JP2000050164A - 信号処理装置及びそれを用いた撮像装置 - Google Patents
信号処理装置及びそれを用いた撮像装置Info
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- JP2000050164A JP2000050164A JP10215684A JP21568498A JP2000050164A JP 2000050164 A JP2000050164 A JP 2000050164A JP 10215684 A JP10215684 A JP 10215684A JP 21568498 A JP21568498 A JP 21568498A JP 2000050164 A JP2000050164 A JP 2000050164A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号源からの信号を非反転出力回路を介して
出力する場合に、出力時に非反転出力回路のノイズ信号
も一緒に出力する課題が生じる。 【解決手段】 信号源と、信号源からの信号を出力する
非反転出力回路と、信号源からの信号が非反転出力回路
から出力される出力時に、非反転出力回路のノイズ信号
を除去して信号源からの信号を出力させるノイズ信号除
去回路を有した信号処理装置及びそれを用いた撮像装置
を提供する。
出力する場合に、出力時に非反転出力回路のノイズ信号
も一緒に出力する課題が生じる。 【解決手段】 信号源と、信号源からの信号を出力する
非反転出力回路と、信号源からの信号が非反転出力回路
から出力される出力時に、非反転出力回路のノイズ信号
を除去して信号源からの信号を出力させるノイズ信号除
去回路を有した信号処理装置及びそれを用いた撮像装置
を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はノイズ除去回路を備
えた信号処理装置及びそれを用いた撮像装置に関するも
のである。
えた信号処理装置及びそれを用いた撮像装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、信号を順次出力する信号処理
装置である。
装置である。
【０００３】同図では、シフトレジスタ１００によって
ＭＯＳトランジスタ１０１を制御することによって、順
次信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎ非反転出力回路（電圧フォ
ロワ回路）１０３を介して出力線１０２に読み出されて
いる。
ＭＯＳトランジスタ１０１を制御することによって、順
次信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎ非反転出力回路（電圧フォ
ロワ回路）１０３を介して出力線１０２に読み出されて
いる。
【０００４】また、図１１はノイズ除去回路を持った光
電変換装置である。
電変換装置である。
【０００５】増幅型光電変換装置は画素で発生するノイ
ズが大きいという欠点を持っているため、ノイズ除去回
路を必要とする。増幅型光電変換装置には、ＢＡＳＩＳ
やＣＭＯＳセンサ等がある。同図において、光電変換素
子７０を２次元に配列したＣＭＯＳセンサを示している
かＢＡＳＩＳであっても、一次元のセンサであっても同
様のノイズ除去回路が使われている。
ズが大きいという欠点を持っているため、ノイズ除去回
路を必要とする。増幅型光電変換装置には、ＢＡＳＩＳ
やＣＭＯＳセンサ等がある。同図において、光電変換素
子７０を２次元に配列したＣＭＯＳセンサを示している
かＢＡＳＩＳであっても、一次元のセンサであっても同
様のノイズ除去回路が使われている。
【０００６】図８において、７１はラインを制御する水
平駆動線、７２は画素の出力をノイズ除去回路７４へ出
力するための垂直出力線７３は画素７０のアンプＭＯＳ
トランジスタに対する負荷ＭＯＳトランジスタや定電流
源を有している。７４は一般にＳ−Ｎ方式と呼ばれるノ
イズ除去回路であり、Ｎ用の電荷を蓄積する容量ＣTN７
７とＳ用の電荷を蓄積する容量ＣTS７８とそれぞれの容
量のスイッチ用ＭＯＳ７５、７６と水平走査回路８５で
駆動される水平駆動ＭＯＳ、７９、８０で構成されてい
る。Ｓ信号とＮ信号はそれぞれ電圧フォロワ回路８２、
８３を介して差動増幅器８４へ入力されノイズ除去され
外部へ出力される。ここで、画素７０からの光出力をＶ
P 、ノイズをＶN 、蓄積容量値をＣT 、水平出力線の寄
生容量をＣH とすると最終の出力ＶOUT は
平駆動線、７２は画素の出力をノイズ除去回路７４へ出
力するための垂直出力線７３は画素７０のアンプＭＯＳ
トランジスタに対する負荷ＭＯＳトランジスタや定電流
源を有している。７４は一般にＳ−Ｎ方式と呼ばれるノ
イズ除去回路であり、Ｎ用の電荷を蓄積する容量ＣTN７
７とＳ用の電荷を蓄積する容量ＣTS７８とそれぞれの容
量のスイッチ用ＭＯＳ７５、７６と水平走査回路８５で
駆動される水平駆動ＭＯＳ、７９、８０で構成されてい
る。Ｓ信号とＮ信号はそれぞれ電圧フォロワ回路８２、
８３を介して差動増幅器８４へ入力されノイズ除去され
外部へ出力される。ここで、画素７０からの光出力をＶ
P 、ノイズをＶN 、蓄積容量値をＣT 、水平出力線の寄
生容量をＣH とすると最終の出力ＶOUT は
【０００７】
【外１】 となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例では、以下のような欠点があった。
例では、以下のような欠点があった。
【０００９】まず、図１０の従来例では、非反転出力回
路を介して信号の出力を行ってるために出力時に非反転
出力回路のノイズ信号（例えばオフセット信号等）が一
緒に信号に加わって出力されてしまう。
路を介して信号の出力を行ってるために出力時に非反転
出力回路のノイズ信号（例えばオフセット信号等）が一
緒に信号に加わって出力されてしまう。
【００１０】次に、図１１の従来例では、 大きなＭＯＳ容量を２つ設けるためチップ面積が増大
する。特に微細化が進むと、大部分がこのＭＯＳ容量を
占めてしまうことになり、深刻な問題となる。 Ｓ用の容量とＮ用の容量の値がずれるとノイズ補正の
効果が悪化する（ＣT のバラツキ）。 蓄積容量と寄生容量との容量分割比により感度がＣT
／（ＣT ＋ＣH ）に低下する。
する。特に微細化が進むと、大部分がこのＭＯＳ容量を
占めてしまうことになり、深刻な問題となる。 Ｓ用の容量とＮ用の容量の値がずれるとノイズ補正の
