JP2000068210A - エピタキシャルウェーハの製造装置 - Google Patents
エピタキシャルウェーハの製造装置Info
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 メンテナンス時の大気接触によるガス供給
口、ガス導入管等の腐食を軽減又は防止する。メンテナ
ンス後、比較的短時間のうちにシリコンウェーハの成膜
を可能にする。 【解決手段】 エピタキシャルウェーハ製造装置は、チ
ャンバ２０の内部に設けられたエピタキシャル成長用の
ウェーハ２３を支持する支持部材２４とガス供給口２６
とを有し、ガス供給口２６にガス導入管２８及び切換弁
２９を介して接続された原料ガス供給管３０より原料ガ
スをチャンバ内に供給するように構成される。切換弁２
９がガス供給口２６の近傍に設けられ、原料ガス供給管
３０とは別にパージガス供給管３１が切換弁２９を介し
てガス供給口２６に接続される。ガス導入管２８はハス
テロイのような耐塩酸合金が好ましい。
口、ガス導入管等の腐食を軽減又は防止する。メンテナ
ンス後、比較的短時間のうちにシリコンウェーハの成膜
を可能にする。 【解決手段】 エピタキシャルウェーハ製造装置は、チ
ャンバ２０の内部に設けられたエピタキシャル成長用の
ウェーハ２３を支持する支持部材２４とガス供給口２６
とを有し、ガス供給口２６にガス導入管２８及び切換弁
２９を介して接続された原料ガス供給管３０より原料ガ
スをチャンバ内に供給するように構成される。切換弁２
９がガス供給口２６の近傍に設けられ、原料ガス供給管
３０とは別にパージガス供給管３１が切換弁２９を介し
てガス供給口２６に接続される。ガス導入管２８はハス
テロイのような耐塩酸合金が好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウェーハ表
面にエピタキシャル成長によりシリコン単結晶薄膜を形
成するエピタキシャルウェーハの製造装置に関するもの
である。
面にエピタキシャル成長によりシリコン単結晶薄膜を形
成するエピタキシャルウェーハの製造装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のエピタキシャルウェーハ
の製造装置として、単一のシリコンウェーハ表面にエピ
タキシャル成長させる枚葉式の装置が知られている。図
３に示すように、この製造装置はチャンバ１を構成する
上部ドーム１ａに連通するガス供給口２に原料ガス又は
パージガスを供給するガス導入管３の一端が接続され
る。またガス供給口２から２〜３ｍ程度離れたガス導入
管３の他端には三方切換弁４が設けられ、この切換弁４
には原料ガス供給管５及びパージガス供給管６が接続さ
れる。この装置では、支持部材７により支持されたシリ
コンウェーハ８を加熱しながら、チャンバ１内にＳｉＨ
2Ｃｌ2又はＳｉＨＣｌ3のような原料ガスをＢ2Ｈ6又は
ＰＨ3のようなドーパントガス及びＨ2のキャリアガスと
ともに導入する。導入された原料ガスはウェーハ表面に
シリコン単結晶薄膜を形成した後、ガス排出口９を通っ
てガス排出管１０より排出される。この枚葉式のエピタ
キシャルウェーハの製造装置では複数のシリコンウェー
ハを同時に成膜する場合に比較して熱源からの距離を均
一にすることができるため、シリコンウェーハの温度を
均一にして比抵抗にばらつきの小さい膜を形成すること
ができるようになっている。一方、この製造装置では多
数回成膜を行っていくと、クリーニングガスであるＨＣ
ｌのようなエッチングガスをチャンバ内に流しても、チ
ャンバ内部及びガス排出口９及びガス排出管１０にポリ
シリコン又はポリシランのような反応副生成物が堆積し
て残存する。このため定期的にチャンバ内部を保守・整
備するメンテナンス作業が行われる。
の製造装置として、単一のシリコンウェーハ表面にエピ
タキシャル成長させる枚葉式の装置が知られている。図
３に示すように、この製造装置はチャンバ１を構成する
上部ドーム１ａに連通するガス供給口２に原料ガス又は
パージガスを供給するガス導入管３の一端が接続され
る。またガス供給口２から２〜３ｍ程度離れたガス導入
