JP2000091170A - 半導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置 - Google Patents
半導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置Info
- Publication number
- JP2000091170A JP2000091170A JP10253123A JP25312398A JP2000091170A JP 2000091170 A JP2000091170 A JP 2000091170A JP 10253123 A JP10253123 A JP 10253123A JP 25312398 A JP25312398 A JP 25312398A JP 2000091170 A JP2000091170 A JP 2000091170A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- semiconductor wafer
- optical system
- marking
- irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面への盛り上がりが小さいと共に視認性の
優れたドットを形成する半導体ウェハのレーザマーキン
グ方法及び装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ表面１０にレーザ光７を照
射して凹み２１を形成し、レーザ照射位置９を円運動さ
せながらレーザ光７を複数ショット照射することによ
り、一部が重なる複数個の凹み２１を所定のドット領域
に形成してマーキングを設ける。
優れたドットを形成する半導体ウェハのレーザマーキン
グ方法及び装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ表面１０にレーザ光７を照
射して凹み２１を形成し、レーザ照射位置９を円運動さ
せながらレーザ光７を複数ショット照射することによ
り、一部が重なる複数個の凹み２１を所定のドット領域
に形成してマーキングを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハのレー
ザマーキング方法及び装置に関し、特に、視認性の高い
ドットを容易に加工できる半導体ウェハのレーザマーキ
ング方法及び装置に関する。
ザマーキング方法及び装置に関し、特に、視認性の高い
ドットを容易に加工できる半導体ウェハのレーザマーキ
ング方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体ウェハに対し工程管理及び品質管理のためにマーキン
グを施しておく必要がある。このマーキングはウェハプ
ロセス中の高温処理に耐えてウェハを汚染するおそれが
なく、更に被膜で覆われても読みとりやすいようにする
ため、ウェハ表面へ彫り込み加工することにより行われ
る。
体ウェハに対し工程管理及び品質管理のためにマーキン
グを施しておく必要がある。このマーキングはウェハプ
ロセス中の高温処理に耐えてウェハを汚染するおそれが
なく、更に被膜で覆われても読みとりやすいようにする
ため、ウェハ表面へ彫り込み加工することにより行われ
る。
【０００３】従来のスキャン光学系を使用して半導体ウ
ェハの表面に所定のパターンをレーザマーキングする方
法として、例えば、ウェハ表面を溶融させる最小限のエ
ネルギを同一位置に複数ショット連続的に照射し、照射
位置の溶融によりドットを形成するものがある。しかし
ながら、この方法ではマーキング後のドット外周及び底
部が極めて滑らかであり、且つ、ドット外形がきれいな
円形となるため、視認性があまりよくない。そこで、視
認性を向上させるためにはマーキング深さを深くせざる
を得ず、その結果としてウェハ表面への盛り上がりが高
くなってしまうという問題点がある。
ェハの表面に所定のパターンをレーザマーキングする方
法として、例えば、ウェハ表面を溶融させる最小限のエ
ネルギを同一位置に複数ショット連続的に照射し、照射
位置の溶融によりドットを形成するものがある。しかし
ながら、この方法ではマーキング後のドット外周及び底
部が極めて滑らかであり、且つ、ドット外形がきれいな
円形となるため、視認性があまりよくない。そこで、視
認性を向上させるためにはマーキング深さを深くせざる
を得ず、その結果としてウェハ表面への盛り上がりが高
くなってしまうという問題点がある。
【０００４】また、その他の方法として、１ショットで
ウェハ表面を溶融させ、溶融ドットを形成する方法があ
る。
ウェハ表面を溶融させ、溶融ドットを形成する方法があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１ショ
ットで溶融ドットを形成する方法では、前述の方法と比
較して視認性が高いものの、表面への盛り上がりが高く
なるという問題点がある。
ットで溶融ドットを形成する方法では、前述の方法と比
較して視認性が高いものの、表面への盛り上がりが高く
なるという問題点がある。
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、表面への盛り上がりが小さいと共に視認性
が優れたドットを形成することができる半導体ウェハの
レーザマーキング方法及び装置を提供することを目的と
