JP2000091185A - 基板処理装置および方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 現像処理後のレジスト膜における線巾均一性
を向上することができる基板処理装置および方法を提供
する。 【解決手段】 露光前ベーク部たる加熱処理部ＨＰ２に
て加熱処理に供される基板Ｗはホットプレート５０に載
置されている。加熱処理時には、ベークカバー５２のガ
ス吹出孔５２ａから基板Ｗに窒素ガスの気流が供給され
る。その気流は、排気口５１ａまたは排気口５１ｂのい
ずれかより択一的に排気される。従って、露光前加熱処
理時の基板Ｗ上には特定方向の気流の流れが形成され
る。この基板Ｗに対し、後工程である露光後加熱処理を
行うときには、露光前加熱処理時における前記特定方向
とは逆向きの気流の流れを基板Ｗ上に形成する。露光前
加熱処理時と露光後加熱処理時との間で基板面内の温度
勾配の態様が相互に逆となり、現像処理後のレジスト膜
における線巾均一性を向上することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）の表
面にレジストを塗布した後の露光前加熱処理および露光
後加熱処理を行う基板処理装置および方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、上記のような基板に対しては、
レジスト塗布処理、露光処理、現像処理およびそれらに
付随する熱処理を順次行わせることにより一連の基板処
理を達成している。すなわち、表面にフォトレジスト
（以下、単に「レジスト」という）が塗布された基板に
対しては露光処理前に露光前加熱処理（以下、「プリベ
ーク」という）が行われる。そして、その基板には露光
処理が施された後、露光後加熱処理（以下、「露光後ベ
ーク」という）が行われ、さらにその後、現像液を使用
した現像処理が施されて、基板製造が行われるのであ
る。

【０００３】上記のうち、プリベークは、塗布されたレ
ジスト中の余分な溶媒成分を蒸発させ、レジストと基板
との密着性を強固にするために行われるものである。ま
た、露光後ベークは、露光時の光化学反応によって生じ
た生成物の触媒作用により、現像液に対する溶解速度変
化をを引き起こす化学反応を活性化する目的で行われる
ものである。

【０００４】これらは、いずれも基板に対し、所定温度
による所定時間の加熱処理を行うものであり、ホットプ
レートを備えた加熱処理部によって行われる。そして、
加熱処理部においては、基板の加熱に伴って、レジスト
から蒸発した溶剤が周囲へ拡散しないように、基板上に
気流を形成し、これを排気手段によって排気するように
している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、加熱処
理中の基板上に気流を形成すると基板に温度勾配が生じ
ることとなる。つまり、基板の面内において、気流の上
流側に位置する部分と下流側に位置する部分とで温度差
が生じるのである。このような温度勾配が生じると、基
板の面内温度の均一性が損なわれ、その結果、現像処理
後のレジスト膜における線巾均一性が害されることとな
る。

【０００６】このため、従来より基板上の気流の流れを
均一化して、加熱処理時における基板の面内温度の均一
性を保つような試みがなされてきたが、近年の基板の大
口径化に伴い、基板の全面に渡って気流の流れを均一化
して、基板の面内温度の均一性を保つことは極めて困難
なこととなっていた。

【０００７】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、現像処理後のレジスト膜における線巾均一性を
向上することができる基板処理装置および方法を提供す
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、レジスト塗布後露光前の基板に
露光前加熱処理を行う露光前ベーク部と、露光後現像前
の基板に露光後加熱処理を行う露光後ベーク部と、を備
えた基板処理装置であって、前記露光前加熱処理時にお
ける基板上の気流の流れの向きと、前記露光後加熱処理
時における前記基板上の気流の流れの向きとを逆向きと
している。

【０００９】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記露光前ベーク部およ
び前記露光後ベーク部のそれぞれに、加熱処理中の基板
の上方から気流を供給する供給口と、前記基板の側方に
おける一方側および他方側のそれぞれに設けられ、前記
供給された気流を排気する排気口と、前記一方側の排気
口からの排気と前記他方側の排気口からの排気とを切替
可能な切替手段と、を備えさせ、前記露光前加熱処理時
には、前記露光前ベーク部の前記一方側の排気口からの
排気を行わせるとともに、前記露光後加熱処理時には、
前記露光後ベーク部の前記他方側の排気口からの排気を
行わせている。

