JP2000068160A - Ｔａ固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
Ｔａ固体電解コンデンサおよびその製造方法Info
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Landscapes
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｔａ陽極体の陽極酸化後、あるいは陽極酸化
時に皮膜組成を変化させて、特性改善を行ったＴａ固体
電解コンデンサおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明のＴａ固体電解コンデンサは、誘
電体層としてＴａ2Ｏ5とＢａＴａ2Ｏ6の複合酸化物層を
有することを特徴とする。
時に皮膜組成を変化させて、特性改善を行ったＴａ固体
電解コンデンサおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明のＴａ固体電解コンデンサは、誘
電体層としてＴａ2Ｏ5とＢａＴａ2Ｏ6の複合酸化物層を
有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＴａ固体電解コンデ
ンサおよびその製造方法に関し、特に静電容量の低下を
抑えつつ絶縁破壊電圧を高めることのできるＴａ固体電
解コンデンサおよびその製造方法に関する。
ンサおよびその製造方法に関し、特に静電容量の低下を
抑えつつ絶縁破壊電圧を高めることのできるＴａ固体電
解コンデンサおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、固体電解コンデンサは、陽極体、
誘電体層（酸化物層）、導電性物質層（固体電解質
層）、陰極層から概略構成されている。以下、従来の固
体電解コンデンサの製造方法の一例について説明する。
まず、陽極体の製造方法について説明する。Ｔａ金属粉
末に、成形性を高めるためのバインダを混合し、プレス
成形用の造粒粉を作製する。この造粒粉を使用してプレ
ス工法により陽極リード（Ｔａ金属を使用）を埋設した
圧縮成型体を形成する。この成型体を１３００〜１６０
０℃程度の高温、１０-6Ｔｏｒｒ程度の高真空中で焼結
することにより、固体電解コンデンサ用の陽極体を得
る。
誘電体層（酸化物層）、導電性物質層（固体電解質
層）、陰極層から概略構成されている。以下、従来の固
体電解コンデンサの製造方法の一例について説明する。
まず、陽極体の製造方法について説明する。Ｔａ金属粉
末に、成形性を高めるためのバインダを混合し、プレス
成形用の造粒粉を作製する。この造粒粉を使用してプレ
ス工法により陽極リード（Ｔａ金属を使用）を埋設した
圧縮成型体を形成する。この成型体を１３００〜１６０
０℃程度の高温、１０-6Ｔｏｒｒ程度の高真空中で焼結
することにより、固体電解コンデンサ用の陽極体を得
る。
【０００３】理論上は、陽極体の材料としては、「弁作
用金属」と呼ばれる一群の金属材料が使用できるはずで
あるが、実用化されている材料はその中のＴａ、Ａｌだ
けである。しかもＡｌの場合は、上記のような焼結によ
り陽極体を製造することは少なく、エッチング箔を用い
ることが一般的に行われている。そのため、上記の方法
によって陽極体を製造する場合、現時点ではその材料は
殆どＴａのみに限定される。
用金属」と呼ばれる一群の金属材料が使用できるはずで
あるが、実用化されている材料はその中のＴａ、Ａｌだ
けである。しかもＡｌの場合は、上記のような焼結によ
り陽極体を製造することは少なく、エッチング箔を用い
ることが一般的に行われている。そのため、上記の方法
によって陽極体を製造する場合、現時点ではその材料は
殆どＴａのみに限定される。
【０００４】次に、誘電体層（酸化物層）の形成につい
て説明する。上記の陽極体の表面に誘電体層を形成する
ため、陽極酸化と呼ばれる手法により誘電体層としての
酸化物層を形成する。陽極酸化は、陽極体と通電のため
の対抗電極を電解質溶液中に浸漬し、陽極体を正電位、
対抗電極をそれ以下の電位に保ち通電することにより酸
化物層を陽極体表面に形成する方法である。このときの
陽極体−対抗電極間の電位差は化成電圧と呼ばれ、この
化成電圧を制御することにより酸化物層の厚みを容易に
決めることができる点がこの工法の特徴である。また、
この陽極酸化を経た陽極体は化成体と呼ばれる。
て説明する。上記の陽極体の表面に誘電体層を形成する
ため、陽極酸化と呼ばれる手法により誘電体層としての
酸化物層を形成する。陽極酸化は、陽極体と通電のため
の対抗電極を電解質溶液中に浸漬し、陽極体を正電位、
対抗電極をそれ以下の電位に保ち通電することにより酸
化物層を陽極体表面に形成する方法である。このときの
陽極体−対抗電極間の電位差は化成電圧と呼ばれ、この
化成電圧を制御することにより酸化物層の厚みを容易に
決めることができる点がこの工法の特徴である。また、
この陽極酸化を経た陽極体は化成体と呼ばれる。
【０００５】次に、固体電解質層の形成について説明す
る。上記の化成体の酸化物層の外側に、陽極体金属に対
応する対抗電極面としての導電性物質層を形成すると、
コンデンサとしての基本構造が得られることになる。こ
の導電性物質層のことを固体電解質層と呼ぶ。固体電解
質層としては、硝酸マンガンを熱分解することにより得
られる二酸化マンガンを用いるのが一般的であるが、最
近はポリピロール等の導電性有機高分子を化学重合、電
解重合等により層状に形成したものも用いられている。
る。上記の化成体の酸化物層の外側に、陽極体金属に対
応する対抗電極面としての導電性物質層を形成すると、
