JP2000091069A - 有機ｅｌフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法Info
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 指定した色が発光できるようにした有機ＥＬ
フルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 基板上に形成され互いに平行に配列する
複数の透明電極線と、透明電極のエッジを覆うとともに
透明電極上の画素領域に対応して開口が形成された絶縁
層と、画素領域に対応して形成され、Ｒ，ＧおよびＢの
何れかの発光機能を有する少なくとも１層の有機ＥＬ材
料層と、前記透明電極線に対して交差する方向に平行配
列され、各画素領域を全て覆うように形成された複数の
金属電極線とを備え、前記絶縁層は、少なくとも、前記
画素領域以外の領域において前記透明電極線と前記金属
電極線が交差する領域を絶縁するように成膜する。
フルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 基板上に形成され互いに平行に配列する
複数の透明電極線と、透明電極のエッジを覆うとともに
透明電極上の画素領域に対応して開口が形成された絶縁
層と、画素領域に対応して形成され、Ｒ，ＧおよびＢの
何れかの発光機能を有する少なくとも１層の有機ＥＬ材
料層と、前記透明電極線に対して交差する方向に平行配
列され、各画素領域を全て覆うように形成された複数の
金属電極線とを備え、前記絶縁層は、少なくとも、前記
画素領域以外の領域において前記透明電極線と前記金属
電極線が交差する領域を絶縁するように成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）フルカラーディスプレイパネルおよ
びその製造方法に関する。
ロルミネッセンス）フルカラーディスプレイパネルおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１５は従来の有機ＥＬ素子を用いたド
ットマトリクスディスプレイパネルの断面を示すもので
ある。透明な基板（ガラス板）１の上には、複数本のＩ
ＴＯ等からなる透明電極線（陽極）Ａ1 ，Ａ2 が所定間
隔をおいて平行に配列形成される。透明電極線Ａ1 〜Ａ
n の上には正孔輸送層、発光機能層、電子輸送層などか
らなる有機ＥＬ材料層４が形成され、さらにその上に
は、複数本の金属電極線Ｌ 1 〜Ｌm が所定間隔をおいて
配列形成されている。
ットマトリクスディスプレイパネルの断面を示すもので
ある。透明な基板（ガラス板）１の上には、複数本のＩ
ＴＯ等からなる透明電極線（陽極）Ａ1 ，Ａ2 が所定間
隔をおいて平行に配列形成される。透明電極線Ａ1 〜Ａ
n の上には正孔輸送層、発光機能層、電子輸送層などか
らなる有機ＥＬ材料層４が形成され、さらにその上に
は、複数本の金属電極線Ｌ 1 〜Ｌm が所定間隔をおいて
配列形成されている。
【０００３】透明電極線Ａ1 〜Ａn と金属電極線Ｌ1 〜
Ｌm は互いに交差する方向に延在しており、その交差領
域において有機ＥＬ材料層４を挟み込んで発光領域（単
位画素）を形成している。また、２は絶縁層であり、透
明電極線Ａ1 〜Ａn のエッジを被覆するように形成され
ている。この絶縁層２は、有機ＥＬドットマトリクスデ
ィスプレイにおけるクロストーク発光を防止するために
形成されたものであり、駆動電流の集中しやすい透明電
極線Ａ1 〜Ａn のエッジ部分を絶縁することによって、
駆動がなされていない透明電極線上の有機ＥＬ材料層４
にまで電流が流れ込むことを防ぎ、誤発光を防止するよ
うにしたものである。
Ｌm は互いに交差する方向に延在しており、その交差領
域において有機ＥＬ材料層４を挟み込んで発光領域（単
位画素）を形成している。また、２は絶縁層であり、透
明電極線Ａ1 〜Ａn のエッジを被覆するように形成され
ている。この絶縁層２は、有機ＥＬドットマトリクスデ
ィスプレイにおけるクロストーク発光を防止するために
形成されたものであり、駆動電流の集中しやすい透明電
極線Ａ1 〜Ａn のエッジ部分を絶縁することによって、
駆動がなされていない透明電極線上の有機ＥＬ材料層４
にまで電流が流れ込むことを防ぎ、誤発光を防止するよ
うにしたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年では、上述した有
機ＥＬドットマトリクスディスプレイにおいても、フル
カラー化の試みがなされている。この場合、例えば、発
光機能層として赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光を
なす３種の有機ＥＬ材料が必要となり、さらにこれらを
各画素毎に塗り分ける必要が生じるなど、モノカラーデ
ィスプレイに比べて材料コスト高、製造工程の煩雑化を
招いてしまう。
機ＥＬドットマトリクスディスプレイにおいても、フル
カラー化の試みがなされている。この場合、例えば、発
光機能層として赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光を
なす３種の有機ＥＬ材料が必要となり、さらにこれらを
各画素毎に塗り分ける必要が生じるなど、モノカラーデ
ィスプレイに比べて材料コスト高、製造工程の煩雑化を
招いてしまう。
【０００５】本発明は、以上の問題を解決するためにな
されたものであり、製造コストが削減された有機ＥＬフ
ルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法を提供
することを課題とする。
されたものであり、製造コストが削減された有機ＥＬフ
ルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法を提供
することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明において
