JP2000082651A - 走査露光装置及び走査露光方法 - Google Patents
走査露光装置及び走査露光方法Info
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体ウェハの表面の傾斜状態を認識しなが
らレベリング及びフォーカシングを行ってパターン露光
を行う走査露光装置の提供。 【解決手段】 半導体ウェハＷの複数の表面領域に対し
て発光部２５から光を投射し、その反射光を受光部２６
で受光し、その受光信号に基づいて光軸位置検出回路２
７は半導体ウェハＷの各表面領域の光軸方向の位置を検
出し、かつその光軸方向の位置に基づいて傾斜状態認識
回路２８は半導体ウェハの表面の傾斜状態を認識し、メ
モリ３１に記憶する。少なくとも半導体ウェハＷの周辺
部にチップパターンを露光するときには、記憶した半導
体ウェハの表面の傾斜状態に基づいて中央制御回路３０
はレベリング機構２２によりウェハステージ１９を傾動
制御してレベリングを行い、当該ウェハの表面を光軸に
対して垂直方向に向け、適正な走査露光を可能とする。
らレベリング及びフォーカシングを行ってパターン露光
を行う走査露光装置の提供。 【解決手段】 半導体ウェハＷの複数の表面領域に対し
て発光部２５から光を投射し、その反射光を受光部２６
で受光し、その受光信号に基づいて光軸位置検出回路２
７は半導体ウェハＷの各表面領域の光軸方向の位置を検
出し、かつその光軸方向の位置に基づいて傾斜状態認識
回路２８は半導体ウェハの表面の傾斜状態を認識し、メ
モリ３１に記憶する。少なくとも半導体ウェハＷの周辺
部にチップパターンを露光するときには、記憶した半導
体ウェハの表面の傾斜状態に基づいて中央制御回路３０
はレベリング機構２２によりウェハステージ１９を傾動
制御してレベリングを行い、当該ウェハの表面を光軸に
対して垂直方向に向け、適正な走査露光を可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置を製造す
る工程の一つであるフォトリソグラフィ工程において用
いられる走査露光技術に関し、特に半導体ウェハに対す
る露光パターンのフォーカシング及びレベリングを行う
方法及び装置に関する。
る工程の一つであるフォトリソグラフィ工程において用
いられる走査露光技術に関し、特に半導体ウェハに対す
る露光パターンのフォーカシング及びレベリングを行う
方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程の一つであるフォ
トリソグラフィ工程では、レチクルパターンを半導体ウ
ェハに転写するための露光装置があり、走査露光装置が
用いられている。この走査露光装置は、図９に概略構成
を示すように、露光用の光を発光する光源１０１と、こ
の光源からの光でレチクルＲを照明する照明光学系１０
２と、前記レチクルＲを透過した光をスリット状に制限
するスリット板１０３と、前記レチクルＲのパターンを
半導体ウェハＷに縮小投影露光する投影露光系１０４と
を備えている。そして、前記レチクルＲをレチクルステ
ージ１０５に装填し、前記半導体ウェハＷをウェハステ
ージ１０６に載置した上で、レチクルステージ１０５に
よりレチクルＲを一方向に向けて移動するとともに、こ
れに連動してウェハステージ１０６により半導体ウェハ
Ｗを反対方向に向けて移動することで、レチクルＲのパ
ターンを半導体ウェハＷに対して走査して露光すること
が可能となる。なお、前記ウェハステージ１０６には、
図示は省略するがウェハステージ駆動装置が設けられて
おり、ウェハステージを前記した方向に移動するととも
に、ステージの高さや傾きを任意に調整することが可能
とされている。
トリソグラフィ工程では、レチクルパターンを半導体ウ
ェハに転写するための露光装置があり、走査露光装置が
用いられている。この走査露光装置は、図９に概略構成
を示すように、露光用の光を発光する光源１０１と、こ
の光源からの光でレチクルＲを照明する照明光学系１０
２と、前記レチクルＲを透過した光をスリット状に制限
するスリット板１０３と、前記レチクルＲのパターンを
半導体ウェハＷに縮小投影露光する投影露光系１０４と
を備えている。そして、前記レチクルＲをレチクルステ
ージ１０５に装填し、前記半導体ウェハＷをウェハステ
ージ１０６に載置した上で、レチクルステージ１０５に
よりレチクルＲを一方向に向けて移動するとともに、こ
れに連動してウェハステージ１０６により半導体ウェハ
Ｗを反対方向に向けて移動することで、レチクルＲのパ
ターンを半導体ウェハＷに対して走査して露光すること
が可能となる。なお、前記ウェハステージ１０６には、
図示は省略するがウェハステージ駆動装置が設けられて
おり、ウェハステージを前記した方向に移動するととも
に、ステージの高さや傾きを任意に調整することが可能
とされている。
【０００３】このような露光装置では、投影光学系１０
４で結像されるレチクルＲのパターンを半導体ウェハＷ
の表面に焦点合わせ（フォーカシング）することが必要
であり、そのためのフォーカス装置１０７が付設されて
いる。この例では、前記投影光学系１０４の一側に半導
体ウェハ表面のフォトレジストに感光しない波長のレー
ザ光を出射する発光部１０８を、これと前記投影光学系
１０４を挟んだ反対側に受光部１０９をそれぞれ配置
し、前記発光部１０８から出射した光を半導体ウェハＷ
に投射し、半導体ウェハＷで反射したレーザ光を受光部
１０９で受光する。そして、受光した信号から前記レー
ザ光が投射された半導体ウェハの表面領域の光軸方向の
位置を検出し、適正なフォーカス位置となるようにウェ
ハステージ１０６に設けられたウェハステージ駆動装置
を制御して半導体ウェハの表面位置を光軸方向に位置調
整するフォーカシングを行っている。また、半導体ウェ
ハの反りや表面研磨時に生じる半導体ウェハの表面の傾
斜に対処するために、前記受光信号から半導体ウェハの
表面が光軸に対してなす角度を検出し、ウェハステージ
駆動装置を制御して半導体ウェハの表面が光軸に対して
垂直となるようにレベレングを行っている。
４で結像されるレチクルＲのパターンを半導体ウェハＷ
の表面に焦点合わせ（フォーカシング）することが必要
であり、そのためのフォーカス装置１０７が付設されて
いる。この例では、前記投影光学系１０４の一側に半導
体ウェハ表面のフォトレジストに感光しない波長のレー
ザ光を出射する発光部１０８を、これと前記投影光学系
１０４を挟んだ反対側に受光部１０９をそれぞれ配置
し、前記発光部１０８から出射した光を半導体ウェハＷ
に投射し、半導体ウェハＷで反射したレーザ光を受光部
１０９で受光する。そして、受光した信号から前記レー
ザ光が投射された半導体ウェハの表面領域の光軸方向の
位置を検出し、適正なフォーカス位置となるようにウェ
ハステージ１０６に設けられたウェハステージ駆動装置
を制御して半導体ウェハの表面位置を光軸方向に位置調
整するフォーカシングを行っている。また、半導体ウェ
ハの反りや表面研磨時に生じる半導体ウェハの表面の傾
斜に対処するために、前記受光信号から半導体ウェハの
表面が光軸に対してなす角度を検出し、ウェハステージ
駆動装置を制御して半導体ウェハの表面が光軸に対して
垂直となるようにレベレングを行っている。
【０００４】このようなフォーカシング及びレベリング
を行うために、前記したフォーカス装置１０７では、図
１０に示すように、走査露光するチップパターンＣＰの
中央位置と各四隅の計５箇所に対応する位置に発光ドッ
トＬ１〜Ｌ５を配置し、チップパターンＣＰの走査露光
の直前に前記各発光ドットＬ１〜Ｌ５にそれぞれ対応す
るレーザ光を半導体ウェハの当該チップ対応領域に投射
し、各レーザ光の反射光を前記受光部１０９において受
光している。そして、この受光信号に基づいて各発光ド
ットＬ１〜Ｌ５に対応する半導体ウェハの表面の光軸方
向の位置を検出することで半導体ウェハの表面の傾斜及
び光軸方向位置を検出することが行われている。
を行うために、前記したフォーカス装置１０７では、図
１０に示すように、走査露光するチップパターンＣＰの
中央位置と各四隅の計５箇所に対応する位置に発光ドッ
トＬ１〜Ｌ５を配置し、チップパターンＣＰの走査露光
の直前に前記各発光ドットＬ１〜Ｌ５にそれぞれ対応す
るレーザ光を半導体ウェハの当該チップ対応領域に投射
し、各レーザ光の反射光を前記受光部１０９において受
光している。そして、この受光信号に基づいて各発光ド
ットＬ１〜Ｌ５に対応する半導体ウェハの表面の光軸方
向の位置を検出することで半導体ウェハの表面の傾斜及
び光軸方向位置を検出することが行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで半導体装置の
製造工程では、円形をした半導体ウェハに対して矩形の
チップパターンを露光する場合に、チップパターンの全
域が露光できない半導体ウェハの周辺部に対してはチッ
プパターンの露光を行わないのが一般的であるが、フォ
トレジストにポジ型レジストを用いた場合には、露光さ
れない半導体ウェハの周辺部のフォトレジストが現像後
も残存され、このフォトレジストが後工程、特に化学機
械研磨工程（ＣＭＰ工程）での異物となるおそれがあ
る。そのため、半導体ウェハの周辺部に対しても露光を
行うことが好ましい。この場合でも、レチクルのパター
ンを走査して露光を行うが、フォーカシングが適切でな
く露光したレチクルのパターンにデフォーカス（ピント
ぼけ）が生じていると、フォトレジストが有効に露光さ
れずに適正な現像が行われず、フォトレジスト残りが生
