JP2000053618A - 光学活性ベンジルアミン類の製造法 - Google Patents
光学活性ベンジルアミン類の製造法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学活性ベンジルアミンの製造法を提供する
こと。 【解決手段】 一般式（１） （式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子、ハロゲン原子、置換
基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していて
もよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリー
ル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基
を有していてもよいアルコキシル基、アリールオキシ基
またはアルキルオキシカルボニル基をそれぞれ示し、あ
るいはＲ1とＲ2が結合して環状化合物を形成していても
よい。Ｒ3はパラ位に置換基としてハロゲン原子を有す
るフェニル基を示す。）で示されるベンジルイミン類
を、第VIII族遷移金属の錯体、光学活性ホスフィン化合
物およびイミド化合物の存在下に、水素と反応させるこ
とを特徴とする光学活性ベンジルアミン類の製造法。
こと。 【解決手段】 一般式（１） （式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子、ハロゲン原子、置換
基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していて
もよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリー
ル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基
を有していてもよいアルコキシル基、アリールオキシ基
またはアルキルオキシカルボニル基をそれぞれ示し、あ
るいはＲ1とＲ2が結合して環状化合物を形成していても
よい。Ｒ3はパラ位に置換基としてハロゲン原子を有す
るフェニル基を示す。）で示されるベンジルイミン類
を、第VIII族遷移金属の錯体、光学活性ホスフィン化合
物およびイミド化合物の存在下に、水素と反応させるこ
とを特徴とする光学活性ベンジルアミン類の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬農薬の合成中
間体あるいは多くの汎用化学品の合成中間体として有用
な、あるいはカルボン酸類の光学分割剤として有用な光
学活性ベンジルアミン類（２）の有利な製造法に関する
ものである。
間体あるいは多くの汎用化学品の合成中間体として有用
な、あるいはカルボン酸類の光学分割剤として有用な光
学活性ベンジルアミン類（２）の有利な製造法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、合成中間体として光学活性アミン
類を得るためには、つぎの二つの方法が一般的なもので
あった。 対応するラセミのアミン類から光学活性カルボン類を
用い光学分割により光学活性アミン類を得る方法。 天然に存在する光学活性アミン類から誘導する方法。 さらに最近、触媒的不斉合成も数多く研究され、例え
ば、ASYMMETRIC CATALYSIS IN ORGANIC SYNTHESIS By
R. Noyori, (A Wiley-Interscience Publication,John
Wiley & Sons, Inc)などに紹介されている。
類を得るためには、つぎの二つの方法が一般的なもので
あった。 対応するラセミのアミン類から光学活性カルボン類を
用い光学分割により光学活性アミン類を得る方法。 天然に存在する光学活性アミン類から誘導する方法。 さらに最近、触媒的不斉合成も数多く研究され、例え
ば、ASYMMETRIC CATALYSIS IN ORGANIC SYNTHESIS By
R. Noyori, (A Wiley-Interscience Publication,John
Wiley & Sons, Inc)などに紹介されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来法、は、適用範囲が限られており必要とする光学
活性アミン類によっては工業的に大量に得るためには必
ずしも充分なものではなかった。また最近、開発されて
いる錯体触媒を用いる不斉合成法も、収率や生成物の鏡
像体過剰率において実用的には必ずしも満足できるもの
ではなかった。そこで、水素添加反応による光学活性ア
ミン類のさらに優れた不斉合成の開発が望まれていた。
来法、は、適用範囲が限られており必要とする光学
活性アミン類によっては工業的に大量に得るためには必
ずしも充分なものではなかった。また最近、開発されて
いる錯体触媒を用いる不斉合成法も、収率や生成物の鏡
像体過剰率において実用的には必ずしも満足できるもの
ではなかった。そこで、水素添加反応による光学活性ア
ミン類のさらに優れた不斉合成の開発が望まれていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、比
較的汎用性のあるイミン類を原料として用いこれに不斉
水素添加反応させるという新たなルートを開発すべく鋭
意検討した結果、本発明に至った。
較的汎用性のあるイミン類を原料として用いこれに不斉
水素添加反応させるという新たなルートを開発すべく鋭
意検討した結果、本発明に至った。
【０００５】すなわち本発明は、一般式（１） （式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子、ハロゲン原子、置換
基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していて
もよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリー
ル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基
を有していてもよいアルコキシル基、アリールオキシ基
またはアルキルオキシカルボニル基をそれぞれ示し、あ
るいはＲ1とＲ2が結合して環状化合物を形成していても
よい。Ｒ3はパラ位に置換基としてハロゲン原子を有す
るフェニル基を示す。）で示されるイミン類を、第VIII
族遷移金属の錯体、光学活性ホスフィン化合物およびイ
ミド化合物の存在下に、水素と反応させることを特徴と
する一般式（２） （式中、 Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、前記と同じ意味を表わ
