JP2000091274A - 半導体チップの形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップの抗折強度の向上を図る。 【解決手段】 半導体ウェハ１をダイシングし、この半
導体ウェハ１のダイシングによって形成された切削部１
ａを、ダイシング後、エッチングしてこの切削部１ａの
表面層１ｂを除去することにより、半導体ウェハ１の切
削部１ａに形成されたチッピングや結晶欠陥などの欠陥
を取り除き、これによって半導体ウェハ１から分離させ
て取得する半導体チップの抗折強度の向上を図ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、ダイシングによって形成された欠陥の除去
に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】半導体製造工程のダイシング工程では、半
導体ウェハの切削加工が行われる。ここでは、それぞれ
の半導体チップの領域に対応して格子状の切り溝が形成
される。

【０００４】なお、ダイシングでは、切削ラインのエッ
ジにチッピングと呼ばれる不定形破断（カケ）が生じる
ことがあり、このチッピングへの対策として、ステップ
カットやベベルカットなどの切削方法が用いられてい
る。

【０００５】ここで、ダイシング装置におけるステップ
カットやベベルカットなどの切削方法については、例え
ば、株式会社工業調査会発行、「超ＬＳＩ製造・試験装
置ガイドブック＜１９９８年版＞、電子材料別冊（１９
９７年１１月号別冊）」、２３〜２５頁に記載されてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術のダイシング装置におけるステップカットやベベルカ
ットでは、チッピングや結晶欠陥などを完全に除去する
のは困難であることが問題とされる。

【０００７】本発明の目的は、半導体チップの抗折強度
の向上を図る半導体チップの形成方法およびそれを用い
た半導体装置の製造方法を提供することにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１０】すなわち、本発明による半導体チップの形
成方法は、半導体ウェハを切削して格子状の切り溝を形
成する工程と、前記切削によって形成された前記半導体
ウェハの切削部をエッチングして前記切削部の表面層を
除去する工程とを有し、前記切削部の前記表面層を除去
して前記半導体ウェハから形成する半導体チップの抗折
強度を向上し得るものである。

【００１１】したがって、半導体ウェハの切削（ダイシ
ング）による切削部をエッチングして切削部の表面層を
除去することにより、結晶欠陥を除去することができ
る。

【００１２】さらに、切削部に形成されたエッジ面を削
ることができるため、このエッジ面への応力集中を緩和
できるとともに、表面に形成された亀裂も削り取ること
ができる。

【００１３】これにより、結晶欠陥を除去でき、かつエ
ッジ面への応力集中を緩和でき、その結果、半導体チッ
プの抗折強度の向上を図ることができる。

【００１４】また、本発明による半導体装置の製造方法
は、前記半導体チップの形成方法を用いたものであり、
半導体集積回路を有する複数の半導体チップが形成され
た半導体ウェハを準備する工程と、前記半導体ウェハを
切削して前記半導体チップに対応した格子状の切り溝を
形成する工程と、前記切削によって形成された前記半導
体ウェハの切削部をエッチングして前記切削部の表面層
を除去する工程と、前記半導体ウェハから個々の前記半
導体チップを分離させる工程と、前記半導体チップとチ
ップ支持部材とを接合する工程と、前記半導体チップの
表面電極と外部端子に電気的に接続されるリード部とを
電気的に接続する工程とを有し、前記エッチングによっ
て前記半導体ウェハの前記切削部の前記表面層を除去し
て前記半導体チップの抗折強度を向上し得るものであ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００１６】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１の半導体チップの形成方法に用いられるダイシング
装置の要部の構造の一例を示す構成概略図、図２は図１
に示すダイシング装置によるダイシング時の半導体ウェ
ハの状態の一例を一部破断して示す部分斜視図、図３は
本発明の実施の形態１の半導体チップの形成方法に用い
られるエッチング装置の要部の構造の一例を示す構成概
略図、図４は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造
方法を用いて製造される半導体装置の一例であるＴＣＰ
（Tape Carrier Package) の構造を示す断面図である。

【００１７】本実施の形態１の半導体チップ２の形成方
法は、半導体ウェハ１をダイシング（切削）し、このダ
イシングを行った半導体ウェハ１に対してダイシングに
よって形成された切削部１ａを、その後、エッチングし
てこの切削部１ａの表面層１ｂを除去することにより、
半導体ウェハ１の切削部１ａに形成された欠陥（例え
ば、ダイシングにより切削ラインのエッジ面に生じた不
定形破断（カケ）であるチッピングや結晶欠陥などの欠
陥）を取り除き、これによって半導体ウェハ１から分離
させて取得する半導体チップ２（図４参照）の抗折強度
の向上を図るものである。

