JP2000048161A - Ｉｃカード用ウエハおよびその製造方法 - Google Patents
Ｉｃカード用ウエハおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 肉厚が５０〜１５０μｍと薄い、ＩＣカード
に用いられるウエハの提供。 【解決手段】 鏡面仕上げ面に実装された回路の表面に
粘着テープを貼着して回路表面を保護し、裏面研削、洗
浄が行われたウエハを、該ウエハの粘着テープ側を回転
可能な軸に軸承された台上にチャックし、ついで、軸を
回転させることにより台上のウエハを水平方向に回転さ
せつつ、裏面研削面上に常温硬化性ポリシリコーンワニ
スを滴下させ、スピンコートし、乾燥させて裏面研削面
に肉厚０．１〜１０μｍのポリシリコーン皮膜を形成す
ることを特徴とする、ＩＣカード用ウエハの製造方法。
に用いられるウエハの提供。 【解決手段】 鏡面仕上げ面に実装された回路の表面に
粘着テープを貼着して回路表面を保護し、裏面研削、洗
浄が行われたウエハを、該ウエハの粘着テープ側を回転
可能な軸に軸承された台上にチャックし、ついで、軸を
回転させることにより台上のウエハを水平方向に回転さ
せつつ、裏面研削面上に常温硬化性ポリシリコーンワニ
スを滴下させ、スピンコートし、乾燥させて裏面研削面
に肉厚０．１〜１０μｍのポリシリコーン皮膜を形成す
ることを特徴とする、ＩＣカード用ウエハの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベアウエハ、デバ
イスウエハ、ＳＯＩウエハ、磁気ヘッドウエハ、磁気デ
ィスクウエハ等のウエハの研削面のスクラッチ（傷）の
補強方法に関する。特に、露光装置によって複雑な回路
がミクロン単位で鏡面仕上げされたウエハの裏面研削面
を樹脂で補強した薄肉のＩＣカード用ウエハおよびその
製造方法に関する。
イスウエハ、ＳＯＩウエハ、磁気ヘッドウエハ、磁気デ
ィスクウエハ等のウエハの研削面のスクラッチ（傷）の
補強方法に関する。特に、露光装置によって複雑な回路
がミクロン単位で鏡面仕上げされたウエハの裏面研削面
を樹脂で補強した薄肉のＩＣカード用ウエハおよびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣカードは、記録の書き込み、消去、
書き直しが可能であり、記録容量が大きく、記録帳も兼
ねるので、現行する磁気カードである銀行バンクカー
ド、鉄道運行記録カード、百貨店カード、ショッピング
カード、テレホンカードに代っての利用が検討されてい
る（特許第２５１０５２０号、同２５１０６６９号）。
このようなＩＣカードは、ＩＣチップが搭載されたＩＣ
モジュールと、このＩＣモジュール装着用の凹部が形成
されたカード基材とから構成されている。
書き直しが可能であり、記録容量が大きく、記録帳も兼
ねるので、現行する磁気カードである銀行バンクカー
ド、鉄道運行記録カード、百貨店カード、ショッピング
カード、テレホンカードに代っての利用が検討されてい
る（特許第２５１０５２０号、同２５１０６６９号）。
このようなＩＣカードは、ＩＣチップが搭載されたＩＣ
モジュールと、このＩＣモジュール装着用の凹部が形成
されたカード基材とから構成されている。
【０００３】例えば、図４に示すように、ＩＣカード２
０は、ＩＣモジュール２１とカード基材２２を備える。
図中、２３は基板、２４は外部端子、２５はスルーホー
ル、２５ａは導電メッキ、２６はパタン層、２７は保護
レジスト層、２８はＩＣチップ、２９はボンディング
材、３０は樹脂モールド部、３１はカード基材、３２は
接着剤、３３は凹部、３３ａは第１凹部、３３ｂは第２
凹部、３４は接着剤収納溝である。ＩＣカードは、一部
にはマイコン電子カードとして実用化されているもの
の、磁気カードのように汎用化されるには程遠い。
０は、ＩＣモジュール２１とカード基材２２を備える。
図中、２３は基板、２４は外部端子、２５はスルーホー
ル、２５ａは導電メッキ、２６はパタン層、２７は保護
レジスト層、２８はＩＣチップ、２９はボンディング
材、３０は樹脂モールド部、３１はカード基材、３２は