じてしまう。したがって、半導体ウェハの周辺部におい
ても、適正なフォーカシングとレベリングを行うことが
必要となる。
製造工程では、円形をした半導体ウェハに対して矩形の
チップパターンを露光する場合に、チップパターンの全
域が露光できない半導体ウェハの周辺部に対してはチッ
プパターンの露光を行わないのが一般的であるが、フォ
トレジストにポジ型レジストを用いた場合には、露光さ
れない半導体ウェハの周辺部のフォトレジストが現像後
も残存され、このフォトレジストが後工程、特に化学機
械研磨工程（ＣＭＰ工程）での異物となるおそれがあ
る。そのため、半導体ウェハの周辺部に対しても露光を
行うことが好ましい。この場合でも、レチクルのパター
ンを走査して露光を行うが、フォーカシングが適切でな
く露光したレチクルのパターンにデフォーカス（ピント
ぼけ）が生じていると、フォトレジストが有効に露光さ
れずに適正な現像が行われず、フォトレジスト残りが生
じてしまう。したがって、半導体ウェハの周辺部におい
ても、適正なフォーカシングとレベリングを行うことが
必要となる。
【０００６】また、場合によっては１つのレチクルパタ
ーンに複数個に相当するチップパターンを形成し、１つ
のレチクルの１回の走査露光で複数のチップパターンを
露光する場合があり、このような場合にはレチクルの全
パターンが完全に露光されなくとも、露光された領域に
含まれるチップパターンを製品として製造することがで
きる。そのため、このような場合にも、半導体ウェハの
周辺部において適正なフォーカシングとレベリングを行
ない、適正な露光により高精度のパターン寸法での露光
を行う必要が生じる。
ーンに複数個に相当するチップパターンを形成し、１つ
のレチクルの１回の走査露光で複数のチップパターンを
露光する場合があり、このような場合にはレチクルの全
パターンが完全に露光されなくとも、露光された領域に
含まれるチップパターンを製品として製造することがで
きる。そのため、このような場合にも、半導体ウェハの
周辺部において適正なフォーカシングとレベリングを行
ない、適正な露光により高精度のパターン寸法での露光
を行う必要が生じる。
【０００７】しかしながら、図１０に示すように、半導
体ウェハＷは周辺部では円弧状の辺形状であるため、前
記したフォーカス装置１０７を用いて５つの発光ドット
Ｌ１〜Ｌ５でのレーザ光を投射すると、隅に位置するレ
ーザ光が半導体ウェハの表面から外れてしまう状態とな
る。例えば、同図のチップパターンＣＰ１では発光ドッ
トＬ２が半導体ウェハＷの表面から外れてしまう。この
ため、５つのレーザ光の全てについて受光信号を得るこ
とができず、前記したフォーカスレベリングを行うこと
ができなくなる。このため、従来では、受光できた発光
ドットの受光信号を用いてフォーカシングやレベリング
を行うアルゴリズムを採用しているが、フォーカシング
については１つ以上の受光信号でも可能であるが、レベ
リングでは、半導体ウェハの周辺部の位置によって受光
できる発光ドットが変化されるため、レベリングを実現
するためのアルゴリズムが極めて複雑なものとなり、ま
た半導体ウェハの表面の傾斜を検出するためには最低で
も３つの発光ドットが必要であるが、半導体ウェハの場
所によっては３つの発光ドットの受光信号を得ることが
できないこともあり、レベリングを実現することが難し
いという問題も生じている。
体ウェハＷは周辺部では円弧状の辺形状であるため、前
記したフォーカス装置１０７を用いて５つの発光ドット
Ｌ１〜Ｌ５でのレーザ光を投射すると、隅に位置するレ
ーザ光が半導体ウェハの表面から外れてしまう状態とな
る。例えば、同図のチップパターンＣＰ１では発光ドッ
トＬ２が半導体ウェハＷの表面から外れてしまう。この
ため、５つのレーザ光の全てについて受光信号を得るこ
とができず、前記したフォーカスレベリングを行うこと
ができなくなる。このため、従来では、受光できた発光
ドットの受光信号を用いてフォーカシングやレベリング
を行うアルゴリズムを採用しているが、フォーカシング
については１つ以上の受光信号でも可能であるが、レベ
リングでは、半導体ウェハの周辺部の位置によって受光
できる発光ドットが変化されるため、レベリングを実現
するためのアルゴリズムが極めて複雑なものとなり、ま
た半導体ウェハの表面の傾斜を検出するためには最低で
も３つの発光ドットが必要であるが、半導体ウェハの場
所によっては３つの発光ドットの受光信号を得ることが
できないこともあり、レベリングを実現することが難し
いという問題も生じている。
【０００８】本発明の目的は、半導体ウェハの周辺部に
おいても適正なフォーカシング及びレベリングによる走
査露光を可能にした走査露光方法及び走査露光装置を提
供することにある。
おいても適正なフォーカシング及びレベリングによる走
査露光を可能にした走査露光方法及び走査露光装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェハステー
ジ上に載置された半導体ウェハに対し、レチクルに設け
られた露光パターンを投影光学系により走査露光する走
査露光装置において、前記半導体ウェハの表面に向けて
光を投射する発光部と、前記半導体ウェハの表面で反射
した前記発光部からの光を受光する受光部と、前記受光
部で受光した受光信号に基づいて前記半導体ウェハの表
面の光軸方向の位置を検出する手段と、前記半導体ウェ
ハの複数の異なる領域での前記表面の光軸方向の位置に
基づいて前記半導体ウェハの表面の傾斜状態を認識する
手段と、前記露光パターンの露光時に前記投影光学系の
光軸に対して前記半導体ウェハの表面を所定の角度位置
に設定すべく前記ウェハステージを傾動制御する手段と
を備えており、前記ウェハステージを傾動制御する手段
は、少なくとも前記レチクルの露光パターンを不完全な
状態で前記半導体ウェハの周辺部に露光する際に前記認
識された半導体ウェハの表面の傾斜状態に応じて前記ウ
ェハステージを傾動制御する構成であることを特徴とす
る。
ジ上に載置された半導体ウェハに対し、レチクルに設け
られた露光パターンを投影光学系により走査露光する走
査露光装置において、前記半導体ウェハの表面に向けて
光を投射する発光部と、前記半導体ウェハの表面で反射
した前記発光部からの光を受光する受光部と、前記受光
部で受光した受光信号に基づいて前記半導体ウェハの表
面の光軸方向の位置を検出する手段と、前記半導体ウェ
ハの複数の異なる領域での前記表面の光軸方向の位置に
基づいて前記半導体ウェハの表面の傾斜状態を認識する
手段と、前記露光パターンの露光時に前記投影光学系の
光軸に対して前記半導体ウェハの表面を所定の角度位置
に設定すべく前記ウェハステージを傾動制御する手段と
を備えており、前記ウェハステージを傾動制御する手段
は、少なくとも前記レチクルの露光パターンを不完全な
状態で前記半導体ウェハの周辺部に露光する際に前記認
識された半導体ウェハの表面の傾斜状態に応じて前記ウ
ェハステージを傾動制御する構成であることを特徴とす
る。
【００１０】ここで、前記半導体ウェハの表面の傾斜状
態を認識する手段は、検出された前記半導体ウェハの複
数の異なる領域での表面の光軸方向の位置を記憶する手
段を備え、前記記憶された複数の異なる領域の光軸方向
の位置に基づいて前記半導体ウェハの表面の傾斜状態を
認識する構成とする。また、前記投影光学系は前記レチ
クルの露光パターンをスリットの短辺方向に向けて走査
して前記半導体ウェハに走査露光する構成であり、前記
ウェハステージを傾動制御する手段は、少なくとも前記
走査方向と直交する方向に沿って前記ウェハステージを
傾動制御する構成とする。さらに、前記発光部は前記露
光パターンの露光領域内において複数のビーム光を発光
可能な構成であり、前記受光部は前記複数のビーム光を
それぞれ受光して前記露光領域での前記半導体ウェハの
表面の傾斜状態を認識する構成を含む構成とする。この
場合、前記ウェハステージを傾動制御する手段は、前記
半導体ウェハに前記レチクルの露光パターンを完全な状
態で露光する際には、前記複数のビーム光に基づいて認
識した前記半導体ウェハの表面の傾斜状態に基づいて前
記ウェハステージを傾動制御する構成とする。
態を認識する手段は、検出された前記半導体ウェハの複
数の異なる領域での表面の光軸方向の位置を記憶する手
段を備え、前記記憶された複数の異なる領域の光軸方向
の位置に基づいて前記半導体ウェハの表面の傾斜状態を
認識する構成とする。また、前記投影光学系は前記レチ
クルの露光パターンをスリットの短辺方向に向けて走査
して前記半導体ウェハに走査露光する構成であり、前記
ウェハステージを傾動制御する手段は、少なくとも前記
走査方向と直交する方向に沿って前記ウェハステージを
傾動制御する構成とする。さらに、前記発光部は前記露
光パターンの露光領域内において複数のビーム光を発光
可能な構成であり、前記受光部は前記複数のビーム光を
それぞれ受光して前記露光領域での前記半導体ウェハの
表面の傾斜状態を認識する構成を含む構成とする。この
場合、前記ウェハステージを傾動制御する手段は、前記
半導体ウェハに前記レチクルの露光パターンを完全な状
態で露光する際には、前記複数のビーム光に基づいて認
識した前記半導体ウェハの表面の傾斜状態に基づいて前
記ウェハステージを傾動制御する構成とする。
【００１１】また、本発明は、半導体ウェハに対してレ
チクルに設けられた露光パターンを投影光学系により走
査露光する走査露光方法において、前記半導体ウェハの
複数の異なる表面領域に対して光を投射し、かつ前記各
表面領域で反射した光を受光し、前記受光した受光信号