コンデンサとしての基本構造が得られることになる。こ
の導電性物質層のことを固体電解質層と呼ぶ。固体電解
質層としては、硝酸マンガンを熱分解することにより得
られる二酸化マンガンを用いるのが一般的であるが、最
近はポリピロール等の導電性有機高分子を化学重合、電
解重合等により層状に形成したものも用いられている。
【０００６】次に、陰極層の形成について説明する。上
記の固体電解質層形成後の化成体の外側に、更に導電性
物質層を形成するが、この層を陰極層と呼ぶ。陰極層は
固体電解質層と実装用の外部端子（陰極）を接続させ、
接続抵抗の減少、コンデンサの外装時および実装時のス
トレス緩和等の作用を併せ持つ。陰極層の形成には、グ
ラファイトペースト、銀ペーストが併用されるのが一般
的である。最後に外部端子および外装を形成する。上記
の陰極形成後の素子に実装のための金属製外部端子を溶
接、接着等で取り付け、さらに耐湿性向上、ハンドリン
グ性向上等を目的として、樹脂等で外装し固体電解コン
デンサを得る。
記の固体電解質層形成後の化成体の外側に、更に導電性
物質層を形成するが、この層を陰極層と呼ぶ。陰極層は
固体電解質層と実装用の外部端子（陰極）を接続させ、
接続抵抗の減少、コンデンサの外装時および実装時のス
トレス緩和等の作用を併せ持つ。陰極層の形成には、グ
ラファイトペースト、銀ペーストが併用されるのが一般
的である。最後に外部端子および外装を形成する。上記
の陰極形成後の素子に実装のための金属製外部端子を溶
接、接着等で取り付け、さらに耐湿性向上、ハンドリン
グ性向上等を目的として、樹脂等で外装し固体電解コン
デンサを得る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、固体電
解コンデンサの陽極体材料として使用できる金属は「弁
作用金属」と呼ばれる一群であるが、実用化されている
のはＴａ、Ａｌのみである。その理由としては、他の弁
作用金属は陽極酸化により形成される皮膜が絶縁性でな
い、あるいは、絶縁性を有していても固体電解コンデン
サとして実用にならない低い水準に止まることが挙げら
れる。
解コンデンサの陽極体材料として使用できる金属は「弁
作用金属」と呼ばれる一群であるが、実用化されている
のはＴａ、Ａｌのみである。その理由としては、他の弁
作用金属は陽極酸化により形成される皮膜が絶縁性でな
い、あるいは、絶縁性を有していても固体電解コンデン
サとして実用にならない低い水準に止まることが挙げら
れる。
【０００８】ＡｌとＴａも陽極酸化皮膜の形成方法に差
があり、Ａｌでは陽極酸化の工程で様々な物質と反応さ
せ皮膜の特性を制御しているが、Ｔａの場合、反応性が
非常に低いため、陽極酸化工程で酸化皮膜の組成を変え
ることは行われていない。ただし、陽極酸化中に化成液
中のアニオンが皮膜中へ取り込まれることはあるため、
皮膜の特性改善のために様々な化成液種が用いられてい
る。しかし、それによる皮膜の特性の変動は限られてお
り（例えば、欠陥部の減少による漏れ電流の低減等）、
誘電率、絶縁破壊電圧等の特性はＴａ2Ｏ5と基本的に変
わらない。
があり、Ａｌでは陽極酸化の工程で様々な物質と反応さ
せ皮膜の特性を制御しているが、Ｔａの場合、反応性が
非常に低いため、陽極酸化工程で酸化皮膜の組成を変え
ることは行われていない。ただし、陽極酸化中に化成液
中のアニオンが皮膜中へ取り込まれることはあるため、
皮膜の特性改善のために様々な化成液種が用いられてい
る。しかし、それによる皮膜の特性の変動は限られてお
り（例えば、欠陥部の減少による漏れ電流の低減等）、
誘電率、絶縁破壊電圧等の特性はＴａ2Ｏ5と基本的に変
わらない。
【０００９】そのため、Ｔａを使用する場合には、酸化
皮膜の組成変更を目的としてＴａ粉末中への他物質のド
ーピング（陽極体焼結時にＴａ粉末と反応させる）、Ｔ
ａと他物質との合金粉末の使用等が試みられてきたが、
現時点では未だ実用化されていない。一般的に固体電解
コンデンサの耐電圧を向上させるには陽極酸化皮膜を厚
くすることが行われるが、耐電圧とコンデンサの静電容
量は反比例の関係にあり、耐電圧を向上させると静電容
量が低下してしまうという問題点がある。
皮膜の組成変更を目的としてＴａ粉末中への他物質のド
ーピング（陽極体焼結時にＴａ粉末と反応させる）、Ｔ
ａと他物質との合金粉末の使用等が試みられてきたが、
現時点では未だ実用化されていない。一般的に固体電解
コンデンサの耐電圧を向上させるには陽極酸化皮膜を厚
くすることが行われるが、耐電圧とコンデンサの静電容
量は反比例の関係にあり、耐電圧を向上させると静電容
量が低下してしまうという問題点がある。
【００１０】エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディス
プレイの絶縁材に使用されているＢａＴａ2Ｏ6は、Ｔａ
2Ｏ5と誘電率は殆ど変わらないが、２倍以上の耐電圧を
有するあることが知られている。このＢａＴａ2Ｏ6を酸
化皮膜として利用できれば、静電容量を低下させること
なく耐電圧の大幅な向上が図れると考えられる。しか
し、前述の通りＴａ固体電解コンデンサにおいて、その
ような組成の陽極酸化皮膜を得ることは非常に難しい。
また、ＥＬで使用されているような、スパッタ後に加熱
により反応させるという手法は、多孔質体である陽極体
の内部に皮膜が形成できないという欠点があるため使用
できない。
プレイの絶縁材に使用されているＢａＴａ2Ｏ6は、Ｔａ
2Ｏ5と誘電率は殆ど変わらないが、２倍以上の耐電圧を
有するあることが知られている。このＢａＴａ2Ｏ6を酸
化皮膜として利用できれば、静電容量を低下させること
なく耐電圧の大幅な向上が図れると考えられる。しか