接着剤、３３は凹部、３３ａは第１凹部、３３ｂは第２
凹部、３４は接着剤収納溝である。ＩＣカードは、一部
にはマイコン電子カードとして実用化されているもの
の、磁気カードのように汎用化されるには程遠い。
【０００４】その理由としては、次の２点が大きな要因
と考えられる。 ＩＣチップの値段が高く、ＩＣカードの製造コストが
高い。 ＩＣチップの肉厚が少くとも４２０μｍあり、ＩＣカ
ードの肉厚が約５００μｍ前後となり、プリペードカー
ド、バンク磁気カードの肉厚１８０〜３５０μｍと比較
して肉厚が厚く、名刺入れ、さいふに入れて持ち運ぶに
は嵩ばる。 上記に対しては、１９９６〜１９９７年には６４Ｍｂ
ｉｔのＩＣチップの値段が１個１００００〜１２０００
円していたのが１９９８年には１個６００円前後に低下
したことから１６Ｍｂｉｔ、６４ＭｂｉｔのＩＣチップ
の使用で解消される見通しとなった。に対しては、Ｉ
Ｃチップをカード内に封入する技術として樹脂フィルム
のラミネート技術、ＩＣチップの樹脂封入技術が発展し
て樹脂の肉厚を減ずることには成功しているが、ＩＣチ
ップの薄肉化には成功していない。
と考えられる。 ＩＣチップの値段が高く、ＩＣカードの製造コストが
高い。 ＩＣチップの肉厚が少くとも４２０μｍあり、ＩＣカ
ードの肉厚が約５００μｍ前後となり、プリペードカー
ド、バンク磁気カードの肉厚１８０〜３５０μｍと比較
して肉厚が厚く、名刺入れ、さいふに入れて持ち運ぶに
は嵩ばる。 上記に対しては、１９９６〜１９９７年には６４Ｍｂ
ｉｔのＩＣチップの値段が１個１００００〜１２０００
円していたのが１９９８年には１個６００円前後に低下
したことから１６Ｍｂｉｔ、６４ＭｂｉｔのＩＣチップ
の使用で解消される見通しとなった。に対しては、Ｉ
Ｃチップをカード内に封入する技術として樹脂フィルム
のラミネート技術、ＩＣチップの樹脂封入技術が発展し
て樹脂の肉厚を減ずることには成功しているが、ＩＣチ
ップの薄肉化には成功していない。
【０００５】すなわち、ＩＣカードを名刺入れ、さいふ
に入れ、これを衣服に入れて座ったとき、或いは運動し
て転んだとき、ＩＣカードに外応力が働らき、封入され
たＩＣチップが破損して誤作動が生じたり、作動しなく
なることが指摘されている。従って、現行の技術では、
この応力に耐えうるためのＩＣチップの肉厚は最低４２
０μｍである。ＩＣチップを構成する中で脆い素材は、
ＩＣチップの肉厚のかなりを占めるシリコンウエハであ
る。このＩＣカード用シリコンウエハを得る工程は、一
般に単結晶引き上げ装置により引き上げられた単結晶イ
ンゴットをスライスして薄板円盤状のウエハを得るスラ
イス工程と、スライスしたウエハの欠けや割れを防止す
るためにウエーハの外周エッジ部を面取りする面取り工
程と、面取りしたウエーハの表面を平坦化するラッピク
ング工程と、面取り及びラッピングにより残留する加工
変質層を除去する湿式エッチング工程と、エッチングし
たウエハの片面を鏡面研磨する片面鏡面工程と、研磨し
たウエハに残留する研磨剤や異物を除去し洗浄度を向上
させる洗浄工程と、鏡面研磨された仕上げ面に露光装置
によって複雑な回路をミクロン単位で転写する工程、回
路面に粘着テープを貼着し、回路を保護する工程、チャ
ックテーブル上に粘着テープ側がテーブル（台）に接す
るように載置し、台上で上方を向いているウエハの裏面
を研削し、ウエハの肉厚を５０〜１５０μｍ程度の厚み
までバック研削する工程、バック研削されたウエハの面
に生じた深さ０．５〜１．５μｍのスクラッチ（図３参
照）を取り除くために化学エッチングする工程、エッチ
ングされたウエハをダイシング装置に装置し、粘着テー
プを分離した後、ウエハをダイシングしてチップ化する
ダイシング工程よりなる（特開平６−２２４０９５号、
特開平１０−５０６４２号公報参照。）
に入れ、これを衣服に入れて座ったとき、或いは運動し
て転んだとき、ＩＣカードに外応力が働らき、封入され
たＩＣチップが破損して誤作動が生じたり、作動しなく
なることが指摘されている。従って、現行の技術では、
この応力に耐えうるためのＩＣチップの肉厚は最低４２
０μｍである。ＩＣチップを構成する中で脆い素材は、
