JP2000091164A - アルミニウムクラッド材および電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 - Google Patents
アルミニウムクラッド材および電解コンデンサ電極用アルミニウム箔Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング特性に優れて高静電容量を実現で
きるとともに、耐折強度にも優れた電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔、および箔の材料となるアルミニウム
クラッド材の提供を目的とする。 【解決手段】 アルミニウム箔は、Al純度を99.8
wt%以上とするとともに、5ppm以上2000ppm
未満のScを含有し、残部が不可避不純物からなる強化
層の少なくとも片面に、Al純度が99.8%以上の高
純度アルミニウムからなるエッチング層がクラッドされ
てなる。
きるとともに、耐折強度にも優れた電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔、および箔の材料となるアルミニウム
クラッド材の提供を目的とする。 【解決手段】 アルミニウム箔は、Al純度を99.8
wt%以上とするとともに、5ppm以上2000ppm
未満のScを含有し、残部が不可避不純物からなる強化
層の少なくとも片面に、Al純度が99.8%以上の高
純度アルミニウムからなるエッチング層がクラッドされ
てなる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、アルミニウムク
ラッド材および電解コンデンサ電極用アルミニウム箔に
関する。
ラッド材および電解コンデンサ電極用アルミニウム箔に
関する。
【0002】なお、この明細書において、「アルミニウ
ム」の語はアルミニウムおよびその合金の両者を含む意
味で用いられる。
ム」の語はアルミニウムおよびその合金の両者を含む意
味で用いられる。
【0003】
【従来の技術およびその問題点】アルミニウム電解コン
デンサ電極材として用いられるアルミニウム箔には、そ
の実行面積を拡大して単位面積当たりの静電容量を増大
するため、電気化学的あるいは化学的エッチング処理が
施される。特に、製品のダウンサイジングに伴う部品の
小型化要求から、高静電容量化へのニーズがますます高
まっている。
デンサ電極材として用いられるアルミニウム箔には、そ
の実行面積を拡大して単位面積当たりの静電容量を増大
するため、電気化学的あるいは化学的エッチング処理が
施される。特に、製品のダウンサイジングに伴う部品の
小型化要求から、高静電容量化へのニーズがますます高
まっている。
【0004】しかし、箔を単にエッチングしただけでは
十分な静電容量を得られず、エッチング特性を高めるた
めに、微量のPbやCuを添加する等の合金組成、熱処
理方法、結晶組織などの種々の観点から改良がなされて
いる。
十分な静電容量を得られず、エッチング特性を高めるた
めに、微量のPbやCuを添加する等の合金組成、熱処
理方法、結晶組織などの種々の観点から改良がなされて
いる。
【0005】一方、高静電容量化のための拡面率の向上
にともなってエッチング層が厚くなる傾向にあり、アル
ミニウム箔の耐折強度の確保が難しくなっている。
にともなってエッチング層が厚くなる傾向にあり、アル
ミニウム箔の耐折強度の確保が難しくなっている。
【0006】この発明は、このような技術背景に鑑み、
エッチング特性に優れて高静電容量を実現できるととも
に、耐折強度にも優れた電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム箔、および箔の材料となるアルミニウムクラッド材
の提供を目的とする。
エッチング特性に優れて高静電容量を実現できるととも
に、耐折強度にも優れた電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム箔、および箔の材料となるアルミニウムクラッド材
の提供を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明のアルミニウム
クラッド材は、前記目的を達成するために、少なくとも
一層に、Al純度を99.8wt%以上とするとともに、
5ppm以上2000ppm未満のScを含有し、残部
が不可避不純物からなる強化層がクラッドされてなるこ
と、あるいは少なくとも一層に、Al純度を99.8wt
%以上とするとともに、5ppm以上2000ppm未
満のSc、5〜60ppmのFe、5〜80ppmのS
iおよび5〜150ppmのCuを含有し、残部が不可
避不純物からなる強化層がクラッドされてなることを特
徴とする。
クラッド材は、前記目的を達成するために、少なくとも
一層に、Al純度を99.8wt%以上とするとともに、
5ppm以上2000ppm未満のScを含有し、残部
が不可避不純物からなる強化層がクラッドされてなるこ