し、前述の通りＴａ固体電解コンデンサにおいて、その
ような組成の陽極酸化皮膜を得ることは非常に難しい。
また、ＥＬで使用されているような、スパッタ後に加熱
により反応させるという手法は、多孔質体である陽極体
の内部に皮膜が形成できないという欠点があるため使用
できない。
【００１１】このような欠点を生じる理由として、Ｔａ
自体の反応性が低いことが挙げられる。通常、Ｔａ固体
電解コンデンサ用の陽極酸化皮膜形成の場合は、１ａｔ
ｍ、室温〜９０℃程度の条件が選ばれているが、この条
件下では陽極酸化中に化成液のアニオンがＴａ2Ｏ5皮膜
に取り込まれることはあっても、それらがＴａまたはＴ
ａ2Ｏ5と反応を起こすことはない。従って、上記の陽極
酸化の条件下で化成液としてＢａ塩等の水溶液を用いて
も、Ｂａ化合物を陽極酸化皮膜として得ることはできな
い。上記の点に鑑み、本発明は、Ｔａ陽極体の陽極酸化
後、あるいは陽極酸化時に皮膜組成を変化させて、特性
改善を行ったＴａ固体電解コンデンサおよびその製造方
法を提供することを目的とする。
自体の反応性が低いことが挙げられる。通常、Ｔａ固体
電解コンデンサ用の陽極酸化皮膜形成の場合は、１ａｔ
ｍ、室温〜９０℃程度の条件が選ばれているが、この条
件下では陽極酸化中に化成液のアニオンがＴａ2Ｏ5皮膜
に取り込まれることはあっても、それらがＴａまたはＴ
ａ2Ｏ5と反応を起こすことはない。従って、上記の陽極
酸化の条件下で化成液としてＢａ塩等の水溶液を用いて
も、Ｂａ化合物を陽極酸化皮膜として得ることはできな
い。上記の点に鑑み、本発明は、Ｔａ陽極体の陽極酸化
後、あるいは陽極酸化時に皮膜組成を変化させて、特性
改善を行ったＴａ固体電解コンデンサおよびその製造方
法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＴａ固体電
解コンデンサは、誘電体層としてＴａ2Ｏ5とＢａＴａ 2
Ｏ6の複合酸化物層を有することを特徴とする。また、
本発明に係るＴａ固体電解コンデンサは、誘電体層とし
てＢａＴａ2Ｏ6のみの酸化物層を有することを特徴とす
る。すなわち、Ｔａ固体電解コンデンサの誘電体層とし
てＴａ2Ｏ5とＢａＴａ2Ｏ6の複合酸化物層、あるいはＢ
ａＴａ2Ｏ6のみの酸化物層を用いることで、陽極酸化皮
膜を厚くすることなくＴａ固体電解コンデンサの耐電圧
を向上させることができ、耐電圧の向上によるＴａ固体
電解コンデンサの静電容量低下を抑えることができる。
解コンデンサは、誘電体層としてＴａ2Ｏ5とＢａＴａ 2
Ｏ6の複合酸化物層を有することを特徴とする。また、
本発明に係るＴａ固体電解コンデンサは、誘電体層とし
てＢａＴａ2Ｏ6のみの酸化物層を有することを特徴とす
る。すなわち、Ｔａ固体電解コンデンサの誘電体層とし
てＴａ2Ｏ5とＢａＴａ2Ｏ6の複合酸化物層、あるいはＢ
ａＴａ2Ｏ6のみの酸化物層を用いることで、陽極酸化皮
膜を厚くすることなくＴａ固体電解コンデンサの耐電圧
を向上させることができ、耐電圧の向上によるＴａ固体
電解コンデンサの静電容量低下を抑えることができる。
【００１３】本発明に係るＴａ固体電解コンデンサの製
造方法は、Ｔａの粉末とバインダを混合してプレス成形
した圧縮物を焼結して得られた陽極体を陽極酸化して、
陽極体表層にＴａ2Ｏ5酸化物層を形成し、次いで水熱合
成法を用いて前記Ｔａ2Ｏ5層の一部をＢａＴａ2Ｏ6層に
変化させて、Ｔａ2Ｏ5層とＢａＴａ2Ｏ6層の複合酸化物
層を誘電体層として有する陽極体を得ることを特徴とす
る。すなわち、陽極体表層のＴａ2Ｏ5層を水熱合成法に
より処理して、その一部をＢａＴａ2Ｏ6層に変化させる
ことで、静電容量低下を抑えつつ誘電体層の耐電圧を向
上させたＴａ固体電解コンデンサを得ることができる。
造方法は、Ｔａの粉末とバインダを混合してプレス成形
した圧縮物を焼結して得られた陽極体を陽極酸化して、
陽極体表層にＴａ2Ｏ5酸化物層を形成し、次いで水熱合
成法を用いて前記Ｔａ2Ｏ5層の一部をＢａＴａ2Ｏ6層に
変化させて、Ｔａ2Ｏ5層とＢａＴａ2Ｏ6層の複合酸化物
層を誘電体層として有する陽極体を得ることを特徴とす
る。すなわち、陽極体表層のＴａ2Ｏ5層を水熱合成法に
より処理して、その一部をＢａＴａ2Ｏ6層に変化させる
ことで、静電容量低下を抑えつつ誘電体層の耐電圧を向
上させたＴａ固体電解コンデンサを得ることができる。
【００１４】また、本発明に係るＴａ固体電解コンデン
サの製造方法は、Ｔａの粉末とバインダを混合してプレ
ス成形した圧縮物を焼結して得られた陽極体に、陽極酸
化と水熱合成法を同時に行うことによりＢａＴａ2Ｏ6層
のみを誘電体層として有する陽極体を得ることを特徴と
する。すなわち、陽極体に陽極酸化と水熱合成法を同時
に行うことにより、陽極体の表層にＢａＴａ2Ｏ6層のみ
を誘電体層として形成することができ、静電容量低下を
抑えつつ誘電体層の耐電圧を向上させたＴａ固体電解コ
ンデンサを得ることができる。尚、水熱合成法とは、一
般的に高温、高圧下で溶液を用いて特殊な反応を促進さ
せる方法のことであり、本発明では、通常の化成条件で
は生成しないＢａＴａ 2Ｏ6を生成させるための重要な手
法となっている。
サの製造方法は、Ｔａの粉末とバインダを混合してプレ
ス成形した圧縮物を焼結して得られた陽極体に、陽極酸
化と水熱合成法を同時に行うことによりＢａＴａ2Ｏ6層
のみを誘電体層として有する陽極体を得ることを特徴と
する。すなわち、陽極体に陽極酸化と水熱合成法を同時
に行うことにより、陽極体の表層にＢａＴａ2Ｏ6層のみ
を誘電体層として形成することができ、静電容量低下を
抑えつつ誘電体層の耐電圧を向上させたＴａ固体電解コ
ンデンサを得ることができる。尚、水熱合成法とは、一
