JP2000079616A - 加硫モールド内の状態検出方法及び温度センサ並びに加硫システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加硫モールド内部の温度や圧力等の状態を実
測する加硫モールド内の状態検出方法を提供すること、
またこのような実測に好適な温度センサを提供するこ
と、さらには実測値に基づいて加硫制御を行う加硫シス
テムを提供する。 【解決手段】 加硫処理を行っているときのモールド１
１内の温度及び圧力の移り変わりをトランスポンダを備
えた温度センサ３１と圧力センサ３２によって検出し履
歴情報として記憶部に記憶し、加硫処理が終了してモー
ルドが開放された後、制御装置２０から電波を用いてト
ランスポンダと通信を行い、温度及び圧力の履歴情報を
取得し、この情報に基づいて温度及び圧力の制御値を補
正して次回の加硫処理制御に用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、タイヤ等のゴム製
品を製造する際の加硫モールド内の状態検出方法及びこ
れに用いる温度センサ並びに加硫システムに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、タイヤを含むゴム製品を製造する
際には、生ゴムに硫黄を加えたものを加硫装置の金型
（以下、モールドと称する）に入れて密閉加熱し、目的
に応じた弾性及び形状をもつゴム製品に加工している。

【０００３】加硫装置は、制御装置によってモールド内
の温度と圧力を制御しているが、季節の違いによる周囲
温度の変動などによってもモールド内の温度が変動する
ため、未加硫製品、即ち加硫処理が完全に終了していな
い製品が製造されることがあるので、ある程度の時間を
加算した加硫時間を設定して製造を行っていた。

【０００４】しかし、好適な加硫時間を超過して加硫処
理が行われる場合があり、製品の品質低下を招くことが
あった。

【０００５】この問題を解決するための方法として、例
えば特開昭６３−１３９７０８号公報には、タイヤの加
硫制御方法及びその装置が開示されている。

【０００６】この加硫制御方法及び装置では、タイヤの
加硫中に加硫の微小時間後とに加硫金型及びブラダー内
の温度からタイヤ内部の一箇所以上の場所の温度を推定
することにより最小加硫度を演算し、この最小加硫度か
ら加硫停止後の予測最小加硫度を予測して、この予測最
小加硫度が目標加硫度を超えたら加硫を停止している。

【０００７】これにより、好適な加硫時間を超過しての
加硫処理を防止し、製品の品質低下を回避している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の加硫制御方法及びその装置においては、加硫金型
及びブラダー内の温度から加硫対象製品であるタイヤ内
部の温度を推定し、さらに予測最小加硫度を予測すると
いう、推定と予測による制御であるため、一般に普及さ
せることが困難であった。

【０００９】最良の制御方法として一般的に考えられる
ことは、モールド内の温度を実測して、この実測値に基
づいてモールド内の温度制御を行うことである。

【００１０】しかし、加硫処理中は、加硫モールドは密
閉され且つその内部は高温、高圧に保たれているため、
温度センサ等をモールド内部に配置しても、センサとモ
ールド外部とを結ぶ配線の経路を設けるのが非常に困難
であった。

【００１１】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、加硫
モールド内部の温度や圧力等の状態を実測する加硫モー
ルド内の状態検出方法を提供すること、またこのような
実測に好適な温度センサを提供すること、さらには前記
実測値に基づいて加硫制御を行う加硫システムを提供す
ることにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、硫黄を混ぜた生ゴムをモー
ルド内に封入して加硫処理を行っているときのモールド
内の状態を検出する加硫モールド内の状態検出方法であ
って、少なくとも前記モールドが密閉されて加硫処理が
開始された後、検出対象となる１つ以上の状態を前記モ
ールド内に配置した１つ以上のセンサによって検出し、
該検出結果を前記モールド内に配置された記憶手段に記
憶し、前記加硫処理が終了して前記モールドが開放され
た後、前記記憶手段に記憶されている検出結果を読み出
す加硫モールド内の状態検出方法を提案する。

【００１３】該加硫モールド内の状態検出方法によれ
ば、モールドを密閉する前にモールド内に１つ以上のセ
ンサが配置され、少なくとも前記モールドが密閉されて
加硫処理が開始された後に前記センサによって検出対象
となる１つ以上の状態、例えばモールド内の温度や圧力
等が検出され、該検出結果は前記モールド内に配置され
た記憶手段に記憶される。従って、前記加硫処理が終了
して前記モールドが開放された後に、前記記憶手段に記
憶されている検出結果を読み出すことにより、加硫処理
中におけるモールド内の状態を知ることができる。

【００１４】また、請求項２では、請求項１記載の加硫
モールド内の状態検出方法において、前記センサによっ
て所定時間おきに複数回状態検出を行い、該複数の検出
結果を前記記憶手段に記憶する加硫モールド内の状態検
出方法を提案する。

【００１５】該加硫モールド内の状態検出方法によれ
ば、前記センサによって所定時間おきに複数回の状態検
出が行われ、該複数の検出結果が前記記憶手段に記憶さ
れる。従って、加硫処理中におけるモールド内の状態の
履歴を知ることができる。

【００１６】また、請求項３では、請求項１記載の加硫
モールド内の状態検出方法において、前記記憶手段の記
憶内容をアクセスするトランスポンダを前記モールド内
に配置し、該トランスポンダを用いてワイアレスで前記
記憶手段に記憶されている検出結果を読み出す加硫モー
ルド内の状態検出方法を提案する。

【００１７】該加硫モールド内の状態検出方法によれ
ば、前記モールド内に前記センサ及び記憶手段と共にト
ランスポンダが配置され、前記記憶手段の記憶内容はト
ランスポンダを用いてワイアレスでアクセスされ、前記
記憶手段に記憶されている検出結果が読み出される。

【００１８】また、請求項４では、請求項１記載の加硫
モールド内の状態検出方法において、前記検出対象とな
るモールド内の状態がモールド内温度である加硫モール
ド内の状態検出方法を提案する。

【００１９】該加硫モールド内の状態検出方法によれ
ば、前記センサによってモールド内の温度が検知され、
該検知温度が記憶手段に記憶される。

【００２０】また、請求項５では、請求項１記載の加硫
モールド内の状態検出方法において、前記検出対象とな
るモールド内の状態がモールド内圧力である加硫モール
ド内の状態検出方法を提案する。