【００１８】まず、図１に示す本実施の形態１の半導体
チップ１の形成方法で用いるダイシング装置の要部の構
造について説明する。

【００１９】前記ダイシング装置の要部は、図２に示す
半導体ウェハ１をチャッキングによって支持し、かつＸ
Ｙ方向に移動自在に設置されたテーブル３と、高速回転
してテーブル３により支持された半導体ウェハ１の回路
形成面１ｃを切削する極薄切削刃４と、極薄切削刃４を
高速回転可能に支持するスピンドル５と、切削中、半導
体ウェハ１の切削部１ａに冷却水７を供給するノズル６
と、極薄切削刃４の回転速度や移動量およびテーブル３
の移動量などを制御する制御部８とによって構成されて
いる。

【００２０】なお、ダイシング工程では、半導体ウェハ
１は、ダイシング後に個々の半導体チップ２に分散しな
いように、図３に示すように、その裏面１ｄに粘着性の
ウェハテープ９（ダイシングテープともいう）が貼付さ
れており、このウェハテープ９はその外周部がリング状
のフレーム治具１０に貼り付けられて保持されている。

【００２１】したがって、フレーム治具１０に貼付され
たウェハテープ９上に半導体ウェハ１が固定され、この
状態でダイシング工程に搬送され、さらに、ダイシング
工程後のエッチング工程に対しても半導体ウェハ１は、
ウェハテープ９上に配置されて搬送される。

【００２２】これにより、ダイシング工程では、このダ
イシング装置を用いて、それぞれに半導体集積回路が形
成された半導体ウェハ１の複数のチップ領域１ｅ（図３
参照）に対応させて格子状に切り溝である切削部１ａを
形成する。

【００２３】続いて、図３に示す本実施の形態１の半導
体チップ２の形成方法で用いるエッチング装置の要部の
構造について説明する。

【００２４】本実施の形態１のエッチング装置は、ウェ
ット式のものであり、その要部は、半導体ウェハ１を真
空吸着などによって支持し、かつ回転自在に設置された
回転ステージ１１と、エッチング中、回転ステージ１１
に支持された半導体ウェハ１の切削部１ａにエッチング
液１２を供給する移動ノズル１３と、回転ステージ１１
の回転速度および移動ノズル１３の移動速度および移動
量などを制御する制御部１４とによって構成されてい
る。

【００２５】これにより、前記エッチング装置は、ダイ
シングによって形成された半導体ウェハ１を回転ステー
ジ１１によって支持し、この回転ステージ１１を所定速
度で回転させながら移動ノズル１３から半導体ウェハ１
の切削部１ａに対してエッチング液１２を供給して切削
部１ａをエッチングするものである。

【００２６】なお、切削部１ａは、エッチングによりそ
の表面層１ｂが深さ２μｍ程度に亘って除去され、これ
により、切削部１ａに形成されたチッピングや結晶欠陥
（結晶欠陥は１〜２μｍ程度の深さに形成される）など
の欠陥を取り除くことができる。

【００２７】ここで、本実施の形態１の半導体チップ２
の形成方法におけるエッチング装置で使用するエッチン
グ液１２は、例えば、ＨＦ、ＨＮＯ₃ またはＨ₂ ＳＯ₄
などの混合液である。

【００２８】次に、本実施の形態１の半導体チップ２の
形成方法について説明する。

【００２９】なお、本実施の形態１の半導体チップ２の
形成は、ダイシング（切削）を行った後にエッチングを
行うものである。

【００３０】また、図３に示すエッチング装置を用いて
エッチングを行う前、好ましくはダイシング前の工程に
おいて、半導体ウェハ１の回路形成面１ｃに前記エッチ
ングに対する保護膜（例えば、前記エッチング液１２に
対して強いレジスト膜）を形成しておき、この状態でダ
イシングおよびエッチングを行う。

【００３１】まず、それぞれのチップ領域１ｅに半導体
集積回路が形成され、かつリング状のフレーム治具１０
に貼付されたウェハテープ９上にその裏面１ｄが張りつ
けられて固定された半導体ウェハ１を準備し、この半導
体ウェハ１を図１に示すダイシング装置内に搬入する。