【００１０】また、請求項３の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記露光前ベーク部に、
加熱処理中の基板の側方における一方側から前記基板に
気流を供給する露光前供給口と、前記供給された気流
を、前記基板の側方における他方側から排気する露光前
排気口と、を備えさせ、前記露光後ベーク部に、加熱処
理中の前記基板の前記他方側から前記基板に気流を供給
する露光後供給口と、前記供給された気流を、前記基板
の前記一方側から排気する露光後排気口と、を備えさせ
ている。

【００１１】また、請求項４の発明は、基板に対して熱
処理を含む所定の処理を行う基板処理方法であって、
(a) レジスト塗布後露光前の基板上に第１の向きにて気
流を流しつつ、露光前加熱処理を行う露光前加熱工程
と、(b) 露光後現像前の前記基板上に前記第１の向きと
は逆向きの第２の向きにて気流を流しつつ、露光後加熱
処理を行う露光後加熱工程と、を備えている。

【００１２】

【発明の実施の形態】＜１．課題解決のための基礎とな
る知見＞上述した課題、すなわち加熱処理時における気
流形成に起因した線巾均一性の低下の問題を解決すべ
く、本発明者は鋭意検討を重ねた結果、以下のような知
見を見いだしたので、まずそれについて説明する。

【００１３】既述したように、従来より基板上の気流の
流れを均一化することによって線巾均一性を改善する試
みはなされてきたが、プリベークにおける基板上の気流
の流れと露光後ベークにおける基板上の気流の流れとの
関係については検討されていなかった。

【００１４】そこで、本発明者が、その関係について調
査を行ったところ、プリベークにおける基板上の気流の
流れの向きと、露光後ベークにおける基板上の気流の流
れの向きとを逆向きとすると現像処理後のレジスト膜に
おける線巾均一性が向上することが判明したのである。
すなわち、プリベークにおける基板の向きと露光後ベー
クにおける基板の向きとは同一とし、それぞれにおける
基板上の気流の流れの向きを互いに逆向きとすると線巾
均一性が向上したのである。これは、基板の向きを同一
としたまま気流の流れの向きを逆向きとすることによっ
て、プリベークにおける基板面内の温度勾配と露光後ベ
ークにおける基板面内の温度勾配とが相互に逆の態様と
なることの影響であると考えられる。

【００１５】本発明者は、以上のような知見に基づいて
この発明を完成させたのである。以下、図面を参照しつ
つ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

【００１６】＜２．基板処理装置の全体構成＞まず、本
発明に係る基板処理装置の全体構成について説明する。
図１は、本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図
である。図１（ａ）は、基板処理装置の平面図であり、
図１（ｂ）は、基板処理装置の正面図である。なお、図
１には、その方向関係を明確にするためＸＹＺ直交座標
系を付している。ここでは、床面に平行な水平面をＸＹ
面とし、鉛直方向をＺ方向としている。

【００１７】図１に示すように、本実施形態において
は、基板処理装置は、基板の搬出入を行うインデクサＩ
Ｄと、基板に処理を行う複数の処理部および各処理部に
基板を搬送する基板搬送手段が配置されるユニット配置
部ＭＰと、図示しない露光装置とユニット配置部ＭＰと
の間で基板の搬入／搬出を行うために設けられているイ
ンターフェイスＩＦとから構成されている。

【００１８】ユニット配置部ＭＰは、最下部に、レジス
ト等の処理液供給／排出のための配管等を収納するケミ
カルキャビネット１１を備え、この上側であってその４
隅には、基板に液処理を施す液処理部として、基板を回
転させつつレジスト塗布処理を行う塗布処理部ＳＣ１、
ＳＣ２（スピンコータ）と、露光後の基板の現像処理を
行う現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２（スピンデベロッパ）と
が配置されている。さらに、これらの液処理部の上側に
は、基板に熱処理を行う多段熱処理部２０が装置の前部
及び後部に配置されている。なお、装置の前側（Ｙ方向
の負の向き側）であって両塗布処理部ＳＣ１、ＳＣ２の
間には、基板処理部として、基板に純水等の洗浄液を供
給して基板を回転洗浄する洗浄処理部ＳＳ（スピンスク
ラバ）が配置されている。

