JP2000072526A - Target for transparent conductive film, transparent conductive glass and transparent conductive film - Google Patents
Target for transparent conductive film, transparent conductive glass and transparent conductive filmInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】透明性が高くかつ導電性に優れるとともに、従
来のＩＴＯ膜よりも仕事関数が高くて、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子などの電極に用いたときに正孔の注
入効率がよく、長期間にわたり安定した発光状態を維持
することのできる透明導電ガラスや透明導電フィルムを
提供すること。
【解決手段】酸化インジウムまたは酸化インジウムと酸
化亜鉛および／または酸化錫からなる基本的構成成分
に、酸化ルテニウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム
のいずれかを添加成分として特定割合で混合してなる組
成物の焼結体と、該焼結体からなるターゲット、および
該ターゲットを用いて成膜して得られる透明導電ガラス
ならびに透明導電フィルム。(57) [Summary] [PROBLEMS] To achieve high hole injection efficiency when used for an electrode such as an organic electroluminescent device, while having high transparency and excellent conductivity, and having a higher work function than a conventional ITO film. To provide a transparent conductive glass or a transparent conductive film capable of maintaining a stable light emitting state for a long period of time. SOLUTION: A composition obtained by mixing ruthenium oxide, molybdenum oxide, or vanadium oxide in a specific ratio as an additional component to a basic component composed of indium oxide or indium oxide and zinc oxide and / or tin oxide. A sintered body, a target made of the sintered body, and a transparent conductive glass and a transparent conductive film obtained by forming a film using the target.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置用の透明
導電膜の素材として有用性の高い金属酸化物の焼結体
と、その焼結体からなる透明導電膜のスパッタリング用
ターゲットおよびこのターゲットを用いて成膜してなる
透明導電膜を被覆した透明導電ガラスならびに透明導電
フィルムに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sintered body of a metal oxide having high utility as a material of a transparent conductive film for a display device, a target for sputtering a transparent conductive film made of the sintered body, and this target. The present invention relates to a transparent conductive glass and a transparent conductive film coated with a transparent conductive film formed by using the method described above.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、表示装置として従来のＣＲＴより
も低消費電力化されかつ薄型で軽量化された液晶表示装
置やエレクトロルミネッセンス表示装置、フィールドエ
ミッションディスプレイなどが、事務機器や工場におけ
る制御システム用に開発されている。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices, electroluminescent display devices, and field emission displays, which have lower power consumption and are thinner and lighter than conventional CRTs, have been used for office equipment and control systems in factories. Has been developed.
【０００３】このような平面発光ディスブレイ、例えば
エレクトロルミネッセンス表示装置においては有機化合
物を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子の開発
が著るしく進展している。この有機エレクトロルミネッ
センス素子の構造としては、透明導電膜からなる陽極と
陰極の間に、有機化合物層からなる発光層を形成してな
る単層構造、あるいは陽極と陰極の間に、正孔輸送層と
発光層の２層を形成した２層構造、さらには陽極と陰極
の間に、正孔輸送層と発光層および電子輸送層を形成し
た３層構造などの素子構造を有するものがある。そし
て、このような有機エレクトロルミネッセンス素子は、
いずれの素子構造を有する場合においても、陽極から注
入された正孔と陰極から注入された電子が、正孔輸送層
あるいは電子輸送層を介して発光層に到達し、この発光
層においてこれら正孔と電子が再結合することにより発
光するのである。In such a flat light-emitting display, for example, an electroluminescent display device, the development of an organic electroluminescent element using an organic compound has been remarkably progressed. The structure of the organic electroluminescent element may be a single-layer structure in which a light-emitting layer formed of an organic compound layer is formed between an anode and a cathode formed of a transparent conductive film, or a hole transport layer may be formed between the anode and the cathode. And an element structure such as a three-layer structure in which a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer are formed between an anode and a cathode. And such an organic electroluminescence element,
In any of the device structures, the holes injected from the anode and the electrons injected from the cathode reach the light emitting layer via the hole transport layer or the electron transport layer, and these holes are generated in the light emitting layer. Light is emitted when the electrons recombine with the electrons.
【０００４】このように、有機エレクトロルミネッセン
ス素子の陽極から正孔輸送層を介して正孔が発光層に注
入される際には、この陽極と正孔輸送層の間にエネルギ
ー障壁ができるだけ少ないことが望ましい。このエネル
ギー障壁を少なくするためには、陽極材料の仕事関数と
正孔輸送層に用いられている有機化合物の有するイオン
化ポテンシャルの間の差を小さくすることが必要であ
る。この正孔輸送層の形成に用いることの可能な正孔輸
送物質としては、様々な有機化合物が提案されている
が、それらの中でも芳香族アミン系の化合物、とくにト
リフェニルアミン誘導体が優れた機能を有するものとし
て知られている。そして、このトリフェニルアミン誘導
体であるトリフェニルアミンでは、そのイオン化ポテン
シャルが５．５〜５．６エレクトロンボルトである。一
方、透明導電膜としては、透明性がよくかつ電気抵抗が
低いものとして、酸化インジウム−酸化錫（以下、ＩＴ
Ｏと略記する）がよく知られている。そして、このＩＴ
Ｏの仕事関数は４．６エレクトロンボルトである。した
がって、このような一般的な材料からなる陽極と正孔輸
送層との間においては、かなり大きいエネルギー障壁が
存在することになる。As described above, when holes are injected from the anode of the organic electroluminescence element into the light emitting layer via the hole transport layer, the energy barrier between the anode and the hole transport layer must be as small as possible. Is desirable. In order to reduce the energy barrier, it is necessary to reduce the difference between the work function of the anode material and the ionization potential of the organic compound used for the hole transport layer. Various organic compounds have been proposed as hole transport materials that can be used for forming the hole transport layer. Among them, aromatic amine compounds, particularly triphenylamine derivatives, have excellent functions. Are known. The triphenylamine which is a derivative of the triphenylamine has an ionization potential of 5.5 to 5.6 electron volts. On the other hand, as a transparent conductive film, indium oxide-tin oxide (hereinafter, referred to as IT) has good transparency and low electric resistance.
