の導通材との間にワイヤをボンディ
ングし、前記機能素子及びワイヤを含んで樹脂封止する
電子部品において、前記導通材の表面にウェッジボンデ
ィングする前記ワイヤの先端部を圧下して楔状のウェッ
ジとするとともに、このウェッジに連なる部分であって
前記導通材の外郭の近傍までの範囲を、前記導通材の表
面に接合してなるワイヤボンディング構造を持つ電子部
品であり、ウエッジだけでなく導通材の外郭の近傍まで
ワイヤを接合することによって、導通材に対する接合強
度を高めると同時にワイヤと導通材との間への樹脂の入
り込み量を抑え、ワイヤに加わる封止樹脂による応力を
低減できるという作用を有する。

【００２４】請求項３に記載の発明は、前記導通材の表
面に接合される前記ワイヤの長さを５０〜５００μｍと
してなる請求項２記載のワイヤボンディング構造を持つ
電子部品であり、ウェッジに加えて導通材に接合するワ
イヤの長さを最適化することで、導通材に対する接合強
度を高めると同時にワイヤと導通材との間への樹脂の入
り込み量を抑え、ワイヤに加わる封止樹脂による応力を
低減し、接合強度を更に高めるという作用を有する。

【００２５】請求項４に記載の発明は、半導体素子等の
機能素子とリード等の導通材との間にワイヤをボンディ
ングし、前記機能素子及びワイヤを含んで樹脂封止する
電子部品において、前記導通材の表面にウェッジボンデ
ィングする前記ワイヤの先端部を圧下して楔状のウェッ
ジとするとともに、このウェッジに連なる部分であって
前記導通材の外郭の近傍までの範囲を圧下して偏平断面
とし且つ前記導通材の表面に接合してなるワイヤボンデ
ィング構造を持つ電子部品であり、ウェッジ部分に連な
って導通材の近傍までのワイヤを圧下して接合するの
で、導通材に対する接合強度を高めると同時にワイヤと
導通材との間への樹脂の入り込み量を抑え、ワイヤに加
わる封止樹脂による応力を低減し、接合強度を更に向上
させることができるという作用を有する。

【００２６】請求項５に記載の発明は、電子部品におけ
る半導体素子等の機能素子とリード等の導通材との間を
ワイヤボンディングするためのキャピラリであって、ボ
ンディング用のワイヤを通すキャビティの先端に形成さ
れ前記ワイヤを剪断するためのエッジと、前記エッジの
周りに形成され前記ワイヤを楔状のウェッジに圧縮変形
させる第１圧下面と、この第１圧下面の周りに形成され
先端との間に段差を持たせたほぼ平坦な環状面の第２圧
下面とを備えてなるワイヤボンディング用のキャピラリ
であり、キャリアの圧下量に応じてワイヤにウェッジだ
けを形成してこれに連なる部分を導通材の表面に漸近さ
せたり接合させたりする加工ができ、圧下量を大きくす
ればウェッジと偏平部の段差を持つ断面形状としてワイ
ヤをボンディングできるという作用を有する。

【００２７】以下、本発明の実施の形態の具体例を図面
を参照しながら説明する。図１は本発明のキャピラリを
用いてワイヤをボンディングしている状況を示す概略図
である。

【００２８】図１において、基板１の上にリード２，３
がパターン形成され、一方のリード２の上には本実施の
形態における機能素子として半導体発光素子４が搭載さ
れている。この半導体発光素子４は、たとえばＧａＡｓ
Ｐ系化合物半導体を用いた赤色発光のもので、その下面
にｎ側電極を形成するとともに上端面にｐ側電極を備
え、このｐ側電極とリード３との間をＡｕ線を利用した
ワイヤ５によってボンディングしている。なお、このワ
イヤ５のボンディングの後には、半導体発光素子４及び
ワイヤ５を含んで樹脂によって封止する。