に基づいて前記半導体ウェハの前記各表面領域の光軸方
向の位置を検出し、かつ検出した前記複数の表面領域の
光軸方向の位置に基づいて前記半導体ウェハの表面の傾
斜状態を認識し、少なくとも前記レチクルの露光パター
ンを不完全な状態で前記半導体ウェハの周辺部に露光す
る際に前記認識された半導体ウェハの表面の傾斜状態に
応じて前記半導体ウェハの表面を前記光軸に対して垂直
方向に向ける傾動制御を行うことを特徴とする。
チクルに設けられた露光パターンを投影光学系により走
査露光する走査露光方法において、前記半導体ウェハの
複数の異なる表面領域に対して光を投射し、かつ前記各
表面領域で反射した光を受光し、前記受光した受光信号
に基づいて前記半導体ウェハの前記各表面領域の光軸方
向の位置を検出し、かつ検出した前記複数の表面領域の
光軸方向の位置に基づいて前記半導体ウェハの表面の傾
斜状態を認識し、少なくとも前記レチクルの露光パター
ンを不完全な状態で前記半導体ウェハの周辺部に露光す
る際に前記認識された半導体ウェハの表面の傾斜状態に
応じて前記半導体ウェハの表面を前記光軸に対して垂直
方向に向ける傾動制御を行うことを特徴とする。
【００１２】ここで、前記露光パターンを走査露光する
前に、前記半導体ウェハの複数の異なる領域での表面の
光軸方向の位置を記憶し、かつ前記記憶された複数の異
なる領域の表面の光軸方向の位置に基づいて前記半導体
ウェハの表面の傾斜状態を認識し、前記認識した半導体
ウェハの表面の傾斜状態に基づいて前記半導体ウェハの
表面を傾動制御しながら前記露光パターンの走査露光を
行う。また、前記半導体ウェハに前記レチクルの露光パ
ターンを完全な状態で露光する際には、前記露光パター
ンの露光領域内に複数のビーム光を投射し、前記複数の
ビーム光の反射光をそれぞれ受光し、これら複数のビー
ム光に基づいて前記露光領域の表面の傾斜状態を認識
し、かつ前記認識に基づいて前記半導体ウェハの表面を
傾動制御してもよい。
前に、前記半導体ウェハの複数の異なる領域での表面の
光軸方向の位置を記憶し、かつ前記記憶された複数の異
なる領域の表面の光軸方向の位置に基づいて前記半導体
ウェハの表面の傾斜状態を認識し、前記認識した半導体
ウェハの表面の傾斜状態に基づいて前記半導体ウェハの
表面を傾動制御しながら前記露光パターンの走査露光を
行う。また、前記半導体ウェハに前記レチクルの露光パ
ターンを完全な状態で露光する際には、前記露光パター
ンの露光領域内に複数のビーム光を投射し、前記複数の
ビーム光の反射光をそれぞれ受光し、これら複数のビー
ム光に基づいて前記露光領域の表面の傾斜状態を認識
し、かつ前記認識に基づいて前記半導体ウェハの表面を
傾動制御してもよい。
【００１３】本発明によれば、半導体ウェハの周辺部に
対して走査露光を行う場合に、半導体ウェハの表面の傾
斜状態を検出することができない場合でも、予備処理で
求めた半導体ウェハの表面の傾斜状態に基づいてレベリ
ングを行うことにより、周辺部に露光するチップの領域
の表面を光軸に対して垂直方向に設定でき、好適なレベ
リング及びフォーカシングにより、寸法精度の高い走査
露光が実現可能となる。
対して走査露光を行う場合に、半導体ウェハの表面の傾
斜状態を検出することができない場合でも、予備処理で
求めた半導体ウェハの表面の傾斜状態に基づいてレベリ
ングを行うことにより、周辺部に露光するチップの領域
の表面を光軸に対して垂直方向に設定でき、好適なレベ
リング及びフォーカシングにより、寸法精度の高い走査
露光が実現可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の走査露光装置の全体
構成図であり、基本的な構成は図９に示した構成と同じ
である。すなわち、露光用の光を発光する光源１１と、
この光源１１からの光でレチクルＲを照明するコンデン
サレンズ１３やミラー１４等を有する照明光学系１２
と、前記レチクルＲを透過した光をスリット状に制限す
るスリット板１５と、前記レチクルＲのパターンを半導
体ウェハＷに縮小投影露光する投影露光系１６とを備え
ている。また、前記レチクルＲを支持するレチクルステ
ージ１７はレチクルステージ駆動装置１８によって前記
投影光学系１６の光軸方向と垂直な方向に移動され、こ
の移動により前記レチクルＲに形成されているパター
ン、すなわち露光パターンが前記スリット板１５のスリ
ットによって走査露光されることになる。また、前記半
導体ウェハＷを載置するウェハステージ１９はウェハス
テージ駆動装置２０によって前記レチクルＲと同期して
レチクルＲとは反対方向に移動され、この移動により前
記スリット板１５によって走査されるレチクルパターン
が前記投影光学系１６によってスリット状に半導体ウェ
ハＷの表面に走査され、走査露光が行われる。
参照して説明する。図１は本発明の走査露光装置の全体
構成図であり、基本的な構成は図９に示した構成と同じ
である。すなわち、露光用の光を発光する光源１１と、
この光源１１からの光でレチクルＲを照明するコンデン
サレンズ１３やミラー１４等を有する照明光学系１２
と、前記レチクルＲを透過した光をスリット状に制限す
るスリット板１５と、前記レチクルＲのパターンを半導
体ウェハＷに縮小投影露光する投影露光系１６とを備え
ている。また、前記レチクルＲを支持するレチクルステ
ージ１７はレチクルステージ駆動装置１８によって前記
投影光学系１６の光軸方向と垂直な方向に移動され、こ
の移動により前記レチクルＲに形成されているパター
ン、すなわち露光パターンが前記スリット板１５のスリ
ットによって走査露光されることになる。また、前記半
導体ウェハＷを載置するウェハステージ１９はウェハス
テージ駆動装置２０によって前記レチクルＲと同期して
レチクルＲとは反対方向に移動され、この移動により前
記スリット板１５によって走査されるレチクルパターン
が前記投影光学系１６によってスリット状に半導体ウェ
ハＷの表面に走査され、走査露光が行われる。
【００１５】そして、この走査露光により半導体ウェハ
Ｗの表面に１チップの露光を行い、この１チップの露光
を半導体ウェハＷの表面にＸＹ方向の枡目状に露光する
ことを可能とするために、前記ウェハステージ駆動装置
２０には、半導体ウェハＷの平面ＸＹ方向及びθ方向
（回転方向）の位置を調整するためのＸＹθ駆動機構２
１が設けられている。前記ＸＹθ駆動機構２１はウェハ
ステージ駆動回路２３からの駆動信号によって駆動さ
れ、ウェハステージ１９全体を平面ＸＹ方向に直線移動
し、かつθ方向に回転移動する。また、前記ウェハステ
ージ駆動装置２０には、後述するように半導体ウェハの
表面を前記投影光学系１６の光軸方向に位置調整し、か
つその傾斜角度を調整するために前記ウェハステージ１
９を傾動調整するためのレベリング調整機構２２が設け
られている。このレベリング調整機構２２は、図２
（ａ），（ｂ）に平面図と正面図をそれぞれ示すよう
に、ウェハステージ１９の底面の平面３箇所に配置され
た電磁プランジャ等からなるアクチュエータ２２ａ〜２
２ｃで構成されており、各アクチュエータ２２ａ〜２２
ｃはそれぞれウェハステージ１９の底面を投影光学系１
６の光軸方向に微小移動することで、ウェハステージ１
９の上面である半導体ウェハ載置面を光軸方向に位置調
整し、かつ光軸に対するウェハ載置面の傾きを調整する
ことが可能とされている。
Ｗの表面に１チップの露光を行い、この１チップの露光
を半導体ウェハＷの表面にＸＹ方向の枡目状に露光する
ことを可能とするために、前記ウェハステージ駆動装置
２０には、半導体ウェハＷの平面ＸＹ方向及びθ方向
（回転方向）の位置を調整するためのＸＹθ駆動機構２
１が設けられている。前記ＸＹθ駆動機構２１はウェハ
ステージ駆動回路２３からの駆動信号によって駆動さ
れ、ウェハステージ１９全体を平面ＸＹ方向に直線移動
し、かつθ方向に回転移動する。また、前記ウェハステ
ージ駆動装置２０には、後述するように半導体ウェハの
表面を前記投影光学系１６の光軸方向に位置調整し、か
つその傾斜角度を調整するために前記ウェハステージ１
９を傾動調整するためのレベリング調整機構２２が設け
られている。このレベリング調整機構２２は、図２
（ａ），（ｂ）に平面図と正面図をそれぞれ示すよう
に、ウェハステージ１９の底面の平面３箇所に配置され
た電磁プランジャ等からなるアクチュエータ２２ａ〜２
２ｃで構成されており、各アクチュエータ２２ａ〜２２
ｃはそれぞれウェハステージ１９の底面を投影光学系１
６の光軸方向に微小移動することで、ウェハステージ１
９の上面である半導体ウェハ載置面を光軸方向に位置調
整し、かつ光軸に対するウェハ載置面の傾きを調整する
ことが可能とされている。
【００１６】また、前記走査露光装置にはフォーカス装
置２４が付設される。前記フォーカス装置２４は、前記
投影光学系１６の一側に半導体ウェハＷの表面に塗布さ
れるフォトレジストを感光しない波長光を出射する発光
部２５を配置し、また前記投影光学系１６を挟んだ反対
側に受光部２６を配置しており、前記発光部２５から出
射した光を前記ウェハステージ１９に載置した半導体ウ
ェハＷの表面に投射し、半導体ウェハＷで反射した光を
受光部２６で受光するように構成する。前記発光部２５
は、複数ビームのレーザ光を出射可能なレーザ光源とし
て構成されており、図３に示すように、走査露光するチ
ップパターンＣＰの中央部と各四隅のそれぞれに対応し
た計５つの発光ドットＬ１〜Ｌ５を配置している。また
前記受光部２６はこれら発光ドットＬ１〜Ｌ５の各レー
ザ光が半導体ウェハＷで反射した光を受光し、その受光
面における各レーザ光の受光位置の変化を検出すること