O). And this IT
The work function of O is 4.6 electron volts. Therefore, a considerably large energy barrier exists between the anode made of such a general material and the hole transport layer.
【０００５】このようなことから、例えば、特開平９−
６３７７１号公報においては、陽極と陰極との間に有機
化合物層を設けた有機薄膜発光素子における陽極とし
て、ＩＴＯよりも仕事関数の大きい金属酸化物からなる
薄膜を用いることを提案している。しかしながら、この
金属酸化物の薄膜からなる陽極は、その光線透過率がた
とえば酸化ルテニウムの場合には１０％、酸化バナジウ
ムの場合には２０％である。また、このような低い光線
透過率を改良するため、ＩＴＯ膜の上に前記金属酸化物
の３００オングストローム以下の超薄膜を積層して２層
構造とすることも提案されているが、この場合において
も、光線透過率は４０〜６０％程度であり、表示装置の
透明電極としては、透明性が十分であるとはいえないと
いう難点を有している。[0005] For this reason, for example, Japanese Patent Laid-Open No.
No. 63771 proposes to use a thin film made of a metal oxide having a larger work function than ITO as an anode in an organic thin film light emitting device having an organic compound layer provided between an anode and a cathode. However, the anode composed of this metal oxide thin film has a light transmittance of, for example, 10% for ruthenium oxide and 20% for vanadium oxide. Further, in order to improve such low light transmittance, it has been proposed to form an ultrathin film of the metal oxide of 300 Å or less on the ITO film to form a two-layer structure. However, the light transmittance is about 40 to 60%, which is a disadvantage that the transparency is not sufficient for a transparent electrode of a display device.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況に鑑み、有機エレクトロルミネッセンス素子などの
表示装置用の透明電極として使用可能な高い透明性と、
正孔輸送物質の有するイオン化ポテンシャルとの差の小
なる仕事関数の値を有する焼結体と、その焼結体からな
るターゲット、および該ターゲットを用いて成膜した透
明導電ガラス、透明導電フィルムを提供することを目的
とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION In view of such circumstances, the present invention provides high transparency that can be used as a transparent electrode for a display device such as an organic electroluminescence element, and the like.
A sintered body having a small work function value of the difference with the ionization potential of the hole transporting substance, a target made of the sintered body, and a transparent conductive glass and a transparent conductive film formed using the target. It is intended to provide.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題の
解決のため鋭意研究を重ねた結果、酸化インジウムまた
は酸化インジウムと酸化亜鉛および／または酸化錫を特
定割合で含有し、かつ正４価以上の金属酸化物を特定割
合で含有させた組成物の焼結体からなるターゲットを用
いて形成した透明導電膜によれば、上記課題を解決する
ことができることを見出し、これら知見に基づいて本発
明を完成するに至った。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies for solving the above problems, the present inventors have found that indium oxide or indium oxide and zinc oxide and / or tin oxide are contained in a specific ratio and that A transparent conductive film formed using a target made of a sintered body of a composition containing a metal oxide having a valence of at least a specific ratio, and found that the above problem can be solved. The present invention has been completed.
【０００８】すなわち、本発明の要旨は、下記のとおり
である。 〔１〕酸化インジウムまたは酸化インジウムと酸化亜鉛
および／または酸化錫を、それらの金属原子比におい
て、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる焼結体。 〔２〕酸化インジウムと酸化亜鉛またはこれらと酸化錫
を、それらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる焼結体。 〔３〕酸化インジウムと酸化亜鉛および酸化錫を、それ
らの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０２〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる焼結体。 〔４〕前記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の焼結体か
らなるスパッタリング用ターゲット。 〔５〕前記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の焼結体か
らなるエレクトロンビーム用ターゲット。 〔６〕前記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の焼結体か
らなるイオンプレーティング用ターゲット。 〔７〕ガラス表面に、酸化インジウムと酸化亜鉛、酸化
錫をそれらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる透明導電膜を被覆してなる透明導電ガラ
ス。 〔８〕光線透過率が７５％以上、比抵抗が５ｍΩ・ｃｍ
以下であり、かつ透明導電膜の仕事関数が５．４５エレ
クトロンボルト以上である前記〔７〕記載の透明導電ガ
ラス。That is, the gist of the present invention is as follows. [1] Indium oxide or indium oxide and zinc oxide and / or tin oxide, in terms of their metal atomic ratios, In / (In + Zn + Sn) = 0.80-1.00 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.00-0. 20 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.00 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
A sintered body comprising a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide, and vanadium oxide at a content of atomic%. [2] Indium oxide and zinc oxide, or these and tin oxide, in terms of their metal atomic ratios, In / (In + Zn + Sn) = 0.80-1.00 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.05-0.20 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.00 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
A sintered body comprising a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide, and vanadium oxide at a content of atomic%. [3] Indium oxide, zinc oxide and tin oxide are expressed in terms of their metal atomic ratios: In / (In + Zn + Sn) = 0.80-1.00 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.05-0.20 Sn / (In + Zn + Sn) ) = 0.02 to 0.20, and 0.5 to 10 based on all metal atoms.
A sintered body comprising a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide, and vanadium oxide at a content of atomic%. [4] A sputtering target comprising the sintered body according to any one of [1] to [3]. [5] An electron beam target comprising the sintered body according to any one of [1] to [3]. [6] An ion plating target comprising the sintered body according to any one of [1] to [3]. [7] On the glass surface, indium oxide, zinc oxide, and tin oxide are expressed in terms of their metal atomic ratios: In / (In + Zn + Sn) = 0.80-1.00 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.00-0.20 Sn /(In+Zn+Sn)=0.00 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
A transparent conductive glass coated with a transparent conductive film made of a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide and vanadium oxide at a content of atomic%. [8] Light transmittance of 75% or more, specific resistance of 5 mΩ · cm
The transparent conductive glass as described in [7] above, wherein the work function of the transparent conductive film is 5.45 eV or more.