ＩＣチップの肉厚のかなりを占めるシリコンウエハであ
る。このＩＣカード用シリコンウエハを得る工程は、一
般に単結晶引き上げ装置により引き上げられた単結晶イ
ンゴットをスライスして薄板円盤状のウエハを得るスラ
イス工程と、スライスしたウエハの欠けや割れを防止す
るためにウエーハの外周エッジ部を面取りする面取り工
程と、面取りしたウエーハの表面を平坦化するラッピク
ング工程と、面取り及びラッピングにより残留する加工
変質層を除去する湿式エッチング工程と、エッチングし
たウエハの片面を鏡面研磨する片面鏡面工程と、研磨し
たウエハに残留する研磨剤や異物を除去し洗浄度を向上
させる洗浄工程と、鏡面研磨された仕上げ面に露光装置
によって複雑な回路をミクロン単位で転写する工程、回
路面に粘着テープを貼着し、回路を保護する工程、チャ
ックテーブル上に粘着テープ側がテーブル（台）に接す
るように載置し、台上で上方を向いているウエハの裏面
を研削し、ウエハの肉厚を５０〜１５０μｍ程度の厚み
までバック研削する工程、バック研削されたウエハの面
に生じた深さ０．５〜１．５μｍのスクラッチ（図３参
照）を取り除くために化学エッチングする工程、エッチ
ングされたウエハをダイシング装置に装置し、粘着テー
プを分離した後、ウエハをダイシングしてチップ化する
ダイシング工程よりなる（特開平６−２２４０９５号、
特開平１０−５０６４２号公報参照。）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】裏面研削されたウエハ
の強度は、図２に示す三点曲げ試験機を用い縦１５ｍ
ｍ、横１５ｍｍの正方形状のウエハ試料片を中央に直径
７ｍｍの中空筒が設けられ、直径が２５０ｍｍ〜３００
ｍｍの中ぐり円筒体よりなる治具上に試料片の中心点が
治具の中心点に略一致するように載せ、試料片の上方よ
り試料片の中心点に直径５ｍｍの円柱状錘を当接させ、
１ｍｍ／分の速度で下降させた際、試料片が破損したと
きの錘にかかった荷重を三点曲げ破断強度としたとき、
その強度は裏面研削時のスクラッチの発生により、高々
２０ニュートン（Ｎ）の三点曲げ破損強度である。前記
化学エッチング工程は、硝酸、弗酸によりこのスクラッ
チを消滅させるために行われるものであるが、エッチン
グ方法では傷は消滅してもウエハの凹凸面は肉厚が減じ
ても、ほぼ同様な凹凸が複写されるのでウエハの三点曲
げ強度の向上には結びつかない。本発明は、ウエハの裏
面研削面のスクラッチ（傷）が残存していても、いなく
てもプリペードカード、バンクカード並みの肉厚１５０
〜３００μｍのＩＣカードの実現化ができる強度の高い
薄肉ウエハの提供を目的とする。
の強度は、図２に示す三点曲げ試験機を用い縦１５ｍ
ｍ、横１５ｍｍの正方形状のウエハ試料片を中央に直径
７ｍｍの中空筒が設けられ、直径が２５０ｍｍ〜３００
ｍｍの中ぐり円筒体よりなる治具上に試料片の中心点が
治具の中心点に略一致するように載せ、試料片の上方よ
り試料片の中心点に直径５ｍｍの円柱状錘を当接させ、
１ｍｍ／分の速度で下降させた際、試料片が破損したと
きの錘にかかった荷重を三点曲げ破断強度としたとき、
その強度は裏面研削時のスクラッチの発生により、高々
２０ニュートン（Ｎ）の三点曲げ破損強度である。前記
化学エッチング工程は、硝酸、弗酸によりこのスクラッ
チを消滅させるために行われるものであるが、エッチン
グ方法では傷は消滅してもウエハの凹凸面は肉厚が減じ
ても、ほぼ同様な凹凸が複写されるのでウエハの三点曲
げ強度の向上には結びつかない。本発明は、ウエハの裏
面研削面のスクラッチ（傷）が残存していても、いなく
てもプリペードカード、バンクカード並みの肉厚１５０
〜３００μｍのＩＣカードの実現化ができる強度の高い
薄肉ウエハの提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の１は、ウエハの
鏡面仕上げ面には回路が実装され、ウエハの裏面研削面
には常温硬化性ポリシリコーンワニスの肉厚０．１〜１
０μｍの皮膜が形成されてなる、肉厚が５０〜１５０μ
ｍのＩＣカード用ウエハを提供するものである。本発明
