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JP2000077767A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents

半導体レーザ駆動回路

Info

Publication number
JP2000077767A
JP2000077767A JP10249883A JP24988398A JP2000077767A JP 2000077767 A JP2000077767 A JP 2000077767A JP 10249883 A JP10249883 A JP 10249883A JP 24988398 A JP24988398 A JP 24988398A JP 2000077767 A JP2000077767 A JP 2000077767A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
reset
output
circuit
failure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10249883A
Other languages
English (en)
Inventor
Akiyoshi Iguchi
明義 井口
Kanehiro Tobita
謙洋 飛田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP10249883A priority Critical patent/JP2000077767A/ja
Publication of JP2000077767A publication Critical patent/JP2000077767A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザ駆動回路の故障検出後にリセッ
トしても、半導体レーザの平均光出力パワーを抑えて、
人体に危険な量のレーザ放射を行わない半導体レーザ駆
動回路を提供する。 【解決手段】 DCバイアス電流供給回路3は、半導体
レーザ4にバイアス電流を供給する。モニターフォトダ
イオード5は、半導体レーザ4から出力されたレーザ光
を受けて光電変換し、故障検出回路9は、その受光量に
よって故障を検出して、半導体レーザ4の光出力を停止
し、その故障を制御信号(TX_FAULT)にて外部
に通知する。リセット遅延回路10は、故障検出回路9
をリセットすると共に半導体レーザ4をオン指示するリ
セット信号(TX_DISABEL)を受けて、あらか
じめ設定された遅延時間経過後、DCバイアス電流供給
回路3の出力をオン指示する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ駆動
回路の故障検出後にリセットしても、人体に危険な量の
レーザ放射を行わない半導体レーザ駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、レーザを使用した製品では、レー
ザの持つエネルギーにより人体、特に眼や皮膚に障害が
発生するのを未然に防止するために、その危険度に応じ
てクラス分けを行うことが、規格および法律等により規
定されている。
【0003】半導体レーザを光源とした光データリンク
では、レーザ安全をクラス1とすることが多い。このク
ラス1は、本質的に安全で、どのような条件の下でも人
体に対するレーザ放射の露光の管理値(これを最大許容
露光量という)を超えないことが求められる。このた
め、半導体レーザ駆動回路にレーザ安全クラス1の最大
許容露光量のレーザ放射を生じうる故障が発生した場合
には、半導体レーザの光出力を直ちに停止し、異常が発
生したことを制御信号等により外部に出力することが多
い。また、半導体レーザの光出力のオン/オフを、デー
タリンク外部から入力される信号により制御できるよう
にしている。ここで、簡便のために、その故障を検出す
る回路を単に「故障検出回路」、その故障を外部に通知
する制御出力信号を「TX_FAULT」、半導体レー
ザの光出力のオン/オフを制御する入力信号を「TX_
DISABLE」とする。
【0004】図5に光データリンクの送信部の半導体レ
ーザ駆動回路の構成例を示す。DCバイアス電流供給回
路3は、半導体レーザ4にバイアス電流を供給する。入
力バッファ1は、送信データを受けて、変調電流駆動回
路2を変調し、その変調電流を半導体レーザ4のバイア
ス電流に重畳する。モニターフォトダイオード5は、半
導体レーザ4から出力されたレーザ光を受けて、光電変
換する。そして積分回路6でその電流を積分して、基準
電圧発生器7からの基準電圧を誤差増幅器8にて比較増
幅して、DCバイアス電流供給回路3にフィードバック
すると共に、故障検出回路9に出力する。故障検出回路
9は、モニターフォトダイオード5の受光量によって故
障を検出して、半導体レーザ4の光出力を停止し、その
故障を制御信号にて外部に通知する。
【0005】半導体レーザは、しきい値電流が温度依存
性を持っている。そのため、上記構成に示すように、半
導体レーザ4の光出力パワーをフォトダイオード5によ
りモニターし、半導体レーザ4の光出力パワーが一定と
なるようにバイアス電流を負帰還制御するAPC(Autom