する。
のであって、表面への盛り上がりが小さいと共に視認性
が優れたドットを形成することができる半導体ウェハの
レーザマーキング方法及び装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウェ
ハのレーザマーキング方法は、半導体ウェハ表面にレー
ザ光を照射して凹みを形成し、レーザ光の照射位置を移
動させて一部が重なる複数個の凹みを所定のドット領域
に形成してマーキングを設けることを特徴とする。
ハのレーザマーキング方法は、半導体ウェハ表面にレー
ザ光を照射して凹みを形成し、レーザ光の照射位置を移
動させて一部が重なる複数個の凹みを所定のドット領域
に形成してマーキングを設けることを特徴とする。
【０００８】この場合、レーザ照射位置を往復運動させ
ながらレーザ光を複数ショット照射することにより、前
記凹みを複数個形成してもよく、またレーザ照射位置を
円運動させながらレーザ光を複数ショット照射すること
により、前記凹みを複数個形成してもよい。
ながらレーザ光を複数ショット照射することにより、前
記凹みを複数個形成してもよく、またレーザ照射位置を
円運動させながらレーザ光を複数ショット照射すること
により、前記凹みを複数個形成してもよい。
【０００９】また、前記凹みは格子状に配列されていて
もよく、前記ドット領域の中心から螺旋状に配列されて
いてもよい。
もよく、前記ドット領域の中心から螺旋状に配列されて
いてもよい。
【００１０】更に、前記レーザ光が所定の照射数所定の
照射時間所定の照射箇所を照射した場合に、照射を停止
してもよく、所定の照射時間照射した場合に、照射を停
止してもよく、又は所定の照射箇所を照射した場合に、
照射を停止してもよい。
照射時間所定の照射箇所を照射した場合に、照射を停止
してもよく、所定の照射時間照射した場合に、照射を停
止してもよく、又は所定の照射箇所を照射した場合に、
照射を停止してもよい。
【００１１】更にまた、レーザ発振器がＬＤ励起レーザ
であってもよく、前記半導体ウェハの材質がＧａＡｓ化
合物であり、レーザ発振器がＱスイッチＮｄ：ＹＬＦレ
ーザであってもよく、前記半導体ウェハの材質がシリコ
ンであり、レーザ発振器がＮｄ：ＹＬＦレーザであって
もよく、又は前記半導体ウェハの材質がシリコンであ
り、レーザ発振器がＮｄ：ＹＡＧレーザであってもよ
い。
であってもよく、前記半導体ウェハの材質がＧａＡｓ化
合物であり、レーザ発振器がＱスイッチＮｄ：ＹＬＦレ
ーザであってもよく、前記半導体ウェハの材質がシリコ
ンであり、レーザ発振器がＮｄ：ＹＬＦレーザであって
もよく、又は前記半導体ウェハの材質がシリコンであ
り、レーザ発振器がＮｄ：ＹＡＧレーザであってもよ
い。
【００１２】本発明により形成されたマーキングは、マ
ーキングの外周及び底部に凹凸を有するために光散乱が
生じやすいため、効率よく光が反射され、肉眼での視認
性が極めて高い。また、本発明によれば、同等の視認性
を有しながら、従来より彫り込み深さを浅くすることが
できるので、半導体ウェハ表面の盛り上がりを少なくす
ることができる。
ーキングの外周及び底部に凹凸を有するために光散乱が
生じやすいため、効率よく光が反射され、肉眼での視認
性が極めて高い。また、本発明によれば、同等の視認性
を有しながら、従来より彫り込み深さを浅くすることが
できるので、半導体ウェハ表面の盛り上がりを少なくす
ることができる。
【００１３】この場合に、レーザ発振器がＬＤ励起レー
ザであると、加工安定度を向上させることができる。
ザであると、加工安定度を向上させることができる。
【００１４】また、前記半導体ウェハの材質がＧａＡｓ
化合物であり、レーザ発振器がＱスイッチＮｄ：ＹＬＦ
レーザであると、吸収特性がよく、完全空冷化を可能に
することができる。
化合物であり、レーザ発振器がＱスイッチＮｄ：ＹＬＦ
レーザであると、吸収特性がよく、完全空冷化を可能に
することができる。
【００１５】更にまた、前記半導体ウェハの材質がシリ
コンであり、レーザ発振器がＮｄ：ＹＬＦレーザの場合
は、コストが装置構造の面で有利になる。レーザ発振器
がＮｄ：ＹＡＧレーザであっても同様の効果がある。
コンであり、レーザ発振器がＮｄ：ＹＬＦレーザの場合
は、コストが装置構造の面で有利になる。レーザ発振器
がＮｄ：ＹＡＧレーザであっても同様の効果がある。
【００１６】本発明に係る半導体ウェハのレーザマーキ
ング装置は、レーザ光を発生するレーザ発振器と、この
レーザ発振器から発生したレーザ光を所定の形状及び大
きさに整形し最終的な半導体ウェハ上での集光径とする
ビーム整形部と、レーザ光を前記半導体ウェハ表面を溶
融させ得るエネルギに調整及び維持するレーザパワー調
整部と、前記レーザ光を前記半導体ウェハ上で２次元的
に走査するスキャン光学系と、前記レーザ光を前記半導
体ウェハ上のレーザ照射位置に集光する集光光学系と、
前記半導体ウェハ表面に対し前記レーザ光を複数個照射
するように制御する制御部とを有することを特徴とす
る。
ング装置は、レーザ光を発生するレーザ発振器と、この
レーザ発振器から発生したレーザ光を所定の形状及び大
きさに整形し最終的な半導体ウェハ上での集光径とする
ビーム整形部と、レーザ光を前記半導体ウェハ表面を溶
融させ得るエネルギに調整及び維持するレーザパワー調
整部と、前記レーザ光を前記半導体ウェハ上で２次元的
に走査するスキャン光学系と、前記レーザ光を前記半導
体ウェハ上のレーザ照射位置に集光する集光光学系と、
