JP2000087039A - 液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents
液晶組成物および液晶表示素子Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 212
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 188
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 188
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 266
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 36
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 28
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims description 16
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000005407 trans-1,4-cyclohexylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])[C@]([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])[C@@]1([H])[*:1] 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims 1
- WCLNGBQPTVENHV-MKQVXYPISA-N cholesteryl nonanoate Chemical compound C([C@@H]12)C[C@]3(C)[C@@H]([C@H](C)CCCC(C)C)CC[C@H]3[C@@H]1CC=C1[C@]2(C)CC[C@H](OC(=O)CCCCCCCC)C1 WCLNGBQPTVENHV-MKQVXYPISA-N 0.000 description 16
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- -1 3,5-difluoro-4-cyanophenyl Chemical group 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N Tetrazine Chemical compound C1=CN=NN=N1 DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- 125000005337 azoxy group Chemical group [N+]([O-])(=N*)* 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000004815 dispersion polymer Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/42—Mixtures of liquid crystal compounds covered by two or more of the preceding groups C09K19/06 - C09K19/40
- C09K19/46—Mixtures of liquid crystal compounds covered by two or more of the preceding groups C09K19/06 - C09K19/40 containing esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
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- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
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- C09K19/3001—Cyclohexane rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＴＮに求められる一般的な特性を満たしな
がら、特に、しきい値電圧を￥が低く、しきい値電圧の
温度特性が小さく、熱および紫外線に対する安定性が高
い液晶組成物を提供する。 【解決手段】 第１成分として一般式（１−１）または
（１−２）で表される化合物を含有し、第二成分として
一般式（２）で表される化合物を含有し、第三成分とし
て一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物を含
有することを特徴とする液晶組成物。 【化１】
がら、特に、しきい値電圧を￥が低く、しきい値電圧の
温度特性が小さく、熱および紫外線に対する安定性が高
い液晶組成物を提供する。 【解決手段】 第１成分として一般式（１−１）または
（１−２）で表される化合物を含有し、第二成分として
一般式（２）で表される化合物を含有し、第三成分とし
て一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物を含
有することを特徴とする液晶組成物。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ネマチック液晶組
成物に関し、さらに詳しくは、ＳＴＮ（スーパー・ツイ
スト・ネマチック）表示方式を用いた液晶表示素子に使
用される液晶組成物およびこの液晶組成物を用いた液晶
表示素子に関する。
成物に関し、さらに詳しくは、ＳＴＮ（スーパー・ツイ
スト・ネマチック）表示方式を用いた液晶表示素子に使
用される液晶組成物およびこの液晶組成物を用いた液晶
表示素子に関する。
【０００２】
【背景技術】液晶表示素子は、ＴＮ（ツイスト・ネマチ
ック）方式、ＳＴＮ（スーパー・ツイスト・ネマチッ
ク）方式、アクティブ・マトリックス方式等が提案さ
れ、次々に実用化されてきた。これらの内、Ｔ．Ｊ．Ｓ
ｃｈｅｆｆｅｒ等によって提案された（Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４５（１０），１０２１（１９８
４））上下の基盤間における液晶分子の配向を１８０〜
２７０゜にツイストさせたＳＴＮ方式は、パーソナル・
コンピューター等の液晶表示素子として採用されてき
た。近年、ＳＴＮ方式は、屋外で使用されることの多い
携帯用の情報端末（例えば、電子手帳、小型のノート型
パソコン）の液晶表示素子として使用されるようになっ
てきた。ＳＴＮ方式に用いられる液晶組成物に求められ
る一般的な特性は、下記の（１）〜（４）であった。屋
外で使用されるＳＴＮ方式に用いられる液晶組成物は、
さらに、下記の（５）および（６）の特性を要求される
ようになった。
ック）方式、ＳＴＮ（スーパー・ツイスト・ネマチッ
ク）方式、アクティブ・マトリックス方式等が提案さ
れ、次々に実用化されてきた。これらの内、Ｔ．Ｊ．Ｓ
ｃｈｅｆｆｅｒ等によって提案された（Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４５（１０），１０２１（１９８
４））上下の基盤間における液晶分子の配向を１８０〜
２７０゜にツイストさせたＳＴＮ方式は、パーソナル・
コンピューター等の液晶表示素子として採用されてき
た。近年、ＳＴＮ方式は、屋外で使用されることの多い
携帯用の情報端末（例えば、電子手帳、小型のノート型
パソコン）の液晶表示素子として使用されるようになっ
てきた。ＳＴＮ方式に用いられる液晶組成物に求められ
る一般的な特性は、下記の（１）〜（４）であった。屋
外で使用されるＳＴＮ方式に用いられる液晶組成物は、
さらに、下記の（５）および（６）の特性を要求される
ようになった。
【０００３】（１） 液晶表示素子のコントラストを高
くするために、液晶組成物の急峻性を極力良くすること
（電圧と透過率曲線の傾きの係数を小さくすること）。 （２） 液晶表示素子の表示速度（応答速度）を速くす
るために、液晶組成物の粘度を極力小さくすること。 （３） 液晶表示素子のコントラストを最適にするため
に、液晶組成物の屈折率異方性は、液晶表示素子のセル
厚に応じて適度な値を取り得ること。 （４） 液晶表示素子を使用する環境の温度を広げるた
めに、液晶組成物は、広い温度範囲でネマチック相を示
すこと（ネマチック相の上限温度を高くし、かつ、ネマ
チック相の下限温度を低くすること）。 （５） 液晶表示素子を駆動させるための電源であるバ
ッテリーを小型化するために、液晶組成物のしきい値電
圧を小さくすること。並びに、液晶組成物のしきい値電
圧の温度依存性を小さくすること。 （６） 液晶組成物の劣化を防止して、液晶表示素子の
表示品質を半永久的に保つために、液晶組成物は、熱お
よび紫外線に対して安定性が高いこと。
くするために、液晶組成物の急峻性を極力良くすること
（電圧と透過率曲線の傾きの係数を小さくすること）。 （２） 液晶表示素子の表示速度（応答速度）を速くす
るために、液晶組成物の粘度を極力小さくすること。 （３） 液晶表示素子のコントラストを最適にするため
に、液晶組成物の屈折率異方性は、液晶表示素子のセル
厚に応じて適度な値を取り得ること。 （４） 液晶表示素子を使用する環境の温度を広げるた
めに、液晶組成物は、広い温度範囲でネマチック相を示
すこと（ネマチック相の上限温度を高くし、かつ、ネマ
チック相の下限温度を低くすること）。 （５） 液晶表示素子を駆動させるための電源であるバ
ッテリーを小型化するために、液晶組成物のしきい値電
圧を小さくすること。並びに、液晶組成物のしきい値電
圧の温度依存性を小さくすること。 （６） 液晶組成物の劣化を防止して、液晶表示素子の
表示品質を半永久的に保つために、液晶組成物は、熱お
よび紫外線に対して安定性が高いこと。
【０００４】しきい値電圧が比較的小さく、しきい値電
圧の温度特性が比較的良好なＳＴＮ用の液晶組成物が、
特開平７−３００５８２、特開平７−３００５８５およ
び特開平７−３００５８４に開示されたいる。しかしな
がら、これらに開示された液晶組成物は、本願の比較例
で示すように、熱および紫外線に対する安定性が悪いと
いう欠点を有していた。また、アクティブマトリックス
方式およびＳＴＮ方式をはじめ種々のモードにおける低
電圧駆動用液晶化合物として、大きな誘電率異方性を有
すると共に著しく低粘性である新規な液晶性化合物およ
びこれを含有する液晶組成物が、ＷＯ９６／１１８９７
に開示されたいる。この中で、結合基として−ＣＦ2Ｏ
−を有し、かつ、末端基に３，５−ジフルオロ−４−シ
アノフェニルを有する化合物を含有した組成物が開示さ
れている（組成例１９〜２２）。この組成例１９は、本
願発明の組成物に類似したものであるが、本願の比較例
で示すように、急峻性が悪く、しきい値電圧が高く、し
きい値電圧の温度特性が大きいという欠点を有してい
た。
圧の温度特性が比較的良好なＳＴＮ用の液晶組成物が、
特開平７−３００５８２、特開平７−３００５８５およ
び特開平７−３００５８４に開示されたいる。しかしな
がら、これらに開示された液晶組成物は、本願の比較例
で示すように、熱および紫外線に対する安定性が悪いと
いう欠点を有していた。また、アクティブマトリックス
方式およびＳＴＮ方式をはじめ種々のモードにおける低
電圧駆動用液晶化合物として、大きな誘電率異方性を有
すると共に著しく低粘性である新規な液晶性化合物およ
びこれを含有する液晶組成物が、ＷＯ９６／１１８９７
に開示されたいる。この中で、結合基として−ＣＦ2Ｏ
−を有し、かつ、末端基に３，５−ジフルオロ−４−シ
アノフェニルを有する化合物を含有した組成物が開示さ
れている（組成例１９〜２２）。この組成例１９は、本
願発明の組成物に類似したものであるが、本願の比較例
で示すように、急峻性が悪く、しきい値電圧が高く、し
きい値電圧の温度特性が大きいという欠点を有してい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＳＴ
Ｎ葉の液晶組成物に求められる一般的な特性を満たしな
がら、特に、しきい値電圧が低く、しきい値電圧の温度
特性が小さく、熱および紫外線に対する安定性の高い液
晶組成物を提供することにある。本発明者らは、これら
の課題を解決すべく、種々の液晶化合物を用いた組成物
を鋭意検討した結果、本発明の液晶組成物をＳＴＮ用表
示素子に使用する場合に、本発明の目的を達成できるこ
とを見いだした。
Ｎ葉の液晶組成物に求められる一般的な特性を満たしな
がら、特に、しきい値電圧が低く、しきい値電圧の温度
特性が小さく、熱および紫外線に対する安定性の高い液
晶組成物を提供することにある。本発明者らは、これら
の課題を解決すべく、種々の液晶化合物を用いた組成物
を鋭意検討した結果、本発明の液晶組成物をＳＴＮ用表
示素子に使用する場合に、本発明の目的を達成できるこ
とを見いだした。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以下に本発明を詳細に説
明する。本発明の第１は、第１成分として、一般式（１
−１）および（１−２）で表される化合物群から選ばれ
た少なくとも１種類の化合物を含有し、第２成分とし
て、一般式（２）で表される化合物群から選ばれた少な
くとも１種類の化合物を含有し、第３成分として、一般
式（３−１）〜（３−４）で表される化合物群から選ば
れた少なくとも１種類の化合物を含有することを特徴と
する液晶組成物である。
明する。本発明の第１は、第１成分として、一般式（１
−１）および（１−２）で表される化合物群から選ばれ
た少なくとも１種類の化合物を含有し、第２成分とし
て、一般式（２）で表される化合物群から選ばれた少な
くとも１種類の化合物を含有し、第３成分として、一般
式（３−１）〜（３−４）で表される化合物群から選ば
れた少なくとも１種類の化合物を含有することを特徴と
する液晶組成物である。
【０００７】
【化４】
【０００８】（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は各々独立し
て、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、これらの基中
の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2−）は酸素原子
（−Ｏ−）または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよ
く；Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基を表し、この基中の任意の１つのメチレ
ン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）または−ＣＨ
＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また、１つ以上の水
素原子（Ｈ）は、フッ素原子（Ｆ）で置換されていても
よく；Ｒ7はＣｌ、Ｆ、または炭素数１〜１０のアルキ
ル基を表し、この基中の任意の１つのメチレン基（−Ｃ
Ｈ2−）は酸素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよ
く；。Ｒ8、Ｒ9およびＲ11は各々独立して、炭素数１〜
１０のアルキル基を表し；Ｒ10は炭素数１〜１０のアル
キル基を表し、この基中の任意の１つのメチレン基（−
ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよ
く；Ａ1はトランス−１，４−シクロヘキシレンまたは
トランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイルを表
し；Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ａ5およびＡ7は各々独立して、ト
ランス−１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェ
ニレンを表し；Ａ6は側位のＨがＦで置換されていても
よい１，４−フェニレンを表し；Ｚ1は−ＣＯＯ−、−
Ｃ2Ｈ4−または単結合を表し；Ｚ2は−Ｃ Ｃ−または
単結合を表し；ｍおよびｎは各々独立して、０または１
を表し；Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は各々独立して、Ｈまたは
Ｆを表す。）
て、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、これらの基中
の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2−）は酸素原子
（−Ｏ−）または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよ
く；Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基を表し、この基中の任意の１つのメチレ
ン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）または−ＣＨ
＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また、１つ以上の水
素原子（Ｈ）は、フッ素原子（Ｆ）で置換されていても
よく；Ｒ7はＣｌ、Ｆ、または炭素数１〜１０のアルキ
ル基を表し、この基中の任意の１つのメチレン基（−Ｃ
Ｈ2−）は酸素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよ
く；。Ｒ8、Ｒ9およびＲ11は各々独立して、炭素数１〜
１０のアルキル基を表し；Ｒ10は炭素数１〜１０のアル
キル基を表し、この基中の任意の１つのメチレン基（−
ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよ
く；Ａ1はトランス−１，４−シクロヘキシレンまたは
トランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイルを表
し；Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ａ5およびＡ7は各々独立して、ト
ランス−１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェ
ニレンを表し；Ａ6は側位のＨがＦで置換されていても
よい１，４−フェニレンを表し；Ｚ1は−ＣＯＯ−、−
Ｃ2Ｈ4−または単結合を表し；Ｚ2は−Ｃ Ｃ−または
単結合を表し；ｍおよびｎは各々独立して、０または１
を表し；Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は各々独立して、Ｈまたは