は、Ｒ，ＧおよびＢの画素をデルタ配列で配置するとと
もに、互いに最も近隣する前記Ｒ，ＧおよびＢの３画素
が同一の金属電極線に接続される有機ＥＬフルカラーデ
ィスプレイパネルにおいて、基板と、前記基板上に形成
され互いに平行に配列する複数の透明電極線と、前記基
板上に積層され、前記透明電極線のエッジを覆うととも
に前記透明電極線上の画素領域に対応して開口が形成さ
れた絶縁層と、前記画素領域に対応して形成され、Ｒ，
ＧおよびＢの何れかの発光機能を有する少なくとも１層
の有機ＥＬ材料層と、前記透明電極線に対して交差する
方向に平行配列され、その各々が、互いに最も近隣する
前記Ｒ，ＧおよびＢの３画素の各画素領域を全て覆うよ
うに形成された複数の金属電極線とを備え、前記絶縁層
は、少なくとも、前記画素領域以外の領域において前記
透明電極線と前記金属電極線が交差する領域を絶縁する
ように成膜させる。
は、Ｒ，ＧおよびＢの画素をデルタ配列で配置するとと
もに、互いに最も近隣する前記Ｒ，ＧおよびＢの３画素
が同一の金属電極線に接続される有機ＥＬフルカラーデ
ィスプレイパネルにおいて、基板と、前記基板上に形成
され互いに平行に配列する複数の透明電極線と、前記基
板上に積層され、前記透明電極線のエッジを覆うととも
に前記透明電極線上の画素領域に対応して開口が形成さ
れた絶縁層と、前記画素領域に対応して形成され、Ｒ，
ＧおよびＢの何れかの発光機能を有する少なくとも１層
の有機ＥＬ材料層と、前記透明電極線に対して交差する
方向に平行配列され、その各々が、互いに最も近隣する
前記Ｒ，ＧおよびＢの３画素の各画素領域を全て覆うよ
うに形成された複数の金属電極線とを備え、前記絶縁層
は、少なくとも、前記画素領域以外の領域において前記
透明電極線と前記金属電極線が交差する領域を絶縁する
ように成膜させる。
【０００７】請求項２の発明においては、前記絶縁層が
前記透明電極線が形成された前記基板上の全面に形成す
る。請求項３の発明においては、前記金属電極線は、そ
の幅が、前記画素の前記透明電極線の伸長方向における
長さの２倍以上にする。請求項４の発明においては、前
記絶縁層上に突出して前記金属電極線を隔離する絶縁性
の隔離壁を設ける。
前記透明電極線が形成された前記基板上の全面に形成す
る。請求項３の発明においては、前記金属電極線は、そ
の幅が、前記画素の前記透明電極線の伸長方向における
長さの２倍以上にする。請求項４の発明においては、前
記絶縁層上に突出して前記金属電極線を隔離する絶縁性
の隔離壁を設ける。
【０００８】請求項５の発明においては、前記透明電極
線の前記画素領域に対応する部分の幅を広くし、画素領
域以外の部分の幅を狭くする。請求項６の発明において
は、前記透明電極線上の前記画素領域以外の部分に導電
率のよい物質で導電層を形成する。請求項７の発明にお
いては、前記導電層を形成する物質が金属性の物質で形
成する。
線の前記画素領域に対応する部分の幅を広くし、画素領
域以外の部分の幅を狭くする。請求項６の発明において
は、前記透明電極線上の前記画素領域以外の部分に導電
率のよい物質で導電層を形成する。請求項７の発明にお
いては、前記導電層を形成する物質が金属性の物質で形
成する。
【０００９】請求項８の発明においては、前記導電層が
前記画素領域以外の部分の幅で前記画素領域の部分に延
長され、前記画素領域以外の部分と接続する。請求項９
の発明においては、前記絶縁層に形成する開口を前記導
電層を挟んで両側に設ける。請求項１０の発明において
は、前記基板に形成される前記透明電極線の両端に接続
端子を設ける。
前記画素領域以外の部分の幅で前記画素領域の部分に延
長され、前記画素領域以外の部分と接続する。請求項９
の発明においては、前記絶縁層に形成する開口を前記導
電層を挟んで両側に設ける。請求項１０の発明において
は、前記基板に形成される前記透明電極線の両端に接続
端子を設ける。
【００１０】請求項１１の発明においては、Ｒ，Ｇおよ
びＢの画素をデルタ配列で配置するとともに、互いに最
も近隣する前記Ｒ，ＧおよびＢの３画素が同一の金属電
極線に接続される有機ＥＬフルカラーディスプレイパネ
ルの製造方法において、基板上に、互いに平行に配列す
る複数の透明電極線を形成する透明電極形成工程と、少
なくとも前記透明電極線と前記金属電極線が交差する領
域を全て被膜する単一の絶縁層を成膜する絶縁層成膜工
程と、前記絶縁層に、前記透明電極線のエッジを覆いつ
つ前記透明電極線上の画素領域に対応した開口を形成す
る絶縁層パターニング工程と、前記画素領域に対応し
て、Ｒ，ＧおよびＢの何れかの発光機能を有する少なく
とも１層の有機ＥＬ材料層を形成する有機ＥＬ材料層形
成工程と、前記透明電極線に対して交差する方向に平行
配列され、その各々が、互いに最も近隣する前記Ｒ，Ｇ
およびＢの３画素の各画素領域を全て覆う複数の金属電
極線を形成する金属電極形成工程と、を含む。
びＢの画素をデルタ配列で配置するとともに、互いに最
も近隣する前記Ｒ，ＧおよびＢの３画素が同一の金属電
極線に接続される有機ＥＬフルカラーディスプレイパネ
ルの製造方法において、基板上に、互いに平行に配列す
る複数の透明電極線を形成する透明電極形成工程と、少
なくとも前記透明電極線と前記金属電極線が交差する領
域を全て被膜する単一の絶縁層を成膜する絶縁層成膜工
程と、前記絶縁層に、前記透明電極線のエッジを覆いつ
つ前記透明電極線上の画素領域に対応した開口を形成す
る絶縁層パターニング工程と、前記画素領域に対応し
て、Ｒ，ＧおよびＢの何れかの発光機能を有する少なく
とも１層の有機ＥＬ材料層を形成する有機ＥＬ材料層形
成工程と、前記透明電極線に対して交差する方向に平行
配列され、その各々が、互いに最も近隣する前記Ｒ，Ｇ
およびＢの３画素の各画素領域を全て覆う複数の金属電
極線を形成する金属電極形成工程と、を含む。
【００１１】請求項１２の発明においては、前記絶縁層
成膜工程が前記透明電極線形成された前記基板上の全面
に絶縁層を形成する。請求項１３の発明においては、前
記金属電極形成工程における前記金属電極線の幅は、前