管３の他端には三方切換弁４が設けられ、この切換弁４
には原料ガス供給管５及びパージガス供給管６が接続さ
れる。この装置では、支持部材７により支持されたシリ
コンウェーハ８を加熱しながら、チャンバ１内にＳｉＨ
2Ｃｌ2又はＳｉＨＣｌ3のような原料ガスをＢ2Ｈ6又は
ＰＨ3のようなドーパントガス及びＨ2のキャリアガスと
ともに導入する。導入された原料ガスはウェーハ表面に
シリコン単結晶薄膜を形成した後、ガス排出口９を通っ
てガス排出管１０より排出される。この枚葉式のエピタ
キシャルウェーハの製造装置では複数のシリコンウェー
ハを同時に成膜する場合に比較して熱源からの距離を均
一にすることができるため、シリコンウェーハの温度を
均一にして比抵抗にばらつきの小さい膜を形成すること
ができるようになっている。一方、この製造装置では多
数回成膜を行っていくと、クリーニングガスであるＨＣ
ｌのようなエッチングガスをチャンバ内に流しても、チ
ャンバ内部及びガス排出口９及びガス排出管１０にポリ
シリコン又はポリシランのような反応副生成物が堆積し
て残存する。このため定期的にチャンバ内部を保守・整
備するメンテナンス作業が行われる。
【０００３】このメンテナンス時には、三方切換弁４を
切換えて原料ガスの供給を止めるとともにパージガス供
給管６から乾燥Ｎ2ガスのようなパージガスを流してガ
ス導入管内に残留するガスの逆流を防止しながら、図３
に示した上部ドーム１ａを取外して、チャンバ内を保守
・整備している。また支持部材７は定期的に交換され
る。
切換えて原料ガスの供給を止めるとともにパージガス供
給管６から乾燥Ｎ2ガスのようなパージガスを流してガ
ス導入管内に残留するガスの逆流を防止しながら、図３
に示した上部ドーム１ａを取外して、チャンバ内を保守
・整備している。また支持部材７は定期的に交換され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した製造
装置では、メンテナンス時に上部ドーム１ａを取外す
と、大気がＳＵＳ３１６Ｌ製のガス供給口２、ガス導入
管３、ガス排出口９及びガス排出管１０に入り込む。こ
れらのガス供給口２、ガス導入管３等には、Ｈ2の他に
ＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳｉＨＣｌ3、ＨＣｌなどの金属腐食
性ガスが微量ながら残存しており、大気中の水分と反応
して塩酸を生じるため、この塩酸によりガス供給口２、
ガス導入管３等を腐食させることがあった。またメンテ
ナンスが終って原料ガスをチャンバ内に導入する前に、
ガス供給口２やガス導入管３に吸着された水分が完全に
除去されるまでのＮ2のようなパージガスを流し続け、
しばらくの間シリコンウェーハをエピタキシャル成長で
きない不具合があった。本発明の目的は、メンテナンス
時の大気接触によるガス供給口、ガス導入管等の腐食を
軽減又は防止するエピタキシャルウェーハの製造装置を
提供することにある。本発明の別の目的は、メンテナン
ス後、比較的短時間のうちにシリコンウェーハの成膜を
可能にするエピタキシャルウェーハの製造装置を提供す
ることにある。
装置では、メンテナンス時に上部ドーム１ａを取外す
と、大気がＳＵＳ３１６Ｌ製のガス供給口２、ガス導入
管３、ガス排出口９及びガス排出管１０に入り込む。こ
れらのガス供給口２、ガス導入管３等には、Ｈ2の他に
ＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳｉＨＣｌ3、ＨＣｌなどの金属腐食
性ガスが微量ながら残存しており、大気中の水分と反応
して塩酸を生じるため、この塩酸によりガス供給口２、
ガス導入管３等を腐食させることがあった。またメンテ
ナンスが終って原料ガスをチャンバ内に導入する前に、
ガス供給口２やガス導入管３に吸着された水分が完全に
除去されるまでのＮ2のようなパージガスを流し続け、
しばらくの間シリコンウェーハをエピタキシャル成長で
きない不具合があった。本発明の目的は、メンテナンス
時の大気接触によるガス供給口、ガス導入管等の腐食を
軽減又は防止するエピタキシャルウェーハの製造装置を
