JP2000090011A - メモリ書き換え方法及びコンピュ―タシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 任意の時点における任意の障害や中断に対し
ても十分に対応でき，さらに所定のメモリ領域について
予め定められた初期状況を自発的に再構成することの可
能なメモリ書き換え方法及びコンピュータシステムを提
供する。 【解決手段】 フラッシュメモリ１０４とＲＡＭ１０５
とを含む処理装置１００において，少なくともフラッシ
ュメモリは複数のメモリ領域ＳＢ２０１〜ＳＢ２０４に
区画され，フラッシュメモリの所定のメモリ領域に格納
されたデータ及び／またはプログラムを書き換えるメモ
リ書き換え方法は，データ及び／またはプログラムを，
フラッシュメモリ１０４の所定のメモリ領域及び／また
はＲＡＭにバックアップコピーした後に，データ及び／
またはプログラムを書き換えることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，メモリ書き換え方
法及びコンピュータシステムにかかり，特に，自動車内
の駆動シーケンスを制御する制御装置等におけるメモリ
書き換え方法及びコンピュータシステムに関する。

【０００２】

【従来の技術】欧州特許公開公報ＥＰ０６６４３８７Ｂ
１には，自動車の制御装置に格納された制御プログラム
を変更する方法が開示されている。この文献に示された
方法においては，プログラムを変更するためにプログラ
ム識別子が読み出されて記憶される。このプログラム識
別子は，基準プログラム識別子として格納される。それ
以前にプログラム及びプログラム識別子のために使用さ
れたメモリ領域は，消去された後，新しくプログラミン
グされる。新しくプログラミングするために，記憶され
ている基準プログラム識別子が新しいプログラム識別子
として書き込まれて，次に新しいプログラムが外部から
書き込まれる。基準プログラム識別子を生成することに
よって，新しいプログラムの書き込み中に車両電源が変
動したり，あるいは車両電源が落ちてもこの情報が失わ
れることはない。

【０００３】新しいプログラムのロード中に車両電源が
変動したり，あるいは車両電源が落ちたりしたときに
は，他の制御装置あるいはプログラミング装置を介し
て，外部から回復すべき領域に新たに書き込みを行わな
ければならない。同様に，バックアップコピーをそのま
ま保存しなければならない。車両電源が変動したり，あ
るいは車両電源が落ちた場合には，プログラミングプロ
セスを完全に繰り返すことが必要になるからである。

【０００４】また，ドイツ特許公開公報ＤＥ４３３２４
９９Ａ１には，自動車制御装置内の，電気的に消去可能
な不揮発性メモリを完全に新しくプログラミングする方
法が知られている。この文献に示されたプログラミング
プロセスは，再度の書き込みのできないＲＯＭを使用せ
ずに行われる。すなわち，消去可能な不揮発メモリが，
少なくとも２つの消去可能かつプログラミング可能な領
域に分割され，そのそれぞれの領域にプログラム（プロ
グラミングモジュール）が書き込まれる。

【０００５】メモリを２つの領域に分割することによっ
て，プログラミングプロセスの終了前に自動車とデータ
末端装置との間で電圧がなくなった場合に，このプログ
ラミングプロセスを完全に繰り返すことが可能になる。
プログラミング可能な不揮発性メモリ内の２つのメモリ
領域の各々に，それぞれプログラムが存在しているから
である。従って，２つのプログラムのうち一方が消えた
場合でも，他方のメモリ領域には完全なプログラムが存
在しているからである。

【０００６】ところで，上記公開公報には，完全な新規
プログラミングが開示されているだけであって，プログ
ラム部分やプログラムルーチンを消去せずに，プログラ
ムを２分割することや，他のプログラム部分やプログラ
ムルーチンを追加することは示されていない。従って，
プログラムの書き換えの際には，バックアップコピーは
保存しておく必要がある。電圧がなくなるなどの障害の
後には完全な新規プログラミングが必要となるからであ
る。この新規プログラミングは，自動的には遂行され
ず，外部から行わなければならない。

【０００７】また，例えばメモリプロセスまたはプログ
ラミングプロセスにエラーがあった場合に，データエラ
ーを検出する様々な方法が知られている。そのためには
データやプログラムをエラーコードやエラー検出コード
で表さなければならず，その中には本来の情報の他にエ
ラー検出のための冗長な情報も含まれている。この種の
情報は，例えばパリティビットであって，それは縦ある
いは横合計形成のようなチェック合計形成（イーブン
パリティチェック）によるエラー検出を可能にする。

【０００８】他の線形及び／またはサイクリックに実行
可能な検査方法としては，ハミングコード，ＢＣＨコー
ド（Ｂｏｓｅ，Ｃｈａｎｄｈｕｒｉ，Ｈｏｃｑｕｅｎｇ
ｈａｍ），アブラムソンコード等が知られている。これ
らの検査方法にはサイクリック冗長性チェック（ＣＲ
Ｃ）も含められる。このＣＲＣにおいては，データやプ
ログラム，すなわち，消去，コピー，読み込むべき情報
から，ＣＲＣ方法に従ってブロック的に試験ビットが形
成されて，この情報と共に処理される。

【０００９】上述の検査方法においては，エラー検出の
他にエラー補正も行われるが，それぞれ検出された個別
エラーのみに関するものである。それぞれの検査文字は
所定の法則性に従って形成しなければならないので，こ
の法則性を模倣する個々のエラーは認識されない。従っ
て，この方法によるエラー検出，及びそれに伴う補正は
完全には保証されない。また，認識できないエラーしか
発生しない確率は極めて低く，それによって通常は必ず
しもすべてのエラーが簡単に認識されるわけではなく，
従って必ずしもすべてのエラーが補正されるわけではな
い。

【００１０】さらに，例えばプログラミングプロセスの
間に電圧が中断した場合に発生するような，比較的大き
なデータ領域やプログラム領域が失われた場合には，エ
ラー検出は実行されるが，エラー補正はもはや実行され
ないことがある。この検査方法における補正は，個別エ
ラーを補償することしかできないからである。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように，
従来のメモリ書き換え方法においては，以下の問題点が
あった。まず，メモリ書き換え途中に何らかのエラーが
発生した場合には，回復すべき領域やメモリ内容全体を
外部から新たに書き込まなければならないという第１の
問題点があった。

【００１２】また，メモリ書き換え途中に何らかの障害
が発生した場合に不完全な領域の自動的な再形成は行わ
れず，これも外部から完全なプログラミングによって実
行しなければならないという第２の問題点があった。