【００２９】図２はワイヤ５の半導体発光素子４及びリ
ード３へのボンディングに用いるキャピラリの要部を示
す拡大縦断面図である。

【００３０】キャピラリ６はその先端側を先細りさせた
細管であって、従来例と同様に内部にワイヤ５を通すた
めのキャビティ６ａを貫通させるとともに、このキャビ
ティ６ａの先端には内径を外側に向けて次第に拡大させ
たエッジ６ｂを形成したものである。そして、このエッ
ジ６ｂの周りには下側に向けて凸面とした第１圧下面６
ｃを形成し、更にこの第１圧下面６ｃの周りにはキャピ
ラリ６の軸線と直交する環状の平坦面の第２圧下面６ｄ
が形成されている。

【００３１】エッジ６ｂと第１圧下面６ｃとの境界部分
はリードフレーム３の表面に接触するような関係として
形成され、この境界部分をワイヤ５に対する剪断突っ切
りに利用する。また、第１圧下面６ｃはその先端面のみ
をほぼ平坦面としその周りを緩やかに曲面状としたもの
であり、第２圧下面６ｄは第１圧下面６ｃの先端面から
の距離をワイヤ５の外径よりも小さくしたものである。

【００３２】キャピラリ６によるワイヤ５の半導体発光
素子４へのボンディングは、図４の（ａ）の例で示した
ものと同様であり、半導体発光素子４のｐ側電極に対し
てキャピラリ６を垂直に下降させて突き当てる操作をす
ればよい。そして、リード３へのウェッジボンディング
では、キャピラリ６を図１の位置まで水平移動させた後
に、同様にリード３の表面に向けて垂直に下降させる。
ワイヤ５はこのキャピラリ６の動きに伴って図１に示す
ようにループを張り、図２に示すように第１，第２圧下
面６ｃ，６ｄにより圧下されて変形する。そして、図２
の圧下状態からキャピラリ６を図において上に移動させ
ると、ワイヤ５がリード３の表面に接触している部分は
強く圧着されているので、この圧着部分とキャビティ６
ａの中に残っているワイヤ５との間がエッジ６ｂによっ
て剪断されて切断される。

【００３３】ここで、リード３の表面にウェッジボンデ
ィングされるワイヤ５の形状は、図３に示すように、キ
ャピラリ６の圧下力の大きさと、第２圧下面６ｄと第１
圧下面６ｃの先端面からの距離によって様々に変わる。

【００３４】図３の（ａ）は圧下力を弱く設定した例で
あり、第１圧下面６ｃによってウェッジ５ａが形成さ
れ、このウェッジ５ａに対応する部分の下面だけがリー
ド３の表面に接合されている。そして、第２圧下面６ｄ
による圧下量は緩いので、接合面から離れた部分はリー
ド３の表面から浮いている。このようなボンディングで
は、ウェッジ５ａからの浮き上がり角度が１°以下であ
れば、リード３との接合面積がウェッジ５ａに対応する
部分だけの狭いものであっても、リード３からの剥離が
防止できる。これは、ウェッジ５ａがリード３の表面に
接合されている部分から延びるワイヤ５が急激に立ち上
がらないで屈曲部がないため、樹脂の入り込み量が少な
く、ワイヤ５に加わる樹脂の応力が小さいことが一つの
理由である。

【００３５】図３の（ｂ）はキャピラリ６の圧下力を少
し強くして第２圧下面６ｄによってもワイヤ５を緩く押
圧できるようにした例であり、第２圧下面６ｄと第１圧
下面６ｃの先端面からの距離がワイヤ５の外径と同じ場
合として示す。

【００３６】ワイヤ５には同図の（ａ）の場合と同様に
第１圧下面６ｃによってウェッジ５ａが形成されるとと
もに、第２圧下面６ｄの押圧によりリード３の表面から
の浮き上がり部分もウェッジ５ａに倣う姿勢となってリ
ード３に接合されている。そして、リード３の端部から
表面に含まれた部分からワイヤ５が立ち上がり、ウェッ
ジ５ａの終端から立ち上がりまでの長さＬは５０〜５０
０μｍ程度とすることが好ましい。