が可能な受光素子、例えばＣＣＤセンサ等によって構成
される。前記受光部２６には、図１に示すように、光軸
位置検出回路２７が接続されており、この光軸位置検出
回路２７は前記受光部２６での受光信号に基づいて前記
半導体ウェハＷの表面の光軸方向の位置を検出し、中央
制御回路３０に出力する。前記中央制御回路３０には傾
斜状態認識回路２８が接続されており、前記光軸位置検
出回路２７において検出された半導体ウェハＷの表面の
光軸方向位置に基づいて前記半導体ウェハＷの表面の傾
斜角度やその分布等の傾斜状態を認識する。前記中央制
御回路３０には、前記ウェハステージ駆動装置２０を制
御するためのウェハステージ駆動回路２３と、前記レチ
クルステージ駆動装置１８を制御するためのレチクルス
テージ駆動回路２９が接続されており、さらに前記傾斜
状態認識回路２８で認識された傾斜状態に基づいて前記
レベリング機構２２を制御することが可能とされてい
る。また、前記中央制御回路３０にはメモリ３１が付設
されており、前記光軸位置検出回路２７で検出した半導
体ウェハの表面の光軸方向の位置や、これに基づいて傾
斜状態認識回路２８で認識された傾斜角度等の傾斜情報
を記憶可能とする。
置２４が付設される。前記フォーカス装置２４は、前記
投影光学系１６の一側に半導体ウェハＷの表面に塗布さ
れるフォトレジストを感光しない波長光を出射する発光
部２５を配置し、また前記投影光学系１６を挟んだ反対
側に受光部２６を配置しており、前記発光部２５から出
射した光を前記ウェハステージ１９に載置した半導体ウ
ェハＷの表面に投射し、半導体ウェハＷで反射した光を
受光部２６で受光するように構成する。前記発光部２５
は、複数ビームのレーザ光を出射可能なレーザ光源とし
て構成されており、図３に示すように、走査露光するチ
ップパターンＣＰの中央部と各四隅のそれぞれに対応し
た計５つの発光ドットＬ１〜Ｌ５を配置している。また
前記受光部２６はこれら発光ドットＬ１〜Ｌ５の各レー
ザ光が半導体ウェハＷで反射した光を受光し、その受光
面における各レーザ光の受光位置の変化を検出すること
が可能な受光素子、例えばＣＣＤセンサ等によって構成
される。前記受光部２６には、図１に示すように、光軸
位置検出回路２７が接続されており、この光軸位置検出
回路２７は前記受光部２６での受光信号に基づいて前記
半導体ウェハＷの表面の光軸方向の位置を検出し、中央
制御回路３０に出力する。前記中央制御回路３０には傾
斜状態認識回路２８が接続されており、前記光軸位置検
出回路２７において検出された半導体ウェハＷの表面の
光軸方向位置に基づいて前記半導体ウェハＷの表面の傾
斜角度やその分布等の傾斜状態を認識する。前記中央制
御回路３０には、前記ウェハステージ駆動装置２０を制
御するためのウェハステージ駆動回路２３と、前記レチ
クルステージ駆動装置１８を制御するためのレチクルス
テージ駆動回路２９が接続されており、さらに前記傾斜
状態認識回路２８で認識された傾斜状態に基づいて前記
レベリング機構２２を制御することが可能とされてい
る。また、前記中央制御回路３０にはメモリ３１が付設
されており、前記光軸位置検出回路２７で検出した半導
体ウェハの表面の光軸方向の位置や、これに基づいて傾
斜状態認識回路２８で認識された傾斜角度等の傾斜情報
を記憶可能とする。
【００１７】以上の構成の走査露光装置による露光動作
を説明する。図４はその主要な工程を示すフローチャー
トである。先ず、表面に図外のフォトレジスト膜が塗布
形成された半導体ウェハＷをウェハステージ１９のウェ
ハ載置面に載置し、静電力等により吸着支持する。一
方、レチクルステージ１７には露光するレチクルＲをセ
ットする（Ｓ１０１）。しかる上で、フォーカス装置２
４の発光部２５からのレーザ光を半導体ウェハＷの表面
の一部の領域、通常では投影光学系１６の光軸上に位置
されている領域に投射し、かつその反射光を受光部２６
で受光する（Ｓ１０２）。このとき前記レーザ光は前記
フォトレジストを感光することがなく、前記した５つの
発光ドットＬ１〜Ｌ５に対応する各レーザ光はフォトレ
ジストの表面で反射される。受光部２６では、５つのレ
ーザ光Ｌ１〜Ｌ５のうちいずれか１つを選択して受光す
る。通常では、チップパターンＣＰの中心位置に相当す
る中央のレーザ光Ｌ１を受光する。すなわち、半導体ウ
ェハＷの全周囲の各周辺部でのレチクルＲのパターンを
露光する際に露光パターンが不完全な状態で露光される
場合においても、半導体ウェハの表面に対してレーザ光
が投射されかつその反射光が受光できることが可能な位
置のレーザ光を選択しており、半導体ウェハの周辺部で
の不完全露光が対称的に生じることを鑑みて、中央の発
光ドットＬ１のレーザ光を選択する。
を説明する。図４はその主要な工程を示すフローチャー
トである。先ず、表面に図外のフォトレジスト膜が塗布
形成された半導体ウェハＷをウェハステージ１９のウェ
ハ載置面に載置し、静電力等により吸着支持する。一
方、レチクルステージ１７には露光するレチクルＲをセ
ットする（Ｓ１０１）。しかる上で、フォーカス装置２
４の発光部２５からのレーザ光を半導体ウェハＷの表面
の一部の領域、通常では投影光学系１６の光軸上に位置
されている領域に投射し、かつその反射光を受光部２６
で受光する（Ｓ１０２）。このとき前記レーザ光は前記
フォトレジストを感光することがなく、前記した５つの
発光ドットＬ１〜Ｌ５に対応する各レーザ光はフォトレ
ジストの表面で反射される。受光部２６では、５つのレ
ーザ光Ｌ１〜Ｌ５のうちいずれか１つを選択して受光す
る。通常では、チップパターンＣＰの中心位置に相当す
る中央のレーザ光Ｌ１を受光する。すなわち、半導体ウ
ェハＷの全周囲の各周辺部でのレチクルＲのパターンを
露光する際に露光パターンが不完全な状態で露光される
場合においても、半導体ウェハの表面に対してレーザ光
が投射されかつその反射光が受光できることが可能な位
置のレーザ光を選択しており、半導体ウェハの周辺部で
の不完全露光が対称的に生じることを鑑みて、中央の発
光ドットＬ１のレーザ光を選択する。
【００１８】そして、前記受光部２６に接続した光軸位
置検出回路２７では前記各ステップ位置からのレーザ光
を受光した際の受光面における受光位置が基準となる位
置からどの程度変位したかを検出し、この変位量から予
め定められたアルゴリズムにより当該受光位置の光軸方
向の位置Ｈを検出し、この位置を受光位置の座標と共に
メモリ３１に記憶する（Ｓ１０３）。前記受光位置の変
位量は、レーザ光を投射した半導体ウェハの表面が光軸
方向の適正フォーカス位置にあるときの受光位置を基準
位置とし、前記半導体ウェハの表面が前記適正フォーカ
ス基準位置から光軸方向にプラス、マイナスの各デフォ
ーカス方向に移動したときに、これに対応して変位する
受光位置の変位量である。したがって、この変位量から
受光位置での半導体ウェハＷの表面位置が演算できる。
そして、半導体ウェハＷの全ての表面について光軸方向
の位置を求めたかを判定し（Ｓ１０４）、そうでない場
合には、ウェハステージ駆動回路２３によりウェハステ
ージ駆動装置２０を駆動し、ＸＹθ駆動機構２１により
ウェハステージ１９を所定のピッチ寸法でステップ移動
する（Ｓ１０５）。これにより、図５（ａ），（ｂ）の
ように、各ステップ移動位置のそれぞれにおいて発光部
２５からレーザ光を半導体ウェハＷの表面に投射し、受
光部２６ではその反射したレーザ光を受光し、各位置の
表面の光軸方向の位置Ｈを検出する。前記ステップのピ
ッチ寸法はチップパターンの寸法や半導体ウェハの径寸
法によって相違するが、８インチの半導体ウェハの場合
には、５ｍｍピッチとする。しかる上で、傾斜状態認識
回路２８は、メモリ３１に記憶した前記各受光領域での
光軸方向の位置Ｈを読み出し、この光軸方向の位置Ｈか
ら、図６（ａ）のように、半導体ウェハＷの表面の傾斜
角度とその分布状態等の傾斜状態を認識する（Ｓ１０
６）。そして、認識した表面の傾斜状態に対して、例え
ば図６（ｂ）のように、チップパターンＣＰ毎の傾斜面
に沿った図示一点鎖線の近似平面ＮＰを求め、この近似
平面ＮＰの傾斜角ΘＮＰを算出してメモリに記憶する
（Ｓ１０７）。これにより、半導体ウェハＷに走査露光
を行う際の予備処理が完了する。
置検出回路２７では前記各ステップ位置からのレーザ光
を受光した際の受光面における受光位置が基準となる位
置からどの程度変位したかを検出し、この変位量から予
め定められたアルゴリズムにより当該受光位置の光軸方
向の位置Ｈを検出し、この位置を受光位置の座標と共に
メモリ３１に記憶する（Ｓ１０３）。前記受光位置の変
位量は、レーザ光を投射した半導体ウェハの表面が光軸
方向の適正フォーカス位置にあるときの受光位置を基準
位置とし、前記半導体ウェハの表面が前記適正フォーカ
ス基準位置から光軸方向にプラス、マイナスの各デフォ
ーカス方向に移動したときに、これに対応して変位する
受光位置の変位量である。したがって、この変位量から
受光位置での半導体ウェハＷの表面位置が演算できる。
そして、半導体ウェハＷの全ての表面について光軸方向
の位置を求めたかを判定し（Ｓ１０４）、そうでない場
合には、ウェハステージ駆動回路２３によりウェハステ
ージ駆動装置２０を駆動し、ＸＹθ駆動機構２１により
ウェハステージ１９を所定のピッチ寸法でステップ移動
する（Ｓ１０５）。これにより、図５（ａ），（ｂ）の
ように、各ステップ移動位置のそれぞれにおいて発光部
２５からレーザ光を半導体ウェハＷの表面に投射し、受
光部２６ではその反射したレーザ光を受光し、各位置の
表面の光軸方向の位置Ｈを検出する。前記ステップのピ