【００１３】さらにまた，エラー検査の方法において検
出されないエラーは，該当するメモリ領域内に他のエラ
ーが検出された場合でも補正されない。同様に，完全な
新規プログラミングなしでメモリ領域全体を補正するこ
とも行われないという第３の問題点があった。

【００１４】本発明は，従来のメモリ制御が有する上記
問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，
任意の時点で任意の障害や中断に対しても十分に対応で
き，さらに所定のメモリ領域について予め定められた初
期状況を自発的に再構成することの可能な，新規かつ改
良されたメモリ書き換え方法及びコンピュータシステム
を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載のよ
うに，第１のメモリと第２のメモリとを含む処理装置に
おいて，少なくとも前記第１のメモリは複数のメモリ領
域に区画され，前記第１のメモリの所定のメモリ領域に
格納されたデータ及び／またはプログラムを書き換える
メモリ書き換え方法において，前記データ及び／または
プログラムを，前記第１のメモリの所定のメモリ領域及
び／または前記第２のメモリにバックアップコピーした
後に，前記データ及び／またはプログラムを書き換える
ことを特徴とする，メモリ書き換え方法が提供される。

【００１６】前記プログラムは，請求項２に記載のよう
に，少なくとも第１のプログラムと第２のプログラムと
を含み，前記第１のプログラムは，前記第２のプログラ
ムを呼び出すことを特徴とする。

【００１７】少なくとも第１と第２のプログラム（ルー
チン）を使用することによって，元のデータ及び／また
はプログラムを後から補うことが可能になる。これは，
メモリ領域を定められたように分割することによって保
証され，データ及び／またはプログラム（ルーチン）の
消去及び／またはコピー及び／または書込み前に，処理
装置内でそのデータ及び／またはプログラム（ルーチ
ン）からバックアップコピーをオリジナル領域としての
他のメモリ領域内に形成することが可能になる。

【００１８】本発明に基づく方法は，付加的なプログラ
ムルーチン（付加ルーチン）及び／または保護すべきデ
ータあるいは回復すべきメモリ領域は，エラーの場合に
自動的に保護され，かつ／または回復され，かつ／また
は最初に始動されたプロセスが新しく初期化されるよう
に構成されている。

【００１９】また，前記データのバックアップコピー
は，請求項３に記載のように，前記データ及び／または
プログラムの書き換えの後に，再びオリジナルとして書
き込まれることを特徴とする。

【００２０】また，前記プログラムのバックアップコピ
ーは，請求項４に記載のように，前記データ及び／また
はプログラムの書き換え時にエラーが発生してないと判
断された場合に，消去されることを特徴とする。

【００２１】保護すべきデータ及び／またはプログラム
（ルーチン）のバックアップコピーは，オリジナルの消
去後直ちに書き戻され，あるいはバックアップコピー
は，プログラムを制御するルーチンの場合には，プログ
ラミングプロセスが成功した後に消去され，それによっ
て両方の場合にこのパックアップコピーをそのまま保存
する必要がなくなる。データ及び／またはプログラム
（ルーチン）のためのバックアップ領域は，通常の場合
には安全上重要でない他のデータ及び／またはプログラ
ム（ルーチン）を含んでいる場合があり，安全のために
消去される。従って，必要以上に大きいメモリスペース
を確保しないで済む。

【００２２】選択的に第１と第２のルーチンを同時に，
かつ／または別々に実行することができる。制御装置メ
ーカーによる車両のための制御装置のプログラミングの
場合には，これは，第２のルーチン，すなわち付加ルー
チンとして例えば顧客固有のプログラム（ルーチン），
従って車両メーカーのプログラムが使用される場合に，
プログラミングプロセスにおいて，個別に車両タイプ，
使用場所及び使用条件などに適合された固有の顧客要請
を考慮できることを意味している。さらに，任意の時点
で付加ルーチンの結合を行うことができる。

【００２３】前記データ及び／またはプログラムの書き
換え時にエラーが発生したと判断された場合には，請求
項５に記載のように，前記データ及び／またはプログラ
ムが自動的に再形成されることを特徴とする，

【００２４】前記プログラミング処理の際にエラーが発
生した場合には，請求項６に記載のように，前記メモリ
書き換え時に始動されたプロセスが，前記第１のメモリ
内で初期化されることを特徴とする，

【００２５】それによってまず，メモリ領域に関して予
め定められた初期状態が外部の介入なしで自動的に再形
成され，さらにメモリ需要を増大させることのない確実
な方法が得られ，それが極めてフレキシブルに適合され
たプログラミングを可能にする。

【００２６】また，前記第１のメモリは，請求項７に記
載のように，不揮発性メモリであり，少なくとも前記第
１のプログラムが前記第１のメモリに格納されることを
特徴とする。

【００２７】また，前記第２のメモリは，請求項８に記
載のように，バッファメモリとして機能し，前記データ
及び／またはプログラムが一時的に格納されることを特
徴とする。

【００２８】また，前記第１のメモリ及び／または前記
第２のメモリは，請求項９に記載のように，少なくとも
１つのオリジナル領域及び／またはバックアップ領域及
び／またはバッファメモリ領域に区画されることを特徴
とする。

【００２９】また，データ及び／またはプログラムを書
き換えるためのプロセスの制御は，請求項１０に記載の
ように，前記第１のメモリ及び／または前記第２のメモ
リに読み込まれたプログラム及び／またはデータによっ
て実行されることを特徴とする。

【００３０】また，請求項１１に記載の発明は，前記バ
ックアップ領域に他のデータ及び／またはプログラムが
格納されて，前記プログラム及び／または前記データを
書き換えにより保護するために，前記バックアップ領域
が消去されることを特徴とする。

【００３１】また，前記処理装置は，請求項１２に記載
のように，不揮発性で書き換えのできない第３のメモリ
をさらに含み，データ及び／またはプログラムの書き換
えのためのプロセスを始動させる前記第１のプログラム
の少なくとも一部が，前記第３のメモリ及び／または前
記第１のメモリの書き換えのできないメモリ領域に格納
されることを特徴とする。

【００３２】また，上記課題を解決するため，本発明の
第２の観点によれば，請求項１３に記載のように，第１
のメモリと第２のメモリとを含む処理装置において，少
なくとも第１のメモリは複数のメモリ領域に区画され，
前記第１のメモリの所定の領域に格納されたデータ及び
／またはプログラムを書き換えるためのコンピュータシ
ステムにおいて，前記データ及び／またはプログラム
を，前記第１のメモリの所定のメモリ領域及び／または
前記第２のメモリにバックアップコピーした後に，前記
データ及び／またはプログラムを書き換えることを特徴
とする，コンピュータシステムが提供される。