前記半導体ウェハ表面に対し前記レーザ光を複数個照射
するように制御する制御部とを有することを特徴とす
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係る半導
体ウェハのレーザマーキング方法及び装置について、添
付の図面を参照して具体的に説明する。図１（ａ）は本
発明の実施例に係る半導体ウェハのレーザマーキング装
置を示す図、図１（ｂ）はマーキングにより形成された
ドットの模式図である。
体ウェハのレーザマーキング方法及び装置について、添
付の図面を参照して具体的に説明する。図１（ａ）は本
発明の実施例に係る半導体ウェハのレーザマーキング装
置を示す図、図１（ｂ）はマーキングにより形成された
ドットの模式図である。
【００１８】図１（ａ）に示すように、本実施例の半導
体ウェハのレーザマーキング装置１においては、レーザ
光を発生し、出力するレーザ光発生源としてレーザ発振
器２が設けられている。このレーザ発振器２から出力さ
れたレーザ光は光学系８のビーム整形部３に入力され
る。光学系８はこのレーザ光をマーキングに適したエネ
ルギ密度のレーザ光に変換し、半導体ウェハ１０上に照
射するものであり、光学系８のビーム整形部３はレーザ
光７を所望の形状、大きさに整形し、最終的に半導体ウ
ェハ１０上での集光径を決定する。
体ウェハのレーザマーキング装置１においては、レーザ
光を発生し、出力するレーザ光発生源としてレーザ発振
器２が設けられている。このレーザ発振器２から出力さ
れたレーザ光は光学系８のビーム整形部３に入力され
る。光学系８はこのレーザ光をマーキングに適したエネ
ルギ密度のレーザ光に変換し、半導体ウェハ１０上に照
射するものであり、光学系８のビーム整形部３はレーザ
光７を所望の形状、大きさに整形し、最終的に半導体ウ
ェハ１０上での集光径を決定する。
【００１９】このビーム整形部３の出力はレーザパワー
調整部４に入力される。このレーザパワー調整部４はレ
ーザ光７のエネルギを半導体ウェハ表面を溶融させ得る
最小限のエネルギに調整し維持する。レーザパワー調整
部４の出力はガルバノメータを内蔵するスキャン光学系
５に入力され、このスキャン光学系５はレーザ光７を半
導体ウェハ１０上で２次元的に走査すると共に、レーザ
照射位置９で微小直径の円運動をするように微動させ
る。スキャン光学系５の出力は集光光学系６に入力さ
れ、この集光光学系６はレーザ光を半導体ウェハ１０上
の所定のレーザ照射位置に集光する。なお、スキャン光
学系５は、レーザ光７を半導体ウェハ１０上でＸ・Ｙ方
向に微小往復運動するように微動させることもできる。
調整部４に入力される。このレーザパワー調整部４はレ
ーザ光７のエネルギを半導体ウェハ表面を溶融させ得る
最小限のエネルギに調整し維持する。レーザパワー調整
部４の出力はガルバノメータを内蔵するスキャン光学系
５に入力され、このスキャン光学系５はレーザ光７を半
導体ウェハ１０上で２次元的に走査すると共に、レーザ
照射位置９で微小直径の円運動をするように微動させ
る。スキャン光学系５の出力は集光光学系６に入力さ
れ、この集光光学系６はレーザ光を半導体ウェハ１０上
の所定のレーザ照射位置に集光する。なお、スキャン光
学系５は、レーザ光７を半導体ウェハ１０上でＸ・Ｙ方
向に微小往復運動するように微動させることもできる。
【００２０】更に、マーキング装置１には、光学系８を
制御する光学系制御部１４と、この光学系制御部１４を
含むマーキング装置全体を総括制御する装置制御部１５
が設けられている。装置制御部１５からマーキングの指
令はレーザ発振器２及び光学系制御部１４に伝送され
る。更に、光学系制御部１４は装置制御部１５からの指
令を光学系８を構成する要素夫々に適切な指令に変換し
て光学系８に伝送する。レーザ発振器２は装置制御部１
５からの指令を受けて、光学系８に内蔵されたビーム整
形部３にレーザ光を出力する。このビーム整形部３は入
力されたレーザ光を光学系制御部１４からの指令に従い
マーキングに適した形状及び大きさに整形して、レーザ
パワー調整部４に出力する。このレーザパワー調整部４
は入力されたレーザ光を光学系制御部１４からの指令に
従い半導体ウェハ１０の表面を溶融させ得る最小限のエ
ネルギに調整及び維持して、スキャン光学系５に出力す
る。このスキャン光学系５は入力されたレーザ光を光学
系制御部１４からの指令に従いドット１１のマーキング
に必要なデータ、例えば、最終的に構成されるマーキン
グパターンに必要な全てのドット１１の座標位置、各ド
ット１１に必要なレーザショット数、半導体ウェハ１０
の表面を溶融させることができるレーザパワー及びレー
ザ照射位置９を微動する内容を設定して、マーキングを
実行する。
制御する光学系制御部１４と、この光学系制御部１４を
含むマーキング装置全体を総括制御する装置制御部１５
が設けられている。装置制御部１５からマーキングの指
令はレーザ発振器２及び光学系制御部１４に伝送され
る。更に、光学系制御部１４は装置制御部１５からの指
令を光学系８を構成する要素夫々に適切な指令に変換し
て光学系８に伝送する。レーザ発振器２は装置制御部１
５からの指令を受けて、光学系８に内蔵されたビーム整
形部３にレーザ光を出力する。このビーム整形部３は入
力されたレーザ光を光学系制御部１４からの指令に従い
マーキングに適した形状及び大きさに整形して、レーザ
パワー調整部４に出力する。このレーザパワー調整部４