効果が悪化する（ＣT のバラツキ）。 蓄積容量と寄生容量との容量分割比により感度がＣT
／（ＣT ＋ＣH ）に低下する。
【００１１】そのために、本発明に係わる第１の目的
は、非反転出力回路からノイズのない高精度の信号を読
み出すことである。
は、非反転出力回路からノイズのない高精度の信号を読
み出すことである。
【００１２】第２の発明の目的はチップ面積の縮少、第
３の目的は読み出しサインの向上、であり、高精度のノ
イズ除去を簡単に実現することである。又、多数回読み
出しが可能なノイズ除去方式の提案である。
３の目的は読み出しサインの向上、であり、高精度のノ
イズ除去を簡単に実現することである。又、多数回読み
出しが可能なノイズ除去方式の提案である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに本発明では、請求項１により信号源と、前記信号源
からの信号を出力する非反転出力回路と、前記信号源か
らの信号が前記非反転出力回路から出力される出力時
に、前記非反転出力回路のノイズ信号を除去して前記信
号源からの信号を出力させるノイズ信号除去手段とを有
することを特徴とする信号処理装置を提供する。
めに本発明では、請求項１により信号源と、前記信号源
からの信号を出力する非反転出力回路と、前記信号源か
らの信号が前記非反転出力回路から出力される出力時
に、前記非反転出力回路のノイズ信号を除去して前記信
号源からの信号を出力させるノイズ信号除去手段とを有
することを特徴とする信号処理装置を提供する。
【００１４】また、請求項１において、前記ノイズ信号
除去手段はさらに前記信号源内のノイズ信号を除去する
ことを特徴とする。
除去手段はさらに前記信号源内のノイズ信号を除去する
ことを特徴とする。
【００１５】さらにまた、請求項２において、前記ノイ
ズ信号除去手段は、前記非反転回路の入力部で前記信号
源のノイズ信号が除去され、前記非反転回路の出力部で
前記非反転出力回路のノイズ信号が除去されるように前
記信号源及び前記非反転回路のノイズ信号を調節するこ
とを特徴とする。
ズ信号除去手段は、前記非反転回路の入力部で前記信号
源のノイズ信号が除去され、前記非反転回路の出力部で
前記非反転出力回路のノイズ信号が除去されるように前
記信号源及び前記非反転回路のノイズ信号を調節するこ
とを特徴とする。
【００１６】さらにまた、請求項４により信号源と、演
算を行う演算手段と、前記演算手段からの信号を出力す
る非反転出力回路とを有し、前記演算手段は少なくとも
前記信号源からの信号を非反転出力回路に転送する転送
手段と、前記信号源からの信号から前記非反転出力回路
からの信号を差分した差分信号を形成する差分信号形成
手段とを含むことを特徴とする信号処理装置を提供す
る。
算を行う演算手段と、前記演算手段からの信号を出力す
る非反転出力回路とを有し、前記演算手段は少なくとも
前記信号源からの信号を非反転出力回路に転送する転送
手段と、前記信号源からの信号から前記非反転出力回路
からの信号を差分した差分信号を形成する差分信号形成
手段とを含むことを特徴とする信号処理装置を提供す
る。
【００１７】さらにまた、請求項４において、前記差分
信号形成手段はクランプ回路である。
信号形成手段はクランプ回路である。
【００１８】さらにまた、請求項４又は請求項５のいず
れか１項において、前記転送手段は前記信号源のノイズ
信号を転送する。
れか１項において、前記転送手段は前記信号源のノイズ
信号を転送する。
【００１９】さらにまた、請求項４乃至請求項６のいず
れか１項において、前記差分形成手段は前記非反転出力
回路から出力される出力信号レベルを所定電位にクラン
プすることを特徴とする。
れか１項において、前記差分形成手段は前記非反転出力
回路から出力される出力信号レベルを所定電位にクラン
プすることを特徴とする。
【００２０】さらにまた、請求項７において、前記演算
手段は前記差分形成手段が前記クランプ回路が前記非反
転出力回路からの出力信号レベルを所定電位にクランプ
した後、前記クランプ回路に前記信号源から信号を入力
する入力手段を含む。
手段は前記差分形成手段が前記クランプ回路が前記非反
転出力回路からの出力信号レベルを所定電位にクランプ
した後、前記クランプ回路に前記信号源から信号を入力
する入力手段を含む。
【００２１】さらにまた、請求項１乃至請求項８におい
て、前記信号源は光電変換画素である。
て、前記信号源は光電変換画素である。
【００２２】さらにまた、請求項９において、前記非反
転出力回路とノイズ信号除去手段はそれぞれの光電変換
画素からの出力部に設けられている。
転出力回路とノイズ信号除去手段はそれぞれの光電変換
画素からの出力部に設けられている。
【００２３】さらに、請求項９において、前記光電変換
画素は複数行に配置され、前記非反転出力回路とノイズ
信号除去手段は前記光電変換画素からの出力信号を水平
出力線に出力するそれぞれの垂直出力線に少なくとも１
つ設けられている。
画素は複数行に配置され、前記非反転出力回路とノイズ
信号除去手段は前記光電変換画素からの出力信号を水平
出力線に出力するそれぞれの垂直出力線に少なくとも１
つ設けられている。
【００２４】さらにまた、請求項１１において、前記光
電変換画素からの信号は前記非反転出力回路を介して水
平出力線に出力される。
電変換画素からの信号は前記非反転出力回路を介して水
平出力線に出力される。
【００２５】さらにまた、請求項１３により複数の信号
源と、前記複数の信号源からの信号を出力する非反転出
力回路と、前記複数の信号源中の少なくとも２つ以上の
信号源中のピーク信号を前記電圧フォロワ回路から出力
させるピーク信号出力手段と、前記信号源からの信号が
前記非反転出力回路から出力される出力時に、前記非反
転出力回路のノイズ信号を除去して前記信号源からの信
号を出力させるノイズ信号除去手段とを有することを特
徴とする信号処理装置を提供する。
源と、前記複数の信号源からの信号を出力する非反転出
力回路と、前記複数の信号源中の少なくとも２つ以上の
信号源中のピーク信号を前記電圧フォロワ回路から出力
させるピーク信号出力手段と、前記信号源からの信号が
前記非反転出力回路から出力される出力時に、前記非反
転出力回路のノイズ信号を除去して前記信号源からの信
号を出力させるノイズ信号除去手段とを有することを特
徴とする信号処理装置を提供する。
【００２６】さらにまた、請求項１４において、さらに
前記複数の信号源のそれぞれの信号を出力する個別信号