【００３３】また，前記第１のメモリは，請求項１４に
記載のように，不揮発性メモリであることを特徴とす
る。

【００３４】また，前記第２のメモリは，請求項１５に
記載のように，バッファメモリとして機能し，前記デー
タ及びまたはプログラムが一時的に格納されることを特
徴とする。

【００３５】前記第１のメモリ及び／または前記第２の
メモリは，請求項１６に記載のように，少なくとも１つ
のオリジナル領域及び／またはバックアップ領域及び／
またはバッファメモリ領域に区画されることを特徴とす
る。

【００３６】なお，本明細書または図面において，プロ
グラムとプログラムルーチンとルーチンとは，実質的に
同様の意味として用いるものとする。また，プログラミ
ングとは，メモリの書き換え動作を行うこと，より具体
的には，メモリ内容の消去，コピー，読み込み等の一連
の動作をいうものとする。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら，
本発明にかかるメモリ書き換え方法及びコンピュータシ
ステムの好適な実施の形態について詳細に説明する。な
お，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構
成を有する構成要素については，同一の符号を付するこ
とにより重複説明を省略する。

【００３８】（第１の実施の形態）本実施の形態にかか
るメモリ書き換え方法が適用されるコンピュータシステ
ムを図１〜図４を参照しながら説明する。コンピュータ
システムは，図１に示したように，処理装置１００と，
処理装置１００とインターフェイス１０７により接続さ
れて処理装置１００とデータやプログラムの授受を行う
プログラミング装置１０８とを含んでいる。インターフ
ェイス１０８は，シリアルインターフェイスあるいはパ
ラレルインターフェイスのいずれを用いることもでき
る。なお，図示したシステムは一例にすぎず，他の入出
力ユニットにより接続される他のＣＰＵやメモリを備え
るようにしてもよい。

【００３９】処理装置１００は，メモリとして，フラッ
シュメモリ１０４と，ＲＡＭ１０５とを含んでいる。さ
らに，選択的なメモリとして，ＲＯＭ１０６とを含むこ
とができる。これらのメモリ１０４，１０５，１０６
は，バスシステム１０３を介して，ＣＰＵ１０１及び入
出力ユニット１０２に接続されている。

【００４０】フラッシュメモリ１０４は，書き換え可能
な不揮発性メモリの一例であり，メモリ内容のブロック
単位の消去と書き込みが可能である。なお，書き換え可
能な不揮発性メモリには，紫外線により記録内容の消去
を行うＥＰＲＯＭや，電気的に記録内容の消去を行うＥ
ＥＰＲＯＭがある。

【００４１】ＲＡＭ１０５は，書き換え可能な揮発性メ
モリの一例であり，補助的なメモリとして，特にデータ
やプログラムの一時的な記憶に用いられる。このＲＡＭ
１０５からも同様にプログラムを開始することができ
る。

【００４２】ＲＯＭ１０６は，書き換えのできない不揮
発性メモリの一例であり，特別の安全性を得るために，
選択的に設けることができる。すなわち，データ／プロ
グラムの書き換え時にエラーが発生した場合に備えて，
データロードプログラム等を格納するためにこのＲＯＭ
１０６を用いることができる。

【００４３】上述のフラッシュメモリ１０４，ＲＡＭ１
０５，ＲＯＭ１０６のメモリ領域の詳細について，図２
を参照しながら説明する。フラッシュメモリ１０４のメ
モリ領域２００は，図２に示したように，データのバッ
クアップ領域であるメモリ領域ＳＢ２０１と，第２のプ
ログラムたる付加ルーチン（Ｚｕｓａｔｚｒｏｕｔｉｎ
ｅｎ）ＺＲのバックアップ領域であるメモリ領域ＳＢ２
０２と，データのオリジナル領域であるメモリ領域Ｓ２
０３と，付加ルーチンＺＲのオリジナル領域であるメモ
リ領域ＳＢ２０４と，に区画されている。

【００４４】ＲＡＭ１０５のメモリ領域２０６には，Ｒ
ＡＭメモリ領域ＳＢ２０７が区画されている。このＲＡ
Ｍメモリ領域ＳＢ２０７の一部には，処理中に生じるフ
ラッシュメモリ領域ＳＢ２０１〜ＳＢ２０４のコピーが
一時的に格納される。

【００４５】ＲＯＭ１０６のメモリ領域２０８には，Ｒ
ＯＭメモリ領域２０９が区画されている。このＲＯＭメ
モリ領域ＳＢ２０９には，システムと処理を始動させる
第１のプログラムたるブートプログラム（ＲＯＭ内ルー
チンＲＲ）が格納されている。

【００４６】上記コンピュータシステムを用いた本実施
の形態にかかるメモリ書き換え方法を，図３を参照しな
がら説明する。本実施の形態における，ＲＯＭ１０６を
使用して付加ルーチンＺＲを保護する方法について，図
３に示した流れ図を参照しながら説明する。

【００４７】プログラミングは，図３に示したように，
システム始動または新規プログラミング（ステップ３０
０）により，あるいはプログラミング要請（ステップ３
０１）により開始する。プログラミング要請（ステップ
３０１）より開始する場合には，このプログラミング要
請によってＲＯＭ内ルーチンＲＲが実行される（ステッ
プ３０３）。

【００４８】ＲＯＭ内ルーチンＲＲは，フラッシュメモ
リ領域ＳＢ２０４からＲＡＭメモリ領域ＳＢ２０７へ，
付加ルーチンＺＲのコピーを行わせる（ステップ３０
５）。この付加ルーチンＺＲは，例えば，フラッシュメ
モリ１０４のプログラミングに用いられる。

【００４９】次いで，付加ルーチンＺＲは，ＲＡＭメモ
リ領域ＳＢ２０７内で実行されて（ステップ３０５），
独立して，あるいはＲＯＭ内ルーチンＲＲを用いて，フ
ラッシュメモリ１０４の書き換え，すなわち，他のメモ
リ領域のコピー，消去，あるいは，プログラミングプロ
セスを制御する。付加ルーチンＺＲとＲＯＭルーチンＲ
Ｒは，選択的に同時に実行することもできる。また，フ
ラッシュメモリ１０４の他のメモリ領域のコピー，消
去，プログラミングプロセスの制御は，ＲＯＭ内ルーチ
ンＲＲが独立して行うこともできる。