atic Power Control)回路が必要となる。APC制御を
正常に行っている場合には、フォトダイオード5の出力
電流は一定に保たれている。何らかの故障が発生し、半
導体レーザ4の光出力パワーが大きくなり過ぎた場合に
はフォトダイオード5の出力電流はそれに応じて増加す
る。例えば、モニターフォトダイオード5の出力が開放
状態になってしまった場合にはバイアス電流がAPCに
よりバイアス電流供給回路3のドライブ能力の限界まで
流れうる。一方、半導体レーザの光出力パワーが低下し
ている場合にはフォトダイオード5の出力電流は減少す
る。また、半導体レーザ4が劣化してくると、しきい値
電流が次第に増加するためバイアス電流は次第に増加す
る。このため、半導体レーザ駆動回路の故障状態とし
て、第1にモニターフォトダイオード5の出力電流の値
が所定の値以下となった場合、第2にモニターフォトダ
イオード5の出力電流の値が所定の値を超えた場合、第
3に半導体レーザ4のバイアス電流が初期値の2倍程度
となった場合等を規定することが多い。
【0006】故障検出回路9が半導体レーザ駆動回路の
故障を検出した場合、故障検出回路9は半導体レーザ4
の光出力を停止し、TX_FAULT出力をActiv
e(たいていはActive High)にする。そし
て、この半導体レーザ4の光出力が停止し、TX_FA
ULT出力がActiveの状態がラッチされる。この
場合のタイミングチャートの例を図6に示す。
【0007】しかしながら、予想し得ない事象により過
渡的に故障として検出する場合も起こりうるため、ラッ
チした故障検出状態をTX_DISABLE等の制御入
力信号を使用してリセットできるようにすることがあ
る。この場合のタイミングチャートの例を図7および図
8に示す。図7は検出された故障が過渡的な場合、図8
は検出された故障が継続的な場合である。このタイミン
グチャートの故障検出回路では、故障検出状態(TX_
FAULTがHigh、半導体レーザの光出力がオフの
状態)となっている時に、TX_DISABLEを最小
t_resetの間だけHighにすることで、故障検
出状態をリセットすることができる。検出された故障が
過渡的な場合には、図7に示すように、TX_DISA
BLEをLowにしてからt_on_reset以内
に、TX_FAULTをLowにし、半導体レーザの光
出力をオンにする。検出された故障が継続的な場合に
は、図8に示すように、TX_DISABLEを最小t
_resetの間だけHighにした後にLowにする
と故障検出状態をリセットするが、故障が継続している
ため、故障検出回路がその状態を検出する。そして、故
障を検出してからt_fault以内に半導体レーザの
光出力をオフにし、TX_FAULT出力をActiv
eにする。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
故障検出回路では、故障検出状態のリセットを行うと、
TX_DISABLEをLowにしてからt_on_r
eset以内に、TX_FAULTがLowに、半導体
レーザの光出力がオンになる。ここで、t_reset
は最小で10μsec程度の時間が要求され、t_fa
ultは最大で100μsec程度の時間が要求される
場合が多い。また、従来の技術では、t_onは、数1
0μsec〜数msec程度に設定する場合が多い。
【0009】故障が継続している状態でリセット動作を
繰り返して行うと、図9に示すように半導体レーザの光
出力がそれに応じてオンになり、t1 経過後に半導体レ
ーザの光出力はオフとなる、というパルス状に発光する
状態を繰り返す。半導体レーザの光出力がオンの状態が
継続する時間t1は、最悪の場合、故障が検出され故障
検出状態となるt_faultに等しくなる。短時間の
間にこのリセット動作を繰り返すと、リセット動作が繰
り返されている間の平均光出力パワーはかなり大きくな
ることが予想される。リセット動作が繰り返されている
間の平均光出力パワーをPave_resetとする
と、Pave_reset=Po・t1/(t1+t2
…となり、光出力のオンとオフのデューティ比が大き
いほど平均光出力パワーが大きくなる。故障状態、特に
APC回路に故障がある場合には、Poはかなり大きく
なり、Pave_resetはレーザ安全クラス1の最
大許容露光量を超える可能性が大きい。光データリンク
にこの故障検出回路が盛り込まれている場合、このリセ
ット動作は光データリンクが設置されるシステムにより
制御されるため、光データリンク単体でレーザ安全クラ
ス1を満足することはできなくなる。
【0010】本発明は、上記課題を解決するため、半導
体レーザ駆動回路の故障検出後にリセットしても、半導
体レーザの平均光出力パワーを抑えて、人体に危険な量
のレーザ放射を行わない半導体レーザ駆動回路を提供す
ることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】式より、リセット動作
が繰り返されている間の平均光出力パワーを小さくする
ためには、半導体レーザの光出力が オフになっている
時間t2を大きくすれば良いことがわかる。しかしなが
ら、光データリンク側の回路はスレーブとなっているた
め、システムがリセット動作を繰り返す間隔を制御する
ことができない。そこで、故障検出回路のリセット後に