記画素の前記透明電極線の伸長方向における長さの２倍
以上となるようにする。
成膜工程が前記透明電極線形成された前記基板上の全面
に絶縁層を形成する。請求項１３の発明においては、前
記金属電極形成工程における前記金属電極線の幅は、前
記画素の前記透明電極線の伸長方向における長さの２倍
以上となるようにする。
【００１２】請求項１４の発明においては、前記絶縁層
上に突出して前記金属電極線を隔離する絶縁性の隔離壁
を形成する隔離壁形成工程を含む。請求項１５の発明に
おいては、前記透明電極形成工程において、前記透明電
極線の前記画素領域に対応する部分の幅を広くし、画素
領域以外の部分の幅を狭くする。
上に突出して前記金属電極線を隔離する絶縁性の隔離壁
を形成する隔離壁形成工程を含む。請求項１５の発明に
おいては、前記透明電極形成工程において、前記透明電
極線の前記画素領域に対応する部分の幅を広くし、画素
領域以外の部分の幅を狭くする。
【００１３】請求項１６の発明においては、前記透明電
極線上の前記画素領域以外の部分に導電率のよい物質で
導電層を形成する導電層形成工程を含む。請求項１７の
発明においては、前記導電層形成工程で形成する導電層
を金属性物質で形成する。請求項１８の発明において
は、前記導電層形成工程において、前記導電層が前記画
素領域以外の部分の幅で前記画素領域の部分に延長さ
れ、前記画素領域以外の部分と接続されるよう形成す
る。
極線上の前記画素領域以外の部分に導電率のよい物質で
導電層を形成する導電層形成工程を含む。請求項１７の
発明においては、前記導電層形成工程で形成する導電層
を金属性物質で形成する。請求項１８の発明において
は、前記導電層形成工程において、前記導電層が前記画
素領域以外の部分の幅で前記画素領域の部分に延長さ
れ、前記画素領域以外の部分と接続されるよう形成す
る。
【００１４】請求項１９の発明においては、前記絶縁層
パターニング工程において、前記絶縁層に形成する開口
を前記導電層を挟んで両側に形成する。請求項２０の発
明においては、前記透明電極形成工程において、前記基
板に形成される前記透明電極線の両端に接続端子を形成
する。請求項２１の発明においては、前記導電層形成工
程において、導電層を延長して前記接続端子にも形成す
る。
パターニング工程において、前記絶縁層に形成する開口
を前記導電層を挟んで両側に形成する。請求項２０の発
明においては、前記透明電極形成工程において、前記基
板に形成される前記透明電極線の両端に接続端子を形成
する。請求項２１の発明においては、前記導電層形成工
程において、導電層を延長して前記接続端子にも形成す
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１およ
び図２を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施
例の透視平面図、図２は図１のＸ−Ｘ線およびＹ−Ｙ線
断面図である。
び図２を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施
例の透視平面図、図２は図１のＸ−Ｘ線およびＹ−Ｙ線
断面図である。
【００１６】図１および図２に示すように、ガラス等の
透明な基板１にはＩＴＯ等の透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，Ｂ
1 ，Ｒ2 ，Ｇ2 ，Ｂ2 ，…（以後特定しない場合は
Ｒn ，Ｇ n ，Ｂn と記載）が等間隔で平行に設けられて
いる。ここでＲn は赤の発光画素が接続される透明電極
線、Ｇn は緑の発光画素が接続される透明電極線、Ｂn
は青の発光画素が接続される透明電極線である。
透明な基板１にはＩＴＯ等の透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，Ｂ
1 ，Ｒ2 ，Ｇ2 ，Ｂ2 ，…（以後特定しない場合は
Ｒn ，Ｇ n ，Ｂn と記載）が等間隔で平行に設けられて
いる。ここでＲn は赤の発光画素が接続される透明電極
線、Ｇn は緑の発光画素が接続される透明電極線、Ｂn
は青の発光画素が接続される透明電極線である。
【００１７】透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn が形成された
基板１上には絶縁層２が形成されている。また、Ｌ1 ，
Ｌ2 ，…（以後特定しない場合はＬm と記載）は、後で
説明するように、透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn と直交す
る方向に複数本設けられた金属電極線である。絶縁層２
の透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn と金属電極線Ｌm と交差
する位置には、金属電極線Ｌm の幅方向を２分して上下
に交互に開口３が設けられている。
基板１上には絶縁層２が形成されている。また、Ｌ1 ，
Ｌ2 ，…（以後特定しない場合はＬm と記載）は、後で
説明するように、透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn と直交す
る方向に複数本設けられた金属電極線である。絶縁層２
の透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn と金属電極線Ｌm と交差
する位置には、金属電極線Ｌm の幅方向を２分して上下
に交互に開口３が設けられている。
【００１８】開口３は透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn およ
び金属電極線Ｌm のそれぞれの側端より内側となるよう
に設けられている。したがって、透明電極線Ｒn ，
Ｇn ，Ｂ n および金属電極線Ｌm のエッジ部分が、図２
（Ａ）で示されるように、絶縁層２で覆われるためクロ
ストーク発光を防止することができる。この開口３は後
で説明するように発光する画素となる部分である。