す。）で示される光学活性ベンジルアミン類の製造法を
提供するものである。
基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していて
もよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリー
ル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基
を有していてもよいアルコキシル基、アリールオキシ基
またはアルキルオキシカルボニル基をそれぞれ示し、あ
るいはＲ1とＲ2が結合して環状化合物を形成していても
よい。Ｒ3はパラ位に置換基としてハロゲン原子を有す
るフェニル基を示す。）で示されるイミン類を、第VIII
族遷移金属の錯体、光学活性ホスフィン化合物およびイ
ミド化合物の存在下に、水素と反応させることを特徴と
する一般式（２） （式中、 Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、前記と同じ意味を表わ
す。）で示される光学活性ベンジルアミン類の製造法を
提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる一般式（１）
で示されるイミン類の置換基Ｒ1、Ｒ2において、ハロゲ
ン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ
素原子などが、アルキル基としては、たとえばメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、n−アミル
基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル
基、n−オクチル基、n−ノニル基、メンチル基、２，
３，４−トリメチル−３−ペンチル基、２，４−ジメチ
ル−３−ペンチル基などが、アラルキル基としてはベン
ジル基、２−フェニルエチル基、２−ナフチルエチル
基、ジフェニルメチル基などが、アリール基としてはフ
ェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フリル基、チオ
フェニル基などが、アルケニル基としては２−メチル−
１−プロペニル基、２−ブテニル基、トランス−β−ス
チリル基、３−フェニル−１−プロペニル基、１−シク
ロヘキセニル基などが、アルコキシル基としてはメトキ
シ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、t−ブトキシ基な
どが、アリールオキシ基としてはフェノキシ基などが、
アルキルオキシカルボニル基としてはメトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブチルオキシカルボ
ニル基、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルオキシ
カルボニル基などがそれぞれ例示される。これらの基が
さらに置換基で置換されている場合の置換基としては、
前記したと同様のハロゲン原子、前記したと同様のアル
コキシル基、前記したと同様のアリールオキシ基、メチ
ル基、エチル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブ
チル基、n−アミル基、n−ヘキシル基などの低級アルキ
ル基、n−プロピルチオ基、t−ブチルチオ基などの低級
アルキルチオ基、フェニルチオ基などのアリールチオ
基、ニトロ基、水酸基などが例示される。
で示されるイミン類の置換基Ｒ1、Ｒ2において、ハロゲ
ン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ
素原子などが、アルキル基としては、たとえばメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、n−アミル
基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル
基、n−オクチル基、n−ノニル基、メンチル基、２，
３，４−トリメチル−３−ペンチル基、２，４−ジメチ
ル−３−ペンチル基などが、アラルキル基としてはベン
ジル基、２−フェニルエチル基、２−ナフチルエチル
基、ジフェニルメチル基などが、アリール基としてはフ
ェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フリル基、チオ
フェニル基などが、アルケニル基としては２−メチル−
１−プロペニル基、２−ブテニル基、トランス−β−ス
チリル基、３−フェニル−１−プロペニル基、１−シク
ロヘキセニル基などが、アルコキシル基としてはメトキ
シ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、t−ブトキシ基な
どが、アリールオキシ基としてはフェノキシ基などが、
アルキルオキシカルボニル基としてはメトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブチルオキシカルボ
ニル基、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルオキシ
カルボニル基などがそれぞれ例示される。これらの基が
さらに置換基で置換されている場合の置換基としては、
前記したと同様のハロゲン原子、前記したと同様のアル
コキシル基、前記したと同様のアリールオキシ基、メチ
ル基、エチル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブ
チル基、n−アミル基、n−ヘキシル基などの低級アルキ
ル基、n−プロピルチオ基、t−ブチルチオ基などの低級
アルキルチオ基、フェニルチオ基などのアリールチオ
基、ニトロ基、水酸基などが例示される。
【０００７】イミン類（１）の置換基Ｒ3で示されるパ
ラ位に置換基としてハロゲン原子を有するフェニル基と
してはp-フルオロフェニル基、p-クロロフェニル基、p-
ブロモフェニル基、p-ヨウドフェニル基などが例示され
る。
ラ位に置換基としてハロゲン原子を有するフェニル基と
してはp-フルオロフェニル基、p-クロロフェニル基、p-
ブロモフェニル基、p-ヨウドフェニル基などが例示され
る。
【０００８】イミン類（１）は、ケトン類から容易に製
造できる。 本発明におけるイミン類（１）の具体的な
例としては、例えばアセトフェノン、プロピオフェノ
ン、ベンズアルデヒド、ベンザルアセトン、3-メチルシ
クロヘキサノン、3-クロルベンゾフェノン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキシルメチルケトン、２-ナフ