は入力されたレーザ光を光学系制御部１４からの指令に
従い半導体ウェハ１０の表面を溶融させ得る最小限のエ
ネルギに調整及び維持して、スキャン光学系５に出力す
る。このスキャン光学系５は入力されたレーザ光を光学
系制御部１４からの指令に従いドット１１のマーキング
に必要なデータ、例えば、最終的に構成されるマーキン
グパターンに必要な全てのドット１１の座標位置、各ド
ット１１に必要なレーザショット数、半導体ウェハ１０
の表面を溶融させることができるレーザパワー及びレー
ザ照射位置９を微動する内容を設定して、マーキングを
実行する。
【００２１】次に、このように構成された本実施例の半
導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置の動作につ
いて説明する。図２は本実施例のレーザマーキング装置
の制御方法を示すフローチャート図である。
導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置の動作につ
いて説明する。図２は本実施例のレーザマーキング装置
の制御方法を示すフローチャート図である。
【００２２】先ず、ドット１１の座標位置データに基づ
く装置制御部１５からの指令で光学系制御部１４がスキ
ャン光学系５を駆動し、レーザ照射位置９がドット１１
の形成位置にくるように移動させた後、停止する（ステ
ップＡ１）。
く装置制御部１５からの指令で光学系制御部１４がスキ
ャン光学系５を駆動し、レーザ照射位置９がドット１１
の形成位置にくるように移動させた後、停止する（ステ
ップＡ１）。
【００２３】次に、レーザ照射位置９の微動内容データ
に基づく装置制御部１５からの指令で光学系制御部１４
がスキャン光学系５を駆動させ、レーザ照射位置９を微
小直径の円運動させる（ステップＡ２）。
に基づく装置制御部１５からの指令で光学系制御部１４
がスキャン光学系５を駆動させ、レーザ照射位置９を微
小直径の円運動させる（ステップＡ２）。
【００２４】次いで、レーザパワーデータに基づく装置
制御部１５からの指令で光学系制御部１４がレーザパワ
ー調整部４を制御して、レーザ光７のパワーを半導体ウ
ェハ１０の表面を溶融させ得る最小限のエネルギ強度に
調整する（ステップＡ３）。
制御部１５からの指令で光学系制御部１４がレーザパワ
ー調整部４を制御して、レーザ光７のパワーを半導体ウ
ェハ１０の表面を溶融させ得る最小限のエネルギ強度に
調整する（ステップＡ３）。
【００２５】そして、レーザショット数データに基づく
装置制御部１５からの指令でレーザ発振器２を制御して
レーザパルスを照射する（ステップ４）。
装置制御部１５からの指令でレーザ発振器２を制御して
レーザパルスを照射する（ステップ４）。
【００２６】次に、実際のショット数が設定ショット数
と等しいか否かを判別する（ステップＡ５）。
と等しいか否かを判別する（ステップＡ５）。
【００２７】この判別の結果、実際の照射ショット数と
設定ショット数が等しくない場合はステップＡ６を経由
してステップ４に戻る。
設定ショット数が等しくない場合はステップＡ６を経由
してステップ４に戻る。
【００２８】ここでドット１１の形成に必要なレーザシ
ョット数及びレーザ照射位置９を微動する内容に基づ
き、装置制御部１５からの指令で光学系制御部１４がス
キャン光学系５を制御して、レーザ照射位置９が凹み２
１の形成位置にくるように移動させる（ステップＡ
６）。
ョット数及びレーザ照射位置９を微動する内容に基づ
き、装置制御部１５からの指令で光学系制御部１４がス
キャン光学系５を制御して、レーザ照射位置９が凹み２
１の形成位置にくるように移動させる（ステップＡ
６）。
【００２９】一方、ステップＡ５の判別の結果、実際の
照射ショット数と設定ショット数が等しい場合には、装
置制御部１５がレーザ発振器２を制御してレーザパルス
を停止する。（ステップＡ７）最後に、装置制御部１５
からの指令で光学系制御部１４がスキャン光学系５の動
作を停止する（ステップＡ８）。
照射ショット数と設定ショット数が等しい場合には、装
置制御部１５がレーザ発振器２を制御してレーザパルス
を停止する。（ステップＡ７）最後に、装置制御部１５
からの指令で光学系制御部１４がスキャン光学系５の動
作を停止する（ステップＡ８）。
【００３０】このようにして、図１（ｂ）に示すよう
に、１回のレーザショットで１個の凹みが形成され、更
にスキャン光学系５が光学系１４からの指令に従い微小
直径の円運動するように走査して凹みを円周状に並べて
形成することにより、凹み２１の集合体としてドット１
１が形成される。最終的にドット１１が集合し所定のマ
ーキングパターン（図示せず）が形成される。
に、１回のレーザショットで１個の凹みが形成され、更
にスキャン光学系５が光学系１４からの指令に従い微小
直径の円運動するように走査して凹みを円周状に並べて
形成することにより、凹み２１の集合体としてドット１
１が形成される。最終的にドット１１が集合し所定のマ
ーキングパターン（図示せず）が形成される。
【００３１】１回のレーザショットで形成されるほぼ円
形の凹み２１はごく浅い加工であるが、レーザ照射位置
９を微小直径の円運動しながら所定のピッチをもって凹
み２１を連続的に形成すると、外周１２及び底部１３に
凹凸をもつドット１１が形成される。
形の凹み２１はごく浅い加工であるが、レーザ照射位置
９を微小直径の円運動しながら所定のピッチをもって凹
み２１を連続的に形成すると、外周１２及び底部１３に