半導体レーザの光出力がオンになるまでの時間t_on
_reset(図7参照)を長くすれば、半導体レーザ
の光出力がオフになっている時間t2を大きくすること
ができる。
【0012】この目的を達成するため、本発明の半導体
レーザ駆動回路は、半導体レーザに駆動電流を供給する
電流供給回路と、前記半導体レーザの発するレーザ光を
受光する受光素子と、この受光素子の出力の変化を検出
して故障の判定を行う故障検出回路と、この故障検出回
路をリセットすると共に前記半導体レーザをオン指示す
るリセット信号を受けて、あらかじめ設定された遅延時
間経過後、前記電流供給回路の出力をオン指示するリセ
ット遅延手段とを具備することを特徴とする。
【0013】以上の構成によって、故障検出回路がリセ
ット信号を受けた際、半導体レーザの出力がオンとなる
のを遅らせる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
【0015】図1は、本発明の半導体レーザ駆動回路の
構成例を示す。DCバイアス電流供給回路3は、半導体
レーザ4にバイアス電流を供給する。入力バッファ1
は、送信データを受けて、変調電流駆動回路2を変調
し、その変調電流を半導体レーザ4のバイアス電流に重
畳する。モニターフォトダイオード5は、半導体レーザ
4から出力されたレーザ光を受けて、光電変換する。そ
して積分回路6でその電流を積分して、基準電圧発生器
7からの基準電圧を誤差増幅器8にて比較増幅して、D
Cバイアス電流供給回路3にフィードバックすると共
に、故障検出回路9に出力する。故障検出回路9は、モ
ニターフォトダイオード5の受光量によって故障を検出
して、半導体レーザ4の光出力を停止し、その故障を制
御信号(TX_FAULT)にて外部に通知する。リセ
ット遅延回路10は、故障検出回路9をリセットすると
共に半導体レーザ4をオン指示するリセット信号(TX
_DISABEL)を受けて、あらかじめ設定された遅
延時間経過後、DCバイアス電流供給回路3の出力をオ
ン指示する。
【0016】図2は、本発明による故障検出回路のリセ
ット時のタイミングを示す。故障検出状態になっている
場合、TX_DISABELを最小t_resetの間
Highに保持した後、Lowにすると故障検出状態を
リセットできる。そしてt_intの後、半導体レーザ
の光出力がオンとなる。そしてt1後に再び故障を検出
して半導体レーザの光出力がオフとなる。
【0017】図3は、リセット動作が繰り返されたとき
のタイミング例を示す。時間間隔t3 でリセット動作が
繰り返されている間(TX_DISABELの破線で囲
んだ部分R)は、送信部光出力はオンとはならない(な
お、このリセット動作が繰り返されている時間はt_i
ntよりも短い時間であり、周期的にということではな
い)。t_int内に、リセット信号を繰り返し受け付
けて、最後のリセット信号を受け付けてからt_int
経過後、DCバイアス電流供給回路3の出力をオン指示
して、半導体レーザの光出力がオンとなる。
【0018】図4は、上記リセット遅延回路の一構成例
を示す。U1は、電源投入時にマイクロコンピュータ等
の自動リセット動作を行うパワー・オン・リセット(ま
たは電圧検出器)のIC(または、同等の機能を有する
回路)である。これに相当するICの例としては、Maxi
m Integrated Products社のMAX6314シリーズが
ある。
【0019】FAULT_DETECTは駆動回路中の
故障が検出された場合にHighとなり、これはフリッ
プフロップG1によりラッチされ、TX_FAULTに
Highが出力される。RESETはフリップフロップ
G1のリセットを行うための端子であり、U1のリセッ
ト出力が接続されている。RESETにはリセットを行
う場合Lowが入力される。RESETにLowが入力
されるのは、半導体レーザ駆動回路への電源投入時、お
よび故障検出状態のリセット動作時である。TX_DI
SABLEは外部から半導体レーザ駆動回路を制御する
ための入力信号であり、Highが入力された場合には
光出力はオフ、Lowが入力された場合には光出力はオ
ンとなる。LD_ENB+は半導体レーザの光出力のオ
ン/オフを最終的に制御する信号であり、TX_FAU
LTおよびTX_DISABLEの両方がLowの場合
にのみHighとなり、半導体レーザの光出力をオンに
できる。また、TX_DISABLEにより故障検出状
態のリセットを行うことができる。
【0020】次に図4の故障検出回路の論理真理値表を
以下の表1に示す。
【0021】
【表1】 ここで、H:High,L:Low,X:High or Low ↑:立ち上がり(Low to High),↓:立ち下がり(High t
o Low)を示す。
【0022】この表1の論理に従い、故障検出状態のリ
セットを行う時の動作は以下の様になる。
【0023】(1)FAULT_DETECT入力がL
owからHighに還移することで故障を検出すると、
TX_FAULTにHighを出力し、LD_ENB+
にLowを出力する(信号状態4)。これにより、半導
体レーザの光出力はオフとなる。
【0024】(2)FAULT_DETECT入力がH
ighからLowに還移しても、TX_FAULTおよ
びLD_ENB+出力はラッチされていて変化しない
(信号状態5)。