【００３２】その後、ダイシング装置を用いて半導体ウ
ェハ１を切削（ダイシング）して格子状の切り溝である
切削部１ａを形成する。

【００３３】すなわち、回路形成面１ｃに前記レジスト
膜が塗布された半導体ウェハ１を図１に示すテーブル３
上にチャッキングし、極薄切削刃４（ブレードともい
う）の回転速度およびテーブル３の移動量などを制御部
８によって制御しながら、図２に示すように、ノズル６
から冷却水７を吐出させて格子状の切り溝である切削部
１ａを形成する。

【００３４】これにより、各チップ領域１ｅが区分けさ
れる。

【００３５】ダイシング終了後、図１に示すダイシング
装置から半導体ウェハ１を取り出し、続いて、図３に示
すエッチング装置の所定箇所に搬送し、そこで半導体ウ
ェハ１の切削部１ａのエッチングを行う。

【００３６】まず、半導体ウェハ１を回転ステージ１１
上に真空吸着によって固定する。

【００３７】その後、制御部１４によって回転ステージ
１１の回転速度、移動ノズル１３の移動量および速度、
移動ノズル１３からのエッチング液１２の吐出量などを
制御して半導体ウェハ１の表面（回路形成面１ｃ）全体
にほぼ均一にエッチング液１２が供給それるようにして
半導体ウェハ１の切削部１ａをエッチング液１２によっ
てエッチングする。

【００３８】これにより、切削部１ａの表面層１ｂを除
去する。

【００３９】なお、ここで、用いられるエッチング液１
２は、例えば、ＨＦ、ＨＮＯ₃ またはＨ₂ ＳＯ₄ などの
混合液であり、エッチング温度は、常温である。

【００４０】また、半導体ウェハ１の回路形成面１ｃに
は、予め、エッチング液１２に対する保護膜（例えば、
エッチング液１２に対して強いレジスト膜）が形成され
ているため、エッチング液１２によって回路形成面１ｃ
がエッチングされることはなく、ダイシングによって露
出した切削部１ａのみがエッチングされる。

【００４１】これにより、切削部１ａにおける厚さ２μ
ｍ程度の表面層１ｂを除去し、ダイシングによって形成
されたチッピングや結晶欠陥などの欠陥を除去できる。

【００４２】その結果、この半導体ウェハ１から分離さ
せて取得する半導体チップ２（図４参照）の抗折強度を
向上させることができる。

【００４３】その後、図３に示すエッチング装置が備え
る洗浄部（ただし、図３に示すエッチング装置が洗浄部
を備えていない場合は、他の洗浄装置）を用いて、半導
体ウェハ１を洗浄する。

【００４４】ここでは、例えば、純水によって半導体ウ
ェハ１の洗浄を行う。

【００４５】次に、本実施の形態１の半導体装置の製造
方法について説明する。

【００４６】なお、前記半導体装置の製造方法は、前記
半導体チップの形成方法を用いたものであり、本実施の
形態１では、前記半導体装置の一例として薄形のパッケ
ージである図４に示すＴＣＰ１５の場合を説明する。

【００４７】ここで、本実施の形態１のＴＣＰ１５は、
カード内に半導体装置を埋め込んで形成される薄形製品
であるＩＣ（Integrated Circuit）カードなどに用いる
と有効なものであるが、その用途は前記ＩＣカードに限
定されるものではない。

【００４８】まず、ＴＣＰ１５の構成について説明する
と、半導体チップ２のパッド２ａ（表面電極）とバンプ
１７を介して電気的に接続し、かつこのバンプ１７を介
して半導体チップ２を支持するリード部１６（チップ支
持部材）と、リード部１６と繋がった外部端子である外
部リード１８と、リード部１６および外部リード１８が
設けられた薄膜配線テープ１９と、半導体チップ２の回
路形成面１ｃおよびリード部１６を封止用樹脂によって
封止して形成した封止部２０と、ポッティングによって
封止を行った際の前記封止用樹脂の流出を阻止するダム
部２１とからなる。

【００４９】なお、薄膜配線テープ１９は、例えば、ポ
リイミドテープなどによって形成され、また、前記封止
用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などであ
る。

【００５０】次に、前記半導体チップ２の形成方法を含
むＴＣＰ１５の製造方法について説明する。

【００５１】なお、本実施の形態１で説明したダイシン
グ工程とエッチング工程とを含む半導体ウェハ１から半
導体チップ２を取得する際の手順については、前記半導
体チップ２の形成方法と全く同じであるため、その重複
説明は省略する。

