JP2000068356A

JP2000068356A - 半導体装置の製造方法および製造装置

Info

Publication number: JP2000068356A
Application number: JP27243398A
Authority: JP
Inventors: Masami Kanegae; 正巳鐘ケ江; Yoshio Moronuki; 吉雄諸貫; Hiroyuki Morita; 裕之森田
Original assignee: RIBAABERU KK
Current assignee: RIBAABERU KK
Priority date: 1998-08-21
Filing date: 1998-08-21
Publication date: 2000-03-03

Abstract

(57)【要約】【課題】所望種類の半導体装置を、スループットが高
く、汚染の恐れが少なく低コストで容易に製造できる半
導体装置の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造工程を、それぞれ複数の
要素処理工程からなる複数の単位プロセス工程に分割
し、製造すべき半導体装置の種類によって選択された単
位プロセス工程を組み合わせて接続し、半導体半導体ウ
エーハを順次処理する。【効果】同一の枚葉式生産ラインを用いて、所望種類の
半導体装置を容易に製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法および半導体装置の製造装置に関し、詳しくは、所望
種類の半導体装置の製造に特に有用な半導体装置の製造
方法およびそれに用いる製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、メモリ集積回路、論理型デジタル
集積回路およびアナログ集積回路など、各種大規模半導
体集積回路の製造工程は、例えば表面酸化工程、ＣＶＤ
（化学気相成長）によるシリコン窒化膜の形成工程およ
びＰＶＤ（物理気相成長）工程などのように、各要素処
理工程ごとに区分され、これらの処理に用いる各種処理
装置も、例えば酸化装置、ドライエッチング装置、ＣＶ
Ｄ装置およびＰＶＤ装置のように、製造すべきＬＳＩの
製造工程とは無関係に、各処理装置を機能ごとにまとめ
てそれぞれクリーンルーム内に配置されていた。

【０００３】通常、これらの各種処理装置はベイと呼ば
れる囲いの中に設置され、これらベイの間は、約２５枚
の半導体ウエーハをケース内に収納したベイ間搬送ロボ
ットによって半導体ウエーハの搬送が行われる。各ベイ
の内部では、ベイ内搬送ロボットによって半導体ウエー
ハが各処理装置に運ばれ、半導体ウエーハを上記ケース
から取り出して所定の処理が行われる。処理が終った半
導体ウエーハは再び上記ケース内に収納されて、半導体
ウエーハ搬送ロボットによって他の処理装置に搬送さ
れ、他の処理が行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の処
理方法や処理装置には、下記のような問題があり、解決
が望まれていた。

【０００５】（１）各種処理装置の処理時間はそれぞれ
異なるため、半導体ウエーハの待ち時間が生じ、特に約
２５枚の半導体ウエーハを１処理単位としているため、
すべての半導体ウエーハの処理が終了するまで待機しな
ければならず、半導体ウエーハの待ち時間が非常に長く
なってしまい、極めて能率が低い。

【０００６】（２）半導体ウエーハの搬送時に半導体ウ
エーハが大気に曝されるため、大気中の微細な塵埃が半
導体ウエーハに付着して汚染され、歩留まりが低下す
る。

【０００７】（３）上記塵埃の除去のためには多数回の
洗浄および乾燥工程が必要であり、多額の設備費用およ
び長い処理時間が必要である。

【０００８】（４）約２５枚の半導体ウエーハを一処理
単位として各処理が行われるため、超純水、高純度ガス
および電力などの所要量が極めて大きく、製造コストが
上昇する。

【０００９】（５）多くの種類の半導体装置を形成する
には、製造工程が各品種ごとに異なるため、各ベイ内の
各種処理装置に半導体ウエーハをそれぞれ搬送しなけれ
ばならず、搬送距離や待ち時間は膨大になって、製造が
著しく遅延してしまう。