提供することにある。本発明の別の目的は、メンテナン
ス後、比較的短時間のうちにシリコンウェーハの成膜を
可能にするエピタキシャルウェーハの製造装置を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように上部ドーム２１と下部ドーム２２とに
より形成されたチャンバ２０の内部にエピタキシャル成
長用のウェーハ２３を支持する支持部材２４が設けら
れ、チャンバ２０にガス供給口２６が設けられ、ガス供
給口２６にガス導入管２８及び第１切換弁２９を介して
接続された原料ガス供給管３０より原料ガスをチャンバ
内に供給するように構成されたエピタキシャルウェーハ
の製造装置の改良である。その特徴ある構成は第１切換
弁２９がガス供給口２６の近傍に設けられ、原料ガス供
給管３０とは別にパージガス供給管３１が第１切換弁２
９を介してガス供給口２６に接続されたことにある。第
１切換弁２９がガス供給口２６の近傍に設けられている
ため、メンテナンス時に第１切換弁２９を切換えて原料
ガスの供給を止めるとともにパージガス供給管３１から
乾燥Ｎ2ガスのようなパージガスを流してガス導入管内
に残留するガスの逆流を防止すれば、上部ドーム２１の
取外し時にガス供給口２６から大気が流れ込むガス導入
管２８の長さが短くなり、腐食性ガスによる腐食部位が
少なくなる。また流れ込んだ空気をパージガスにより一
掃できる。
図１に示すように上部ドーム２１と下部ドーム２２とに
より形成されたチャンバ２０の内部にエピタキシャル成
長用のウェーハ２３を支持する支持部材２４が設けら
れ、チャンバ２０にガス供給口２６が設けられ、ガス供
給口２６にガス導入管２８及び第１切換弁２９を介して
接続された原料ガス供給管３０より原料ガスをチャンバ
内に供給するように構成されたエピタキシャルウェーハ
の製造装置の改良である。その特徴ある構成は第１切換
弁２９がガス供給口２６の近傍に設けられ、原料ガス供
給管３０とは別にパージガス供給管３１が第１切換弁２
９を介してガス供給口２６に接続されたことにある。第
１切換弁２９がガス供給口２６の近傍に設けられている
ため、メンテナンス時に第１切換弁２９を切換えて原料
ガスの供給を止めるとともにパージガス供給管３１から
乾燥Ｎ2ガスのようなパージガスを流してガス導入管内
に残留するガスの逆流を防止すれば、上部ドーム２１の
取外し時にガス供給口２６から大気が流れ込むガス導入
管２８の長さが短くなり、腐食性ガスによる腐食部位が
少なくなる。また流れ込んだ空気をパージガスにより一
掃できる。
【０００６】請求項３に係る発明は、図２に示すように
上部ドーム２１と下部ドーム３３とにより形成されたチ
ャンバ３５の内部にエピタキシャル成長用のウェーハ２
３を支持する支持部材２４が設けられ、上部ドーム２１
の内部に連通する原料ガス供給口２６がチャンバ３５に
設けられ、原料ガス供給口２６にガス導入管２８及び第
１切換弁３２を介して接続された原料ガス供給管３０よ
り原料ガスをチャンバ内に供給するように構成されたエ
ピタキシャルウェーハの製造装置の改良である。その特
徴ある構成は、第１切換弁３２が原料ガス供給口２６の
近傍に設けられ、原料ガス供給口２６とは別に下部ドー
ム３３の内部に連通するパージガス供給口３４がチャン
バ３５に設けられ、原料ガス供給管３０とは別にパージ
ガス供給管３６がパージガス供給口３４の近傍に設けら
れた第２切換弁３７を介してパージガス供給口３４に接
続されたことにある。第１切換弁３２がガス供給口２６
の近傍に設けられているため、メンテナンス時に第１切
換弁３２を閉止して原料ガスの供給を止め、上部ドーム
２１を取外した際に、ガス供給口２６から大気が流れ込
むガス導入管２８の長さが短くなり、腐食性ガスによる
腐食部位が少なくなる。
上部ドーム２１と下部ドーム３３とにより形成されたチ
ャンバ３５の内部にエピタキシャル成長用のウェーハ２
３を支持する支持部材２４が設けられ、上部ドーム２１
の内部に連通する原料ガス供給口２６がチャンバ３５に
設けられ、原料ガス供給口２６にガス導入管２８及び第
１切換弁３２を介して接続された原料ガス供給管３０よ