【００５２】すなわち、前記半導体チップ２の形成方法
により、ダイシングによる切削部１ａをエッチングして
形成した半導体チップ２を準備する。

【００５３】続いて、半導体チップ２とチップ支持部材
であるリード部１６とを接合するチップマウント（ペレ
ットボンディングともいう）を行う。

【００５４】ＴＣＰ１５の場合、半導体チップ２のパッ
ド２ａに仮固定したバンプ１７と薄膜配線テープ１９の
リード部１６とを熱圧着によって電気的にかつ機械的に
接合する。

【００５５】これにより、インナリードであるリード部
１６と外部端子である外部リード１８とが電気的に繋が
っているため、半導体チップ２のパッド２ａと外部リー
ド１８とも電気的に接続されたことになる。

【００５６】その後、前記封止用樹脂を用いてポッティ
ング方法により、半導体チップ２の回路形成面１ｃとリ
ード部１６との樹脂封止を行って封止部２０を形成す
る。

【００５７】さらに、外部リード１８を含む薄膜配線テ
ープ１９を所定箇所で切断してＴＣＰ１５の製造を完了
する。

【００５８】これにより、ダイシングによる切削部１ａ
の表面層１ｂを除去して抗折強度の向上を図った半導体
チップ２を有したＴＣＰ１５を製造できる。

【００５９】本実施の形態の半導体チップ２の形成方法
およびそれを用いたＴＣＰ１５（半導体装置）の製造方
法によれば、以下のような作用効果が得られる。

【００６０】すなわち、切削（ダイシング）により形成
された半導体ウェハ１の切削部１ａをエッチングして切
削部１ａの表面層１ｂを除去することにより、結晶欠陥
を除去することができる。

【００６１】さらに、切削部１ａに形成されたエッジ面
を削ることができるため、このエッジ面への応力集中を
緩和できるとともに、切削部１ａの表面に形成された亀
裂も削り取ることができる。

【００６２】したがって、前記結晶欠陥を除去でき、か
つ前記エッジ面への応力集中を緩和できるため、半導体
チップ２の抗折強度の向上を図ることができる。

【００６３】また、半導体ウェハ１の切削部１ａをエッ
チングすることにより、同一ウェハ内での半導体チップ
２の抗折強度のばらつきを低減できる。

【００６４】さらに、半導体チップ２の抗折強度の向上
を図ることができるため、製品であるＴＣＰ１５（半導
体装置）に対しても仕様範囲内の外力が加わった際に、
クラックの発生を防止できる。

【００６５】また、半導体チップ２の抗折強度の向上を
図ることができるため、ＴＣＰ１５において耐荷重の仕
様を大きくすることができる。

【００６６】さらに、エッチングを行う際に、半導体ウ
ェハ１の回路形成面１ｃにエッチングに対する保護膜を
形成した後にエッチングを行うことにより、半導体チッ
プ２の回路形成面１ｃの素子を保護することができる。

【００６７】これにより、半導体チップ２の歩留りを向
上できる。

【００６８】（実施の形態２）図５は本発明の実施の形
態２の半導体チップの形成方法に用いられるダイシング
装置の要部の構造を示す構成概略図である。

【００６９】本実施の形態２の半導体チップ２の形成方
法は、切削（ダイシング）を行いながらエッチングを行
うものである。

【００７０】すなわち、実施の形態１の半導体チップ２
の形成方法が、切削後（ダイシング後）にエッチングを
行ったのに対して、本実施の形態２の半導体チップ２の
形成方法は、前記切削と前記エッチングとを同時に行う
ものである。

【００７１】したがって、本実施の形態２の半導体チッ
プ２の形成方法に用いられるダイシング装置は、図５に
示すように、ノズル６から冷却水７（図２参照）の代わ
りにエッチング液１２を吐出し、ダイシングしながら半
導体ウェハ１の切削部１ａにエッチング液１２を供給す
るものであり、エッチング液１２が切削部１ａの冷却も
兼ねている。

【００７２】つまり、制御部８により、極薄切削刃４の
回転速度およびテーブル３の移動量などを制御しなが
ら、ノズル６からのエッチング液１２の吐出量も制御し
て切削部１ａを形成するとともに、同時に、切削部１ａ
にエッチング液１２を供給していく。