【００１０】本発明の目的は、上記従来の問題を解決
し、半導体ウエーハの待ち時間が短く、大気中の塵埃に
よる汚染が生ずる恐れがなく、設備の費用やランニング
コストが低く、しかも所望種類の半導体装置を迅速に製
造することができる、半導体装置の製造方法およびそれ
に用いる製造装置を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の製
造に要する製造工程を、それぞれ複数の要素処理工程
（例えばエッチングやＣＶＤ工程など）からなる複数の
単位プロセス工程（例えばアイソレーションや配線の形
成工程など）に分割し、当該複数の単位プロセス工程か
ら所望の単位プロセス工程を選択して所定の順序に接続
し、半導体ウエーハを順次処理することによって、選択
された所望種類の半導体装置を製造するものである。

【００１２】すなわち、本発明においては、複数の種類
の半導体装置の製造工程は、それぞれ複数の単位プロセ
ス工程に分割され、これらの単位プロセス工程は、それ
ぞれ複数の要素処理工程からなっている。例えばメモリ
集積回路、論理型デジタル集積回路およびアナログ集積
回路など、種類が異なる半導体装置の製造工程は、製造
すべき半導体装置の種類によって異なるのは当然である
が、これら製造工程を構成する各単位プロセス工程は、
半導体装置の種類が異なっても共通するものが多い。こ
れらの組み合わせや順序を変えて接続し、必要な場合は
他の単位プロセス工程を適宜追加すれば、所望種類の半
導体装置の製造工程が構成される。

【００１３】したがって、複数の種類の半導体装置の製
造工程を分割し、得られた複数の単位プロセス工程か
ら、形成すべき半導体装置の種類に応じて所望の単位プ
ロセス工程を選択して、形成すべき半導体装置の種類に
もとづいて決定された順序に接続し、半導体ウエーハを
順次処理することによって、所望種類の半導体装置が形
成できる。さらに、所望単位プロセス工程の使用回数を
増加する、他の単位プロセス工程をさらに追加して使用
する、あるいは不要な単位プロセス工程を不使用とする
などを適宜行うことによって、極め多種類の半導体装置
を形成できる。

【００１４】なお、上記要素処理工程は、例えば１枚の
半導体ウエーハの運搬、識別、化学的または物理的処理
あるいは計測など、最小の処理工程を意味する。

【００１５】本発明によって形成することができる半導
体装置としては、例えばメモリ集積回路、論理型デジタ
ル集積回路およびアナログ集積回路などをあげることが
できる。ただし、これらに限定されるものではなく、他
の種類の各種半導体装置の製造にも適用できることはい
うまでもない。

【００１６】上記要素処理工程は、上記のように半導体
ウエーハを識別、搬送、処理若しくは計測する工程な
ど、半導体装置の製造に必要な工程を含んでおり、さら
に、上記半導体ウエーハを識別、搬送、処理若しくは計
測するに要する各時間を、それぞれ所望の値に制御して
行うことができる。具体的に例示すれば、上記要素処理
工程は、例えばレジスト塗布、現像、ドライあるいはウ
エットエッチング、投影露光、電子線描画、ＣＶＤ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｌｔｉｏｎ；
化学気相成長）、熱処理、酸化、イオン注入、ＰＶＤ
（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ；物理気相成長）、洗浄乾燥、レジスト剥離、化学機
械研磨（ＣＭＰ）、半導体ウエーハ認識、寸法測定、膜
厚測定、微粒子測定および汚染量測定など、半導体装置
の製造に用いられる各種処理工程から選ばれる。

【００１７】このような半導体装置の製造方法を実施す
るのに用いる半導体装置の製造装置は、それぞれ複数の
要素処理装置（上記要素処理工程を実施するための装置
を本明細書では要素処理装置と記す）を有する複数の単
位プロセス装置（上記単位プロセス工程を実施するため
の装置を本明細書では単位プロセス装置と記す）を具備
している。当該複数の単位プロセス装置は、製造すべき
半導体装置の種類によって選択され、製造すべき半導体
装置の種類によって決定された順序に接続されており、
これにより、種類が互いに異なる複数の半導体装置から
選択された所望種類の半導体装置が製造される。