トフェノン、1-インダノン、などのケトン類とパラ位に
ハロゲン原子の置換基を有するベンジルアミンから通常
の方法（酸触媒存在下トルエンなどの溶媒中、加熱還流
させる。）で脱水縮合し合成できるイミン類を挙げるこ
とができる。
造できる。 本発明におけるイミン類（１）の具体的な
例としては、例えばアセトフェノン、プロピオフェノ
ン、ベンズアルデヒド、ベンザルアセトン、3-メチルシ
クロヘキサノン、3-クロルベンゾフェノン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキシルメチルケトン、２-ナフ
トフェノン、1-インダノン、などのケトン類とパラ位に
ハロゲン原子の置換基を有するベンジルアミンから通常
の方法（酸触媒存在下トルエンなどの溶媒中、加熱還流
させる。）で脱水縮合し合成できるイミン類を挙げるこ
とができる。
【０００９】本反応に使用する光学活性ホスフィン化合
物としては、遷移金属を用いる不斉合成などに用いられ
る公知のホスフィン化合物が使用できる。具体的には例
えば、(R)-2,2'-ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)-6,
6'-ジメチル-1,1'-ビフェニル、(R)-2,2'-ビス(ジフェ
ニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、(S,S)-2,3-ビス(ジ
フェニルホスフィノ)ブタン、(R)-1-シクロヘキシル-1,
2-ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、(R,R)-2,3-O-イ
ソプロピリデン-2,3-ジヒドロキシ-1,4-ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)ブタン、(R,R)-1,2-ビス[(o-メトキシフ
ェニル)-フェニルホスフィノ]エタン、(R,R)-5,6-ビス
(ジフェニルホスフィノ)-2-ノルボルネン、などが例示
される。
物としては、遷移金属を用いる不斉合成などに用いられ
る公知のホスフィン化合物が使用できる。具体的には例
えば、(R)-2,2'-ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)-6,
6'-ジメチル-1,1'-ビフェニル、(R)-2,2'-ビス(ジフェ
ニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、(S,S)-2,3-ビス(ジ
フェニルホスフィノ)ブタン、(R)-1-シクロヘキシル-1,
2-ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、(R,R)-2,3-O-イ
ソプロピリデン-2,3-ジヒドロキシ-1,4-ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)ブタン、(R,R)-1,2-ビス[(o-メトキシフ
ェニル)-フェニルホスフィノ]エタン、(R,R)-5,6-ビス
(ジフェニルホスフィノ)-2-ノルボルネン、などが例示
される。
【００１０】上記の光学活性ホスフィン化合物の使用量
は反応条件や経済性によって異なるが反応系内に共存す
る第VIII族遷移金属の錯体に対するモル比で、通常、１
／１０〜５０倍量程度用いることができ、好ましくは９
／１０〜５倍量程度の範囲である。
は反応条件や経済性によって異なるが反応系内に共存す
る第VIII族遷移金属の錯体に対するモル比で、通常、１
／１０〜５０倍量程度用いることができ、好ましくは９
／１０〜５倍量程度の範囲である。
【００１１】第第VIII族遷移金属の錯体としては、例え
ば一般式（３） （式中、Ｍ1はロジウム、ルテニウム、イリジウム、白
金などの第VIII族遷移金属を示し、Ｘは水素原子、ハロ
ゲン原子、カルボキシル基、アルコキシ基またはヒドロ
キシ基を示し、Ｌは有機配位子を示し、ｍおよびｎはそ
れぞれ０〜６の整数を示す。）で示される第VIII族遷移
金属の錯体が挙げられる。上記で有機配位子（Ｌ）は、
CO, NO, NH2, NH3 なども含め、 オレフィン類配位子、
アセチレン類配位子、芳香族化合物配位子、有機含酸素
化合物配位子、有機含硫黄化合物配位子、有機含窒素化
合物配位子などが挙げられる。
ば一般式（３） （式中、Ｍ1はロジウム、ルテニウム、イリジウム、白
金などの第VIII族遷移金属を示し、Ｘは水素原子、ハロ
ゲン原子、カルボキシル基、アルコキシ基またはヒドロ
キシ基を示し、Ｌは有機配位子を示し、ｍおよびｎはそ
れぞれ０〜６の整数を示す。）で示される第VIII族遷移
金属の錯体が挙げられる。上記で有機配位子（Ｌ）は、
CO, NO, NH2, NH3 なども含め、 オレフィン類配位子、
アセチレン類配位子、芳香族化合物配位子、有機含酸素
化合物配位子、有機含硫黄化合物配位子、有機含窒素化
合物配位子などが挙げられる。
【００１２】上記オレフィン類配位子としては、例え
ば、エチレン、アリル、ブタジエン、シクロヘキセン、
１，３−シクロヘキサジエン、１，５−シクロオクタジ
エン、シクロオクタトリエン、ノルボルナジエン、アク
リル酸エステル、メタクリル酸エステル、シクロペンタ
ジエニル、ペンタメチルシクロペンタジエニル、などが
例示される。また一般に配位子としてよく用いられる５
員環化合物として、下記一般式(４)で示される５員環化
合物が挙げられる。 （式中、Ra〜Reは同一または相異なり、水素原子、ハロ
ゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換
基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有してい
てもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルケ
ニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基また
はアルキルオキシカルボニル基をそれぞれ示す。具体的
には、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子などが、アルキル基としては、たと
えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、n−
アミル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘ
キシル基、n−オクチル基、n−ノニル基、メンチル基、
２，３，４−トリメチル−３−ペンチル基、２，４−ジ