と、あるいは少なくとも一層に、Al純度を99.8wt
%以上とするとともに、5ppm以上2000ppm未
満のSc、5〜60ppmのFe、5〜80ppmのS
iおよび5〜150ppmのCuを含有し、残部が不可
避不純物からなる強化層がクラッドされてなることを特
徴とする。
【0008】また、この発明の電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔は、前述のアルミニウムクラッド材を箔圧
延したものであって、Al純度を99.8wt%以上とす
るとともに、5ppm以上2000ppm未満のScを
含有し、残部が不可避不純物からなる強化層の少なくと
も片面に、Al純度が99.8%以上の高純度アルミニ
ウムからなるエッチング層がクラッドされてなること、
あるいはAl純度を99.8wt%以上とするとともに、
5ppm以上2000ppm未満のSc、5〜60pp
mのFe、5〜80ppmのSiおよび5〜150pp
mのCuを含有し、残部が不可避不純物からなる強化層
の少なくとも片面に、Al純度が99.8%以上の高純
度アルミニウムからなるエッチング層がクラッドされて
なることを特徴とする。また、前記エッチング層は、箔
表面において、立方体方位{001}〈100〉からの
ずれ角が10°以下の結晶粒が80%以上を占めること
が好ましい。
ルミニウム箔は、前述のアルミニウムクラッド材を箔圧
延したものであって、Al純度を99.8wt%以上とす
るとともに、5ppm以上2000ppm未満のScを
含有し、残部が不可避不純物からなる強化層の少なくと
も片面に、Al純度が99.8%以上の高純度アルミニ
ウムからなるエッチング層がクラッドされてなること、
あるいはAl純度を99.8wt%以上とするとともに、
5ppm以上2000ppm未満のSc、5〜60pp
mのFe、5〜80ppmのSiおよび5〜150pp
mのCuを含有し、残部が不可避不純物からなる強化層
の少なくとも片面に、Al純度が99.8%以上の高純
度アルミニウムからなるエッチング層がクラッドされて
なることを特徴とする。また、前記エッチング層は、箔
表面において、立方体方位{001}〈100〉からの
ずれ角が10°以下の結晶粒が80%以上を占めること
が好ましい。
【0009】この発明のアルミニウムクラッド材および
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔において、強化層
は微量のSc添加により強度や伸びを確保している。一
般に、電極用高純度アルミニウム箔は、エッチング後の
乾燥工程や化成処理工程において300℃以上の高温雰
囲気に曝される。このとき、硬質箔であっても軟化や再
結晶が起こり強度が低下する。また、軟質箔の場合は、
Al純度が高いために結晶粒径が大きくなり、板厚方向
の結晶粒の数が減少して伸びや耐折強度が低下する。こ
のような現象に対し、Al中に微量のScを添加するこ
とで最終焼鈍後の再結晶を遅延させ、且つ微細粒に再結
晶させて、再結晶後も強度や伸びを維持することができ
る。そして、Scが添加された強化層を高純度Alから
なるエッチング層にクラッドさせることにより、エッチ
ング特性を損なうことなく、強度や伸びに優れたアルミ
ニウム箔とすることができる。
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔において、強化層
は微量のSc添加により強度や伸びを確保している。一
般に、電極用高純度アルミニウム箔は、エッチング後の
乾燥工程や化成処理工程において300℃以上の高温雰
囲気に曝される。このとき、硬質箔であっても軟化や再
結晶が起こり強度が低下する。また、軟質箔の場合は、
Al純度が高いために結晶粒径が大きくなり、板厚方向
の結晶粒の数が減少して伸びや耐折強度が低下する。こ
のような現象に対し、Al中に微量のScを添加するこ
とで最終焼鈍後の再結晶を遅延させ、且つ微細粒に再結
晶させて、再結晶後も強度や伸びを維持することができ
る。そして、Scが添加された強化層を高純度Alから
なるエッチング層にクラッドさせることにより、エッチ
ング特性を損なうことなく、強度や伸びに優れたアルミ
ニウム箔とすることができる。
【0010】前記強化層の化学組成において、Al純度
は、不純物量を規制して過溶解によるエッチング特性の
低下を防ぐために、99.8%以上とする必要がある。
また、Sc含有量は、5ppm未満では前記効果に乏し
く、2000ppm以上では効果が飽和して多量添加は
無駄になりコストアップとなるため、5ppm以上20
00ppm未満とする必要がある。Sc含有量の好まし
い下限値は50ppmであり、特に好ましい下限値は2
00ppmであり上限値は1000ppmである。
は、不純物量を規制して過溶解によるエッチング特性の
低下を防ぐために、99.8%以上とする必要がある。
また、Sc含有量は、5ppm未満では前記効果に乏し
く、2000ppm以上では効果が飽和して多量添加は