【００１８】上記要素処理装置は、上記半導体ウエーハ
を識別、搬送、処理若しくは計測する装置であり、各処
理時間をそれぞれ一定に制御する手段を有している。

【００１９】上記複数の要素処理装置は、当該要素処理
装置内の雰囲気を所望の雰囲気に制御する手段を有し、
かつ互いに順次接続されている。接続の仕方としては、
例えば、閉ループ状に接続することができる。これは上
記複数の単位プロセス装置でも同様であり、複数の単位
プロセス装置を閉ループ状に接続して配置することがで
きる。また、複数の単位プロセス装置を結合して、さら
に規模の大きい単位プロセス装置を形成してもよい。

【００２０】上記要素処理装置は、例えば、レジスト塗
布装置、現像装置、ドライエッチング装置、ウエットエ
ッチング装置、投影露光装置、電子線描画装置、ＣＶＤ
装置、熱処理装置、酸化装置、イオン注入装置、ＰＶＤ
装置、洗浄乾燥装置、レジスト剥離装置、化学機械研磨
装置、半導体ウエーハ認識装置、寸法測定装置、膜厚測
定装置、微粒子測定装置および汚染量測定装置など、半
導体装置の製造に用いられる各種処理装置から選択して
使用される。

【００２１】上記複数の単位プロセス装置は、処理すべ
き半導体ウエーハを搬送する装置を介して順次接続され
ているとともに、上記複数の単位プロセス装置から選択
された所望の単位プロセス装置の有する所望の上記要素
処理装置を、上記複数の単位プロセス装置から選択され
た他の単位プロセス装置の有する所望の上記要素処理装
置と処理すべき半導体ウエーハを搬送する装置を介して
互いに接続してもよい。このようにすれば、所望の単位
プロセス装置の有する要素処理装置と他の単位プロセス
装置の要素処理装置を、互いに接続するバイパスが形成
されるので、接続の自由度は大幅に増大する。異なる単
位プロセス装置の間のみではなく、同じ単位プロセス装
置であっても、互いに離間した位置に配置された要素処
理装置の間を接続するバイパスを同様に設けてもよいこ
とはいうまでもない。このようにすれば、隣接した位置
の要素処理装置を越えて、離間した位置の要素処理装置
と直接接続することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】実施例１本実施例は、本発明によってメモリ集積回路を製造した
例であり、図１を用いて説明する。図１から明らかなよ
うに、本実施例は、ウエル形成を行う第１の単位プロセ
ス工程から、パッシベーションを行う第２２の単位プロ
セス工程に至る、２２の単位プロセス工程を含んでい
る。

【００２３】上記第１〜第２２の単位プロセス工程はそ
れぞれ複数の要素処理工程からなっている。例えばウエ
ル形成工程である第１の単位プロセス工程は、表１に示
したように、半導体ウエーハの検査からエッチングによ
る酸化膜剥離に至る２２の要素処理工程からなり、ま
た、素子分離（１）工程である第２の単位プロセス工程
は、表２に示したように、洗浄乾燥から検査に至る１８
の要素処理工程からなっている。

【００２４】

【表１】

【００２５】

【表２】

【００２６】表１および表２から明らかなように、上記
単位プロセス工程は、製造すべき半導体装置の種類が異
なっても共通した工程が多く、半導体装置の種類によっ
て、これら単位プロセス工程の組み合わせが異なってい
る。したがってこれら単位プロセス工程を、製造すべき
半導体装置の種類によって適宜選択して所定の順序に接
続することにより、種類が異なる各種半導体装置を容易
に形成することができる。