り原料ガスをチャンバ内に供給するように構成されたエ
ピタキシャルウェーハの製造装置の改良である。その特
徴ある構成は、第１切換弁３２が原料ガス供給口２６の
近傍に設けられ、原料ガス供給口２６とは別に下部ドー
ム３３の内部に連通するパージガス供給口３４がチャン
バ３５に設けられ、原料ガス供給管３０とは別にパージ
ガス供給管３６がパージガス供給口３４の近傍に設けら
れた第２切換弁３７を介してパージガス供給口３４に接
続されたことにある。第１切換弁３２がガス供給口２６
の近傍に設けられているため、メンテナンス時に第１切
換弁３２を閉止して原料ガスの供給を止め、上部ドーム
２１を取外した際に、ガス供給口２６から大気が流れ込
むガス導入管２８の長さが短くなり、腐食性ガスによる
腐食部位が少なくなる。
【０００７】請求項２又は請求項４に係る発明は、請求
項１又は請求項３に係る発明であって、ガス導入管２８
が耐塩酸合金からなるエピタキシャルウェーハの製造装
置である。上部ドーム２１を取外した際に、大気に曝さ
れるガス導入管２８を耐塩酸合金で形成することによ
り、より確実に腐食性ガスによる腐食を防止することが
できる。
項１又は請求項３に係る発明であって、ガス導入管２８
が耐塩酸合金からなるエピタキシャルウェーハの製造装
置である。上部ドーム２１を取外した際に、大気に曝さ
れるガス導入管２８を耐塩酸合金で形成することによ
り、より確実に腐食性ガスによる腐食を防止することが
できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明の第１の実施の形態を
図面に基づいて説明する。図１に示すように、このエピ
タキシャルウェーハの製造装置は枚葉式であって、チャ
ンバ２０は上部ドーム２１と下部ドーム２２により構成
され、このチャンバ２０の内部にはエピタキシャル成長
用の単一のシリコンウェーハ２３を支持する支持部材２
４が設けられる。このチャンバ２０には上部ドーム２１
の内部に連通するガス供給口２６及びガス排出口２７が
配設される。このガス供給口２６には原料ガス又はパー
ジガスを供給する長さ５０ｃｍ以下、好ましくは１〜１
０ｃｍ程度のガス導入管２８の一端が接続され、ガス排
出口２７にはガス排出管２５が接続される。ガス導入管
２８はハステロイのような耐塩酸合金からなる。またガ
ス導入管２８の他端には三方切換弁２９が設けられ、こ
の切換弁２９の一方には原料ガス供給管３０が、その他
方にはパージガス供給管３１が接続される。この装置で
は、図示しないが、ドーム２１及び２２の外側に設けら
れた熱源によりシリコンウェーハ２３を加熱しながら、
原料ガス供給管３０、三方切換弁２９、ガス導入管２８
及びガス供給口２６を通してチャンバ内にＳｉＨ2Ｃｌ2
又はＳｉＨＣｌ3のような原料ガスをＢ2Ｈ6又はＰＨ3の
ようなドーパントガス及びＨ2のキャリアガスとともに
導入する。導入された原料ガス等は上部ドーム２１とシ
リコンウェーハ２３の間の空間を流れ、ウェーハ表面に
シリコン単結晶薄膜を形成した後、ガス排出口２７を通
ってガス排出管２５より排出される。
図面に基づいて説明する。図１に示すように、このエピ
タキシャルウェーハの製造装置は枚葉式であって、チャ
ンバ２０は上部ドーム２１と下部ドーム２２により構成
され、このチャンバ２０の内部にはエピタキシャル成長
用の単一のシリコンウェーハ２３を支持する支持部材２
４が設けられる。このチャンバ２０には上部ドーム２１
の内部に連通するガス供給口２６及びガス排出口２７が
配設される。このガス供給口２６には原料ガス又はパー
ジガスを供給する長さ５０ｃｍ以下、好ましくは１〜１
０ｃｍ程度のガス導入管２８の一端が接続され、ガス排
出口２７にはガス排出管２５が接続される。ガス導入管
２８はハステロイのような耐塩酸合金からなる。またガ
ス導入管２８の他端には三方切換弁２９が設けられ、こ
の切換弁２９の一方には原料ガス供給管３０が、その他
方にはパージガス供給管３１が接続される。この装置で
は、図示しないが、ドーム２１及び２２の外側に設けら
れた熱源によりシリコンウェーハ２３を加熱しながら、
原料ガス供給管３０、三方切換弁２９、ガス導入管２８