【００２１】該加硫モールド内の状態検出方法によれ
ば、前記センサによってモールド内の圧力が検知され、
該検知圧力が記憶手段に記憶される。

【００２２】また、請求項６では、請求項１記載の加硫
モールド内の状態検出方法において、前記検出対象とな
るモールド内の状態がモールド内温度と圧力である加硫
モールド内の状態検出方法を提案する。

【００２３】該加硫モールド内の状態検出方法によれ
ば、前記センサによってモールド内の温度と圧力が検知
され、該検知された温度と圧力が記憶手段に記憶され
る。

【００２４】また、請求項７では、本体の一部をなす温
度検知部で温度を検知し該検知温度に対応した電気信号
に変換して出力するセンサ本体と、前記温度検知部に密
着された高熱伝導性部材と、前記センサ本体から出力さ
れた電気信号に基づいて、所定時間内における検知温度
情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段の記憶情報を
アクセスするトランスポンダと、前記高熱伝導性部材の
所定部分を除く他の部分と前記センサ本体、前記記憶手
段及び前記トランスポンダとを密閉して覆う保護部材と
からなる温度センサを提案する。

【００２５】該温度センサによれば、温度検知対象とな
る熱は前記高熱伝導性部材を介してセンサ本体の温度検
知部に伝達され、該温度検知部によって温度が検知され
る。さらに、センサ本体は前記検知温度に対応した電気
信号を出力し、該電気信号に基づいて、記憶手段によっ
て検知温度情報が記憶される。該記憶手段に記憶された
検知温度情報はトランスポンダを介して外部からワイア
レスでアクセスされ読み出される。また、センサの各構
成部分は前記保護部材によって密閉されて外界との直接
の接触が絶たれて保護される。

【００２６】また、請求項８では、請求項７記載の温度
センサにおいて、前記トランスポンダによって前記記憶
手段がアクセスされ、前記記憶手段に記憶されていた検
知温度情報が読み出された後に前記記憶手段の記憶内容
を初期化する初期化手段を設けた温度センサを提案す
る。

【００２７】該温度センサによれば、前記トランスポン
ダを介して前記記憶手段に記憶されている検知温度の履
歴情報が読み出された後に初期化手段によって前記記憶
手段の記憶内容が初期化される。

【００２８】また、請求項９では、請求項７記載の温度
センサにおいて、前記記憶手段は、所定時間内における
検知温度の履歴情報を記憶する温度センサを提案する。

【００２９】該温度センサによれば、前記記憶手段によ
って所定時間内における検知温度の履歴情報が記憶され
る。

【００３０】また、請求項１０では、加硫装置と該加硫
装置の動作制御を行う制御装置とを備え、硫黄を混ぜた
生ゴムを加硫装置のモールド内に封入して加硫処理を行
う加硫システムにおいて、前記モールド内部の温度を検
出して電気信号に変換する温度センサと、前記温度セン
サから出力される電気信号に基づいて、少なくとも加硫
１サイクルの間の温度の実測履歴情報を電気的に記憶す
る実測情報記憶手段と、前記実測情報記憶手段の記憶内
容をアクセスして前記実測履歴情報を送信するトランス
ポンダとからなる測定部を前記加硫装置のモールド内に
配置すると共に、前記制御装置に、前記トランスポンダ
との通信手段と、加硫１サイクルの間の好適なモールド
内温度履歴情報が基準履歴情報として格納されている基
準情報記憶手段と、前記通信手段によって受信した前記
実測履歴情報と前記基準履歴情報とを比較し、前記実測
履歴情報における温度が前記基準履歴情報における温度
に近づくように前記加硫装置のモールド内温度を制御す
る制御手段とを設けた加硫システムを提案する。

【００３１】該加硫システムによれば、例えば前記モー
ルドが密閉され加硫処理が開始されると、温度センサに
よって前記モールド内部の温度が検出されて電気信号に
変換され、該電気信号に基づいて、実測情報記憶手段に
より少なくとも加硫１サイクルの間の温度の実測履歴情
報が電気的に記憶される。

【００３２】また、制御装置の通信手段によって前記ト
ランスポンダとの通信が行われ、これにより前記実測情
報記憶手段はトランスポンダによってアクセスされて、
記憶されている前記実測履歴情報がトランスポンダから
制御装置の通信手段に送信される。

【００３３】これにより、前記制御装置の制御手段によ
って、前記通信手段によって受信した前記実測履歴情報
と前記基準履歴情報とが比較され、前記実測履歴情報に
おける温度が前記基準履歴情報における温度に近づくよ
うに前記加硫装置のモールド内温度が制御される。

【００３４】また、請求項１１では、請求項１０記載の
加硫システムにおいて、前記測定部に、前記加硫装置の
モールド内に配置され前記モールド内部の圧力を検出し
て電気信号に変換する圧力センサを設け、前記実測情報
記憶手段は前記温度センサ及び圧力センサから出力され
る電気信号に基づいて、少なくとも加硫１サイクルの間
の温度及び圧力の実測履歴情報を電気的に記憶すると共
に、前記基準情報記憶手段には加硫１サイクルの間の好
適なモールド内温度履歴情報及び圧力履歴情報が基準履
歴情報として格納され、前記制御手段は前記通信手段に
よって受信した前記実測履歴情報と前記基準履歴情報と
を比較し、前記実測履歴情報における温度と圧力が前記
基準履歴情報における温度と圧力に近づくように前記加
硫装置のモールド内温度と圧力を制御する加硫システム
を提案する。

【００３５】該加硫システムによれば、例えば前記モー
ルドが密閉され加硫処理が開始されると、温度センサ及
び圧力センサによって前記モールド内部の温度及び圧力
が検出されて電気信号に変換され、該電気信号に基づい
て、実測情報記憶手段により少なくとも加硫１サイクル
の間の温度及び圧力の実測履歴情報が電気的に記憶され
る。

【００３６】また、制御装置の通信手段によって前記ト
ランスポンダとの通信が行われ、これにより前記実測情
報記憶手段はトランスポンダによってアクセスされて、
記憶されている前記実測履歴情報がトランスポンダから
制御装置の通信手段に送信される。

【００３７】これにより、前記制御装置の制御手段によ
って、前記通信手段によって受信した前記実測履歴情報
と前記基準履歴情報とが比較され、前記実測履歴情報に
おける温度及び圧力が前記基準履歴情報における温度及
び圧力に近づくように前記加硫装置のモールド内の温度
及び圧力が制御される。