【００２７】本実施例では、上記第１の単位プロセス工
程（ウエル形成）から第２２の単位プロセス工程（パッ
シベーション）までを順次行うことにより、１６メガビ
ット・ＤＲＡＭ（ＤｙｎａｍｉｃＲａｎｄｏｍＡｃ
ｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）を製造することができた。

【００２８】実施例２本実施例は、本発明によって論理型デジタル集積回路を
製造した例であり、図２を用いて説明する。図２から明
らかなように、本実施例は、素子分離工程である第１の
単位プロセス工程からパッシベーションを行う第１９の
単位プロセス工程に至る１９の単位プロセス工程からな
っている。

【００２９】ＤＲＡＭを製造した上記実施例１において
は、図１から明らかなように、第１の単位プロセス工程
がウエル形成工程であり、その後に第２の単位プロセス
工程として素子分離（１）が行われる。しかし、図２に
示したように、本実施例では第１の単位プロセス工程は
素子分離工程であり、その後に行われる第２の単位プロ
セス工程はウエル形成（１）工程であって、上記実施例
１とは、素子分離工程とウエル形成工程の順序が互いに
逆である。

【００３０】また、論理型デジタル集積回路の製造に関
する本実施例では、上記実施例１における蓄積容量を製
造するための第１１〜１４の単位プロセス工程は不要で
ある。さらに、上記実施例１では含まれていなかったＡ
ｌ配線（１）〜（４）およびＩＭＤ（層間絶縁膜）
（１）〜（３）を製造するための第１２〜第１８の単位
プロセス工程が、本実施例では必要である。

【００３１】なお、本実施例における第１の単位プロセ
ス工程は素子分離工程であるが、表３に示したように、
表１に示した上記実施例１における第１の単位プロセス
工程である素子分離工程（１）とは若干異なる要素処理
工程が含まれている。これは、論理型デジタル集積回路
とＤＲＡＭでは、素子分離を行う手法が異なるためであ
るが、表３に示した本実施例の第１の単位プロセス工程
を、上記第１の実施例で用いた第１の単位プロセス工程
（表１）の代りに用いても、支障なくＤＲＡＭを製造す
ることができ、本実施例の第１の単位プロセス工程を、
ＤＲＡＭの素子分離に使用できることが確認された。本
実施例において、論理型デジタル集積回路を支障なく形
成することができた。

【００３２】

【表３】

【００３３】実施例３本実施例は、本発明によってアナログ集積回路を形成し
た例である。図３から明らかなように、本実施例では、
バイポーラ素子を形成するために行われるＮ^＋埋込層形
成工程である第１の単位プロセス工程からパッシベーシ
ョンを行う第２３の単位プロセス工程までの２３の単位
プロセス工程からなっている。各単位プロセス工程が、
それぞれ複数の要素処理工程からなることは、上記実施
例１、２と同様であり、これら第１〜第２３の単位プロ
セス工程を図３に示した順に組み合わせ、半導体ウエー
ハを順次処理することによって、アナログ集積回路を形
成することができた。

【００３４】実施例４本実施例は、本発明における単位プロセス装置を構成す
る各種要素処理装置の配列の一例である。上記のよう
に、本発明における各単位プロセス工程はそれぞれ多く
の要素処理工程からなっているが、本実施例の単位プロ
セス工程は、表４に示したように、半導体ウエーハ回転
移動認識１から検査３０に至る３０の要素処理工程から
なっている。