〔９〕透明樹脂フィルム表面に、酸化インジウムと酸化
亜鉛、酸化錫をそれらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる透明導電膜を被覆してなる透明導電フィ
ルム。 〔１０〕光線透過率が７５％以上、比抵抗が５ｍΩ・ｃ
ｍ以下であり、かつ透明導電膜の仕事関数が５．４５エ
レクトロンボルト以上である前記[9] Indium oxide, zinc oxide, and tin oxide on the surface of the transparent resin film in terms of their metal atomic ratios: In / (In + Zn + Sn) = 0.80-1.00 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.00-0. 20 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.00 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
A transparent conductive film coated with a transparent conductive film made of a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide and vanadium oxide at a content of atomic%. [10] Light transmittance of 75% or more, specific resistance of 5 mΩ · c
m and the work function of the transparent conductive film is 5.45 eV or more.
〔９〕記載の透明導電
フィルム。[9] The transparent conductive film according to the above.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明における透明導電膜形成用
の焼結体は、酸化インジウムまたは酸化インジウムと酸
化亜鉛および／または酸化錫を、それらの金属原子比に
おいて、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる焼結体である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The sintered body for forming a transparent conductive film according to the present invention is obtained by mixing indium oxide or indium oxide with zinc oxide and / or tin oxide in a metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0. .80 to 1.00 Zn / (In + Zn + Zn) = 0.00 to 0.20 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.00 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
It is a sintered body composed of a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide and vanadium oxide at a content of atomic%.
【００１０】そして、より好ましい焼結体は、酸化イン
ジウムと酸化亜鉛またはこれらと酸化錫を、それらの金
属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる焼結体である。A more preferred sintered body is a mixture of indium oxide and zinc oxide or tin oxide and tin oxide in a metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0.80-1.00 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.05 to 0.20 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.00 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
It is a sintered body composed of a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide and vanadium oxide at a content of atomic%.
【００１１】さらに、最も好ましい焼結体としては、酸
化インジウムと酸化亜鉛および酸化錫を、それらの金属
原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０２〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる焼結体である。Further, as the most preferable sintered body, indium oxide, zinc oxide and tin oxide are used in terms of their metal atomic ratios: In / (In + Zn + Sn) = 0.80-1.00 Zn / (In + Zn + Sn) = 0 0.05 to 0.20 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.02 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
It is a sintered body composed of a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide and vanadium oxide at a content of atomic%.
【００１２】本発明の焼結体において、その基本的な構
成成分である酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の
組成は、上記のとおり、酸化インジウム単独であっても
よく、また酸化インジウムと少量の酸化亜鉛の混合物、
あるいは酸化インジウムと少量の酸化亜鉛および少量の
酸化錫の混合物であってもよい。そして、これら各成分
の含有割合については、酸化インジウムは、その原子比
が０．８０未満であると、得られる透明導電膜の表面抵
抗が高くなる場合があり、耐熱性の低下を招くことがあ
る。また、酸化亜鉛については、その原子比が０．０５
未満であると、得られる透明導電膜のエッチング性が充
分でないことがある。この場合には、スパッタリング成
膜時に水や水素を少量添加することによりエッチング性
の向上を図ることができる。また、酸化亜鉛の含有割合
が０．２０を超えると、得られる透明導電膜の導電性が
低下することがある。さらに、酸化錫については、その
原子比が０．０２未満であると、ターゲットの導電性が
低下する場合があり、この値が０．２０を超えると、得
られる透明導電膜の表面抵抗が高くなることがあるから
である。In the sintered body of the present invention, the composition of indium oxide, tin oxide and zinc oxide, which are basic constituents, may be indium oxide alone, or indium oxide and a small amount of indium oxide. A mixture of zinc oxide,
Alternatively, a mixture of indium oxide, a small amount of zinc oxide and a small amount of tin oxide may be used. When the atomic ratio of indium oxide is less than 0.80, the surface resistance of the resulting transparent conductive film may be increased, which may cause a decrease in heat resistance. is there. The zinc oxide has an atomic ratio of 0.05
If it is less than 10, the resulting transparent conductive film may not have sufficient etching properties. In this case, the etching property can be improved by adding a small amount of water or hydrogen during sputtering film formation. When the content ratio of zinc oxide exceeds 0.20, the conductivity of the obtained transparent conductive film may decrease. Further, with respect to tin oxide, if the atomic ratio is less than 0.02, the conductivity of the target may be reduced. If this value exceeds 0.20, the surface resistance of the obtained transparent conductive film is high. This is because it may be.
【００１３】また、上記の酸化インジウムまたは酸化イ
ンジウムと酸化亜鉛錫よび／または酸化錫からなる基本
的な成分に、酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよび酸
化バナジウムから選択される金属酸化物を、組成物の全
金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率となるよ
うに含有させてある。これら金属酸化物の含有率が０．
５原子％未満であると、得られる透明導電膜の仕事関数
を充分に高めることができず、またこの含有率が１０原
子％を超えると、透明性の低下を招くことになる。これ
ら金属酸化物の含有率のより好ましい範囲は、組成物の
全金属原子に対して１〜７原子％、さらに好ましくは１
〜５原子％である。[0013] Further, a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide and vanadium oxide is added to the above-mentioned basic components consisting of indium oxide or indium oxide and zinc tin oxide and / or tin oxide. It is contained so as to have a content of 0.5 to 10 atomic% with respect to metal atoms. When the content of these metal oxides is 0.
When the content is less than 5 atomic%, the work function of the obtained transparent conductive film cannot be sufficiently increased, and when the content exceeds 10 atomic%, transparency is lowered. A more preferable range of the content of these metal oxides is 1 to 7 atom%, more preferably 1 to 7 atom%, based on all metal atoms of the composition.
５5 at%.