凹凸をもつドット１１が形成される。
【００３２】従って、本実施例により形成されるドット
１１は、従来のように彫り込み深さを深くして視認性を
向上させる方法とは異なり、ドット１１の底部形状を光
散乱が発生しやすいものとしてその視認性を向上させて
いる。従って、十分な視認性を有しながら、彫り込み深
さを深くする必要がなく、半導体ウェハ表面の盛り上が
りを低く抑制することができる。
１１は、従来のように彫り込み深さを深くして視認性を
向上させる方法とは異なり、ドット１１の底部形状を光
散乱が発生しやすいものとしてその視認性を向上させて
いる。従って、十分な視認性を有しながら、彫り込み深
さを深くする必要がなく、半導体ウェハ表面の盛り上が
りを低く抑制することができる。
【００３３】図３は本発明の実施例方法により半導体ウ
ェハ表面に形成された他のドットを示す図であって、
（ａ）はドット１１の拡大図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
断面図である。図３（ａ）に示すように、レーザ照射位
置９を連続的にＸＹ方向に微小移動させながら凹み２１
を形成することにより、凹み２１が格子状に並ぶような
外周１２及び底部１３に凹凸をもつドット１１が形成さ
れる。図３（ｂ）に示すように、１回のレーザショット
で形成されるほぼ円形の凹み２１は浅い加工だが、凹凸
をもっている光散乱が発生しやすい形状となっている。
ェハ表面に形成された他のドットを示す図であって、
（ａ）はドット１１の拡大図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
断面図である。図３（ａ）に示すように、レーザ照射位
置９を連続的にＸＹ方向に微小移動させながら凹み２１
を形成することにより、凹み２１が格子状に並ぶような
外周１２及び底部１３に凹凸をもつドット１１が形成さ
れる。図３（ｂ）に示すように、１回のレーザショット
で形成されるほぼ円形の凹み２１は浅い加工だが、凹凸
をもっている光散乱が発生しやすい形状となっている。
【００３４】なお底部１３に形成される凹凸形状を均一
にする場合には、レーザ照射位置９の移動速度の速度と
レーザ光７の照射タイミングを同期させるとよい。
にする場合には、レーザ照射位置９の移動速度の速度と
レーザ光７の照射タイミングを同期させるとよい。
【００３５】ドット１１の中心から凹み２１を螺旋状に
連続形成しても同様の視認性が得られる。
連続形成しても同様の視認性が得られる。
【００３６】なお、ステップＡ３についてはステップＡ
１より前の任意の時点及びステップＡ１乃至４の間の任
意の時点で実施してもよい。
１より前の任意の時点及びステップＡ１乃至４の間の任
意の時点で実施してもよい。
【００３７】また、レーザ光照射の停止タイミングは所
定の照射ショット数に達したか否かということではな
く、所定の照射時間が経過したか否か又は所定の最終照
射位置に照射したか否かということにより検出してもよ
い。
定の照射ショット数に達したか否かということではな
く、所定の照射時間が経過したか否か又は所定の最終照
射位置に照射したか否かということにより検出してもよ
い。
【００３８】なお、レーザショット数はドット１１の最
終的な大きさと視認性に応じて決定すればよい。
終的な大きさと視認性に応じて決定すればよい。
【００３９】また、レーザ発振器２は半導体ウェハ１０
の材質によって選択する必要があるが、ランプ励起レー
ザと比べＬＤ励起レーザが加工安定度が向上させること
ができる。更に、半導体ウェハ１０がＧａＡｓ加工物の
場合には、可視波長、通常は０．５２乃至０．５３μｍ
の波長をもつＱスイッチＮｄ：ＹＬＦレーザを使用する
と吸収特性がよく、完全空冷化が可能な点で有利にな
る。更にまた、半導体ウェハ１０がシリコンの場合は可
視波長、通常は０．５２乃至０．５３μｍの波長をもつ
Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、又は、近赤外線波長、通常は１．
０４乃至１．０６μｍの波長をもつＮｄ：ＹＡＧレーザ
をコストが装置構造に応じて選択してもよい。
の材質によって選択する必要があるが、ランプ励起レー
ザと比べＬＤ励起レーザが加工安定度が向上させること
ができる。更に、半導体ウェハ１０がＧａＡｓ加工物の
場合には、可視波長、通常は０．５２乃至０．５３μｍ
の波長をもつＱスイッチＮｄ：ＹＬＦレーザを使用する
と吸収特性がよく、完全空冷化が可能な点で有利にな
る。更にまた、半導体ウェハ１０がシリコンの場合は可
視波長、通常は０．５２乃至０．５３μｍの波長をもつ
Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、又は、近赤外線波長、通常は１．
０４乃至１．０６μｍの波長をもつＮｄ：ＹＡＧレーザ
をコストが装置構造に応じて選択してもよい。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
外周及び底部に凹凸を有するために光散乱が生じやす
く、効率よく光が反射され、肉眼での視認性が極めて高
いドットを容易に加工できる。また、本発明によれば、
同等の視認性を有しながら、従来より彫り込み深さを浅
くすることができるので、半導体ウェハ表面の盛り上が
りを少なくすることができる。
外周及び底部に凹凸を有するために光散乱が生じやす
く、効率よく光が反射され、肉眼での視認性が極めて高