ッチ寸法はチップパターンの寸法や半導体ウェハの径寸
法によって相違するが、８インチの半導体ウェハの場合
には、５ｍｍピッチとする。しかる上で、傾斜状態認識
回路２８は、メモリ３１に記憶した前記各受光領域での
光軸方向の位置Ｈを読み出し、この光軸方向の位置Ｈか
ら、図６（ａ）のように、半導体ウェハＷの表面の傾斜
角度とその分布状態等の傾斜状態を認識する（Ｓ１０
６）。そして、認識した表面の傾斜状態に対して、例え
ば図６（ｂ）のように、チップパターンＣＰ毎の傾斜面
に沿った図示一点鎖線の近似平面ＮＰを求め、この近似
平面ＮＰの傾斜角ΘＮＰを算出してメモリに記憶する
（Ｓ１０７）。これにより、半導体ウェハＷに走査露光
を行う際の予備処理が完了する。
【００１９】しかる上で、本来の走査露光処理に移行す
る。この走査処理では、中央制御回路３０は、先ずＸＹ
θ駆動機構２１によりウェハステージを所定のＸＹ位置
に設定する（Ｓ１０８）。このとき、ウェハステージ駆
動回路２３からウェハステージ１９のＸＹ位置の情報が
中央制御回路３０に入力され、中央制御回路３０はその
ＸＹ位置に相当するチップパターンＣＰでの前記近似平
面ＮＰの傾斜角ΘＮＰをメモリ３１から読み出す（Ｓ１
０９）。そして、図６（ｃ）に示すように、その傾斜角
が０となるように、すなわち当該チップパターンＣＰの
近似平面ＮＰが露光光学系１６の光軸と垂直となるよう
にレベリング機構２２を駆動する。これにより、レベリ
ング機構２２を構成する３つのアクチュエータ２２ａ〜
２２ｃが個々に制御され、光軸に対するウェハステージ
１９の傾きを調節し、これにより半導体ウェハＷの当該
チップパターンＣＰ領域の表面は光軸と垂直になる（Ｓ
１１０）。また、これと同時にメモリ３１に記憶された
当該チップパターンＣＰの光軸方向の位置Ｈのデータか
ら、当該チップパターンＣＰ領域での適正フォーカス位
置を読み出し、この適正フォーカス位置に基づいて中央
制御回路３０は前記レベリング機構２２の３つのアクチ
ャータ２２ａ〜２２ｃを今度は同時に制御し、ウェハス
テージ１９を光軸方向に移動して半導体ウェハの表面に
対するフォーカシングを実行する（Ｓ１１１）。その上
で、前記中央制御回路３０はレチクルステージ駆動回路
２９によりレチクルステージ駆動装置１８を駆動してレ
チクルＲを一方向に移動すると同時に、ウェハステージ
駆動回路２３によりウェハステージ駆動装置２０を駆動
してウェハステージ１９、すなわち半導体ウェハＷをレ
チクルＲとは反対方向に移動することで、レチクルＲの
露光パターンをスリット単位で半導体ウェハＷの表面に
縮小して走査露光し、１つのチップの露光が完了する
（Ｓ１１２）。
る。この走査処理では、中央制御回路３０は、先ずＸＹ
θ駆動機構２１によりウェハステージを所定のＸＹ位置
に設定する（Ｓ１０８）。このとき、ウェハステージ駆
動回路２３からウェハステージ１９のＸＹ位置の情報が
中央制御回路３０に入力され、中央制御回路３０はその
ＸＹ位置に相当するチップパターンＣＰでの前記近似平
面ＮＰの傾斜角ΘＮＰをメモリ３１から読み出す（Ｓ１
０９）。そして、図６（ｃ）に示すように、その傾斜角
が０となるように、すなわち当該チップパターンＣＰの
近似平面ＮＰが露光光学系１６の光軸と垂直となるよう
にレベリング機構２２を駆動する。これにより、レベリ
ング機構２２を構成する３つのアクチュエータ２２ａ〜
２２ｃが個々に制御され、光軸に対するウェハステージ
１９の傾きを調節し、これにより半導体ウェハＷの当該
チップパターンＣＰ領域の表面は光軸と垂直になる（Ｓ
１１０）。また、これと同時にメモリ３１に記憶された
当該チップパターンＣＰの光軸方向の位置Ｈのデータか
ら、当該チップパターンＣＰ領域での適正フォーカス位
置を読み出し、この適正フォーカス位置に基づいて中央
制御回路３０は前記レベリング機構２２の３つのアクチ
ャータ２２ａ〜２２ｃを今度は同時に制御し、ウェハス
テージ１９を光軸方向に移動して半導体ウェハの表面に
対するフォーカシングを実行する（Ｓ１１１）。その上
で、前記中央制御回路３０はレチクルステージ駆動回路
２９によりレチクルステージ駆動装置１８を駆動してレ
チクルＲを一方向に移動すると同時に、ウェハステージ
駆動回路２３によりウェハステージ駆動装置２０を駆動
してウェハステージ１９、すなわち半導体ウェハＷをレ
チクルＲとは反対方向に移動することで、レチクルＲの
露光パターンをスリット単位で半導体ウェハＷの表面に
縮小して走査露光し、１つのチップの露光が完了する
（Ｓ１１２）。
【００２０】なお、前記ステップＳ１１１のフォーカシ
ング工程においては、前工程のフォーカスレベリングが
完了した後に、フォーカス装置２４の発光部２５からレ
ーザ光を半導体ウェハＷの当該表面領域に投射し、その
反射光を受光部２６で受光し、かつその受光位置の変位
から光軸位置検出回路２７が半導体ウェハＷの表面の光
軸方向の位置を検出し、この検出した光軸方向の位置に
より中央制御回路３０が当該表面領域の適正フォーカス
位置を検出し、この検出した適正フォーカス位置に基づ
いてフォーカシングを行うようにしてもよい。
ング工程においては、前工程のフォーカスレベリングが
完了した後に、フォーカス装置２４の発光部２５からレ
ーザ光を半導体ウェハＷの当該表面領域に投射し、その
反射光を受光部２６で受光し、かつその受光位置の変位
から光軸位置検出回路２７が半導体ウェハＷの表面の光
軸方向の位置を検出し、この検出した光軸方向の位置に
より中央制御回路３０が当該表面領域の適正フォーカス
位置を検出し、この検出した適正フォーカス位置に基づ
いてフォーカシングを行うようにしてもよい。
【００２１】このように、１つのチップの露光が完了し
た後は、全てのチップに対して露光が完了したかを判定
し（Ｓ１１３）、そうでない場合には次のチップに対す
る走査露光を継続して行うが、その際には、前記したス
テップＳ１０８のＸＹ位置の設定からステップＳ１１２
までの１つのチップの露光までの工程を繰り返すことに
より、適正なレベリングとフォーカシングが実現でき
る。したがって、半導体ウェハの周辺部に対してレチク
ルパターンの走査露光を行う場合においても、前記した
予備処理において予め半導体ウェハの周辺部の傾斜状態
を求めているため、チップパターンの走査露光時に半導
体ウェハの表面の傾斜状態を検出する必要がなく、適正
なフォーカシングでの走査露光が実現できる。これによ
り、半導体ウェハの周辺部にレチクルのパターンを不完
全に走査露光する場合においても適正なフォーカシング
での露光が可能となる。したがって、露光パターンの一
部を素子として構成することが可能な露光パターンを走
査露光する場合には、半導体ウェハの周辺部において当
該素子を適正なフォーカス状態で走査露光することがで
き、適正パターン寸法の素子を形成することができる。
また、半導体ウェハの周辺部におけるデフォーカスが原
因とされるようなフォトレジストの残り発生や、後工程
のＣＰＵ工程等における異物の発生が防止できる。
た後は、全てのチップに対して露光が完了したかを判定
し（Ｓ１１３）、そうでない場合には次のチップに対す
る走査露光を継続して行うが、その際には、前記したス
テップＳ１０８のＸＹ位置の設定からステップＳ１１２
までの１つのチップの露光までの工程を繰り返すことに
より、適正なレベリングとフォーカシングが実現でき
る。したがって、半導体ウェハの周辺部に対してレチク
ルパターンの走査露光を行う場合においても、前記した
予備処理において予め半導体ウェハの周辺部の傾斜状態
を求めているため、チップパターンの走査露光時に半導
体ウェハの表面の傾斜状態を検出する必要がなく、適正
なフォーカシングでの走査露光が実現できる。これによ
り、半導体ウェハの周辺部にレチクルのパターンを不完
全に走査露光する場合においても適正なフォーカシング
での露光が可能となる。したがって、露光パターンの一
部を素子として構成することが可能な露光パターンを走
査露光する場合には、半導体ウェハの周辺部において当
該素子を適正なフォーカス状態で走査露光することがで
き、適正パターン寸法の素子を形成することができる。
また、半導体ウェハの周辺部におけるデフォーカスが原
因とされるようなフォトレジストの残り発生や、後工程
のＣＰＵ工程等における異物の発生が防止できる。
【００２２】ここで、前記した実施形態では、図７
（ａ）に平面構成を示すように、スリット板１５のスリ
ット１５ａをその短辺方向に沿って走査露光しているた
め、仮にスリット１５ａの短辺方向に向いて半導体ウェ
ハＷの表面が傾斜している場合でも、適正なフォーカシ
ングが行われている限り半導体ウェハの表面傾斜が原因
とされるデフォーカスの影響が生じることはない。した
がって、同図に示すように、例えばスリット１５ａの長
辺がＸ方向に向けられてＹ方向に走査露光するものとす
れば、中央制御回路３０は図７（ｂ）にウェハの断面構
成を示すように、スリット１５ａの長辺方向であるＸ方
向についのみ半導体ウェハの傾斜角を算出し、かつウェ
ハステージ１９及び半導体ウェハＷをＸ方向に沿う方向
にのみ傾斜角の調整を行うようにすればよい。
（ａ）に平面構成を示すように、スリット板１５のスリ
ット１５ａをその短辺方向に沿って走査露光しているた
め、仮にスリット１５ａの短辺方向に向いて半導体ウェ
ハＷの表面が傾斜している場合でも、適正なフォーカシ
ングが行われている限り半導体ウェハの表面傾斜が原因
とされるデフォーカスの影響が生じることはない。した
がって、同図に示すように、例えばスリット１５ａの長
辺がＸ方向に向けられてＹ方向に走査露光するものとす