【００１９】塗布処理部ＳＣ１、ＳＣ２や現像処理部Ｓ
Ｄ１、ＳＤ２に挟まれた装置中央部には、周囲の全処理
部にアクセスしてこれらとの間で基板の受け渡しを行う
ための基板搬送手段として、搬送ロボットＴＲ１が配置
されている。この搬送ロボットＴＲ１は、鉛直方向に移
動可能であるとともに中心の鉛直軸回りに回転可能とな
っている。

【００２０】なお、ユニット配置部ＭＰの最上部には、
クリーンエアのダウンフローを形成するフィルタファン
ユニットＦＦＵが設置されている。多段熱処理部２０の
直下にも、液処理部側にクリーンエアのダウンフローを
形成するフィルタファンユニットＦＦＵが設置されてい
る。

【００２１】次に、図２は、図１の処理部の配置構成を
説明する図である。塗布処理部ＳＣ１の上方には、多段
熱処理部２０として、６段構成の熱処理部が配置されて
いる。これらのうち、最下段より数えて１段目の位置に
は基板の冷却処理を行う冷却処理部ＣＰ１が設けられて
おり、２段目，３段目についても同様に冷却処理部ＣＰ
２，ＣＰ３が設けられている。そして、４段目には、基
板に対して密着強化処理を行う密着強化部ＡＨが設けら
れ、５段目と６段目の位置には、基板の加熱処理を行う
ベークユニットたる加熱処理部ＨＰ１，ＨＰ２が設けら
れている。

【００２２】塗布処理部ＳＣ２の上方にも、多段熱処理
部２０として、６段構成の熱処理部が配置されている。
これらのうち、最下段より１段目から３段目の位置には
冷却処理部ＣＰ４〜ＣＰ６が設けられており、４段目か
ら６段目の位置には加熱処理部ＨＰ３〜ＨＰ５が設けら
れている。

【００２３】現像処理部ＳＤ１の上方にも、多段熱処理
部２０として、４段構成の熱処理部が配置されている。
このうち、最下段より１段目，２段目の位置には冷却処
理部ＣＰ７，ＣＰ８が設けられており、３段目，４段目
の位置には加熱処理部ＨＰ６，ＨＰ７が設けられてい
る。なお、最上段側の２段は、本実施形態の装置の場
合、空状態となっているが、用途及び目的に応じて加熱
処理部や冷却処理部、又はその他の熱処理部を組み込む
ことができる。

【００２４】現像処理部ＳＤ２の上方にも、多段熱処理
部２０として、２段構成の熱処理部が配置されている。
このうち、最下段より１段目の位置には、冷却処理部Ｃ
Ｐ９が設けられており、２段目の位置には、基板に対し
て露光後のベーキング処理を行う露光後ベークプレート
部ＰＥＢが設けられている。この場合も、露光後ベーク
プレート部ＰＥＢより上段側は空状態となっているが、
用途及び目的に応じて加熱処理部や冷却処理部、又はそ
の他の熱処理部を組み込むことができる。

【００２５】そして、上記の液処理部や熱処理部間をユ
ニット配置部ＭＰの中央部に設けられた搬送ロボットＴ
Ｒ１が順次に搬送することによって基板に対して所定の
処理を施すことができる。

【００２６】なお、インターフェイスＩＦは、ユニット
配置部ＭＰにおいてレジストの塗布が終了した基板を露
光装置側に渡したり露光後の基板を露光装置側から受け
取るべく、かかる基板を一時的にストックする機能を有
し、図示を省略しているが、搬送ロボットＴＲ１との間
で基板を受け渡すロボットと、基板を載置するバッファ
カセットとを備えている。また、インデクサＩＤは、複
数の基板を収容可能なカセットを載置する載置部と、そ
のカセットと搬送ロボットＴＲ１との間で基板の受け渡
しを行う移載ロボット（図示省略）とを備えており、未
処理基板をカセットから搬送ロボットＴＲ１に払い出す
とともに、処理済み基板を搬送ロボットＴＲ１から受け
取ってカセットに収納する機能を有する。