【００５０】プログラミングするために，付加ルーチン
ＺＲのバックアップ領域たるフラッシュメモリ領域ＳＢ
２０２内のプログラムルーチンがまず消去されて（ステ
ップ３０６），付加ルーチンＺＲのバックアップコピー
が代わりに格納される（ステップ３０７）。すなわち，
フラッシュメモリ領域ＳＢ２０４の付加ルーチンＺＲ
が，バックアップ領域たるフラッシュメモリ領域ＳＢ２
０２にコピーされる。

【００５１】次いで，フラッシュメモリ領域２０４が消
去される。そして，外部から，例えばインターフェイス
１０７を介してプログラミング装置１０８によって，新
しいバージョンの付加ルーチンＺＲによるプログラミン
グを行うことができる（ステップ３０８）。その場合
に，選択的に，フラッシュメモリの他のメモリ領域，例
えばプログラムルーチンのメモリ領域を消去したりプロ
グラミングすることも可能である。

【００５２】次いで，付加ルーチンＺＲをコピーした際
（ステップ３０７）にフラッシュメモリ領域ＳＢ２０４
でエラーが発生したかが検査される（ステップ３０
９）。この検査は，例えば従来技術で説明したサイクリ
ック冗長性チェック等により行われる。

【００５３】ステップ３０９における検査の結果，フラ
ッシュメモリ領域ＳＢ２０４でエラーが発生していない
場合には，プログラム完了後にフラッシュメモリ領域Ｓ
Ｂ２０２内の付加ルーチンＺＲが消去される（ステップ
３１０）。次いで，最初にこのフラッシュメモリ領域Ｓ
Ｂ２０２内に存在していたデータやルーチンが装置外部
等から格納される（ステップ３１１）。

【００５４】ステップ３０９における判断の結果，フラ
ッシュメモリ領域ＳＢ２０４でエラーが発生している場
合，すなわち何らかの理由でメモリ書き換えが中断した
後に，フラッシュメモリ領域ＳＢ２０４内に有効なデー
タやプログラムルーチンが存在していない場合には，シ
ステム始動あるいは新規プログラミングする際（ステッ
プ３００）に，ＲＯＭ内ルーチンＲＲによって認識され
る（ステップ３０２）。

【００５５】ＲＯＭ内ルーチンＲＲは，フラッシュメモ
リ領域ＳＢ２０２の付加ルーチンＺＲのバックアップコ
ピーをメモリ領域ＳＢ２０７のＲＡＭへコピーさせる
（ステップ３０４）。ここでも選択的に，付加ルーチン
ＺＲをＲＯＭルーチンＲＲと同時に実行することができ
る。そのためには最初にあったのと同じメモリ領域ＳＢ
２０４のプログラミングを外部から行わなければならな
い。

【００５６】プログラミングの完了後に，フラッシュメ
モリ領域ＳＢ２０２内の付加ルーチンＺＲが同様に消去
されて（ステップ３１０），もとからあったデータ及び
／またはプログラムルーチンによって，あるいはこれら
のデータ及び／またはプログラムルーチンの変更された
新しいバージョンによって外から代えられる（ステップ
３１１）。これは，付加ルーチンＺＲのバックアップコ
ピーがそのまま格納されるのではなく，プログラミング
に成功した後に消去されて，変更された，あるいはこの
メモリ領域にあるべきデータ及び／またはプログラムに
よって上書きできることを意味している。従って，ステ
ップ３１１で選択的に，フラッシュメモリの他の部分も
消去及び／またはプログラミングすることができる。こ
のことは，ステップ３０８についても同様である。

【００５７】（第２の実施の形態）本実施の形態にかか
るメモリ書き換え方法を，図４を参照しながら説明す
る。なお，本実施の形態においても，上述した第１の実
施の形態と同様のコンピュータシステムが用いられる。
上記第１の実施の形態はプログラム（付加ルーチンＺ
Ｒ）の保護に関するものであったが，本実施の形態は，
データの保護に関するものである。ここでいう保護すべ
きデータとは，例えば，制御装置の全寿命の間失われて
はならないデータである。

【００５８】プログラミングは，図４に示したように，
システム始動または新規プログラミング（ステップ４０
０）により，あるいはプログラミング要請（ステップ４
０１）により開始する。プログラミング要請（ステップ
４０１）によりデータＳＤを保護しなければならない場
合には，プログラミング要請（ステップ４０１）によっ
てそれに応じたＲＯＭ内ルーチンＲＲが実行される（ス
テップ４０３）。

【００５９】ＲＯＭ内ルーチンＲＲは，フラッシュメモ
リ領域ＳＢ２０４からＲＡＭメモリ領域ＳＢ２０７へ，
付加ルーチンＺＲのコピーを行わせる（ステップ４０
５）。この付加ルーチンＺＲは，例えば，フラッシュメ
モリ１０４のプログラミングに用いられる。

【００６０】次いで，付加ルーチンＺＲは，ＲＡＭメモ
リ領域ＳＢ２０７内で実行されて（ステップ４０５），
独立して，あるいはＲＯＭ内ルーチンＲＲを用いて，フ
ラッシュメモリ１０４の書き換え，すなわち，他のメモ
リ領域のコピー，消去，あるいは，プログラミングプロ
セスを制御する。付加ルーチンＺＲとＲＯＭルーチンＲ
Ｒは，選択的に同時に実行することができる。また，フ
ラッシュメモリ１０４の他のメモリ領域のコピー，消
去，プログラミングプロセスを制御は，ＲＯＭ内ルーチ
ンが独立して行うこともできる。

【００６１】データを有するデータ領域あるいはメモリ
領域をプログラミングの際に消去しなければならない場
合には，このデータＳＤがメモリ領域ＳＢ２０１で確保
される（ステップ４０６）。次いで，データＳＢのメモ
リ領域Ｓ２０３が消去され，あるいはプログラムを変更
される（ステップ４０７）。次いで，保護すべきデータ
ＳＤがメモリ領域ＳＢ２０１から再びデータのオリジナ
ル領域であるメモリ領域ＳＢ２０３へコピーされる（ス
テップ４０８）。このプロセスの制御は，ＲＡＭメモリ
領域ＳＢ２０７へコピーすべきメモリ領域ＳＢ２０４の
付加ルーチンＺＲ及び／またはＲＯＭ内ルーチンＲＲに
よって行われる。