び金属電極線Ｌm のそれぞれの側端より内側となるよう
に設けられている。したがって、透明電極線Ｒn ，
Ｇn ，Ｂ n および金属電極線Ｌm のエッジ部分が、図２
（Ａ）で示されるように、絶縁層２で覆われるためクロ
ストーク発光を防止することができる。この開口３は後
で説明するように発光する画素となる部分である。
【００１９】また、絶縁層２は、開口３を除き、基板の
透明電極線が形成された領域の全面を被覆するように形
成されているので、開口３以外で透明電極線Ｒn ，
Ｇn ，Ｂ n と金属電極線Ｌm とが交差する領域は、全て
絶縁層２で覆われる。これにより、画素以外の領域での
透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn と金属電極線Ｌm の短絡は
回避される。このように、１層の連続した絶縁層２によ
ってクロストーク発光の防止と開口３以外の領域におけ
る両電極の短絡防止がなされるようになっている。
透明電極線が形成された領域の全面を被覆するように形
成されているので、開口３以外で透明電極線Ｒn ，
Ｇn ，Ｂ n と金属電極線Ｌm とが交差する領域は、全て
絶縁層２で覆われる。これにより、画素以外の領域での
透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn と金属電極線Ｌm の短絡は
回避される。このように、１層の連続した絶縁層２によ
ってクロストーク発光の防止と開口３以外の領域におけ
る両電極の短絡防止がなされるようになっている。
【００２０】また、絶縁層２上には、金属電極線Ｌ1 ，
Ｌ2 ，…をそれぞれ隔離するための隔離壁Ｓ1 ，Ｓ2 ，
Ｓ3 ，…（以後特定しない場合はＳm と記載）が突出し
て設けられている。開口３の透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂ
n 上には、それぞれＲ，ＧおよびＢの発光機能を有する
有機ＥＬ材料層４がデルタ配列となるよう形成されてい
る。有機ＥＬ材料層４は、Ｒ，ＧまたはＢを発光する有
機ＥＬ層の両側を正孔輸送層および電子輸送層でサンド
イッチされて構成され、発光効率を上げている。有機Ｅ
Ｌ材料層４および絶縁層２上の前記隔離壁Ｓm 間には前
記した金属電極線Ｌm が形成される。
Ｌ2 ，…をそれぞれ隔離するための隔離壁Ｓ1 ，Ｓ2 ，
Ｓ3 ，…（以後特定しない場合はＳm と記載）が突出し
て設けられている。開口３の透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂ
n 上には、それぞれＲ，ＧおよびＢの発光機能を有する
有機ＥＬ材料層４がデルタ配列となるよう形成されてい
る。有機ＥＬ材料層４は、Ｒ，ＧまたはＢを発光する有
機ＥＬ層の両側を正孔輸送層および電子輸送層でサンド
イッチされて構成され、発光効率を上げている。有機Ｅ
Ｌ材料層４および絶縁層２上の前記隔離壁Ｓm 間には前
記した金属電極線Ｌm が形成される。
【００２１】図１に示されるように、金属電極線Ｌ
m は、その幅が画素（開口３）の透明電極線Ｒn ，
Ｇn ，Ｂn の伸長方向における長さの２倍以上となるよ
うに形成されており、１本の金属電極線Ｌm がＲ，Ｇ，
Ｂの画素をすべて被覆するように形成されている。その
外側に保護層５が形成されている。
m は、その幅が画素（開口３）の透明電極線Ｒn ，
Ｇn ，Ｂn の伸長方向における長さの２倍以上となるよ
うに形成されており、１本の金属電極線Ｌm がＲ，Ｇ，
Ｂの画素をすべて被覆するように形成されている。その
外側に保護層５が形成されている。
【００２２】つぎに、図３〜図７を参照して、有機ＥＬ
フルカラーディスプレイパネルの製造方法について説明
する。先ず図３に示されるように、ガラス等の透明な基
板１上に等間隔で平行にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）
等よりなる透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 ，Ｒ2 ，Ｇ2，
Ｂ2 ，…を、例えば厚さ０．１１μｍで形成する。
フルカラーディスプレイパネルの製造方法について説明
する。先ず図３に示されるように、ガラス等の透明な基
板１上に等間隔で平行にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）
等よりなる透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 ，Ｒ2 ，Ｇ2，
Ｂ2 ，…を、例えば厚さ０．１１μｍで形成する。
【００２３】つぎに、図４に示されるように、透明電極
線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn が形成された基板１上に、透明電極
線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn の端子部分Ｔを除いた全面に、例え
ばＳｉＯ2 をスパッタ法により、またポリイミドの場合
はスピンコート法等に絶縁層２を例えば厚さ０．８μｍ
で形成する。
線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn が形成された基板１上に、透明電極
線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn の端子部分Ｔを除いた全面に、例え
ばＳｉＯ2 をスパッタ法により、またポリイミドの場合
はスピンコート法等に絶縁層２を例えば厚さ０．８μｍ
で形成する。
【００２４】つぎに、図５に示すように、絶縁層２の透
明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn 上に開口３を形成する。開口
３の形成は、図８で示すように、図８（Ａ）で示す絶縁
層２の上に図８（Ｂ）で示すようにレジスト膜１０をス
ピンコート法により形成する。