れば、中央制御回路３０は図７（ｂ）にウェハの断面構
成を示すように、スリット１５ａの長辺方向であるＸ方
向についのみ半導体ウェハの傾斜角を算出し、かつウェ
ハステージ１９及び半導体ウェハＷをＸ方向に沿う方向
にのみ傾斜角の調整を行うようにすればよい。
【００２３】また、前記実施形態では、半導体ウェハの
表面の全領域のチップパターンに対して傾斜角に基づく
制御を行っているが、チップパターンＣＰが完全に露光
される半導体ウェハＷの中央領域ないし中帯領域では、
発光部２５から出射される５つの発光ドットＬ１〜Ｌ５
の各レーザ光は全て半導体ウェハＷの表面に投射される
ため、これらのレーザ光を用いたこれまでと同様のレベ
リング及びフォーカシングが実行できることは言うまで
もない。したがって、チップパターンが完全に露光され
る半導体ウェハの領域に対しては、これまでと同様に複
数のレーザ光を利用したフォーカシング及びレベリング
を実行しながら順次チップを走査露光し、半導体ウェハ
の周辺部のチップ露光が不完全になる領域についての
み、前記実施形態のように、予め求めた半導体ウェハの
傾斜角の情報に基づいてフォーカスレベリングを実行す
るようにしてもよい。この場合のフローは図８に示す通
りである。なお、図４と同じステップは同じ符号を付し
てある。ここでは、ステップＳ１１４において、ウェハ
ステージ駆動回路２３からのＸＹ位置情報に基づいて中
央制御回路３０は現在の走査露光位置が半導体ウェハＷ
の周辺部であるか否かを判定し、周辺部でない場合には
ステップＳ１１５においてチップ露光の直前に５つの発
光ドットＬ１〜Ｌ５のレーザ光を利用して半導体ウェハ
の光軸方向位置とその傾斜角を検出し、その検出結果に
基づいてチップ毎にフォーカシング及びレベリングを実
行する。また、周辺部の場合には、図４のフローと同様
にステップＳ１０９〜Ｓ１１１を実行するようにすれば
よい。このようにすれば、予備処理において必要とされ
る変位データ数が低減でき、中央制御回路３０での演算
対象となるチップ数が低減でき、かつメモリ３１の容量
の縮小が可能となる。また、５つの発光ドットＬ１〜Ｌ
５の配置間隔は、前記実施形態の検出ステップ間隔であ
る５ｍｍに比較して格段に小さいため、チップの完全な
露光領域での微細なフォーカシングとレベリングが実現
できる。
表面の全領域のチップパターンに対して傾斜角に基づく
制御を行っているが、チップパターンＣＰが完全に露光
される半導体ウェハＷの中央領域ないし中帯領域では、
発光部２５から出射される５つの発光ドットＬ１〜Ｌ５
の各レーザ光は全て半導体ウェハＷの表面に投射される
ため、これらのレーザ光を用いたこれまでと同様のレベ
リング及びフォーカシングが実行できることは言うまで
もない。したがって、チップパターンが完全に露光され
る半導体ウェハの領域に対しては、これまでと同様に複
数のレーザ光を利用したフォーカシング及びレベリング
を実行しながら順次チップを走査露光し、半導体ウェハ
の周辺部のチップ露光が不完全になる領域についての
み、前記実施形態のように、予め求めた半導体ウェハの
傾斜角の情報に基づいてフォーカスレベリングを実行す
るようにしてもよい。この場合のフローは図８に示す通
りである。なお、図４と同じステップは同じ符号を付し
てある。ここでは、ステップＳ１１４において、ウェハ
ステージ駆動回路２３からのＸＹ位置情報に基づいて中
央制御回路３０は現在の走査露光位置が半導体ウェハＷ
の周辺部であるか否かを判定し、周辺部でない場合には
ステップＳ１１５においてチップ露光の直前に５つの発
光ドットＬ１〜Ｌ５のレーザ光を利用して半導体ウェハ
の光軸方向位置とその傾斜角を検出し、その検出結果に
基づいてチップ毎にフォーカシング及びレベリングを実
行する。また、周辺部の場合には、図４のフローと同様
にステップＳ１０９〜Ｓ１１１を実行するようにすれば
よい。このようにすれば、予備処理において必要とされ
る変位データ数が低減でき、中央制御回路３０での演算
対象となるチップ数が低減でき、かつメモリ３１の容量
の縮小が可能となる。また、５つの発光ドットＬ１〜Ｌ
５の配置間隔は、前記実施形態の検出ステップ間隔であ
る５ｍｍに比較して格段に小さいため、チップの完全な
露光領域での微細なフォーカシングとレベリングが実現
できる。
【００２４】なお、前記実施形態では、予備処理におい
ては、図３に示した５つの発光ドットＬ１〜Ｌ５のう
ち、中央の発光ドットＬ１を採用して半導体ウェハのフ
ォーカス変位量を検出しているが、５つの発光ドットＬ
１〜Ｌ５の全てについてフォーカス変位量を検出し、極
端に変位量が大きい発光ドットについては半導体ウェハ
の表面から外れたものと見なしてその変位量のデータを
採用せず、有効と見なされる発光ドットの変位量のみを
採用するようなアルゴリズムとしてもよい。このように
すれば、若干アルゴリズムが複雑になるが、チップが半
導体ウェハの周辺部のぎりぎりの位置に配置されて中央
の発光ドットが半導体ウェハの表面から外れてしまうよ
うな場合においても、一つの隅の発光ドットを採用して
変位量データを確保することができ、当該周辺部でのフ
ォーカシングとレベリングが実現可能となる。
ては、図３に示した５つの発光ドットＬ１〜Ｌ５のう
ち、中央の発光ドットＬ１を採用して半導体ウェハのフ
ォーカス変位量を検出しているが、５つの発光ドットＬ
１〜Ｌ５の全てについてフォーカス変位量を検出し、極
端に変位量が大きい発光ドットについては半導体ウェハ
の表面から外れたものと見なしてその変位量のデータを
採用せず、有効と見なされる発光ドットの変位量のみを
採用するようなアルゴリズムとしてもよい。このように
すれば、若干アルゴリズムが複雑になるが、チップが半
導体ウェハの周辺部のぎりぎりの位置に配置されて中央
の発光ドットが半導体ウェハの表面から外れてしまうよ
うな場合においても、一つの隅の発光ドットを採用して
変位量データを確保することができ、当該周辺部でのフ
ォーカシングとレベリングが実現可能となる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェハの複数の異なる表面領域に対して光を投射するとと
もに各表面領域で反射した光を受光し、これらの受光し
た受光信号に基づいて半導体ウェハの各表面領域の光軸
方向の位置を検出し、かつ検出した複数の表面領域の光
軸方向の位置に基づいて半導体ウェハの表面の傾斜状態
を認識し、その上でレチクルの露光パターンを半導体ウ
ェハに走査露光する際に、少なくともレチクルの露光パ
ターンを不完全な状態で半導体ウェハの周辺部に露光す
るときには、認識した半導体ウェハの表面の傾斜状態に
基づいて半導体ウェハの表面を光軸に対して垂直方向に
向けるための傾動制御を行うため、半導体ウェハの周辺
部に対して走査露光を行う場合に、半導体ウェハの表面
の傾斜状態を検出することができない場合でも、予備処
理で求めた半導体ウェハの表面の傾斜状態に基づいてレ
ベリングを行うことにより、周辺部に露光するチップの
領域の表面を光軸に対して垂直方向に設定でき、好適な
レベリング及びフォーカシングにより、寸法精度の高い
走査露光が実現可能となる。
ェハの複数の異なる表面領域に対して光を投射するとと
もに各表面領域で反射した光を受光し、これらの受光し
た受光信号に基づいて半導体ウェハの各表面領域の光軸
方向の位置を検出し、かつ検出した複数の表面領域の光
軸方向の位置に基づいて半導体ウェハの表面の傾斜状態
を認識し、その上でレチクルの露光パターンを半導体ウ
ェハに走査露光する際に、少なくともレチクルの露光パ
ターンを不完全な状態で半導体ウェハの周辺部に露光す
るときには、認識した半導体ウェハの表面の傾斜状態に
基づいて半導体ウェハの表面を光軸に対して垂直方向に
向けるための傾動制御を行うため、半導体ウェハの周辺
部に対して走査露光を行う場合に、半導体ウェハの表面
の傾斜状態を検出することができない場合でも、予備処
理で求めた半導体ウェハの表面の傾斜状態に基づいてレ
ベリングを行うことにより、周辺部に露光するチップの
領域の表面を光軸に対して垂直方向に設定でき、好適な
レベリング及びフォーカシングにより、寸法精度の高い
走査露光が実現可能となる。
【図１】本発明の走査露光装置の概略構成図である。
【図２】ウェハステージの平面図と正面図である。
【図３】発光部の発光ドットの配列を説明するための図
である。
である。
【図４】本発明の走査露光方法の一実施形態のフローチ
ャートである。
ャートである。
【図５】半導体ウェハの表面の光軸方向の位置の検出方
法を概念的に示す図である。
法を概念的に示す図である。
【図６】半導体ウェハの表面の傾き検出とその傾斜制御
方法を説明するための図である。
方法を説明するための図である。
【図７】スリット走査方向と傾斜制御方法を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図８】本発明の走査露光方法の他の実施形態のフロー
チャートである。
チャートである。
【図９】従来の走査露光装置の概略構成図である。
【図１０】従来の走査露光装置における半導体ウェハの
表面の傾斜状態を検出する方法を説明するための図であ
る。
表面の傾斜状態を検出する方法を説明するための図であ
る。
Ｗ 半導体ウェハ Ｒ レチクル ＣＰ チップパターン Ｌ１〜Ｌ５ 発光ドット（レーザ光） Ｈ 光軸位置 ＮＰ 近似平面 ΘＮＰ 傾斜角 １１ 光源 １２ 照明光学系 １５ スリット板 １６ 投影光学系 １７ レチクルステージ １８ レチクルステージ駆動装置 １９ ウェハステージ ２０ ウェハステージ駆動装置 ２１ ＸＹθ駆動機構 ２２ レベリング機構 ２３ ウェハステージ駆動回路 ２４ フォーカス装置 ２５ 発光部 ２６ 受光部 ２７ 光軸位置検出回路 ２８ 傾斜状態認識回路 ２９ レチクルステージ駆動回路 ３０ 中央制御回路 ３１ メモリ