【００３５】

【表４】

【００３６】本実施例において、これら３０個の要素処
理工程１〜３０を順次実施するための要素処理装置の配
置を図４に示した。なお、理解を容易にするため、図４
における各要素処理装置を示す符号１〜３０は、表４に
おける各要素処理工程１〜３０にそれぞれ対応させた。
例えば図４における符号１は半導体ウエーハ回転移動認
識装置を表し、符号３０は最終検査装置を表す。同様
に、図４において、符号２は半導体ウエーハ検査装置、
３は洗浄乾燥装置、４、５は酸化装置、６、７、８はＣ
ＶＤ装置、９、１０、１１はＰＶＤ装置、１２は膜厚検
査装置、１３は表面処理装置、１４はレジスト塗布装
置、１５は熱処理ベーク装置である。１６、１７はそれ
ぞれ感光装置および現像装置であり、１８はＵＶ処理装
置、１９および２０は、上記レジストを現像した後に行
われる寸法検査および熱処理ベークをそれぞれ行うため
の装置である。２１および２２はそれぞれドライエッチ
ング装置であって、酸化膜エッチング用および金属膜エ
ッチング用と、用途に応じて使い分ける。２３はＣＭＰ
装置、２４はイオン注入装置であり、また、２５は酸素
プラズマを用いたレジスト剥離装置、２６、２７はウエ
ット型のレジスト剥離装置であって、剥離すべき膜が金
属膜か非金属膜かによって使い分ける。２８、２９は熱
処理装置であって、熱処理における雰囲気ガスの種類に
応じて使い分けることができる。３０は熱処理後の検査
を行うための最終検査装置である。

【００３７】図４から明らかなように、本実施例におい
ては、上記要素処理工程１〜３０を実施するための要素
処理装置１〜３０はループ状に順次連結され、処理すべ
き半導体ウエーハ（図示せず）は矢印ａ、ｂ、ｃに示し
た方向に搬送されて順次処理される。各要素処理装置１
〜３０は、例えば図５に示した断面構造を有しており、
内部は、それぞれ真空や不活性ガスなど所望の雰囲気に
保って所定の処理を行うことができる。なお、図５にお
いて符号４５は例えばドライエッチング装置などプロセ
ス処理用機器、４６は上部フランジ、４７は半導体ウエ
ーハを搬送するためのキャリア、４８は下部フランジ、
４９は真空排気口、５０はチューブシール、５１はロー
ル、５２はシール、５３はフランジ、５４は処理室を、
それぞれ表わす。

【００３８】処理すべき半導体ウエーハは上記キャリア
４７上に搭載されて各要素処理装置へ順次搬送され、そ
れぞれ所定の処理が行われる。本実施例においては、各
要素処理装置間では、真空を仕切るためのゲートバルブ
は使用せずに、チューブシール５０によって隣接する要
素処理装置を互いに分離し、互いに分離された各要素処
理装置内において真空排気や所定の処理を行った。

【００３９】各要素処理装置１〜３０内における各要素
処理工程の所要時間は、いずれも約１０分に制御されて
おり、３０個の要素処理工程１〜３０からなる単位プロ
セス工程を、約３００分（５時間）で実施することがで
きた。

【００４０】したがって、例えば上記実施例１におい
て、ＤＲＡＭの製造における単位プロセス工程数は２２
であり、各単位プロセス工程が含む要素処理工程数は平
均３０程度であるから、約１１０時間でＤＲＡＭを製造
することができる。従来のバッチ処理によってＤＲＡＭ
を製造した場合の所要時間は約１０００時間であるか
ら、本発明によってＤＲＡＭの製造所要時間を約１／１
０に短縮できることが確認された。また、図５から明ら
かなように本実施例によれば、半導体ウエーハを外気に
さらすことなしに搬送して、各種処理を順次行うことが
できるので、外気による汚染などが生ずる恐れはない。

【００４１】実施例５本実施例は、複数の単位プロセス工程を実施するための
複数の単位プロセス装置を放射状に配置した例であり、
図６および表５を用いて説明する。

【００４２】

【表５】

【００４３】図６から明らかなように、本実施例では、
表５に示した第１〜第１４の単位プロセス工程をそれぞ
れ実施するための第１〜第１４の単位プロセス装置３１
〜４４が、ＳＯＲ光源５５を中心として放射状に配置さ
れている。半導体ウエーハ（図示せず）は矢印ｄ、ｅ、
ｆの方向に順次搬送され、第１の単位プロセス装置３１
におけるウエルの形成から、第１４の単位プロセス装置
４４におけるパッシベーションまで、１４の単位プロセ
ス工程が順次行われる。