Ｆを表す。）
【０００９】本発明の第２は、第１成分として、一般式
（１−１）および（１−２）で表される化合物群から選
ばれた少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重量
に対して５〜５０重量％含有し、第２成分として、一般
式（２）で表される化合物群から選ばれた少なくとも１
種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜４０重
量％含有し、第３成分として、一般式（３−１）〜（３
−４）で表される化合物群から選ばれた少なくとも１種
類の化合物を液晶組成物の全重量に対して１０〜７０重
量％含有することを特徴とする液晶組成物である。本発
明の第３は、第１成分として、一般式（１−１）および
（１−２）で表される化合物群から選ばれた少なくとも
１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜５０
重量％含有し、第２成分として、一般式（２）で表され
る化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を液
晶組成物の全重量に対して５〜４０重量％含有し、第３
成分として、一般式（３−１）〜（３−４）で表される
化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を液晶
組成物の全重量に対して１０〜７０重量％含有し、第４
成分として、一般式（４）で表される化合物群から選ば
れた少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重量に
対して３５重量％以下含有することを特徴とする液晶組
成物である。
（１−１）および（１−２）で表される化合物群から選
ばれた少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重量
に対して５〜５０重量％含有し、第２成分として、一般
式（２）で表される化合物群から選ばれた少なくとも１
種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜４０重
量％含有し、第３成分として、一般式（３−１）〜（３
−４）で表される化合物群から選ばれた少なくとも１種
類の化合物を液晶組成物の全重量に対して１０〜７０重
量％含有することを特徴とする液晶組成物である。本発
明の第３は、第１成分として、一般式（１−１）および
（１−２）で表される化合物群から選ばれた少なくとも
１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜５０
重量％含有し、第２成分として、一般式（２）で表され
る化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を液
晶組成物の全重量に対して５〜４０重量％含有し、第３
成分として、一般式（３−１）〜（３−４）で表される
化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を液晶
組成物の全重量に対して１０〜７０重量％含有し、第４
成分として、一般式（４）で表される化合物群から選ば
れた少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重量に
対して３５重量％以下含有することを特徴とする液晶組
成物である。
【００１０】
【化５】
【００１１】（式中、Ｒ12は炭素数１〜１０のアルキル
基を表し、Ｘ4はＨまたはＦを表す。） 本発明の第４は、第一成分として、一般式（１−１）お
よび（１−２）で表される化合物群から選ばれた少なく
とも１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜
５０重量％含有し、第２成分として、一般式（２）で表
される化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物
を液晶組成物の全重量に対して５〜４０重量％含有し、
第３成分として、一般式（３−１）〜（３−４）で表さ
れる化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を
液晶組成物の全重量に対して１０〜７０重量％含有し、
第４成分として、一般式（５）で表される化合物群から
選ばれた少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重
量に対して２５重量％以下含有することを特徴とする液
晶組成物である。
基を表し、Ｘ4はＨまたはＦを表す。） 本発明の第４は、第一成分として、一般式（１−１）お
よび（１−２）で表される化合物群から選ばれた少なく
とも１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜
５０重量％含有し、第２成分として、一般式（２）で表
される化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物
を液晶組成物の全重量に対して５〜４０重量％含有し、
第３成分として、一般式（３−１）〜（３−４）で表さ
れる化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を
液晶組成物の全重量に対して１０〜７０重量％含有し、
第４成分として、一般式（５）で表される化合物群から
選ばれた少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重
量に対して２５重量％以下含有することを特徴とする液
晶組成物である。
【００１２】
【化６】
【００１３】（式中、Ｒ13は炭素数１〜１０のアルキル
基を表し；Ａ8はトランス−１，４−シクロヘキシレン
または１，４−フェニレンを表し；ｐは０または１を表
し；Ｘ 5はＨまたはＦを表す。） 本発明の第５は、第１成分として、一般式（１−１）お
よび（１−２）で表される化合物群から選ばれた少なく
とも１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜
５０重量％含有し、第２成分として、一般式（２）で表
される化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物
を液晶組成物の全重量に対して５〜４０重量％含有し、
第３成分として、一般式（３−１）〜（３−４）で表さ
れる化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を
液晶組成物の全重量に対して１０〜７０重量％含有し、
第４成分として、一般式（４）で表される化合物群から
選ばれた少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重
量に対して３５重量％以下含有し、第５成分として、一
般式（５）で表される化合物群から選ばれた少なくとも
１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して２５重量
％以下含有することを特徴とする液晶組成物である。本
発明の第６は、本発明の第１〜第５のいずれかに記載し
た液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子に関する。
基を表し；Ａ8はトランス−１，４−シクロヘキシレン
または１，４−フェニレンを表し；ｐは０または１を表
し；Ｘ 5はＨまたはＦを表す。） 本発明の第５は、第１成分として、一般式（１−１）お
よび（１−２）で表される化合物群から選ばれた少なく
とも１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜
５０重量％含有し、第２成分として、一般式（２）で表
される化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物
を液晶組成物の全重量に対して５〜４０重量％含有し、
第３成分として、一般式（３−１）〜（３−４）で表さ
れる化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を
液晶組成物の全重量に対して１０〜７０重量％含有し、
第４成分として、一般式（４）で表される化合物群から
選ばれた少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重
量に対して３５重量％以下含有し、第５成分として、一
般式（５）で表される化合物群から選ばれた少なくとも
１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して２５重量
％以下含有することを特徴とする液晶組成物である。本
発明の第６は、本発明の第１〜第５のいずれかに記載し
た液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子に関する。
【００１４】以下に、本発明の液晶組成物を構成する化
合物の好ましい形態について説明する。本発明の液晶組
成物で用いられる、一般式（１−１）で表される化合物
として、以下の一般式（１−１−１）で表される化合物
を例示できる。
合物の好ましい形態について説明する。本発明の液晶組
成物で用いられる、一般式（１−１）で表される化合物
として、以下の一般式（１−１−１）で表される化合物
を例示できる。
【００１５】
【化７】
【００１６】（式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基
またはアルコキシメチル基、または炭素数２〜１０のア
ルケニルを表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（１−２）で
表される化合物として、以下の一般式（１−２−１）お
よび（１−２−２）で表される化合物を例示できる。
またはアルコキシメチル基、または炭素数２〜１０のア
ルケニルを表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（１−２）で
表される化合物として、以下の一般式（１−２−１）お
よび（１−２−２）で表される化合物を例示できる。
【００１７】
【化８】
【００１８】（式中、Ｒは各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基またはアルコキシメチル基、または炭素
数２〜１０のアルケニル基を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（２）で表さ
れる化合物として、以下の一般式（２−１）〜（２−
８）で表される化合物を例示できる。
０のアルキル基またはアルコキシメチル基、または炭素
数２〜１０のアルケニル基を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（２）で表さ
れる化合物として、以下の一般式（２−１）〜（２−
８）で表される化合物を例示できる。
【００１９】
【化９】
【００２０】（式中、Ｒは各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基を表し；Ｒ’は各々独立して、炭素数１
〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル
基を表し；Ｒ”は炭素数１〜１０のアルキル基またはア
ルコキシメチル基を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（３−１）で
表される化合物として、以下の一般式（３−１−１）〜
（３−１−４）で表される化合物っを例示できる。
０のアルキル基を表し；Ｒ’は各々独立して、炭素数１
〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル
基を表し；Ｒ”は炭素数１〜１０のアルキル基またはア
ルコキシメチル基を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（３−１）で
表される化合物として、以下の一般式（３−１−１）〜
（３−１−４）で表される化合物っを例示できる。
【００２１】
【化１０】
【００２２】（式中、Ｒは各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基を表し；Ｒ’は各々独立して、炭素数１
〜１０のアルキル基またはアルコキシ基を表し；Ｒ”は
各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基または２〜
１０のアルケニル基を表し；ｔは０〜８の整数を表
す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（３−２）で
表される化合物として、以下の一般式（３−２−１）〜
（３−２−７）で表される化合物を例示できる。
０のアルキル基を表し；Ｒ’は各々独立して、炭素数１
〜１０のアルキル基またはアルコキシ基を表し；Ｒ”は
各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基または２〜
１０のアルケニル基を表し；ｔは０〜８の整数を表
す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（３−２）で
表される化合物として、以下の一般式（３−２−１）〜
（３−２−７）で表される化合物を例示できる。
【００２３】
【化１１】
【００２４】（式中、Ｒは各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基を表し；Ｒ’は炭素数１〜１０のアルキ
ル基またはアルコキシ基を表し；Ｒ”は炭素数２〜１０
のアルケニル基を表し；ｔは０〜８の整数を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（３−３）で
表される化合物として、以下の一般式（３−３−１）お
よび（３−３−２）で表される化合物を例示できる。
０のアルキル基を表し；Ｒ’は炭素数１〜１０のアルキ
ル基またはアルコキシ基を表し；Ｒ”は炭素数２〜１０
のアルケニル基を表し；ｔは０〜８の整数を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（３−３）で
表される化合物として、以下の一般式（３−３−１）お
よび（３−３−２）で表される化合物を例示できる。
【００２５】
【化１２】
【００２６】（式中、ＲおよびＲ’は各々独立して、炭
素数１〜１０のアルキル基を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（３−４）で
表される化合物として、以下の一般式（３−４−１）お
よび（３−４−２）で表される化合物を例示できる。
素数１〜１０のアルキル基を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（３−４）で
表される化合物として、以下の一般式（３−４−１）お
よび（３−４−２）で表される化合物を例示できる。
【００２７】
【化１３】
【００２８】（式中、ＲおよびＲ”は各々独立して、炭
素数１〜１０のアルキル基を表し；Ｒ’は炭素数１〜１
０のアルキル基またはアルコキシメチル基を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（４）で表さ
れる化合物として、以下の一般式（４−１）および（４
−２）で表される化合物を例示できる。
素数１〜１０のアルキル基を表し；Ｒ’は炭素数１〜１
０のアルキル基またはアルコキシメチル基を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（４）で表さ
れる化合物として、以下の一般式（４−１）および（４
−２）で表される化合物を例示できる。
【００２９】
【化１４】
【００３０】（式中、Ｒは各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（５）で表さ
れる化合物として、以下の一般式（５−１）〜（５−
４）で表される化合物を例示できる。
０のアルキル基を表す。） 本発明の液晶組成物で用いられる、一般式（５）で表さ
れる化合物として、以下の一般式（５−１）〜（５−
４）で表される化合物を例示できる。
【００３１】
【化１５】
【００３２】（式中、Ｒは各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基を表す。） 以下に、本発明の液晶組成物を構成する各化合物の役割
について説明する。一般式（１−１）および一般式（１
−２）で表される化合物は、誘電率異方性が大きく、誘
電率異方性の温度変化に対する変化率と弾性定数の温度
変化に対する変化率がほぼ同じであり、熱および紫外線
に対する安定性が高いという特徴を有している。このた
め、一般式（１−１）および（１−２）で表される化合
物は、液晶組成物の熱および紫外線に対する安定性を高
く維持しながら、しきい値電圧を小さくし、さらに、し
きい値電圧の温度依存性を小さくするという目的で使用
される。一般式（２）で表される化合物は、本発明の一
般式（１−１）および（１−２）で表される化合物とほ
ぼ同等もしくはそれ以下の誘電率異方性値をとる。この
ため、一般式（２）で表される化合物は、液晶組成物の
しきい値電圧をさらに小さくするという目的で使用され
る。一般式（３−１）で表される化合物は、誘電率異方
性がほぼゼロであり、粘度が小さいという特徴を有して
いる。このため、一般式（３−１）で表される化合物
は、液晶組成物の粘度を小さくすると同時に液晶組成物
のしきい値電圧を調整する目的で使用される。一般式
（３−２）で表される化合物は、誘電率異方性がほぼゼ
ロであり、透明点が高く、粘度が小さいという特徴を有
している。このため、一般式（３−２）で表される化合
物は、液晶組成物の透明点を高くすると同時に粘度を小
さくし、しきい値電圧を調整するという目的で使用され
る。
０のアルキル基を表す。） 以下に、本発明の液晶組成物を構成する各化合物の役割
について説明する。一般式（１−１）および一般式（１
−２）で表される化合物は、誘電率異方性が大きく、誘
電率異方性の温度変化に対する変化率と弾性定数の温度
変化に対する変化率がほぼ同じであり、熱および紫外線
に対する安定性が高いという特徴を有している。このた
め、一般式（１−１）および（１−２）で表される化合
物は、液晶組成物の熱および紫外線に対する安定性を高
く維持しながら、しきい値電圧を小さくし、さらに、し
きい値電圧の温度依存性を小さくするという目的で使用
される。一般式（２）で表される化合物は、本発明の一
般式（１−１）および（１−２）で表される化合物とほ
ぼ同等もしくはそれ以下の誘電率異方性値をとる。この
ため、一般式（２）で表される化合物は、液晶組成物の
しきい値電圧をさらに小さくするという目的で使用され