及びガス供給口２６を通してチャンバ内にＳｉＨ2Ｃｌ2
又はＳｉＨＣｌ3のような原料ガスをＢ2Ｈ6又はＰＨ3の
ようなドーパントガス及びＨ2のキャリアガスとともに
導入する。導入された原料ガス等は上部ドーム２１とシ
リコンウェーハ２３の間の空間を流れ、ウェーハ表面に
シリコン単結晶薄膜を形成した後、ガス排出口２７を通
ってガス排出管２５より排出される。
【０００９】多数回エピタキシャル成長することによ
り、クリーニングガスであるＨＣｌのようなエッチング
ガスをチャンバ内に流しても、チャンバ内部及びガス排
出口２７及びガス排出管２５にポリシリコン又はポリシ
ランのような反応副生成物が堆積して残存するため、定
期的にチャンバ内部を保守・整備するメンテナンス作業
が行われる。このメンテナンス時には、三方切換弁２９
を切換えて原料ガスの供給を止めるとともにパージガス
供給管３１から乾燥Ｎ2ガスのようなパージガスを流し
てガス導入管内に残留するガスの逆流を防止しながら、
上部ドーム２１を取外して、チャンバ内を保守・整備
し、必要により支持部材２４を交換する。このメンテナ
ンス作業では、ガス供給口２６から大気が流れ込むガス
導入管２８の長さが短い上、ガス導入管２８が耐塩酸合
金で形成されているため、上部ドーム２１を取外した際
に、腐食性ガスによってガス導入管２８が腐食しない。
また流れ込んだ空気がパージガスにより一掃されるた
め、ガス導入管２８に吸着される水分を減らすことがで
きる利点もある。
り、クリーニングガスであるＨＣｌのようなエッチング
ガスをチャンバ内に流しても、チャンバ内部及びガス排
出口２７及びガス排出管２５にポリシリコン又はポリシ
ランのような反応副生成物が堆積して残存するため、定
期的にチャンバ内部を保守・整備するメンテナンス作業
が行われる。このメンテナンス時には、三方切換弁２９
を切換えて原料ガスの供給を止めるとともにパージガス
供給管３１から乾燥Ｎ2ガスのようなパージガスを流し
てガス導入管内に残留するガスの逆流を防止しながら、
上部ドーム２１を取外して、チャンバ内を保守・整備
し、必要により支持部材２４を交換する。このメンテナ
ンス作業では、ガス供給口２６から大気が流れ込むガス
導入管２８の長さが短い上、ガス導入管２８が耐塩酸合
金で形成されているため、上部ドーム２１を取外した際
に、腐食性ガスによってガス導入管２８が腐食しない。
また流れ込んだ空気がパージガスにより一掃されるた
め、ガス導入管２８に吸着される水分を減らすことがで
きる利点もある。
【００１０】図２に本発明の第２の実施の形態を示す。
図２において、図１と同一部品は同一符号を示す。この
実施の形態の特徴ある構成は、図２に示すようにハステ
ロイ製のガス導入管２８と原料ガス供給管３０の間に介
装される第１切換弁３２が原料ガス供給口２６の近傍に
設けられ、原料ガス供給口２６とは別にパージガス供給
口３４がチャンバ３５に設けられ、原料ガス供給管３０
とは別にパージガス供給管３６がパージガス供給口３４
の近傍に設けられた第２切換弁３７及びガス導入管３８
を介してパージガス供給口３４に接続されたことにあ
る。パージガス供給口３４が設けられる場所は例えば原
料ガス供給口２６に隣接する箇所や、下部ドーム３３の
内部に連通する場所などが挙げられる。この装置ではメ
ンテナンス時には第１切換弁３２がガス供給口２６の近
傍に設けられているため、第１切換弁３２を閉止して原
料ガスの供給を止め、上部ドーム２１を取外した際に、
ガス供給口２６から大気が流れ込むガス導入管２８の長
さが短くなり、腐食性ガスによる腐食部位が少なくな
る。
図２において、図１と同一部品は同一符号を示す。この
実施の形態の特徴ある構成は、図２に示すようにハステ
ロイ製のガス導入管２８と原料ガス供給管３０の間に介
装される第１切換弁３２が原料ガス供給口２６の近傍に
設けられ、原料ガス供給口２６とは別にパージガス供給
口３４がチャンバ３５に設けられ、原料ガス供給管３０
とは別にパージガス供給管３６がパージガス供給口３４
の近傍に設けられた第２切換弁３７及びガス導入管３８
を介してパージガス供給口３４に接続されたことにあ
る。パージガス供給口３４が設けられる場所は例えば原