出力手段を有することを特徴とする。
前記複数の信号源のそれぞれの信号を出力する個別信号
出力手段を有することを特徴とする。
【００２７】さらにまた、請求項１３又は請求項１５の
いずれか１項において、前記信号源は光電変換画素であ
る。
いずれか１項において、前記信号源は光電変換画素であ
る。
【００２８】さらにまた、請求項１乃至請求項１５にお
いて、前記非反転出力回路は電圧フォロワ回路である。
いて、前記非反転出力回路は電圧フォロワ回路である。
【００２９】さらにまた、請求項１４により請求項１５
の記載の信号処理装置と、前記信号処理装置から出力さ
れるピーク信号によって前記信号処理装置内の前記光電
変換画素への光の蓄積量を制御する光蓄積量制御手段と
を有する撮像装置を提供する。
の記載の信号処理装置と、前記信号処理装置から出力さ
れるピーク信号によって前記信号処理装置内の前記光電
変換画素への光の蓄積量を制御する光蓄積量制御手段と
を有する撮像装置を提供する。
【００３０】
【発明の実施の形態】（第１の実施例）図１は本発明の
特徴を最も良く表す図面であり、同図において、１は光
電変換が行われるＰｎフォトダイオード、２は光電変換
された電荷を転送するための転送ゲート、３は電荷をリ
セットするためのリセットＭＯＳトランジスタ、４は増
幅用ＭＯＳトランジスタ、５は定電流源であり、４の増
幅用ＭＯＳトランジスタとの組み合わせてソースフォロ
ワ回路を形成している。以上の１〜５で１つの光電変換
画素を構成する。６は差動増幅アンプで出力を負の入力
端子にフィードバックさせて電圧フォロワで動作させ
る。７は光電変換画素からの出力を電圧フォロワ回路へ
入力させるためのスイッチＭＯＳトランジスタ、８はク
ランプ容量、９はクランプ電位を入力するためのスイッ
チＭＯＳトランジスタで、８と９でクランプ回路を構成
している。１０はクランプ回路に光電変換画素の出力を
入力させるためのスイッチＭＯＳトランジスタ、１１は
クランプ回路と電圧フォロワ回路を接続させるためのス
イッチＭＯＳトランジスタ、１２は電圧フォロワの出力
をクランプ回路へ入力させるためのスイッチＭＯＳトラ
ンジスタであり、６〜１２でノイズ除去回路を構成して
いる。１３はノイズが除去させた光電変換出力を出力増
幅器１５へ出力させるためのスイッチＭＯＳトランジス
タで、１４の走査回路によって駆動される。
特徴を最も良く表す図面であり、同図において、１は光
電変換が行われるＰｎフォトダイオード、２は光電変換
された電荷を転送するための転送ゲート、３は電荷をリ
セットするためのリセットＭＯＳトランジスタ、４は増
幅用ＭＯＳトランジスタ、５は定電流源であり、４の増
幅用ＭＯＳトランジスタとの組み合わせてソースフォロ
ワ回路を形成している。以上の１〜５で１つの光電変換
画素を構成する。６は差動増幅アンプで出力を負の入力
端子にフィードバックさせて電圧フォロワで動作させ
る。７は光電変換画素からの出力を電圧フォロワ回路へ
入力させるためのスイッチＭＯＳトランジスタ、８はク
ランプ容量、９はクランプ電位を入力するためのスイッ
チＭＯＳトランジスタで、８と９でクランプ回路を構成
している。１０はクランプ回路に光電変換画素の出力を
入力させるためのスイッチＭＯＳトランジスタ、１１は
クランプ回路と電圧フォロワ回路を接続させるためのス
イッチＭＯＳトランジスタ、１２は電圧フォロワの出力
をクランプ回路へ入力させるためのスイッチＭＯＳトラ
ンジスタであり、６〜１２でノイズ除去回路を構成して
いる。１３はノイズが除去させた光電変換出力を出力増
幅器１５へ出力させるためのスイッチＭＯＳトランジス
タで、１４の走査回路によって駆動される。
【００３１】次に図２に示すタイミングチャートを用い
て、本発明のノイズ除去動作について説明する。
て、本発明のノイズ除去動作について説明する。
【００３２】先ず時刻Ｔ0 において、φＲＳ、φＴをＯ
Ｎすることにより、フォトダイオードをリセットする。
次の時刻Ｔ1 においてφＴをＯＦＦすることにより、フ
ォトダイオードのリセットを完了させて蓄積状態に入
る。
Ｎすることにより、フォトダイオードをリセットする。
次の時刻Ｔ1 においてφＴをＯＦＦすることにより、フ
ォトダイオードのリセットを完了させて蓄積状態に入
る。
【００３３】時刻Ｔ2 からノイズ除去動作に入る時刻Ｔ
2 において、φＴＮ、φＦＣをＯＮすることにより、光
電変換画素の出力をスイッチＭＯＳ７を介して電圧フォ
ロワ回路６へ入力し、その電圧フォロワ回路の出力をス
イッチＭＯＳ１２を介して、クランプ容量８へ入力す
る。次の時刻Ｔ3 、Ｔ4 においてスイッチＭＯＳ１２、
スイッチＭＯＳ７の順にＯＦＦさせる。この時、クラン
プ容量８にはノイズを含んだセンサ出力と電圧フォロワ
回路のオフセット電圧が加算された電圧が保持される。 ＶCP＝Ｖdavk＋ＶFPN ＋ＶRN＋Ｖoff （１） （Ｖdavk＝センサ暗時電圧、ＶFPN ＝固定パターンノイ
ズ電圧、ＶRN＝ランダムノイズ電圧、Ｖoff ＝電圧フォ
ロワ回路オフセット電圧） 時刻Ｔ5 においてφＴＳ２をＯＮさせることによりクラ
ンプ回路と電圧フォロワ回路を接続させて、時刻Ｔ6 に
おいてφＧＲをＯＦＦさせてクランプ動作を終了させ
る。
2 において、φＴＮ、φＦＣをＯＮすることにより、光
電変換画素の出力をスイッチＭＯＳ７を介して電圧フォ
ロワ回路６へ入力し、その電圧フォロワ回路の出力をス
イッチＭＯＳ１２を介して、クランプ容量８へ入力す
る。次の時刻Ｔ3 、Ｔ4 においてスイッチＭＯＳ１２、
スイッチＭＯＳ７の順にＯＦＦさせる。この時、クラン
プ容量８にはノイズを含んだセンサ出力と電圧フォロワ
回路のオフセット電圧が加算された電圧が保持される。 ＶCP＝Ｖdavk＋ＶFPN ＋ＶRN＋Ｖoff （１） （Ｖdavk＝センサ暗時電圧、ＶFPN ＝固定パターンノイ
ズ電圧、ＶRN＝ランダムノイズ電圧、Ｖoff ＝電圧フォ
ロワ回路オフセット電圧） 時刻Ｔ5 においてφＴＳ２をＯＮさせることによりクラ
ンプ回路と電圧フォロワ回路を接続させて、時刻Ｔ6 に
おいてφＧＲをＯＦＦさせてクランプ動作を終了させ
る。
【００３４】時刻Ｔ7 から蓄積動作に入り、所望の時刻
が過った後、時刻Ｔ8 、Ｔ9 で信号読み出し動作に入
る。時刻Ｔ8 でφＲＳをＯＦＦさせた後、時刻Ｔ9 でφ
ＴをＯＮさせフォトダイオードで発生した電荷をソース
フォロワ回路のアンプＭＯＳ４のゲートへ転送する。こ
の時の電位変化が光信号として出力されることになる。
が過った後、時刻Ｔ8 、Ｔ9 で信号読み出し動作に入