る。一般式（３−１）で表される化合物は、誘電率異方
性がほぼゼロであり、粘度が小さいという特徴を有して
いる。このため、一般式（３−１）で表される化合物
は、液晶組成物の粘度を小さくすると同時に液晶組成物
のしきい値電圧を調整する目的で使用される。一般式
（３−２）で表される化合物は、誘電率異方性がほぼゼ
ロであり、透明点が高く、粘度が小さいという特徴を有
している。このため、一般式（３−２）で表される化合
物は、液晶組成物の透明点を高くすると同時に粘度を小
さくし、しきい値電圧を調整するという目的で使用され
る。
【００３３】一般式（３−３）で表される化合物は、誘
電率異方性がほぼゼロであり、透明点が高く、粘度が小
さく、屈折率異方性が大きいという特徴を有している。
このため、一般式（３−３）で表される化合物は、液晶
組成物の透明点を高くすると同時に粘度を小さくし、さ
らに、液晶組成物の屈折率異方性としきい値電圧を調整
するという目的で使用される。一般式（３−４）で表さ
れる化合物は、誘電率異方性がほぼゼロであり、粘度が
小さく、透明点が特に高いという特徴を有している。こ
のため、一般式（３−４）で表される化合物は、液晶組
成物の透明点をさらに高くすると共に粘度を小さくし、
しきい値電圧を調整するという目的で使用される。一般
式（４）で表される化合物は、一般式（１−１）および
（１−２）で表される化合物よりやや小さな正の誘電率
異方性値を有し、透明点が高いという特徴を有してい
る。このため、一般式（４）で表される化合物は、液晶
組成物の透明点の調整およびしきい値電圧の調整を行う
目的で使用される。一般式（５）で表される化合物は、
一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物の
よりやや小さな正の誘電率異方性値を有する。このた
め、一般式（５）で表される化合物は、液晶組成物のし
きい値電圧を調整する目的で使用される。
電率異方性がほぼゼロであり、透明点が高く、粘度が小
さく、屈折率異方性が大きいという特徴を有している。
このため、一般式（３−３）で表される化合物は、液晶
組成物の透明点を高くすると同時に粘度を小さくし、さ
らに、液晶組成物の屈折率異方性としきい値電圧を調整
するという目的で使用される。一般式（３−４）で表さ
れる化合物は、誘電率異方性がほぼゼロであり、粘度が
小さく、透明点が特に高いという特徴を有している。こ
のため、一般式（３−４）で表される化合物は、液晶組
成物の透明点をさらに高くすると共に粘度を小さくし、
しきい値電圧を調整するという目的で使用される。一般
式（４）で表される化合物は、一般式（１−１）および
（１−２）で表される化合物よりやや小さな正の誘電率
異方性値を有し、透明点が高いという特徴を有してい
る。このため、一般式（４）で表される化合物は、液晶
組成物の透明点の調整およびしきい値電圧の調整を行う
目的で使用される。一般式（５）で表される化合物は、
一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物の
よりやや小さな正の誘電率異方性値を有する。このた
め、一般式（５）で表される化合物は、液晶組成物のし
きい値電圧を調整する目的で使用される。
【００３４】以下に、本発明の液晶組成物を構成する化
合物の好ましい成分比並びにその理由について説明す
る。一般式（１−１）および（１−２）で表される化合
物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、液晶組成物
のネマチック相下限温度を高くしてしまうことがある。
このため、一般式（１−１）および（１−２）で表され
る化合物は、液晶組成物に占める割合が液晶組成物の全
重量に対して、５０重量％以下であることが望ましい。
また、液晶組成物の熱または紫外線に対する安定性を高
く維持しながら、しきい値電圧を小さくし、さらに、し
きい値電圧の温度依存性を小さくするために、一般式
（１−１）および（１−２）で表される化合物は、液晶
組成物に占める割合が液晶組成物の全重量に対して、５
重量％以上であることが望ましい。一般式（２）で 表
される化合物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、
液晶組成物のネマチック相下限温度を高くしてしまうこ
とがある。このため、一般式（２）で表される化合物
は、液晶組成物に占める割合が液晶組成物の全重量に対
して、４０重量％以下であることが望ましい。また、液
晶組成物のしきい値電圧をさらに小さくするために、一
般式（２）で表される化合物は、液晶組成物に占める割
合が液晶組成物の全重量に対して、５重量％以上である
ことが望ましい。
合物の好ましい成分比並びにその理由について説明す
る。一般式（１−１）および（１−２）で表される化合
物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、液晶組成物
のネマチック相下限温度を高くしてしまうことがある。
このため、一般式（１−１）および（１−２）で表され
る化合物は、液晶組成物に占める割合が液晶組成物の全
重量に対して、５０重量％以下であることが望ましい。
また、液晶組成物の熱または紫外線に対する安定性を高
く維持しながら、しきい値電圧を小さくし、さらに、し
きい値電圧の温度依存性を小さくするために、一般式
（１−１）および（１−２）で表される化合物は、液晶
組成物に占める割合が液晶組成物の全重量に対して、５
重量％以上であることが望ましい。一般式（２）で 表
される化合物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、
液晶組成物のネマチック相下限温度を高くしてしまうこ
とがある。このため、一般式（２）で表される化合物
は、液晶組成物に占める割合が液晶組成物の全重量に対
して、４０重量％以下であることが望ましい。また、液
晶組成物のしきい値電圧をさらに小さくするために、一
般式（２）で表される化合物は、液晶組成物に占める割
合が液晶組成物の全重量に対して、５重量％以上である
ことが望ましい。
【００３５】一般式（３−１）〜（３−４）で表される
化合物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、液晶組
成物のしきい値電圧を高くしてしまうことがある。この
ため、一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物
は、液晶組成物に占める割合が液晶組成物の全重量に対
して、７０重量％以下であることが望ましい。また、液
晶組成物の粘度を極力小さくするために、一般式（３−
１）〜（３−４）で表される化合物は、液晶組成物に占
める割合が液晶組成物の全重量に対して、１０重量％以
上であることが望ましい。一般式（４）で表される化合
物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、液晶組成物
のネマチック相下限温度を高くしてしまうことがある。
このため、一般式（４）で表される化合物は、液晶組成
物に占める割合が液晶組成物の全重量に対して、３５重
量％以下であることが望ましい。一般式（５）で表され
る化合物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、液晶
組成物のネマチック相下限温度を高くしてしまうことが
ある。このため、一般式（５）で表される化合物は、液
晶組成物に占める割合が液晶組成物の全重量に対して、
２５重量％以下であることが望ましい。
化合物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、液晶組
成物のしきい値電圧を高くしてしまうことがある。この
ため、一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物
は、液晶組成物に占める割合が液晶組成物の全重量に対
して、７０重量％以下であることが望ましい。また、液
晶組成物の粘度を極力小さくするために、一般式（３−
１）〜（３−４）で表される化合物は、液晶組成物に占
める割合が液晶組成物の全重量に対して、１０重量％以
上であることが望ましい。一般式（４）で表される化合
物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、液晶組成物
のネマチック相下限温度を高くしてしまうことがある。
このため、一般式（４）で表される化合物は、液晶組成
物に占める割合が液晶組成物の全重量に対して、３５重
量％以下であることが望ましい。一般式（５）で表され
る化合物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、液晶
組成物のネマチック相下限温度を高くしてしまうことが
ある。このため、一般式（５）で表される化合物は、液
晶組成物に占める割合が液晶組成物の全重量に対して、
２５重量％以下であることが望ましい。
【００３６】一般式（１−１）および（１−２）で表さ
れる化合物のなかで、一般式（１−１−１）および（１
−２−１）で表される化合物は、特願平９−７２７０８
号に合成法が記載されている。一般式（２）で表される
化合物のなかで、一般式（２−２）および（２−７）で
表される化合物はそれぞれ、特開昭５９−１７６２４０
号、および特開平４−３００８６１号に合成法が記載さ
れている。一般式（３−１）および（３−２）で表され
る化合物のなかで、一般式（３−１−２）および（３−
２−２）で表される化合物は特開平１−３０８２３９号
に合成法が記載されている。一般式（３−３）で表され
る化合物のなかで、一般式（３−３−１）で表される化
合物は特開昭６３−１５２３３４号に合成法が記載され
ている。一般式（３−４）で表される化合物のなかで、
一般式（３−４−２）で表される化合物は特開平２−２
３７９４９号に合成法が記載されている。一般式（４）
で表される化合物のなかで、一般式（４−１）で表され
る化合物は特開昭５８−１０５５２号に合成法が記載さ
れている。一般式（５）で表される化合物のまかで、一
般式（５−２）で表される化合物は特開平２−２３３６
２６号に合成法が記載されている。このように、本願発
明の組成物を構成する各々の化合物は、先行技術によっ
て、合成することができる。
れる化合物のなかで、一般式（１−１−１）および（１
−２−１）で表される化合物は、特願平９−７２７０８
号に合成法が記載されている。一般式（２）で表される
化合物のなかで、一般式（２−２）および（２−７）で
表される化合物はそれぞれ、特開昭５９−１７６２４０
号、および特開平４−３００８６１号に合成法が記載さ
れている。一般式（３−１）および（３−２）で表され
る化合物のなかで、一般式（３−１−２）および（３−
２−２）で表される化合物は特開平１−３０８２３９号
に合成法が記載されている。一般式（３−３）で表され
る化合物のなかで、一般式（３−３−１）で表される化
合物は特開昭６３−１５２３３４号に合成法が記載され
ている。一般式（３−４）で表される化合物のなかで、
一般式（３−４−２）で表される化合物は特開平２−２
３７９４９号に合成法が記載されている。一般式（４）
で表される化合物のなかで、一般式（４−１）で表され
る化合物は特開昭５８−１０５５２号に合成法が記載さ
れている。一般式（５）で表される化合物のまかで、一
般式（５−２）で表される化合物は特開平２−２３３６
２６号に合成法が記載されている。このように、本願発
明の組成物を構成する各々の化合物は、先行技術によっ
て、合成することができる。
【００３７】本発明の液晶組成物には、本発明の目的を
害さない範囲で、前記の一般式で表される各化合物以外
の液晶化合物を混合して使用することもできる。また、
本発明の液晶組成物には、液晶分子のらせん構造を誘起
して必要なねじれ角を調整する目的で、キラルドープ材
を添加して使用してもよい。さらに、本発明の液晶組成
物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチ
ン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系
およびテトラジン系等の二色性色素を添加してゲストホ
ストモードの液晶組成物としても使用することができる
し、ポリマー分散型液晶表示素子、複屈折制御モードお
よび動的散乱モードの液晶組成物としても使用すること
ができる。本発明の液晶組成物は、それ自体慣用な方法
で調製される。一般には、種々の化合物を混合し、高い
温度で互いに溶解させる方法をとる。
害さない範囲で、前記の一般式で表される各化合物以外
の液晶化合物を混合して使用することもできる。また、
本発明の液晶組成物には、液晶分子のらせん構造を誘起
して必要なねじれ角を調整する目的で、キラルドープ材
を添加して使用してもよい。さらに、本発明の液晶組成
物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチ
ン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系
およびテトラジン系等の二色性色素を添加してゲストホ
ストモードの液晶組成物としても使用することができる
し、ポリマー分散型液晶表示素子、複屈折制御モードお
よび動的散乱モードの液晶組成物としても使用すること
ができる。本発明の液晶組成物は、それ自体慣用な方法
で調製される。一般には、種々の化合物を混合し、高い
温度で互いに溶解させる方法をとる。
【００３８】
【実施例】以下に、実施例により本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもではな
い。比較例および実施例に示した組成比は全て重量％で
示される。比較例および実施例で用いる化合物は、表１
に示した定義に基付き、記号で表した。液晶組成物の特
性は、ネマチック液晶相の上限温度をＴNI、ネマチック
液晶相の下限温度をＴC、粘度をη、屈折率異方性をΔ
ｎ、しきい値電圧をＶｔｈ、しきい値電圧の温度依存性
をδ、熱に対する安定性をｄＨ、紫外線に対する安定性
をｄＵＶ、急峻性をγで表した。ＴNIは、偏光顕微鏡を
用い、昇温過程において、ネマチック相から等方相液体
に変化するときの温度を測定することにより求めた。Ｔ
Cは、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、−４０℃
の各々のフリーザー中に、液晶組成物を３０日間放置
し、発現する液晶相で判断した（例えば、一つの液晶組
成物について、−２０℃でネマチック状態をとり、−３
０℃で結晶化またはスメクチック状態となった場合に
は、その液晶組成物のＴCは、＜−２０℃と表現し
た）。ηは、２０℃で測定した。Δｎは、５８９ｎｍの
波長を有する光源ランプを使用し、２５℃で測定した。
Ｖｔｈは、２５℃で測定した。
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもではな
い。比較例および実施例に示した組成比は全て重量％で
示される。比較例および実施例で用いる化合物は、表１
に示した定義に基付き、記号で表した。液晶組成物の特
性は、ネマチック液晶相の上限温度をＴNI、ネマチック
液晶相の下限温度をＴC、粘度をη、屈折率異方性をΔ
ｎ、しきい値電圧をＶｔｈ、しきい値電圧の温度依存性
をδ、熱に対する安定性をｄＨ、紫外線に対する安定性
をｄＵＶ、急峻性をγで表した。ＴNIは、偏光顕微鏡を
用い、昇温過程において、ネマチック相から等方相液体
に変化するときの温度を測定することにより求めた。Ｔ
Cは、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、−４０℃
の各々のフリーザー中に、液晶組成物を３０日間放置
し、発現する液晶相で判断した（例えば、一つの液晶組
成物について、−２０℃でネマチック状態をとり、−３
０℃で結晶化またはスメクチック状態となった場合に
は、その液晶組成物のＴCは、＜−２０℃と表現し
た）。ηは、２０℃で測定した。Δｎは、５８９ｎｍの
波長を有する光源ランプを使用し、２５℃で測定した。
Ｖｔｈは、２５℃で測定した。
【００３９】δは、２０℃および５０℃でＶｔｈを測定
し、以下の式（Ａ）より求めた。δの値が小さい程、し
きい値電圧の温度依存性が小さいことを意味する。 δ（Ｖ／℃）＝（Ｖｔｈ２０−Ｖｔｈ５０）／（ ５０
℃ − ２０℃） 式（Ａ）中のＶｔｈ５０は５０℃におけるＶｔｈを表
し、Ｖｔｈ２０は２０℃におけるＶｔｈを表している。
なお、２０、２５および５０℃におけるＶｔｈは、セル
厚が９．０μｍ、ツイスト角が８０°のセルを用い、ノ
ーマリーホワイトモードで、周波数が３２Ｈｚの矩形波
を印加し、セルを通過する光の透過率が９０％になった
ときに印加されている電圧の値とした。ｄＨは、以下の
式（Ｂ）より求めた。ｄＨが小さい程、熱に対する安定
性が高いことを意味する。 ｄＨ（μＡ） ＝ Ｉｈａ（μＡ） − Ｉｈｂ（μＡ） （Ｂ） 式（Ｂ）中のＩｈａは加熱後の液晶組成物に流れる電流
値を表し、Ｉｈｂは加熱前の液晶組成物に流れる電流値
を表している。液晶組成物の加熱は、大気中にて、１５
０℃、１時間行った。電流値は、液晶組成物を評価用セ
ル（二酸化珪素を斜方蒸着したガラス基盤を対向させ、
セル厚が１０μｍ、電極面積が１ｃｍ2のＴＮセル）に
入れて、このセルに３Ｖ、３２Ｈｚの矩形波を印加させ
て求めた。電流値測定の温度は２５℃である。
し、以下の式（Ａ）より求めた。δの値が小さい程、し
きい値電圧の温度依存性が小さいことを意味する。 δ（Ｖ／℃）＝（Ｖｔｈ２０−Ｖｔｈ５０）／（ ５０
℃ − ２０℃） 式（Ａ）中のＶｔｈ５０は５０℃におけるＶｔｈを表
し、Ｖｔｈ２０は２０℃におけるＶｔｈを表している。
なお、２０、２５および５０℃におけるＶｔｈは、セル
厚が９．０μｍ、ツイスト角が８０°のセルを用い、ノ
ーマリーホワイトモードで、周波数が３２Ｈｚの矩形波
を印加し、セルを通過する光の透過率が９０％になった
ときに印加されている電圧の値とした。ｄＨは、以下の
式（Ｂ）より求めた。ｄＨが小さい程、熱に対する安定
性が高いことを意味する。 ｄＨ（μＡ） ＝ Ｉｈａ（μＡ） − Ｉｈｂ（μＡ） （Ｂ） 式（Ｂ）中のＩｈａは加熱後の液晶組成物に流れる電流
値を表し、Ｉｈｂは加熱前の液晶組成物に流れる電流値
を表している。液晶組成物の加熱は、大気中にて、１５
０℃、１時間行った。電流値は、液晶組成物を評価用セ
ル（二酸化珪素を斜方蒸着したガラス基盤を対向させ、
セル厚が１０μｍ、電極面積が１ｃｍ2のＴＮセル）に
入れて、このセルに３Ｖ、３２Ｈｚの矩形波を印加させ
て求めた。電流値測定の温度は２５℃である。
【００４０】ｄＵＶは、以下の式（Ｃ）より求めた。ｄ
ＵＶが小さい程、紫外線に対する安定性が高いことを意
味する。 ｄＵＶ（μＡ） ＝ Ｉｕｖａ（μＡ） − Ｉｕｖｂ（μＡ） （Ｃ） 式（Ｃ）中のＩｕｖａは紫外線照射後の液晶組成物に流
れる電流値を表し、Ｉｕｖｂは紫外線照射前の液晶組成
物に流れる電流値を表している。なお、液晶組成物への
紫外線照射は、評価用のセル（上記で示した評価用のセ