料ガス供給口２６に隣接する箇所や、下部ドーム３３の
内部に連通する場所などが挙げられる。この装置ではメ
ンテナンス時には第１切換弁３２がガス供給口２６の近
傍に設けられているため、第１切換弁３２を閉止して原
料ガスの供給を止め、上部ドーム２１を取外した際に、
ガス供給口２６から大気が流れ込むガス導入管２８の長
さが短くなり、腐食性ガスによる腐食部位が少なくな
る。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように、ＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳ
ｉＨＣｌ3のような腐食性の原料ガスによりシリコンウ
ェーハ表面にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長
させる本発明の製造装置では、切換弁までのガス導入管
の長さを短くするため、メンテナンス時にこのガス導入
管に残留する腐食性ガスが僅かで済み、腐食性ガスによ
るガス導入管の腐食部位が少なくなる。特にこのガス導
入管を耐塩酸合金で形成すれば、メンテナンス時のガス
導入管の腐食を確実に防止することができる。また、ガ
ス導入管に吸着された水分を減らすことができる。これ
によりメンテナンス後、比較的短時間のうちにシリコン
ウェーハの成膜を開始することができる。
ｉＨＣｌ3のような腐食性の原料ガスによりシリコンウ
ェーハ表面にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長
させる本発明の製造装置では、切換弁までのガス導入管
の長さを短くするため、メンテナンス時にこのガス導入
管に残留する腐食性ガスが僅かで済み、腐食性ガスによ
るガス導入管の腐食部位が少なくなる。特にこのガス導
入管を耐塩酸合金で形成すれば、メンテナンス時のガス
導入管の腐食を確実に防止することができる。また、ガ
ス導入管に吸着された水分を減らすことができる。これ
によりメンテナンス後、比較的短時間のうちにシリコン
ウェーハの成膜を開始することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態のエピタキシャルウ
ェーハ製造装置の断面構成図。
ェーハ製造装置の断面構成図。
【図２】本発明の第２の実施の形態のエピタキシャルウ
ェーハ製造装置の断面構成図。
ェーハ製造装置の断面構成図。
【図３】従来のエピタキシャルウェーハ製造装置の断面
構成図。
構成図。
２０，３５ チャンバ ２１ 上部ドーム ２２，３３ 下部ドーム ２３ シリコンウェーハ ２４ 支持部材 ２６ ガス供給口 ２８ ガス導入管 ２９，３２ 第１切換弁 ３０ 原料ガス供給管 ３１，３６ パージガス供給管 ３４ パージガス供給口 ３７ 第２切換弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山岡 智則 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BA04 DB05 EG22 EG23 5F045 AB02 AC05 DP04 DP27 DQ10 EC07 EE04 EE14
Claims (4)
- 【請求項１】 上部ドーム(21)と下部ドーム(22)とによ
り形成されたチャンバ(20)の内部にエピタキシャル成長
用のウェーハ(23)を支持する支持部材(24)が設けられ、
前記チャンバ(20)にガス供給口(26)が設けられ、前記ガ
ス供給口(26)にガス導入管(28)及び第１切換弁(29)を介
して接続された原料ガス供給管(30)より原料ガスを前記
チャンバ内に供給するように構成されたエピタキシャル
ウェーハの製造装置において、 前記第１切換弁(29)が前記ガス供給口(26)の近傍に設け
られ、 前記原料ガス供給管(30)とは別にパージガス供給管(31)
が前記第１切換弁(29)を介して前記ガス供給口(26)に接
続されたことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製