メチル−３−ペンチル基などが、アラルキル基としては
ベンジル基、２−フェニルエチル基、２−ナフチルエチ
ル基、ジフェニルメチル基などが、アリール基としては
フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フリル基、チ
オフェニル基、などが、アルケニル基としては２−メチ
ル−１−プロペニル基、２−ブテニル基、トランス−β
−スチリル基、３−フェニル−１−プロペニル基、１−
シクロヘキセニル基などが、アルコキシル基としてはメ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、t−ブトキシ
基などが、アリールオキシ基としてはフェノキシ基など
が、アルキルオキシカルボニル基としてはメトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブチルオキシカ
ルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルオ
キシカルボニル基などがそれぞれ例示される。これらの
基がさらに置換基で置換されている場合の置換基として
は、前記したと同様のハロゲン原子、前記したと同様の
アルコキシル基、前記したと同様のアリールオキシ基、
メチル基、エチル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t
−ブチル基、n−アミル基、n−ヘキシル基などの低級ア
ルキル基、n−プロピルチオ基、t−ブチルチオ基などの
低級アルキルチオ基、フェニルチオ基などのアリールチ
オ基、ニトロ基、水酸基などが例示される。置換基はそ
の数は１〜５の任意の数であり、置換位置は任意の位置
を選ぶことができる。
ば、エチレン、アリル、ブタジエン、シクロヘキセン、
１，３−シクロヘキサジエン、１，５−シクロオクタジ
エン、シクロオクタトリエン、ノルボルナジエン、アク
リル酸エステル、メタクリル酸エステル、シクロペンタ
ジエニル、ペンタメチルシクロペンタジエニル、などが
例示される。また一般に配位子としてよく用いられる５
員環化合物として、下記一般式(４)で示される５員環化
合物が挙げられる。 （式中、Ra〜Reは同一または相異なり、水素原子、ハロ
ゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換
基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有してい
てもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルケ
ニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基また
はアルキルオキシカルボニル基をそれぞれ示す。具体的
には、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子などが、アルキル基としては、たと
えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、n−
アミル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘ
キシル基、n−オクチル基、n−ノニル基、メンチル基、
２，３，４−トリメチル−３−ペンチル基、２，４−ジ
メチル−３−ペンチル基などが、アラルキル基としては
ベンジル基、２−フェニルエチル基、２−ナフチルエチ
ル基、ジフェニルメチル基などが、アリール基としては
フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フリル基、チ
オフェニル基、などが、アルケニル基としては２−メチ
ル−１−プロペニル基、２−ブテニル基、トランス−β
−スチリル基、３−フェニル−１−プロペニル基、１−
シクロヘキセニル基などが、アルコキシル基としてはメ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、t−ブトキシ
基などが、アリールオキシ基としてはフェノキシ基など
が、アルキルオキシカルボニル基としてはメトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブチルオキシカ
ルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルオ
キシカルボニル基などがそれぞれ例示される。これらの
基がさらに置換基で置換されている場合の置換基として
は、前記したと同様のハロゲン原子、前記したと同様の
アルコキシル基、前記したと同様のアリールオキシ基、
メチル基、エチル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t
−ブチル基、n−アミル基、n−ヘキシル基などの低級ア
ルキル基、n−プロピルチオ基、t−ブチルチオ基などの
低級アルキルチオ基、フェニルチオ基などのアリールチ
オ基、ニトロ基、水酸基などが例示される。置換基はそ
の数は１〜５の任意の数であり、置換位置は任意の位置
を選ぶことができる。
【００１３】アセチレン類配位子としては、アセチレ
ン、１，２−ジメチルアセチレン、１，４−ペンタジイ
ン、１，２−ジフェニルアセチレンなどが例示される。
ン、１，２−ジメチルアセチレン、１，４−ペンタジイ
ン、１，２−ジフェニルアセチレンなどが例示される。
【００１４】芳香族化合物配位子としては、ベンゼン、
ｐ−シメン、メシチレン、ヘキサメチルベンゼン、ナフ
タレン、アントラセンなどが例示されるが、一般に配位
子としてよく用いられる芳香族化合物としては、下記一
般式（５）で示される環式芳香族化合物が挙げられる。 （式中、Ra'〜Rf'は、同一または相異なり、水素原子、
飽和または不飽和炭化水素基、アリル基、異原子を含む
官能基を示し、例えば、メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、t-ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル等のアルキル基、シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキ
ル基、ベンジル、ビニル、アリル、フェニル、ナフチル
などの不飽和炭化水素等の基、ヒドロキシル基、アルコ
キシ基、アルコキシカルボニル基等の異原子を含む官能
基を示すことができる。置換基の数は１〜６の任意の数
であり、置換位置は任意である。）
ｐ−シメン、メシチレン、ヘキサメチルベンゼン、ナフ
タレン、アントラセンなどが例示されるが、一般に配位
子としてよく用いられる芳香族化合物としては、下記一