般的に高温、高圧下で溶液を用いて特殊な反応を促進さ
せる方法のことであり、本発明では、通常の化成条件で
は生成しないＢａＴａ 2Ｏ6を生成させるための重要な手
法となっている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明について
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに
限定されるものではない。第１の実施形態例として、Ｔ
ａ2Ｏ5層とＢａＴａ2Ｏ6層の複合酸化物層を誘電体層と
して有する固体電解コンデンサの製造方法について説明
する。まず、陽極体の製造方法について述べる。第１の
実施形態例の固体電解コンデンサの陽極体に使用するＴ
ａ粉末は、従来使用していた原料をそのまま用いること
ができる。このＴａ金属粉末に、成形性を高めるための
バインダを１〜５ｗｔ％混合し、プレス成形用の造粒粉
１を作製する。この造粒粉１を使用して、図１に示すよ
うにプレス工法により陽極リード２（Ｔａ金属製）を埋
設した圧縮成型体３を作製する。この成型体３を１０-6
Ｔｏｒｒ以下の真空中または不活性ガス雰囲気中で高温
焼結することにより、図２に示すようなＴａ固体電解コ
ンデンサ用の陽極体４を得る。
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに
限定されるものではない。第１の実施形態例として、Ｔ
ａ2Ｏ5層とＢａＴａ2Ｏ6層の複合酸化物層を誘電体層と
して有する固体電解コンデンサの製造方法について説明
する。まず、陽極体の製造方法について述べる。第１の
実施形態例の固体電解コンデンサの陽極体に使用するＴ
ａ粉末は、従来使用していた原料をそのまま用いること
ができる。このＴａ金属粉末に、成形性を高めるための
バインダを１〜５ｗｔ％混合し、プレス成形用の造粒粉
１を作製する。この造粒粉１を使用して、図１に示すよ
うにプレス工法により陽極リード２（Ｔａ金属製）を埋
設した圧縮成型体３を作製する。この成型体３を１０-6
Ｔｏｒｒ以下の真空中または不活性ガス雰囲気中で高温
焼結することにより、図２に示すようなＴａ固体電解コ
ンデンサ用の陽極体４を得る。
【００１６】次に、陽極体４の表層に誘電体層（Ｔａ2
Ｏ5層）を形成する。陽極体４の表面に誘電体層を形成
するため、陽極体４と通電のための対抗電極を電解質溶
液中に浸漬し、陽極体４を正電位、対抗電極をそれ以下
の電位に保ち通電することにより陽極酸化を行い、第１
の誘電体層６を陽極体表面に形成して、図３に示すよう
な化成体５を得る。このときの第１の誘電体層６はＴａ
2Ｏ5から成っている。
Ｏ5層）を形成する。陽極体４の表面に誘電体層を形成
するため、陽極体４と通電のための対抗電極を電解質溶
液中に浸漬し、陽極体４を正電位、対抗電極をそれ以下
の電位に保ち通電することにより陽極酸化を行い、第１
の誘電体層６を陽極体表面に形成して、図３に示すよう
な化成体５を得る。このときの第１の誘電体層６はＴａ
2Ｏ5から成っている。
【００１７】次に第１の誘電体層６の表層に第２の誘電
体層７（ＢａＴａ2Ｏ6層）を形成する。化成体５をＢａ
（ＯＨ）2水溶液に浸漬し、高温、高圧の飽和水蒸気雰
囲気下に保持することで、第１の誘電体層６（Ｔａ2Ｏ5
層）の表面付近が第２の誘電体層７（ＢａＴａ2Ｏ6層）
に変化し、図４に示すように、誘電体層としてＴａ2Ｏ5
とＢａＴａ2Ｏ6の複合酸化物層を有する化成体５を得
る。
体層７（ＢａＴａ2Ｏ6層）を形成する。化成体５をＢａ
（ＯＨ）2水溶液に浸漬し、高温、高圧の飽和水蒸気雰
囲気下に保持することで、第１の誘電体層６（Ｔａ2Ｏ5
層）の表面付近が第２の誘電体層７（ＢａＴａ2Ｏ6層）
に変化し、図４に示すように、誘電体層としてＴａ2Ｏ5
とＢａＴａ2Ｏ6の複合酸化物層を有する化成体５を得
る。
【００１８】次に、固体電解質層を形成する。上記の化
成体５の誘電体層６、７の外側に、陽極体金属に対応す
る対抗電極面として固体電解質層を形成すると、コンデ
ンサとしての基本構造が得られる。固体電解質層とし
て、ここでは硝酸マンガンを熱分解することにより得ら
れる二酸化マンガンを用いたが、ポリピロール等の導電
性有機高分子を化学重合、電解重合等により層状に形成
したものを使用することもできる。
成体５の誘電体層６、７の外側に、陽極体金属に対応す
る対抗電極面として固体電解質層を形成すると、コンデ
ンサとしての基本構造が得られる。固体電解質層とし
て、ここでは硝酸マンガンを熱分解することにより得ら
れる二酸化マンガンを用いたが、ポリピロール等の導電
性有機高分子を化学重合、電解重合等により層状に形成
したものを使用することもできる。
【００１９】次に、陰極層を形成する。上記固体電解質
層形成後の化成体５の外側に、グラファイトペースト、
銀ペーストから成る陰極層を形成する。最後に外部端子
および外装を形成する。上記の陰極形成後の素子に実装
のための金属製外部端子を溶接して取り付け、さらに樹
脂で外装し第１の実施形態例の固体電解コンデンサを得
る。
層形成後の化成体５の外側に、グラファイトペースト、
銀ペーストから成る陰極層を形成する。最後に外部端子
および外装を形成する。上記の陰極形成後の素子に実装
のための金属製外部端子を溶接して取り付け、さらに樹
脂で外装し第１の実施形態例の固体電解コンデンサを得
る。
【００２０】以上説明したように、第１の実施形態例の
固体電解コンデンサにあっては、誘電体層としてＴａ2
Ｏ5とＢａＴａ2Ｏ6の複合酸化物層を用いることで、陽
極酸化皮膜を厚くすることなく固体電解コンデンサの耐
電圧を向上させることができ、耐電圧の向上による固体