の２は、鏡面仕上げ面に実装された回路の表面に粘着テ
ープを貼着して回路表面を保護し、裏面研削、洗浄が行
われたウエハを、該ウエハの粘着テープ側を回転可能な
軸に軸承された台上にチャックし、ついで、軸を回転さ
せることにより台上のウエハを水平方向に回転させつ
つ、裏面研削面上に常温硬化性ポリシリコーンワニスを
滴下させ、スピンコートをし、乾燥させて裏面研削面に
肉厚０．１〜１０μｍのポリシリコーン皮膜を形成する
ことを特徴とする、ＩＣカード用ウエハの製造方法を提
供するものである。
鏡面仕上げ面には回路が実装され、ウエハの裏面研削面
には常温硬化性ポリシリコーンワニスの肉厚０．１〜１
０μｍの皮膜が形成されてなる、肉厚が５０〜１５０μ
ｍのＩＣカード用ウエハを提供するものである。本発明
の２は、鏡面仕上げ面に実装された回路の表面に粘着テ
ープを貼着して回路表面を保護し、裏面研削、洗浄が行
われたウエハを、該ウエハの粘着テープ側を回転可能な
軸に軸承された台上にチャックし、ついで、軸を回転さ
せることにより台上のウエハを水平方向に回転させつ
つ、裏面研削面上に常温硬化性ポリシリコーンワニスを
滴下させ、スピンコートをし、乾燥させて裏面研削面に
肉厚０．１〜１０μｍのポリシリコーン皮膜を形成する
ことを特徴とする、ＩＣカード用ウエハの製造方法を提
供するものである。
【０００８】
【作用】スピンコート法により、ポリシリコーン皮膜が
スクラッチの強度低下を補い、三点曲げ破断強度が４０
ニュートン以上と高い、肉厚が５０〜１５０μｍのシリ
コンウエハが製造可能となったことにより、肉厚が１５
０〜３００μｍのプリペードカード並みの肉厚のＩＣカ
ードの製造が可能となった。
スクラッチの強度低下を補い、三点曲げ破断強度が４０
ニュートン以上と高い、肉厚が５０〜１５０μｍのシリ
コンウエハが製造可能となったことにより、肉厚が１５
０〜３００μｍのプリペードカード並みの肉厚のＩＣカ
ードの製造が可能となった。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を説明
する。図１は裏面研削されたウエハの、裏面研削面にポ
リシリコーン皮膜を形成する装置の平面図、図２は、ウ
エハの三点曲げ試験機の概略図である。図３は裏面（バ
ック）研削されたウエハの表面状態と表面近傍の破断の
状態を合成した研磨されたウエハの状態を示す図であ
り、上方の黒っぽい部分は、ウエハの表面の状態を、下
方の白っぽい部分はウエハの断面の状態を示す。図中、
１はウエハ、１ａは研削裏面、２は粘着テープ、３はワ
ニス、４はワニス供給管、５は熱風、６は吸着板、７は
中空回転軸、８は中空部である。
する。図１は裏面研削されたウエハの、裏面研削面にポ
リシリコーン皮膜を形成する装置の平面図、図２は、ウ
エハの三点曲げ試験機の概略図である。図３は裏面（バ
ック）研削されたウエハの表面状態と表面近傍の破断の
状態を合成した研磨されたウエハの状態を示す図であ
り、上方の黒っぽい部分は、ウエハの表面の状態を、下
方の白っぽい部分はウエハの断面の状態を示す。図中、
１はウエハ、１ａは研削裏面、２は粘着テープ、３はワ
ニス、４はワニス供給管、５は熱風、６は吸着板、７は
中空回転軸、８は中空部である。
【００１０】図２の三点曲げ試験機１０において、１１
は治具、１２は試験片（ウエハ）、１３は錘である。治
具の中央部には直径７ｍｍの円柱がくり抜かれている。
治具、錘はステンレス鋼製で、円柱状錘の直径は５ｍｍ
で、速度１ｍｍ／分で下降される。中空回転軸７に軸承
されたチャック機構のポーラスセラミック板６上に、回
路が実装されたウエハ１の回路面に粘着テープ２を貼着
し、この粘着テープ面をポーラスセラミック板６面に接
しさせて載置する。イソプロピルアルコールで洗浄され
たウエハの裏面研削面１ａは上方を向いている。回転軸
７の中空部８を減圧し、ウエハ１をポーラスセラミック
吸着板６にチャックした後、回転軸７を回転１００〜
１，０００ｒｐｍ、好ましくは２００〜６００ｒｐｍさ
せ、ウエハ１を水平方向に回転させつつ、ワニス供給管
４より常温硬化性ポリシリコーンワニスをウエハの裏面
研削面中心に連続流として供給する。