【００７３】これにより、図５に示すダイシング装置
は、ダイシングと切削部１ａのエッチングとを兼ねて行
うことが可能な装置である。

【００７４】エッチングを含むダイシング終了後、実施
の形態１の場合と同様に、純水などを用いて半導体ウェ
ハ１を洗浄する。

【００７５】なお、本実施の形態２の半導体チップ２の
形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法は、
実施の形態１のダイシングによって形成された切削部１
ａのエッチングの手順を、ダイシング後からダイシング
最中（ダイシング装置による冷却水７をエッチング液１
２に代えてダイシングしながら切削部１ａをエッチング
する）に置き換えるだけであり、その他の半導体チップ
２の形成方法および半導体装置の製造方法については、
実施の形態１で説明したものと同じであるため、その重
複説明は省略する。

【００７６】本実施の形態２の半導体チップ２の形成方
法およびそれを用いた半導体装置の製造方法によれば、
以下のような作用効果が得られる。

【００７７】すなわち、切削（ダイシング）を行いなが
らエッチングを行うことにより、これらの処理を効率良
く行うことができ、その結果、半導体チップ２の形成方
法および半導体装置の製造方法におけるタクトタイムを
短縮できる。

【００７８】なお、本実施の形態２の半導体チップ２の
形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法によ
って得られるその他の作用効果については、実施の形態
１で説明したものと同様であるため、その重複説明は省
略する。

【００７９】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態１，２に基づき具体的に説明したが、本
発明は前記発明の実施の形態１，２に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であ
ることは言うまでもない。

【００８０】例えば、前記実施の形態１，２では、半導
体ウェハ１の回路形成面１ｃを切削（ダイシング）して
この回路形成面１ｃに切り溝である切削部１ａを形成す
る場合を説明したが、半導体ウェハ１の回路形成面１ｃ
と反対側の面である裏面１ｄ（図３参照）をダイシング
してこの裏面１ｄに形成された切削部１ａをエッチング
してもよい。

【００８１】すなわち、半導体ウェハ１をその裏面１ｄ
で切削（ダイシング）して裏面１ｄに格子状の切り溝で
ある切削部１ａを形成し、前記切削によって形成された
半導体ウェハ１の切削部１ａをエッチングして切削部１
ａの表面層１ｂを除去するものである。

【００８２】その際、ウェハテープ９は、半導体ウェハ
１の回路形成面１ｃに貼付され、ダイシング時には、ダ
イシング装置のテーブル３上に通常のダイシングの場合
と半導体ウェハ１の表裏を反転させて配置する。

【００８３】つまり、裏面１ｄのダイシングを行う際に
は、半導体ウェハ１の裏面１ｄをスピンドル５側（上
方）に向け（ウェハテープ９が貼付された回路形成面１
ｃ側を下に向け）、上方に向けた裏面１ｄを極薄切削刃
４によって切削して切り溝である切削部１ａを裏面１ｄ
に形成する。

【００８４】ダイシング後、この裏面１ｄに形成された
切削部１ａを、実施の形態１の方法と同様にしてエッチ
ングする。

【００８５】なお、半導体ウェハ１の裏面１ｄのダイシ
ング中に実施の形態２の方法と同様にして切削部１ａを
エッチングしてもよい。すなわち、裏面１ｄをダイシン
グしながらエッチングしてもよい。

【００８６】これにより、半導体ウェハ１の裏面１ｄに
おいて切削とエッチングとを行うため、エッチング前の
回路形成面１ｃに対しての保護膜の形成を行う必要がな
くなる。

【００８７】その結果、エッチング前に回路形成面１ｃ
に対して保護膜の形成を行う場合と比較して、この保護
膜形成の工程を削除できるため、切削およびエッチング
の効率化を図ることができ、これにより、タクトタイム
を短縮できる。

【００８８】なお、半導体ウェハ１を裏面１ｄで切削
し、この切削によって形成された半導体ウェハ１の切削
部１ａをエッチングすることにより、半導体ウェハ１の
裏面１ｄ側において切削が行われるため、半導体ウェハ
１の回路形成面１ｃにはウェハテープ９が貼付される。