【００３７】このようなワイヤ５のボンディングでは、
ウェッジ５ａ部分だけの接合に加えて第２圧下面６ｄの
圧下によって接合される領域が広がるので、接合強度が
高くなると同時に、樹脂の入り込み量が少なくワイヤ５
に加わる樹脂応力は小さい。また、リード３の端部まで
ワイヤ５を密着させないでリード３の表面に含まれた部
分からワイヤ５を立ち上げるので、リード３と半導体発
光素子４のｐ側電極との間の距離が短くても、ワイヤ５
のループ形成に十分な余裕を持たせることができ、その
断線防止が図られる。

【００３８】図３の（ｃ）は第２圧下面６ｄと第１圧下
面６ｃの先端面からの距離がワイヤ５の外径よりも小さ
い場合であり、第１圧下面６ｃによるウェッジ５ａに連
ねて第２圧下面６ｄによって圧縮された偏平部５ｂが形
成されている。なお、キャピラリ６を強く圧下させると
きにはリード３の中にワイヤ５とともに数μｍ程度沈み
込むようになり、第１圧下面６ｃの先端と第２圧下面６
ｄとの間の段差の距離はワイヤ５の線径より短くなくて
同じまたはそれ以上であっても図３の（ｃ）に示すワイ
ヤ５の変形が得られる。

【００３９】このような接合では、ウェッジ５ａと偏平
部５ｂの両方がキャピラリ６によって強く押圧されるの
で、ワイヤ５とリード３との接合強度を十分に高くでき
る。そして、偏平部５ｂの終端部から近い位置でワイヤ
５が斜め上に向かうボンディングであって封止樹脂がリ
ード３とワイヤ５との間に入り込んでも、偏平部５ｂを
含む強い接合力によって樹脂内の水分の膨張による作用
力に抗することができ、リード３からの剥離が効果的に
防止される。

【００４０】このようにキャピラリ６の圧下力及び第２
圧下面６ｄと第１圧下面６ｃの先端面からの距離に応じ
て、ワイヤ５の接合形態を調整することができ、リード
３の表面に含まれた部分からワイヤ５を斜め上に立ち上
げても十分な接合強度が維持される。このため、リード
３と半導体発光素子４のそれぞれのボンディングエリア
が接近していても、ワイヤ５に十分なループの余裕を持
たせることができ、断線が確実に阻止される。更に、ワ
イヤ５のリード３の表面に対する接合部分を確保するこ
とで、ワイヤ５とリード３との間への樹脂の入り込みを
抑え、ワイヤ５に加わる樹脂応力の影響を抑えることが
できる。

【００４１】また、特に図３の（ｃ）のようにワイヤ５
をボンディングすることで、ウェッジ５ａと偏平部５ｂ
との接合力が高く保持されるので、ワイヤ５のリード３
表面からの立ち上げ角度を大きくしても対応でき、半導
体発光素子４との間のボンディングが更に容易になる。
また、キャピラリ６をリード３の表面側へのシフトだけ
で各種の形態にワイヤ５を加工できるので、従来例のよ
うにリード３の表面に沿って平行移動させるハンドリン
グも不要であって、ボンディング直後にワイヤ５を平坦
化する工程も省かれるので、加工精度及び製品歩留りの
向上が図られる。

【００４２】なお、以上の説明では、機能素子として半
導体発光素子を例としたが、これに代えて電子機器に備
える各種の素子であってワイヤによるボンディングが行
なわれる部材を持つ電子部品の全てを対象とする。

【００４３】

【発明の効果】本発明の電子部品では、ワイヤと導通材
との間の接合強度の向上とワイヤに対する応力の集中を
抑えることができるので、導通材からのワイヤの剥離及
びその断線が防止され、製品歩留り及び信頼性の向上が
可能となる。また、キャピラリを平行移動させる距離等
が不要であり、導通材と機能素子側とのボンディングエ
リアを接近させたアセンブリが可能となり、電子部品の
小型化も図られる。