【００３８】また、請求項１２では、請求項１０又は１
１記載の加硫システムにおいて、前記測定部は一体形成
されている加硫システムを提案する。

【００３９】該加硫システムによれば、前記測定部のセ
ンサ、記憶手段、及びトランスポンダは一体に形成され
ている。

【００４０】また、請求項１３では、請求項１０又は１
１記載の加硫システムにおいて、前記加硫装置のモール
ド内に２つ以上の測定部を設けると共に、前記制御手段
は前記通信手段が受信した２つ以上の実測履歴情報に基
づいて、加硫処理制御を行う加硫システムを提案する。

【００４１】該加硫システムによれば、前記加硫装置の
モールド内には、例えばそれぞれ異なる位置に２つ以上
の測定部が設けられ、前記通信手段がそれぞれの測定部
から受信した２つ以上の実測履歴情報に基づいて、前記
制御装置の制御手段によって加硫処理の制御が行われ
る。

【００４２】また、請求項１４では、請求項１０又は１
１記載の加硫システムにおいて、前記通信手段は、１サ
イクルの加硫処理が終了して前記加硫装置のモールドが
開放されたときに前記トランスポンダとの通信を行って
前記実測履歴情報を受信すると共に、前記制御手段は、
前記通信手段が受信した実測履歴情報に基づいて、次の
１サイクルの加硫処理における制御を行う加硫システム
を提案する。

【００４３】該加硫システムによれば、前記加硫装置に
おいて１サイクルの加硫処理が終了してモールドが開放
されたときに、前記制御装置の通信手段により、前記ト
ランスポンダとの通信が行われて前記実測履歴情報が受
信され、該通信手段が受信した実測履歴情報に基づい
て、前記制御装置の制御手段により、次の１サイクルの
加硫処理の制御が行われる。

【００４４】また、請求項１５では、請求項１０又は１
１記載の加硫システムにおいて、前記制御装置に、前記
実測履歴情報と前記基準履歴情報との温度差或いは圧力
差が所定の閾値以上のときに前記加硫装置を停止して警
報を発する異常処理手段を設けた加硫システムを提案す
る。

【００４５】該加硫システムによれば、前記実測履歴情
報と前記基準履歴情報との温度差或いは圧力差が所定の
閾値以上のときに、前記制御装置の異常処理手段によっ
て、前記加硫装置が停止されると共に警報が発せられ
る。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。

【００４７】図１は、本発明の一実施形態におけるタイ
ヤの加硫システムを示す構成図である。図において、１
は加硫システムで、加硫装置１０と、この加硫装置１０
の動作制御を行う制御装置２０及び加硫モールド内の温
度及び圧力を測定するための測定部３０とから構成され
ている。

【００４８】加硫装置１０は、加硫モールド１１、加硫
モールド１１内の圧力を調節する圧力調節部１２、加硫
モールド１１内の温度を調節する温度調節部１３、加硫
モールド１１の開閉を行う開閉機構駆動部１４及び操作
パネル部１５から構成されている。

【００４９】加硫モールド１１は、図２に示すように、
上型モールド４１と下型モールド４２を備え、下型モー
ルド４２は固定され、上型モールド４１は加硫処理時に
は下型モールド４２に嵌合されて内部空間が密閉状態に
保たれ、グリーンタイヤの挿入及びタイヤの取り出し時
に、図示せぬ開閉機構によって開放される。

【００５０】また、加硫モールド１１内のタイヤ５０の
内側にはブラダー４４が配置され、ブラダー４４内には
図示せぬ加圧加熱流体が図示せぬパイプを介して循環供
給されるようになっている。

【００５１】さらに、ブラダー４４内の所定位置には、
測定部３０を構成する温度センサ３１と圧力センサ３２
が配置されている。

【００５２】制御装置２０は、ＣＰＵ等から構成される
中央処理部２１、記憶部２２、操作部２３、表示部２
４、通信部２５、警報部２６、及び加硫装置１０に対し
て制御信号を送出するためのインタフェース部２７から
構成されている。

【００５３】中央処理部２１は、予め設定されているプ
ログラムに基づいて次の処理を行う。

【００５４】（１）通信部２５を介して電波を用いて、
測定部３０の温度センサ３１及び圧力センサ３２に加硫
中のモールド１１内の温度と圧力の履歴を記録させて、
モールド開放時にこの履歴情報を得る。

【００５５】（２）予め実験によって求めた、或いは経
験値から得られた理想的な加硫処理の温度と圧力の時系
列データと、（１）によって得られた温度と圧力の履歴
情報とを比較して、次の加硫処理におけるモールド内温
度と圧力の制御値を補正する。

【００５６】（３）上記（２）における比較の結果、実
測値と理想値との間の温度或いは圧力の差が所定のしき
い値以上のときは加硫装置の故障等の異常が生じたもの
として警報を発生する。

【００５７】温度センサ３１は、図３の平面図及び図４
の側断面図に示すように、センサ本体311、チップ状の
トランスポンダ本体312、コイル状のアンテナ313、電源
部314、高熱伝導部材315、及びこれらを覆う樹脂からな
る円柱又は角柱状保護部材316から構成されている。

【００５８】センサ本体311、トランスポンダ本体312及
び電源部314は保護部材316のほぼ中心部に埋設され、ア
ンテナ313は保護部材316の側面近傍に埋設されている。
また、高熱伝導部材315は円筒状の突出部315aを有し、
この突出部315aが保護部材316に挿入され、高熱伝導部
材315はビス317によって固定されている。さらに、突出
部315aはセンサ本体311の感温部に当接され、高熱伝導
部材315によって外部温度がセンサ本体311に熱伝導され
るようになっている。

【００５９】このようにセンサ本体311とトランスポン
ダ本体312及び電源部314が保護部材316によって保護さ
れているので、保護部材316の耐え得る環境においての
使用が可能であると共に、センサ本体311の感温部（温
度検知部）には高熱伝導部材315を介して周囲の熱が伝
達されるので、遅延時間をほとんど生じること無く周囲
温度を検知することができる。