ルと同じ）に液晶組成物を入れて、このセルに、１２ｍ
Ｗ／ｃｍ2のエネルギーを有する超高圧水銀ランプ（ウ
シオ電機社製）から放出される紫外光を２０分間当てる
方法をとった（光源と被写体の距離は２０ｃｍであ
る）。電流値は、上記で示した方法と同様に測定した。
γは、以下の式（Ｄ）より求めた。γが１に近づく程、
急峻性が良くなることを意味する。 γ ＝ Ｖ２０ ／ Ｖ８０ （Ｄ） 式（Ｄ）中のＶ２０およびＶ８０は、ノーマリーイエロ
ーモードで、セルを通過する光の透過率がそれぞれ２０
％および８０％になったときに印加されている電圧の値
を表している。Ｖ２０およびＶ８０の測定は、ツイスト
角が２４０゜、セル厚が（０．８０／Δｎ）μｍのセル
を使用し、２５℃にて、周波数７０Ｈｚの矩形波を印加
することにより行った。また、Ｖ２０およびＶ８０の測
定で使用した液晶組成物は、液晶組成物１００部に対し
て、コレステリルノナノエートをセル厚ｄとねじれのピ
ッチ長Ｐの比（ｄ／Ｐ）が０．５０μｍになるように添
加し、調整したものである。
ＵＶが小さい程、紫外線に対する安定性が高いことを意
味する。 ｄＵＶ（μＡ） ＝ Ｉｕｖａ（μＡ） − Ｉｕｖｂ（μＡ） （Ｃ） 式（Ｃ）中のＩｕｖａは紫外線照射後の液晶組成物に流
れる電流値を表し、Ｉｕｖｂは紫外線照射前の液晶組成
物に流れる電流値を表している。なお、液晶組成物への
紫外線照射は、評価用のセル（上記で示した評価用のセ
ルと同じ）に液晶組成物を入れて、このセルに、１２ｍ
Ｗ／ｃｍ2のエネルギーを有する超高圧水銀ランプ（ウ
シオ電機社製）から放出される紫外光を２０分間当てる
方法をとった（光源と被写体の距離は２０ｃｍであ
る）。電流値は、上記で示した方法と同様に測定した。
γは、以下の式（Ｄ）より求めた。γが１に近づく程、
急峻性が良くなることを意味する。 γ ＝ Ｖ２０ ／ Ｖ８０ （Ｄ） 式（Ｄ）中のＶ２０およびＶ８０は、ノーマリーイエロ
ーモードで、セルを通過する光の透過率がそれぞれ２０
％および８０％になったときに印加されている電圧の値
を表している。Ｖ２０およびＶ８０の測定は、ツイスト
角が２４０゜、セル厚が（０．８０／Δｎ）μｍのセル
を使用し、２５℃にて、周波数７０Ｈｚの矩形波を印加
することにより行った。また、Ｖ２０およびＶ８０の測
定で使用した液晶組成物は、液晶組成物１００部に対し
て、コレステリルノナノエートをセル厚ｄとねじれのピ
ッチ長Ｐの比（ｄ／Ｐ）が０．５０μｍになるように添
加し、調整したものである。
【００４１】
【表１】
【００４２】比較例１ 特開平７−３００５８２号に開示された組成物中で最も
しきい値電圧が小さい組成物（同号：実施例５）を調製
した。 ４Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８％ １Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％ ３−Ｈ２Ｂ（Ｆ）ＥＢ（Ｆ）−Ｃ ７％ ３−ＨＢ−Ｃ ８％ １Ｏ１−ＨＢ−Ｃ ７％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％ ２−ＨＢＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＢＢ−Ｆ ５％ １Ｏ１−ＨＨ−３ ８％ １Ｏ１−ＨＨ−５ ７％ ３−ＨＨＢ−３ １４％ ２−ＢＴＢ−１ ４％ １−ＢＴＢ−６ ８％ ４−ＢＴＢ−４ ４％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ７０℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ２４．３ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１２７ Ｖｔｈ ＝ １．４０Ｖ δ ＝ ０．００５Ｖ／℃ ｄＨ ＝ １．９５μＡ ｄＵＶ ＝ ５．８０μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．６０重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．１１８であった。この組成物は、熱及び紫
外線に対する安定性が悪く、急峻性が悪いという欠点を
有している。
しきい値電圧が小さい組成物（同号：実施例５）を調製
した。 ４Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８％ １Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％ ３−Ｈ２Ｂ（Ｆ）ＥＢ（Ｆ）−Ｃ ７％ ３−ＨＢ−Ｃ ８％ １Ｏ１−ＨＢ−Ｃ ７％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％ ２−ＨＢＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＢＢ−Ｆ ５％ １Ｏ１−ＨＨ−３ ８％ １Ｏ１−ＨＨ−５ ７％ ３−ＨＨＢ−３ １４％ ２−ＢＴＢ−１ ４％ １−ＢＴＢ−６ ８％ ４−ＢＴＢ−４ ４％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ７０℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ２４．３ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１２７ Ｖｔｈ ＝ １．４０Ｖ δ ＝ ０．００５Ｖ／℃ ｄＨ ＝ １．９５μＡ ｄＵＶ ＝ ５．８０μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．６０重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．１１８であった。この組成物は、熱及び紫
外線に対する安定性が悪く、急峻性が悪いという欠点を
有している。
【００４３】比較例２ 特開平７−３００５８５号に開示された組成物中で最も
しきい値電圧が小さい組成物（同号：実施例６）を調製
した。 ５Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １０％ １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １０％ ２−ＨＥＢ−Ｃ ８％ ３−ＨＥＢ−Ｃ ４％ ２−ＨＢＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＢＢ−Ｆ ５％ ５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ ７％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％ ３−ＨＨ−４ １０％ ３−ＨＢ−Ｏ２ １０％ ３−ＨＨＢ−１ ６％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ８％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ７％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ７７．８℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３１．０ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１４０ Ｖｔｈ ＝ １．１７Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ １．７５μＡ ｄＵＶ ＝ ４．９５μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．４０重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．１２５であった。この組成物は、熱及び紫
外線に対する安定性が悪く、急峻性が悪いという欠点を
有している。
しきい値電圧が小さい組成物（同号：実施例６）を調製
した。 ５Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １０％ １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １０％ ２−ＨＥＢ−Ｃ ８％ ３−ＨＥＢ−Ｃ ４％ ２−ＨＢＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＢＢ−Ｆ ５％ ５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ ７％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％ ３−ＨＨ−４ １０％ ３−ＨＢ−Ｏ２ １０％ ３−ＨＨＢ−１ ６％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ８％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ７％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ７７．８℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３１．０ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１４０ Ｖｔｈ ＝ １．１７Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ １．７５μＡ ｄＵＶ ＝ ４．９５μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．４０重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．１２５であった。この組成物は、熱及び紫
外線に対する安定性が悪く、急峻性が悪いという欠点を
有している。
【００４４】比較例３ 特開平７−３００５８４号に開示された組成物中で最も
しきい値電圧が小さい組成物（同号：実施例５）を調製
した。 ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８％ ５Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８％ Ｖ２−ＨＢ−Ｃ ７％ １Ｖ２−ＨＢ−Ｃ ７％ ２−ＢＥＢ−Ｃ ８％ ３−ＢＥＢ−Ｃ ４％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％ ５−ＨＥＢ−Ｆ ５％ ７−ＨＥＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＨ−４ １０％ ２−ＢＴＢ−Ｏ１ ８％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ５％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ７３．４℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ２８．０ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１５１ Ｖｔｈ ＝ １．３３Ｖ δ ＝ ０．００４Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ２．０３μＡ ｄＵＶ ＝ ５．３７μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．６８重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．１１２であった。この組成物は、熱及び紫
外線に対する安定性が悪く、急峻性が悪いという欠点を
有している。
しきい値電圧が小さい組成物（同号：実施例５）を調製
した。 ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８％ ５Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８％ Ｖ２−ＨＢ−Ｃ ７％ １Ｖ２−ＨＢ−Ｃ ７％ ２−ＢＥＢ−Ｃ ８％ ３−ＢＥＢ−Ｃ ４％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％ ５−ＨＥＢ−Ｆ ５％ ７−ＨＥＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＨ−４ １０％ ２−ＢＴＢ−Ｏ１ ８％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ５％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ７３．４℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ２８．０ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１５１ Ｖｔｈ ＝ １．３３Ｖ δ ＝ ０．００４Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ２．０３μＡ ｄＵＶ ＝ ５．３７μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．６８重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．１１２であった。この組成物は、熱及び紫
外線に対する安定性が悪く、急峻性が悪いという欠点を
有している。
【００４５】比較例４ 本願発明の組成物と類似の組成物として、ＷＯ９６／１
１８９７の組成例１９の組成物を調製した。 ３−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ５−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ−Ｃ ６％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ−Ｃ ６％ ２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ２％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８％ ２−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ７％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ ３％ ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％ ５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ４％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ ４％ ３−ＨＨＢ−１ ６％ ３−ＨＨＢ−３ ３％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ３％ 上記組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ９７．７℃ ＴC ＜ −２０℃ η ＝ ３８．４ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１４１ Ｖｔｈ ＝ １．５２Ｖ δ ＝ ０．０１３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０５μＡ ｄＵＶ ＝ ０．１０μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．７０重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．１１３であった。この組成物は、しきい値
電圧が高く、しきい値電圧の温度依存性が大きく、急峻
性が悪いという欠点を有している。
１８９７の組成例１９の組成物を調製した。 ３−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ５−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ−Ｃ ６％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ−Ｃ ６％ ２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ２％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８％ ２−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ７％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ ３％ ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％ ５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ４％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ ４％ ３−ＨＨＢ−１ ６％ ３−ＨＨＢ−３ ３％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ３％ 上記組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ９７．７℃ ＴC ＜ −２０℃ η ＝ ３８．４ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１４１ Ｖｔｈ ＝ １．５２Ｖ δ ＝ ０．０１３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０５μＡ ｄＵＶ ＝ ０．１０μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．７０重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．１１３であった。この組成物は、しきい値
電圧が高く、しきい値電圧の温度依存性が大きく、急峻
性が悪いという欠点を有している。
【００４６】実施例１ 第１、２、３成分から成る下記の液晶組成物を調製し