る。時刻Ｔ8 でφＲＳをＯＦＦさせた後、時刻Ｔ9 でφ
ＴをＯＮさせフォトダイオードで発生した電荷をソース
フォロワ回路のアンプＭＯＳ４のゲートへ転送する。こ
の時の電位変化が光信号として出力されることになる。
【００３５】この時のソースフォロワの出力は、 ＶP ＋Ｖdavk＋ＶFVN ＋ＶRN（２） となる。ここでＶP は光信号電圧である。この電圧がス
イッチＭＯＳ１０を介してクランプ回路へ入力される。
この時、先に蓄積されている電圧（１）との差分によ
り、電圧フォロワ回路からの出力は、 ＶOUT ＝（２）−（１）＋Ｖoff ＝ＶP となる。つまり、電圧フォロワ回路からは光電変換画素
のノイズのみならず、電圧フォロワ回路のノイズも除去
された信号を得ることができる。又、最終段の出力増幅
器１５へゲインを落とさずに出力できるため、容量分割
によるゲイン低下といった問題もなくなる。
イッチＭＯＳ１０を介してクランプ回路へ入力される。
この時、先に蓄積されている電圧（１）との差分によ
り、電圧フォロワ回路からの出力は、 ＶOUT ＝（２）−（１）＋Ｖoff ＝ＶP となる。つまり、電圧フォロワ回路からは光電変換画素
のノイズのみならず、電圧フォロワ回路のノイズも除去
された信号を得ることができる。又、最終段の出力増幅
器１５へゲインを落とさずに出力できるため、容量分割
によるゲイン低下といった問題もなくなる。
【００３６】その他、従来容量分割の低下を防ぐために
大きな容量を２つ必要としていたが、本発明ではその半
分以下の容量が可能であるため、従来の１／４以下に容
量の面積を低減させることが可能である。本発明で必要
とするクランプ容量の値としては、電圧フォロワの入力
容量と寄生容量との比を考えて設定することが好まし
い。
大きな容量を２つ必要としていたが、本発明ではその半
分以下の容量が可能であるため、従来の１／４以下に容
量の面積を低減させることが可能である。本発明で必要
とするクランプ容量の値としては、電圧フォロワの入力
容量と寄生容量との比を考えて設定することが好まし
い。
【００３７】以上述べた様に、本発明において微細化に
対応したチップ面積の小さな高感度のセンサを実現する
ことが可能となった。特に非破壊読み出しが可能である
ためリアルタイムＡＧＣ等を必要とするカメラ用ＡＦセ
ンサには絶大な効果を生み出す。
対応したチップ面積の小さな高感度のセンサを実現する
ことが可能となった。特に非破壊読み出しが可能である
ためリアルタイムＡＧＣ等を必要とするカメラ用ＡＦセ
ンサには絶大な効果を生み出す。
【００３８】（第２の実施例）図３に本発明の第２実施
例について示す。本実施例は、フォトダイオードの出力
をそのままソースフォロワ回路のアンプＭＯＳのゲート
に入力させるＡＭＩ型センサ（Ａｍｐｒｉｆｉｅｄ Ｍ
ｏｓ Ｉｍａｇｅｒ）に応用した場合である。本実施例
において、実施例１と同様のノイズ除去回路を設けてい
るため、実施例１と同様の効果を得ることができる。な
お、本実施例において光電変換画素内のトランジスタは
ｎＭＯＳ構成としているが、ｐＭＯＳ構成としても同様
であることは、実施例１と同じである。
例について示す。本実施例は、フォトダイオードの出力
をそのままソースフォロワ回路のアンプＭＯＳのゲート
に入力させるＡＭＩ型センサ（Ａｍｐｒｉｆｉｅｄ Ｍ
ｏｓ Ｉｍａｇｅｒ）に応用した場合である。本実施例
において、実施例１と同様のノイズ除去回路を設けてい
るため、実施例１と同様の効果を得ることができる。な
お、本実施例において光電変換画素内のトランジスタは
ｎＭＯＳ構成としているが、ｐＭＯＳ構成としても同様
であることは、実施例１と同じである。
【００３９】（第３の実施例）図４に本発明の第３実施
例について示す。本実施例においてソースフォロワ回路
を２段構成にして、第２段目のソースフォロワ回路のゲ
ートにメモリ容量を設けた画素になっていることを特徴
とする本実施例のセンサをコンタクトセンサとして用い
る場合、チップ面積が従来よりも大幅に削減できるた
め、コスト的に非常に有利となる。特に等倍型コンタク
トセンサに有効となる。
例について示す。本実施例においてソースフォロワ回路
を２段構成にして、第２段目のソースフォロワ回路のゲ
ートにメモリ容量を設けた画素になっていることを特徴
とする本実施例のセンサをコンタクトセンサとして用い
る場合、チップ面積が従来よりも大幅に削減できるた
め、コスト的に非常に有利となる。特に等倍型コンタク
トセンサに有効となる。
【００４０】本発明においても、光電変換画素内のトラ
ンジスタをｎＭＯＳトランジスタ、ｐＭＯＳトランジス
タ、あるいは初段がｎＭＯＳトランジスタ、後段がｐＭ
ＯＳトランジスタ、更にはその逆の構成であっても構わ
ない。
ンジスタをｎＭＯＳトランジスタ、ｐＭＯＳトランジス
タ、あるいは初段がｎＭＯＳトランジスタ、後段がｐＭ
ＯＳトランジスタ、更にはその逆の構成であっても構わ
ない。
【００４１】（第４の実施例）図５に本発明の第４実施
例について示す。本発明においてフォトダイオードの出
力をＣＭＯＳ構成の電圧フォロワ回路に入力する画素を
用いたことを特徴とする。
例について示す。本発明においてフォトダイオードの出
力をＣＭＯＳ構成の電圧フォロワ回路に入力する画素を
用いたことを特徴とする。
【００４２】本実施例において、差動アンプの電圧フォ
ロワ回路を用いているため、画素の出力のＦＰＮが小さ
いことが特徴となる。そして、後段のノイズ除去回路と
の組み合わせにより、更なるノイズ低減が可能となる。
ロワ回路を用いているため、画素の出力のＦＰＮが小さ
いことが特徴となる。そして、後段のノイズ除去回路と
の組み合わせにより、更なるノイズ低減が可能となる。
【００４３】本実施例において、特にノイズが小さいこ
とが望まれるセンサに応用できる。とりわけ、カメラ用
ＡＦセンサとして有効となる。
とが望まれるセンサに応用できる。とりわけ、カメラ用
ＡＦセンサとして有効となる。
【００４４】第１〜第４の実施例で、光電変換画素は上
記で述べられたものに限るのではなく、ＢＡＳＩＳ、Ｃ
ＭＤ、ＳＩＴ、ＦＧＡ等の光電変換画素であってもよ
い。又、フォトダイオードの信号を増幅せずに出力する
ものでもよい。
記で述べられたものに限るのではなく、ＢＡＳＩＳ、Ｃ
ＭＤ、ＳＩＴ、ＦＧＡ等の光電変換画素であってもよ
い。又、フォトダイオードの信号を増幅せずに出力する
ものでもよい。
【００４５】（第５の実施例）図６に本発明の第５実施
例について示す。本実施例では２次元光電変換装置に応
用した例である。同図において、７０が光電変換素子で