明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn 上に開口３を形成する。開口
３の形成は、図８で示すように、図８（Ａ）で示す絶縁
層２の上に図８（Ｂ）で示すようにレジスト膜１０をス
ピンコート法により形成する。
【００２５】つづいて図８（Ｃ）に示すように、レジス
ト膜１０の上にマスク１１を置き光を照射してマスク１
１のパターン（開口３）を露光する。次にマスク１１を
除去し、絶縁層２がＳｉＯ2 で形成されている場合はリ
アクティブイオンエッチィング法により、またポリイミ
ドの場合は現像液に浸し、露光された部分のレジスト膜
１０および絶縁層２をエッチィングさせて図８（Ｄ）に
示すように開口３を形成する。また開口３が形成された
後で表面に残っているレジスト膜１０を除去する。
ト膜１０の上にマスク１１を置き光を照射してマスク１
１のパターン（開口３）を露光する。次にマスク１１を
除去し、絶縁層２がＳｉＯ2 で形成されている場合はリ
アクティブイオンエッチィング法により、またポリイミ
ドの場合は現像液に浸し、露光された部分のレジスト膜
１０および絶縁層２をエッチィングさせて図８（Ｄ）に
示すように開口３を形成する。また開口３が形成された
後で表面に残っているレジスト膜１０を除去する。
【００２６】開口３が形成されると、次に図６で示され
るように、前述した金属電極線Ｌmを隔離する隔離壁Ｓ
1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 ，…を絶縁層２の上に、例えば厚さ５μ
ｍ程度で突出して透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn と直交し
て等間隔で形成する。隔離壁Ｓm の形成方法は前述した
絶縁層２に開口３を形成する方法と同じ方法でエッチィ
ングによって形成される。なおこの場合、例えば絶縁層
２をＳｉＯ2で形成した場合は隔離壁Ｓm をポリイミド
で形成することにより、ポリイミドのエッチィングに対
してはＳｉＯ2 はエッチィングされないため絶縁層２に
は影響を与えない。
るように、前述した金属電極線Ｌmを隔離する隔離壁Ｓ
1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 ，…を絶縁層２の上に、例えば厚さ５μ
ｍ程度で突出して透明電極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn と直交し
て等間隔で形成する。隔離壁Ｓm の形成方法は前述した
絶縁層２に開口３を形成する方法と同じ方法でエッチィ
ングによって形成される。なおこの場合、例えば絶縁層
２をＳｉＯ2で形成した場合は隔離壁Ｓm をポリイミド
で形成することにより、ポリイミドのエッチィングに対
してはＳｉＯ2 はエッチィングされないため絶縁層２に
は影響を与えない。
【００２７】つぎに、図７で示すように、形成された開
口３の部分にデルタ配列となるように、それぞれＲ，Ｇ
およびＢで発光する有機ＥＬ材料層４を蒸着により所定
の厚さ、例えばＲ０．１７７μｍ、Ｇ０．２５５μｍ、
Ｂ０．１８５μｍ積層する。なお、Ｒ，ＧおよびＢの塗
り分けは、それぞれの画素に対応した部分が開口してい
るマスクにより塗り分けを行う。
口３の部分にデルタ配列となるように、それぞれＲ，Ｇ
およびＢで発光する有機ＥＬ材料層４を蒸着により所定
の厚さ、例えばＲ０．１７７μｍ、Ｇ０．２５５μｍ、
Ｂ０．１８５μｍ積層する。なお、Ｒ，ＧおよびＢの塗
り分けは、それぞれの画素に対応した部分が開口してい
るマスクにより塗り分けを行う。
【００２８】最後に、図１に示すように、隔離壁Ｓ1 ，
Ｓ2 ，Ｓ3 ，…部分が覆われるマスクを当て、金属電極
線Ｌ1 ，Ｌ2 ，…を蒸着により形成し、その上に保護層
５を形成して完了する。
Ｓ2 ，Ｓ3 ，…部分が覆われるマスクを当て、金属電極
線Ｌ1 ，Ｌ2 ，…を蒸着により形成し、その上に保護層
５を形成して完了する。
【００２９】このような方法を採用したことにより、 クロストーク発光を防止することができる。 上記クロストーク発光防止用の絶縁膜と前述した両電
極のショート防止用の絶縁膜を同一材料、同一工程によ
り、単一の絶縁層２として形成できるので、製造が容易
となる。 画素の面積および位置を決定できるため、各画素から
規定の輝度および色が得られる。
極のショート防止用の絶縁膜を同一材料、同一工程によ
り、単一の絶縁層２として形成できるので、製造が容易
となる。 画素の面積および位置を決定できるため、各画素から
規定の輝度および色が得られる。
【００３０】隔離壁Ｓm を形成するようにしたので、
金属電極線Ｌm のパターニングが隔離壁Ｓm によって行
われ、位置づれをなくした正確な位置に金属電極線Ｌm
を形成することができる。 有機ＥＬ材料層４のＲ，Ｇ，Ｂの塗り分けをする場合
のマスクを隔離壁Ｓmに当接し、近接した正確な位置に
マスクを固定することができるため、有機ＥＬ材料層４
の位置づれをなくすことができる。
金属電極線Ｌm のパターニングが隔離壁Ｓm によって行
われ、位置づれをなくした正確な位置に金属電極線Ｌm
を形成することができる。 有機ＥＬ材料層４のＲ，Ｇ，Ｂの塗り分けをする場合
のマスクを隔離壁Ｓmに当接し、近接した正確な位置に
マスクを固定することができるため、有機ＥＬ材料層４
の位置づれをなくすことができる。
【００３１】つぎに、図９を参照して、本発明の第２の
実施例を説明する。図９は第２の実施例の平面図であ
る。第１の実施例では、図１で説明したように、透明電
極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn の幅は一定であり、その上に画素
領域となる開口３を設けていた。したがってパネル面積
に対する開口３の部分の面積の割合が小さく、発光輝度
が小さくなり、高輝度で各画素を発光しなければならな
かった。
実施例を説明する。図９は第２の実施例の平面図であ
る。第１の実施例では、図１で説明したように、透明電