は治具、１２は試験片（ウエハ）、１３は錘である。治
具の中央部には直径７ｍｍの円柱がくり抜かれている。
治具、錘はステンレス鋼製で、円柱状錘の直径は５ｍｍ
で、速度１ｍｍ／分で下降される。中空回転軸７に軸承
されたチャック機構のポーラスセラミック板６上に、回
路が実装されたウエハ１の回路面に粘着テープ２を貼着
し、この粘着テープ面をポーラスセラミック板６面に接
しさせて載置する。イソプロピルアルコールで洗浄され
たウエハの裏面研削面１ａは上方を向いている。回転軸
７の中空部８を減圧し、ウエハ１をポーラスセラミック
吸着板６にチャックした後、回転軸７を回転１００〜
１，０００ｒｐｍ、好ましくは２００〜６００ｒｐｍさ
せ、ウエハ１を水平方向に回転させつつ、ワニス供給管
４より常温硬化性ポリシリコーンワニスをウエハの裏面
研削面中心に連続流として供給する。
【００１１】次いで、ワニスの連続皮膜が形成された裏
面研削面にワニスの乾燥時間を短時間とするために１０
０〜１６０℃の熱風５を吹きつける。乾燥時間が遅くて
もよいなら熱風の吹き付けは必要としない。このような
スピンコートしてウエハの裏面研削面に肉厚０．１〜１
０μｍ、好ましくは０．２〜８μｍのポリシリコーンの
皮膜を形成する。常温硬化性ポリシリコーンワニスとし
ては、ポリメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロ
キサン、エポキシ変性ポリメチルシロキサン、アルコキ
シ変性ポリメチルシロキサン（アルコキシ基としてはメ
トキシ基、エトキシ基、ブトキシ基）、アミノシラン変
性ポリメチルシロキサン等のポリシリコーンを、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の沸点が１００〜１６０℃の
芳香族炭化水素溶媒に溶解した濃度１〜５５重量％のワ
ニスが用いられる。これらポリシリコーンの中でも、芳
香族炭化水素溶媒への溶解性の面からメチルフェニル系
ポリシリコーンが好ましい。
面研削面にワニスの乾燥時間を短時間とするために１０
０〜１６０℃の熱風５を吹きつける。乾燥時間が遅くて
もよいなら熱風の吹き付けは必要としない。このような
スピンコートしてウエハの裏面研削面に肉厚０．１〜１
０μｍ、好ましくは０．２〜８μｍのポリシリコーンの
皮膜を形成する。常温硬化性ポリシリコーンワニスとし
ては、ポリメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロ
キサン、エポキシ変性ポリメチルシロキサン、アルコキ
シ変性ポリメチルシロキサン（アルコキシ基としてはメ
トキシ基、エトキシ基、ブトキシ基）、アミノシラン変
性ポリメチルシロキサン等のポリシリコーンを、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の沸点が１００〜１６０℃の
芳香族炭化水素溶媒に溶解した濃度１〜５５重量％のワ
ニスが用いられる。これらポリシリコーンの中でも、芳
香族炭化水素溶媒への溶解性の面からメチルフェニル系
ポリシリコーンが好ましい。
【００１２】メチルフェニル系ポリシリコーンをトルエ
ンとキシレンの混合溶媒に５０重量％濃度で溶解した常
温硬化性ポリシリコーンワニスは、例えば東芝シリコー
ン株式会社よりシリコーンワニスＴＳＲ１４４（比重
１．０２、粘度１１０ｍＰａ・ｓ）の商品名で販売され
ている。ウエハのスクラッチ（傷）へのワニスの含浸性
を良好とするため、溶媒で希釈して用いるのが好まし
い。
ンとキシレンの混合溶媒に５０重量％濃度で溶解した常
温硬化性ポリシリコーンワニスは、例えば東芝シリコー
ン株式会社よりシリコーンワニスＴＳＲ１４４（比重
１．０２、粘度１１０ｍＰａ・ｓ）の商品名で販売され
ている。ウエハのスクラッチ（傷）へのワニスの含浸性
を良好とするため、溶媒で希釈して用いるのが好まし
い。
【００１３】従来、裏面研削面の凹凸の鋭利な先端部が
チッピングにより欠け、多数のパーティクルを発生さ
せ、ＩＣチップの歩留まりを低下させていたが、この裏
面研削面にポリシリコーンの均一皮膜が形成されること