電解コンデンサの静電容量低下を抑えることができる。
固体電解コンデンサにあっては、誘電体層としてＴａ2
Ｏ5とＢａＴａ2Ｏ6の複合酸化物層を用いることで、陽
極酸化皮膜を厚くすることなく固体電解コンデンサの耐
電圧を向上させることができ、耐電圧の向上による固体
電解コンデンサの静電容量低下を抑えることができる。
【００２１】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば、上記第１の実施形態例では、誘電体層としてＴａ
2Ｏ5とＢａＴａ2Ｏ6の複合酸化物層を用いたが、ＢａＴ
ａ2Ｏ6層のみを誘電体層として有していても差し支えな
い。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば、上記第１の実施形態例では、誘電体層としてＴａ
2Ｏ5とＢａＴａ2Ｏ6の複合酸化物層を用いたが、ＢａＴ
ａ2Ｏ6層のみを誘電体層として有していても差し支えな
い。
【００２２】以下、第２の実施形態例として、ＢａＴａ
2Ｏ6層のみを誘電体層として有する固体電解コンデンサ
の製造方法について説明する。尚、第２の実施形態例が
第１の実施形態例と異なる工程は誘電体層の形成部分の
みであり、その他の工程については第１の実施形態例を
援用して説明を省略する。上記陽極体４の表面に誘電体
層を形成するため、陽極酸化を行う。このとき、化成液
をＢａ（ＯＨ）2水溶液とし、さらに、高温高圧の飽和
水蒸気雰囲気中で陽極酸化を実施することにより、誘電
体層としてＢａＴａ2Ｏ6層のみが形成される。
2Ｏ6層のみを誘電体層として有する固体電解コンデンサ
の製造方法について説明する。尚、第２の実施形態例が
第１の実施形態例と異なる工程は誘電体層の形成部分の
みであり、その他の工程については第１の実施形態例を
援用して説明を省略する。上記陽極体４の表面に誘電体
層を形成するため、陽極酸化を行う。このとき、化成液
をＢａ（ＯＨ）2水溶液とし、さらに、高温高圧の飽和
水蒸気雰囲気中で陽極酸化を実施することにより、誘電
体層としてＢａＴａ2Ｏ6層のみが形成される。
【００２３】以上説明したように、第２の実施形態例の
固体電解コンデンサにあっては、誘電体層としてＢａＴ
ａ2Ｏ6の酸化物層を用いることで、陽極酸化皮膜を厚く
することなく固体電解コンデンサの耐電圧を向上させる
ことができ、耐電圧の向上による固体電解コンデンサの
静電容量低下を抑えることができる。
固体電解コンデンサにあっては、誘電体層としてＢａＴ
ａ2Ｏ6の酸化物層を用いることで、陽極酸化皮膜を厚く
することなく固体電解コンデンサの耐電圧を向上させる
ことができ、耐電圧の向上による固体電解コンデンサの
静電容量低下を抑えることができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもので
はない。 （実施例１）平均粒径１０μｍのＴａ金属粉末にバイン
ダを１〜５ｗｔ％混合し、プレス成形用の造粒粉を作製
した。この造粒粉を使用してプレス工法により陽極リー
ド（Ｔａ金属製）を埋設した圧縮成型体を作製した。こ
の成型体を１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空中または不活性ガ
ス雰囲気中で、１６００℃にて３０分焼結することによ
り、Ｔａ固体電解コンデンサ用の陽極体を得た。
るが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもので
はない。 （実施例１）平均粒径１０μｍのＴａ金属粉末にバイン
ダを１〜５ｗｔ％混合し、プレス成形用の造粒粉を作製
した。この造粒粉を使用してプレス工法により陽極リー
ド（Ｔａ金属製）を埋設した圧縮成型体を作製した。こ
の成型体を１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空中または不活性ガ
ス雰囲気中で、１６００℃にて３０分焼結することによ
り、Ｔａ固体電解コンデンサ用の陽極体を得た。
【００２５】この陽極体を陽極酸化することで、Ｔａ2
Ｏ5誘電体層を形成し、化成体を得た。この化成体を
０．２ＮのＢａ（ＯＨ）2水溶液に浸漬し、そのまま温
度１２０℃、気圧２ａｔｍの飽和水蒸気雰囲気中に約３
０分放置した。これにより、陽極体のＴａ2Ｏ5誘電体層
の表面付近にＢａＴａ2Ｏ6誘電体層を形成した。
Ｏ5誘電体層を形成し、化成体を得た。この化成体を
０．２ＮのＢａ（ＯＨ）2水溶液に浸漬し、そのまま温
度１２０℃、気圧２ａｔｍの飽和水蒸気雰囲気中に約３
０分放置した。これにより、陽極体のＴａ2Ｏ5誘電体層
の表面付近にＢａＴａ2Ｏ6誘電体層を形成した。
【００２６】上記化成体の誘電体層の外側に、硝酸マン
ガンを熱分解することにより得られる二酸化マンガン層
を、陽極体金属に対応する対抗電極面としての固体電解
質層として形成した。上記固体電解質層形成後の化成体
の外側に更にグラファイトペースト、銀ペーストから成
る陰極層を形成した。上記陰極形成後の素子に実装のた
めの金属製外部端子を溶接し、さらに樹脂で外装しＴａ
固体電解コンデンサを得た。
ガンを熱分解することにより得られる二酸化マンガン層
を、陽極体金属に対応する対抗電極面としての固体電解
質層として形成した。上記固体電解質層形成後の化成体
の外側に更にグラファイトペースト、銀ペーストから成
る陰極層を形成した。上記陰極形成後の素子に実装のた
めの金属製外部端子を溶接し、さらに樹脂で外装しＴａ
固体電解コンデンサを得た。
【００２７】（比較例１）ＢａＴａ2Ｏ6誘電体層の形成
工程を行わない以外は上記実施例１と同様の方法で、Ｔ
ａ固体電解コンデンサを得た。尚、実施例１、比較例１