極線Ｒn ，Ｇn ，Ｂn の幅は一定であり、その上に画素
領域となる開口３を設けていた。したがってパネル面積
に対する開口３の部分の面積の割合が小さく、発光輝度
が小さくなり、高輝度で各画素を発光しなければならな
かった。
【００３２】第２の実施例では開口３の部分の面積の割
合を高めるために、図１で説明した透明電極線Ｒn ，Ｇ
n ，Ｂn の開口部の幅を広くし、開口部以外を狭くする
ようにして開口３の面積を大きくしている。したがっ
て、図９に示されるように、各画素は約１．５画素幅分
ずれたものとなる。
合を高めるために、図１で説明した透明電極線Ｒn ，Ｇ
n ，Ｂn の開口部の幅を広くし、開口部以外を狭くする
ようにして開口３の面積を大きくしている。したがっ
て、図９に示されるように、各画素は約１．５画素幅分
ずれたものとなる。
【００３３】したがって、図３で説明した第１の実施例
の透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 に対して、第２の実施例
では図１０で示すように幅の広い部分と狭い部分が交互
に繰り返される形の透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，…が形成さ
れる。
の透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 に対して、第２の実施例
では図１０で示すように幅の広い部分と狭い部分が交互
に繰り返される形の透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，…が形成さ
れる。
【００３４】つぎは第１の実施例では無い工程で、第２
の実施例では、図１１に示されるように、透明電極線Ｒ
1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 ，…の幅の狭い部分の幅で接続端子Ｔを
含めて電気導電率のよい物質で導電層６を透明電極線Ｒ
1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 ，…上に形成する。
の実施例では、図１１に示されるように、透明電極線Ｒ
1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 ，…の幅の狭い部分の幅で接続端子Ｔを
含めて電気導電率のよい物質で導電層６を透明電極線Ｒ
1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 ，…上に形成する。
【００３５】導電層６を形成する理由は、透明電極線Ｒ
1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 ，…の幅の狭い部分では電気抵抗が増加
し、接続端子Ｔより離れた画素においては電圧降下が生
じ、規定の電流を供給しても規定の輝度より低い輝度で
発光する。導電層６を設けることによって電気抵抗が小
さくなり、接続端子Ｔより離れた画素も規定の輝度で発
光させることができる。
1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 ，…の幅の狭い部分では電気抵抗が増加
し、接続端子Ｔより離れた画素においては電圧降下が生
じ、規定の電流を供給しても規定の輝度より低い輝度で
発光する。導電層６を設けることによって電気抵抗が小
さくなり、接続端子Ｔより離れた画素も規定の輝度で発
光させることができる。
【００３６】なお幅の狭い部分のみに導電層６を設ける
ようにしてもよいが、幅の狭い部分の幅は狭く、幅の広
い部分にも導電層６を設けても画素領域の減少は少な
く、電極線の電気抵抗値を下げることができる。また図
１１では接続端子Ｔを透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 ，…
の片方の端部を示しているが、図示しない他方の端部に
接続端子Ｔを設け、両接続端子より同時に電流を供給す
ることにより更に電気抵抗を下げることができる。
ようにしてもよいが、幅の狭い部分の幅は狭く、幅の広
い部分にも導電層６を設けても画素領域の減少は少な
く、電極線の電気抵抗値を下げることができる。また図
１１では接続端子Ｔを透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 ，…
の片方の端部を示しているが、図示しない他方の端部に
接続端子Ｔを設け、両接続端子より同時に電流を供給す
ることにより更に電気抵抗を下げることができる。
【００３７】つぎに、図１２で示すように絶縁層２を形
成する。つぎに、図１３で示すように、開口３1 および
３2 を導電層６を挟んで両側に透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，
Ｂ1 ，…の幅広部に形成する。この開口３1 および３2
で一画素が形成される。つぎに、図１４に示されるよう
に、隔離壁Ｓ1 ，Ｓ2 ，…を形成し、金属電極線Ｌ1 ，
Ｌ2 ，…を形成し、保護層で保護して完了する。
成する。つぎに、図１３で示すように、開口３1 および
３2 を導電層６を挟んで両側に透明電極線Ｒ1 ，Ｇ1 ，
Ｂ1 ，…の幅広部に形成する。この開口３1 および３2
で一画素が形成される。つぎに、図１４に示されるよう
に、隔離壁Ｓ1 ，Ｓ2 ，…を形成し、金属電極線Ｌ1 ，
Ｌ2 ，…を形成し、保護層で保護して完了する。
【００３８】
【発明の効果】基板上に形成された絶縁層が、前記透明
電極線のエッジを覆いつつ、透明電極線上の画素領域を
決定し、さらに、画素領域以外における透明電極線と金
属電極線の短絡をも防止できるため、製造コストのかか
らない有機ＥＬフルカラーディスプレイパネルを提供す
ることができる。
電極線のエッジを覆いつつ、透明電極線上の画素領域を
決定し、さらに、画素領域以外における透明電極線と金
属電極線の短絡をも防止できるため、製造コストのかか
らない有機ＥＬフルカラーディスプレイパネルを提供す