【００１４】このように、酸化インジウムなどの基本的
成分に対して、酸化ルテニウムや酸化モリブデン、酸化
バナジウムのいずれか１種あるいは２種以上の添加成分
を配合した焼結体を用いて成膜された透明導電膜は、そ
の仕事関数の向上効果が得られ、これら添加成分の含有
割合を上記範囲としたとき、５．４５エレクトロンボル
ト以上の値を有するようになる。この透明導電膜の仕事
関数の値は、有機エレクトロルミネッセンス素子におけ
る発光物質や正孔輸送物質として用いる有機化合物のイ
オン化ポテンシャルの平均的な値である５．５〜５．６
エレクトロンボルトとほぼ同じ水準である。したがっ
て、この透明導電膜を有機エレクトロルミネッセンス素
子の陽極として用いた場合、この陽極から正孔輸送層あ
るいは発光層に正孔を注入する際のエネルギー障壁が小
さくなり、高い正孔注入効率が得られ、これに伴って、
有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧の低電圧
化が可能となるほか、エネルギー障壁の存在に由来する
発熱が抑制され、長期間の安定した発光が可能になるの
である。As described above, a film is formed by using a sintered body in which one or more of ruthenium oxide, molybdenum oxide, and vanadium oxide are added to a basic component such as indium oxide. The transparent conductive film has the effect of improving the work function, and has a value of 5.45 electron volts or more when the content ratio of these additional components is within the above range. The value of the work function of the transparent conductive film is an average value of 5.5 to 5.6 of the ionization potential of the organic compound used as the light emitting substance or the hole transporting substance in the organic electroluminescence device.
It is almost the same level as Electron Volt. Therefore, when this transparent conductive film is used as an anode of an organic electroluminescence element, the energy barrier when injecting holes from this anode into a hole transport layer or a light emitting layer is reduced, and a high hole injection efficiency is obtained. , With this,
In addition to lowering the driving voltage of the organic electroluminescence element, heat generation due to the existence of the energy barrier is suppressed, and stable light emission for a long period of time becomes possible.
【００１５】つぎに、本発明の焼結体を製造する方法に
ついては、上記各金属酸化物の粉末を所定割合で混合
し、これを混合粉砕機、例えば湿式ボールミルやビーズ
ミル、超音波などにより、均一に混合・粉砕して、造粒
した後、プレス成形により所望の形状に整形し、焼成に
より焼結すればよい。ここでの原料粉末の混合粉砕は、
微細に粉砕するほどよいが、通常、平均粒径１μｍ以下
となるように混合粉砕処理をしたものを使用すればよ
い。そして、この場合の焼成条件は、通常、１，２００
〜１，５００℃、好ましくは１，２５０〜１，４８０℃
において、１０〜７２時間、好ましくは２４〜４８時間
焼成すればよい。また、この場合の昇温速度は、１〜５
０℃／分間とすればよい。Next, in the method for producing the sintered body of the present invention, the above-mentioned powders of the respective metal oxides are mixed at a predetermined ratio, and the mixture is mixed by a mixing and pulverizing machine, for example, a wet ball mill, a bead mill, an ultrasonic wave or the like. After uniformly mixing, pulverizing and granulating, it may be shaped into a desired shape by press molding and sintered by firing. The mixing and grinding of the raw material powder here
Finer pulverization is better, but usually, a mixture pulverized so as to have an average particle diameter of 1 μm or less may be used. The firing conditions in this case are usually 1,200
~ 1,500 ° C, preferably 1,250 ~ 1,480 ° C
Sintering may be performed for 10 to 72 hours, preferably for 24 to 48 hours. The heating rate in this case is 1 to 5
The temperature may be set to 0 ° C./min.
【００１６】そして、このように整形し焼結して得られ
たターゲットを用いて成膜する際に用いる透明基材とし
ては、従来から用いられているガラス基板や、高い透明
性を有する合成樹脂製のフィルム、シートが用いられ
る。このような合成樹脂としては、ポリカーボネート樹
脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂な
どが好適である。As the transparent base material used for forming a film using the target obtained by shaping and sintering in this manner, a glass substrate conventionally used or a synthetic resin having high transparency can be used. Film and sheet are used. As such a synthetic resin, a polycarbonate resin, a polymethyl methacrylate resin, a polyester resin, a polyethersulfone resin, a polyarylate resin, and the like are preferable.
【００１７】つぎに、上記ターゲットを用いて、透明導
電膜を透明基材上にスパッタリング法により成膜するに
あたっては、マグネトロンスパッタリング装置が好適に
用いられる。そして、この装置を用いてスパッタリング
により成膜する際の条件としては、ターゲットの表面積
や透明導電膜の膜厚によりプラズマの出力は変動する
が、通常、このプラズマ出力を、ターゲットの表面積１
ｃｍ2 あたり０．３〜４Ｗの範囲とし、成膜時間を５〜
１２０分間とすることにより、所望の膜厚を有する透明
導電膜が得られる。この透明導電膜の膜厚は、表示装置
の種類によって異なるが、通常、２００〜６，０００オ
ングストローム、好ましくは６００〜２，０００オング
ストロームである。Next, when a transparent conductive film is formed on a transparent substrate by a sputtering method using the above-mentioned target, a magnetron sputtering apparatus is preferably used. As a condition for forming a film by sputtering using this apparatus, the plasma output varies depending on the surface area of the target and the film thickness of the transparent conductive film.
The range is 0.3 to 4 W per cm 2 , and the film formation time is 5 to
By setting the heating time to 120 minutes, a transparent conductive film having a desired film thickness can be obtained. The thickness of the transparent conductive film varies depending on the type of display device, but is usually 200 to 6,000 Å, preferably 600 to 2,000 Å.
【００１８】また、前記焼結体からなるターゲットを用
いて、エレクトロンビーム装置やイオンプレーティング
装置により成膜する場合においても、上記と同様な成膜
条件下において、透明導電膜の成膜を行うことができ
る。このようにして得られる本発明の透明導電ガラスや
透明導電フィルムは、成膜に用いた焼結体と同一組成か
らなる金属酸化物の組成物からなる透明導電膜を有し、
その透明導電膜の透明性については、波長５００ｎｍの
光の光線透過率が７５％を上回るものとなる。また、こ
の透明導電膜の導電性についても、比抵抗において５ｍ
Ω・ｃｍ以下のものとなる。そして、上述のとおり、こ
の透明導電膜の仕事関数は、従来から用いられてきたＩ
ＴＯ膜よりも高い５．４５エレクトロンボルト以上の値
を有している。Also, when a film is formed by an electron beam apparatus or an ion plating apparatus using the target made of the sintered body, the transparent conductive film is formed under the same film forming conditions as described above. be able to. The transparent conductive glass or transparent conductive film of the present invention thus obtained has a transparent conductive film made of a metal oxide composition having the same composition as the sintered body used for forming the film,
Regarding the transparency of the transparent conductive film, the light transmittance of light having a wavelength of 500 nm exceeds 75%. Also, the conductivity of this transparent conductive film was 5 m in specific resistance.