【００６０】圧力センサ３２は、図５の平面図及び図６
の側断面図に示すように、センサ本体321、チップ状の
トランスポンダ本体322、コイル状のアンテナ323、電源
部324、及びこれらを覆う樹脂からなる円柱状保護部材3
25から構成されている。

【００６１】センサ本体321、トランスポンダ本体322及
び電源部324は保護部材325のほぼ中心部に埋設され、ア
ンテナ323は保護部材325の側面近傍に埋設されている。
また、センサ本体321の感圧部のみが円筒部材326によっ
て保護部材325の表面に露出され、センサ本体321が外部
圧力を検知できるようになっている。

【００６２】図７は、温度センサ３１の電気系回路を示
す構成図である。図において、311は温度センサ本体、3
12はトランスポンダ本体で、整流回路６１、検波部６
２、中央処理部６３、発信部６４及びデュープレクサ６
５から構成されている。

【００６３】整流回路６１は、ダイオード611,612、コ
ンデンサ613、及び抵抗器614から構成され、周知の全波
整流回路を形成している。この整流回路６１の入力側に
はデュープレクサ６５を介してアンテナ313が接続さ
れ、制御装置２０から送信された１００〜３００ＫＨｚ
の電波によってアンテナ313に誘起した高周波電流を整
流して直流電流に変換し、蓄電器等から構成される電源
部314に供給する。電源部314に蓄積された電気エネルギ
ーは、温度センサ本体311、中央処理部６３、及び発信
部６４の駆動電源として使用される。

【００６４】検波部６２は、ダイオード621とアナログ
／ディジタル（以下、Ａ／Ｄと称する）変換回路622か
らなり、ダイオード621のアノードはデュープレクサ６
５を介してアンテナ313に接続され、カソードはＡ／Ｄ
変換回路622を介して中央処理部６３のＣＰＵ631に接続
されている。これにより、検波部６２はアンテナ313に
誘起した高周波電流を検波して受信した信号を復調し、
この信号をディジタル信号に変換して中央処理部６３に
送出する。

【００６５】中央処理部６３は、周知のＣＰＵ631、記
憶部632、タイマー回路633、Ａ／Ｄ変換回路634、ディ
ジタル／アナログ（以下、Ｄ／Ａと称する）変換回路63
5から構成され、ＣＰＵ631は電源が供給されて駆動する
とＥＥＰＲＯＭ等の半導体メモリからなる記憶部632内
に記憶されているプログラムに基づいて、実測処理開始
命令を受信したときに、Ａ／Ｄ変換回路634を介して温
度センサ311によって所定時間の温度検出を行い、この
時間内の検出温度の時間的な履歴を温度履歴情報として
記憶部632に蓄積すると共に、制御装置２０から情報読
み出し命令を受信したときに蓄積した温度履歴情報をＤ
／Ａ変換回路635を介して発信部６４に出力すると共
に、送信終了後に記憶部632に蓄積されている温度履歴
情報を消去する。

【００６６】また、記憶部632の所定アドレスには、予
めトランスポンダ毎に個別に付与されたＩＤコードが記
憶されており、トランスポンダ312はこのＩＤコードが
指定された信号を受信したときにのみ上記処理を行う。

【００６７】発信部６４は、発振回路641、変調回路642
及び高周波増幅回路643から構成され、発振回路641によ
って発振された、例えば３００ＭＨｚの搬送波を、中央
処理部６３から入力した信号に基づいて、変調回路642
で変調して、これを高周波増幅回路643及びデュープレ
クサ６５を介してアンテナ313に供給する。

【００６８】また、デュープレクサ６５は、ローパスフ
ィルタ６５ａ及びハイパスフィルタ６５ｂからなり、例
えば１００ＫＨｚ〜３００ＫＨｚ程度の周波数の信号の
みをローパスフィルタ６５ａを介してアンテナ313から
整流回路６１及び検波部６２へ伝送し、３００ＭＨｚ程
度の高周波信号をハイパスフィルタ６５ｂを介して発振
部６４からアンテナ313へ伝送する。

【００６９】図８は、圧力センサ３２の電気系回路を示
す構成図である。図において、図７に示す温度センサ３
１と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省
略する。また、温度センサ３１と圧力センサ３２のとの
相違点は、図７の温度センサ本体311に代えて圧力セン
サ本体321を設け、中央処理部６３によって圧力を検出
して記憶部632に蓄積し、この圧力履歴情報を送信する
ようにしたことにある。

【００７０】即ち、圧力センサ３２の中央処理部６３
は、電源が供給されて駆動するとＥＥＰＲＯＭ等の半導
体メモリからなる記憶部632内に記憶されているプログ
ラムに基づいて、実測処理開始命令を受信したときに、
Ａ／Ｄ変換回路634を介して圧力センサ321によって所定
時間の圧力検出を行い、この時間内の検出圧力の時間的
な履歴を圧力履歴情報として記憶部632に蓄積すると共
に、制御装置２０から情報読み出し命令を受信したとき
に蓄積した圧力履歴情報をＤ／Ａ変換回路635を介して
発信部６４に出力すると共に、送信終了後に記憶部632
に蓄積されている圧力履歴情報を消去する。

【００７１】また、記憶部632の所定アドレスには、こ
のトランスポンダに固有のＩＤコードが記憶されてお
り、トランスポンダ312はこのＩＤコードが指定された
信号を受信したときにのみ上記処理を行う。

【００７２】次に、前述の構成よりなる加硫システムの
動作を説明する。

【００７３】本システムの一連の動作は、図９に示すよ
うに、タイヤの加硫が終了して加硫モールド１１が開放
された後、制御装置２０から情報読み出し命令を送信し
て測定部３０の温度センサ３１及び圧力センサ３２から
加硫中の温度及び圧力の履歴情報を読み出す。これと並
行して作業員によってモールド１１内の加硫済みタイヤ
が取り出された後、次に加硫を行うグリーンタイヤがモ
ールド１１内に挿入される。ここで、加硫モールド１１
の開放から情報読み出し命令の送信開始までの時間は中
央処理部２１のプログラムでｔ1に設定されている。

【００７４】制御装置２０は、温度センサ３１及び圧力
センサ３２から読み出した温度及び圧力データに基づい
て、次の加硫処理における温度及び圧力の制御値を補正
する。