た。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ８％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ８％ ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ７％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ７％ 一般式（２）で表される化合物、 ３−ＨＢ−Ｃ ２５％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ ９％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ ２１％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ６％ 上記組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ９０．３℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３７．３ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１３４ Ｖｔｈ ＝ １．２０Ｖ δ ＝ ０．００２Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０３μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０４μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．８７重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０５８であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
た。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ８％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ８％ ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ７％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ７％ 一般式（２）で表される化合物、 ３−ＨＢ−Ｃ ２５％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ ９％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ ２１％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ６％ 上記組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ９０．３℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３７．３ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１３４ Ｖｔｈ ＝ １．２０Ｖ δ ＝ ０．００２Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０３μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０４μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．８７重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０５８であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
【００４７】実施例２ 第１、２、３成分から成る下記の液晶組成物を調製し
た。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 一般式（２）で表される化合物、 ３−ＨＢ−Ｃ １５％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ３−ＨＨＢ−１ ３％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ３％ ３−ＨＨＢ−Ｆ ３％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ ２１％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ３％ ５−ＨＢＢＨ−３ ３％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８６．８℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３９．６ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１３２ Ｖｔｈ ＝ １．１０Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０２μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０３μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．８３重量部を添加した。このときのγは
１．０６０であった。この組成物は、しきい値電圧が低
く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱および紫外
線に対する安定性が高い。
た。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 一般式（２）で表される化合物、 ３−ＨＢ−Ｃ １５％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ３−ＨＨＢ−１ ３％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ３％ ３−ＨＨＢ−Ｆ ３％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ ２１％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ３％ ５−ＨＢＢＨ−３ ３％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８６．８℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３９．６ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１３２ Ｖｔｈ ＝ １．１０Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０２μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０３μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．８３重量部を添加した。このときのγは
１．０６０であった。この組成物は、しきい値電圧が低
く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱および紫外
線に対する安定性が高い。
【００４８】実施例３ 第１、２、３成分から成る下記の液晶組成物を調製し
た。 本発明の一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ７％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ７％ ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ 一般式（２）で表される化合物、 ２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ−Ｃ ３％ １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ８％ ３−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ２％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ３−ＨＢ−Ｏ２ ７％ ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＢＥＢ−Ｆ ６％ ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ ６％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １０％ ２−ＢＴＢ−１ ８％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４％ 上記組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８０．１℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３６．０ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１４１ Ｖｔｈ ＝ １．１５Ｖ δ ＝ ０．００４Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０４μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０２μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．９４重量部を添加した。このときのγは
１．０６５であった。この組成物は、しきい値電圧が低
く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱および紫外
線に対する安定性が高い。
た。 本発明の一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ７％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ７％ ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ 一般式（２）で表される化合物、 ２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ−Ｃ ３％ １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ８％ ３−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ２％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ３−ＨＢ−Ｏ２ ７％ ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＢＥＢ−Ｆ ６％ ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ ６％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １０％ ２−ＢＴＢ−１ ８％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４％ 上記組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８０．１℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３６．０ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１４１ Ｖｔｈ ＝ １．１５Ｖ δ ＝ ０．００４Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０４μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０２μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．９４重量部を添加した。このときのγは
１．０６５であった。この組成物は、しきい値電圧が低
く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱および紫外
線に対する安定性が高い。
【００４９】実施例４ 第１、２、３成分から成る下記の液晶組成物を調製し
た。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ５−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 一般式（２）で表される化合物、 ３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ６％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−Ｈ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ２−ＢＴＢ−Ｏ１ ７％ ３−ＨＨＢ−１ ６％ ２−ＨＨＢ−ＣＬ ６％ ４−ＨＨＢ−ＣＬ ６％ ５−ＨＨＢ−ＣＬ ６％ ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ４％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８６．８℃ ＴC ＜ −２０℃ η ＝ ４６．２ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１３５ Ｖｔｈ ＝ １．０１Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０２μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０２μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．９０重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０５４であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
た。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％ ５−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 一般式（２）で表される化合物、 ３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ６％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−Ｈ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ２−ＢＴＢ−Ｏ１ ７％ ３−ＨＨＢ−１ ６％ ２−ＨＨＢ−ＣＬ ６％ ４−ＨＨＢ−ＣＬ ６％ ５−ＨＨＢ−ＣＬ ６％ ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ４％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８６．８℃ ＴC ＜ −２０℃ η ＝ ４６．２ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１３５ Ｖｔｈ ＝ １．０１Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０２μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０２μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．９０重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０５４であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
【００５０】実施例５ 第１、２、３成分から成る下記の液晶組成物を調製し
た。 本発明の一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ １Ｖ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ３％ ３Ｏ１−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ３％ ５−Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ２％ １Ｖ２−Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ２％ ３Ｏ１−Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ２％ 一般式（２）で表される化合物、 １Ｖ２−ＨＢ−Ｃ １０％ ３−ＨＢ−Ｃ ８％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ７％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ３％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 Ｖ−ＨＨＢ−１ ６％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １９％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ ５％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ５％ ５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ ５％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８３．７℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３８．０ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１２７ Ｖｔｈ ＝ １．１５Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０２μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０４μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．９２重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０５３であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