Ω · cm or less. And, as described above, the work function of this transparent conductive film is based on the I
It has a value of 5.45 electron volts or more, which is higher than that of the TO film.
【００１９】したがって、本発明の透明導電ガラスや透
明導電フィルムは、有機エレクトロルミネッセンス素子
をはじめとする各種の表示装置の透明電極として好適に
用いることができる。Therefore, the transparent conductive glass and the transparent conductive film of the present invention can be suitably used as transparent electrodes of various display devices including an organic electroluminescence element.
【００２０】[0020]
（１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末に、酸化ルテニウム
の粉末をその金属原子比が、 Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｒｕ）＝０．０３ となるように混合して、湿式ボールミルに供給し、７２
時間にわたり混合粉砕した。ついで、得られた粉砕物を
造粒してから、直径４インチ、厚さ５ｍｍの寸法にプレ
ス整形し、これを焼成炉に装入し１４００℃において、
３６時間加圧焼成した。このようにして得られた焼結体
は、その密度が６．８ｇ／ｃｍ3 であり、またバルク電
気抵抗は０．８０ｍΩ・ｃｍであった。これら測定結果
を第１表に示す。(1) Production of Sintered Body As a raw material, indium oxide powder and ruthenium oxide powder were mixed such that the metal atomic ratio was Ru / (In + Ru) = 0.03 and supplied to a wet ball mill. , 72
The mixture was ground over time. Next, after granulating the obtained pulverized material, it was press-formed into a size of 4 inches in diameter and 5 mm in thickness, and was charged into a firing furnace at 1400 ° C.
It baked under pressure for 36 hours. The sintered body thus obtained had a density of 6.8 g / cm 3 and a bulk electric resistance of 0.80 mΩ · cm. Table 1 shows the measurement results.
【００２１】（２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体より、直径４イン
チ、厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲットを作製
し、これをＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着
して、室温においてガラス基板上に製膜した。ここでの
スパッタ条件としては、雰囲気はアルゴンガスに適量の
酸素ガスを混入して用い、スパッタ圧力３×１０-1Ｐ
ａ、到達圧力５×１０-4Ｐａ、基板温度２５℃、投入電
力１００Ｗ、成膜時間１４分間として行った。(2) Production of Transparent Conductive Glass From the sintered body obtained in the above (1), a sputtering target having a diameter of 4 inches and a thickness of 5 mm was prepared, and mounted on a DC magnetron sputtering apparatus. A film was formed on a glass substrate at room temperature. The sputtering conditions used here are such that an appropriate amount of oxygen gas is mixed with argon gas and the sputtering pressure is 3 × 10 -1 P
a, the ultimate pressure was 5 × 10 −4 Pa, the substrate temperature was 25 ° C., the input power was 100 W, and the deposition time was 14 minutes.
【００２２】このようにして得られた透明導電ガラス上
の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロー
ムであり、非晶質であった。そして、この透明導電膜の
光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線に
ついて測定した結果、７９％であった。また、４探針法
により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．８４ｍΩ・
ｃｍであり、導電性の高いものであった。さらに、仕事
関数を紫外光電子分光法により測定した結果、５．５１
エレクトロンボルトであった。これら透明導電膜の評価
結果を第２表に示す。The transparent conductive film on the transparent conductive glass thus obtained had a thickness of 1,200 angstroms and was amorphous. The light transmittance of this transparent conductive film was measured by a spectrophotometer with respect to a light beam having a wavelength of 500 nm, and as a result, it was 79%. The specific resistance of the transparent conductive film measured by the four probe method is 0.84 mΩ ·
cm and high conductivity. Further, the work function was measured by UV photoelectron spectroscopy, resulting in 5.51.
Electron volts. Table 2 shows the evaluation results of these transparent conductive films.
【００２３】〔実施例２〕 （１）焼結体の製造 実施例１の（１）において原料として用いた酸化ルテニ
ウムに代えて、酸化モリブデンをその原子比において、 Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｍｏ）＝０．０７ となるように混合して用いた他は、実施例１の（１）と
同様の操作をして焼結体を得た。ここで得られた焼結体
の物性を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）で得られた焼結体を用いた他は、実施例１の
（２）と同様にして、透明導電ガラスの製造をした。得
られた透明導電ガラス上の透明導電膜の物性の評価結果
を第２表に示す。Example 2 (1) Production of Sintered Body Instead of ruthenium oxide used as a raw material in (1) of Example 1, molybdenum oxide was used in an atomic ratio of Mo / (In + Mo) = 0. A sintered body was obtained by performing the same operation as in (1) of Example 1, except that the mixture was used so as to obtain a sintered body of 07. Table 1 shows the physical properties of the sintered body obtained here. (2) Production of transparent conductive glass A transparent conductive glass was produced in the same manner as in (2) of Example 1, except that the sintered body obtained in the above (1) was used. Table 2 shows the evaluation results of the physical properties of the obtained transparent conductive film on the transparent conductive glass.
【００２４】〔実施例３〕 （１）焼結体の製造 実施例１の（１）において原料として用いた酸化ルテニ
ウムに代えて、酸化バナジウムをその原子比において、 Ｖ／（Ｉｎ＋Ｖ）＝０．０５ となるように混合して用いた他は、実施例１の（１）と
同様の操作をして焼結体を得た。ここで得られた焼結体
の物性を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）で得られた焼結体を用いた他は、実施例１の
（２）と同様にして、透明導電ガラスの製造をした。得
られた透明導電ガラス上の透明導電膜の物性の評価結果
を第２表に示す。Example 3 (1) Production of Sintered Body Instead of ruthenium oxide used as a raw material in (1) of Example 1, vanadium oxide was used in an atomic ratio of V / (In + V) = 0. A sintered body was obtained by performing the same operation as in (1) of Example 1 except that the mixture was used so as to obtain a sintered body. Table 1 shows the physical properties of the sintered body obtained here. (2) Production of transparent conductive glass A transparent conductive glass was produced in the same manner as in (2) of Example 1, except that the sintered body obtained in the above (1) was used. Table 2 shows the evaluation results of the physical properties of the obtained transparent conductive film on the transparent conductive glass.