【００４４】また、本発明のキャピラリでは、ワイヤに
対する圧下量を調整したり、キャピラリの第２圧下面と
第１圧下面の先端面からの距離を変えたりするだけで、
ウェッジ形成のほかに、ワイヤを導通材の表面に漸近さ
せたり接合したりできるとともにウェッジに連ねて偏平
部を圧下して接合したりでき、特に偏平部を形成してこ
の部分までを導通材に接合するものではより安定した導
通材へのボンディングが維持され、製品歩留り及び信頼
性の向上が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のキャピラリを用いたワイヤのボンディ
ング状況を示す概略図

【図２】キャピラリの先端部の断面形状とワイヤの変形
を示す拡大図

【図３】キャピラリの圧下力またはキャピラリの第１圧
下面と第２圧下面の距離の違いによるワイヤの変形を示
す図

【図４】キャピラリをリードの表面に沿って移動させる
ことでワイヤをボンディングする従来例であって、
（ａ）はボンディングの状況を示す概略図 （ｂ）はボンディングされたワイヤの形状を示す図

【図５】従来のキャピラリを用いるボンディングの例で
あって、（ａ）はボールボンディングを示す図 （ｂ）はウェッジボンディングを示す図

【図６】図５の従来のキャピラリによって形成されたワ
イヤのウェッジ部分を示す拡大図

【符号の説明】

１ 基板 ２，３ リード ４ 半導体発光素子 ５ ワイヤ ５ａ ウェッジ ５ｂ 偏平部 ６ キャピラリ ６ａ キャビティ ６ｂ エッジ ６ｃ 第１圧下面 ６ｄ 第２圧下面

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子等の機能素子とリード等の導
   通材との間にワイヤをボンディングし、前記機能素子及
   びワイヤを含んで樹脂封止する電子部品において、前記
   導通材の表面にウェッジボンディングする前記ワイヤの
   先端部を圧下して楔状のウェッジとするとともに、この
   ウェッジに連なる部分であって前記導通材の外郭の近傍
   までの範囲を、前記導通材の外郭側から前記ウェッジ側
   へ向けて交差角度がほぼ１°以下で漸近する形状として
   なるワイヤボンディング構造を持つ電子部品。
2. 【請求項２】 半導体素子等の機能素子とリード等の導
   通材との間にワイヤをボンディングし、前記機能素子及
   びワイヤを含んで樹脂封止する電子部品において、前記
   導通材の表面にウェッジボンディングする前記ワイヤの
   先端部を圧下して楔状のウェッジとするとともに、この
   ウェッジに連なる部分であって前記導通材の外郭の近傍
   までの範囲を、前記導通材の表面に接合してなるワイヤ
   ボンディング構造を持つ電子部品。
3. 【請求項３】 前記導通材の表面に接合される前記ワイ
   ヤの長さを５０〜５００μｍとしてなる請求項２記載の
   ワイヤボンディング構造を持つ電子部品。
4. 【請求項４】 半導体素子等の機能素子とリード等の導
   通材との間にワイヤをボンディングし、前記機能素子及
   びワイヤを含んで樹脂封止する電子部品において、前記
   導通材の表面にウェッジボンディングする前記ワイヤの
   先端部を圧下して楔状のウェッジとするとともに、この
   ウェッジに連なる部分であって前記導通材の外郭の近傍
   までの範囲を圧下して偏平断面とし且つ前記導通材の表
   面に接合してなるワイヤボンディング構造を持つ電子部
   品。
5. 【請求項５】 電子部品における半導体素子等の機能素
   子とリード等の導通材との間をワイヤボンディングする
   ためのキャピラリであって、ボンディング用のワイヤを
   通すキャビティの先端に形成され前記ワイヤを剪断する
   ためのエッジと、前記エッジの周りに形成され前記ワイ
   ヤを楔状のウェッジに圧縮変形させる第１圧下面と、こ
   の第１圧下面の周りに形成され先端との間に段差を持た
   せたほぼ平坦な環状面の第２圧下面とを備えてなるワイ
   ヤボンディング用のキャピラリ。