Claims (8)
- 【請求項１】 ウェハステージ上に載置された半導体ウ
ェハに対し、レチクルに設けられた露光パターンを投影
光学系により走査露光する走査露光装置において、前記
半導体ウェハの表面に向けて光を投射する発光部と、前
記半導体ウェハの表面で反射した前記発光部からの光を
受光する受光部と、前記受光部で受光した受光信号に基
づいて前記半導体ウェハの表面の光軸方向の位置を検出
する手段と、前記半導体ウェハの複数の異なる領域での
前記表面の光軸方向の位置に基づいて前記半導体ウェハ
の表面の傾斜状態を認識する手段と、前記露光パターン
の露光時に前記投影光学系の光軸に対して前記半導体ウ
ェハの表面の角度位置を設定すべく前記ウェハステージ
を傾動制御する手段とを備え、前記ウェハステージを傾
動制御する手段は、少なくとも前記レチクルの露光パタ
ーンを不完全な状態で前記半導体ウェハの周辺部に露光
する際に、前記認識された半導体ウェハの表面の傾斜状
態に応じて前記ウェハステージを傾動制御する構成であ
ることを特徴とする走査露光装置。 - 【請求項２】 前記半導体ウェハの表面の傾斜状態を認
識する手段は、検出された前記半導体ウェハの複数の異
なる領域での表面の光軸方向の位置を記憶する手段を備
え、前記記憶された複数の異なる領域の光軸方向の位置
に基づいて前記半導体ウェハの表面の傾斜状態を認識す
る請求項１に記載の走査露光装置。 - 【請求項３】 前記投影光学系は前記レチクルの露光パ
ターンをスリットの短辺方向に向けて走査して前記半導
体ウェハに走査露光する構成であり、前記ウェハステー
ジを傾動制御する手段は、少なくとも前記走査方向と直
交する方向に沿って前記ウェハステージを傾動制御する
構成である請求項１又は２に記載の走査露光装置。 - 【請求項４】 前記発光部は前記露光パターンの露光領
域内において複数のビーム光を発光可能な構成であり、
前記受光部は前記複数のビーム光をそれぞれ受光して前
記露光領域での前記半導体ウェハの表面の傾斜状態を認
識する構成を含む請求項１乃至３のいずれかに記載の走
査露光装置。 - 【請求項５】 前記ウェハステージを傾動制御する手段
は、前記半導体ウェハに前記レチクルの露光パターンを
完全な状態で露光する際には、前記複数のビーム光に基
づいて認識した前記半導体ウェハの表面の傾斜状態に基
づいて前記ウェハステージを傾動制御する構成である請
求項４に記載の走査露光装置。 - 【請求項６】 半導体ウェハに対してレチクルに設けら
れた露光パターンを投影光学系により走査露光する走査
露光方法において、前記半導体ウェハの複数の異なる表
面領域に対して光を投射し、かつ前記各表面領域で反射
した光を受光し、前記受光した受光信号に基づいて前記
半導体ウェハの前記各表面領域の光軸方向の位置を検出
し、かつ検出した前記複数の表面領域の光軸方向の位置
に基づいて前記半導体ウェハの表面の傾斜状態を認識
し、少なくとも前記レチクルの露光パターンを不完全な
状態で前記半導体ウェハの周辺部に露光する際に前記認
識された半導体ウェハの表面の傾斜状態に応じて前記半
導体ウェハの表面を前記光軸に対して垂直方向に向ける
傾動制御を行うことを特徴とする走査露光方法。 - 【請求項７】 前記露光パターンを走査露光する前に、
前記半導体ウェハの複数の異なる領域のそれぞれの表面
の光軸方向の位置を記憶し、かつ前記記憶された複数の
異なる領域の表面の光軸方向の位置に基づいて前記半導
体ウェハの表面の傾斜状態を認識し、前記認識した半導
体ウェハの表面の傾斜状態に基づいて前記半導体ウェハ
の表面を傾動制御しながら前記露光パターンの走査露光
を行う請求項６に記載の走査露光方法。 - 【請求項８】 前記半導体ウェハに前記レチクルの露光
パターンを完全な状態で露光する際には、前記露光パタ
ーンの露光領域内に複数のビーム光を投射し、前記複数
のビーム光の反射光をそれぞれ受光し、これら複数のビ
ーム光に基づいて前記露光領域の表面の傾斜状態を認識
し、かつ前記認識に基づいて前記半導体ウェハの表面を
傾動制御する請求項７に記載の走査露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10251606A JP2000082651A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | 走査露光装置及び走査露光方法 |
| US09/387,200 US6245585B1 (en) | 1998-09-04 | 1999-08-31 | Method of providing levelling and focusing adjustments on a semiconductor wafer |
| KR1019990036527A KR100313257B1 (ko) | 1998-09-04 | 1999-08-31 | 포토리소그래피 장치 및 반도체 웨이퍼의 레벨링과 초점조절의방법 |
| US09/604,589 US6449029B1 (en) | 1998-09-04 | 2000-06-27 | Apparatus for providing levelling and focusing adjustments on a semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10251606A JP2000082651A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | 走査露光装置及び走査露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000082651A true JP2000082651A (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=17225326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10251606A Pending JP2000082651A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | 走査露光装置及び走査露光方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6245585B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000082651A (ja) |
| KR (1) | KR100313257B1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002367897A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100615605B1 (ko) | 2004-12-30 | 2006-08-25 | 삼성전자주식회사 | 노광 설비의 레벨링 장치 |
| CN103091990A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 上海微电子装备有限公司 | 一种调焦调平系统中光斑水平位置调整机构及方法 |
| CN103676494A (zh) * | 2012-09-25 | 2014-03-26 | 上海微电子装备有限公司 | 用于扫描光刻机的逐场调焦调平方法 |
| CN104977821A (zh) * | 2014-04-09 | 2015-10-14 | 上海微电子装备有限公司 | 一种基于预扫描的轨迹校正调焦调平装置和方法 |
| CN103091990B (zh) * | 2011-10-28 | 2016-12-14 | 上海微电子装备有限公司 | 一种调焦调平系统中光斑水平位置调整机构及方法 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6538721B2 (en) * | 2000-03-24 | 2003-03-25 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
| US6674058B1 (en) * | 2000-09-20 | 2004-01-06 | Compucyte Corporation | Apparatus and method for focusing a laser scanning cytometer |
| KR20020064453A (ko) * | 2001-02-01 | 2002-08-09 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 노광시스템 및 이를 이용한 반도체 노광방법 |
| US20030154158A1 (en) * | 2001-11-14 | 2003-08-14 | Martyn Peter J. | Multi-mechanism order processing |
| US6778266B2 (en) * | 2002-01-12 | 2004-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Semiconductor wafer tilt monitoring on semiconductor fabrication equipment plate |