あり、２次元状に配列されている。ここでは、ＣＭＯＳ
センサを例にあげているが、他にＢＡＳＩＳ、ＡＭＩ、
ＣＭＤ、ＳＩＴ、ＦＧＡ等の光電変換画素であっても同
様である。又、フォトダイオードの信号を増幅して出力
するものではなく、増幅せずに出力するものでもよい。
本実施例において、２次元光電変換装置で本発明を用い
たことにより、チップ面積縮少、感度向上といった１次
元と同様の効果が得られる。
例について示す。本実施例では２次元光電変換装置に応
用した例である。同図において、７０が光電変換素子で
あり、２次元状に配列されている。ここでは、ＣＭＯＳ
センサを例にあげているが、他にＢＡＳＩＳ、ＡＭＩ、
ＣＭＤ、ＳＩＴ、ＦＧＡ等の光電変換画素であっても同
様である。又、フォトダイオードの信号を増幅して出力
するものではなく、増幅せずに出力するものでもよい。
本実施例において、２次元光電変換装置で本発明を用い
たことにより、チップ面積縮少、感度向上といった１次
元と同様の効果が得られる。
【００４６】図７に本発明で用いられている差動入力回
路６の回路図について示す。ＣＭＯＳ型差動アンプとな
っているが、ＢｉＣＭＯＳ型であっても同様である。
又、回路構成も出力がプッシュプル形式であっても構わ
ない。言いかえれば差動増幅器であればどの様な形式で
も構わない。
路６の回路図について示す。ＣＭＯＳ型差動アンプとな
っているが、ＢｉＣＭＯＳ型であっても同様である。
又、回路構成も出力がプッシュプル形式であっても構わ
ない。言いかえれば差動増幅器であればどの様な形式で
も構わない。
【００４７】上記で述べたように、第５実施例では、１
列に１つノイズ除去回路を設けているが、それぞれの光
電変換画素ごとにノイズ除去回路を設けてもよい。
列に１つノイズ除去回路を設けているが、それぞれの光
電変換画素ごとにノイズ除去回路を設けてもよい。
【００４８】（第６の実施例）図６を用いて本発明の第
６実施例を示す。本実施例は、１行中の光電変換画素の
ピーク信号（最大値信号、最小値信号）を検出するもの
である。
６実施例を示す。本実施例は、１行中の光電変換画素の
ピーク信号（最大値信号、最小値信号）を検出するもの
である。
【００４９】実施例５では、水平走査回路１４から順次
スイッチＭＯＳトランジスタ１３にパルスを入力するこ
とによってそれぞれの光電変換画素の信号が出力されて
いた。本実施例では、水平走査回路からスイッチＭＯＳ
トランジスタに順次パルスを入力するのではなく、同時
にパルスを入力することによって、１行中の光電変換画
素からの信号を同時に電圧フォロワ回路６から出力する
ことによって１行中の光電変換画素のピーク信号が得ら
れる。ここで、電圧フォロワ回路として図７（ａ）の出
力段がｎ型トランジスタであるものを用いた場合には、
１行中の光電変換画素の最大値信号が、図７（ｂ）の出
力段がＰ型トランジスタであるものを用いた場合には、
１行中の光電変換画素の最小値信号が得られる。
スイッチＭＯＳトランジスタ１３にパルスを入力するこ
とによってそれぞれの光電変換画素の信号が出力されて
いた。本実施例では、水平走査回路からスイッチＭＯＳ
トランジスタに順次パルスを入力するのではなく、同時
にパルスを入力することによって、１行中の光電変換画
素からの信号を同時に電圧フォロワ回路６から出力する
ことによって１行中の光電変換画素のピーク信号が得ら
れる。ここで、電圧フォロワ回路として図７（ａ）の出
力段がｎ型トランジスタであるものを用いた場合には、
１行中の光電変換画素の最大値信号が、図７（ｂ）の出
力段がＰ型トランジスタであるものを用いた場合には、
１行中の光電変換画素の最小値信号が得られる。
【００５０】又、奇数列には図７（ａ）の電圧フォロワ
回路を、偶数列には図７（ｂ）の電圧フォロワ回路を用
いた場合には、水平走査回路から同時に奇数列のスイッ
チＭＯＳトランジスタ１３にパルスを入力し、次に水平
走査回路から同時に偶数列のスイッチＭＯＳトランジス
タ１３にパルスを入力することにより、１行中の光電変
換画素のほぼ最大値信号と、ほぼ最小値信号が得られ
る。
回路を、偶数列には図７（ｂ）の電圧フォロワ回路を用
いた場合には、水平走査回路から同時に奇数列のスイッ
チＭＯＳトランジスタ１３にパルスを入力し、次に水平
走査回路から同時に偶数列のスイッチＭＯＳトランジス
タ１３にパルスを入力することにより、１行中の光電変
換画素のほぼ最大値信号と、ほぼ最小値信号が得られ
る。
【００５１】（第７の実施例）図８を用いて本発明の第
７実施例を示す。本実施例では、第６実施例よりもさら
に精度よく１行中の光電変換画素のピーク信号（最大値
信号、最小値信号）を検出するものである。
７実施例を示す。本実施例では、第６実施例よりもさら
に精度よく１行中の光電変換画素のピーク信号（最大値
信号、最小値信号）を検出するものである。
【００５２】第６実施例では、１行中の奇数光電変換画
素の最大値信号と、１行中の偶数光電変換画素の最小値
信号を得ているため、低解像度のセンサーの場合に、誤
差が生じる場合がある。
素の最大値信号と、１行中の偶数光電変換画素の最小値
信号を得ているため、低解像度のセンサーの場合に、誤
差が生じる場合がある。
【００５３】そのために、本実施例では１つの列に並列
に最大値検出用（図７（ａ））のものと、最小値検出
（図７（ｂ））のものの２つを設けている。そして、最
大値検出用の電圧フォロワ回路に接続されたスイッチＭ
ＯＳトランジスタに同時に水平走査回路からパルスを入
力することにより、水平出力線には１行中の光電変換画
素の最大値信号が出力され、最小値検出用の電圧フォロ
ワ回路に接続されたスイッチＭＯＳトランジスタに同時
に水平走査回路からパルスを入力することにより、水平
出力線には１行中の光電変換画素の最小値信号が出力さ
れる。
に最大値検出用（図７（ａ））のものと、最小値検出
（図７（ｂ））のものの２つを設けている。そして、最
大値検出用の電圧フォロワ回路に接続されたスイッチＭ
ＯＳトランジスタに同時に水平走査回路からパルスを入
力することにより、水平出力線には１行中の光電変換画
素の最大値信号が出力され、最小値検出用の電圧フォロ
ワ回路に接続されたスイッチＭＯＳトランジスタに同時
に水平走査回路からパルスを入力することにより、水平
出力線には１行中の光電変換画素の最小値信号が出力さ
れる。
【００５４】第６実施例及び第７実施例において水平走
査回路に、上記述べたような複数のスイッチＭＯＳトラ
ンジスタに同時にパルスを入力できるようにする構成