般式（５）で示される環式芳香族化合物が挙げられる。 （式中、Ra'〜Rf'は、同一または相異なり、水素原子、
飽和または不飽和炭化水素基、アリル基、異原子を含む
官能基を示し、例えば、メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、t-ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル等のアルキル基、シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキ
ル基、ベンジル、ビニル、アリル、フェニル、ナフチル
などの不飽和炭化水素等の基、ヒドロキシル基、アルコ
キシ基、アルコキシカルボニル基等の異原子を含む官能
基を示すことができる。置換基の数は１〜６の任意の数
であり、置換位置は任意である。）
【００１５】有機含酸素化合物配位子としては、例え
ば、アセテート、ベンゾエート、アセチルアセトナート
などが例示される。有機含硫黄化合物配位子としては、
例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルフィド、
チオフェン、二硫化炭素、硫化炭素、チオフェノールな
どが例示される。有機含窒素化合物配位子としては、例
えば、アセトニトリル、ベンゾニトリル、ｔ−ブチルイ
ソシアニド、ピリジン、１，１０−フェナントロリン、
２，２’−ビピリジルなどが例示される。
ば、アセテート、ベンゾエート、アセチルアセトナート
などが例示される。有機含硫黄化合物配位子としては、
例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルフィド、
チオフェン、二硫化炭素、硫化炭素、チオフェノールな
どが例示される。有機含窒素化合物配位子としては、例
えば、アセトニトリル、ベンゾニトリル、ｔ−ブチルイ
ソシアニド、ピリジン、１，１０−フェナントロリン、
２，２’−ビピリジルなどが例示される。
【００１６】本発明における第VIII族遷移金属の錯体と
しては、例えば、クロロトリス（トリフェニルホスフィ
ン）ロジウム（Ｉ）、シクロペンタジエニルビス（トリ
フェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）、ビス（シクロオ
クタジエン）ジヨード二ロジウム（Ｉ）、クロロ（シク
ロペンタジエニル）ビス（トリフェニルホスフィン）ル
テニウム（ＩＩ）、クロロ（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プ
ロパン）ルテニウム（ＩＩ）、クロロ（ペンタメチルシ
クロペンタジエニル）（１，５−シクロオクタジエン）
ルテニウム（ＩＩ）、ジクロロトリス（トリフェニルホ
スフィン）ルテニウム（ＩＩ）、クロロトリス（トリフ
ェニルホスフィン）イリジウム（Ｉ）、ペンタメチルシ
クロペンタジエニルビス（エチレン）イリジウム
（Ｉ）、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）
白金（０）、トランス−［クロロ（エチル）ビス（トリ
エチルホスフィン）白金（ＩＩ）］、シス−［ジエチル
ビス（トリエチルホスフィン）白金（ＩＩ）］、ジクロ
ロ（ノルボルナジエン）白金（ＩＩ）、テトラキス（ト
リフェニルホスフィン）白金（０）などが例示され、な
かでもルテニウム錯体が特に高い活性を有する。もちろ
ん本発明に用いられる錯体はこれらに何ら限定されるも
のではない。
しては、例えば、クロロトリス（トリフェニルホスフィ
ン）ロジウム（Ｉ）、シクロペンタジエニルビス（トリ
フェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）、ビス（シクロオ
クタジエン）ジヨード二ロジウム（Ｉ）、クロロ（シク
ロペンタジエニル）ビス（トリフェニルホスフィン）ル
テニウム（ＩＩ）、クロロ（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プ
ロパン）ルテニウム（ＩＩ）、クロロ（ペンタメチルシ
クロペンタジエニル）（１，５−シクロオクタジエン）
ルテニウム（ＩＩ）、ジクロロトリス（トリフェニルホ
スフィン）ルテニウム（ＩＩ）、クロロトリス（トリフ
ェニルホスフィン）イリジウム（Ｉ）、ペンタメチルシ
クロペンタジエニルビス（エチレン）イリジウム
（Ｉ）、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）
白金（０）、トランス−［クロロ（エチル）ビス（トリ
エチルホスフィン）白金（ＩＩ）］、シス−［ジエチル
ビス（トリエチルホスフィン）白金（ＩＩ）］、ジクロ
ロ（ノルボルナジエン）白金（ＩＩ）、テトラキス（ト
リフェニルホスフィン）白金（０）などが例示され、な
かでもルテニウム錯体が特に高い活性を有する。もちろ
ん本発明に用いられる錯体はこれらに何ら限定されるも
のではない。
【００１７】上記の第VIII族遷移金属の錯体の使用量は
反応条件や経済性によって異なるが反応基質であるイミ
ン類（１）に対するモル比で、通常、１／１００〜１／
１００，０００程度用いることができ、好ましくは１／
２００〜１／１０，０００程度の範囲である。
反応条件や経済性によって異なるが反応基質であるイミ
ン類（１）に対するモル比で、通常、１／１００〜１／
１００，０００程度用いることができ、好ましくは１／
２００〜１／１０，０００程度の範囲である。
【００１８】本反応においては、このようなイミン類
（１）の水素添加還元反応で、収率および選択率（生成
物の光学純度）を向上させるためイミド化合物が用いら
れる。このイミド化合物類の具体的な例示としては、ス
クシンイミド、α-メチル-α-プロピルスクシンイミ
ド、2,3,3-トリメチルスクシンイミド、マレイミド、シ
ス-4-シクロヘキセン-1,2-ジカルボキシイミド、フタル
イミド、3,3-ジメチルグルタルイミド、1,8-ナフタルイ
ミドなどが示される。かかるイミド化合物の添加剤の使
用量は、第VIII族遷移金属の錯体１モル当量に対して0.
1〜20モル量程度、好ましくは１〜５モル量程度用いら
れる。
（１）の水素添加還元反応で、収率および選択率（生成
物の光学純度）を向上させるためイミド化合物が用いら
れる。このイミド化合物類の具体的な例示としては、ス
クシンイミド、α-メチル-α-プロピルスクシンイミ
ド、2,3,3-トリメチルスクシンイミド、マレイミド、シ
ス-4-シクロヘキセン-1,2-ジカルボキシイミド、フタル
イミド、3,3-ジメチルグルタルイミド、1,8-ナフタルイ
ミドなどが示される。かかるイミド化合物の添加剤の使
用量は、第VIII族遷移金属の錯体１モル当量に対して0.