| US6574525B1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-06-03 | Lsi Logic Corporation | In situ measurement |
| DE10232242A1 (de) * | 2002-07-17 | 2004-02-05 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Rastern einer Probe mit einem optischen ab Bildungssystem |
| EP1457839A3 (en) * | 2003-03-11 | 2009-04-22 | ASML Netherlands B.V. | Assembly comprising a sensor for determining at least one of tilt and height of a substrate, a method therefor and a lithographic projection apparatus |
| SG125108A1 (en) * | 2003-03-11 | 2006-09-29 | Asml Netherlands Bv | Assembly comprising a sensor for determining at least one of tilt and height of a substrate, a method therefor and a lithographic projection apparatus |
| WO2007069516A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and manufacturing method of semiconductor device |
| US8488107B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-07-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a level sensor having multiple projection units and detection units |
| EP2228685B1 (en) * | 2009-03-13 | 2018-06-27 | ASML Netherlands B.V. | Level sensor arrangement for lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20100231881A1 (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8675210B2 (en) | 2009-03-13 | 2014-03-18 | Asml Netherlands B.V. | Level sensor, lithographic apparatus, and substrate surface positioning method |
| NL2006129A (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-13 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| CN103293865B (zh) * | 2012-02-28 | 2015-05-13 | 上海微电子装备有限公司 | 工件台位置误差测量及预先补偿的方法 |
| US11609183B2 (en) * | 2020-08-18 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to measure properties of products on a moving blade in electronic device manufacturing machines |
| DE102020124006B3 (de) | 2020-09-15 | 2022-01-05 | Laser Imaging Systems Gmbh | Belichtungssteuerung bei photolithographischen direktbelichtungsverfahren zur leiterplatten- oder schaltkreisherstellung |
| CN114545744B (zh) * | 2022-03-21 | 2024-01-19 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 一种曝光系统的曝光视场标定方法、装置及电子设备 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878317A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Canon Inc | 半導体露光装置及び露光方法 |
| JPH08227854A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-09-03 | Nikon Corp | 露光方法及びその装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2556074B2 (ja) | 1987-12-21 | 1996-11-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光方法及び水平位置検出装置 |
| US5283141A (en) * | 1992-03-05 | 1994-02-01 | National Semiconductor | Photolithography control system and method using latent image measurements |
| JPH05304075A (ja) | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Sony Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
| US5340772A (en) * | 1992-07-17 | 1994-08-23 | Lsi Logic Corporation | Method of increasing the layout efficiency of dies on a wafer and increasing the ratio of I/O area to active area per die |
| KR100300618B1 (ko) * | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
| US6118515A (en) * | 1993-12-08 | 2000-09-12 | Nikon Corporation | Scanning exposure method |
| USH1774H (en) * | 1995-06-29 | 1999-01-05 | Miyachi; Takashi | Projecting exposure apparatus and method of exposing a circuit substrate |
| JPH09306823A (ja) | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
-
1998
- 1998-09-04 JP JP10251606A patent/JP2000082651A/ja active Pending
-
1999
- 1999-08-31 US US09/387,200 patent/US6245585B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-31 KR KR1019990036527A patent/KR100313257B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-06-27 US US09/604,589 patent/US6449029B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878317A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Canon Inc | 半導体露光装置及び露光方法 |
| JPH08227854A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-09-03 | Nikon Corp | 露光方法及びその装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002367897A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
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