により、ＩＣチップの歩留まりを向上できる。スピンコ
ート後、ダイシング工程でウエハの表面より粘着テープ
は分離され、ウエハはダイシングされてＩＣチップとさ
れる。このプリント配線されたＩＣチップは、カード基
材の凹部に収容され、ＩＣチップ及びボンディングワイ
ヤを含む配線部の周囲を樹脂により封止し、ＩＣカード
とされる。
チッピングにより欠け、多数のパーティクルを発生さ
せ、ＩＣチップの歩留まりを低下させていたが、この裏
面研削面にポリシリコーンの均一皮膜が形成されること
により、ＩＣチップの歩留まりを向上できる。スピンコ
ート後、ダイシング工程でウエハの表面より粘着テープ
は分離され、ウエハはダイシングされてＩＣチップとさ
れる。このプリント配線されたＩＣチップは、カード基
材の凹部に収容され、ＩＣチップ及びボンディングワイ
ヤを含む配線部の周囲を樹脂により封止し、ＩＣカード
とされる。
【００１４】
【実施例】裏研削の例：回路が実装された８インチシリ
コンウエハ（肉厚２００μｍ）の回路面に、ポリエチレ
ンテレフタレート二軸延伸フィルム基材上に紫外線硬化
性樹脂層を、更にこの上に粘着剤層を設けた粘着テープ
（肉厚１２０／３８／８μｍ）を貼着し、この粘着テー
プの基材面を、研削装置のインデックステーブルのチャ
ック機構のポーラスセラミック台上に接するように載置
し、ついで該台を軸承する中空回転軸を７００ｍｍＨｇ
に減圧し、ウエハを吸着させた。目的とする研削された
ウエハの最終肉厚（Ｔf ）を１３６μｍと定め、研削量
を６４μｍと計算した。研削速度Ｓを０．８μｍ／分と
すると理論的な研削時間は８０分と算出される。
コンウエハ（肉厚２００μｍ）の回路面に、ポリエチレ
ンテレフタレート二軸延伸フィルム基材上に紫外線硬化
性樹脂層を、更にこの上に粘着剤層を設けた粘着テープ
（肉厚１２０／３８／８μｍ）を貼着し、この粘着テー
プの基材面を、研削装置のインデックステーブルのチャ
ック機構のポーラスセラミック台上に接するように載置
し、ついで該台を軸承する中空回転軸を７００ｍｍＨｇ
に減圧し、ウエハを吸着させた。目的とする研削された
ウエハの最終肉厚（Ｔf ）を１３６μｍと定め、研削量
を６４μｍと計算した。研削速度Ｓを０．８μｍ／分と
すると理論的な研削時間は８０分と算出される。
【００１５】インデックステーブルの吸着チャック上の
ウエハの上面に砥石を下降させて押し当て（圧力５００
ｇ／ｃｍ2 ）、チャック機構の回転軸を右方向に回転数
６０ｒｐｍ、砥石の回転軸を左方向に１００ｒｐｍ回転
させて研削速度０．８μｍ／分で８０分間研削を行っ
た。荒削りしたウエハの厚みは１３５μｍであった。
ウエハの上面に砥石を下降させて押し当て（圧力５００
ｇ／ｃｍ2 ）、チャック機構の回転軸を右方向に回転数
６０ｒｐｍ、砥石の回転軸を左方向に１００ｒｐｍ回転
させて研削速度０．８μｍ／分で８０分間研削を行っ
た。荒削りしたウエハの厚みは１３５μｍであった。
【００１６】ついで、砥石を上昇後、インデックステー
ブルを１２０度右方向に回動させたのち、荒削りされた
ウエハ上に仕上げ砥石を下降させて押し当て（圧力５０
ｇ／ｃｍ2 ）チャック機構の回転軸と、仕上げ砥石の回
転軸を回転させて仕上げ研削を行った。両回転軸の回転
を止め、砥石を上昇させた後、インデックステーブルを
１２０度右方向に回動し、ウエハの厚みを測定したとこ
ろ、１３４．０μｍであった。研削されたウエハの触針
式粗さ計測定の粗さ（Ｒmax ）は２ｎｍであった（破損
傷の最大深さは１．４μｍ、三点曲げ破断強度１６ニュ
ートン）。次いで、仕上げ研削されたウエハの研削面を
水洗浄した。
ブルを１２０度右方向に回動させたのち、荒削りされた
ウエハ上に仕上げ砥石を下降させて押し当て（圧力５０
ｇ／ｃｍ2 ）チャック機構の回転軸と、仕上げ砥石の回
転軸を回転させて仕上げ研削を行った。両回転軸の回転
を止め、砥石を上昇させた後、インデックステーブルを
１２０度右方向に回動し、ウエハの厚みを測定したとこ
ろ、１３４．０μｍであった。研削されたウエハの触針
式粗さ計測定の粗さ（Ｒmax ）は２ｎｍであった（破損
傷の最大深さは１．４μｍ、三点曲げ破断強度１６ニュ