【００２５】〔実施例４〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８３ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１７ となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウム
を、それらの原子比で、 Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｒｕ）＝０．０２０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た得られた焼結体の物性を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 4 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and zinc oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn) = 0.83 Zn / ( (In + Zn) = 0.17, and further mixed with ruthenium oxide at an atomic ratio of Ru / (In + Zn + Ru) = 0.020. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００２６】〔実施例５〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８５ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１５ となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデン
を、それらの原子比で、 Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０２０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 5 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and zinc oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn) = 0.85 Zn / ( In + Zn) = 0.15, and molybdenum oxide was mixed with Mo / (In + Zn + Mo) = 0.020 by their atomic ratio. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００２７】〔実施例６〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８５ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１５ となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウム
を、それらの原子比で、 Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｖ）＝０．０２０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 6 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and zinc oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn) = 0.85 Zn / ( (In + Zn) = 0.15, and vanadium oxide was added thereto so that V / (In + Zn + V) = 0.020 by their atomic ratio. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００２８】〔実施例７〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．９３ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０７ となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウム
を、それらの原子比で、 Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｒｕ）＝０．０１５ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た得られた焼結体の物性を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 7 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and zinc oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn) = 0.93 Zn / ( (In + Zn) = 0.07, and further mixed with ruthenium oxide so that Ru / (In + Zn + Ru) = 0.015 in their atomic ratio. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００２９】〔実施例８〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．９０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１０ となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデン
を、それらの原子比で、 Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０５０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 8 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and zinc oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn) = 0.90 Zn / ( In + Zn) = 0.10, and molybdenum oxide was mixed with Mo / (In + Zn + Mo) = 0.050 by their atomic ratio. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００３０】〔実施例９〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．９０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１０ となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウム
を、それらの原子比で、 Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｖ）＝０．０７０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 9 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and zinc oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn) = 0.90 Zn / ( In + Zn) = 0.10 and mixed with vanadium oxide so that the atomic ratio V / (In + Zn + V) = 0.070 was used. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００３１】〔実施例１０〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．８０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．２０ となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウム
を、それらの原子比で、 Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０３０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 10 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and tin oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Sn) = 0.80 Sn / ( (In + Sn) = 0.20, and further mixed with ruthenium oxide such that Ru / (In + Sn + Ru) = 0.030 in their atomic ratio. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００３２】〔実施例１１〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．８０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．２０ となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデン
を、それらの原子比で、 Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０７０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 11 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and tin oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Sn) = 0.80 Sn / ( In + Sn) = 0.20, and molybdenum oxide was mixed with Mo / (In + Sn + Mo) = 0.070 in their atomic ratio. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００３３】〔実施例１２〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．８０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．２０ となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウム
を、それらの原子比で、 Ｖ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０５０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 12 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and tin oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Sn) = 0.80 Sn / ( In + Sn) = 0.20, and vanadium oxide was added to the mixture in such an atomic ratio that V / (In + Sn + V) = 0.050. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００３４】〔実施例１３〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウム
を、それらの原子比で、 Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０２１ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 13 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and tin oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Sn) = 0.90 Sn / ( (In + Sn) = 0.10, and further mixed with ruthenium oxide such that Ru / (In + Sn + Ru) = 0.021 in their atomic ratio. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００３５】〔実施例１４〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデン
を、それらの原子比で、 Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０２０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 14 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and tin oxide powder were used as raw materials at the metal atomic ratio of In / (In + Sn) = 0.90 Sn / ( In + Sn) = 0.10, and molybdenum oxide was mixed with Mo / (In + Sn + Mo) = 0.020 by their atomic ratio. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００３６】〔実施例１５〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末と
を、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウム
を、それらの原子比で、 Ｖ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０２０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 15 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder and tin oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Sn) = 0.90 Sn / ( In + Sn) = 0.10, and vanadium oxide was added to the mixture so that the atomic ratio of the mixture was V / (In + Sn + V) = 0.020. A sintered body was produced in the same manner as in Example 1 (1). Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００３７】〔実施例１６〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末お
よび酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウム
を、それらの原子比で、 Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０２２ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 16 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder, zinc oxide powder and tin oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0. .80 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.10 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.10, and further mixed with ruthenium oxide in an atomic ratio of Ru / (In + Zn + Sn + Ru) = 0.022 A sintered body was manufactured in the same manner as (1) of Example 1 except that a mixture was used so that Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００３８】〔実施例１７〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末お
よび酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデン
を、それらの原子比で、 Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０５０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 17 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder, zinc oxide powder, and tin oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0. .80 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.10 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.10, and further mixed with molybdenum oxide at an atomic ratio of: Mo / (In + Zn + Sn + Mo) = 0.050 A sintered body was manufactured in the same manner as (1) of Example 1 except that a mixture was used so that Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００３９】〔実施例１８〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末お
よび酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウム
を、それらの原子比で、 Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０５０ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 18 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder, zinc oxide powder, and tin oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0. .80 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.10 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.10 and further mixed with vanadium oxide in an atomic ratio of V / (In + Zn + Sn + V) = 0.050 A sintered body was manufactured in the same manner as (1) of Example 1 except that a mixture was used so that Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００４０】〔実施例１９〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末お
よび酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．９０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０７ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０３ となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウム
を、それらの原子比で、 Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０２５ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 19 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder, zinc oxide powder and tin oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0. .90 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.07 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.03, and further, ruthenium oxide was added thereto at an atomic ratio of Ru / (In + Zn + Sn + Ru) = 0.025. A sintered body was manufactured in the same manner as (1) of Example 1 except that a mixture was used so that Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００４１】〔実施例２０〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末お
よび酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．９０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０７ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０３ となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデン
を、それらの原子比で、 Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０３５ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 20 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder, zinc oxide powder, and tin oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0. .90 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.07 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.03 and further mixed with molybdenum oxide at an atomic ratio of Mo / (In + Zn + Sn + Mo) = 0.035. A sintered body was manufactured in the same manner as (1) of Example 1 except that a mixture was used so that Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００４２】〔実施例２１〕 （１）焼結体の製造 原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末お
よび酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．９０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０７ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０３ となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウム
を、それらの原子比で、 Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０３５ となるように混合したものを用いた他は、実施例１の
（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られ
た焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。 （２）透明導電ガラスの製造 上記（１）において得られた焼結体を用いて、実施例１
の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここ
で得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の
物性の測定結果を第２表に示す。Example 21 (1) Production of Sintered Body Indium oxide powder, zinc oxide powder, and tin oxide powder were used as raw materials at a metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0. .90 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.07 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.03, and further mixed with vanadium oxide in the atomic ratio V / (In + Zn + Sn + V) = 0.035 A sintered body was manufactured in the same manner as (1) of Example 1 except that a mixture was used so that Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the obtained sintered body. (2) Production of Transparent Conductive Glass Example 1 using the sintered body obtained in (1) above.