と、複数のスイッチＭＯＳトランジスタに順次パルスを
入力できるようにする構成を持たせることにより、それ
ぞれ１光電変換画素ずつの個別信号と、１行中の光電変
換画素の最大値信号及び最小値信号を得ることができ
る。
査回路に、上記述べたような複数のスイッチＭＯＳトラ
ンジスタに同時にパルスを入力できるようにする構成
と、複数のスイッチＭＯＳトランジスタに順次パルスを
入力できるようにする構成を持たせることにより、それ
ぞれ１光電変換画素ずつの個別信号と、１行中の光電変
換画素の最大値信号及び最小値信号を得ることができ
る。
【００５５】実施例６、実施例７では１行中の光電変換
画素中のピーク信号を得ているが、例えば垂直走査回路
からすべての行に同時にパルスを出力することにより、
１列中の光電変換画素のピーク信号を得てもよい。又、
例えば垂直走査回路及び水平走査回路の任意の複数のパ
ルスを同時に出力できるようにすることにより、光電変
換装置中の任意のエリア中のピーク信号を得ることがで
きる。
画素中のピーク信号を得ているが、例えば垂直走査回路
からすべての行に同時にパルスを出力することにより、
１列中の光電変換画素のピーク信号を得てもよい。又、
例えば垂直走査回路及び水平走査回路の任意の複数のパ
ルスを同時に出力できるようにすることにより、光電変
換装置中の任意のエリア中のピーク信号を得ることがで
きる。
【００５６】（第８の実施例）図９を用いて、本発明の
第８の実施例を示す。本実施例は、実施例６又は実施例
８で示した信号処理装置を用いた撮像装置をあらわすも
のである。
第８の実施例を示す。本実施例は、実施例６又は実施例
８で示した信号処理装置を用いた撮像装置をあらわすも
のである。
【００５７】同図に示す光電変換装置９０からは、例え
ば１行中の光電変換画素の最大値信号及び最小値信号が
出力され差動増幅回路９１で差分増幅されコンパレータ
９２に入力される。そしてコンパレータの出力は、オン
チップ又は外付けの蓄積時間制御回路９３に入力され
る。ここで蓄積時間制御回路では、差動増幅回路の出力
が基準電圧Ｖｒｅｆよりも大きくなった場合に、光電変
換装置に光の蓄積を停止するように制御している。この
光の蓄積の停止に従って、次はそれぞれの光電変換画素
からの信号を個別に出力し、信号処理回路９４でホワイ
トバランス等の処理を行って画像を得ている。
ば１行中の光電変換画素の最大値信号及び最小値信号が
出力され差動増幅回路９１で差分増幅されコンパレータ
９２に入力される。そしてコンパレータの出力は、オン
チップ又は外付けの蓄積時間制御回路９３に入力され
る。ここで蓄積時間制御回路では、差動増幅回路の出力
が基準電圧Ｖｒｅｆよりも大きくなった場合に、光電変
換装置に光の蓄積を停止するように制御している。この
光の蓄積の停止に従って、次はそれぞれの光電変換画素
からの信号を個別に出力し、信号処理回路９４でホワイ
トバランス等の処理を行って画像を得ている。
【００５８】上記第１〜第７の実施例において、信号を
発生する部分として光電変換画素が例としてあげられて
いるが、本発明は光電変換画素に限られるものではな
く、その他の信号を発生するものでもよい。又、上記第
１〜第８の実施例においてクランプ回路８、９からの出
力は電圧フォロワ回路６を介して出力される実施例とな
っているが、クランプ回路８、９からの出力を例えば２
倍に増幅して出力する回路でもよい。この場合、２倍に
増幅する出力回路から出力された光電変換画素からのノ
イズ信号電圧と出力回路のオフセット電圧の加算された
電圧は、抵抗等によって０．５倍にされてクランプ回路
８、９に入力されることになる。
発生する部分として光電変換画素が例としてあげられて
いるが、本発明は光電変換画素に限られるものではな
く、その他の信号を発生するものでもよい。又、上記第
１〜第８の実施例においてクランプ回路８、９からの出
力は電圧フォロワ回路６を介して出力される実施例とな
っているが、クランプ回路８、９からの出力を例えば２
倍に増幅して出力する回路でもよい。この場合、２倍に
増幅する出力回路から出力された光電変換画素からのノ
イズ信号電圧と出力回路のオフセット電圧の加算された
電圧は、抵抗等によって０．５倍にされてクランプ回路
８、９に入力されることになる。
【００５９】ここで、実施例１〜８においては、信号源
は光電変換画素に、ノイズ除去手段、演算手段はノイズ
除去回路６〜１２に、非反転出力回路は電圧フォロワ回
路に相当している。
は光電変換画素に、ノイズ除去手段、演算手段はノイズ
除去回路６〜１２に、非反転出力回路は電圧フォロワ回
路に相当している。
【００６０】又、実施例６〜８においてはピーク信号出
力手段は、複数個のパルスを同時に出力させることがで
きる走査回路、又は垂直走査回路又は水平走査回路又は
垂直走査回路及び水平走査回路に相当している。
力手段は、複数個のパルスを同時に出力させることがで
きる走査回路、又は垂直走査回路又は水平走査回路又は
垂直走査回路及び水平走査回路に相当している。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 ・ノイズのない高精度な信号を非反転出力回路から得る
ことができる。 ・チップ面積の縮少により低コスト化が可能となる。 ・容量分割による感度低下が発生しないため、高Ｓ／Ｎ
の光電変換装置が可能となる。このため撮像装置として
用いる場合、従来よりも低輝度でも撮影可能となる。 ・簡単な回路構成であるため、微細化が進んでも対応が
可能である。 ・多数回読み出し（非破壊読み出し）が可能であるた
め、様々な用途で使用可能となる。 ・任意の複数の信号源からピーク信号が得られるため、
様々な用途に使用可能となる。 ・任意の複数の光電変換画素からのピーク信号を利用す
ることにより、被写体が高コントラスト、低コントラス
トにかかわらず、鮮明な画像を得ることができる。
ことができる。 ・チップ面積の縮少により低コスト化が可能となる。 ・容量分割による感度低下が発生しないため、高Ｓ／Ｎ
の光電変換装置が可能となる。このため撮像装置として
用いる場合、従来よりも低輝度でも撮影可能となる。 ・簡単な回路構成であるため、微細化が進んでも対応が
可能である。 ・多数回読み出し（非破壊読み出し）が可能であるた
め、様々な用途で使用可能となる。 ・任意の複数の信号源からピーク信号が得られるため、
様々な用途に使用可能となる。 ・任意の複数の光電変換画素からのピーク信号を利用す
ることにより、被写体が高コントラスト、低コントラス