【００２７】この基板処理装置における基板処理の一例
を以下の表１に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】この処理順序によれば、未処理基板はイン
デクサＩＤから払い出されて、密着強化処理、冷却処理
およびレジスト塗布処理が行われた後、加熱処理部ＨＰ
２にてプリベークが施される（処理手順）。その後、
冷却処理の後インターフェイスＩＦを介して露光装置に
渡され、露光処理に供される（処理手順）。そして、
露光済みの基板はインターフェイスＩＦを介してユニッ
ト配置部ＭＰに戻され、露光後ベークプレート部ＰＥＢ
にて露光後ベークが施された後（処理手順）、冷却処
理、現像処理が行われ、処理済み基板として再びインデ
クサＩＤに戻される。すなわち、本実施形態において
は、加熱処理部ＨＰ２が露光前ベーク部に、露光後ベー
クプレート部ＰＥＢが露光後ベーク部にそれぞれ相当す
る。

【００３０】＜３．露光前ベーク部および露光後ベーク
部の構成および動作＞次に、露光前ベーク部たる加熱処
理部ＨＰ２および露光後ベーク部たる露光後ベークプレ
ート部ＰＥＢのそれぞれの構成および動作について説明
する。図３は加熱処理部ＨＰ２を示す概略構成図であ
り、図４は露光後ベークプレート部ＰＥＢを示す概略構
成図である。

【００３１】図３に示す加熱処理部ＨＰ２は、基板Ｗを
直接または適当な間隔を開けて上面に載置するホットプ
レート５０を備え、その上方に、ホットプレート５０を
覆うようにベークカバー５２が配置され、ベークカバー
５２とホットプレート５０との間に熱処理空間が形成さ
れるようになっている。また、ベークカバー５２の内部
は仕切られてガス分配室が形設されており、図外のガス
供給源から供給された不活性ガス（本実施形態では窒素
ガス）を分配し、ベークカバー５２の底面に設けられた
複数のガス吹出孔（供給口）５２ａからホットプレート
５０に載置された基板Ｗの表面全体に均一に不活性ガス
を供給することができる構造となっている。すなわち、
基板Ｗの加熱処理中においては、ガス吹出孔５２ａが基
板Ｗの上方から不活性ガスの気流を供給することとな
る。また、ベークカバー５２は図示しない支持機構によ
って上下方向へ移動可能とされており、ホットプレート
５０を覆う熱処理位置（図３の位置）とその上方の待避
位置との間で昇降可能な構造となっている。

【００３２】ホットプレート５０およびベークカバー５
２の周囲は、チャンバ５４によって囲まれている。そし
て、ガス吹出孔５２ａから基板Ｗに供給された不活性ガ
スの気流を排気する排気口５１ａ、５１ｂがホットプレ
ート５０に載置された基板Ｗの径方向における側方両端
側にそれぞれ設けられている。排気口５１ａ、５１ｂ
は、それぞれ排気管５３ａ、５３ｂを介して三方弁５９
に接続されている。さらに、三方弁５９は図外の排気吸
引源に接続されるとともに、基板処理装置の制御部ＣＴ
と電気的に接続されており、制御部ＣＴからの指示に基
づいて、排気吸引源と排気口５１ａとを連通させること
と、排気吸引源と排気口５１ｂとを連通させることとを
切り替える。すなわち、ガス吹出孔５２ａから基板Ｗに
供給された気流は、制御部ＣＴからの指示によって、排
気口５１ａからの排気と排気口５１ｂからの排気とが切
り替えられるのである。なお、排気口５１ａと排気吸引
源とが連通している状態においては、排気口５１ｂと排
気吸引源とは遮断されており、排気口５１ｂから気流が
排気されることはなく、その逆の状態においても同様で
ある。

【００３３】図４に示す露光後ベークプレート部ＰＥＢ
の機械的な構成は上記加熱処理部ＨＰ２のそれと同一で
ある。すなわち、ホットプレート７０を覆うようにベー
クカバー７２が配置され、ベークカバー７２の底面に設
けられた複数のガス吹出孔７２ａが基板Ｗの上方から不
活性ガスの気流を供給する。ホットプレート７０および
ベークカバー７２の周囲は、チャンバ７４によって囲ま
れ、ガス吹出孔７２ａから基板Ｗに供給された不活性ガ
スの気流を排気する排気口７１ａ、７１ｂがホットプレ
ート７０に載置された基板Ｗの径方向における側方両端
側にそれぞれ設けられている。また、排気口７１ａ、７
１ｂは、それぞれ排気管７３ａ、７３ｂを介して三方弁
７９に接続されている。三方弁７９は図外の排気吸引源
に接続されるとともに、基板処理装置の制御部ＣＴと電
気的に接続されている。そして、上記と同様に、ガス吹
出孔７２ａから基板Ｗに供給された気流は、制御部ＣＴ
からの指示によって、排気口７１ａからの排気と排気口
７１ｂからの排気とが切り替えられるのである。