A transparent conductive glass was produced in the same manner as (2). Table 2 shows the measurement results of the physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００４３】〔実施例２２〕実施例４の（１）と同様に
して得た焼結体をターゲットとし、実施例４の（２）に
おけるスパッタリング時に、ガラス基板の温度を２１５
℃に加熱してスパッタリングした他は、実施例４と同様
にして、透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透
明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性を、実施
例１の（２）と同様にして評価した。これら評価結果を
第２表に示す。Example 22 A sintered body obtained in the same manner as in (1) of Example 4 was used as a target, and the temperature of the glass substrate was set at 215 during the sputtering in (2) of Example 4.
A transparent conductive glass was manufactured in the same manner as in Example 4, except that the film was heated to 0 ° C and sputtered. The physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass obtained here were evaluated in the same manner as in Example 1 (2). Table 2 shows the evaluation results.
【００４４】〔実施例２３〕実施例１０の（１）と同様
にして得た焼結体をターゲットとし、実施例１０の
（２）におけるスパッタリング時に、ガラス基板の温度
を２１５℃に加熱してスパッタリングした他は、実施例
１０と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得
られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性
を、実施例１の（２）と同様にして評価した。これら評
価結果を第２表に示す。Example 23 Using a sintered body obtained in the same manner as in Example 10 (1) as a target, the temperature of the glass substrate was heated to 215 ° C. during the sputtering in Example 10 (2). A transparent conductive glass was manufactured in the same manner as in Example 10 except that sputtering was performed. The physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass obtained here were evaluated in the same manner as in Example 1 (2). Table 2 shows the evaluation results.
【００４５】〔実施例２４〕実施例１０の（１）と同様
にして得た焼結体をターゲットとし、実施例１０の
（２）におけるスパッタリング時に、水を２重量％添加
してスパッタリングした他は、実施例１０と同様にして
透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガ
ラス上に形成された透明導電膜の物性を、実施例１の
（２）と同様にして評価した。これら評価結果を第２表
に示す。また、このようにして得られた透明導電ガラス
を、２１５℃において、１時間アニールした後の透明導
電膜の物性を測定したところ、アニールの前後における
物性の変化は見られなかった。Example 24 A target was a sintered body obtained in the same manner as in Example 10 (1), except that water was added at 2% by weight during sputtering in Example 10 (2). Produced a transparent conductive glass in the same manner as in Example 10. The physical properties of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass obtained here were evaluated in the same manner as in Example 1 (2). Table 2 shows the evaluation results. Further, when the physical properties of the transparent conductive film obtained after annealing the transparent conductive glass thus obtained at 215 ° C. for 1 hour were measured, no change was observed in the physical properties before and after annealing.
【００４６】〔実施例２５〕実施例４の（１）と同様に
して得た焼結体をターゲットとし、実施例４の（２）で
透明基材として用いたガラス基板に代えて、厚さ０．１
ｍｍのポリカーボネート基板を透明基材として用いた他
は、実施例４と同様にして、透明導電フィルムを製造し
た。ここで得られた透明導電フィルム上に形成された透
明導電膜の物性を、実施例１の（２）と同様に測定し
た。それら結果を第２表に示す。Example 25 A sintered body obtained in the same manner as in (1) of Example 4 was used as a target, and the thickness was changed in place of the glass substrate used as the transparent substrate in (2) of Example 4. 0.1
A transparent conductive film was manufactured in the same manner as in Example 4 except that a polycarbonate substrate having a thickness of 2 mm was used as a transparent substrate. The physical properties of the transparent conductive film formed on the obtained transparent conductive film were measured in the same manner as in Example 1 (2). The results are shown in Table 2.
【００４７】〔比較例１〕原料として、酸化インジウム
の粉末と酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比におい
て、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８５ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１５ となるように混合した混合物を用い、添加成分である酸
化ルテニウムなどは加えなかった他は、実施例１の
（１）と同様の操作をして得られた焼結体を用いて、実
施例１の（２）と同様にスパッタリングによる成膜をし
た。得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜
について評価した結果を、第２表に示す。[Comparative Example 1] Indium oxide powder and tin oxide powder were used as raw materials, and the metal atomic ratio was such that In / (In + Zn) = 0.85 Zn / (In + Zn) = 0.15. A mixture obtained in the same manner as in Example 1 (1) except that ruthenium oxide or the like as an additional component was not used. A film was formed by sputtering in the same manner as in (2). Table 2 shows the results of evaluation of the transparent conductive film formed on the obtained transparent conductive glass.
【００４８】〔比較例２〕原料として、酸化インジウム
の粉末と酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比におい
て、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０ となるように混合した混合物を用い、添加成分である酸
化ルテニウムなどは加えずに、実施例１の（１）と同様
にして焼結体を得た。ついで、スパッタリング時に、ガ
ラス基板の温度を２１５℃に加熱してスパッタリングし
た他は、実施例１の（２）と同様の操作をして透明導電
ガラスを得た。このようにして得られた透明導電ガラス
の上に形成された透明導電膜について評価した結果を第
２表に示す。[Comparative Example 2] Indium oxide powder and tin oxide powder were used as a raw material. In terms of the metal atomic ratio, In / (In + Sn) = 0.90 Sn / (In + Sn) = 0.10 A sintered body was obtained in the same manner as in Example 1, (1), using the mixture mixed as described above, without adding the additional components such as ruthenium oxide. Next, a transparent conductive glass was obtained by performing the same operation as in (2) of Example 1 except that the temperature of the glass substrate was heated to 215 ° C. during sputtering. Table 2 shows the results of the evaluation of the transparent conductive film formed on the transparent conductive glass thus obtained.