た。 本発明の一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ １Ｖ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ３％ ３Ｏ１−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ３％ ５−Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ２％ １Ｖ２−Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ２％ ３Ｏ１−Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ２％ 一般式（２）で表される化合物、 １Ｖ２−ＨＢ−Ｃ １０％ ３−ＨＢ−Ｃ ８％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ７％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ３％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 Ｖ−ＨＨＢ−１ ６％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １９％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ ５％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ５％ ５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ ５％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８３．７℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３８．０ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１２７ Ｖｔｈ ＝ １．１５Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０２μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０４μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．９２重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０５３であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
【００５１】実施例６ 第１、２、３成分から成る下記の液晶組成物を調製し
た。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ １Ｖ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ３％ ３Ｏ１−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ３％ 一般式（２）で表される化合物、 ３−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ９％ ３−ＨＢ−Ｃ ６％ ２−ＢＥＢ−Ｃ ５％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ３−ＨＢ−Ｏ２ ２％ ５−ＨＨ−ＶＦＦ １５％ ３−ＨＨＢ−Ｆ ３％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １４％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ７％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ７％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ６％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８５．７℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ２３．７ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１４１ Ｖｔｈ ＝ １．２２Ｖ δ ＝ ０．００５Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０３μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０３μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート２．０２重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０４８であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
た。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ １Ｖ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ３％ ３Ｏ１−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ３％ 一般式（２）で表される化合物、 ３−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ９％ ３−ＨＢ−Ｃ ６％ ２−ＢＥＢ−Ｃ ５％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ３−ＨＢ−Ｏ２ ２％ ５−ＨＨ−ＶＦＦ １５％ ３−ＨＨＢ−Ｆ ３％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １４％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ７％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ７％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ６％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８５．７℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ２３．７ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１４１ Ｖｔｈ ＝ １．２２Ｖ δ ＝ ０．００５Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０３μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０３μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート２．０２重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０４８であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
【００５２】実施例７ 第１、２、３成分から成る下記の液晶組成物を調製し
た。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ ５−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ 一般式（２）で表される化合物、 １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １４％ ３−ＨＢ−Ｃ ８％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 Ｖ２−ＨＨ−ＶＦＦ ５％ ５−ＨＨ−Ｖ ５％ ３−ＨＢ−Ｏ２ ７％ ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＢＥＢ−Ｆ ６％ ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ ６％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １０％ ３−ＨＨ−４ ３％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８４．９℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ２７．９ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１２４ Ｖｔｈ ＝ １．１２Ｖ δ ＝ ０．００５Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０３μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０４μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．７６重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０６３であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
た。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ ５−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ４％ 一般式（２）で表される化合物、 １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １４％ ３−ＨＢ−Ｃ ８％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 Ｖ２−ＨＨ−ＶＦＦ ５％ ５−ＨＨ−Ｖ ５％ ３−ＨＢ−Ｏ２ ７％ ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＢＥＢ−Ｆ ６％ ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ ６％ ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １０％ ３−ＨＨ−４ ３％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８４．９℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ２７．９ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１２４ Ｖｔｈ ＝ １．１２Ｖ δ ＝ ０．００５Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０３μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０４μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．７６重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０６３であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
【００５３】実施例８ 第１、２、３、４成分から成る下記の液晶組成物を調製
した。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 本発明の一般式（２）で表される化合物、 ２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ６％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ５％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ５−ＨＨ−ＶＦＦ １５％ ２−ＢＴＢ−１ ７％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ６％ ３−ＨＨＢ−１ ３％ 一般式（４）で表される化合物、 ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ １４％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ ９％ ３−ＨＨＢ−Ｃ ５％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８４．５℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ４７．０ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１３４ Ｖｔｈ ＝ １．０２Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０５μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０３μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．５９重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０５７であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
した。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 本発明の一般式（２）で表される化合物、 ２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ６％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ５％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ５−ＨＨ−ＶＦＦ １５％ ２−ＢＴＢ−１ ７％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ６％ ３−ＨＨＢ−１ ３％ 一般式（４）で表される化合物、 ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ １４％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ ９％ ３−ＨＨＢ−Ｃ ５％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８４．５℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ４７．０ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１３４ Ｖｔｈ ＝ １．０２Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０５μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０３μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．５９重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０５７であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
【００５４】実施例９ 第１、２、３、４成分から成る下記の液晶組成物を調製
した。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 本発明の一般式（２）で表される化合物、 ３−ＨＢ−Ｃ ２０％ １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １０％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ３−ＨＨＢ−３ １２％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５％ ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ３％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ３％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ５％ 本発明の一般式（５）で表される化合物、 ２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％ ３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％ ５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％ ３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８２．８℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３７．１ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１３０ Ｖｔｈ ＝ １．０８Ｖ δ ＝ ０．００４Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０５μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０４μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．７５重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０７０であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