【００３４】基板処理装置における処理手順は上記表１
に示した通りであり、基板Ｗは処理途中において加熱処
理部ＨＰ２および露光後ベークプレート部ＰＥＢのそれ
ぞれに搬入される。このときに、搬送ロボットＴＲ１
は、加熱処理部ＨＰ２および露光後ベークプレート部Ｐ
ＥＢのそれぞれにおいて基板Ｗが同一の方向・向きとな
るように搬入を行う。なお、基板Ｗの方向・向きは、基
板Ｗに設けられたオリフラまたはノッチ等（図示省略）
によって光学的に検出するようにすればよい。例えば、
図３の加熱処理部ＨＰ２において基板Ｗのノッチが図中
右側となる場合は、図４の露光後ベークプレート部ＰＥ
Ｂにおいても基板Ｗのノッチが図中右側となるようにす
る。

【００３５】そして、加熱処理部ＨＰ２における加熱処
理中に排気口５１ａからの排気が行われている場合に
は、露光後ベークプレート部ＰＥＢにおける加熱処理中
には排気口７１ｂからの排気が行われるように、制御部
ＣＴが三方弁５９、７９をそれぞれ制御するのである
（図３および図４の状態）。このときには、排気口５１
ｂおよび排気口７１ａからの排気は当然に行われない。
従って、加熱処理部ＨＰ２において、ガス吹出孔５２ａ
から基板Ｗに供給された気流は、排気口５１ａに向けて
流れ（図中右向き；図３参照）、露光後ベークプレート
部ＰＥＢにおいて、ガス吹出孔７２ａから基板Ｗに供給
された気流は、排気口７１ｂに向けて流れる（図中左向
き；図４参照）。

【００３６】逆に、加熱処理部ＨＰ２における加熱処理
中に排気口５１ｂからの排気が行われている場合には、
露光後ベークプレート部ＰＥＢにおける加熱処理中には
排気口７１ａからの排気が行われる。従って、加熱処理
部ＨＰ２において、ガス吹出孔５２ａから基板Ｗに供給
された気流は、排気口５１ｂに向けて流れ（図中左向
き）、露光後ベークプレート部ＰＥＢにおいて、ガス吹
出孔７２ａから基板Ｗに供給された気流は、排気口７１
ａに向けて流れる（図中右向き）。

【００３７】このようにすれば、加熱処理部ＨＰ２にお
ける加熱処理中の基板Ｗ上の気流の流れの向きと露光後
ベークプレート部ＰＥＢにおける加熱処理中の基板Ｗ上
の気流の流れの向きとが逆向きとなる。換言すれば、プ
リベークにおける基板Ｗ上の気流の流れの向きと、露光
後ベークにおける基板Ｗ上の気流の流れの向きとが逆向
きとなり、これによって、現像処理後の基板Ｗのレジス
ト膜における線巾均一性が向上するのである。

【００３８】＜４．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態では、加熱処理部
ＨＰ２および露光後ベークプレート部ＰＥＢにおいて、
基板Ｗの上方から不活性ガスの気流を供給し、側方の一
端側から排気することによって気流の流れを形成するよ
うにしていたが、これを基板Ｗの側方の一端側から気流
を供給して他端側から気流を排気するようにしてもよ
い。具体的には、図３の加熱処理部ＨＰ２において、排
気口５１ｂとガス供給源とを連通し、排気口５１ｂをガ
ス供給口として排気口５１ｂから排気口５１ａに向けて
気流の流れを形成するようにする。また、同時に、図４
の露光後ベークプレート部ＰＥＢにおいては、排気口７
１ａとガス供給源とを連通し、排気口７１ａをガス供給
口として排気口７１ａから排気口７１ｂに向けて気流の
流れを形成するようにする。このようにしても、上記と
同様に、プリベークにおける基板Ｗ上の気流の流れの向
きと、露光後ベークにおける基板Ｗ上の気流の流れの向
きとが逆向きとなり、その結果、現像処理後の基板Ｗの
レジスト膜における線巾均一性が向上するのである。な
お、これを加熱処理部ＨＰ２において、排気口５１ａか
ら排気口５１ｂに向けて気流の流れを形成し、露光後ベ
ークプレート部ＰＥＢにおいて、排気口７１ｂから排気
口７１ａに向けて気流の流れを形成するようにしてもよ
いことは勿論である。