【００６２】次いで，第１の実施の形態と同様に，デー
タの保護の正確さが検査される（ステップ３０９）。こ
の検査は，上述の従来技術と同様の手法が用いられる。

【００６３】ステップ３０９における判断の結果，フラ
ッシュメモリ領域ＳＢ２０３でエラーが発生している場
合，すなわち，何らかの理由でメモリ書き換えが中断し
た後に，フラッシュメモリ領域ＳＢ２０３内に有効なデ
ータが存在していない場合には，システムの始動あるい
は新規プログラミングする際（ステップ４００）に，Ｒ
ＯＭ内ルーチンＲＲによって認識される（ステップ４０
２）。

【００６４】ＲＯＭ内ルーチンＲＲ及び／または付加ル
ーチンＺＲは，フラッシュメモリ領域ＳＢ２０１の保護
すべきデータＳＤのバックアップコピーをオリジナル領
域であるメモリ領域ＳＢ２０３へコピーさせる。そのた
めに，付加ルーチンＺＲがフラッシュメモリＳＢ２０４
からＲＡＭＳＢ２０７へロードされる。（ステップ４０
４）。そして，ステップ４０７，４０８，３０９，４１
０におけるプロセスの制御は，ＲＯＭ内ルーチンＲＲ及
び／または付加ルーチンＺＲによって行われる。

【００６５】ステップ３０９における判断の結果，保護
すべきデータＳＤを保護する際にエラーが発生しなかっ
た場合には，データ領域ＳＢ２０１を例えば外部から入
力手段１０８によって新しくプログラミングすることが
できる（ステップ４１０）。この場合，内部バスを使用
することも，状況条件により可能である。

【００６６】なお，上記ステップ４０７あるいは４１０
において，選択的にフラッシュメモリの他の部分を消去
及び／またはプログラミングすることも可能である。

【００６７】（第３の実施の形態）本実施の形態にかか
るメモリ書き換え方法が適用されるコンピュータシステ
ムは，処理装置１００と，処理装置１００とインターフ
ェイス１０７により接続されるプログラミング装置１０
８とを含んでいる点で，上記実施の形態と同様である。
また，処理装置１００は，メモリとして，書き換え可能
な読み出し専用メモリたるフラッシュメモリ１０４と，
ＲＡＭ１０５とを含んでいる。なお，ＲＯＭを含んでい
ない点で上記実施の形態と異なる。

【００６８】ＲＯＭを使用しないプログラミング方法
は，ブートブロックの存在を前提としている。このブー
トブロックは，ＣＰＵ１００内に設けるか，あるいはフ
ラッシュメモリ１０４の，利用者にはアクセスできない
領域，または書き込み保護された領域内に設けられる。

【００６９】上記実施の形態においてＲＯＭ１０６に格
納されていたＲＯＭ内ルーチンＲＲは，本実施の形態に
おいては，フラッシュルーチンＲＦとブートブロック内
ルーチンＲＢとに分割されて，フラッシュメモリ１０４
及びＲＡＭ１０５に格納されている。このフラッシュル
ーチンＲＦ及びブートブロック内ルーチンＲＢについて
は後述する。

【００７０】上述のフラッシュメモリ１０４，ＲＡＭ１
０５のメモリ領域の詳細について，図５を参照しながら
説明する。フラッシュメモリ１０４のメモリ領域２００
は，図５に示したように，データのバックアップ領域で
あるメモリ領域ＳＢ２０１ａと，第２のプログラムたる
付加ルーチンＺＲのバックアップ領域であるメモリ領域
ＳＢ２０２ａと，データのオリジナル領域であるメモリ
領域Ｓ２０３ａと，付加ルーチンＺＲのオリジナル領域
であるメモリ領域ＳＢ２０４ａとに区画されている点で
上記実施の形態と同様である。

【００７１】さらに，フラッシュメモリ１０４のメモリ
領域２００はメモリ領域２０５に区画されており，この
点で上記実施の形態と異なる。このフラッシュメモリ領
域２０５ａには，上述のブートブロック内ルーチンＲＦ
が格納されている。

【００７２】フラッシュメモリ領域２０１ａには，デー
タのバックアップ領域が設けられる。メモリ領域ＳＢ２
０２ａには，ルーチンのバックアップ領域が設けられ，
ＲＯＭ内ルーチンＲＲの一部（フラッシュメモリ内ルー
チンＲＦ）及び付加ルーチンＺＲが格納されている。メ
モリ領域ＳＢ２０３ａは，本実施の形態においてはデー
タのためのオリジナル領域である。メモリ領域ＳＢ２０
４ａは，同様にオリジナル領域であるが，本実施の形態
ではルーチンのためのものである。ＲＯＭ内ルーチンＲ
Ｒの残りの部分（ブートブロックルーチンＲＢ）は，メ
モリブロックＳＢ２０５のブートブロック内に格納され
ている。

【００７３】ＲＡＭ１０５のメモリ領域２０６には，メ
モリ領域ＳＢ２０７ａが区画されている。このＲＡＭメ
モリ領域ＳＢ２０７ａには，上述のフラッシュルーチン
ＲＦあるいは付加ルーチンＺＲが格納される。

【００７４】本実施の形態では，ＲＡＭメモリ領域ＳＢ
２０７ａは，図２に示したＲＡＭメモリ領域ＳＢ２０７
とは大きさや区画が異なっている。このことは，フラッ
シュメモリメモリ領域ＳＢ２０１ａ〜２０４ａについて
も同様であり，図２に記載されている領域とは大きさと
区画位置を異ならせることができる。

【００７５】上記コンピュータシステムを用いた本実施
の形態にかかるメモリ書き換え方法を，図６を参照しな
がら説明する。本実施の形態は，付加ルーチンＺＲを保
護する方法である。

【００７６】プログラミングは，図６に示したように，
プログラミング要請（ステップ６０１）によって，フラ
ッシュ内ルーチンＲＦが実行される（ステップ６０
６）。フラッシュ内ルーチンＲＦは，付加ルーチンＺＲ
及び／またはフラッシュ内ルーチンＲＦ，あるいはフラ
ッシュ内ルーチンＲＦの一部を，フラッシュメモリ領域
２０４ａからＲＡＭメモリ領域２０７ａへコピーさせる
（ステップ６０７）。このとき，フラッシュ内ルーチン
ＲＦは，フラッシュ内ルーチンＲＦ自身をコピーしなけ
ればならない。このプロセスを以下に説明する。

【００７７】まず，第１の方法は，フラッシュ内ルーチ
ンＲＦがＲＡＭ１０５へ完全には転送されず，一部のみ
を転送するものである。このとき，転送されない残りの
フラッシュ内ルーチンＲＦと付加ルーチンＺＲをコピー
する権限を有する部分が，フラッシュメモリ１０４のい
ずれかの領域，例えば，フラッシュメモリ領域ＳＢ２０
４ａ内に残っている。