した。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＤＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 本発明の一般式（２）で表される化合物、 ３−ＨＢ−Ｃ ２０％ １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １０％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ３−ＨＨＢ−３ １２％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５％ ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ３％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ３％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ５％ 本発明の一般式（５）で表される化合物、 ２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％ ３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％ ５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％ ３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ８２．８℃ ＴC ＜ −３０℃ η ＝ ３７．１ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１３０ Ｖｔｈ ＝ １．０８Ｖ δ ＝ ０．００４Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０５μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０４μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート１．７５重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０７０であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
【００５５】実施例１０ 第１、２、３、４、５成分から成る下記の液晶組成物を
調製した。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 一般式（２）で表される化合物、 １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １０％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ４％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ １２％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％ ３−ＨＨＢ−１ ８％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４％ ３−ＨＨＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＨＢ−３ ７％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ２％ 一般式（４）で表される化合物、 ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ １０％ 一般式（５）で表される化合物、 ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ６％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ９４．９℃ ＴC ＜ −２０℃ η ＝ ４４．５ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１２０ Ｖｔｈ ＝ １．１６Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０２μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０３μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート２．０１重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０６０であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
調製した。 一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物、 ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ ５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５％ 一般式（２）で表される化合物、 １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １０％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ４％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ １２％ 一般式（３−１）〜（３−４）で表される化合物、 ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％ ３−ＨＨＢ−１ ８％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４％ ３−ＨＨＢ−Ｆ ５％ ３−ＨＨＢ−３ ７％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ２％ 一般式（４）で表される化合物、 ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ １０％ 一般式（５）で表される化合物、 ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ６％ 上記の組成物の特性は、以下のようであった。 ＴNI ＝ ９４．９℃ ＴC ＜ −２０℃ η ＝ ４４．５ｍＰａ・ｓ Δｎ ＝ ０．１２０ Ｖｔｈ ＝ １．１６Ｖ δ ＝ ０．００３Ｖ／℃ ｄＨ ＝ ０．０２μＡ ｄＵＶ ＝ ０．０３μＡ この液晶組成物１００重量部に対して、コレステリルノ
ナノエート２．０１重量部を添加して得られる液晶組成
物のγは１．０６０であった。この組成物は、しきい値
電圧が低く、しきい値電圧の温度依存性が小さく、熱お
よび紫外線に対する安定性が高い。
【００５６】
【発明の効果】実施例で示したように、本発明によっ
て、ＳＴＮに求められる一般的な特性を満たしながら、
特に、しきい値電圧を低くし、しきい値電圧の温度特性
を小さくし、熱および紫外線に対する安定性を高くした
ＳＴＮ用の液晶組成物を提供することができる。
て、ＳＴＮに求められる一般的な特性を満たしながら、
特に、しきい値電圧を低くし、しきい値電圧の温度特性
を小さくし、熱および紫外線に対する安定性を高くした
ＳＴＮ用の液晶組成物を提供することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年８月２４日（１９９９．８．２
４）
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は各々独立して、炭素数１
〜１０のアルキル基を表し、これらの基中の任意の１つ
のメチレン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）また
は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく；Ｒ4、Ｒ5お
よびＲ6は各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基
を表し、この基中の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2
−）は酸素原子（−Ｏ−）または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換
されていてもよく、また、１つ以上の水素原子（Ｈ）
は、フッ素原子（Ｆ）で置換されていてもよく；Ｒ7は
Ｃｌ、Ｆ、または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
この基中の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2−）は酸
素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよく；Ｒ 8、Ｒ9お
よびＲ11は各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基
を表し；Ｒ10は炭素数１〜１０のアルキル基を表し、こ
の基中の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2−）は酸素
原子（−Ｏ−）で置換されていてもよく；Ａ1はトラン
ス−１，４−シクロヘキシレンまたはトランス−１，３
−ジオキサン−２，５−ジイルを表し；Ａ2、Ａ3、
Ａ4、Ａ5およびＡ7は各々独立して、トランス−１，４
−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを表し；
Ａ6は側位のＨがＦで置換されていてもよい１，４−フ
ェニレンを表し；Ｚ1は−ＣＯＯ−、−Ｃ2Ｈ4−または
単結合を表し；Ｚ2は−Ｃ≡Ｃ−または単結合を表し；
ｍおよびｎは各々独立して、０または１を表し；Ｘ1、
Ｘ2およびＸ3は各々独立して、ＨまたはＦを表す。）
〜１０のアルキル基を表し、これらの基中の任意の１つ
のメチレン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）また
は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく；Ｒ4、Ｒ5お
よびＲ6は各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基
を表し、この基中の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2
−）は酸素原子（−Ｏ−）または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換
されていてもよく、また、１つ以上の水素原子（Ｈ）
は、フッ素原子（Ｆ）で置換されていてもよく；Ｒ7は
Ｃｌ、Ｆ、または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
この基中の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2−）は酸
素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよく；Ｒ 8、Ｒ9お
よびＲ11は各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基
を表し；Ｒ10は炭素数１〜１０のアルキル基を表し、こ
の基中の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2−）は酸素
原子（−Ｏ−）で置換されていてもよく；Ａ1はトラン
ス−１，４−シクロヘキシレンまたはトランス−１，３
−ジオキサン−２，５−ジイルを表し；Ａ2、Ａ3、
Ａ4、Ａ5およびＡ7は各々独立して、トランス−１，４
−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを表し；
Ａ6は側位のＨがＦで置換されていてもよい１，４−フ
ェニレンを表し；Ｚ1は−ＣＯＯ−、−Ｃ2Ｈ4−または
単結合を表し；Ｚ2は−Ｃ≡Ｃ−または単結合を表し；
ｍおよびｎは各々独立して、０または１を表し；Ｘ1、
Ｘ2およびＸ3は各々独立して、ＨまたはＦを表す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は各々独立し
て、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、これらの基中
の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2−）は酸素原子
（−Ｏ−）または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよ
く；Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基を表し、この基中の任意の１つのメチレ
ン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）または−ＣＨ
＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また、１つ以上の水
素原子（Ｈ）は、フッ素原子（Ｆ）で置換されていても
よく；Ｒ7はＣｌ、Ｆ、または炭素数１〜１０のアルキ
ル基を表し、この基中の任意の１つのメチレン基（−Ｃ
Ｈ2−）は酸素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよ
く；Ｒ 8、Ｒ9およびＲ11は各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基を表し；Ｒ10は炭素数１〜１０のアルキ
ル基を表し、この基中の任意の１つのメチレン基（−Ｃ
Ｈ2−）は酸素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよ
く；Ａ1はトランス−１，４−シクロヘキシレンまたは
トランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイルを表
し；Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ａ5およびＡ7は各々独立して、ト
ランス−１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェ
ニレンを表し；Ａ6は側位のＨがＦで置換されていても
よい１，４−フェニレンを表し；Ｚ1は−ＣＯＯ−、−
Ｃ2Ｈ4−または単結合を表し；Ｚ2は−Ｃ≡Ｃ−または
単結合を表し；ｍおよびｎは各々独立して、０または１
を表し；Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は各々独立して、Ｈまたは
Ｆを表す。）
て、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、これらの基中
の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2−）は酸素原子
（−Ｏ−）または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよ
く；Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基を表し、この基中の任意の１つのメチレ
ン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）または−ＣＨ
＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また、１つ以上の水
素原子（Ｈ）は、フッ素原子（Ｆ）で置換されていても
よく；Ｒ7はＣｌ、Ｆ、または炭素数１〜１０のアルキ
ル基を表し、この基中の任意の１つのメチレン基（−Ｃ
Ｈ2−）は酸素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよ
く；Ｒ 8、Ｒ9およびＲ11は各々独立して、炭素数１〜１
０のアルキル基を表し；Ｒ10は炭素数１〜１０のアルキ
ル基を表し、この基中の任意の１つのメチレン基（−Ｃ
Ｈ2−）は酸素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよ
く；Ａ1はトランス−１，４−シクロヘキシレンまたは
トランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイルを表
し；Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ａ5およびＡ7は各々独立して、ト
ランス−１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェ
ニレンを表し；Ａ6は側位のＨがＦで置換されていても
よい１，４−フェニレンを表し；Ｚ1は−ＣＯＯ−、−
Ｃ2Ｈ4−または単結合を表し；Ｚ2は−Ｃ≡Ｃ−または
単結合を表し；ｍおよびｎは各々独立して、０または１
を表し；Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は各々独立して、Ｈまたは
Ｆを表す。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】ｄＵＶは、以下の式（Ｃ）より求めた。ｄ
ＵＶが小さい程、紫外線に対する安定性が高いことを意
味する。 ｄＵＶ（μＡ） ＝ Ｉｕｖａ（μＡ） − Ｉｕｖｂ（μＡ） （Ｃ） 式（Ｃ）中のＩｕｖａは紫外線照射後の液晶組成物に流
れる電流値を表し、Ｉｕｖｂは紫外線照射前の液晶組成
物に流れる電流値を表している。なお、液晶組成物への
紫外線照射は、評価用のセル（上記で示した評価用のセ
ルと同じ）に液晶組成物を入れて、このセルに、１２ｍ
Ｗ／ｃｍ2のエネルギーを有する超高圧水銀ランプ（ウ
シオ電機社製）から放出される紫外光を２０分間当てる
方法をとった（光源と被写体の距離は２０ｃｍであ
る）。電流値は、上記で示した方法と同様に測定した。
γは、以下の式（Ｄ）より求めた。γが１に近づく程、
急峻性が良くなることを意味する。 γ ＝ Ｖ２０ ／ Ｖ８０ （Ｄ） 式（Ｄ）中のＶ２０およびＶ８０は、ノーマリーイエロ