1〜20モル量程度、好ましくは１〜５モル量程度用いら
れる。
【００１９】また本発明では通常、溶媒が用いられる。
かかる溶媒としては、反応原料、触媒系を可溶化するも
のが好ましく用いられる。具体例としては例えばトルエ
ン、キシレンなどの芳香族溶媒、ペンタン、ヘキサンな
どの脂肪族溶媒、塩化メチレンなどのハロゲン含有炭化
水素溶媒、エーテル、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル系溶媒、メタノール、エタノール、２-プロパノー
ル、ブタノール、ベンジルアルコールなどのアルコール
系溶媒、アセトニトリル、DMF、Ｎ−メチルピロリド
ン、ピリジン、DMSOなどヘテロ原子を含む有機溶媒を用
いることができる。これら溶媒は単独で用いることも、
混合溶媒として用いることもできる。溶媒の使用量は反
応基質の溶解度および経済性により適宜決めることがで
きる。
かかる溶媒としては、反応原料、触媒系を可溶化するも
のが好ましく用いられる。具体例としては例えばトルエ
ン、キシレンなどの芳香族溶媒、ペンタン、ヘキサンな
どの脂肪族溶媒、塩化メチレンなどのハロゲン含有炭化
水素溶媒、エーテル、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル系溶媒、メタノール、エタノール、２-プロパノー
ル、ブタノール、ベンジルアルコールなどのアルコール
系溶媒、アセトニトリル、DMF、Ｎ−メチルピロリド
ン、ピリジン、DMSOなどヘテロ原子を含む有機溶媒を用
いることができる。これら溶媒は単独で用いることも、
混合溶媒として用いることもできる。溶媒の使用量は反
応基質の溶解度および経済性により適宜決めることがで
きる。
【００２０】本発明における水素の圧力は、通常、１〜
２００気圧程度の範囲で、好ましくは３〜１００気圧程
度の範囲が望ましい。
２００気圧程度の範囲で、好ましくは３〜１００気圧程
度の範囲が望ましい。
【００２１】反応温度は、通常、−４０〜１２０℃程度
の範囲で行うことができるが、経済性を考慮して、１５
℃から１００℃で実施され、好ましく、２５〜４０℃の
室温付近で反応を実施することができる。
の範囲で行うことができるが、経済性を考慮して、１５
℃から１００℃で実施され、好ましく、２５〜４０℃の
室温付近で反応を実施することができる。
【００２２】反応時間は反応基質濃度、温度、圧力等の
反応条件によって異なるが通常、数分から３０時間程度
で反応は完結する。
反応条件によって異なるが通常、数分から３０時間程度
で反応は完結する。
【００２３】また本発明における反応は反応形式がバッ
チ式においても連続式においても実施することができ
る。
チ式においても連続式においても実施することができ
る。
【００２４】かくして、得られる光学活性ベンジルアミ
ン類（２）としては、具体的には、例えばN-パラクロル
ベンジル-フェネチルアミン、N-パラブロモベンジル-フ
ェネチルアミン、N-パラクロルベンジル-2,4-ジクロル
フェネチルアミン、N-パラブロモベンジル-2,4-ジクロ
ルフェネチルアミン、N-パラクロルベンジル-1-シクロ
ヘキシルエチルアミン、N-パラブロムベンジル-1-シク
ロヘキシルエチルアミン、などが挙げられる。
ン類（２）としては、具体的には、例えばN-パラクロル
ベンジル-フェネチルアミン、N-パラブロモベンジル-フ
ェネチルアミン、N-パラクロルベンジル-2,4-ジクロル
フェネチルアミン、N-パラブロモベンジル-2,4-ジクロ
ルフェネチルアミン、N-パラクロルベンジル-1-シクロ
ヘキシルエチルアミン、N-パラブロムベンジル-1-シク
ロヘキシルエチルアミン、などが挙げられる。
【００２５】
【発明の効果】本発明により、優れた収率および優れた
光学純度でベンジルアミン類を得ることができる。かか
る光学活性ベンジルアミン類（２）はカルボン酸類の光
学分割剤として使用でき、また光学活性な医薬農薬合成
の中間体としても汎用性がある。
光学純度でベンジルアミン類を得ることができる。かか
る光学活性ベンジルアミン類（２）はカルボン酸類の光
学分割剤として使用でき、また光学活性な医薬農薬合成
の中間体としても汎用性がある。
【００２６】
【実施例】以下実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。
【００２７】実施例１ N-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチリデン]パラクロルベ
ンジルアミン200mg(0.64mmol)をシュレンク管(20ml)に
投入し、さらに5mlのメタノールを加えた。この溶液を
脱気しアルゴン置換した。その後、このイミン溶液を内
部をアルゴン置換したオートクレーブに移した。一方、
別のシュレンク管(20ml)に[IrCl(cod)]2錯体 21.5mg(0.
032mmol)と(S)-BINAP 39.9mg(0.064mmol)およびフタル
イミド18.8mg(0.128mg)を投入し、さらに5mlのトルエン
を加えた。この溶液をアルゴン置換した後、３０分間攪
拌して固体を完全に溶かした。その後上記のオートクレ
ーブに投入した。オートクレーブ内部を十分水素置換し
た後、水素を５０気圧に加圧した。３０℃で１８時間攪
拌し水素添加反応させた。反応終了後、反応混合液を濃
縮し溶媒を溜去し、エーテル(20ml)に溶かしシリカゲル
カラムを通過させ錯体触媒などを除去し再び濃縮後、目
的のN-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチル]パラクロルベ
ンジルアミン195mg(0.62mmol,96.9%,70%ee)を得た。
ンジルアミン200mg(0.64mmol)をシュレンク管(20ml)に
投入し、さらに5mlのメタノールを加えた。この溶液を
脱気しアルゴン置換した。その後、このイミン溶液を内
部をアルゴン置換したオートクレーブに移した。一方、
別のシュレンク管(20ml)に[IrCl(cod)]2錯体 21.5mg(0.