とも、３０μＦ−５０〜８０Ｖ程度の静電容量および絶
縁破壊電圧が得られる条件（粉末粒径、粉末量、焼結条
件、化成電圧）を設定して製造した。
工程を行わない以外は上記実施例１と同様の方法で、Ｔ
ａ固体電解コンデンサを得た。尚、実施例１、比較例１
とも、３０μＦ−５０〜８０Ｖ程度の静電容量および絶
縁破壊電圧が得られる条件（粉末粒径、粉末量、焼結条
件、化成電圧）を設定して製造した。
【００２８】実施例および比較例を比較する手段とし
て、静電容量と絶縁破壊電圧の２特性を用いた。以下に
測定条件を示す。静電容量測定には、測定周波数：１２
０Ｈｚ、実効値：１．０Ｖｒｍｓ、バイアス電圧：１．
５Ｖという条件を用いた。絶縁破壊電圧測定には、電圧
昇圧速度：１０Ｖ／ｍｉｎ、破壊判定電流：１０ｍＡと
いう条件を用いた。
て、静電容量と絶縁破壊電圧の２特性を用いた。以下に
測定条件を示す。静電容量測定には、測定周波数：１２
０Ｈｚ、実効値：１．０Ｖｒｍｓ、バイアス電圧：１．
５Ｖという条件を用いた。絶縁破壊電圧測定には、電圧
昇圧速度：１０Ｖ／ｍｉｎ、破壊判定電流：１０ｍＡと
いう条件を用いた。
【００２９】結果を図５に示す。図５Ａは実施例１と比
較例１の絶縁破壊電圧の変化、図５Ｂは静電容量の変化
を示している。図５Ａから実施例１のコンデンサの方が
比較例１のコンデンサより約１．５倍の高い絶縁破壊電
圧を有することが判る。また、図５Ｂから、実施例１の
コンデンサは、比較例１のコンデンサよりも静電容量は
低下しているものの、低下幅は約３％にすぎないことが
判る。
較例１の絶縁破壊電圧の変化、図５Ｂは静電容量の変化
を示している。図５Ａから実施例１のコンデンサの方が
比較例１のコンデンサより約１．５倍の高い絶縁破壊電
圧を有することが判る。また、図５Ｂから、実施例１の
コンデンサは、比較例１のコンデンサよりも静電容量は
低下しているものの、低下幅は約３％にすぎないことが
判る。
【００３０】図６Ａは、化成皮膜を厚くすることで、実
施例１と同程度の絶縁破壊電圧を得る場合の絶縁破壊電
圧の変化、図６Ｂは静電容量の変化を示している。従来
工法で絶縁破壊電圧を高めるためには、誘電体層である
化成皮膜を厚くするしかない。このため、図６Ａに示す
ように絶縁破壊電圧を約１．５倍に設計すると、図６Ｂ
に示すように静電容量は約３３％減少することになる。
施例１と同程度の絶縁破壊電圧を得る場合の絶縁破壊電
圧の変化、図６Ｂは静電容量の変化を示している。従来
工法で絶縁破壊電圧を高めるためには、誘電体層である
化成皮膜を厚くするしかない。このため、図６Ａに示す
ように絶縁破壊電圧を約１．５倍に設計すると、図６Ｂ
に示すように静電容量は約３３％減少することになる。
【００３１】上記実施例１のＴａ固体電解コンデンサは
図５のグラフに示す通り、絶縁破壊電圧を比較例１の約
１．５倍に高めることができる。さらに従来は絶縁破壊
電圧の上昇に反比例して減少していた静電容量も、約３
％のわずかな減少幅に留めることができる。この様な効
果が得られる理由は、Ｔａ2Ｏ5の絶縁破壊電圧が１．５
（ＭＶ／ｃｍ）であるのに対し、ＢａＴａ2Ｏ6の絶縁破
壊電圧は３．５（ＭＶ／ｃｍ）と、Ｔａ2Ｏ5の約２．３
倍も高い絶縁破壊電圧を有していること、比誘電率はＴ
ａ2Ｏ5の２３に対してＢａＴａ2Ｏ6は２２と、約４％し
か低下しないことに起因する。
図５のグラフに示す通り、絶縁破壊電圧を比較例１の約
１．５倍に高めることができる。さらに従来は絶縁破壊
電圧の上昇に反比例して減少していた静電容量も、約３
％のわずかな減少幅に留めることができる。この様な効
果が得られる理由は、Ｔａ2Ｏ5の絶縁破壊電圧が１．５
（ＭＶ／ｃｍ）であるのに対し、ＢａＴａ2Ｏ6の絶縁破
壊電圧は３．５（ＭＶ／ｃｍ）と、Ｔａ2Ｏ5の約２．３
倍も高い絶縁破壊電圧を有していること、比誘電率はＴ
ａ2Ｏ5の２３に対してＢａＴａ2Ｏ6は２２と、約４％し
か低下しないことに起因する。
【００３２】実施例１のコンデンサの絶縁破壊電圧は約
１．５倍にしか向上していないが、それはＴａ2Ｏ5層の
一部のみがＢａＴａ2Ｏ6に変化しているためである。ま
た、一般的に高温、高圧下で溶液を用いて特殊な反応を
促進させる方法は水熱合成法と呼ばれており、本発明で
は通常の化成条件では生成しないＢａＴａ2Ｏ6を生成さ
せるための重要な手法となっている。
１．５倍にしか向上していないが、それはＴａ2Ｏ5層の
一部のみがＢａＴａ2Ｏ6に変化しているためである。ま
た、一般的に高温、高圧下で溶液を用いて特殊な反応を
促進させる方法は水熱合成法と呼ばれており、本発明で
は通常の化成条件では生成しないＢａＴａ2Ｏ6を生成さ
せるための重要な手法となっている。
【００３３】他の実施例として、誘電体層の製造方法の
異なる例について説明する。 （実施例２）上記陽極体の表面に陽極酸化により誘電体
層を形成する際に、化成液を０．２ＮのＢａ（ＯＨ）2
水溶液とし、さらに、温度１２０℃、気圧２ａｔｍの飽
和水蒸気雰囲気中で陽極酸化を実施することにより、誘
電体層としてＢａＴａ2Ｏ6のみが形成される。
異なる例について説明する。 （実施例２）上記陽極体の表面に陽極酸化により誘電体
層を形成する際に、化成液を０．２ＮのＢａ（ＯＨ）2
水溶液とし、さらに、温度１２０℃、気圧２ａｔｍの飽
和水蒸気雰囲気中で陽極酸化を実施することにより、誘
電体層としてＢａＴａ2Ｏ6のみが形成される。
【００３４】実施例２においては、誘電体層がＢａＴａ
2Ｏ6のみであるため、絶縁破壊電圧は若干実施例１より
も向上する。ただし、実施例２の工法は、高温、高圧の
飽和水蒸気雰囲気下で陽極酸化のための通電を行う必要
があるため、配線の電気的な絶縁等を保持する必要があ
る。
2Ｏ6のみであるため、絶縁破壊電圧は若干実施例１より