ることができる。
【図１】第１の実施例の透視平面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線およびＹ−Ｙ線断面図である。
【図３】第１の実施例の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図４】第１の実施例の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図５】第１の実施例の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図６】第１の実施例の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図７】第１の実施例の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図８】開口の形成方法を説明するための図である。
【図９】第２の実施例の平面図である。
【図１０】第２の実施例の製造方法を説明するための図
である。
である。
【図１１】第２の実施例の製造方法を説明するための図
である。
である。
【図１２】第２の実施例の製造方法を説明するための図
である。
である。
【図１３】第２の実施例の製造方法を説明するための図
である。
である。
【図１４】第２の実施例の製造方法を説明するための図
である。
である。
【図１５】従来例を説明するための図である。
１ 基板 ２ 絶縁層 ３，３1 ，３2 開口 ４ 有機ＥＬ材料層 ５ 保護層 ６ 導電層 Ｒ1 ，Ｇ1 ，Ｂ1 透明電極線 Ｌ1 ，Ｌ2 金属電極線 Ｓ1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 隔離壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/26 Ｈ０５Ｂ 33/26 Ｚ (72)発明者 吉田 賢司 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 石塚 真一 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB08 AB18 BA06 CA01 CB01 DA00 FA01 5C094 AA43 AA44 BA27 CA19 CA23 CA24 EA05 EB02
Claims (21)
- 【請求項１】 Ｒ，ＧおよびＢの画素をデルタ配列で配
置するとともに、互いに最も近隣する前記Ｒ，Ｇおよび
Ｂの３画素が同一の金属電極線に接続される有機ＥＬフ
ルカラーディスプレイパネルにおいて、 基板と、 前記基板上に形成され互いに平行に配列する複数の透明
電極線と、 前記基板上に積層され、前記透明電極線のエッジを覆う
とともに前記透明電極線上の画素領域に対応して開口が
形成された絶縁層と、 前記画素領域に対応して形成され、Ｒ，ＧおよびＢの何
れかの発光機能を有する少なくとも１層の有機ＥＬ材料
層と、 前記透明電極線に対して交差する方向に平行配列され、
その各々が、互いに最も近隣する前記Ｒ，ＧおよびＢの
３画素の各画素領域を全て覆うように形成された複数の
金属電極線とを備え、 前記絶縁層は、少なくとも、前記画素領域以外の領域に
おいて前記透明電極線と前記金属電極線が交差する領域
を絶縁するように成膜されていることを特徴とする有機
ＥＬフルカラーディスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記絶縁層が前記透明電極線が形成され
た前記基板上の全面に形成されていることを特徴とする
請求項１記載の有機ＥＬフルカラーディスプレイパネ
ル。 - 【請求項３】 前記金属電極線は、その幅が、前記画素
の前記透明電極線の伸長方向における長さの２倍以上と
なることを特徴とする請求項１または２記載の有機ＥＬ
フルカラーディスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記絶縁層上に突出して前記金属電極線
を隔離する絶縁性の隔離壁を設けたことを特徴とする請
求項１，２または３記載の有機ＥＬフルカラーディスプ
レイパネル。 - 【請求項５】 前記透明電極線の前記画素領域に対応す
る部分の幅を広くし、画素領域以外の部分の幅を狭くす
るようにしたことを特徴とする請求項１，２，３または
４記載の有機ＥＬフルカラーディスプレイパネル。 - 【請求項６】 前記透明電極線上の前記画素領域以外の
部分に導電率のよい物質で導電層を形成したことを特徴
とする請求項５記載の有機ＥＬフルカラーディスプレイ
パネル。 - 【請求項７】 前記導電層を形成する物質が金属性の物
質であることを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬフル
カラーディスプレイパネル。 - 【請求項８】 前記導電層が前記画素領域以外の部分の
幅で前記画素領域の部分に延長され、前記画素領域以外
の部分と接続されていることを特徴とする請求項６また
は７記載の有機ＥＬフルカラーディスプレイパネル。 - 【請求項９】 前記絶縁層に形成する開口を前記導電層
を挟んで両側に設けるようにしたことを特徴とする請求
項８記載の有機ＥＬフルカラーディスプレイパネル。 - 【請求項１０】 前記基板に形成される前記透明電極線
の両端に接続端子を設けたことを特徴とする請求項５，
６，７，８または９記載の有機ＥＬフルカラーディスプ
レイパネル。 - 【請求項１１】 Ｒ，ＧおよびＢの画素をデルタ配列で
配置するとともに、互いに最も近隣する前記Ｒ，Ｇおよ
びＢの３画素が同一の金属電極線に接続される有機ＥＬ
フルカラーディスプレイパネルの製造方法において、 基板上に、互いに平行に配列する複数の透明電極線を形
成する透明電極形成工程と、 少なくとも前記透明電極線と前記金属電極線が交差する
領域を全て被膜する単一の絶縁層を成膜する絶縁層成膜
工程と、 前記絶縁層に、前記透明電極線のエッジを覆いつつ前記