無駄になりコストアップとなるため、5ppm以上20
00ppm未満とする必要がある。Sc含有量の好まし
い下限値は50ppmであり、特に好ましい下限値は2
00ppmであり上限値は1000ppmである。
【0011】さらに、Scに加えて、微量のFe、S
i、Cuを添加することが好ましい。Feを添加するの
は、結晶粒の粗大化の防止による耐折強度向上効果が認
められるためである。また、Fe含有量は、5ppm未
満ではその効果がなく、60ppmを超えるとScによ
る再結晶遅延効果を減じて強化効果を減ずるため、5〜
60ppmとする必要がある。Fe含有量の好ましい下
限値は8ppmであり、好ましい上限値は50ppmで
ある。また、Siの添加理由は結晶粒の粗大化抑止であ
る。Si含有量は、5ppm未満では再結晶時に粗大な
結晶粒が発生し、80ppmを超えるとFeと同様にS
cによる再結晶遅延効果を減じて強化効果を減ずるた
め、5〜80ppmとする必要がある。Si含有量の好
ましい下限値は8ppmであり、好ましい上限値は50
ppmである。また、Cuの添加理由は、結晶粒の粗大
化抑止である。Cu含有量は、5ppm未満では粗大粒
が発生し、150ppmを超えるとFe、Siと同様に
Scによる再結晶遅延効果を減じて強化効果を減ずるた
め、5〜150ppmとする必要がある。Cu含有量の
好ましい下限値は25ppmであり、好ましい上限値は
80ppmである。
i、Cuを添加することが好ましい。Feを添加するの
は、結晶粒の粗大化の防止による耐折強度向上効果が認
められるためである。また、Fe含有量は、5ppm未
満ではその効果がなく、60ppmを超えるとScによ
る再結晶遅延効果を減じて強化効果を減ずるため、5〜
60ppmとする必要がある。Fe含有量の好ましい下
限値は8ppmであり、好ましい上限値は50ppmで
ある。また、Siの添加理由は結晶粒の粗大化抑止であ
る。Si含有量は、5ppm未満では再結晶時に粗大な
結晶粒が発生し、80ppmを超えるとFeと同様にS
cによる再結晶遅延効果を減じて強化効果を減ずるた
め、5〜80ppmとする必要がある。Si含有量の好
ましい下限値は8ppmであり、好ましい上限値は50
ppmである。また、Cuの添加理由は、結晶粒の粗大
化抑止である。Cu含有量は、5ppm未満では粗大粒
が発生し、150ppmを超えるとFe、Siと同様に
Scによる再結晶遅延効果を減じて強化効果を減ずるた
め、5〜150ppmとする必要がある。Cu含有量の
好ましい下限値は25ppmであり、好ましい上限値は
80ppmである。
【0012】請求項1および請求項2のアルミニウムク
ラッド材は、少なくとも一層に前記強化層を有するもの
であって、他の層の組成は限定しない。
ラッド材は、少なくとも一層に前記強化層を有するもの
であって、他の層の組成は限定しない。
【0013】請求項3〜5の電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔は、前記強化層を芯材としてその片面あるい
は両面に高純度アルミニウムからなるエッチング層がク
ラッドされた箔である。これらのアルミニウム箔は、請
求項1または2のアルミニウムクラッド材において、一
層を前記強化層で構成し、この強化層の片面あるいは両
面に高純度アルミニウム層をクラッドしたアルミニウム
クラッド材を、所要厚さに箔圧延して製造される。エッ
チング層には、エッチング特性の優れた99.8%以
上、好ましくは99.9%以上の高純度アルミニウムを
用いる。前記強化層の存在により箔強度が確保されるた
め、エッチング層の拡面率を増大させることが可能とな
り、高静電容量化が可能となる。
ミニウム箔は、前記強化層を芯材としてその片面あるい
は両面に高純度アルミニウムからなるエッチング層がク
ラッドされた箔である。これらのアルミニウム箔は、請
求項1または2のアルミニウムクラッド材において、一
層を前記強化層で構成し、この強化層の片面あるいは両
面に高純度アルミニウム層をクラッドしたアルミニウム
クラッド材を、所要厚さに箔圧延して製造される。エッ
チング層には、エッチング特性の優れた99.8%以
上、好ましくは99.9%以上の高純度アルミニウムを
用いる。前記強化層の存在により箔強度が確保されるた
め、エッチング層の拡面率を増大させることが可能とな
り、高静電容量化が可能となる。
【0014】また、箔の強度を確保する上で、上で前記
エッチング層は箔表面において立方体方位占有率の高い
結晶組織であることが好ましい。エッチング面の立方体
方位の方位差が大きいと、エッチング時に箔表面の溶解
量が増し、箔厚が部分的に薄くなり、局部的な強度低下
を招来するからである。さらに、箔強度を維持できるこ
とで、拡面率の増大が可能となり、高静電容量化が可能
となる。このような過溶解現象は結晶粒単位で起こるた
め、立方体方位からのずれの大きい結晶粒はできるだけ
少ないことが望ましい。具体的には、箔表面において、
立方体方位{001}〈100〉からのずれ角が10°