【００７８】また，第２の方法は，ＲＡＭ領域ＳＢ２０
７ａにコピーされるフラッシュ内ルーチンＲＦの中に，
次のステップで，残りのフラッシュ内ルーチンＲＦ及び
付加ルーチンＺＲをＲＡＭ領域２０７ａへコピーするル
ーチンを設けることである。この方法によれば，メモリ
領域ＳＢ２０４ａの内容全体をＲＡＭメモリ領域ＳＢ２
０７ａへコピー可能になる。このルーチンは，フラッシ
ュ内ルーチンＲＦ及び／または付加ルーチンＺＲ内にお
くことができるので，すでにＲＡＭメモリ２０７ａへ転
送されたＲＦ及び／または付加ルーチンＺＲによってプ
ロセスを制御することができる。

【００７９】また，第３の方法は，フラッシュ内ルーチ
ンＲＦと付加ルーチンＺＲとに分割する方法である。ま
ず付加ルーチンＺＲがＳＢ２０４ａからＲＡＭ領域ＳＢ
２０７ａへコピーされ，この付加ルーチンＺＲにより，
フラッシュ内ルーチンＲＦをフラッシュメモリ領域２０
４ａからＲＡＭメモリ領域２０７ａへコピーすることが
可能になる。それによってコピープロセス全体が１つの
ステップで可能になり，フラッシュ内ルーチンＲＦ及び
付加ルーチンＺＲによって制御される。その場合にフラ
ッシュ内ルーチンＲＦは，付加ルーチンＺＲの実行のき
っかけを与え，それによって制御責任をＺＲに委ねる。

【００８０】ＲＡＭメモリ領域２０７ａにコピーされた
付加ルーチンＺＲ及び／またはフラッシュ内ルーチンＲ
Ｆは，ＲＡＭメモリ領域２０７ａで実行されて，フラッ
シュメモリのための他のコピー，消去並びにプログラミ
ングプロセスを制御する。従ってそれに続くプロセスの
それ以降の制御は，付加ルーチンＺＲ及び／またはフラ
ッシュ内ルーチンＲＦによって行うことができる。

【００８１】プログラミングするために，バックアップ
領域であるメモリ領域２０２ａのデータ及び／またはプ
ログラムが消去される（ステップ６０８）。次いで，メ
モリ領域ＳＢ２０７ａから付加ルーチンＺＲ及び／また
はフラッシュ内ルーチンＲＦのバックアップコピーが，
メモリ領域２０２ａへ書き込まれる（ステップ６０
９）。そしてメモリ領域２０４ａの消去とプログラミン
グが，付加ルーチンＺＲ及び／またはフラッシュ内ルー
チンＲＦの完全に新しいバージョンによって外部から行
われる（ステップ６１０）。

【００８２】次いで，上述のステップ３０９における検
査によって，プログラミングの正確さが検査される。プ
ログラミングが正確に実行された場合には，バックアッ
プ領域ＳＢ２０２ａ全体が消去されて（ステップ６１
２），ここに元から存在するデータ及び／またはプログ
ラムによって，あるいはこれらのデータ及び／またはプ
ログラムの新しいバージョンによって外部から代えられ
る。それがその後メモリ領域ＳＢ２０２ａ内で新しく書
き込まれる（ステップ６１３）。その場合にステップ６
１０及び／またはステップ６１３で選択的に，フラッシ
ュメモリの他の部分を消去及び／またはプログラミング
することができる。

【００８３】ステップ３０９における判断の結果，エラ
ーが発生していると判断された場合，すなわち任意の理
由でプログラミングが中止されて，フラッシュメモリ領
域ＳＢ２０４ａには有効なデータ及び／またはプログラ
ムがない場合には，システム始動あるいは新規プログラ
ミング（ステップ６００）の後に，ブートブロック内ル
ーチンＲＢにより確認される（ステップ６０２）。ブー
トブロック内ルーチンＲＢが，フラッシュ内ルーチンＲ
Ｆ及び／または付加ルーチンＺＲのバックアップコピー
をメモリ領域２０２ａからＲＡＭのメモリ領域２０７ａ
へコピーさせる（ステップ６０３）。

【００８４】次いで，メモリ領域２０７ａ内の付加ルー
チンＺＲ及び／またはフラッシュ内ルーチンＲＦが，付
加ルーチンＺＲ及び／またはフラッシュ内ルーチンＲＦ
の書き戻しを自立して制御する。そのために，オリジナ
ル領域，すなわちメモリ領域ＳＢ２０４ａが消去される
（ステップ６０４）。次いで，フラッシュメモリ領域２
０２ａからフラッシュメモリ領域２０４ａへ，付加ルー
チンＺＲ及び／またはフラッシュ内ルーチンＲＦを書き
込むことによって，このオリジナル領域が回復される
（ステップ６０５）。従って，その後外部から任意のプ
ログラミングプロセスを要請することができ，フラッシ
ュメモリ領域ＳＢ２０２ａのバックアップコピーとの競
合をもたらすことはない。

【００８５】制御装置は，エラーの場合には常に該当す
る領域の新規プログラミングを要請するが，保護すべき
すべてのデータはこの新規プログラミングプロセスの最
初にはまた，最初にそれに割り当てられた領域にある。
従って定められた初期状態の再形成が，自動的に行われ
る。

【００８６】本実施の形態においては，ステップ６１０
及び／またはステップ６１３で選択的に，フラッシュメ
モリの他の部分を消去及び／またはプログラミングする
ことも可能である。その場合に特に，保護すべきデータ
ＳＤ及び／または保護すべきルーチンが入っている１つ
または複数の領域は別にして，フラッシュメモリ全体を
新しくプログラミングすることができる。

【００８７】（第４の実施の形態）本実施の形態にかか
るメモリ書き換え方法を，図７を参照しながら説明す
る。なお，本実施の形態においても，上述した第３の実
施の形態と同様のコンピュータシステムが用いられる。
上記第３の実施の形態はプログラム（付加ルーチンＺ
Ｒ）の保護に関するものであったが，本実施の形態は，
データの保護に関するものである。ここでいう保護すべ
きデータとは，例えば，制御装置の全寿命の間失われて
はならないデータである。また，本実施の形態では，保
護すべきデータＳＤの保護がＲＯＭを使用せずに行われ
る点に特徴がある。