も向上する。ただし、実施例２の工法は、高温、高圧の
飽和水蒸気雰囲気下で陽極酸化のための通電を行う必要
があるため、配線の電気的な絶縁等を保持する必要があ
る。
【００３５】（実施例３）上記陽極体の表面に誘電体層
を形成するため、実施例１と同様に陽極酸化によりＴａ
2Ｏ5層を形成した後、その一部を水熱合成法によりＢａ
Ｔａ2Ｏ6に変化させる。このとき、浸漬用のＢａ（Ｏ
Ｈ）2水溶液の濃度を０．１Ｎ、雰囲気温度を２００℃
とする。
を形成するため、実施例１と同様に陽極酸化によりＴａ
2Ｏ5層を形成した後、その一部を水熱合成法によりＢａ
Ｔａ2Ｏ6に変化させる。このとき、浸漬用のＢａ（Ｏ
Ｈ）2水溶液の濃度を０．１Ｎ、雰囲気温度を２００℃
とする。
【００３６】実施例３においては、Ｂａ（ＯＨ）2水溶
液の濃度を下げており、このためより高温の飽和水蒸気
雰囲気が必要となる。実用上は、水溶液濃度は０．１Ｎ
以上であることが望ましい。尚、実施例２の場合に用い
るＢａ（ＯＨ）2濃度に関しても全く同じことが言え
る。
液の濃度を下げており、このためより高温の飽和水蒸気
雰囲気が必要となる。実用上は、水溶液濃度は０．１Ｎ
以上であることが望ましい。尚、実施例２の場合に用い
るＢａ（ＯＨ）2濃度に関しても全く同じことが言え
る。
【００３７】（実施例４）上記陽極体の表面に誘電体層
を形成するため、実施例１と同様に陽極酸化によりＴａ
2Ｏ5を形成する。その後、Ｔａ2Ｏ5層の一部を水熱合成
法によりＢａＴａ 2Ｏ6に変化させる際に用いる浸漬用の
水溶液として、０．１Ｎ以上の濃度のＢａＯ、またはＢ
ａＯ2の水溶液を用いる。
を形成するため、実施例１と同様に陽極酸化によりＴａ
2Ｏ5を形成する。その後、Ｔａ2Ｏ5層の一部を水熱合成
法によりＢａＴａ 2Ｏ6に変化させる際に用いる浸漬用の
水溶液として、０．１Ｎ以上の濃度のＢａＯ、またはＢ
ａＯ2の水溶液を用いる。
【００３８】実施例４で用いるＢａＯ、またはＢａＯ2
は水と反応するとＢａ（ＯＨ）2となるため、これらの
水溶液はＢａ（ＯＨ）2と同じである。また、その溶解
時に発熱を伴うことから、Ｂａ（ＯＨ）2を用いる方が
より簡便である。
は水と反応するとＢａ（ＯＨ）2となるため、これらの
水溶液はＢａ（ＯＨ）2と同じである。また、その溶解
時に発熱を伴うことから、Ｂａ（ＯＨ）2を用いる方が
より簡便である。
【００３９】（実施例５）上記陽極体の表面に誘電体層
を形成するため、実施例１と同様に陽極酸化によりＴａ
2Ｏ5を形成する。その後、Ｔａ2Ｏ5層の一部を水熱合成
法によりＢａＴａ 2Ｏ6に変化させる際に用いる浸漬用の
水溶液として、０．１Ｎ以上のＢａ（ＮＯ 3）2、または
ＢａＨＰＯ4のアンモニア水溶液を用いる。この方法に
おいても実施例１と同様の効果が得られる。
を形成するため、実施例１と同様に陽極酸化によりＴａ
2Ｏ5を形成する。その後、Ｔａ2Ｏ5層の一部を水熱合成
法によりＢａＴａ 2Ｏ6に変化させる際に用いる浸漬用の
水溶液として、０．１Ｎ以上のＢａ（ＮＯ 3）2、または
ＢａＨＰＯ4のアンモニア水溶液を用いる。この方法に
おいても実施例１と同様の効果が得られる。
【００４０】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明のＴａ
固体電解コンデンサは、誘電体層としてＴａ2Ｏ5とＢａ
Ｔａ2Ｏ6の複合酸化物層、あるいはＢａＴａ2Ｏ6のみの
酸化物層を用いることで、陽極酸化皮膜を厚くすること
なく固体電解コンデンサの耐電圧を向上させることがで
き、耐電圧の向上による固体電解コンデンサの静電容量
低下を抑えることができる。
固体電解コンデンサは、誘電体層としてＴａ2Ｏ5とＢａ
Ｔａ2Ｏ6の複合酸化物層、あるいはＢａＴａ2Ｏ6のみの
酸化物層を用いることで、陽極酸化皮膜を厚くすること
なく固体電解コンデンサの耐電圧を向上させることがで
き、耐電圧の向上による固体電解コンデンサの静電容量
低下を抑えることができる。
【００４１】本発明のＴａ固体電解コンデンサの製造方
法では、陽極体表層のＴａ2Ｏ5層を水熱合成法により処
理して、その一部をＢａＴａ2Ｏ6層に変化させることが
できる。これにより、誘電体層の耐電圧を向上させたＴ
ａ固体電解コンデンサを得ることができる。また、本発
明のＴａ固体電解コンデンサの製造方法では、陽極体に
陽極酸化と水熱合成法を同時に行うことにより、陽極体
の表層にＢａＴａ2Ｏ6層のみを誘電体層として形成する
ことができる。これにより、誘電体層の耐電圧を向上さ
せたＴａ固体電解コンデンサを得ることができる。
法では、陽極体表層のＴａ2Ｏ5層を水熱合成法により処
理して、その一部をＢａＴａ2Ｏ6層に変化させることが
できる。これにより、誘電体層の耐電圧を向上させたＴ
ａ固体電解コンデンサを得ることができる。また、本発
明のＴａ固体電解コンデンサの製造方法では、陽極体に
陽極酸化と水熱合成法を同時に行うことにより、陽極体
の表層にＢａＴａ2Ｏ6層のみを誘電体層として形成する
ことができる。これにより、誘電体層の耐電圧を向上さ
せたＴａ固体電解コンデンサを得ることができる。
【図１】 圧縮成型体３を示す概略図である。
【図２】 Ｔａ固体電解コンデンサ用の陽極体４を示す
概略図である。
概略図である。
【図３】 誘電体層としてＴａ2Ｏ5の酸化物層を有する
化成体５を示す概略図である。
化成体５を示す概略図である。
【図４】 誘電体層としてＴａ2Ｏ5とＢａＴａ2Ｏ6の複
合酸化物層を有する化成体５を示す概略図である。
合酸化物層を有する化成体５を示す概略図である。
【図５】 図５Ａは実施例１と比較例１の絶縁破壊電圧
の変化、図５Ｂは静電容量の変化を示すグラフである。