透明電極線上の画素領域に対応した開口を形成する絶縁
層パターニング工程と、 前記画素領域に対応して、Ｒ，ＧおよびＢの何れかの発
光機能を有する少なくとも１層の有機ＥＬ材料層を形成
する有機ＥＬ材料層形成工程と、 前記透明電極線に対して交差する方向に平行配列され、
その各々が、互いに最も近隣する前記Ｒ，ＧおよびＢの
３画素の各画素領域を全て覆う複数の金属電極線を形成
する金属電極形成工程と、 を含むことを特徴とする有機ＥＬフルカラーディスプレ
イパネルの製造方法。 - 【請求項１２】 前記絶縁層成膜工程が前記透明電極線
形成された前記基板上の全面に絶縁層を形成するように
したことを特徴とする請求項１１記載の有機ＥＬフルカ
ラーディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１３】 前記金属電極形成工程における前記金
属電極線の幅は、前記画素の前記透明電極線の伸長方向
における長さの２倍以上となるようにしたことを特徴と
する請求項１１または１２記載の有機ＥＬフルカラーデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１４】 前記絶縁層上に突出して前記金属電極
線を隔離する絶縁性の隔離壁を形成する隔離壁形成工程
を含むことを特徴とする請求項１１，１２または１３記
載の有機ＥＬフルカラーディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項１５】 前記透明電極形成工程において、前記
透明電極線の前記画素領域に対応する部分の幅を広く
し、画素領域以外の部分の幅を狭くするようにしたこと
を特徴とする請求項１１，１２，１３または１４記載の
有機ＥＬフルカラーディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１６】 前記透明電極線上の前記画素領域以外
の部分に導電率のよい物質で導電層を形成する導電層形
成工程を含むことを特徴とする請求項１５記載の有機Ｅ
Ｌフルカラーディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１７】 前記導電層形成工程で形成する導電層
を金属性物質で形成するようにしたことを特徴とする請
求項１６記載の有機ＥＬフルカラーディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項１８】 前記導電層形成工程において、前記導
電層が前記画素領域以外の部分の幅で前記画素領域の部
分に延長され、前記画素領域以外の部分と接続されるよ
う形成するようにしたことを特徴とする請求項１５，１
６または１７記載の有機ＥＬフルカラーディスプレイパ
ネルの製造方法。 - 【請求項１９】 前記絶縁層パターニング工程におい
て、前記絶縁層に形成する開口を前記導電層を挟んで両
側に形成するようにしたことを特徴とする請求項１８記
載の有機ＥＬフルカラーディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項２０】 前記透明電極形成工程において、前記
基板に形成される前記透明電極線の両端に接続端子を形
成するようにしたことを特徴とする請求項１５，１６，
１７，１８または１９記載の有機ＥＬフルカラーディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項２１】 前記導電層形成工程において、導電層
を延長して前記接続端子にも形成するようにしたことを
特徴とする請求項２０記載の有機ＥＬフルカラーディス
プレイパネルの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25808698A JP3927323B2 (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 有機ｅｌフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| US09/393,805 US6297589B1 (en) | 1998-09-11 | 1999-09-10 | Organic electroluminescence full color display panel and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25808698A JP3927323B2 (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 有機ｅｌフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091069A true JP2000091069A (ja) | 2000-03-31 |
| JP3927323B2 JP3927323B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=17315334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25808698A Expired - Lifetime JP3927323B2 (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 有機ｅｌフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6297589B1 (ja) |
| JP (1) | JP3927323B2 (ja) |
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| WO2021189632A1 (zh) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
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