造装置。 - 【請求項２】 ガス導入管(28)が耐塩酸合金からなる請
求項１記載のエピタキシャルウェーハの製造装置。 - 【請求項３】 上部ドーム(21)と下部ドーム(33)とによ
り形成されたチャンバ(35)の内部にエピタキシャル成長
用のウェーハ(23)を支持する支持部材(24)が設けられ、
前記上部ドーム(21)の内部に連通する原料ガス供給口(2
6)が前記チャンバ(35)に設けられ、前記原料ガス供給口
(26)にガス導入管(28)及び第１切換弁(32)を介して接続
された原料ガス供給管(30)より原料ガスを前記チャンバ
内に供給するように構成されたエピタキシャルウェーハ
の製造装置において、 前記第１切換弁(32)が前記原料ガス供給口(26)の近傍に
設けられ、 前記原料ガス供給口(26)とは別にパージガス供給口(34)
が前記チャンバ(35)に設けられ、 前記原料ガス供給管(30)とは別にパージガス供給管(36)
が前記パージガス供給口(34)の近傍に設けられた第２切
換弁(37)を介して前記パージガス供給口(34)に接続され
たことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装
置。 - 【請求項４】 ガス導入管(28)が耐塩酸合金からなる請
求項３記載のエピタキシャルウェーハの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231321A JP2000068210A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | エピタキシャルウェーハの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231321A JP2000068210A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | エピタキシャルウェーハの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068210A true JP2000068210A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=16921812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10231321A Pending JP2000068210A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | エピタキシャルウェーハの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000068210A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322756A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Kobe Steel Ltd | 極低温装置 |
| CN107546101A (zh) * | 2016-06-23 | 2018-01-05 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种外延生长方法 |
-
1998
- 1998-08-18 JP JP10231321A patent/JP2000068210A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322756A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Kobe Steel Ltd | 極低温装置 |
| CN107546101A (zh) * | 2016-06-23 | 2018-01-05 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种外延生长方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040526 |