【００４４】図６から明らかなように、本実施例におい
ては、ＳＯＲ光源５５からのＸ線５６が各単位プロセス
装置３１〜４４に照射されて、表５に示した処理がそれ
ぞれ行われるので、スループットを著しく向上させるこ
とができた。本実施例によって、論理型デジタル集積回
路を支障なく形成することができ、所要時間は約７２時
間であった。

【００４５】実施例６本実施例は、図７から明らかなように、４個の単位プロ
セス装置５７〜６０を配置して製造装置を構成した例で
あり、図７および表６を用いて説明する。なお、理解を
容易にするため、図７における符号（数字）は図４にお
ける符号に対応しており、例えば図７における符号１５
および１９は、図４の場合と同様に、それぞれ熱処理ベ
ーク装置および寸法検査装置を表す。他の要素処理装置
の場合も同じである。

【００４６】図７に示したように、本実施例において
は、半導体ウエーハ（図示せず）は矢印ｇ、ｈ、ｉ、
ｊ、ｋ、ｌに示した方向に順次搬送されて、所定の処理
が行われる。また、表６に示したように、図７における
単位プロセス装置５７および５８は、拡散処理を行うた
めの、第１および第２の単位プロセス装置であり、単位
プロセス装置５９および６０は、配線の形成を行うため
の、第３および第４の単位プロセス装置である。配線形
成プロセスにおいては、金属配線用の金属材料としてア
ルミニウム、銅、タングステン、チタニウムなどの金属
や合金が用いられる。しかし、本実施例では拡散処理を
行うための第１および第２の単位プロセス装置５７、５
８と、配線形成を行うための第３および第４の単位プロ
セス装置５９、６０は、互いに分離されており、上記第
１および第２の単位プロセス装置５７、５８による拡散
処理が終了した後に、半導体ウエーハは第３および第４
の単位プロセス装置５９、６０に移されて配線形成が行
われる。そのため、配線形成における上記金属や合金
が、第１および第２の単位プロセス装置５７、５８にお
ける拡散処理に混入する恐れはない。

【００４７】

【表６】

【００４８】さらに、本実施例では、拡散処理および配
線形成のための単位プロセス装置がそれぞれ二分されて
いるので、半導体ウエーハ処理能力を著しく向上させる
ことができた。すなわち、例えば図３の場合、拡散処理
はＮ^＋埋込層形成からコンタクト形成に至る工程である
が、ウエル形成（１）およびＮ^＋コンタクト形成などＮ
型不純物ドープ領域の形成工程と、ウエル形成（２）お
よびＰ^＋コンタクト形成などＰ型不純物ドープ領域形成
工程に大別される。本実施例では、図７および表６に示
したように、第１の単位プロセス装置５７によって上記
Ｎ型不純物ドープ領域の形成工程が行われ、第２の単位
プロセス装置５８によって上記Ｐ型不純物ドープ領域の
形成工程が行われる。同様に、配線形成のための装置も
二分されており、上記第３の単位プロセス装置５９によ
ってＡｌ配線（１）〜（４）形成が行われ、第４の単位
プロセス工程装置６０によってＩＭＤ（１）〜（３）形
成およびバッシベーションが行われる。このように性格
の異なる２種類の単位プロセス装置が分離されたため、
各単位プロセス装置を効率的に配置して動作させること
ができた。