ートン）。次いで、仕上げ研削されたウエハの研削面を
水洗浄した。
【００１７】スピンコートの実施例：洗浄したウエハを
チャック機構のポーラスセラミック板を通気性ポリエス
テル布で被ったチャックを用いて裏面研削面を吸着し、
図１に示すスピン装置のポーラスセラミックス製吸着板
６上に載置した。ついで、回転軸７を４５０ｍｍＨｇに
吸着してウエハを固定した後、回転軸７の回転数を３０
０ｒｐｍまたは６００ｒｐｍで右方向に回転させ、つい
でウエハの裏面研削面の中心点上にワニス供給管より東
芝シリコーン株式会社の常温硬化型ポリシリコーンワニ
スＴＳＲ−１４４（商品名）またはそのキシレン／トル
エンの３：１混合溶媒で希釈した表１に示す濃度のワニ
スを連続流で供給（８〜４０ｃｃ／分）し、同表に示す
時間（分）供給して連続皮膜をウエハの裏面研削面を形
成させた後、１００℃の熱風をウエハの上方より吹きつ
け、乾燥させて同表に示す膜厚の硬化皮膜を得た。つい
で、チャック機構の吸着板よりウエハを取り、ウエハを
１５ｍｍ角にダイシングし、粘着テープを取り去ったウ
エハチップ片５点の三点曲げ強度を測定した。結果を表
１に示す。
チャック機構のポーラスセラミック板を通気性ポリエス
テル布で被ったチャックを用いて裏面研削面を吸着し、
図１に示すスピン装置のポーラスセラミックス製吸着板
６上に載置した。ついで、回転軸７を４５０ｍｍＨｇに
吸着してウエハを固定した後、回転軸７の回転数を３０
０ｒｐｍまたは６００ｒｐｍで右方向に回転させ、つい
でウエハの裏面研削面の中心点上にワニス供給管より東
芝シリコーン株式会社の常温硬化型ポリシリコーンワニ
スＴＳＲ−１４４（商品名）またはそのキシレン／トル
エンの３：１混合溶媒で希釈した表１に示す濃度のワニ
スを連続流で供給（８〜４０ｃｃ／分）し、同表に示す
時間（分）供給して連続皮膜をウエハの裏面研削面を形
成させた後、１００℃の熱風をウエハの上方より吹きつ
け、乾燥させて同表に示す膜厚の硬化皮膜を得た。つい
で、チャック機構の吸着板よりウエハを取り、ウエハを
１５ｍｍ角にダイシングし、粘着テープを取り去ったウ
エハチップ片５点の三点曲げ強度を測定した。結果を表
１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】表１のウエハの三点曲げ強度から理解さ
れるように、スクラッチ（傷）の深さの１．４μｍより
薄い皮膜（実験１〜３）であるにもかかわらず、実験１
〜３のウエハの三点曲げ強度が皮膜のないウエハ（ブラ
ンク）のその値の１６ニュートンより２倍以上の値を示
すことはスクラッチ内にポリシリコーンが浸透し、充填
していることによりウエハの強度が向上したものと推測
される。
れるように、スクラッチ（傷）の深さの１．４μｍより
薄い皮膜（実験１〜３）であるにもかかわらず、実験１
〜３のウエハの三点曲げ強度が皮膜のないウエハ（ブラ
ンク）のその値の１６ニュートンより２倍以上の値を示
すことはスクラッチ内にポリシリコーンが浸透し、充填
していることによりウエハの強度が向上したものと推測
される。
【図１】スピンコート装置の平面図である。
【図２】三点曲げ試験機の断面図である。
【図３】ウエハの裏面研削面の表面状態と断面の状態を
合成して示した図である。
合成して示した図である。
【図４】ＩＣカードの一例を示す断面図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハの鏡面仕上げ面には回路が実装さ
れ、ウエハの裏面研削面には常温硬化性ポリシリコーン
ワニスの肉厚０．１〜１０μｍの皮膜が形成されてな
る、肉厚が５０〜１５０μｍのＩＣカード用ウエハ。 - 【請求項２】 常温硬化性ポリシリコーンワニスが、メ
チルフェニル系ポリシリコーンを沸点が１００〜１６０
℃の芳香族炭化水素溶媒に溶解させたものである、請求
項１に記載のＩＣカード用ウエハ。 - 【請求項３】 鏡面仕上げ面に実装された回路の表面に
粘着テープを貼着して回路表面を保護し、裏面研削、洗
浄が行われたウエハを、該ウエハの粘着テープ側を回転
可能な軸に軸承された台上にチャックし、ついで、軸を
回転させることにより台上のウエハを水平方向に回転さ