ーモードで、セルを通過する光の透過率がそれぞれ２０
％および８０％になったときに印加されている電圧の値
を表している。Ｖ２０およびＶ８０の測定は、ツイスト
角が２４０゜、セル厚が（０．８０／Δｎ）μｍのセル
を使用し、２５℃にて、周波数７０Ｈｚの矩形波を印加
することにより行った。また、Ｖ２０およびＶ８０の測
定で使用した液晶組成物は、液晶組成物１００部に対し
て、コレステリルノナノエートをセル厚ｄとねじれのピ
ッチ長Ｐの比（ｄ／Ｐ）が０．５０になるように添加
し、調整したものである。
ＵＶが小さい程、紫外線に対する安定性が高いことを意
味する。 ｄＵＶ（μＡ） ＝ Ｉｕｖａ（μＡ） − Ｉｕｖｂ（μＡ） （Ｃ） 式（Ｃ）中のＩｕｖａは紫外線照射後の液晶組成物に流
れる電流値を表し、Ｉｕｖｂは紫外線照射前の液晶組成
物に流れる電流値を表している。なお、液晶組成物への
紫外線照射は、評価用のセル（上記で示した評価用のセ
ルと同じ）に液晶組成物を入れて、このセルに、１２ｍ
Ｗ／ｃｍ2のエネルギーを有する超高圧水銀ランプ（ウ
シオ電機社製）から放出される紫外光を２０分間当てる
方法をとった（光源と被写体の距離は２０ｃｍであ
る）。電流値は、上記で示した方法と同様に測定した。
γは、以下の式（Ｄ）より求めた。γが１に近づく程、
急峻性が良くなることを意味する。 γ ＝ Ｖ２０ ／ Ｖ８０ （Ｄ） 式（Ｄ）中のＶ２０およびＶ８０は、ノーマリーイエロ
ーモードで、セルを通過する光の透過率がそれぞれ２０
％および８０％になったときに印加されている電圧の値
を表している。Ｖ２０およびＶ８０の測定は、ツイスト
角が２４０゜、セル厚が（０．８０／Δｎ）μｍのセル
を使用し、２５℃にて、周波数７０Ｈｚの矩形波を印加
することにより行った。また、Ｖ２０およびＶ８０の測
定で使用した液晶組成物は、液晶組成物１００部に対し
て、コレステリルノナノエートをセル厚ｄとねじれのピ
ッチ長Ｐの比（ｄ／Ｐ）が０．５０になるように添加
し、調整したものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 19/34 Ｃ０９Ｋ 19/34 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｆターム(参考） 4H027 BA01 BB01 BB02 BB04 BB06 BB11 BD01 BD05 BD23 BE05 CB01 CB04 CC04 CJ04 CL04 CM01 CM04 CN01 CN05 CP04 CQ04 CS04 CT01 CT02 CT04 CU01 CU03 CU05 CW02 DH04
Claims (6)
- 【請求項１】 第１成分として、一般式（１−１）およ
び（１−２）で表される化合物群から選ばれた少なくと
も１種類の化合物を含有し、第二成分として、一般式
（２）で表される化合物群から選ばれた少なくとも１種
類の化合物を含有し、第三成分として、一般式（３−
１）〜（３−４）で表される化合物群から選ばれた少な
くとも１種類の化合物を含有することを特徴とする液晶
組成物。 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は各々独立して、炭素数１
〜１０のアルキル基を表し、これらの基中の任意の１つ
のメチレン基（−ＣＨ2−）は酸素原子（−Ｏ−）また
は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく；Ｒ4、Ｒ5お
よびＲ6は各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基
を表し、この基中の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2
−）は酸素原子（−Ｏ−）または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換
されていてもよく、また、１つ以上の水素原子（Ｈ）
は、フッ素原子（Ｆ）で置換されていてもよく；Ｒ7は
Ｃｌ、Ｆ、または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
この基中の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2−）は酸
素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよく；。Ｒ8、Ｒ9
およびＲ11は各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル
基を表し；Ｒ10は炭素数１〜１０のアルキル基を表し、
この基中の任意の１つのメチレン基（−ＣＨ2−）は酸
素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよく；Ａ1はトラ
ンス−１，４−シクロヘキシレンまたはトランス−１，
３−ジオキサン−２，５−ジイルを表し；Ａ2、Ａ3、Ａ
4、Ａ5およびＡ7は各々独立して、トランス−１，４−
シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを表し；Ａ
6は側位のＨがＦで置換されていてもよい１，４−フェ
ニレンを表し；Ｚ1は−ＣＯＯ−、−Ｃ2Ｈ4−または単
結合を表し；Ｚ2は−Ｃ Ｃ−または単結合を表し；ｍ
およびｎは各々独立して、０または１を表し；Ｘ1、Ｘ2
およびＸ3は各々独立して、ＨまたはＦを表す。） - 【請求項２】 第１成分として、一般式（１−１）およ
び（１−２）で表される化合物群から選ばれた少なくと
も１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜５
０重量％含有し、第２成分として、一般式（２）で表さ
れる化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を
液晶組成物の全重量に対して５〜４０重量％含有し、第
３成分として、一般式（３−１）〜（３−４）で表され
る化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を液
晶組成物の全重量に対して１０〜７０重量％含有するこ
とを特徴とする液晶組成物。 - 【請求項３】 第１成分として、一般式（１−１）およ
び（１−２）で表される化合物群から選ばれた少なくと
も１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜５
０重量％含有し、第２成分として、一般式（２）で表さ
れる化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を
液晶組成物の全重量に対して５〜４０重量％含有し、第
３成分として、一般式（３−１）〜（３−４）で表され
る化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を液
晶組成物の全重量に対して１０〜７０重量％含有し、第
４成分として、一般式（４）で表される化合物群から選
ばれた少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重量
に対して３５重量％以下含有することを特徴とする液晶
組成物。 【化２】 （式中、Ｒ12は炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘ
4はＨまたはＦを表す。） - 【請求項４】 第１成分として、一般式（１−１）およ
び（１−２）で表される化合物群から選ばれた少なくと
も１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜５
０重量％含有し、第２成分として、一般式（２）で表さ
れる化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を
液晶組成物の全重量に対して５〜４０重量％含有し、第
３成分として、一般式（３−１）〜（３−４）で表され
る化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を液
晶組成物の全重量に対して１０〜７０重量％含有し、第
４成分として、一般式（５）で表される化合物群から選
ばれた少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重量
に対して２５重量％以下含有することを特徴とする液晶
組成物。 【化３】 （式中、Ｒ13は炭素数１〜１０のアルキル基を表し；Ａ
8はトランス−１，４−シクロヘキシレンまたは１，４
−フェニレンを表し；ｐは０または１を表し；Ｘ 5はＨ
またはＦを表す。） - 【請求項５】 第１成分として、一般式（１−１）およ
び（１−２）で表される化合物群から選ばれた少なくと
も１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して５〜５
０重量％含有し、第２成分として、一般式（２）で表さ
れる化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を
液晶組成物の全重量に対して５〜４０重量％含有し、第
３成分として、一般式（３−１）〜（３−４）で表され
る化合物群から選ばれた少なくとも１種類の化合物を液
晶組成物の全重量に対して１０〜７０重量％含有し、第
４成分として、一般式（４）で表される化合物群から選
ばれた少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重量
に対して３５重量％以下含有し、第５成分として、一般
式（５）で表される化合物群から選ばれた少なくとも１
種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して２５重量％
以下含有することを特徴とする液晶組成物。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載した
液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10256409A JP2000087039A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| US09/388,443 US6162372A (en) | 1998-09-10 | 1999-09-02 | Liquid crystal compositions and liquid crystal display devices |
| DE19943359A DE19943359A1 (de) | 1998-09-10 | 1999-09-10 | Flüssigkristallzusammensetzungen und Flüssigkristallanzeigeeinrichtungen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10256409A JP2000087039A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 液晶組成物および液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000087039A true JP2000087039A (ja) | 2000-03-28 |
Family
ID=17292287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10256409A Pending JP2000087039A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 液晶組成物および液晶表示素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6162372A (ja) |
| JP (1) | JP2000087039A (ja) |
| DE (1) | DE19943359A1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001348371A (ja) * | 2000-06-06 | 2001-12-18 | Seimi Chem Co Ltd | ジフルオロベンゾニトリル化合物およびその中間体、製造方法、液晶組成物および液晶電気光学素子 |
| JP2002003846A (ja) * | 2000-04-19 | 2002-01-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | 液晶組成物 |
| JP2003176251A (ja) * | 2001-09-29 | 2003-06-24 | Merck Patent Gmbh | 液晶化合物 |
| JP2013521351A (ja) * | 2010-03-05 | 2013-06-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 液晶媒体 |
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| US10655065B2 (en) | 2016-08-01 | 2020-05-19 | Jnc Corporation | Liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| WO2022050164A1 (ja) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | Ｅｎｅｏｓ株式会社 | 液晶組成物及びそれを用いたアクチュエータ |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4556259B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2010-10-06 | チッソ株式会社 | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| WO2013034219A1 (en) * | 2011-09-06 | 2013-03-14 | Merck Patent Gmbh | Liquid crystal medium and liquid crystal display |
| JP6708042B2 (ja) * | 2016-07-27 | 2020-06-10 | Jnc株式会社 | ジフルオロメチレンオキシ基を有する液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810552A (ja) * | 1981-07-09 | 1983-01-21 | Chisso Corp | ４−〔トランス−４′−（トランス−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゾニトリル |
| DE3223637C2 (de) * | 1981-07-09 | 1983-09-01 | Chisso Corp., Osaka | Cyano-mono- oder -diphenylbicyclohexanderivate sowie deren Verwendung in Flüssigkristallzusammensetzungen |
| US4536321A (en) * | 1983-02-18 | 1985-08-20 | Chisso Corporation | Fluorobenzene derivatives and liquid crystal compositions containing the same |
| JPS59176240A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-05 | Chisso Corp | 正の誘電異方性の大きい低粘性液晶物質 |
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| JP3531713B2 (ja) * | 1996-11-22 | 2004-05-31 | チッソ株式会社 | 液晶組成物および液晶表示素子 |
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- 1998-09-10 JP JP10256409A patent/JP2000087039A/ja active Pending
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1999
- 1999-09-02 US US09/388,443 patent/US6162372A/en not_active Expired - Lifetime
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| US20180022999A1 (en) * | 2015-02-17 | 2018-01-25 | Jnc Corporation | Compound having alkoxy group or alkoxyalkyl group, and saturated six-membered ring, liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| WO2018003658A1 (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-04 | Jnc株式会社 | 光学的に等方性の液晶媒体および光素子 |
| JPWO2018003658A1 (ja) * | 2016-06-27 | 2019-05-16 | Jnc株式会社 | 光学的に等方性の液晶媒体および光素子 |
| US10655065B2 (en) | 2016-08-01 | 2020-05-19 | Jnc Corporation | Liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| WO2022050164A1 (ja) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | Ｅｎｅｏｓ株式会社 | 液晶組成物及びそれを用いたアクチュエータ |
| JP7643667B2 (ja) | 2020-09-04 | 2025-03-11 | 株式会社Ｅｎｅｏｓマテリアル | 液晶組成物及びそれを用いたアクチュエータ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6162372A (en) | 2000-12-19 |
| DE19943359A1 (de) | 2000-04-27 |
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