032mmol)と(S)-BINAP 39.9mg(0.064mmol)およびフタル
イミド18.8mg(0.128mg)を投入し、さらに5mlのトルエン
を加えた。この溶液をアルゴン置換した後、３０分間攪
拌して固体を完全に溶かした。その後上記のオートクレ
ーブに投入した。オートクレーブ内部を十分水素置換し
た後、水素を５０気圧に加圧した。３０℃で１８時間攪
拌し水素添加反応させた。反応終了後、反応混合液を濃
縮し溶媒を溜去し、エーテル(20ml)に溶かしシリカゲル
カラムを通過させ錯体触媒などを除去し再び濃縮後、目
的のN-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチル]パラクロルベ
ンジルアミン195mg(0.62mmol,96.9%,70%ee)を得た。
【００２８】実施例２ N-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチリデン]パラブロモベ
ジルアミン228mg(0.64mmol)をシュレンク管(20ml)に投
入し、さらに5mlのメタノールを加えた。この溶液を脱
気しアルゴン置換した。その後、このイミン溶液を内部
をアルゴン置換したオートクレーブに移した。一方、別
のシュレンク管(20ml)に[IrCl(cod)]2錯体21.5mg(0.032
mmol)と(S)-BINAP 39.9mg(0.064mmol)およびフタルイミ
ド18.8mg(0.128mg)を投入し、さらに5mlのトルエンを加
えた。この溶液をアルゴン置換した後、３０分間攪拌し
て固体を完全に溶かした。その後上記のオートクレーブ
に投入した。オートクレーブ内部を十分水素置換した
後、水素を５０気圧に加圧した。３０℃で１８時間攪拌
し水素添加反応させた。反応終了後、反応混合液を濃縮
し溶媒を溜去し、エーテル(20ml)に溶かしシリカゲルカ
ラムを通過させ錯体触媒などを除去し再び濃縮後、目的
のN-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチル]パラブロモベジ
ルアミン225mg(0.63mmol,97.9%,67%ee)を得た。
ジルアミン228mg(0.64mmol)をシュレンク管(20ml)に投
入し、さらに5mlのメタノールを加えた。この溶液を脱
気しアルゴン置換した。その後、このイミン溶液を内部
をアルゴン置換したオートクレーブに移した。一方、別
のシュレンク管(20ml)に[IrCl(cod)]2錯体21.5mg(0.032
mmol)と(S)-BINAP 39.9mg(0.064mmol)およびフタルイミ
ド18.8mg(0.128mg)を投入し、さらに5mlのトルエンを加
えた。この溶液をアルゴン置換した後、３０分間攪拌し
て固体を完全に溶かした。その後上記のオートクレーブ
に投入した。オートクレーブ内部を十分水素置換した
後、水素を５０気圧に加圧した。３０℃で１８時間攪拌
し水素添加反応させた。反応終了後、反応混合液を濃縮
し溶媒を溜去し、エーテル(20ml)に溶かしシリカゲルカ
ラムを通過させ錯体触媒などを除去し再び濃縮後、目的
のN-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチル]パラブロモベジ
ルアミン225mg(0.63mmol,97.9%,67%ee)を得た。
【００２９】実施例３ N-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチリデン]パラフルオロ
ベンジルアミン189mg(0.64mmol)をシュレンク管(20ml)
に投入し、さらに5mlのメタノールを加えた。この溶液
を脱気しアルゴン置換した。その後、このイミン溶液を
内部をアルゴン置換したオートクレーブに移した。一
方、別のシュレンク管(20ml)に[IrCl(cod)]2錯体 21.5m
g(0.032mmol)と(S)-BINAP 39.9mg(0.064mmol)およびフ
タルイミド18.8mg(0.128mg)を投入し、さらに5mlのトル
エンを加えた。この溶液をアルゴン置換した後、３０分
間攪拌して固体を完全に溶かした。その後上記のオート
クレーブに投入した。オートクレーブ内部を十分水素置
換した後、水素を５０気圧に加圧した。３０℃で１８時
間攪拌し水素添加反応させた。反応終了後、反応混合液
を濃縮し溶媒を溜去し、エーテル(20ml)に溶かしシリカ
ゲルカラムを通過させ錯体触媒などを除去し再び濃縮
後、目的の1 N-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチル]パラ
フルオロベンジルアミン65mg(0.61mmol,95.3%,68%ee)を
得た。
ベンジルアミン189mg(0.64mmol)をシュレンク管(20ml)
に投入し、さらに5mlのメタノールを加えた。この溶液
を脱気しアルゴン置換した。その後、このイミン溶液を
内部をアルゴン置換したオートクレーブに移した。一
方、別のシュレンク管(20ml)に[IrCl(cod)]2錯体 21.5m
g(0.032mmol)と(S)-BINAP 39.9mg(0.064mmol)およびフ
タルイミド18.8mg(0.128mg)を投入し、さらに5mlのトル
エンを加えた。この溶液をアルゴン置換した後、３０分
間攪拌して固体を完全に溶かした。その後上記のオート
クレーブに投入した。オートクレーブ内部を十分水素置
換した後、水素を５０気圧に加圧した。３０℃で１８時
間攪拌し水素添加反応させた。反応終了後、反応混合液
を濃縮し溶媒を溜去し、エーテル(20ml)に溶かしシリカ
ゲルカラムを通過させ錯体触媒などを除去し再び濃縮
後、目的の1 N-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチル]パラ
フルオロベンジルアミン65mg(0.61mmol,95.3%,68%ee)を
得た。
【００３０】実施例４ N-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチリデン]パラヨウドベ
ンジルアミン259mg(0.64mmol)をシュレンク管(20ml)に
投入し、さらに5mlのメタノールを加えた。この溶液を
脱気しアルゴン置換した。その後、このイミン溶液を内
部をアルゴン置換したオートクレーブに移した。一方、
別のシュレンク管(20ml)に[IrCl(cod)]2錯体 21.5mg(0.
032mmol)と(S)-BINAP 39.9mg(0.064mmol)およびフタル
イミド18.8mg(0.128mg)を投入し、さらに5mlのトルエン
を加えた。この溶液をアルゴン置換した後、３０分間攪
拌して固体を完全に溶かした。その後上記のオートクレ
ーブに投入した。オートクレーブ内部を十分水素置換し
た後、水素を５０気圧に加圧した。３０℃で１８時間攪
拌し水素添加反応させた。反応終了後、反応混合液を濃
縮し溶媒を溜去し、エーテル(20ml)に溶かしシリカゲル
カラムを通過させ錯体触媒などを除去し再び濃縮後、目
的のN-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチル]パラヨウドベ
ンジルアミン252mg(0.62mmol,97.1%,62%ee)を得た。
ンジルアミン259mg(0.64mmol)をシュレンク管(20ml)に
投入し、さらに5mlのメタノールを加えた。この溶液を
脱気しアルゴン置換した。その後、このイミン溶液を内
部をアルゴン置換したオートクレーブに移した。一方、
別のシュレンク管(20ml)に[IrCl(cod)]2錯体 21.5mg(0.