【００７５】次いで、加硫装置１０のスタートスイッチ
がオンされると、制御装置２０から測定部３０の温度セ
ンサ３１及び圧力センサ３２に対して実測処理開始命令
が送信され、加硫モールド１１が閉鎖されて、加硫処理
が開始される。このときのモールド１１内の温度及び圧
力は上記補正され値で制御が行われる。この後、所定時
間の加硫処理が終了すると、モールド１１が開放され
る。

【００７６】ここで、スタートスイッチがオンされてか
ら実測処理開始命令の送信が開始されるまでの時間はｔ
2、実測処理開始命令の送信開始から加硫モールド１１
の閉鎖までの時間はｔ3、モールド１１が閉鎖されてか
ら加硫処理が開始されるまでの時間はｔ4、加硫処理時
間はｔ5、加硫処理が終了してからモールドが開放され
るまでの時間はｔ6にそれぞれ中央処理部２１のプログ
ラムによって設定されている。

【００７７】次に、制御装置２０並びに温度センサ３１
及び圧力センサ３２の詳細な動作を図１０乃至図１２の
フローチャートに基づいて説明する。

【００７８】制御装置２０の中央処理部２１は、図１０
のフローチャートに示すように、加硫装置１０の操作部
１５に備わるスタートスイッチがオンされたか否かを監
視し（ＳＡ１）、スタートスイッチがオンされたとき
に、通信部２５を介して温度センサ３１及び圧力センサ
３２に対して１００〜３００ＫＨｚの電波によって実測
処理開始命令を送信する（ＳＡ２）。このとき実測処理
命令には温度センサ３１及び圧力センサ３２のそれぞれ
のトランスポンダ312,322を指定するＩＤコードが付記
される。さらに、実測処理開始命令を送信する前に搬送
波のみを所定時間送信して、温度センサ３１及び圧力セ
ンサ３２の電源部314,324に充電が行われる。

【００７９】実測処理開始命令の送信を終了した制御装
置２０の中央処理部２１は、加硫モールド１１を閉鎖し
（ＳＡ３）、中央処理部２１内に備わるタイマー（図示
せず）をリセットしてスタートさせ、時間の計時を開始
する（ＳＡ４）。次いで、中央処理部２１は、記憶部２
２に記憶されている温度及び圧力の制御値に基づいて加
硫モールド１１内の温度と圧力を制御して変化させ加硫
処理を開始する（ＳＡ５）。

【００８０】この後、中央処理部２１は、タイマーの計
時時間が加硫処理終了時間に達したか否かを判定し（Ｓ
Ａ６）、加硫処理終了時間に達したいときは加硫モール
ド１１内の温度と圧力を常温常圧に戻して加硫処理を終
了（ＳＡ７）した後、加硫モールド１１を開放する（Ｓ
Ａ８）。

【００８１】加硫モールド１１を開放した後、中央処理
部２１は通信部２５を介して測定部３０の温度センサ３
１及び圧力センサ３２に対して情報読み出し命令を送信
し（ＳＡ９）、これに対して温度センサ３１及び圧力セ
ンサ３２から送信された温度履歴情報及び圧力履歴情報
を受信する（ＳＡ１０）。

【００８２】次いで、中央処理部２１は、記憶部２２に
記憶されている理想的な加硫処理の温度と圧力の時系列
データ（理想値（基準履歴情報））と、受信して得られ
た温度と圧力の履歴情報とを比較する（ＳＡ１１）。こ
の比較において、温度の実測値と理想値との差が所定の
しきい値以上のものがあるか否かを判定し（ＳＡ１
２）、しきい値以上の差を示す実測値が存在するときは
後述するＳＡ１５の処理に移行する。また、温度の実測
値と理想値との温度差がしきい値に達していないとき
は、圧力の実測値と理想値との差が所定のしきい値以上
のものがあるか否かを判定し（ＳＡ１３）、しきい値以
上の差を示す実測値が存在するときは後述するＳＡ１５
の処理に移行する。

【００８３】温度の実測値と理想値との温度差がしきい
値に達していないときは、上記比較の結果に基づいて、
次の加硫処理におけるモールド内温度と圧力の制御値を
補正して（ＳＡ１４）、前記ＳＡ１の処理に移行する。

【００８４】また、温度或いは圧力の実測値と理想値と
の差がしきい値以上のときは、加硫装置１０の故障等の
異常が生じたものとして加硫装置１０を停止して（ＳＡ
１５）、表示部２４にこの旨を表示すると共に、警報部
２６を介して警報を発生する（ＳＡ１６）。これによ
り、不良製品の発生を最小限に留めることができる。

【００８５】一方、温度センサ３１においては、図１１
のフローチャートに示すように、トランスポンダ312の
中央処理部６３は、制御装置２０からの自己に対する実
測処理開始命令を受信したか否かを監視し（ＳＢ１）、
実測処理開始命令を受信しないときは後述するＳＢ７の
処理に移行し、受信したときはタイマー回路633をリセ
ットしてスタート（ＳＢ２）させた後、加硫処理の間、
１秒間隔で温度を検出してこの温度値を記憶部632に順
次記憶して温度履歴情報とする。

【００８６】即ち、中央処理部６３は、Ａ／Ｄ変換回路
634を介して温度センサ本体311から検出温度値を取得し
（ＳＢ３）、このデータを記憶部632に蓄積する（ＳＢ
４）。次いで、加硫処理の終了時間に達したか否か、即
ち実測処理開始命令を受信してから時間（ｔ3＋ｔ4＋ｔ
5）が経過したか否かを判定し（ＳＢ５）、加硫処理終
了時間に達したときは測定処理を終了して前記ＳＢ１の
処理に移行し、加硫処理終了時間に達していないとき
は、前回の温度検出から１秒経過したか否かを判定し
（ＳＢ６）、１秒経過したら前記ＳＢ３の処理に移行し
て温度検出処理を継続する。

【００８７】また、前記ＳＢ１の判定の結果、実測処理
開始命令を受信しないときは情報読み出し命令を受信し
たか否かを判定し（ＳＢ７）、情報読み出し命令を受信
したときは記憶部632に蓄積されている温度履歴情報を
読み出してこれを送信する（ＳＢ８，ＳＢ９）。この
後、記憶部632内の温度履歴情報を消去する（ＳＢ１
０）。これにより、温度履歴情報の二重読み取り等の検
出誤りの発生を防止することができる。