【0025】(3)TX_FAULTがHighの状態
でTX_DISABLEにHighを入力するとRES
ET_ENにLowが出力される(信号状態6)。
【0026】(4)RESET_ENにLowが出力、
つまりU1のマスターリセット入力(バーMR)にLo
wが入力される。
【0027】(5)U1のマスターリセット入力にLo
wが入力されると、U1はリセット出力(バーRESE
T)をLowとする。
【0028】(6)上記(3)でTX_DISABLE
にHighが入力されてからt_reset後にTX_
DISABLEはLowとなる。この時、RESET_
EN出力はHighになる(信号状態7)。
【0029】(7)U1のリセット出力は、RESET
_ENがHighに還移してから数100msecの間
(t_int)は、Lowに保たれる。U1のリセット
出力がLowつまり故障検出回路のRESET入力がL
owの間は、TX_FAULTにはHigh、LD_E
NB+にはLowが出力される。
【0030】(8)t_int後にU1のリセット出力
がHighつまり故障検出回路のRESET入力がHi
ghになると、TX_FAULT出力はLow、LD_
ENB+出力はHighとなり、半導体レーザの光出力
はオンとなる(信号状態2)。
【0031】(9)上記(7)により、t_intより
短い時間内に再度(1)〜(6)のリセット動作が繰り
返されたとしても、最後のリセット信号から、さらにt
_intの期間はLD_ENB+はHigh、つまり半
導体レーザの光出力はオンとはならない。
【0032】(10)再度故障を検出した場合には上記
(1)となる。
【0033】上記(1)〜(10)の動作により、t_
intが数100msec(またはそれ以上)となるよ
うに、パワーオンリセットのIC(または同等の機能を
有する回路)を選択すれば、リセット動作繰り返し時の
平均光出力パワーPave_resetを、従来の技術
の数100〜数1000分の1程度に抑えることができ
る。
【0034】以上のリセット遅延機能をパワーオンリセ
ット回路を用いて行うことによって、安価にかつ安定し
た動作を得ることができる。
【0035】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の半導体レー
ザ駆動回路は、故障検出回路がリセット信号を受けた
際、半導体レーザの出力がオンとなるのを遅らせるの
で、故障検出回路のリセットを繰り返している間の半導
体レーザの平均光出力パワーを抑えることができ、レー
ザ安全クラス1を満足するレベルにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体レーザ駆動回路の構成例を示す
図である。
【図2】本発明による故障検出回路のリセット時のタイ
ミングを示す図である。
【図3】リセット動作が繰り返されたときのタイミング
例を示す図である。
【図4】本発明によるリセット遅延回路の一構成例を示
す図である。
【図5】従来の半導体レーザ駆動回路の構成例を示す図
である。
【図6】従来の半導体レーザ駆動回路のタイミングチャ
ートである。
【図7】従来の半導体レーザ駆動回路のリセットのタイ
ミングチャートである。
【図8】従来の半導体レーザ駆動回路のリセットのタイ
ミングチャートである。
【図9】従来の半導体レーザ駆動回路の繰り返しリセッ
ト時のタイミングチャートである。
【符号の説明】
1…入力バッファ,2…変調電流駆動回路,3…DCバ
イアス電流供給回路,4…半導体レーザ,5…モニター
フォトダイオード,6…積分回路,7…基準電圧発生
器,8…誤差増幅器,9…故障検出回路,10…リセッ
ト遅延回路。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体レーザに駆動電流を供給する電流
    供給回路と、 前記半導体レーザの発するレーザ光を受光する受光素子
    と、 この受光素子の出力の変化を検出して故障の判定を行う
    故障検出回路と、 この故障検出回路をリセットすると共に前記半導体レー
    ザをオン指示するリセット信号を受けて、あらかじめ設
    定された遅延時間経過後、前記電流供給回路の出力をオ
    ン指示するリセット遅延手段とを具備することを特徴と
    する半導体レーザ駆動回路。
  2. 【請求項2】 前記リセット遅延手段が、前記遅延時間
    内に、前記リセット信号を繰り返し受け付けて、最後の
    リセット信号を受け付けてから前記遅延時間経過後、前
    記電流供給回路の出力をオン指示することを特徴とする
    請求項1記載の半導体レーザ駆動回路。
JP10249883A 1998-09-03 1998-09-03 半導体レーザ駆動回路 Pending JP2000077767A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8678693B2 (en) 2009-03-20 2014-03-25 The Procter & Gamble Company Brush head for use on a container for dispensing a composition

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