の変化、図５Ｂは静電容量の変化を示すグラフである。
【図６】 図６Ａは、化成皮膜を厚くすることで実施例
１と同程度の絶縁破壊電圧を得る場合の絶縁破壊電圧の
変化、図６Ｂは静電容量の変化を示すグラフである。
１と同程度の絶縁破壊電圧を得る場合の絶縁破壊電圧の
変化、図６Ｂは静電容量の変化を示すグラフである。
１ 造粒粉 ２ 陽極リード ３ 圧縮成型体 ４ 陽極体 ５ 化成体 ６ 第１の誘電体層（Ｔａ2Ｏ5層） ７ 第２の誘電体層（ＢａＴａ2Ｏ6層）
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体層としてＴａ2Ｏ5とＢａＴａ2Ｏ6
の複合酸化物層を有することを特徴とするＴａ固体電解
コンデンサ。 - 【請求項２】 誘電体層としてＢａＴａ2Ｏ6のみの酸化
物層を有することを特徴とするＴａ固体電解コンデン
サ。 - 【請求項３】 Ｔａの粉末とバインダを混合してプレス
成形した圧縮物を焼結して得られた陽極体を陽極酸化し
て、陽極体表層にＴａ2Ｏ5酸化物層を形成し、次いで水
熱合成法を用いて前記Ｔａ2Ｏ5層の一部をＢａＴａ2Ｏ6
層に変化させて、Ｔａ2Ｏ5層とＢａＴａ2Ｏ6層の複合酸
化物層を誘電体層として有する陽極体を得ることを特徴
とするＴａ固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 Ｔａの粉末とバインダを混合してプレス
成形した圧縮物を焼結して得られた陽極体に、陽極酸化
と水熱合成法を同時に行うことによりＢａＴａ2Ｏ6層の
みを誘電体層として有する陽極体を得ることを特徴とす
るＴａ固体電解コンデンサの製造方法。
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| JP23333398A JP3486113B2 (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | Ｔａ固体電解コンデンサの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| WO2000075943A1 (fr) * | 1999-06-09 | 2000-12-14 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Materiau d'electrode pour condensateur et condensateur l'utilisant |
| KR20030000640A (ko) * | 2001-06-26 | 2003-01-06 | 파츠닉(주) | Ｓｏｌ-Ｇｅｌ법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서 |
| US6893913B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-05-17 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for forming capacitor of semiconductor device |
| WO2012124584A1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US9287055B2 (en) | 2011-11-18 | 2016-03-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
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-
1998
- 1998-08-19 JP JP23333398A patent/JP3486113B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000075943A1 (fr) * | 1999-06-09 | 2000-12-14 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Materiau d'electrode pour condensateur et condensateur l'utilisant |
| JP2010183091A (ja) * | 1999-06-09 | 2010-08-19 | Showa Denko Kk | コンデンサ用電極材料の製造方法 |
| JP4723139B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2011-07-13 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ用電極材料 |
| KR20030000640A (ko) * | 2001-06-26 | 2003-01-06 | 파츠닉(주) | Ｓｏｌ-Ｇｅｌ법에 의한 고용량 고체 전해질 콘덴서 |
| US6893913B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-05-17 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for forming capacitor of semiconductor device |
| WO2012124584A1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
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