せつつ、裏面研削面上に常温硬化性ポリシリコーンワニ
スを滴下させるスピンコートをし、乾燥させて裏面研削
面に肉厚０．１〜１０μｍのポリシリコーン皮膜を形成
することを特徴とする、ウエハの製造方法。 - 【請求項４】 常温硬化性ポリシリコーンワニスが、メ
チルフェニル系ポリシリコーンを沸点が１００〜１６０
℃の芳香族炭化水素溶媒に溶解させたものである、請求
項３に記載のウエハの製造方法。 - 【請求項５】 ワニスの乾燥を、ウエハの裏面研削面に
８０〜１６０℃の熱風を吹き付けて行うことを特徴とす
る、請求項３または４に記載のウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22947598A JP2000048161A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | Ｉｃカード用ウエハおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22947598A JP2000048161A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | Ｉｃカード用ウエハおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000048161A true JP2000048161A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16892768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22947598A Pending JP2000048161A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | Ｉｃカード用ウエハおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000048161A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002062588A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Hitachi, Ltd | Electronic device and method of manufacturing the same |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP22947598A patent/JP2000048161A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002062588A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Hitachi, Ltd | Electronic device and method of manufacturing the same |
| US7086600B2 (en) | 2001-02-02 | 2006-08-08 | Renesas Technology Corporation | Electronic device and method of manufacturing the same |
| US7322531B2 (en) | 2001-02-02 | 2008-01-29 | Hitachi Ulsi Systems Co., Ltd. | Electronic device and method of manufacturing the same |
| US7467464B2 (en) | 2001-02-02 | 2008-12-23 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a memory card |
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