【００８８】また、圧力センサ３２においても温度セン
サ３１とほぼ同様の処理が行われる。

【００８９】即ち、図１２のフローチャートに示すよう
に、トランスポンダ322の中央処理部６３は、制御装置
２０からの自己に対する実測処理開始命令を受信したか
否かを監視し（ＳＣ１）、実測処理開始命令を受信しな
いときは後述するＳＣ７の処理に移行し、受信したとき
はタイマー回路633をリセットしてスタート（ＳＣ２）
させた後、加硫処理の間、１秒間隔で圧力を検出してこ
の圧力値を記憶部632に順次記憶して圧力履歴情報とす
る。

【００９０】即ち、中央処理部６３は、Ａ／Ｄ変換回路
634を介して圧力センサ本体321から検出圧力値を取得し
（ＳＣ３）、このデータを記憶部632に蓄積する（ＳＣ
４）。次いで、加硫処理の終了時間に達したか否か、即
ち実測処理開始命令を受信してから時間（ｔ3＋ｔ4＋ｔ
5）が経過したか否かを判定し（ＳＣ５）、加硫処理終
了時間に達したときは測定処理を終了して前記ＳＣ１の
処理に移行し、加硫処理終了時間に達していないとき
は、前回の圧力検出から１秒経過したか否かを判定し
（ＳＣ６）、１秒経過したら前記ＳＣ３の処理に移行し
て圧力検出処理を継続する。

【００９１】また、前記ＳＣ１の判定の結果、実測処理
開始命令を受信しないときは情報読み出し命令を受信し
たか否かを判定し（ＳＣ７）、情報読み出し命令を受信
したときは記憶部632に蓄積されている圧力履歴情報を
読み出してこれを送信する（ＳＣ８，ＳＣ９）。この
後、記憶部632内の圧力履歴情報を消去する（ＳＣ１
０）。

【００９２】前述したように本実施形態によれば、加硫
モールド１１内の加硫１サイクルにおける温度及び圧力
の履歴情報をトランスポンダ312,322を備えた温度セン
サ３１及び圧力センサ３２によって記録しておき、加硫
モールド１１の開放時にこれらのトランスポンダをアク
セスすることによって蓄積された温度及び圧力の履歴情
報を取得して次回の加硫処理における温度及び圧力の制
御値を補正しているので、加硫モールド１１に測定のた
めの配線接続等の特別な加工を施すことなく、加硫処理
中における密閉されたモールド１１内の温度及び圧力を
正確に且つ容易に知ることができる。

【００９３】また、制御装置２０によって実測した温度
値及び圧力値が理想値の温度値及び圧力値に近づくよう
にモールド内の温度及び圧力が制御されるので、従来に
比べて製造製品の外観及び物性の質を向上させることが
できる。

【００９４】尚、本実施形態では、測定部３０を構成す
る温度センサ３１と圧力センサ３２を別体に形成した
が、これらを一体形成しても良い。例えば、図１３及び
図１４１４に示すように、温度センサ本体311、圧力セ
ンサ本体321、１つのトランスポンダ本体332等を一体と
して保護部材336中に埋設した温度・圧力センサ３３を
形成し、１つのトランスポンダ本体332によって温度及
び圧力の履歴情報を取得できるようにしても良い。

【００９５】また、本実施形態では、温度センサ３１及
び圧力センサ３２をそれぞれ１個ずつ設けたが、それぞ
れ２つ以上設けて複数の履歴情報を取得し、これら複数
の履歴情報に基づいて制御値を補正するようにしても良
い。

【００９６】さらに、本実施形態では測定部３０による
測定対象を温度と圧力にしたが、これら以外のモールド
１１内の状態を検出する際にも、検出対象に合わせたセ
ンサ本体に代えることにより、モールド内の状態の履歴
を正確に且つ容易に測定することができる。

【００９７】また、本実施形態では測定部３０の温度セ
ンサ３１及び圧力センサ３２により蓄積された履歴情報
をトランスポンダを用いた通信によって制御装置２０に
取り込むようにしたが、トランスポンダを用いることな
く、モールド１１が開放されてから配線接続して履歴情
報を取得するようにしても良い。

【００９８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１記
載の加硫モールド内の状態検出方法によれば、少なくと
もモールドが密閉されて加硫処理が開始された後にセン
サによって検出対象となる１つ以上の状態、例えばモー
ルド内の温度や圧力等が検出され、該検出結果が前記モ
ールド内に配置された記憶手段に記憶されるので、前記
加硫処理が終了して前記モールドが開放された後に、前
記記憶手段に記憶されている検出結果を読み出すことに
より、加硫処理中における密閉されたモールド内の状態
を正確に且つ容易に知ることができる。

【００９９】また、請求項２記載の加硫モールド内の状
態検出方法によれば、上記の効果に加えて、前記センサ
によって所定時間おきに複数回の状態検出が行われ、該
複数の検出結果が前記記憶手段に記憶されるので、加硫
処理中におけるモールド内の状態の正確な履歴を容易に
知ることができる。

【０１００】また、請求項３記載の加硫モールド内の状
態検出方法によれば、上記の効果に加えて、前記モール
ド内に配置された記憶手段の記憶内容はトランスポンダ
によってワイアレスでアクセスされてモールド外部に向
けて送信され、前記記憶手段に記憶されている検出結果
が読み出されるので、検出結果の読み出し時に前記記憶
手段への配線接続などを行う必要が無く、非常に簡単に
検出結果の読み出しを行うことができる。

【０１０１】また、請求項４記載の加硫モールド内の状
態検出方法によれば、上記の効果に加えて、前記センサ
によってモールド内の温度が検知され該検知温度が記憶
手段に記憶されるので、加硫処理中における密閉された
モールド内の温度を正確に且つ容易に知ることができ
る。

【０１０２】また、請求項５記載の加硫モールド内の状
態検出方法によれば、上記の効果に加えて、前記センサ
によってモールド内の圧力が検知され該検知圧力が記憶
手段に記憶されるので、加硫処理中における密閉された
モールド内の圧力を正確に且つ容易に知ることができ
る。

【０１０３】また、請求項６記載の加硫モールド内の状
態検出方法によれば、上記の効果に加えて、前記センサ
によってモールド内の温度と圧力が検知され該検知温度
及び圧力が記憶手段に記憶されるので、加硫処理中にお
ける密閉されたモールド内の温度と圧力を正確に且つ容
易に知ることができる。