032mmol)と(S)-BINAP 39.9mg(0.064mmol)およびフタル
イミド18.8mg(0.128mg)を投入し、さらに5mlのトルエン
を加えた。この溶液をアルゴン置換した後、３０分間攪
拌して固体を完全に溶かした。その後上記のオートクレ
ーブに投入した。オートクレーブ内部を十分水素置換し
た後、水素を５０気圧に加圧した。３０℃で１８時間攪
拌し水素添加反応させた。反応終了後、反応混合液を濃
縮し溶媒を溜去し、エーテル(20ml)に溶かしシリカゲル
カラムを通過させ錯体触媒などを除去し再び濃縮後、目
的のN-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチル]パラヨウドベ
ンジルアミン252mg(0.62mmol,97.1%,62%ee)を得た。
【００３１】比較例１ N-[1-(2,4-ジクロルフェニル)エチリデン]ベンジルアミ
ン178mg(0.64mmol)をシュレンク管(20ml)に投入し、さ
らに5mlのメタノールを加えた。この溶液を脱気しアル
ゴン置換した。その後、このイミン溶液を内部をアルゴ
ン置換したオートクレーブに移した。一方、別のシュレ
ンク管(20ml)に[IrCl(cod)]2錯体 21.5mg(0.032mmol)と
(S)-BINAP 39.9mg(0.064mmol)およびフタルイミド18.8m
g(0.128mg)を投入し、さらに5mlのトルエンを加えた。
この溶液をアルゴン置換した後、３０分間攪拌して固体
を完全に溶かした。その後上記のオートクレーブに投入
した。オートクレーブ内部を十分水素置換した後、水素
を５０気圧に加圧した。３０℃で１８時間攪拌し水素添
加反応させた。反応終了後、反応混合液を濃縮し溶媒を
溜去し、エーテル(20ml)に溶かしシリカゲルカラムを通
過させ錯体触媒などを除去し再び濃縮後、目的のN-[1-
(2,4-ジクロルフェニル)エチル]ベンジルアミン116mg
(0.42mmol,65.0%,15%ee)を得た。
ン178mg(0.64mmol)をシュレンク管(20ml)に投入し、さ
らに5mlのメタノールを加えた。この溶液を脱気しアル
ゴン置換した。その後、このイミン溶液を内部をアルゴ
ン置換したオートクレーブに移した。一方、別のシュレ
ンク管(20ml)に[IrCl(cod)]2錯体 21.5mg(0.032mmol)と
(S)-BINAP 39.9mg(0.064mmol)およびフタルイミド18.8m
g(0.128mg)を投入し、さらに5mlのトルエンを加えた。
この溶液をアルゴン置換した後、３０分間攪拌して固体
を完全に溶かした。その後上記のオートクレーブに投入
した。オートクレーブ内部を十分水素置換した後、水素
を５０気圧に加圧した。３０℃で１８時間攪拌し水素添
加反応させた。反応終了後、反応混合液を濃縮し溶媒を
溜去し、エーテル(20ml)に溶かしシリカゲルカラムを通
過させ錯体触媒などを除去し再び濃縮後、目的のN-[1-
(2,4-ジクロルフェニル)エチル]ベンジルアミン116mg
(0.42mmol,65.0%,15%ee)を得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｍ 7:00
Claims (2)
- 【請求項１】一般式（１） （式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子、ハロゲン原子、置換
基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していて
もよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリー
ル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基
を有していてもよいアルコキシル基、アリールオキシ基
またはアルキルオキシカルボニル基をそれぞれ示し、あ
るいはＲ1とＲ2が結合して環状化合物を形成していても
よい。Ｒ3はパラ位に置換基としてハロゲン原子を有す
るフェニル基を示す。）で示されるイミン類を、第VIII
族遷移金属の錯体、光学活性ホスフィン化合物およびイ
ミド化合物の存在下に、水素と反応させることを特徴と
する一般式（２） （式中、 Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、前記と同じ意味を表わ
す。）で示される光学活性ベンジルアミン類の製造法。 - 【請求項２】第VIII族遷移金属の錯体が、一般式（３） （式中、Ｍ1はイリジウム、ロジウム、ルテニウムまた
は白金の第VIII族遷移金属を示し、Ｘは水素原子、ハロ
ゲン原子、カルボキシル基、アルコキシ基またはヒドロ
キシ基を示し、Ｌは有機配位子を示し、ｍおよびｎはそ
れぞれ０〜６の整数を示す。）で示される第VIII族遷移
金属の錯体である請求項１記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10220661A JP2000053618A (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 光学活性ベンジルアミン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10220661A JP2000053618A (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 光学活性ベンジルアミン類の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000053618A true JP2000053618A (ja) | 2000-02-22 |
Family
ID=16754479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10220661A Pending JP2000053618A (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 光学活性ベンジルアミン類の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000053618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002040573A1 (fr) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Binaphtyles optiquement actifs a support solide et procede de preparation de derives d'aminonitrile asymetriques a l'aide de ceux-ci |
-
1998
- 1998-08-04 JP JP10220661A patent/JP2000053618A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002040573A1 (fr) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Binaphtyles optiquement actifs a support solide et procede de preparation de derives d'aminonitrile asymetriques a l'aide de ceux-ci |
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