トにかかわらず、鮮明な画像を得ることができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る回路図である。
【図２】本発明の第１実施例に係るタイミングチャート
である。
である。
【図３】本発明の第２実施例に係る回路図である。
【図４】本発明の第３実施例に係る回路図である。
【図５】本発明の第４実施例に係る回路図である。
【図６】本発明の第５実施例に係る回路図である。
【図７】本発明に用いられている差動増幅器の一例であ
る。
る。
【図８】本発明の第６実施例に係る回路図である。
【図９】本発明の第７実施例に係る回路図である。
【図１０】第１の従来例に係る回路図である。
【図１１】第２の従来例に係る回路図である。
１ Ｐｎフォトダイオード ２ 転送ゲート ３ リセットＭＯＳスイッチ ４ 増幅用ＭＯＳトランジスタ ５ 定電流源 ６ 差動増幅器 ７ スイッチＭＯＳ ８ クランプ容量 ９ クランプＭＯＳスイッチ １０ スイッチＭＯＳ １１ スイッチＭＯＳ １２ スイッチＭＯＳ １３ 出力選択ＭＯＳ １４ 走査回路 １５ 出力増幅器 ７０、１００、１０１、１０２、１０３ 光電変換画素 ７１ 水平駆動線 ７２ 垂直出力線 ７３ 定電流ＭＯＳ ７４ Ｓ−Ｎノイズ補正回路 ７５、７６ スイッチＭＯＳ ７７、７８ 蓄積容量 ７９、８０ 水平選択ＭＯＳスイッチ ８１ 水平線リセットＭＯＳ ８２、８３ 電圧フォロワ回路 ８４ 出力増幅器 ８５ 水平走査回路 ８６ 垂直走査回路 １１０ ノイズ除去回路
Claims (17)
- 【請求項１】 信号源と、 前記信号源からの信号を出力する非反転出力回路と、 前記信号源からの信号が前期非反転出力回路から出力さ
れる出力時に、前記非反転出力回路のノイズ信号を除去
して前記信号源からの信号を出力させるノイズ信号除去
手段と、を有することを特徴とする信号処理装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記ノイズ信号除去
手段はさらに前記信号源内のノイズ信号を除去すること
を特徴とする。 - 【請求項３】 請求項２において、前記ノイズ信号除去
手段は、前記非反転回路の入力部で前記信号源のノイズ
信号が除去され、前記非反転回路の出力部で前期非反転
出力回路のノイズ信号が除去されるように前記信号源及
び前記非反転回路のノイズ信号を調節することを特徴と
する。 - 【請求項４】 信号源と、 演算を行う演算手段と、 前記演算手段からの信号を出力する非反転出力回路とを
有し、 前記演算手段は少なくとも前記信号源からの信号を非反
転出力回路に転送する転送手段と、前記信号源からの信
号から前記非反転出力回路からの信号を差分した差分信
号を形成する差分信号形成手段とを含むことを特徴とす
る信号処理装置。 - 【請求項５】 請求項４において、前記差分信号形成手
段はクランプ回路である。 - 【請求項６】 請求項４又は請求項５のいずれか１項に
おいて、前記転送手段は前記信号源のノイズ信号を転送
する。 - 【請求項７】 請求項４乃至請求項６のいずれか１項に
おいて、前記差分形成手段は前記非反転出力回路から出
力される出力信号レベルを所定電位にクランプすること
を特徴とする。 - 【請求項８】 請求項７において、前記演算手段は前記
差分形成手段が前記クランプ回路が前記非反転出力回路
からの出力信号レベルを所定電位にクランプした後、前
記クランプ回路に前記信号源から信号を入力する入力手
段を含む。 - 【請求項９】 請求項１乃至請求項８において、前記信
号源は光電変換画素である。 - 【請求項１０】 請求項９において、前記非反転出力回
路とノイズ信号除去手段はそれぞれの光電変換画素から
の出力部に設けられている。 - 【請求項１１】 請求項９において、前記光電変換画素
は複数行に配置され、前記非反転出力回路とノイズ信号
除去手段は前記光電変換画素からの出力信号を水平出力
線に出力するそれぞれの垂直出力線に少なくとも１つ設
けられている。 - 【請求項１２】 請求項１１において、前記光電変換画
素からの信号は前記非反転出力回路を介して水平出力線
に出力される。 - 【請求項１３】 複数の信号源と、 前記複数の信号源からの信号を出力する非反転出力回路
と、 前記複数の信号源中の少なくとも２つ以上の信号源中の
ピーク信号を前記電圧フォロワ回路から出力させるピー
ク信号出力手段と、 前記信号源からの信号が前記非反転出力回路から出力さ
れる出力時に、前記非反転出力回路のノイズ信号を除去
して前記信号源からの信号を出力させるノイズ信号除去
手段と、を有することを特徴とする信号処理装置。 - 【請求項１４】 請求項１３において、さらに前記複数
の信号源のそれぞれの信号を出力する個別信号出力手段
を有することを特徴とする。 - 【請求項１５】 請求項１３又は請求項１４のいずれか
１項において、前記信号源は光電変換画素である。 - 【請求項１６】 請求項１乃至請求項１５において、前
記非反転出力回路は電圧フォロワ回路である。 - 【請求項１７】 請求項１５の記載の信号処理装置と、 前記信号処理装置から出力されるピーク信号によって前
記信号処理装置内の前記光電変換画素への光の蓄積量を
制御する光蓄積量制御手段と、を有する撮像装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21568498A JP3563971B2 (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 信号処理装置及びそれを用いた撮像装置 |
| US09/359,685 US6781624B1 (en) | 1998-07-30 | 1999-07-23 | Signal processing apparatus |
| EP99305983A EP0977427B1 (en) | 1998-07-30 | 1999-07-28 | Signal processing apparatus |
| EP20100181700 EP2290951A3 (en) | 1998-07-30 | 1999-07-28 | Signal processing apparatus |