【０１０４】また、請求項７記載の温度センサによれ
ば、センサ本体と記憶手段及びトランスポンダが保護部
材によって保護されているので、保護部材の耐え得る環
境においての使用が可能であると共に、センサ本体の温
度検知部には高熱伝導性部材を介して周囲の熱が伝達さ
れるので、遅延時間をほとんど生じること無く周囲温度
を検知することができる。また、センサ本体による検知
温度情報は記憶手段に記憶されると共に前記記憶手段に
記憶された検知温度情報はトランスポンダを介してアク
セスすることができるので、ワイアレスで検知結果の読
み出しを容易に行うことができ、密閉容器内部等の外界
から隔離された場所における温度も容易に検出すること
ができる。

【０１０５】また、請求項８記載の温度センサによれ
ば、上記の効果に加えて、前記トランスポンダを介して
前記記憶手段に記憶されている検知温度情報が読み出さ
れた後に初期化手段によって前記記憶手段の記憶内容が
初期化されるので、検知温度情報の二重読み取り等の検
出誤りの発生を防止することができる。

【０１０６】また、請求項９記載の温度センサによれ
ば、上記の効果に加えて、前記記憶手段によって所定時
間内における検知温度の履歴情報が記憶されるので、前
記記憶手段の１回の読み取り処理によって検知対象温度
の変化を正確に知ることができる。

【０１０７】また、請求項１０記載の加硫システムによ
れば、加硫装置のモールドが密閉されて加硫処理が行わ
れている間にも、前記モールド内に配置された測定部に
よってモールド内の温度が検出されてその履歴情報が記
憶されると共に該実測履歴情報をトランスポンダを介し
てワイアレスで読み出すことができるので、前記密閉状
態のモールド内の温度を正確に且つ容易に検出して知る
ことができる。また、制御手段によって前記実測履歴情
報の温度が基準履歴情報の温度に近づくように前記モー
ルド内の温度が制御されるので、従来に比べて製造製品
の外観及び物性の質を向上させることができる。

【０１０８】また、請求項１１記載の加硫システムによ
れば、上記の効果に加えて、加硫装置のモールドが密閉
されて加硫処理が行われている間にも、前記モールド内
に配置された測定部によってモールド内の温度及び圧力
が検出されてその履歴情報が記憶されると共に該実測履
歴情報をトランスポンダを介してワイアレスで読み出す
ことができるので、前記密閉状態のモールド内の温度及
び圧力を正確に且つ容易に検出して知ることができる。
また、制御手段によって前記実測履歴情報の温度及び圧
力が基準履歴情報の温度及び圧力に近づくように前記モ
ールド内の温度と圧力が制御されるので、製造製品の外
観及び物性の質をさらに向上させることができる。

【０１０９】また、請求項１２記載の加硫システムによ
れば、上記の効果に加えて、前記測定部のセンサ、記憶
手段、及びトランスポンダが一体に形成されているの
で、測定部の小型化可能となる。

【０１１０】また、請求項１３記載の加硫システムによ
れば、上記の効果に加えて、前記加硫装置のモールド内
には２つ以上の測定部が設けられ、制御装置の通信手段
がそれぞれの測定部から受信した２つ以上の実測履歴情
報に基づいて、前記制御装置の制御手段によって加硫処
理の制御が行われるので、加硫処理制御の精度を向上さ
せることができる。

【０１１１】また、請求項１４記載の加硫システムによ
れば、上記の効果に加えて、前記加硫装置において１サ
イクルの加硫処理が終了してモールドが開放されたとき
に、制御装置の通信手段により、前記トランスポンダと
の通信が行われて前記実測履歴情報が受信され、該通信
手段が受信した実測履歴情報に基づいて、前記制御装置
の制御手段により、次の１サイクルの加硫処理制御が行
われるので、前記モールドが前記トランスポンダと通信
手段との間の通信を遮断する物質によって構成されてい
る場合にも１サイクル遅れで的確な制御を行うことがで
きる。

【０１１２】また、請求項１５記載の加硫システムによ
れば、上記の効果に加えて、実測履歴情報と基準履歴情
報との温度差或いは圧力差が所定の閾値以上のときに、
前記制御装置の異常処理手段によって前記加硫装置が停
止されると共に警報が発せられるので、不良製品の発生
を最小限に止めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態における加硫システムを示
す構成図

【図２】本発明の一実施形態における加硫モールドを示
す構成図

【図３】本発明の一実施形態における温度センサを示す
平面図

【図４】本発明の一実施形態における温度センサを示す
側断面図

【図５】本発明の一実施形態における圧力センサを示す
平面図

【図６】本発明の一実施形態における圧力センサを示す
側断面図

【図７】本発明の一実施形態における温度センサの電気
系回路を示す構成図

【図８】本発明の一実施形態における圧力センサの電気
系回路を示す構成図

【図９】本発明の一実施形態における加硫処理過程を説
明する図

【図１０】本発明の一実施形態における制御装置の処理
を説明するフローチャート

【図１１】本発明の一実施形態における温度センサの測
定処理を説明するフローチャート

【図１２】本発明の一実施形態における圧力センサの測
定処理を説明するフローチャート

【図１３】本発明の一実施形態における温度・圧力セン
サの他の実施例を示す平面図

【図１４】本発明の一実施形態における温度・圧力セン
サ電気系回路の他の実施例を示す構成図

【符号の説明】

１０…加硫装置、１１…加硫モールド、１２…圧力調節
部、１３…温度調節部、１４…開閉機構駆動部、１５…
操作部、２０…制御装置、２１…中央処理部、２２…記
憶部、２３…操作部、２４…表示部、２５…通信部、２
６…警報部、２７…インタフェース部、３０…測定部、
３１…温度センサ、311…温度センサ本体、312…トラン
スポンダ本体、313…アンテナ、314…電源部、315…高
熱伝導部材、316…保護部材、３２…圧力センサ、321…
圧力センサ本体、322…トランスポンダ本体、323…アン
テナ、324…電源部、325…保護部材、３３…温度・圧力
センサ、６１…整流回路、６２…検波部、６３…中央処
理部、６４…発信部、６５…デュープレクサ。

