JP2000049110A - Laser annealing equipment - Google Patents
Laser annealing equipmentInfo
- Publication number
- JP2000049110A JP2000049110A JP10211304A JP21130498A JP2000049110A JP 2000049110 A JP2000049110 A JP 2000049110A JP 10211304 A JP10211304 A JP 10211304A JP 21130498 A JP21130498 A JP 21130498A JP 2000049110 A JP2000049110 A JP 2000049110A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- process chamber
- substrate
- laser annealing
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 飛散物等がウインドに付着するのを防止し、
クリーニングに要する時間と費用とを低減できるレーザ
アニール装置を提供する。
【解決手段】 レーザ発振機１からエキシマレーザ光が
光学系２を介し照射されるプロセスチャンバ３と、この
プロセスチャンバ３内の絶縁性基板５にエキシマレーザ
光を導くウインド４とを備える。そして、このウインド
４を、プロセスチャンバ３の外側に位置するプロセスウ
インド１２と、プロセスチャンバ３の内部に位置する汚
染防止ウインド１３とから二重構造に構成する。汚染防
止ウインド１３に蒸発、あるいは飛散したSiが付着する
ので、プロセスウインド１２の透過率の低下を防止でき
る。
(57) [Abstract] [Problem] To prevent flying objects from adhering to a window,
Provided is a laser annealing apparatus capable of reducing time and cost required for cleaning. A process chamber is provided with an excimer laser beam emitted from a laser oscillator via an optical system, and a window for guiding the excimer laser beam to an insulating substrate in the process chamber. The window 4 has a double structure including a process window 12 located outside the process chamber 3 and a pollution prevention window 13 located inside the process chamber 3. Since the evaporated or scattered Si adheres to the contamination prevention window 13, a decrease in the transmittance of the process window 12 can be prevented.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用薄
膜トランジスタ(TFT)等の製造工程において、基板の薄
膜にレーザ光を照射し、基板にエネルギを付与するレー
ザアニール装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser annealing apparatus for irradiating a thin film on a substrate with a laser beam in a process of manufacturing a thin film transistor (TFT) for a liquid crystal display device and applying energy to the substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ガラス等の絶縁性基板上にTFTを有する
半導体装置としては、TFTを画素の駆動に用いるアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置やイメージセンサ等が知
られている。これらの装置に使用されるTFTには、薄膜
状のSi半導体が用いられるのが一般的である。2. Description of the Related Art As a semiconductor device having a TFT on an insulating substrate such as glass, an active matrix type liquid crystal display device and an image sensor using the TFT for driving pixels are known. In general, a thin-film Si semiconductor is used for the TFT used in these devices.
【０００３】薄膜状のSi半導体は、非晶質Si半導体から
なるものと、結晶性を有するSi半導体からなるものとに
大別される。非晶質Si半導体は、作製温度が低く、CVD
法で比較的容易に作製可能で、しかも、量産性に富むた
め、最も一般的に用いられている。しかしながら、非晶
質Si半導体は、結晶性を有するSi半導体に比べ、電流駆
動能力が劣るという欠点を有している。したがって、今
後、高速特性を得るためには、結晶性を有するSi半導体
からなるTFTの製造方法の確立が強く求められる。[0003] Thin-film Si semiconductors are broadly classified into those made of an amorphous Si semiconductor and those made of a crystalline Si semiconductor. Amorphous Si semiconductor has low fabrication temperature,
It is most commonly used because it can be produced relatively easily by the method and has high mass productivity. However, an amorphous Si semiconductor has a disadvantage that current driving capability is inferior to a crystalline Si semiconductor. Therefore, in order to obtain high-speed characteristics in the future, it is strongly required to establish a method of manufacturing a TFT made of a crystalline silicon semiconductor.