【００８８】プログラミングは，図７に示したように，
プログラミング要請（ステップ７０１）によって，フラ
ッシュ内ルーチンＲＦが実行される（ステップ７０
６）。フラッシュ内ルーチンＲＦは，付加ルーチンＺＲ
及び／またはフラッシュ内ルーチンＲＦ，あるいはフラ
ッシュルーチンＲＦの一部を，フラッシュメモリ領域２
０４ａからＲＡＭメモリ領域２０７ａへコピーさせる
（ステップ７０７）。このステップ７０７は，上記第３
の実施の形態と同様に行われる。

【００８９】ＲＡＭメモリ領域２０７ａにコピーされた
付加ルーチンＺＲ及び／またはフラッシュ内ルーチンＲ
Ｆは，ＲＡＭメモリ領域２０７ａで実行されて，フラッ
シュメモリのための他のコピー，消去及びプログラミン
グプロセスを制御する。例えば，保護すべきデータＳＤ
がある領域の全部または一部をプログラミングの際に消
去しなければならない場合には，このデータがメモリ領
域２０３ａからメモリ領域２０１ａへコピーされて，保
護される（ステップ７０８）。次いで，少なくともデー
タ領域ＳＢ２０３ａが全部または部分的に消去されて
（ステップ７０９），保護すべきデータＳＤがメモリ領
域ＳＢ２０１ａからメモリ領域ＳＢ２０３ａへコピーさ
れる（ステップ７１０）。

【００９０】次いで，上述のステップ３０９における検
査によって，プログラミングプロセスにおいてエラーが
発生したかが調べられる。エラーが発生していない場合
には，データ領域，すなわちメモリ領域ＳＢ２０１ａを
元から存在するデータ及び／またはプログラム部分ある
いはこのデータ及び／またはプログラムの新しいバージ
ョンによって外部から代えることができる（ステップ７
１１）。その場合にステップ７０９及び／または７１１
において，選択的にフラッシュメモリの他の部分を消去
し，かつ／またはプログラミングすることも可能であ
る。

【００９１】任意の理由からプログラミングを中止した
後に領域２０３ａに有効なデータがない，すなわちエラ
ーの場合には，システムを始動させて新しくプログラミ
ングする（ステップ７００）ことによって，ブートブロ
ック内ルーチンＲＢにより検出される（ステップ７０
２）。このブートブロック内ルーチンＲＢは，保護すべ
きデータＳＤのバックアップコピーをフラッシュメモリ
領域２０１ａからオリジナル領域であるフラッシュメモ
リ領域ＳＢ２０３ａへコピーさせる（ステップ７０
３）。

【００９２】ブートブロック内ルーチンＲＢが，付加ル
ーチンＺＲ及び／またはフラッシュ内ルーチンＲＦ，あ
るいはフラッシュルーチンＲＦの一部を，上記実施の形
態と同様の方法によって，フラッシュメモリ領域２０４
ａからＲＡＭメモリ領域２０７ａへコピーさせる（ステ
ップ７０３）。次いで，付加ルーチンＺＲ及び／または
フラッシュ内ルーチンＲＦが実行されて，フラッシュメ
モリのための他のコピー，消去及びプログラミングプロ
セスを制御する。

【００９３】次いで，オリジナル領域，すなわちフラッ
シュメモリ領域ＳＢ２０３ａが消去されて（ステップ７
０４），保護すべきデータＳＤがバックアップ領域から
オリジナル領域へコピーされて，メモリ領域ＳＢ２０３
ａが回復される（ステップ７０５）。従って，例えばス
テップ７０１におけるように，任意のプログラミングプ
ロセスを外部から要請することができ，メモリ領域ＳＢ
２０１ａのバックアップコピーとの競合がもたらされる
ことはない。

【００９４】制御装置１００は，エラーの場合には常に
該当する領域の新規プログラミングを要請するが，保護
すべきデータＳＤはこの新規プログラミングの開始時に
はまた，最初に割り当てられた領域にある。従って保護
すべきデータに関しても前のルーチンに関してと同様
に，定められた初期状態が自動的に再形成される。従っ
てエラーの場合に最初に始動されたプロセスが新しく初
期化されて，保護すべきデータＳＤが自動的に回復され
る。保護すべきデータＳＤのバックアップコピーは，オ
リジナルの消去後即座に書き戻されて，それによってそ
れがそのまま保存されることはない。

【００９５】本実施の形態においては，ステップ７０９
及び／またはステップ７１１で選択的に，フラッシュメ
モリの他の部分を消去及び／またはプログラミングする
ことも可能である。その場合に特に，保護すべきデータ
ＳＤ及び／または保護すべきルーチンが入っている１つ
または複数の領域は別にして，フラッシュメモリ全体を
新しくプログラミングすることができる。

【００９６】すべての実施の形態について，保護すべき
データＳＤのバックアップコピーは，オリジナル領域か
らオリジナルを消去した後すぐに，このオリジナル領域
へ書き戻される。同様に，すべての実施の形態におい
て，保護すべきルーチンのバックアップコピーは，ステ
ップ３０９における検査の結果，プログラミングに成功
した後に消去されて，そこにあるべき及び／または任意
の新しいデータ及び／またはプログラムが書き込まれ
る。

【００９７】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かるメモリ書き換え方法及びコンピュータシステムの好
適な実行形態について説明したが，本発明はかかる例に
限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載
された技術的思想の範疇内において各種の変更例または
修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについ
ても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解され
る。

【００９８】

【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
メモリ書き換えの任意の時点における任意の障害や中断
に対しても十分に対応でき，さらに所定のメモリ領域に
ついて予め定められた初期状況を自発的に再構成するこ
とが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の実施の形態にかかるコンピュータシステ
ムの説明図である。