フロントページの続き (72)発明者 相馬 正彦 神奈川県平塚市追分２番１号 横浜ゴム株 式会社平塚製造所内 Ｆターム(参考） 4F202 AA45 AB22 AM19 AP02 AP05 AP17 AQ03 CA27 CB01 CS10 4F203 AA45 AB22 AM19 AP02 AP05 AP17 AQ03 DA11 DB01 DC01 DD01 DK08

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 硫黄を混ぜた生ゴムをモールド内に封入
   して加硫処理を行っているときのモールド内の状態を検
   出する加硫モールド内の状態検出方法であって、 少なくとも前記モールドが密閉されて加硫処理が開始さ
   れた後、 検出対象となる１つ以上の状態を前記モールド内に配置
   した１つ以上のセンサによって検出し、 該検出結果を前記モールド内に配置された記憶手段に記
   憶し、 前記加硫処理が終了して前記モールドが開放された後、 前記記憶手段に記憶されている検出結果を読み出すこと
   を特徴とする加硫モールド内の状態検出方法。
2. 【請求項２】 前記センサによって所定時間おきに複数
   回状態検出を行い、該複数の検出結果を前記記憶手段に
   記憶することを特徴とする請求項１記載の加硫モールド
   内の状態検出方法。
3. 【請求項３】 前記記憶手段の記憶内容をアクセスする
   トランスポンダを前記モールド内に配置し、該トランス
   ポンダを用いてワイアレスで前記記憶手段に記憶されて
   いる検出結果を読み出すことを特徴とする請求項１記載
   の加硫モールド内の状態検出方法。
4. 【請求項４】 前記検出対象となるモールド内の状態が
   モールド内温度であることを特徴とする請求項１記載の
   加硫モールド内の状態検出方法。
5. 【請求項５】 前記検出対象となるモールド内の状態が
   モールド内圧力であることを特徴とする請求項１記載の
   加硫モールド内の状態検出方法。
6. 【請求項６】 前記検出対象となるモールド内の状態が
   モールド内温度と圧力であることを特徴とする請求項１
   記載の加硫モールド内の状態検出方法。
7. 【請求項７】 本体の一部をなす温度検知部で温度を検
   知し該検知温度に対応した電気信号に変換して出力する
   センサ本体と、 前記温度検知部に密着された高熱伝導性部材と、 前記センサ本体から出力された電気信号に基づいて、検
   知温度情報を記憶する記憶手段と、 前記記憶手段の記憶情報をアクセスするトランスポンダ
   と、 前記高熱伝導性部材の所定部分を除く他の部分と前記セ
   ンサ本体、前記記憶手段及び前記トランスポンダとを密
   閉して覆う保護部材とからなることを特徴とする温度セ
   ンサ。
8. 【請求項８】 前記トランスポンダによって前記記憶手
   段がアクセスされ、前記記憶手段に記憶されていた検知
   温度情報が読み出された後に前記記憶手段の記憶内容を
   初期化する初期化手段を設けたことを特徴とする請求項
   ７記載の温度センサ。
9. 【請求項９】 前記記憶手段は、所定時間内における検
   知温度の履歴情報を記憶することを特徴とする請求項７
   記載の温度センサ。
10. 【請求項１０】 加硫装置と該加硫装置の動作制御を行
    う制御装置とを備え、硫黄を混ぜた生ゴムを加硫装置の
    モールド内に封入して加硫処理を行う加硫システムにお
    いて、 前記モールド内部の温度を検出して電気信号に変換する
    温度センサと、 前記温度センサから出力される電気信号に基づいて、少
    なくとも加硫１サイクルの間の温度の実測履歴情報を電
    気的に記憶する実測情報記憶手段と、 前記実測情報記憶手段の記憶内容をアクセスして前記実
    測履歴情報を送信するトランスポンダとからなる測定部
    を前記加硫装置のモールド内に配置すると共に、 前記制御装置に、 前記トランスポンダとの通信手段と、 加硫１サイクルの間の好適なモールド内温度履歴情報が
    基準履歴情報として格納されている基準情報記憶手段
    と、 前記通信手段によって受信した前記実測履歴情報と前記
    基準履歴情報とを比較し、前記実測履歴情報における温
    度が前記基準履歴情報における温度に近づくように前記
    加硫装置のモールド内温度を制御する制御手段とを設け
    たことを特徴とする加硫システム。
11. 【請求項１１】 前記測定部に、前記加硫装置のモール
    ド内に配置され前記モールド内部の圧力を検出して電気
    信号に変換する圧力センサを設け、前記実測情報記憶手
    段は前記温度センサ及び圧力センサから出力される電気
    信号に基づいて、少なくとも加硫１サイクルの間の温度
    及び圧力の実測履歴情報を電気的に記憶すると共に、 前記基準情報記憶手段には加硫１サイクルの間の好適な
    モールド内温度履歴情報及び圧力履歴情報が基準履歴情
    報として格納され、 前記制御手段は前記通信手段によって受信した前記実測
    履歴情報と前記基準履歴情報とを比較し、前記実測履歴
    情報における温度と圧力が前記基準履歴情報における温
    度と圧力に近づくように前記加硫装置のモールド内温度
    と圧力を制御することを特徴とする請求項１０記載の加
    硫システム。
12. 【請求項１２】 前記測定部は一体形成されていること
    を特徴とする請求項１０又は１１記載の加硫システム。
13. 【請求項１３】 前記加硫装置のモールド内に２つ以上
    の測定部を設けると共に、前記制御手段は前記通信手段
    が受信した２つ以上の実測履歴情報に基づいて、加硫処
    理制御を行うことを特徴とする請求項１０又は１１記載
    の加硫システム。
14. 【請求項１４】 前記通信手段は、１サイクルの加硫処
    理が終了して前記加硫装置のモールドが開放されたとき
    に前記トランスポンダとの通信を行って前記実測履歴情
    報を受信すると共に、 前記制御手段は、前記通信手段が受信した実測履歴情報
    に基づいて、次の１サイクルの加硫処理における制御を
    行うことを特徴とする請求項１０又は１１記載の加硫シ
    ステム。
15. 【請求項１５】 前記制御装置に、前記実測履歴情報と
    前記基準履歴情報との温度差或いは圧力差が所定の閾値
    以上のときに前記加硫装置を停止して警報を発する異常
    処理手段を設けたことを特徴とする請求項１０又は１１
    記載の加硫システム。