いドットを容易に加工できる。また、本発明によれば、
同等の視認性を有しながら、従来より彫り込み深さを浅
くすることができるので、半導体ウェハ表面の盛り上が
りを少なくすることができる。
【００４１】更に、彫り込み加工深さを浅くできるた
め、常に最適な焦点位置でレーザマーキング加工するこ
とが容易となるので、エネルギロスを少なくできるた
め、レーザマーキング加工の安定度を向上させることが
できる。
め、常に最適な焦点位置でレーザマーキング加工するこ
とが容易となるので、エネルギロスを少なくできるた
め、レーザマーキング加工の安定度を向上させることが
できる。
【図１】（ａ）は本発明の実施例に係る半導体ウェハの
レーザマーキング装置を示す図、（ｂ）はマーキングに
より形成されたドットの模式図である。
レーザマーキング装置を示す図、（ｂ）はマーキングに
より形成されたドットの模式図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体ウェハのレーザマ
ーキング装置の制御フローチャート図である。
ーキング装置の制御フローチャート図である。
【図３】本発明の実施例方法により半導体ウェハ表面に
形成することができる他のドットを示す図であって、
（ａ）はドット１１の拡大図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
断面図である。
形成することができる他のドットを示す図であって、
（ａ）はドット１１の拡大図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
断面図である。
１；レーザマーキング装置 ２；レーザ発振器 ３；ビーム整形部 ４；レーザパワー調整部 ５；スキャン光学系 ６；集光光学系 ７；レーザ光 ８；光学系 ９；照射位置 １０；半導体ウェハ １１；ドット １２；外周 １３；底部 １４；光学系制御部 １５；装置制御部 ２１；凹み
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体ウェハ表面にレーザ光を照射して
凹みを形成し、レーザ光の照射位置を移動させて一部が
重なる複数個の凹みを所定のドット領域に形成してマー
キングを設けることを特徴とする半導体ウェハのレーザ
マーキング方法。 - 【請求項２】 レーザ照射位置を往復運動させながらレ
ーザ光を複数ショット照射することにより、前記凹みを
複数個形成することを特徴とする請求項１に記載の半導
体ウェハのレーザマーキング方法。 - 【請求項３】 レーザ照射位置を円運動させながらレー
ザ光を複数ショット照射することにより、前記凹みを複
数個形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体
ウェハのレーザマーキング方法。 - 【請求項４】 前記凹みは格子状に配列されていること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半
導体ウェハのレーザマーキング方法。 - 【請求項５】 前記凹みは前記ドット領域の中心から螺
旋状に配列されていることを特徴とする請求項１乃至３
のいずれか１項に記載の半導体ウェハのレーザマーキン
グ方法。 - 【請求項６】 前記レーザ光が所定の照射数を照射した
場合に、照射を停止することを特徴とする請求項１乃至
５のいずれか１項に記載の半導体ウェハのレーザマーキ
ング方法。 - 【請求項７】 前記レーザ光が所定の照射時間照射した
場合に、照射を停止することを特徴とする請求項１乃至
５のいずれか１項に記載の半導体ウェハのレーザマーキ
ング方法。 - 【請求項８】 前記レーザ光が所定の照射箇所を照射し
た場合に、照射を停止することを特徴とする請求項１乃
至５のいずれか１項に記載の半導体ウェハのレーザマー
キング方法。 - 【請求項９】 レーザ発振器がＬＤ励起レーザであるこ
とを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の
半導体ウェハのレーザマーキング方法。 - 【請求項１０】 前記半導体ウェハの材質がＧａＡｓ化
合物であり、レーザ発振器がＱスイッチＮｄ：ＹＬＦレ
ーザであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか
１項に記載の半導体ウェハのレーザマーキング方法。 - 【請求項１１】 前記半導体ウェハの材質がシリコンで
あり、レーザ発振器がＮｄ：ＹＬＦレーザであることを
特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導
体ウェハのレーザマーキング方法。 - 【請求項１２】 前記半導体ウェハの材質がシリコンで
あり、レーザ発振器がＮｄ：ＹＡＧレーザであることを
特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導
体ウェハのレーザマーキング方法。 - 【請求項１３】 レーザ光を発生するレーザ発振器と、
このレーザ発振器から発生したレーザ光を所定の形状及
び大きさに整形し最終的な半導体ウェハ上での集光径と
するビーム整形部と、レーザ光を前記半導体ウェハ表面
を溶融させ得るエネルギに調整及び維持するレーザパワ
ー調整部と、前記レーザ光を前記半導体ウェハ上で２次
元的に走査するスキャン光学系と、前記レーザ光を前記
半導体ウェハ上のレーザ照射位置に集光する集光光学系