【図２】フラッシュメモリ，ＲＡＭ，及びＲＯＭのメモ
リ領域の説明図である。

【図３】第１の実施の形態にかかるメモリ書き換え方法
を示す流れ図である。

【図４】第２の実施の形態にかかるメモリ書き換え方法
を示す流れ図である。

【図５】フラッシュメモリ，ＲＡＭ，及びＲＯＭのメモ
リ領域の説明図である。

【図６】第３の実施の形態にかかるメモリ書き換え方法
を示す流れ図である。

【図７】第４の実施の形態にかかるメモリ書き換え方法
を示す流れ図である。

【符号の説明】

１００ 制御装置 １０１ ＣＰＵ １０２ 入出力ユニット １０３ バスシステム １０４ フラッシュメモリ（第１のメモリ） １０５ ＲＡＭ（第２のメモリ） １０６ ＲＯＭ（第３のメモリ） １０７ インターフェイス １０８ プログラミング装置 ２００ フラッシュメモリのメモリ領域 ＳＢ２０１ データのバックアップ領域 ＳＢ２０２ 付加ルーチンのバックアップ領域 ＳＢ２０３ データのオリジナル領域 ＳＢ２０４ 付加ルーチンのオリジナル領域 ２０６ ＲＡＭのメモリ領域 ＳＢ２０７ ＳＢ２０１〜ＳＢ２０４のコピー領域 ２０８ ＲＯＭのメモリ領域 ＳＢ２０９ ＲＯＭ内ルーチン ＳＢ２０１ａ データのバックアップ領域 ＳＢ２０２ａ フラッシュ内ルーチン ＳＢ２０３ａ データのオリジナル領域 ＳＢ２０４ａ 追加ルーチンのオリジナル領域 ＳＢ２０５ ブートルーチン ＳＢ２０７ａ 付加ルーチン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルティン フーリッヒ ドイツ連邦共和国 71665 ファイヒンゲ ン， ブルーネンハルテンシュトラッセ 33 (72)発明者 ゲラルド ホルツアプフェル ドイツ連邦共和国 71672 マルバッハ, ドレズナー ヴェーク 21／１

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１のメモリと第２のメモリとを含む処
   理装置において，少なくとも前記第１のメモリは複数の
   メモリ領域に区画され，前記第１のメモリの所定のメモ
   リ領域に格納されたデータ及び／またはプログラムを書
   き換えるメモリ書き換え方法において，前記データ及び
   ／またはプログラムを，前記第１のメモリの所定のメモ
   リ領域及び／または前記第２のメモリにバックアップコ
   ピーした後に，前記データ及び／またはプログラムを書
   き換えることを特徴とする，メモリ書き換え方法。
2. 【請求項２】 前記プログラムは，少なくとも第１のプ
   ログラムと第２のプログラムとを含み，前記第１のプロ
   グラムは，前記第２のプログラムを呼び出すことを特徴
   とする，請求項１に記載のメモリ書き換え方法。
3. 【請求項３】 前記データのバックアップコピーは，前
   記データ及び／またはプログラムの書き換えの後に，再
   びオリジナルとして書き込まれることを特徴とする，請
   求項１または２に記載のメモリ書き換え方法。
4. 【請求項４】 前記プログラムのバックアップコピー
   は，前記データ及び／またはプログラムの書き換え時に
   エラーが発生してないと判断された場合に，消去される
   ことを特徴とする，請求項１，２または３のいずれかに
   記載のメモリ書き換え方法。
5. 【請求項５】 前記データ及び／またはプログラムの書
   き換え時にエラーが発生したと判断された場合には，前
   記データ及び／またはプログラムが自動的に再形成され
   ることを特徴とする，請求項１，２，３または４のいず
   れかに記載のメモリ書き換え方法。
6. 【請求項６】 前記書き換え処理の際にエラーが発生し
   た場合には，前記メモリ書き換え時に始動されたプロセ
   スが，前記第１のメモリ内で初期化されることを特徴と
   する，請求項１，２，３，４または５のいずれかに記載
   のメモリ書き換え方法。
7. 【請求項７】 前記第１のメモリは不揮発性メモリであ
   り，少なくとも前記第１のプログラムが前記第１のメモ
   リに格納されることを特徴とする，請求項１，２，３，
   ４，５または６のいずれかに記載のメモリ書き換え方
   法。
8. 【請求項８】 前記第２のメモリはバッファメモリとし
   て機能し，前記データ及び／またはプログラムが一時的
   に格納されることを特徴とする，請求項１，２，３，
   ４，５，６または７のいずれかに記載のメモリ書き換え
   方法。
9. 【請求項９】 前記第１のメモリ及び／または前記第２
   のメモリは，少なくとも１つのオリジナル領域及び／ま
   たはバックアップ領域及び／またはバッファメモリ領域
   に区画されることを特徴とする，請求項１，２，３，
   ４，５，６，７または８のいずれかに記載のメモリ書き
   換え方法。
10. 【請求項１０】 データ及び／またはプログラムを書き
    換えるためのプロセスの制御は，前記第１のメモリ及び
    ／または前記第２のメモリに読み込まれたプログラム及
    び／またはデータによって実行されることを特徴とす
    る，請求項１，２，３，４，５，６，７，８または９の
    いずれかに記載のメモリ書き換え方法。
11. 【請求項１１】 前記バックアップ領域に他のデータ及
    び／またはプログラムが格納されて，前記プログラム及
    び／または前記データを書き換えにより保護するため
    に，前記バックアップ領域が消去されることを特徴とす
    る，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９または
    １０のいずれかに記載のメモリ書き換え方法。
12. 【請求項１２】 前記処理装置は，不揮発性で書き換え
    のできない第３のメモリをさらに含み，データ及び／ま
    たはプログラムの書き換えのためのプロセスを始動させ
    る前記第１のプログラムの少なくとも一部が，前記第３
    のメモリ及び／または前記第１のメモリの書き換えので
    きないメモリ領域に格納されることを特徴とする，請求
    項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０または１
    １のいずれかに記載のメモリ書き換え方法。
13. 【請求項１３】 第１のメモリと第２のメモリとを含む
    処理装置において，少なくとも第１のメモリは複数のメ
    モリ領域に区画され，前記第１のメモリの所定の領域に
    格納されたデータ及び／またはプログラムを書き換える
    ためのコンピュータシステムにおいて，前記データ及び
    ／またはプログラムを，前記第１のメモリの所定のメモ
    リ領域及び／または前記第２のメモリにバックアップコ
    ピーした後に，前記データ及び／またはプログラムを書
    き換えることを特徴とする，コンピュータシステム。
14. 【請求項１４】 前記第１のメモリは，不揮発性メモリ
    であることを特徴とする，請求項１３に記載のコンピュ
    ータシステム。
15. 【請求項１５】 前記第２のメモリはバッファメモリと
    して機能し，前記データ及びまたはプログラムが一時的
    に格納されることを特徴とする，請求項１３または１４
    に記載のコンピュータシステム。
16. 【請求項１６】 前記第１のメモリ及び／または前記第
    ２のメモリは，少なくとも１つのオリジナル領域及び／
    またはバックアップ領域及び／またはバッファメモリ領
    域に区画されることを特徴とする，請求項１３，１４ま
    たは１５のいずれかに記載のコンピュータシステム。