以下の結晶粒が80%以上を占めることが必要であり、
特に95%以上占める時に顕著な効果が得られる。この
ような結晶組織は、中間焼鈍と軽圧下圧延の組合せや、
鋳塊の低温(400〜500℃)均熱処理、最終焼鈍時
の高温加熱(500〜580℃)によって得られる。
エッチング層は箔表面において立方体方位占有率の高い
結晶組織であることが好ましい。エッチング面の立方体
方位の方位差が大きいと、エッチング時に箔表面の溶解
量が増し、箔厚が部分的に薄くなり、局部的な強度低下
を招来するからである。さらに、箔強度を維持できるこ
とで、拡面率の増大が可能となり、高静電容量化が可能
となる。このような過溶解現象は結晶粒単位で起こるた
め、立方体方位からのずれの大きい結晶粒はできるだけ
少ないことが望ましい。具体的には、箔表面において、
立方体方位{001}〈100〉からのずれ角が10°
以下の結晶粒が80%以上を占めることが必要であり、
特に95%以上占める時に顕著な効果が得られる。この
ような結晶組織は、中間焼鈍と軽圧下圧延の組合せや、
鋳塊の低温(400〜500℃)均熱処理、最終焼鈍時
の高温加熱(500〜580℃)によって得られる。
【0015】また、この発明の電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔は、箔の厚さや強化層(芯材)とエッチン
グ層との厚さの比率を限定するものではない。耐折強度
の向上が認められ且つ高静電容量を確保できる範囲とし
て、片面クラッドの場合で芯材比率が10〜60%、両
面クラッドの場合で5〜40%を推奨できる。
ルミニウム箔は、箔の厚さや強化層(芯材)とエッチン
グ層との厚さの比率を限定するものではない。耐折強度
の向上が認められ且つ高静電容量を確保できる範囲とし
て、片面クラッドの場合で芯材比率が10〜60%、両
面クラッドの場合で5〜40%を推奨できる。
【0016】
【実施例】次に、本発明のアルミニウムクラッド材およ
び電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の具体的実施例
について詳述する。
び電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の具体的実施例
について詳述する。
【0017】まず、表1に示すb〜fの5種類の組成の
アルミニウム鋳塊に対し、面削、熱間圧延、冷間圧延を
順次施して厚さ5mmの平板を作製した。一方、組成aの
アルミニウム鋳塊についても、同様に5mm、10mm、2
2.5mmの平板を作製した。そして、b〜f材を芯材,
a材をエッチング層として、表2に示す組み合わせと芯
材比率で芯材の片面または両面にエッチング層をクラッ
ドし、熱間圧延、冷間圧延、箔圧延を経て、それぞれ厚
さ0.1mmのアルミニウム箔を製作した。さらに、これ
らのアルミニウム箔を、Ar雰囲気中で550℃×10
時間、昇温速度50℃/時間という条件で最終焼鈍し
た。
アルミニウム鋳塊に対し、面削、熱間圧延、冷間圧延を
順次施して厚さ5mmの平板を作製した。一方、組成aの
アルミニウム鋳塊についても、同様に5mm、10mm、2
2.5mmの平板を作製した。そして、b〜f材を芯材,
a材をエッチング層として、表2に示す組み合わせと芯
材比率で芯材の片面または両面にエッチング層をクラッ
ドし、熱間圧延、冷間圧延、箔圧延を経て、それぞれ厚
さ0.1mmのアルミニウム箔を製作した。さらに、これ
らのアルミニウム箔を、Ar雰囲気中で550℃×10
時間、昇温速度50℃/時間という条件で最終焼鈍し
た。
【0018】焼鈍箔について、結晶組織の立方体方位を
調べ、{001}〈100〉からのずれ角が10°以下
の結晶粒の占有率を調べた。結果を表2に示す。
調べ、{001}〈100〉からのずれ角が10°以下
の結晶粒の占有率を調べた。結果を表2に示す。
【0019】次に、製作した各アルミニウム箔を前処理
をすることなく、次の条件でエッチングを施した。
をすることなく、次の条件でエッチングを施した。
【0020】 一次エッチング:液組成5%HCl+10%H 2S
O 4、液温75℃、電流密度D.C.20A/dm2 ,
時間100sec 二次エッチング:液組成5%HCl、液温80℃、電流
密度D.C.5A/dm2 ,時間8min エッチング箔について、耐折強度を測定し、エッチング
層のみからなる比較例1の耐折強度を100%として相
対的に評価した。また、化成処理後、静電容量を測定
し、比較例1を100%として相対的に評価した。これ
らの結果を表2に示す。
O 4、液温75℃、電流密度D.C.20A/dm2 ,
時間100sec 二次エッチング:液組成5%HCl、液温80℃、電流
密度D.C.5A/dm2 ,時間8min エッチング箔について、耐折強度を測定し、エッチング
層のみからなる比較例1の耐折強度を100%として相
対的に評価した。また、化成処理後、静電容量を測定
し、比較例1を100%として相対的に評価した。これ