と、前記半導体ウェハ表面に対し前記レーザ光を複数個
照射するように制御する制御部とを有することを特徴と
する半導体ウェハのレーザマーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25312398A JP3186706B2 (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | 半導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25312398A JP3186706B2 (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | 半導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091170A true JP2000091170A (ja) | 2000-03-31 |
| JP3186706B2 JP3186706B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=17246828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25312398A Expired - Lifetime JP3186706B2 (ja) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | 半導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3186706B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010039760A3 (en) * | 2008-10-03 | 2010-06-10 | Applied Materials, Inc. | Lavacoat pre-clean and pre-heat |
| WO2016129305A1 (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| JP2017022387A (ja) * | 2016-08-24 | 2017-01-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| WO2018150759A1 (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | Ａｇｃ株式会社 | マークを有するガラス基板およびその製造方法 |
| WO2022113823A1 (ja) * | 2020-11-26 | 2022-06-02 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101481080B1 (ko) | 2011-07-04 | 2015-01-13 | 한미반도체 주식회사 | 반도체 패키지의 레이저 가공방법 |
-
1998
- 1998-09-07 JP JP25312398A patent/JP3186706B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI566284B (zh) * | 2008-10-03 | 2017-01-11 | 應用材料股份有限公司 | Ｌａｖａｃｏａｔ型之預清潔與預熱 |
| CN105470114A (zh) * | 2008-10-03 | 2016-04-06 | 应用材料公司 | Lavacoat型的预清洁与预热 |
| WO2010039760A3 (en) * | 2008-10-03 | 2010-06-10 | Applied Materials, Inc. | Lavacoat pre-clean and pre-heat |
| KR101810928B1 (ko) | 2008-10-03 | 2017-12-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 래버코트 예비 세정 및 예열 |
| US10607900B2 (en) | 2015-02-10 | 2020-03-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Inspection system and inspection method |
| TWI721583B (zh) * | 2015-02-10 | 2021-03-11 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 檢查裝置及檢查方法 |
| CN107210244A (zh) * | 2015-02-10 | 2017-09-26 | 浜松光子学株式会社 | 检查装置及检查方法 |
| JP2016148550A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| US10312166B2 (en) | 2015-02-10 | 2019-06-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Inspection system and inspection method |