| DE69943194T DE69943194D1 (de) | 1998-07-30 | 1999-07-28 | Signalverarbeitungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21568498A JP3563971B2 (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 信号処理装置及びそれを用いた撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000050164A true JP2000050164A (ja) | 2000-02-18 |
| JP3563971B2 JP3563971B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=16676455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21568498A Expired - Fee Related JP3563971B2 (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 信号処理装置及びそれを用いた撮像装置 |
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Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002270807A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Victor Co Of Japan Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサ |
| JP2003051989A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Canon Inc | 光電変換装置、固体撮像装置及びシステム |
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| EP2343880A2 (en) | 2009-12-03 | 2011-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric-conversion device, focus detection apparatus, and image-pickup system |
| JP2016129331A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2021150846A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP2024041924A (ja) * | 2021-03-31 | 2024-03-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置 |
-
1998
- 1998-07-30 JP JP21568498A patent/JP3563971B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| CN102036019A (zh) * | 2009-09-24 | 2011-04-27 | 佳能株式会社 | 光电转换装置和图像拾取系统 |
| US8497458B2 (en) | 2009-09-24 | 2013-07-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and image pickup system for detecting a value of signals output from a plurality of pixels |
| US8860860B2 (en) | 2009-12-03 | 2014-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric-conversion device, focus detection apparatus, and image-pickup system for performing an operation to monitor an amount of light |
| EP2343880A2 (en) | 2009-12-03 | 2011-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric-conversion device, focus detection apparatus, and image-pickup system |
| US8803054B2 (en) | 2009-12-16 | 2014-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus, focus detection apparatus, and image pickup system |
| JP2011130135A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Canon Inc | 光電変換装置、焦点検出装置及び撮像システム |
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| JP2024026101A (ja) * | 2014-12-26 | 2024-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2021150846A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP7330124B2 (ja) | 2020-03-19 | 2023-08-21 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP2024041924A (ja) * | 2021-03-31 | 2024-03-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置 |
| US12262565B2 (en) | 2021-03-31 | 2025-03-25 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Light detecting device and electronic device |
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