らの結果を表2に示す。
【0021】
【表1】
【0022】
【表2】
【0023】表2の結果より、本発明のアルミニウム箔
は優れた静電容量と耐折強度とを兼ね備えるものであっ
た。これに対して、エッチング層のみからなる比較例1
は耐折強度が低く、また、強化層に2000ppmのS
cを含有する比較例6,11は耐折強度が優れているも
のの、静電容量にさらなる向上は認められずコスト的に
も不利である。
は優れた静電容量と耐折強度とを兼ね備えるものであっ
た。これに対して、エッチング層のみからなる比較例1
は耐折強度が低く、また、強化層に2000ppmのS
cを含有する比較例6,11は耐折強度が優れているも
のの、静電容量にさらなる向上は認められずコスト的に
も不利である。
【0024】
【発明の効果】以上の説明したように、この発明のアル
ミニウムクラッド材は、少なくとも一層に、Al純度を
99.8wt%以上とするとともに、5ppm以上200
0ppm未満のScを含有し、残部が不可避不純物から
なる強化層、あるいは、Al純度を99.8wt%以上と
するとともに、5ppm以上2000ppm未満のS
c、5〜60ppmのFe、5〜80ppmのSiおよ
び5〜150ppmのCuを含有し、残部が不可避不純
物からなる強化層がクラッドされてなるため、クラッド
材の強度が高い。
ミニウムクラッド材は、少なくとも一層に、Al純度を
99.8wt%以上とするとともに、5ppm以上200
0ppm未満のScを含有し、残部が不可避不純物から
なる強化層、あるいは、Al純度を99.8wt%以上と
するとともに、5ppm以上2000ppm未満のS
c、5〜60ppmのFe、5〜80ppmのSiおよ
び5〜150ppmのCuを含有し、残部が不可避不純
物からなる強化層がクラッドされてなるため、クラッド
材の強度が高い。
【0025】また、この発明の電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔は、前記強化層の少なくとも片面に、Al
純度が99.8%以上の高純度アルミニウムからなるエ
ッチング層がクラッドされてなるため、箔強度が向上
し、且つ箔強度の向上により、拡面率の増大が可能とな
り、高静電容量化が可能となる。従って、エッチング特
性はエッチング層により確保した上で、箔としての耐折
強度や伸びは微量のScが添加された強化層により確保
することによりさらなる拡面率の向上が可能となり、優
れた静電容量と強度の両者を兼ね備える。
ルミニウム箔は、前記強化層の少なくとも片面に、Al
純度が99.8%以上の高純度アルミニウムからなるエ
ッチング層がクラッドされてなるため、箔強度が向上
し、且つ箔強度の向上により、拡面率の増大が可能とな
り、高静電容量化が可能となる。従って、エッチング特
性はエッチング層により確保した上で、箔としての耐折
強度や伸びは微量のScが添加された強化層により確保
することによりさらなる拡面率の向上が可能となり、優
れた静電容量と強度の両者を兼ね備える。
【0026】さらに、前記エッチング層が、箔表面にお
いて、立方体方位{001}〈100〉からのずれ角が
10°以下の結晶粒が80%以上を占める場合は、エッ
チングによる過溶解を阻止されて箔強度の低下が抑制さ
れ、さらなる拡面率の増大が可能となり、高静電容量化
が可能となる。
いて、立方体方位{001}〈100〉からのずれ角が
10°以下の結晶粒が80%以上を占める場合は、エッ
チングによる過溶解を阻止されて箔強度の低下が抑制さ
れ、さらなる拡面率の増大が可能となり、高静電容量化
が可能となる。
Claims (5)
- 【請求項1】 少なくとも一層に、Al純度を99.8
wt%以上とするとともに、5ppm以上2000ppm
未満のScを含有し、残部が不可避不純物からなる強化
層がクラッドされてなることを特徴とするアルミニウム
クラッド材。 - 【請求項2】 少なくとも一層に、Al純度を99.8
wt%以上とするとともに、5ppm以上2000ppm
未満のSc、5〜60ppmのFe、5〜80ppmの
Siおよび5〜150ppmのCuを含有し、残部が不
可避不純物からなる強化層がクラッドされてなることを
特徴とするアルミニウムクラッド材。 - 【請求項3】 Al純度を99.8wt%以上とするとと
もに、5ppm以上2000ppm未満のScを含有
し、残部が不可避不純物からなる強化層の少なくとも片
面に、Al純度が99.8%以上の高純度アルミニウム
からなるエッチング層がクラッドされてなることを特徴
とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。 - 【請求項4】 Al純度を99.8wt%以上とするとと
もに、5ppm以上2000ppm未満のSc、5〜6
0ppmのFe、5〜80ppmのSiおよび5〜15
0ppmのCuを含有し、残部が不可避不純物からなる
強化層の少なくとも片面に、Al純度が99.8%以上
の高純度アルミニウムからなるエッチング層がクラッド