【００８９】その結果、このウェハテープ９により回路
形成面１ｃの素子を保護することができる。

【００９０】また、裏面１ｄをダイシングする方法にお
いて、前記エッチングを行う際に、裏面１ｄの全体をエ
ッチングして裏面全体の表面層１ｂを除去してもよい。

【００９１】これにより、半導体ウェハ１の裏面１ｄの
表面層１ｂを除去することができ、半導体ウェハ１の裏
面１ｄに形成された結晶欠陥なども除去できる。

【００９２】その結果、半導体チップ２の抗折強度をさ
らに向上できる。

【００９３】なお、前記実施の形態１，２では、ダイシ
ング後またはダイシング中にエッチング液１２を用いて
切削部１ａをエッチングする場合を説明したが、エッチ
ング液１２の代わりとしてＣＦ₄ ＋Ｏ₂ またはＳＦ₆ な
どのエッチングガスを用いてもよい。

【００９４】この場合、エッチングは、例えば、５０〜
１００℃程度で行われ、また、洗浄時には、前記エッチ
ングガスに対しての中和ガスを用いる。

【００９５】なお、エッチングガスを用いた際にも、前
記実施の形態１と同様の作用効果を得ることができる。

【００９６】また、前記実施の形態１，２では、ダイシ
ング後またはダイシング中にエッチング液１２を用いて
エッチングを行う場合を説明したが、図６に示す他の実
施の形態のように、不活性ガスのイオンによるスパッタ
方式によって半導体ウェハ１の切削部１ａのエッチング
を行ってもよい。

【００９７】この場合、異方性を利用できるため、図６
に示すように、スパッタ粒子２３は、半導体ウェハ１に
対して直線的に衝突するため、回路形成面１ｃを覆うス
パッタ用のマスク２２を用いることにより、スパッタ粒
子２３が半導体ウェハ１の回路形成面１ｃに衝突するこ
とはなく、回路形成面１ｃ上にレジスト膜などの保護膜
を形成する必要がない。

【００９８】したがって、裏面ダイシングの場合と同様
に、保護膜形成の工程を削除できるため、切削およびエ
ッチングの効率化を図ることができ、これにより、タク
トタイムを短縮できる。

【００９９】さらに、マスク２２を複数回使用すること
ができる。

【０１００】また、前記実施の形態１（裏面ダイシング
でダイシング後にエッチングを行う場合も含む）では、
ダイシングとエッチングとを別々の装置を用いて行う場
合を説明したが、ダイシング装置にエッチング部を設け
てダイシング部とエッチング部とを有した装置としても
よい。

【０１０１】すなわち、ダイシング装置が、ダイシング
を行った後、ダイシングによる切削部１ａをエッチング
する一貫処理装置であってもよい。

【０１０２】また、前記実施の形態１，２では、半導体
装置の一例として、ＴＣＰ１５を取り上げて説明した
が、前記半導体装置は、ダイシングにより形成された切
削部１ａをエッチングしてその表面層１ｂを除去し、こ
れにより、抗折強度を向上させた半導体チップ２が組み
込まれたものであれば、ＣＯＢ（Chip On Board)やＣＳ
Ｐ（Chip Scale Package) などの他の半導体装置であっ
てもよく、さらに、ベアチップ出荷品に適用してもよ
い。

【０１０３】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【０１０４】（１）．切削（ダイシング）により形成さ
れた半導体ウェハの切削部をエッチングして切削部の表
面層を除去することにより、結晶欠陥を除去することが
できる。さらに、切削部に形成されたエッジ面を削るこ
とができるため、このエッジ面への応力集中を緩和でき
る。これにより、半導体チップの抗折強度の向上を図る
ことができる。

【０１０５】（２）．半導体ウェハの切削部をエッチン
グすることにより、同一ウェハ内での半導体チップの抗
折強度のばらつきを低減できる。さらに、半導体チップ
の抗折強度の向上を図ることができるため、製品である
半導体装置に対しても仕様範囲内の外力が加わった際
に、クラックの発生を防止できる。

【０１０６】（３）．半導体チップの抗折強度の向上を
図ることができるため、半導体装置において耐荷重の仕
様を大きくすることができる。

【０１０７】（４）．ダイシングを行いながらエッチン
グを行うことにより、これらの処理を効率良く行うこと
ができ、その結果、タクトタイムを短縮できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の半導体チップの形成方
法に用いられるダイシング装置の要部の構造の一例を示
す構成概略図である。