【００４９】[0049]
【表１】 [Table 1]
【００５０】[0050]
【表２】 [Table 2]
【００５１】[0051]
【表３】 [Table 3]
【００５２】[0052]
【表４】 [Table 4]
【００５３】[0053]
【表５】 [Table 5]
【００５４】[0054]
【表６】 [Table 6]
【００５５】[0055]
【発明の効果】本発明の焼結体によれば、透明性が高
く、導電性にも優れるとともに、仕事関数の高い透明導
電膜を形成することができる。また、この透明導電膜を
有する透明導電ガラスまたは透明導電フィルムは、有機
エレクトロルミネッセンス素子などの表示装置の電極に
用いたとき、正孔の注入効率が高く、長期間安定した発
光状態を維持することができる。According to the sintered body of the present invention, it is possible to form a transparent conductive film having high transparency, excellent conductivity and high work function. In addition, when the transparent conductive glass or the transparent conductive film having the transparent conductive film is used for an electrode of a display device such as an organic electroluminescence element, the hole injection efficiency is high and a stable light emitting state is maintained for a long time. Can be.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ Ｆターム(参考） 4F100 AA17A AA25A AA28A AG00B AK25B AK41B AK43B AK45B AK54B AK55B BA02 BA10A BA10B EJ48A GB90 JG00 JG01A JG04 JN01A JN01B YY00 YY00A 4G030 AA10 AA23 AA26 AA32 AA34 AA39 BA02 BA15 CA08 4G059 AA08 AC14 EA03 EB04 4K029 AA09 AA11 AA24 AA25 BA50 BC09 BD00 CA05 DA08 DC05 DC09 DC34 DC39 5G323 BA02 BB04 BB05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) H01B 13/00 503 H01B 13/00 503B F term (Reference) 4F100 AA17A AA25A AA28A AG00B AK25B AK41B AK43B AK45B AK54B AK55B BA02 BA10A BA10B EJ48A GB90 JG00 JG01A JG04 JN01A JN01B YY00 YY00A 4G030 AA10 AA23 AA26 AA32 AA34 AA39 BA02 BA15 CA08 4G059 AA08 AC14 EA03 EB04 4K029 AA09 AA11 DC05 BA05 DC50 DC50
Claims (10)
酸化亜鉛および／または酸化錫を、それらの金属原子比
において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる焼結体。1. Indium oxide or indium oxide and zinc oxide and / or tin oxide, in terms of their metal atomic ratio, In / (In + Zn + Sn) = 0.80-1.00 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.00- 0.20 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.00 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
A sintered body comprising a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide, and vanadium oxide at a content of atomic%.
と酸化錫を、それらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる焼結体。2. Indium oxide and zinc oxide or tin oxide and tin oxide in the metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0.80 to 1.00 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.05 to 0.20 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.00 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
A sintered body comprising a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide, and vanadium oxide at a content of atomic%.
を、それらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０２〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる焼結体。3. An indium oxide, a zinc oxide and a tin oxide having a metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0.80-1.00 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.05-0.20 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.02 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
A sintered body comprising a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide, and vanadium oxide at a content of atomic%.
からなるスパッタリング用ターゲット。4. A sputtering target comprising the sintered body according to claim 1.
からなるエレクトロンビーム用ターゲット。5. An electron beam target comprising the sintered body according to claim 1.
からなるイオンプレーティング用ターゲット。6. A target for ion plating, comprising the sintered body according to claim 1.
鉛、酸化錫をそれらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる透明導電膜を被覆してなる透明導電ガラ
ス。7. Indium oxide, zinc oxide, and tin oxide are arranged on the glass surface at a metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0.80-1.00 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.00-0. 20 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.00 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
A transparent conductive glass coated with a transparent conductive film made of a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide and vanadium oxide at a content of atomic%.
Ω・ｃｍ以下であり、かつ透明導電膜の仕事関数が５．
４５エレクトロンボルト以上である請求項７記載の透明
導電ガラス。8. A light transmittance of 75% or more and a specific resistance of 5 m
Ω · cm or less and the work function of the transparent conductive film is 5.
8. The transparent conductive glass according to claim 7, which has a voltage of 45 electron volts or more.
ムと酸化亜鉛、酸化錫をそれらの金属原子比において、 Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００ Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０ の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０
原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよ
び酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する
組成物からなる透明導電膜を被覆してなる透明導電フィ
ルム。9. Indium oxide, zinc oxide, and tin oxide are arranged on the surface of a transparent resin film at a metal atomic ratio of In / (In + Zn + Sn) = 0.80-1.00 Sn / (In + Zn + Sn) = 0.00- 0.20 Zn / (In + Zn + Sn) = 0.00 to 0.20, and 0.5 to 10 with respect to all metal atoms.
A transparent conductive film coated with a transparent conductive film made of a composition containing a metal oxide selected from ruthenium oxide, molybdenum oxide and vanadium oxide at a content of atomic%.
Ω・ｃｍ以下であり、かつ透明導電膜の仕事関数が５．
４５エレクトロンボルト以上である請求項９記載の透明
導電フィルム。10. A light transmittance of 75% or more and a specific resistance of 5 m.
Ω · cm or less and the work function of the transparent conductive film is 5.
10. The transparent conductive film according to claim 9, which has a voltage of 45 electron volts or more.
Priority Applications (11)
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|---|---|---|---|
| JP10251200A JP2000072526A (en) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | Target for transparent conductive film, transparent conductive glass and transparent conductive film |
| EP99938524A EP1033355A4 (en) | 1998-08-31 | 1999-08-19 | TARGET FOR TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM, TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE MATERIAL, TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE GLASS AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM |
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