【００４９】また、表６に示したように、上記第１〜第
４の単位プロセス装置５７〜６０は、それぞれ膜形成用
単位プロセス装置６１、リソグフィ用単位プロセス装置
６２、加工処理用単位プロセス装置６３および検査装置
からなっている。膜形成用単位プロセス装置６１は、第
１および第２の単位プロセス５７の場合は、洗浄乾燥装
置、酸化装置、膜厚検査装置およびＣＶＤ装置からな
り、第２の単位プロセス装置５８の場合は、これにＰＶ
Ｄ装置が加わっている。第３および第４の単位プロセス
装置５９、６０の場合は、上記酸化装置は使用されず、
各要素処理装置の接続が異なっている。また、リソグラ
フィ用単位プロセス装置６２は、第１〜第４の単位プロ
セス５７〜６０に対していずれも同じ要素処理装置から
なり、表面処理装置、レジスト塗布装置、熱処理ベーク
装置、感光装置、現像装置、ＵＶ処理装置および寸法検
査装置からなっている。加工処理用単位プロセス装置６
３は、第１および第２の単位プロセス装置５７、５８の
場合は、各種加工用の要素処理装置が含まれている。第
１および第２の単位プロセス５７、５８の場合はイオン
注入装置を含んでいるのに対し、第３および第４の単位
プロセス装置５９、６０には含まれていない。

【００５０】半導体ウエーハは、第１の単位プロセス装
置５７から第４の単位プロセス装置６０まで、順次搬送
されて処理される。さらに、図７から明らかなように、
第１の単位プロセス装置５７と第２の単位プロセス装置
５８、および第３の単位プロセス装置５９と第４の単位
プロセス装置６０の間には、それぞれ半導体ウエーハの
搬送路が設けられ、互いにバイパス接続されている。例
えば図３に示した工程を実施するためには、シリサイド
の形成のために、Ｎ型不純物領域形成に関する第１の単
位プロセス装置５７とＰ型不純物領域形成に関する第２
の単位プロセス装置５８が必要であるが、本実施例では
両者がバイパス接続されているので、各要素処理装置に
よる半導体ウエーハの処理を効率的に行うことができ
た。

【００５１】なお、図７は４個の単位プロセス装置５
７、５８、５９、６０を配置した例を示したが、目的に
応じて単位プロセス装置の数を適宜変更できることはい
うまでもない。例えば、図１に示した工程を実施する場
合は、蓄積容量を形成するための単位プロセス装置、お
よび配線工程を実施するための平坦化のための単位プロ
セス装置が、それぞれ追加される。また、上記バイパス
接続も本実施例以外の部分にも必要に応じて適宜設ける
ことができるのはいうまでもないことであり、さらに、
異なる単位プロセス装置の間のみではなく、同一の単位
プロセス装置の互いに離間した要素処理装置の間にバイ
パス接続を設けることができる。このようにすることに
よって、単位プロセス装置や要素処理装置の接続を極め
て多様とすることができ、極めて多くの種類の半導体装
置の製造に対応することができる。

【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、半導体装置の製造工程は、それぞれ複数の要素
処理工程からなる複数の単位プロセス工程に分割され、
製造すべき半導体装置の種類に応じて選択された単位プ
ロセス工程が、製造すべき半導体装置の種類によって決
定された順序に接続されて、半導体ウエーハが順次処理
される。そのため、所望の半導体装置を同一の枚葉式製
造ラインを用いて、従来より短時間で所望種類の半導体
装置を製造することができる、半導体ウエーハが搬送時
に外気に曝され難いので、汚染の恐れが極めて少なく、
塵埃除去のための費用が節減できるなど、多くの利点が
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す系統図。