【図２】図１に示すダイシング装置によるダイシング時
の半導体ウェハの状態の一例を一部破断して示す部分斜
視図である。

【図３】本発明の実施の形態１の半導体チップの形成方
法に用いられるエッチング装置の要部の構造の一例を示
す構成概略図である。

【図４】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法
を用いて製造される半導体装置の一例であるＴＣＰの構
造を示す断面図である。

【図５】本発明の実施の形態２の半導体チップの形成方
法に用いられるダイシング装置の要部の構造を示す構成
概略図である。

【図６】本発明の他の実施の形態である半導体チップの
形成方法に用いられるエッチング装置の構造を示す構成
概略図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ １ａ 切削部 １ｂ 表面層 １ｃ 回路形成面 １ｄ 裏面 １ｅ チップ領域 ２ 半導体チップ ２ａ パッド（表面電極） ３ テーブル ４ 極薄切削刃 ５ スピンドル ６ ノズル ７ 冷却水 ８ 制御部 ９ ウェハテープ １０ フレーム治具 １１ 回転ステージ １２ エッチング液 １３ 移動ノズル １４ 制御部 １５ ＴＣＰ（半導体装置） １６ リード部（チップ支持部材） １７ バンプ １８ 外部リード（外部端子） １９ 薄膜配線テープ ２０ 封止部 ２１ ダム部 ２２ マスク ２３ スパッタ粒子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 正行 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業本部内 (72)発明者 花田 賢次 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業本部内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハを切削して格子状の切り溝
   を形成する工程と、 前記切削によって形成された前記半導体ウェハの切削部
   をエッチングして前記切削部の表面層を除去する工程と
   を有し、 前記切削部の前記表面層を除去して前記半導体ウェハか
   ら形成する半導体チップの抗折強度を向上し得ることを
   特徴とする半導体チップの形成方法。
2. 【請求項２】 半導体ウェハを切削して格子状の切り溝
   を形成する工程と、 前記切削によって形成された前記半導体ウェハの切削部
   にエッチング液またはエッチングガスを供給して前記切
   削部をエッチングすることにより、前記切削部の表面層
   を除去する工程とを有し、 前記切削部の前記表面層を除去して前記半導体ウェハか
   ら形成する半導体チップの抗折強度を向上し得ることを
   特徴とする半導体チップの形成方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体チップの
   形成方法であって、前記エッチングを行う際に、前記半
   導体ウェハの回路形成面に前記エッチングに対する保護
   膜を形成した後に前記エッチングを行うことを特徴とす
   る半導体チップの形成方法。
4. 【請求項４】 半導体ウェハをその回路形成面と反対側
   の面で切削して前記反対側の面に格子状の切り溝を形成
   する工程と、 前記切削によって形成された前記半導体ウェハの切削部
   をエッチングして前記切削部の表面層を除去する工程と
   を有し、 前記切削部の前記表面層を除去して前記半導体ウェハか
   ら形成する半導体チップの抗折強度を向上し得ることを
   特徴とする半導体チップの形成方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体チップの形成方法
   であって、前記エッチングを行う際に、前記回路形成面
   と反対側の面をエッチングして前記反対側の面の前記表
   面層を除去することを特徴とする半導体チップの形成方
   法。
6. 【請求項６】 請求項１，２，３，４または５記載の半
   導体チップの形成方法であって、前記切削を行った後に
   前記エッチングを行うことを特徴とする半導体チップの
   形成方法。
7. 【請求項７】 請求項１，２，３，４または５記載の半
   導体チップの形成方法であって、前記切削を行いながら
   前記エッチングを行うことを特徴とする半導体チップの
   形成方法。
8. 【請求項８】 請求項１，２，３，４，５，６または７
   記載の半導体チップの形成方法を用いた半導体装置の製
   造方法であって、 半導体集積回路を有する複数の半導体チップが形成され
   た半導体ウェハを準備する工程と、 前記半導体ウェハを切削して前記半導体チップに対応し
   た格子状の切り溝を形成する工程と、 前記切削によって形成された前記半導体ウェハの切削部
   をエッチングして前記切削部の表面層を除去する工程
   と、 前記半導体ウェハから個々の前記半導体チップを分離さ
   せる工程と、 前記半導体チップとチップ支持部材とを接合する工程
   と、 前記半導体チップの表面電極と外部端子に電気的に接続
   されるリード部とを電気的に接続する工程とを有し、 前記エッチングによって前記半導体ウェハの前記切削部
   の前記表面層を除去して前記半導体チップの抗折強度を
   向上し得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。