されてなることを特徴とする電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔。 - 【請求項5】 前記エッチング層は、箔表面において、
立方体方位{001}〈100〉からのずれ角が10°
以下の結晶粒が80%以上を占める請求項4または5に
記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10256190A JP2000091164A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | アルミニウムクラッド材および電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10256190A JP2000091164A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | アルミニウムクラッド材および電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091164A true JP2000091164A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17289169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10256190A Pending JP2000091164A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | アルミニウムクラッド材および電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091164A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006336058A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用アルミニウム材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2012062576A (ja) * | 2011-10-31 | 2012-03-29 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用アルミニウム材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2020026119A (ja) * | 2018-08-17 | 2020-02-20 | 住友化学株式会社 | アルミニウムクラッド材及びその製造方法 |
| WO2022004021A1 (ja) * | 2020-06-29 | 2022-01-06 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ及びこれを備える電子回路基板 |
-
1998
- 1998-09-10 JP JP10256190A patent/JP2000091164A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006336058A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用アルミニウム材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2012062576A (ja) * | 2011-10-31 | 2012-03-29 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用アルミニウム材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2020026119A (ja) * | 2018-08-17 | 2020-02-20 | 住友化学株式会社 | アルミニウムクラッド材及びその製造方法 |
| JP7179528B2 (ja) | 2018-08-17 | 2022-11-29 | 住友化学株式会社 | アルミニウムクラッド材及びその製造方法 |
| WO2022004021A1 (ja) * | 2020-06-29 | 2022-01-06 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ及びこれを備える電子回路基板 |
| US20230260698A1 (en) * | 2020-06-29 | 2023-08-17 | Tdk Corporation | Thin film capacitor and electronic circuit substrate having the same |
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