【００３９】すなわち、プリベークにおける基板Ｗ上の
気流の流れの向きと、露光後ベークにおける基板Ｗ上の
気流の流れの向きとが逆向きとなるような形態であれば
よいのである。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１、請求項
２および請求項３の発明によれば、露光前加熱処理時に
おける基板上の気流の流れの向きと、露光後加熱処理時
における当該基板上の気流の流れの向きとを逆向きとし
ているため、露光前加熱処理時と露光後加熱処理時との
間で基板面内の温度勾配の態様が相互に逆となり、現像
処理後のレジスト膜における線巾均一性を向上すること
ができる。

【００４１】また、請求項４の発明によれば、レジスト
塗布後露光前の基板上に第１の向きにて気流を流しつ
つ、露光前加熱処理を行う露光前加熱工程と、露光後現
像前の当該基板上に第１の向きとは逆向きの第２の向き
にて気流を流しつつ、露光後加熱処理を行う露光後加熱
工程と、を備えているため、露光前加熱工程と露光後加
熱工程との間で基板面内の温度勾配の態様が相互に逆と
なり、現像処理後のレジスト膜における線巾均一性を向
上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図
である。

【図２】図１の基板処理装置における処理部の配置構成
を説明する図である。

【図３】露光前ベーク部である加熱処理部を示す概略構
成図である。

【図４】露光後ベーク部である露光後ベークプレート部
を示す概略構成図である。

【符号の説明】

５０、７０ ホットプレート ５２、７２ ベークカバー ５１ａ、５１ｂ、７１ａ、７１ｂ 排気口 ５２ａ、７２ａ ガス吹出孔 ５９ 三方弁 ＣＴ 制御部 ＨＰ２ 加熱処理部 ＰＥＢ 露光後ベークプレート部 Ｗ 基板

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レジスト塗布後露光前の基板に露光前加
   熱処理を行う露光前ベーク部と、露光後現像前の基板に
   露光後加熱処理を行う露光後ベーク部と、を備えた基板
   処理装置であって、 前記露光前加熱処理時における基板上の気流の流れの向
   きと、前記露光後加熱処理時における前記基板上の気流
   の流れの向きとを逆向きとすることを特徴とする基板処
   理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記露光前ベーク部および前記露光後ベーク部のそれぞ
   れは、 加熱処理中の基板の上方から気流を供給する供給口と、 前記基板の側方における一方側および他方側のそれぞれ
   に設けられ、前記供給された気流を排気する排気口と、 前記一方側の排気口からの排気と前記他方側の排気口か
   らの排気とを切替可能な切替手段と、を備え、 前記露光前加熱処理時には、前記露光前ベーク部の前記
   一方側の排気口からの排気を行うとともに、前記露光後
   加熱処理時には、前記露光後ベーク部の前記他方側の排
   気口からの排気を行うことを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記露光前ベーク部は、 加熱処理中の基板の側方における一方側から前記基板に
   気流を供給する露光前供給口と、 前記供給された気流を、前記基板の側方における他方側
   から排気する露光前排気口と、 を備え、 前記露光後ベーク部は、 加熱処理中の前記基板の前記他方側から前記基板に気流
   を供給する露光後供給口と、 前記供給された気流を、前記基板の前記一方側から排気
   する露光後排気口と、を備えることを特徴とする基板処
   理装置。
4. 【請求項４】 基板に対して熱処理を含む所定の処理を
   行う基板処理方法であって、 (a) レジスト塗布後露光前の基板上に第１の向きにて気
   流を流しつつ、露光前加熱処理を行う露光前加熱工程
   と、 (b) 露光後現像前の前記基板上に前記第１の向きとは逆
   向きの第２の向きにて気流を流しつつ、露光後加熱処理
   を行う露光後加熱工程と、を備えることを特徴とする基
   板処理方法。