【０００４】結晶性を有するSi半導体としては、単結晶
Si、多結晶Si、微結晶Si、結晶成分を含む非結晶Si、又
は結晶性と非結晶性との中間の状態を有する非晶質Si等
が知られている。これら結晶性を有するTFTは、非晶質
のTFTに比べて移動度が高い。そのため、駆動力が向上
して画素とドライバ回路の一体化が可能となり、微細化
が可能で高開口率や高密度化を実現することができる。As a Si semiconductor having crystallinity, a single crystal
There are known Si, polycrystalline Si, microcrystalline Si, amorphous Si containing a crystalline component, amorphous Si having an intermediate state between crystalline and amorphous. These crystalline TFTs have higher mobility than amorphous TFTs. Therefore, the driving force is improved, the pixel and the driver circuit can be integrated, and miniaturization can be performed, and a high aperture ratio and a high density can be realized.
【０００５】結晶性を有するSi半導体薄膜を形成する具
体的な方法としては、熱拡散炉で加熱する固相成長法(S
PC法)と、レーザ光を照射して溶融固化させることによ
り結晶化するレーザアニール法とがあげられる。SPC法
は、非晶質Siを均一に多結晶Siに結晶化できるものの、
熱処理が１０００℃付近の高温で行われるため、耐熱性
の低い安価なガラス基板を使用することができない。そ
こで、絶縁性基板へのダメージが少なく、低温処理が可
能な方法として非晶質Siの光吸収の高いエキシマレーザ
を用いたレーザアニール法が重要視されている。As a specific method for forming a crystalline Si semiconductor thin film, a solid phase growth method (S
PC method) and a laser annealing method of crystallization by irradiating a laser beam to be melted and solidified. Although the SPC method can uniformly crystallize amorphous Si into polycrystalline Si,
Since the heat treatment is performed at a high temperature of about 1000 ° C., an inexpensive glass substrate having low heat resistance cannot be used. Therefore, a laser annealing method using an excimer laser with high light absorption of amorphous Si is regarded as important as a method capable of performing low-temperature processing with little damage to an insulating substrate.
【０００６】従来のレーザアニール装置は、図４に示す
ように、レーザ発振機１からプロセスチャンバ３の絶縁
性基板５上の非晶質Si半導体薄膜にエキシマレーザ光を
光学系２を介し照射し、絶縁性基板５にエネルギを付与
して多結晶化するようにしている。In a conventional laser annealing apparatus, as shown in FIG. 4, an excimer laser beam is irradiated from an laser oscillator 1 to an amorphous Si semiconductor thin film on an insulating substrate 5 in a process chamber 3 via an optical system 2. The energy is applied to the insulating substrate 5 to make it polycrystalline.
【０００７】プロセスチャンバ３は、基本的には密閉構
造に構成され、絶縁性基板５を搭載するステージ８を内
蔵している。絶縁性基板５は、その表面にプラズマCVD
法により非晶質Si半導体薄膜が堆積され、ステージ８の
加熱機構で加熱されて脱水素処理された後、レーザアニ
ール処理される。また、ステージ８にはステージ走査機
構９が連結され、このステージ走査機構９により、ステ
ージ８上の絶縁性基板５がXY方向に移動、位置決めされ
る。また、プロセスチャンバ３の上部の取付口１０には
ウインド４が嵌着されている。[0007] The process chamber 3 is basically constructed in a sealed structure, and incorporates a stage 8 on which an insulating substrate 5 is mounted. The insulating substrate 5 has a surface formed by plasma CVD.
An amorphous Si semiconductor thin film is deposited by a method, heated by a heating mechanism of the stage 8, dehydrogenated, and then laser-annealed. Further, a stage scanning mechanism 9 is connected to the stage 8, and the insulating substrate 5 on the stage 8 is moved and positioned in the XY direction by the stage scanning mechanism 9. Further, a window 4 is fitted into the mounting port 10 on the upper part of the process chamber 3.
【０００８】上記構成において、絶縁性基板５を搭載し
たステージ８を一定の移動量で移動させ、絶縁性基板５
の非晶質Si半導体薄膜にエキシマレーザ光をウインド４
を介し照射して溶融固化させれば、結晶性を向上させ、
周囲と異なる結晶性を有する多結晶Siを形成することが
できる。In the above configuration, the stage 8 on which the insulating substrate 5 is mounted is moved by a certain amount of movement.
Excimer laser light to window 4 of amorphous silicon semiconductor thin film
If it is irradiated and melted and solidified, the crystallinity is improved,
Polycrystalline Si having a different crystallinity from the surroundings can be formed.
【０００９】なお、この種の関連先行技術文献として、
特開平９−１７７４４号や特開平９−２６０３０３号公
報等があげられる。As related prior art documents of this kind,
JP-A-9-17744 and JP-A-9-260303 are listed.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザアニール
装置は、以上のように構成され、エキシマレーザ光を照
射し続けると、非晶質Si半導体薄膜の表面から蒸発又は
飛散したSiがウインド４に付着するので、この付着した
Siが汚れとなり、エキシマレーザ光を吸収して透過率が
低下することとなる。この問題を解消する方法として
は、プロセスチャンバ３からウインド４を取り外してク
リーニングする方法があげられる。しかしながら、この
クリーニング法には時間と費用がかかり、しかも、メン
テナンス性が非常に悪いという欠点がある。The conventional laser annealing apparatus is configured as described above. When the excimer laser beam is continuously irradiated, the Si evaporated or scattered from the surface of the amorphous Si semiconductor thin film enters the window 4. So this sticking
Si becomes contaminated and absorbs excimer laser light, resulting in a decrease in transmittance. As a method of solving this problem, there is a method of removing the window 4 from the process chamber 3 and performing cleaning. However, this cleaning method has the drawbacks that it is time-consuming and expensive, and that the maintainability is very poor.
【００１１】本発明は、上記問題に鑑みなされたもの
で、飛散物等がウインドに付着するのを防止し、クリー
ニングに要する時間と費用とを低減することのできるレ
ーザアニール装置を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a laser annealing apparatus capable of preventing flying objects from adhering to a window and reducing the time and cost required for cleaning. The purpose is.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明にお
いては、上記課題を達成するため、基板の薄膜にレーザ
光を照射し、該基板にエネルギを付与するものにおい
て、基板処理用のプロセスチャンバと、このプロセスチ
ャンバ内の該基板に上記レーザ光を導くウインドとを含
み、このウインドを二重構造に構成するとともに、上記
プロセスチャンバの内外方向に並べるようにしたことを
特徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a process for irradiating a thin film on a substrate with a laser beam to impart energy to the substrate, the method comprising: It is characterized in that it includes a chamber and a window for guiding the laser beam to the substrate in the process chamber. The window has a double structure and is arranged inward and outward of the process chamber.
【００１３】なお、上記ウインドを、上記プロセスチャ
ンバの外側に位置するプロセスウインドと、該プロセス
チャンバの内部に位置する汚染防止ウインドとから構成
し、この汚染防止ウインドを交換可能とすることが好ま
しい。また、上記プロセスチャンバ内に設置される基板
搭載用のステージと、上記汚染防止ウインドを着脱自在
に支持し、該プロセスチャンバの上部と該ステージとの
間を昇降する昇降支持手段とを含み、該汚染防止ウイン
ドを上記基板のサイズとほぼ同サイズとすると良い。It is preferable that the window comprises a process window located outside the process chamber and a pollution prevention window located inside the process chamber, and the pollution prevention window is replaceable. A stage for mounting the substrate installed in the process chamber; and a lifting support means for detachably supporting the contamination prevention window and moving up and down between an upper portion of the process chamber and the stage. Preferably, the contamination prevention window has a size substantially equal to the size of the substrate.
【００１４】ここで、特許請求の範囲における基板には
各種の種類や大きさがあるが、レーザアニール処理の対
象となるものであれば、特に限定しない。また、薄膜に
は、少なくともSi膜とITO膜とが含まれる。また、レー
ザアニール装置には、ルビー、YAGレーザ、又はエキシ
マレーザを使用するパルスレーザアニール装置と、Ar、K
r、CO2、及びエキシマレーザを使用するCW(continuos wav
e)レーザアニール装置とがあるが、いずれでも良い。ま
た、昇降支持手段は、各種のシリンダ、電磁ソレノイ
ド、又はモータ等のアクチュエータと、チャック機構、
カム機構、ねじ機構、歯車機構、又はリンク機構とを適
宜組み合わせて構成することができる。また、汚染防止
ウインドは、通常処理される基板のサイズと同サイズ
か、あるいは実質的に同一と認められるサイズとすると
良い。Here, there are various types and sizes of substrates in the claims, but there is no particular limitation as long as the substrates can be subjected to laser annealing. Further, the thin film includes at least a Si film and an ITO film. The laser annealing apparatus includes a pulse laser annealing apparatus using a ruby, YAG laser, or excimer laser, and Ar, K
CW (continuos wav) using r, CO 2 and excimer laser
e) There is a laser annealing device, but any one may be used. The lifting support means includes various cylinders, an electromagnetic solenoid, or an actuator such as a motor, a chuck mechanism,
A cam mechanism, a screw mechanism, a gear mechanism, or a link mechanism can be appropriately combined and configured. Further, the contamination prevention window is preferably of the same size as the size of the substrate to be processed normally, or of a size recognized to be substantially the same.
【００１５】請求項１記載の発明によれば、アニール処
理の際、基板の薄膜から材料が蒸発したり、飛散等する
が、この材料は、プロセスチャンバ内側のウインドに付
着し、この内側のウインドに保護される外側のウインド
に付着することがない。したがって、外側ウインドの透
過率の低下を抑制防止することができる。また、請求項
２記載の発明によれば、アニール処理の際、基板の薄膜
の表面から材料が蒸発したり、飛散等するが、この材料
は、プロセスチャンバ内部の汚染防止ウインドに付着
し、プロセスチャンバ外側のプロセスウインドに対する
付着が規制される。汚染防止ウインドが汚れたら、新し
い汚染防止ウインドに交換すれば良い。According to the first aspect of the present invention, during the annealing process, the material evaporates or scatters from the thin film of the substrate. However, this material adheres to the window inside the process chamber and the window inside the process chamber. It does not adhere to the outer window, which is protected by Therefore, it is possible to prevent the transmittance of the outer window from decreasing. According to the second aspect of the present invention, during the annealing process, the material evaporates or scatters from the surface of the thin film on the substrate. However, this material adheres to the contamination prevention window inside the process chamber and causes the process. The adhesion to the process window outside the chamber is regulated. If the pollution control window becomes dirty, it can be replaced with a new pollution control window.
【００１６】また、請求項３記載の発明によれば、汚れ
た汚染防止ウインドを交換する場合、昇降支持手段を下
降させて汚染防止ウインドを昇降支持手段からステージ
に移し、このステージをプロセスチャンバの外部に搬出
すれば、汚染防止ウインドを取り出し、新たな汚染防止
ウインドに交換することができる。汚染防止ウインドが
基板とほぼ同じサイズなので、ステージに汚染防止ウイ
ンドを搭載することができ、基板搭載用のステージを汚
染防止ウインドのメンテナンス作業に有効に活用するこ
とができる。According to the third aspect of the present invention, when replacing the dirty contamination prevention window, the lifting / lowering support means is lowered to move the contamination prevention window from the lifting / lowering support means to the stage, and this stage is mounted on the process chamber. By taking it outside, the pollution control window can be taken out and replaced with a new pollution control window. Since the contamination prevention window is substantially the same size as the substrate, the contamination prevention window can be mounted on the stage, and the substrate mounting stage can be effectively used for the maintenance work of the contamination prevention window.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明するが、本発明は以下の実施形態になんら
限定されるものではない。本実施形態におけるレーザア
ニール装置は、図１に示すように、レーザ発振機１から
エキシマレーザ光が光学系(ホモジナイザー)２を介し照
射されるプロセスチャンバ３と、このプロセスチャンバ
３内の処理基板である絶縁性基板５にエキシマレーザ光
を導くウインド４とを備え、このウインド４を、プロセ
スウインド１２と汚染防止ウインド１３とから二重構造
に構成するようにしている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments. As shown in FIG. 1, the laser annealing apparatus according to the present embodiment includes a process chamber 3 in which an excimer laser beam is irradiated from a laser oscillator 1 via an optical system (homogenizer) 2 and a processing substrate in the process chamber 3. A window 4 for guiding an excimer laser beam to a certain insulating substrate 5 is provided, and the window 4 has a double structure including a process window 12 and a pollution prevention window 13.
【００１８】レーザ発振機１のエキシマレーザ光(図１
の矢印参照)は、その照射強度が２００〜４００mJ／cm2
程度とされ、焦点が光学系２によりフォーカスされると
ともに、プロセスチャンバ３内にウインド４を介して入
射する。光学系２は、XY方向に移動可能に構成され、エ
キシマレーザ光のサイズを変え、面内の均一性を向上さ
せるよう機能する。Excimer laser light from the laser oscillator 1 (FIG. 1)
Indicates the irradiation intensity is 200 to 400 mJ / cm 2.
The focus is focused by the optical system 2 and enters the process chamber 3 via the window 4. The optical system 2 is configured to be movable in the X and Y directions, and functions to change the size of the excimer laser light and improve the in-plane uniformity.
【００１９】プロセスチャンバ３は、レーザ光を通さな
い金属を用いて基本的には密閉構造に構成され、絶縁性
基板５を大気から隔離して処理できるよう機能する。こ
のプロセスチャンバ３には不活性ガス(Ｎ2等)用の導入
系６と不活性ガス用の排気系７とがそれぞれ配設され、
これらガス導入系６とガス排気系７とにより、プロセス
チャンバ３の圧力や雰囲気等が処理工程に応じて調整さ
れる。また、プロセスチャンバ３には絶縁性基板５を搭
載するステンレス製のステージ８が内蔵され、このステ
ージ８には図示しない加熱機構が設置されるとともに、
ステージ走査機構９が連結されており、このステージ走
査機構９により、ステージ８上の絶縁性基板５がXY方向
に移動、位置決めされる。The process chamber 3 is basically formed in a sealed structure by using a metal that does not transmit laser light, and functions so that the insulating substrate 5 can be processed while being isolated from the atmosphere. In the process chamber 3, an introduction system 6 for an inert gas (such as N 2 ) and an exhaust system 7 for the inert gas are provided, respectively.
The pressure, atmosphere, and the like of the process chamber 3 are adjusted by the gas introduction system 6 and the gas exhaust system 7 according to the processing steps. The process chamber 3 has a built-in stainless steel stage 8 on which the insulating substrate 5 is mounted. The stage 8 is provided with a heating mechanism (not shown).
A stage scanning mechanism 9 is connected, and the insulating substrate 5 on the stage 8 is moved and positioned in the XY direction by the stage scanning mechanism 9.
【００２０】プロセスチャンバ３の上部中央にはウイン
ド４用の取付口１０が穿設され、この取付口１０の周縁
部には汚染防止ウインド１３用の一対の支持フック１１
が昇降可能に取り付けられている。各支持フック１１
は、ほぼＬ字形に形成され、プロセスチャンバ３の内部
上方とステージ８との間を昇降する(図２参照)。At the center of the upper portion of the process chamber 3, a mounting opening 10 for the window 4 is formed, and a pair of support hooks 11 for the pollution prevention window 13 are formed at the periphery of the mounting opening 10.
Is mounted so as to be able to move up and down. Each support hook 11
Is formed in a substantially L-shape, and moves up and down between the inside of the process chamber 3 and the stage 8 (see FIG. 2).
【００２１】プロセスウインド１２は、プロセスチャン
バ３の取付口１０に嵌着されている。このプロセスウイ
ンド１２は、不活性ガスの置換時にプロセスチャンバ３
内が真空状態となるので、それに耐えられるよう石英等
を用いて厚く構成されている。さらに、汚染防止ウイン
ド１３は、プロセスウインド１２よりも大きく構成され
るとともに、絶縁性基板５と同サイズに薄く構成され、
一対の支持フック１１に着脱自在に水平状態に保持され
てプロセスウインド１２の直下に隙間を介して位置す
る。その他の部分については、従来例と同様であるので
説明を省略する。The process window 12 is fitted in the mounting opening 10 of the process chamber 3. This process window 12 opens the process chamber 3 when the inert gas is replaced.
Since the inside is in a vacuum state, it is made thick using quartz or the like so as to withstand it. Further, the pollution prevention window 13 is configured to be larger than the process window 12 and thinner to the same size as the insulating substrate 5.
It is detachably held by a pair of support hooks 11 in a horizontal state and is located immediately below the process window 12 with a gap therebetween. The other parts are the same as in the conventional example, and the description is omitted.
【００２２】上記構成において、絶縁性基板５にレーザ
アニール処理を施すには、先ず、ステージ８に絶縁性基
板５をセットし、プロセスチャンバ３にステージ８を搬
入し、プロセスチャンバ３に不活性ガスを導入して雰囲
気を維持する。次いで、ステージ８を加熱するととも
に、絶縁性基板５を搭載したステージ８と光学系２とを
一定の移動量でそれぞれXY方向に移動させ、絶縁性基板
５の非晶質Si半導体薄膜にエキシマレーザ光を局部的に
照射して溶融固化させれば、結晶性を向上させ、周囲と
異なる結晶性を有する多結晶Siを形成することができ
る。In the above configuration, in order to perform laser annealing on the insulating substrate 5, first, the insulating substrate 5 is set on the stage 8, the stage 8 is loaded into the process chamber 3, and the inert gas is To maintain the atmosphere. Next, the stage 8 is heated, and the stage 8 on which the insulating substrate 5 is mounted and the optical system 2 are respectively moved in the XY directions by a fixed moving amount, and an excimer laser is applied to the amorphous Si semiconductor thin film on the insulating substrate 5. By locally irradiating light to be melted and solidified, crystallinity can be improved and polycrystalline Si having a different crystallinity from the surroundings can be formed.
【００２３】上記レーザアニール処理の際、非晶質Si半
導体薄膜の表面からＳｉの一部が蒸発したり、飛散する
が、このSiの一部は、汚染防止ウインド１３に付着し、
この汚染防止ウインド１３の上方に位置するプロセスウ
インド１２に付着することがない。At the time of the above-mentioned laser annealing, a part of the Si evaporates or scatters from the surface of the amorphous Si semiconductor thin film.
It does not adhere to the process window 12 located above the contamination prevention window 13.
【００２４】そしてその後、プロセスチャンバ３から絶
縁性基板５が取り出され、この絶縁性基板５が所定の工
程に経ることにより、薄膜トランジスタが製造される。
なお、汚れた汚染防止ウインド１３を交換する場合に
は、一対の支持フック１１を下降させて汚染防止ウイン
ド１３をステージ８に載せ、プロセスチャンバ３からス
テージ８を搬出すれば、プロセスチャンバ３を開放する
ことなく汚染防止ウインド１３を取り出し、新規な汚染
防止ウインド１３に交換することができる(図２及び図
３参照)。Thereafter, the insulating substrate 5 is taken out of the process chamber 3, and the insulating substrate 5 goes through a predetermined process, whereby a thin film transistor is manufactured.
When the dirty contamination prevention window 13 is replaced, the pair of support hooks 11 is lowered to place the contamination prevention window 13 on the stage 8 and the stage 8 is carried out of the process chamber 3 to open the process chamber 3. The pollution prevention window 13 can be taken out without replacement and replaced with a new pollution prevention window 13 (see FIGS. 2 and 3).
【００２５】上記構成によれば、汚染防止ウインド１３
に蒸発、あるいは飛散したSiが付着するので、プロセス
ウインド１２を清浄に維持してその透過率の低下をきわ
めて有効に防止することができ、非晶質Si半導体薄膜に
所定のエネルギのエキシマレーザ光を確実に照射するこ
とができる。また、汚染防止ウインド１３を絶縁性基板
５と同様に扱えるよう、同サイズとしているので、ステ
ージ８を利用して安価な汚染防止ウインド１３を簡単に
交換することが可能となる。したがって、クリーニング
作業の迅速化、円滑化、及び容易化が期待できる。さら
に、汚染防止ウインド１３の交換は、プロセスウインド
１２の研磨再生よりも安価であるから、低コストを実現
することができる。According to the above configuration, the pollution prevention window 13
Since the evaporated or scattered Si adheres to the surface, the process window 12 can be kept clean and its transmittance can be prevented from lowering extremely effectively, and an excimer laser beam of a predetermined energy can be applied to the amorphous Si semiconductor thin film. Can be reliably irradiated. In addition, since the pollution prevention window 13 has the same size so that it can be handled in the same manner as the insulating substrate 5, the inexpensive pollution prevention window 13 can be easily replaced using the stage 8. Therefore, speeding up, smoothing, and facilitation of the cleaning operation can be expected. Furthermore, since the replacement of the contamination prevention window 13 is cheaper than the polishing and regeneration of the process window 12, the cost can be reduced.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、レーザ光
の照射時に飛散物等がウインドに付着するのを防止し、
ウインドのクリーニングに要する時間と費用とを低減す
ることができるという効果がある。As described above, according to the present invention, it is possible to prevent flying objects and the like from adhering to the window at the time of laser beam irradiation,
The effect is that the time and cost required for window cleaning can be reduced.
【図１】本発明に係るレーザアニール装置の実施形態を
示す断面説明図である。FIG. 1 is an explanatory sectional view showing an embodiment of a laser annealing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係るレーザアニール装置の実施形態に
おける汚染防止ウインドの交換作業を示す断面説明図で
ある。FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view showing an operation of replacing a contamination prevention window in the embodiment of the laser annealing apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に係るレーザアニール装置の実施形態に
おける汚染防止ウインドの搬出作業を示す断面説明図で
ある。FIG. 3 is an explanatory cross-sectional view showing an operation of unloading a contamination prevention window in the embodiment of the laser annealing apparatus according to the present invention.
【図４】従来のレーザアニール装置の実施形態を示す断
面説明図である。FIG. 4 is an explanatory sectional view showing an embodiment of a conventional laser annealing apparatus.
１ レーザ発振機 ２ 光学系 ３ プロセスチャンバ ４ ウインド ５ 絶縁性基板(基板) ８ ステージ １１ 支持フック(昇降支持手段) １２ プロセスウインド １３ 汚染防止ウインド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser oscillator 2 Optical system 3 Process chamber 4 Window 5 Insulating substrate (substrate) 8 Stage 11 Support hook (elevation support means) 12 Process window 13 Pollution prevention window
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/336 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/336
Claims (3)
にエネルギを付与するレーザアニール装置において、 基板処理用のプロセスチャンバと、このプロセスチャン
バ内の該基板に上記レーザ光を導くウインドとを含み、
このウインドを二重構造に構成するとともに、上記プロ
セスチャンバの内外方向に並べるようにしたことを特徴
とするレーザアニール装置。A laser annealing apparatus for irradiating a thin film on a substrate with a laser beam to apply energy to the substrate, comprising: a process chamber for processing a substrate; and a window for guiding the laser beam to the substrate in the process chamber. Including
A laser annealing apparatus characterized in that the windows have a double structure and are arranged inward and outward of the process chamber.
の外側に位置するプロセスウインドと、該プロセスチャ
ンバの内部に位置する汚染防止ウインドとを含み、この
汚染防止ウインドを交換可能とした請求項１記載のレー
ザアニール装置。2. The method according to claim 1, wherein the window includes a process window located outside the process chamber and a pollution prevention window located inside the process chamber, and the pollution prevention window is replaceable. Laser annealing equipment.
板搭載用のステージと、上記汚染防止ウインドを着脱自
在に支持し、該プロセスチャンバの上部と該ステージと
の間を昇降する昇降支持手段とを含み、 該汚染防止ウインドを上記基板のサイズとほぼ同サイズ
とした請求項２記載のレーザアニール装置。3. A stage for mounting a substrate, which is installed in the process chamber, and elevating support means for detachably supporting the contamination prevention window and elevating between the upper portion of the process chamber and the stage. 3. The laser annealing apparatus according to claim 2, wherein the contamination prevention window has a size substantially equal to the size of the substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21130498A JP3545213B2 (en) | 1998-07-27 | 1998-07-27 | Laser annealing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21130498A JP3545213B2 (en) | 1998-07-27 | 1998-07-27 | Laser annealing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049110A true JP2000049110A (en) | 2000-02-18 |
| JP3545213B2 JP3545213B2 (en) | 2004-07-21 |
Family
ID=16603735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21130498A Expired - Fee Related JP3545213B2 (en) | 1998-07-27 | 1998-07-27 | Laser annealing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3545213B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003007634A (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Method and equipment for heat-treating wafer |
| WO2018074281A1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | 株式会社日本製鋼所 | Method for manufacturing annealed body, laser anneal base stage, and laser anneal device |
| CN112786510A (en) * | 2019-11-04 | 2021-05-11 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | Laser annealing system and laser annealing method |
| CN116790851A (en) * | 2023-06-20 | 2023-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | Annealing device, detection method thereof, annealing equipment and annealing process method |
| CN116790851B (en) * | 2023-06-20 | 2026-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | Annealing device, detection method thereof, annealing equipment and annealing process method |
-
1998
- 1998-07-27 JP JP21130498A patent/JP3545213B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003007634A (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Method and equipment for heat-treating wafer |
| WO2018074281A1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | 株式会社日本製鋼所 | Method for manufacturing annealed body, laser anneal base stage, and laser anneal device |
| JPWO2018074281A1 (en) * | 2016-10-20 | 2019-08-22 | 株式会社日本製鋼所 | Manufacturing method of annealing object, laser annealing base and laser annealing processing apparatus |
| JP6990171B2 (en) | 2016-10-20 | 2022-01-12 | 株式会社日本製鋼所 | Manufacturing method of annealed object, laser annealing base and laser annealing treatment equipment |
| US11938563B2 (en) | 2016-10-20 | 2024-03-26 | Jsw Aktina System Co., Ltd. | Annealed workpiece manufacturing method, laser anneal base stage, and laser anneal processing apparatus |
| CN112786510A (en) * | 2019-11-04 | 2021-05-11 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | Laser annealing system and laser annealing method |
| CN116790851A (en) * | 2023-06-20 | 2023-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | Annealing device, detection method thereof, annealing equipment and annealing process method |
| CN116790851B (en) * | 2023-06-20 | 2026-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | Annealing device, detection method thereof, annealing equipment and annealing process method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3545213B2 (en) | 2004-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5529630A (en) | Apparatus for manufacturing a liquid crystal display substrate, and apparatus for evaluating semiconductor crystals | |
| CN106783536B (en) | Laser annealing equipment, polycrystalline silicon thin film and preparation method of thin film transistor | |
| JPH09270393A (en) | Laser light irradiation device | |
| JPH07221017A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US7033434B2 (en) | Mask for crystallizing, method of crystallizing amorphous silicon and method of manufacturing array substrate using the same | |
| JPH11307450A (en) | Reforming method of thin film and device used for its operation | |
| JPH118205A (en) | Semiconductor device manufacturing method and laser beam irradiation device | |
| US7767558B2 (en) | Method of crystallizing amorphous silicon and device fabricated using the same | |
| JP2002252181A (en) | Method for manufacturing polycrystalline semiconductor layer and laser annealing apparatus | |
| JP3545213B2 (en) | Laser annealing equipment | |
| KR100785542B1 (en) | Method of producing liquid crystal display panel | |
| JPH06252048A (en) | Method for manufacturing polycrystalline semiconductor thin film | |
| JP3735394B2 (en) | Method for manufacturing thin film semiconductor device | |
| JPH08213341A (en) | Laser annealing and irradiation with laser beam | |
| JP3901758B2 (en) | Method for manufacturing liquid crystal display device | |
| US7563732B2 (en) | Method and apparatus for forming polycrystalline layer using laser crystallization | |
| JP3196132B2 (en) | Method for manufacturing liquid crystal display substrate, method for evaluating semiconductor crystal, method for manufacturing semiconductor crystal thin film, and apparatus for manufacturing semiconductor crystal thin film | |
| JPH07221035A (en) | Substrate treating device and its operation | |
| JP2002057105A (en) | Method and device for manufacturing semiconductor thin film, and matrix circuit-driving device | |
| JP3204188B2 (en) | Method for forming silicon thin film and apparatus for forming silicon thin film | |
| JP4959876B2 (en) | apparatus | |
| JP3797257B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus | |
| JPH09293872A (en) | Method for manufacturing thin film transistor | |
| JPH05315362A (en) | Semiconductor device manufacturing method and liquid crystal display device | |
| JPH06177033A (en) | Laser annealing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040406 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040407 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080416 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120416 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120416 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |