JP2000049071A - 電子ビーム露光装置及び方法、ならびにデバイス製造方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置及び方法、ならびにデバイス製造方法Info
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステージに対する電子ビームの位置変動の補
正によるスループットの低下を低減する。 【解決手段】 電子ビームに対する照射対象物の位置を
検出する電子光学系によってステージ上に設けた第１の
基準マークの位置を検出し、その際のステージの位置を
測長系で検出することにより電子ビームに対するステー
ジの位置関係を得るとともに、前記電子光学系により電
子光学計設けた第２基準マークの位置を予め検出し、得
られた前記電子ビームと前記ステージとの位置関係に基
づいてステージと偏向手段と測長系を協働させて電子ビ
ームで基板上に描画パターンを描画する。この際、再度
前記電子光学系により前記第２基準マークの位置を検出
し、検出された前記第２基準マークの位置と予め検出し
た前記第２基準マークの位置との差を求め、その差に基
づいて、前記偏向手段と前記ステージの少なくとも一方
によって、電子ビームとステージとの相対位置を補正す
る。
正によるスループットの低下を低減する。 【解決手段】 電子ビームに対する照射対象物の位置を
検出する電子光学系によってステージ上に設けた第１の
基準マークの位置を検出し、その際のステージの位置を
測長系で検出することにより電子ビームに対するステー
ジの位置関係を得るとともに、前記電子光学系により電
子光学計設けた第２基準マークの位置を予め検出し、得
られた前記電子ビームと前記ステージとの位置関係に基
づいてステージと偏向手段と測長系を協働させて電子ビ
ームで基板上に描画パターンを描画する。この際、再度
前記電子光学系により前記第２基準マークの位置を検出
し、検出された前記第２基準マークの位置と予め検出し
た前記第２基準マークの位置との差を求め、その差に基
づいて、前記偏向手段と前記ステージの少なくとも一方
によって、電子ビームとステージとの相対位置を補正す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子ビーム露光装置
に関し、特に被露光物体を載置したステージに対する電
子ビームの位置変動を高速かつ高精度に計測し補正する
ことが可能な電子ビーム露光装置、さらにはこれを用い
たデバイス製造方法に関する。
に関し、特に被露光物体を載置したステージに対する電
子ビームの位置変動を高速かつ高精度に計測し補正する
ことが可能な電子ビーム露光装置、さらにはこれを用い
たデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム露光装置では、被露光物体を
載置したステージに対する電子ビームの位置安定性がそ
の加工精度を決定する重要な要因である。電子ビームの
位置安定性が劣化する要因として、電子光学系内に付着
した炭素化合物などの汚染物質の帯電による電子ビーム
位置変動、そしてもう一つは、電子光学系、ステージ、
ステージの位置を検出する干渉計を支持する構造体の熱
的あるいは機械的変形に起因して生じる電子ビーム位置
変動がある。このような電子ビーム位置変動が生じた場
合、電子ビームが定める描画座標と、干渉計が定めるス
テージの位置座標との関係が描画前後若しくは描画中に
ずれが生じる為、描画パターンの繋ぎ精度や重ね合わせ
精度が低下する。
載置したステージに対する電子ビームの位置安定性がそ
の加工精度を決定する重要な要因である。電子ビームの
位置安定性が劣化する要因として、電子光学系内に付着
した炭素化合物などの汚染物質の帯電による電子ビーム
位置変動、そしてもう一つは、電子光学系、ステージ、
ステージの位置を検出する干渉計を支持する構造体の熱
的あるいは機械的変形に起因して生じる電子ビーム位置
変動がある。このような電子ビーム位置変動が生じた場
合、電子ビームが定める描画座標と、干渉計が定めるス
テージの位置座標との関係が描画前後若しくは描画中に
ずれが生じる為、描画パターンの繋ぎ精度や重ね合わせ
精度が低下する。
【０００３】従来、電子ビーム位置変動により描画座標
とステージ座標とのずれは次のようなの方法によって補
正されている。
とステージ座標とのずれは次のようなの方法によって補
正されている。
【０００４】ウエハ等の試料を載置して移動するステー
ジ上に基準マークが設けられている。そして、干渉計が
定めるステージ座標系に基づいて、設計上の電子ビーム
の標準照射位置に基準マークが位置するようにステージ
を移動し、電子ビームにより基準マークのマーク座標
（Ｘ０、Ｙ０）を求める。そして、描画中に描画動作を
一時停止し再び電子ビームの標準照射位置に基準マーク
が位置するようにステージを移動し、電子ビームにより
標準の位置検出を行い、その時点でのマーク座標（Ｘ
１、Ｙ１）を求める。ここで、前回のマーク座標（Ｘ
０、Ｙ０）と今回のマーク座標（Ｘ１、Ｙ１）との差
（ΔＸ１、ΔＹ１）をとることでステージに対する電子
ビーム位置変動を得る。そして、この差（ΔＸ１、ΔＹ
１）に基づいて、電子ビームの偏向位置、又はステージ
位置を補正することで、電子ビーム位置変動により描画
座標とステージ座標とのずれを補正する。以降、描画終
了まで、上記動作を繰り返して行う。
ジ上に基準マークが設けられている。そして、干渉計が
定めるステージ座標系に基づいて、設計上の電子ビーム
の標準照射位置に基準マークが位置するようにステージ
を移動し、電子ビームにより基準マークのマーク座標
（Ｘ０、Ｙ０）を求める。そして、描画中に描画動作を
一時停止し再び電子ビームの標準照射位置に基準マーク
が位置するようにステージを移動し、電子ビームにより
標準の位置検出を行い、その時点でのマーク座標（Ｘ
１、Ｙ１）を求める。ここで、前回のマーク座標（Ｘ
０、Ｙ０）と今回のマーク座標（Ｘ１、Ｙ１）との差
（ΔＸ１、ΔＹ１）をとることでステージに対する電子
ビーム位置変動を得る。そして、この差（ΔＸ１、ΔＹ
１）に基づいて、電子ビームの偏向位置、又はステージ
位置を補正することで、電子ビーム位置変動により描画
座標とステージ座標とのずれを補正する。以降、描画終
了まで、上記動作を繰り返して行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】要求される繋ぎ精度や
重ね合せ精度が厳しくなると、許容される電子ビーム位
置変動が小さくなり、電子ビーム位置変動を補正する頻
度が多くなる。その結果、電子ビーム露光装置のスルー
プットを低下させてしまうという解決すべき課題があ
る。
重ね合せ精度が厳しくなると、許容される電子ビーム位
置変動が小さくなり、電子ビーム位置変動を補正する頻
度が多くなる。その結果、電子ビーム露光装置のスルー
プットを低下させてしまうという解決すべき課題があ
る。
【０００６】本発明は上記課題を解決した優れた電子ビ
ーム露光装置、ならびにデバイス製造方法を提供するこ
とを目的とする。
ーム露光装置、ならびにデバイス製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の電子ビーム露光
装置のある形態は、前記基板を載置して移動するステー
ジと、前記ステージ上に固設された第１の基準マーク
と、前記電子ビームを偏向手段により前記基板上を走査
させ描画パターンを描画するとともに、前記ステージ上
の前記電子ビームの照射対象物に前記電子ビームを照射
し、前記照射対象物の電子を検出し、前記電子ビームに
対する照射対象物の位置を検出する電子光学系と、前記
電子光学系に固設され、前記電子ビームの偏向領域に位
置する第２の基準マークと、前記ステージの位置を検出
する測長系と、前記電子光学系で前記第１の基準マーク
の位置を検出し、その際の前記ステージの位置を前記測
長系で検出することにより前記電子ビームに対する前記
ステージの位置関係を得るとともに、前記電子光学系に
より前記第２基準マークの位置を予め検出し、得られた
前記電子ビームと前記ステージとの位置関係に基づいて
前記ステージと前記偏向手段と前記測長系を協働させて
前記電子ビームで前記基板上に描画パターンを描画する
際、再度前記電子光学系により前記第２基準マークの位
置を検出し、検出された前記第２基準マークの位置と予
め検出した前記第２基準マークの位置との差を求め、そ
の差に基づいて、前記偏向手段と前記ステージの少なく
とも一方によって、前記電子ビームと前記ステージとの
相対位置を補正させる制御手段とを有することを特徴と
する。
装置のある形態は、前記基板を載置して移動するステー
ジと、前記ステージ上に固設された第１の基準マーク
と、前記電子ビームを偏向手段により前記基板上を走査
させ描画パターンを描画するとともに、前記ステージ上
の前記電子ビームの照射対象物に前記電子ビームを照射
し、前記照射対象物の電子を検出し、前記電子ビームに
対する照射対象物の位置を検出する電子光学系と、前記
電子光学系に固設され、前記電子ビームの偏向領域に位
置する第２の基準マークと、前記ステージの位置を検出
する測長系と、前記電子光学系で前記第１の基準マーク
の位置を検出し、その際の前記ステージの位置を前記測
長系で検出することにより前記電子ビームに対する前記
ステージの位置関係を得るとともに、前記電子光学系に
より前記第２基準マークの位置を予め検出し、得られた
前記電子ビームと前記ステージとの位置関係に基づいて
前記ステージと前記偏向手段と前記測長系を協働させて
前記電子ビームで前記基板上に描画パターンを描画する
際、再度前記電子光学系により前記第２基準マークの位
置を検出し、検出された前記第２基準マークの位置と予
め検出した前記第２基準マークの位置との差を求め、そ
の差に基づいて、前記偏向手段と前記ステージの少なく
とも一方によって、前記電子ビームと前記ステージとの
相対位置を補正させる制御手段とを有することを特徴と
する。
【０００８】前記制御手段は、前記電子ビームで前記基
板上に描画パターンを描画している途中で、前記電子光
学系により前記第２基準マークの位置を検出し、検出さ
れた前記第２基準マークの位置と予め検出した前記第２
基準マークの位置との差を求め、その差に基づいて、前
記偏向手段と前記ステージの少なくとも一方によって、
前記電子ビームと前記基板との相対位置を補正させるこ
とを特徴とする。
板上に描画パターンを描画している途中で、前記電子光
学系により前記第２基準マークの位置を検出し、検出さ
れた前記第２基準マークの位置と予め検出した前記第２
基準マークの位置との差を求め、その差に基づいて、前
記偏向手段と前記ステージの少なくとも一方によって、
前記電子ビームと前記基板との相対位置を補正させるこ
とを特徴とする。
【０００９】前記測長計は、前記電子光学系に対する前
記ステージの相対位置を検出することを特徴とする。
記ステージの相対位置を検出することを特徴とする。
【００１０】前記測長系は、前記ステージに固設された
移動鏡と、前記位置検出系に固設された参照鏡と、前記
移動鏡及び前記参照鏡に対してレーザ光を照射して前記
移動鏡及び前記参照鏡から反射されるレーザ光を干渉さ
せその干渉光を検出する手段とを有することを特徴とす
る。
移動鏡と、前記位置検出系に固設された参照鏡と、前記
移動鏡及び前記参照鏡に対してレーザ光を照射して前記
移動鏡及び前記参照鏡から反射されるレーザ光を干渉さ
せその干渉光を検出する手段とを有することを特徴とす
る。
【００１１】本発明の電子ビーム露光方法のある形態
は、電子光学系からの電子ビームで、ステージに載置さ
れた基板上に描画パターンを描画する電子ビーム露光方
法において、前記電子ビームで前記ステージに固設され
た第１の基準マークの位置を検出し、その際の前記ステ
ージの位置を測長系で検出することにより前記電子ビー
ムに対する前記ステージの位置関係を得るとともに、前
記電子光学系に固設され前記電子ビームの偏向領域に位
置する第２基準マークの位置を前記電子ビームにより予
め検出する段階と、得られた前記電子ビームと前記ステ
ージとの位置関係に基づいて前記電子ビームで前記基板
上に描画パターンを描画する際、再度前記電子ビームに
より前記第２基準マークの位置を検出し、検出された前
記第２基準マークの位置と予め検出した前記第２基準マ
ークの位置との差を求め、その差に基づいて、前記電子
ビームと前記ステージとの相対位置を補正する段階とを
有することを特徴とする。
は、電子光学系からの電子ビームで、ステージに載置さ
れた基板上に描画パターンを描画する電子ビーム露光方
法において、前記電子ビームで前記ステージに固設され
た第１の基準マークの位置を検出し、その際の前記ステ
ージの位置を測長系で検出することにより前記電子ビー
ムに対する前記ステージの位置関係を得るとともに、前
記電子光学系に固設され前記電子ビームの偏向領域に位
置する第２基準マークの位置を前記電子ビームにより予
め検出する段階と、得られた前記電子ビームと前記ステ
ージとの位置関係に基づいて前記電子ビームで前記基板
上に描画パターンを描画する際、再度前記電子ビームに
より前記第２基準マークの位置を検出し、検出された前
記第２基準マークの位置と予め検出した前記第２基準マ
ークの位置との差を求め、その差に基づいて、前記電子
ビームと前記ステージとの相対位置を補正する段階とを
有することを特徴とする。
【００１２】前記電子ビームで前記基板上に描画パター
ンを描画している途中で、前記電子ビームにより前記第
２基準マークの位置を検出し、検出された前記第２基準
マークの位置と予め検出した前記第２基準マークの位置
との差を求め、その差に基づいて、前記電子ビームと前
記基板との相対位置を補正する段階を有することを特徴
とする。
ンを描画している途中で、前記電子ビームにより前記第
２基準マークの位置を検出し、検出された前記第２基準
マークの位置と予め検出した前記第２基準マークの位置
との差を求め、その差に基づいて、前記電子ビームと前
記基板との相対位置を補正する段階を有することを特徴
とする。
【００１３】前記測長計は、前記電子光学系に対する前
記ステージの相対位置を検出することを特徴とする。
記ステージの相対位置を検出することを特徴とする。
【００１４】前記測長系は、前記ステージに固設された
移動鏡と前記電子光学系に固設された参照鏡に対してレ
ーザ光を照射して前記移動鏡及び前記参照鏡から反射さ
れるレーザ光を干渉させその干渉光を検出することを特
徴とする。
移動鏡と前記電子光学系に固設された参照鏡に対してレ
ーザ光を照射して前記移動鏡及び前記参照鏡から反射さ
れるレーザ光を干渉させその干渉光を検出することを特
徴とする。
【００１５】本発明のデバイス製造方法は、前記電子ビ
ーム露光装置若しくは前記電子ビーム露光方法を用いて
デバイスを製造することを特徴とする。
ーム露光装置若しくは前記電子ビーム露光方法を用いて
デバイスを製造することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】電子ビーム露光装置の構成説明 図１に本発明の実施形態の電子ビーム露光装置を示す。
この装置は、大きく分けて、主構造体１、電子光学系
２、ウエハステージ４、Ｘ軸用ステージ位置測長系５Ｘ
を有し、電子光学系２、ウエハステージ４、Ｘ軸用ステ
ージ位置測長系５ＸおよびＹ軸用ステージ位置測長系５
Ｙ（図１においては不図示）のそれぞれが主構造体１に
よって保持されるように構成されている。
この装置は、大きく分けて、主構造体１、電子光学系
２、ウエハステージ４、Ｘ軸用ステージ位置測長系５Ｘ
を有し、電子光学系２、ウエハステージ４、Ｘ軸用ステ
ージ位置測長系５ＸおよびＹ軸用ステージ位置測長系５
Ｙ（図１においては不図示）のそれぞれが主構造体１に
よって保持されるように構成されている。
【００１７】電子光学系２は、電子ビームを放射する電
子銃２１、電子銃２１からの電子ビームＥＢを収束させ
る電子レンズ系２２、電子ビームＥＢを偏向させる偏向
器２３、電子ビームＥＢの照射対象物からの電子を検出
する電子検出系２４、電子光学系用基準マークＥＳＭが
形成された基準板２５,で構成される。そして各構成要
素は、電子光学系制御部７によって制御される。電子ビ
ームＥＢによりウエハ６を露光する際は、電子光学系制
御部は、電子ビームＥＢを偏向器２３により走査すると
ともに、描画するパターンに応じて電子ビームＥＢの照
射を制御する。電子ビームＥＢにより照射対象物の位置
を検出する際は、電子光学系制御部は、偏向器２３によ
り電子ビームＥＢを照射対象物上を走査させるととも
に、電子検出系２４によって照射対象物からの電子を検
出して照射対象物の位置を検出する。ここで、電子光学
系基準マークＥＳＭは、電子ビームのＥＢの偏向領域内
に位置し、その位置を電子ビームＥＢにより検出するこ
とができる。また、本実施例の電子ビーム露光装置の平
面図である図２にも示すように、電子光学系２の各部を
保持する電子光学系用構造体にＸ軸用参照鏡２６Ｘ、Ｙ
軸用参照鏡２６Ｙが固設されている。
子銃２１、電子銃２１からの電子ビームＥＢを収束させ
る電子レンズ系２２、電子ビームＥＢを偏向させる偏向
器２３、電子ビームＥＢの照射対象物からの電子を検出
する電子検出系２４、電子光学系用基準マークＥＳＭが
形成された基準板２５,で構成される。そして各構成要
素は、電子光学系制御部７によって制御される。電子ビ
ームＥＢによりウエハ６を露光する際は、電子光学系制
御部は、電子ビームＥＢを偏向器２３により走査すると
ともに、描画するパターンに応じて電子ビームＥＢの照
射を制御する。電子ビームＥＢにより照射対象物の位置
を検出する際は、電子光学系制御部は、偏向器２３によ
り電子ビームＥＢを照射対象物上を走査させるととも
に、電子検出系２４によって照射対象物からの電子を検
出して照射対象物の位置を検出する。ここで、電子光学
系基準マークＥＳＭは、電子ビームのＥＢの偏向領域内
に位置し、その位置を電子ビームＥＢにより検出するこ
とができる。また、本実施例の電子ビーム露光装置の平
面図である図２にも示すように、電子光学系２の各部を
保持する電子光学系用構造体にＸ軸用参照鏡２６Ｘ、Ｙ
軸用参照鏡２６Ｙが固設されている。
【００１８】ウエーハステージ４は、Ｙステージ４１に
Ｘステージ４２が載置された構成で、Ｘステージ４２上
に感光材が塗布されたウエハ６が保持されている。さら
にＸステージ４２上であってウエハ６とは異なる位置に
ステージ基準マークＳＳＭが形成された基準板４３,、
Ｘステージ４２上のＸ方向の一端にＸ軸用移動鏡４４Ｘ
及びＸステージ４２上のＹ方向の一端にＹ軸用移動鏡４
４Ｙ（不図示）が設けられている。Ｙステージ４１は電
子レンズ系２２の光軸ＡＸに垂直な平面内の図１の紙面
に垂直なＹ方向にウエハ６の位置決めを行い、Ｘステー
ジ４２は電子レンズ系２２の光軸ＡＸ１に垂直な平面内
でＹ軸に垂直なＸ方向にウエハ６の位置決めを行う。な
お、Ｘステージ４２上には、図示省略するも、電子光学
系２２の光軸ＡＸ１に平行なＺ方向にウエハを位置決め
を行うZステージ等も載置されている。そしてＹステー
ジ４１、Ｘステージ４２は、ウエハステージ制御部９に
よって制御される。
Ｘステージ４２が載置された構成で、Ｘステージ４２上
に感光材が塗布されたウエハ６が保持されている。さら
にＸステージ４２上であってウエハ６とは異なる位置に
ステージ基準マークＳＳＭが形成された基準板４３,、
Ｘステージ４２上のＸ方向の一端にＸ軸用移動鏡４４Ｘ
及びＸステージ４２上のＹ方向の一端にＹ軸用移動鏡４
４Ｙ（不図示）が設けられている。Ｙステージ４１は電
子レンズ系２２の光軸ＡＸに垂直な平面内の図１の紙面
に垂直なＹ方向にウエハ６の位置決めを行い、Ｘステー
ジ４２は電子レンズ系２２の光軸ＡＸ１に垂直な平面内
でＹ軸に垂直なＸ方向にウエハ６の位置決めを行う。な
お、Ｘステージ４２上には、図示省略するも、電子光学
系２２の光軸ＡＸ１に平行なＺ方向にウエハを位置決め
を行うZステージ等も載置されている。そしてＹステー
ジ４１、Ｘステージ４２は、ウエハステージ制御部９に
よって制御される。
【００１９】Ｘ軸用ステージ位置測長系５Ｘにおいて、
干渉計本体部５１Ｘから射出されたレーザビームがビー
ムスプリッター５２Ｘにより測長ビームＳＢ及び参照ビ
ームＲＢに分割される。測長ビームＳＢは、Ｘ軸用移動
鏡４４Ｘに向かって進み反射されて再びビームスプリッ
ター５２Ｘに戻り、参照ビームＲＢはＸ軸用反射プリズ
ム５３Ｘを介して、図２に示すように、Ｘ軸用参照鏡２
６Ｘに向かって進み反射されて再びＸ軸用反射プリズム
５３Ｘを介してビームスプリッター５２Ｘに戻る。ビー
ムスプリッタ５２Ｘに戻された両ビームＳＢ及びＲＢ
は、干渉計本体部５１Ｘに付属のレシーバに入射する。
ビームスプリッター５２からの射出段階で測長ビームＳ
Ｂと参照ビームＲＢとは互いに周波数が微小量Δｆだけ
異なり、レシーバからは、Ｘ軸用移動鏡４４ＸのＸ方向
の移動速度に応じて周波数がΔｆから変化している信号
が出力される。このビート信号をウエハステージ位置検
出部１０が処理することにより、参照ビームＲＢの光路
長を基準とした測長ビームＲＢの光路長の変化量、言い
換えれば、Ｘ軸用ステージ位置測長系５Ｘによって、ウ
エハステージに固設されたＸ軸用移動鏡４４のＸ方向の
座標が、電子光学系２に固設されたＸ軸用参照鏡２６Ｘ
を基準にして、高い分解能でかつ高精度に計測される。
同様に、図２に示すＹ軸用ステージ位置測長系５Ｙによ
って、ウエハステージに固設されたＹ軸用移動鏡４４の
Ｙ方向の座標が、電子光学系２に固設されたＹ軸用参照
鏡２６Ｙを基準にして、高い分解能でかつ高精度に計測
される。
干渉計本体部５１Ｘから射出されたレーザビームがビー
ムスプリッター５２Ｘにより測長ビームＳＢ及び参照ビ
ームＲＢに分割される。測長ビームＳＢは、Ｘ軸用移動
鏡４４Ｘに向かって進み反射されて再びビームスプリッ
ター５２Ｘに戻り、参照ビームＲＢはＸ軸用反射プリズ
ム５３Ｘを介して、図２に示すように、Ｘ軸用参照鏡２
６Ｘに向かって進み反射されて再びＸ軸用反射プリズム
５３Ｘを介してビームスプリッター５２Ｘに戻る。ビー
ムスプリッタ５２Ｘに戻された両ビームＳＢ及びＲＢ
は、干渉計本体部５１Ｘに付属のレシーバに入射する。
ビームスプリッター５２からの射出段階で測長ビームＳ
Ｂと参照ビームＲＢとは互いに周波数が微小量Δｆだけ
異なり、レシーバからは、Ｘ軸用移動鏡４４ＸのＸ方向
の移動速度に応じて周波数がΔｆから変化している信号
が出力される。このビート信号をウエハステージ位置検
出部１０が処理することにより、参照ビームＲＢの光路
長を基準とした測長ビームＲＢの光路長の変化量、言い
換えれば、Ｘ軸用ステージ位置測長系５Ｘによって、ウ
エハステージに固設されたＸ軸用移動鏡４４のＸ方向の
座標が、電子光学系２に固設されたＸ軸用参照鏡２６Ｘ
を基準にして、高い分解能でかつ高精度に計測される。
同様に、図２に示すＹ軸用ステージ位置測長系５Ｙによ
って、ウエハステージに固設されたＹ軸用移動鏡４４の
Ｙ方向の座標が、電子光学系２に固設されたＹ軸用参照
鏡２６Ｙを基準にして、高い分解能でかつ高精度に計測
される。
【００２０】主制御系１１は、上記電子光学系制御部
７、ウエハステージ位置検出部８、ウエハステージ制御
部９からのデータを処理、各制御部への司令等を行う制
御系である。
７、ウエハステージ位置検出部８、ウエハステージ制御
部９からのデータを処理、各制御部への司令等を行う制
御系である。
【００２１】露光動作の説明 図３を用いて本実施例の電子ビーム露光装置の露光動作
について説明する。
について説明する。
【００２２】説明の前に、座標系について説明する。本
露光装置では、ウエハステージ制御部９が定めるステー
ジ座標系と、電子光学系制御部７が定める描画座標系と
がある。ステージ座標系ＸＹのＸ軸、Ｙ軸は、Ｘステー
ジ４２の移動方向（又はＸ軸用ステージ位置測長系５Ｘ
及びＹ軸用ステージ位置測長系５Ｙによる座標測定方
向）を表わし、描画座標系ｘｙのｘ軸、ｙ軸は、電子ビ
ームの偏向方向を表わす。ここでは、設計上、双方の座
標系は電子ビームの基準位置（光軸ＡＸ１）を原点とし
て、一致するように定めてある。
露光装置では、ウエハステージ制御部９が定めるステー
ジ座標系と、電子光学系制御部７が定める描画座標系と
がある。ステージ座標系ＸＹのＸ軸、Ｙ軸は、Ｘステー
ジ４２の移動方向（又はＸ軸用ステージ位置測長系５Ｘ
及びＹ軸用ステージ位置測長系５Ｙによる座標測定方
向）を表わし、描画座標系ｘｙのｘ軸、ｙ軸は、電子ビ
ームの偏向方向を表わす。ここでは、設計上、双方の座
標系は電子ビームの基準位置（光軸ＡＸ１）を原点とし
て、一致するように定めてある。
【００２３】露光の開始により、主制御系１１は以下の
ステップを実行する。（図３参照）
ステップを実行する。（図３参照）
【００２４】（ステップＳ１０１）ウエハステージ制御
部に命じ、ステージ基準マークＳＳＭを電子光学系２の
光軸ＡＸ１上に位置するようにＸステージ４２を移動さ
せる（ Ｘステージ４２の移動とは、ウエハステージ制
御部１０とウエハステージ位置検出部８とを協働させて
Ｘステージ４２を移動させることを意味し、以下同様で
ある）。
部に命じ、ステージ基準マークＳＳＭを電子光学系２の
光軸ＡＸ１上に位置するようにＸステージ４２を移動さ
せる（ Ｘステージ４２の移動とは、ウエハステージ制
御部１０とウエハステージ位置検出部８とを協働させて
Ｘステージ４２を移動させることを意味し、以下同様で
ある）。
【００２５】（ステップＳ１０２）電子光学系制御部７
に命じ、電子光学系２からの電子ビームによりステージ
基準マークＳＳＭを走査し、電子検出系２４によってス
テージ基準マークＳＳＭからの電子を検出してステージ
基準マークＳＳＭの位置を検出する。それにより電子ビ
ーム基準位置に対するステージ基準マークＳＳＭの位置
ずれを検出する。また、電子光学系２からの電子ビーム
により電子光学系基準マークＥＳＭを走査し、電子検出
系２４によって電子光学系基準マークＥＳＭからの電子
を検出して電子光学系基準マークＥＳＭの位置を検出す
る。それにより電子ビーム基準位置に対する電子光学系
基準マークＥＳＭの座標（ｘ０、ｙ０）を検出する。
に命じ、電子光学系２からの電子ビームによりステージ
基準マークＳＳＭを走査し、電子検出系２４によってス
テージ基準マークＳＳＭからの電子を検出してステージ
基準マークＳＳＭの位置を検出する。それにより電子ビ
ーム基準位置に対するステージ基準マークＳＳＭの位置
ずれを検出する。また、電子光学系２からの電子ビーム
により電子光学系基準マークＥＳＭを走査し、電子検出
系２４によって電子光学系基準マークＥＳＭからの電子
を検出して電子光学系基準マークＥＳＭの位置を検出す
る。それにより電子ビーム基準位置に対する電子光学系
基準マークＥＳＭの座標（ｘ０、ｙ０）を検出する。
【００２６】（ステップＳ１０３）検出された電子ビー
ム基準位置に対するステージ基準マークＳＳＭの位置ず
れに基づいて、ステージ座標系ＸＹの原点が電子ビーム
基準位置と一致するようにウエハステージ位置検出部１
０が定めるステージ座標系若しくは電子光学系制御部７
が定める描画座標系を再設定する。これにより電子ビー
ムＥＢとＸステージ４２との位置関係が確定する。
ム基準位置に対するステージ基準マークＳＳＭの位置ず
れに基づいて、ステージ座標系ＸＹの原点が電子ビーム
基準位置と一致するようにウエハステージ位置検出部１
０が定めるステージ座標系若しくは電子光学系制御部７
が定める描画座標系を再設定する。これにより電子ビー
ムＥＢとＸステージ４２との位置関係が確定する。
【００２７】（ステップＳ１０４）ウエハをウエハステ
ージ４に載置する。
ージ４に載置する。
【００２８】（ステップＳ１０５）電子ビームＥＢとＸ
ステージ４２との位置関係に基づいて、電子ビームＥＢ
を偏向するとともにＸステージ移動させながら、ウエハ
６上にパターンを描画する。
ステージ４２との位置関係に基づいて、電子ビームＥＢ
を偏向するとともにＸステージ移動させながら、ウエハ
６上にパターンを描画する。
【００２９】（ステップＳ１０６）ステップＳ１０５の
描画時間が所定の時間を過ぎると、描画を停止する。
描画時間が所定の時間を過ぎると、描画を停止する。
【００３０】（ステップＳ１０７）ウエハ６の全ての描
画領域が描画されている場合は、ウエハの露光を終了す
る。そしてウエハステージ４からウエハ６を取り出す。
そしてステップＳ１０４に戻る。ウエハ６の全ての描画
領域が描画されていない場合は、ステップＳ１０８に進
む。
画領域が描画されている場合は、ウエハの露光を終了す
る。そしてウエハステージ４からウエハ６を取り出す。
そしてステップＳ１０４に戻る。ウエハ６の全ての描画
領域が描画されていない場合は、ステップＳ１０８に進
む。
【００３１】（ステップＳ１０８）電子光学系２からの
電子ビームＥＢにより電子光学系基準マークＥＳＭを走
査し、電子検出系２４によって電子光学系基準マークＥ
ＳＭからの電子を検出して、その時点での電子光学系基
準マークＥＳＭの座標（ｘ１、ｙ１）を求める。
電子ビームＥＢにより電子光学系基準マークＥＳＭを走
査し、電子検出系２４によって電子光学系基準マークＥ
ＳＭからの電子を検出して、その時点での電子光学系基
準マークＥＳＭの座標（ｘ１、ｙ１）を求める。
【００３２】（ステップＳ１０９）前回の電子光学系基
準マークＥＳＭの座標（ｘ０、ｙ０）と今回の座標（ｘ
１、ｙ１）との差（Δｘ１、Δｙ１）を描画中の電子ビ
ーム位置変動値（ドリフト値）とみなし、位置ずれ（Δ
ｘ１、Δｙ１）に基づいて、電子ビームの偏向位置、又
はウエハステージ位置を補正する。そしてステップＳ１
０５に戻る。
準マークＥＳＭの座標（ｘ０、ｙ０）と今回の座標（ｘ
１、ｙ１）との差（Δｘ１、Δｙ１）を描画中の電子ビ
ーム位置変動値（ドリフト値）とみなし、位置ずれ（Δ
ｘ１、Δｙ１）に基づいて、電子ビームの偏向位置、又
はウエハステージ位置を補正する。そしてステップＳ１
０５に戻る。
【００３３】ここで、上記説明した本実施例の特徴につ
いて説明する。
いて説明する。
【００３４】従来の電子ビーム露光装置においては、下
記２つの変動が加算されて、ステージに対する電子ビー
ムの位置変動として現れる。
記２つの変動が加算されて、ステージに対する電子ビー
ムの位置変動として現れる。
【００３５】（１）電子光学系内に付着した炭素化合物
などの汚染物質の帯電に起因して、電子光学系２に対し
電子ビームの位置が変動する。
などの汚染物質の帯電に起因して、電子光学系２に対し
電子ビームの位置が変動する。
【００３６】（２）主構造体１等の熱的あるいは機械的
変形に起因して、ウエハステージ４の駆動原点に対し電
子光学系２が変動する。
変形に起因して、ウエハステージ４の駆動原点に対し電
子光学系２が変動する。
【００３７】そして、（１）の時間的変動に比べ（２）
の時間的変動の方が小さい。そこで、本実施例では、
（１）の変動に対しては、短い時間間隔でステージの移
動を必要としない電子光学系基準マークＥＳＭを用いた
補正をで行い、（２）の変動に対しては、長い時間間隔
でステージの移動を必要するステージ基準マークＳＳＭ
を用いた補正をで行っている。すなわち、頻度の多い補
正には短時間で行うことにより、補正によるスループッ
トの低下を低減できる。さらに、Ｘ軸用参照鏡２６Ｘ及
びＹ軸用参照鏡２６Ｙは電子光学系２に固設させること
により、ウエハステージ４の位置が電子光学系２を基準
にして測定していることになるので、（２）の変動を常
に補正できる。
の時間的変動の方が小さい。そこで、本実施例では、
（１）の変動に対しては、短い時間間隔でステージの移
動を必要としない電子光学系基準マークＥＳＭを用いた
補正をで行い、（２）の変動に対しては、長い時間間隔
でステージの移動を必要するステージ基準マークＳＳＭ
を用いた補正をで行っている。すなわち、頻度の多い補
正には短時間で行うことにより、補正によるスループッ
トの低下を低減できる。さらに、Ｘ軸用参照鏡２６Ｘ及
びＹ軸用参照鏡２６Ｙは電子光学系２に固設させること
により、ウエハステージ４の位置が電子光学系２を基準
にして測定していることになるので、（２）の変動を常
に補正できる。
【００３８】デバイス製造方法 上記説明した電子ビーム露光装置を利用したデバイス製
造方法の実施例を説明する。
造方法の実施例を説明する。
【００３９】図４は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（露光制御データ作成）では設計した回路パ
ターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプ
ロセス）は前工程と呼ばれ、露光制御データが入力され
た露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（露光制御データ作成）では設計した回路パ
ターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプ
ロセス）は前工程と呼ばれ、露光制御データが入力され
た露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
【００４０】図５は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回
路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステッ
プを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回
路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回
路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステッ
プを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回
路パターンが形成される。
【００４１】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、ステージに対する電子
ビームの位置変動を２つの変動要因に分離し、各変動要
因に適した補正を行うことによって、電子ビーム露光装
置の補正によるスループットの低下を低減を実現するこ
とができる。又、これを用いてデバイスを製造すれば従
来以上に高精度なデバイスの製造が可能となる。
ビームの位置変動を２つの変動要因に分離し、各変動要
因に適した補正を行うことによって、電子ビーム露光装
置の補正によるスループットの低下を低減を実現するこ
とができる。又、これを用いてデバイスを製造すれば従
来以上に高精度なデバイスの製造が可能となる。
【図１】本発明に係る電子ビーム露光装置を示す図。
【図２】本発明に係る電子ビーム露光装置の平面図を示
す図。
す図。
【図３】露光フローを説明する図。
【図４】微小デバイスの製造フローを説明する図。
【図５】ウエハプロセスを説明する図。
１ 主構造体 ２ 電子光学系 ４ ウエハステージ ５Ｘ Ｘ軸用ステージ位置測長系 ５Ｙ Ｙ軸用ステージ位置測長系 ６ ウエハ ７ 電子光学系制御部 ９ ウエハステージ制御部 １０ ウエハステージ位置検出部 １１ 主制御系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｋ
Claims (9)
- 【請求項１】 電子ビームで基板上に描画パターンを描
画する電子ビーム露光装置において、 前記基板を載置して移動するステージと、 前記ステージ上に固設された第１の基準マークと、 前記電子ビームを偏向手段により前記基板上を走査させ
描画パターンを描画するとともに、前記ステージ上の前
記電子ビームの照射対象物に前記電子ビームを照射し、
前記照射対象物の電子を検出し、前記電子ビームに対す
る照射対象物の位置を検出する電子光学系と、 前記電子光学系に固設され、前記電子ビームの偏向領域
に位置する第２の基準マークと、 前記ステージの位置を検出する測長系と、 前記電子光学系で前記第１の基準マークの位置を検出
し、その際の前記ステージの位置を前記測長系で検出す
ることにより前記電子ビームに対する前記ステージの位
置関係を得るとともに、前記電子光学系により前記第２
基準マークの位置を予め検出し、得られた前記電子ビー
ムと前記ステージとの位置関係に基づいて前記ステージ
と前記偏向手段と前記測長系を協働させて前記電子ビー
ムで前記基板上に描画パターンを描画する際、再度前記
電子光学系により前記第２基準マークの位置を検出し、
検出された前記第２基準マークの位置と予め検出した前
記第２基準マークの位置との差を求め、その差に基づい
て、前記偏向手段と前記ステージの少なくとも一方によ
って、前記電子ビームと前記ステージとの相対位置を補
正させる制御手段とを有することを特徴とする電子ビー
ム露光装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、前記電子ビームで前記
基板上に描画パターンを描画している途中で、前記電子
光学系により前記第２基準マークの位置を検出し、検出
された前記第２基準マークの位置と予め検出した前記第
２基準マークの位置との差を求め、その差に基づいて、
前記偏向手段と前記ステージの少なくとも一方によっ
て、前記電子ビームと前記基板との相対位置を補正させ
ることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム露光装
置。 - 【請求項３】 前記測長計は、前記電子光学系に対する
前記ステージの相対位置を検出することを特徴とする請
求項１又は２記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項４】 前記測長系は、前記ステージに固設され
た移動鏡と、前記電子光学系に固設された参照鏡と、前
記移動鏡及び前記参照鏡に対してレーザ光を照射して前
記移動鏡及び前記参照鏡から反射されるレーザ光を干渉
させその干渉光を検出する手段とを有することを特徴と
する請求項３記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項５】 電子光学系からの電子ビームで、ステー
ジに載置された基板上に描画パターンを描画する電子ビ
ーム露光方法において、 前記電子ビームで前記ステージに固設された第１の基準
マークの位置を検出し、その際の前記ステージの位置を
測長系で検出することにより前記電子ビームに対する前
記ステージの位置関係を得るとともに、前記電子光学系
に固設され前記電子ビームの偏向領域に位置する第２基
準マークの位置を前記電子ビームにより予め検出する段
階と、 得られた前記電子ビームと前記ステージとの位置関係に
基づいて前記電子ビームで前記基板上に描画パターンを
描画する際、再度前記電子ビームにより前記第２基準マ
ークの位置を検出し、検出された前記第２基準マークの
位置と予め検出した前記第２基準マークの位置との差を
求め、その差に基づいて、前記電子ビームと前記ステー
ジとの相対位置を補正する段階とを有することを特徴と
する電子ビーム露光方法。 - 【請求項６】 前記電子ビームで前記基板上に描画パタ
ーンを描画している途中で、前記電子ビームにより前記
第２基準マークの位置を検出し、検出された前記第２基
準マークの位置と予め検出した前記第２基準マークの位
置との差を求め、その差に基づいて、前記電子ビームと
前記基板との相対位置を補正する段階を有することを特
徴とする請求項５記載の電子ビーム露光方法。 - 【請求項７】 前記測長計は、前記電子光学系に対する
前記ステージの相対位置を検出することを特徴とする請
求項５又は６記載の電子ビーム露光方法。 - 【請求項８】 前記測長系は、前記ステージに固設され
た移動鏡と前記電子光学系に固設された参照鏡に対して
レーザ光を照射して前記移動鏡及び前記参照鏡から反射
されるレーザ光を干渉させその干渉光を検出することを
特徴とする請求項７記載の電子ビーム露光方法。 - 【請求項９】 請求項５乃至８のいずれか記載の電子ビ
ーム露光方法を含む製造工程によってデバイスを製造す
ることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10212756A JP2000049071A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 電子ビーム露光装置及び方法、ならびにデバイス製造方法 |
| US09/359,909 US6392243B1 (en) | 1998-07-28 | 1999-07-26 | Electron beam exposure apparatus and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10212756A JP2000049071A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 電子ビーム露光装置及び方法、ならびにデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049071A true JP2000049071A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16627899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10212756A Pending JP2000049071A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 電子ビーム露光装置及び方法、ならびにデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6392243B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000049071A (ja) |
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| JP2001297981A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-10-26 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | 基板表面の目標位置に電子線を配向する方法 |
| JP2014033075A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及びパターン検査装置 |
| JP2018061048A (ja) * | 2012-03-08 | 2018-04-12 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | アライメントセンサーとビーム測定センサーを備えている荷電粒子リソグラフィシステム |
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| JP4647820B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法 |
| JP4756776B2 (ja) | 2001-05-25 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法およびデバイス製造方法 |
| JP2003177830A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電流源回路 |
| JP2004055767A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Canon Inc | 電子ビーム露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP3862639B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US6953938B2 (en) | 2002-10-03 | 2005-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Deflector, method of manufacturing deflector, and charged particle beam exposure apparatus |
| JP4421836B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2010-02-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4738723B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2011-08-03 | キヤノン株式会社 | マルチ荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の電流の測定方法及びデバイス製造方法 |
| JP4657740B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2011-03-23 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP2007329267A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Toshiba Corp | 荷電粒子線描画装置及び荷電粒子線描画方法 |
| GB2443016B (en) * | 2006-10-16 | 2009-08-26 | Vistec Lithography Ltd | Electron beam influencing in an electron beam lithography machine |
| WO2012144904A2 (en) | 2011-04-22 | 2012-10-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark |
| US9201315B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-12-01 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing a target, such as a wafer, a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer and a substrate for use in such a lithography system |
| WO2012158025A2 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing at least a part of a target |
| JP2016001708A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-07 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
| JP2016015470A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-28 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH09320931A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Nikon Corp | 結像特性計測方法及び該方法を使用する転写装置 |
| JP3796317B2 (ja) | 1996-06-12 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
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