【図２】本発明の第２の実施例を示す系統図。

【図３】本発明の第３の実施例を示す系統図。

【図４】本発明の第４の実施例を示す配置図。

【図５】本発明の第４の実施例を示す断面図。

【図６】本発明の第５の実施例を示す配置図。

【図７】本発明の第６の実施例を示す配置図。

【符号の説明】

１〜３０……第１〜第３０の要素処理工程（および装
置）、３１〜４４……第１〜第１４の単位プロセス工
程、４５……プロセス処理用機器、４６……上部フラン
ジ、４７……キャリア、４８……下部フランジ、４９…
…真空排気口、５０……チューブシール、５１……ロー
ル、５２……シール、５３……フランジ、５４……処理
室、５５……ＳＯＲ、５６……Ｘ線。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体装置の製造に要する製造工程を、そ
れぞれ複数の要素処理工程を含む複数の単位プロセス工
程に分割し、当該複数の単位プロセス工程のうち、製造
すべき半導体装置の種類によって複数の所望上記単位プ
ロセス工程を選択して所定の順序に接続し、当該接続さ
れた複数の所望上記単位プロセス工程によって半導体ウ
エーハを順次処理することにより、種類が互いに異なる
複数の上記半導体装置から選択された所望の半導体装置
を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】上記種類が互いに異なる半導体装置は、メ
モリ集積回路、論理型デジタル集積回路およびアナログ
集積回路であることを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項３】上記要素処理工程は、上記ウエーハを識
別、搬送、処理および計測する工程から選ばれることを
特徴とする請求項１若しくは２に記載の半導体装置の製
造方法。
【請求項４】上記複数の要素処理工程の所要時間は、そ
れぞれ所望の値に制御されることを特徴とする請求項１
から３のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】上記要素処理工程は、レジスト塗布、現
像、エッチング、投影露光、電子線描画、ＣＶＤ、熱処
理、酸化、イオン注入、ＰＶＤ、洗浄乾燥、レジスト剥
離、化学機械研磨、ウエーハ認識、寸法測定、膜厚測
定、微粒子測定および汚染量測定からなる群から選択さ
れた工程を含んでいることを特徴とする請求項１から４
のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】それぞれ複数の要素処理装置を含み、所定
の順序に接続された複数の単位プロセス装置と、処理す
べき半導体ウエーハを上記複数の単位プロセス装置に順
次搬送する搬送装置を具備し、上記複数の単位プロセス
装置および順序は製造すべき半導体装置の種類に対応し
て選択され、上記複数の単位プロセス装置によって上記
半導体ウエーハを順次処理することにより、種類が互い
に異なる複数の半導体装置から選択された所望の種類の
上記半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置
の製造装置。
【請求項７】上記要素処理装置は、上記ウエーハを識
別、搬送、処理若しくは計測する装置から選択された装
置であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置
の製造装置。
【請求項８】上記要素処理装置は、処理時間をそれぞれ
一定に制御する手段を有していることを特徴とする請求
項６若しくは７に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項９】上記要素処理装置は、当該要素処理装置内
の雰囲気をそれぞれ所望の雰囲気に制御する手段を有し
ていることを特徴とする請求項６から８のいずれか一に
記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１０】上記複数の単位プロセス装置は、閉ルー
プ状に接続して配置されていることを特徴とする請求項
６から９のいずれか一に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１１】上記要素処理装置は、レジスト塗布装
置、現像装置、エッチング装置、投影露光装置、電子線
描画装置、ＣＶＤ装置、熱処理装置、酸化装置、イオン
注入装置、ＰＶＤ装置、洗浄乾燥装置、レジスト剥離装
置、化学機械研磨装置、ウエーハ認識装置、寸法測定装
置、膜厚測定装置、微粒子測定装置および汚染量測定装
置からなる群から選択された装置を含むことを特徴とす
る請求項６から１０のいずれか一に記載の半導体装置の
製造装置。
【請求項１２】所望の上記単位プロセス装置の有する所
望の上記要素処理装置は、所望の他の上記単位プロセス
装置の有する所望の上記要素処理装置と、処理すべきウ
エーハを搬送する装置を介して互いに接続されているこ
とを特徴とする請求項６から１１のいずれか一に記載の
半導体装置の製造装置。
【請求項１３】所望の上記単位プロセス装置の有する互
いに離間した位置に配置された所望の上記要素処理装置
が、ウエーハを搬送する装置を介して互いに接続されて
いることを特徴とする請求項６から１２のいずれか一に
記載の半導体装置の製造装置。