| TWI676810B (zh) * | 2015-02-10 | 2019-11-11 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 檢查裝置及檢查方法 |
| CN111564384B (zh) * | 2015-02-10 | 2023-04-18 | 浜松光子学株式会社 | 检查装置及检查方法 |
| WO2016129305A1 (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| CN111564384A (zh) * | 2015-02-10 | 2020-08-21 | 浜松光子学株式会社 | 检查装置及检查方法 |
| JP2017022387A (ja) * | 2016-08-24 | 2017-01-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| WO2018150759A1 (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | Ａｇｃ株式会社 | マークを有するガラス基板およびその製造方法 |
| JPWO2018150759A1 (ja) * | 2017-02-15 | 2019-12-12 | Ａｇｃ株式会社 | マークを有するガラス基板およびその製造方法 |
| WO2022113823A1 (ja) * | 2020-11-26 | 2022-06-02 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| US12532407B2 (en) | 2020-11-26 | 2026-01-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3186706B2 (ja) | 2001-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4522656A (en) | Method of making reference surface markings on semiconductor wafers by laser beam | |
| US20050155956A1 (en) | Laser processing method and processing device | |
| KR101165977B1 (ko) | 취성 재료 기판의 가공 방법 | |
| JP4027930B2 (ja) | ポリゴンミラーと利用したレーザー加工装置及び方法 | |
| JP2016516584A (ja) | テーパ制御のためのビーム角度とワークピース移動の連係方法 | |
| JP5552373B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP2011240349A (ja) | 加工対象物切断方法 | |
| JP5379394B2 (ja) | 光デバイス、光デバイスの製造方法、光デバイス用金型、及び、光デバイス用金型の製造方法 | |
| JP2002217125A (ja) | 表面処理装置及び方法 | |
| CN100546754C (zh) | 激光加工装置及其调整方法 | |
| JP3186706B2 (ja) | 半導体ウェハのレーザマーキング方法及び装置 | |
| JPS6054151B2 (ja) | レ−ザ切断方法 | |
| KR100300418B1 (ko) | 비금속 재료의 절단방법 및 그 장치 | |
| JP2007029952A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
| KR100976035B1 (ko) | 레이저 절단장치 | |
| JP4664269B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
| CN107662053A (zh) | 脆性材料基板的激光加工方法及激光加工装置 | |
| EP2963743A1 (en) | Laser processing apparatus | |
| JP6810951B2 (ja) | 脆性材料基板のレーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
| CN112894162B (zh) | 一种电路板的激光切割方法及激光切割系统 | |
| JP6813168B2 (ja) | 脆性材料基板のレーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
| JP2020121921A (ja) | 脆性材料基板のレーザー加工装置 | |
| JP3524855B2 (ja) | レーザ照射装置及びレーザ加工方法 | |
| JP4395110B2 (ja) | 透明材料へのマーキング方法およびこれを用いた装置 | |
| JP2924861B2 (ja) | 半導体ウエハ用レーザマーキング装置およびその方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140511 Year of fee payment: 13 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |