JP2000047055A - 光導波路デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
光導波路デバイスおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000047055A JP2000047055A JP21222898A JP21222898A JP2000047055A JP 2000047055 A JP2000047055 A JP 2000047055A JP 21222898 A JP21222898 A JP 21222898A JP 21222898 A JP21222898 A JP 21222898A JP 2000047055 A JP2000047055 A JP 2000047055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- substrate
- forming
- alignment mark
- branch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
- G02B6/29346—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by wave or beam interference
- G02B6/29361—Interference filters, e.g. multilayer coatings, thin film filters, dichroic splitters or mirrors based on multilayers, WDM filters
- G02B6/29368—Light guide comprising the filter, e.g. filter deposited on a fibre end
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
- G02B6/4221—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera
- G02B6/4224—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera using visual alignment markings, e.g. index methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッシブアライメントによりシリコン基板と
光導波路基板とを簡略に最適相互位置関係に調整芯合わ
せする光導波路デバイスおよびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 原材料基板表面にエッチング技術および
薄膜成膜技術を適用してクラッド３に埋設される光導波
路２と位置合わせマーク４を形成して光導波路基板１を
構成し、原材料基板表面にエッチング技術および薄膜成
膜技術を適用して断面Ｖ字溝６および位置合わせマーク
４’を形成して断面Ｖ字溝基板５を構成し、これら両位
置合わせマーク４および４’を参照して光導波路基板１
と断面Ｖ字溝基板５の両者を位置決め接合し、断面Ｖ字
溝６に光ファイバ８を嵌合固定した光導波路デバイス。
光導波路基板とを簡略に最適相互位置関係に調整芯合わ
せする光導波路デバイスおよびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 原材料基板表面にエッチング技術および
薄膜成膜技術を適用してクラッド３に埋設される光導波
路２と位置合わせマーク４を形成して光導波路基板１を
構成し、原材料基板表面にエッチング技術および薄膜成
膜技術を適用して断面Ｖ字溝６および位置合わせマーク
４’を形成して断面Ｖ字溝基板５を構成し、これら両位
置合わせマーク４および４’を参照して光導波路基板１
と断面Ｖ字溝基板５の両者を位置決め接合し、断面Ｖ字
溝６に光ファイバ８を嵌合固定した光導波路デバイス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光導波路デバイ
スおよびその製造方法に関し、特に、パッシブアライメ
ントによりシリコン基板と光導波路基板とを簡略に最適
相互位置関係に調整芯合わせする光導波路デバイスおよ
びその製造方法に関する。
スおよびその製造方法に関し、特に、パッシブアライメ
ントによりシリコン基板と光導波路基板とを簡略に最適
相互位置関係に調整芯合わせする光導波路デバイスおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例を図７および図８を参照して説明
する。図７および図８において、１は光導波路基板を示
す。光導波路基板１はその表面に形成されるクラッド層
３と、このクラッド層３に形成される光導波路２より成
る。
する。図７および図８において、１は光導波路基板を示
す。光導波路基板１はその表面に形成されるクラッド層
３と、このクラッド層３に形成される光導波路２より成
る。
【０００３】５は断面Ｖ字溝が形成されるシリコンより
成る断面Ｖ字溝基板であり、その表面には断面Ｖ字溝６
が形成される。図７（ｂ）の断面Ｖ字溝基板５には２本
の断面Ｖ字溝が形成される一方、図７（ｃ）の断面Ｖ字
溝基板５には１本の断面Ｖ字溝が形成されている。次い
で、断面Ｖ字溝６のそれぞれには光ファイバ８が嵌合位
置決め接合される。
成る断面Ｖ字溝基板であり、その表面には断面Ｖ字溝６
が形成される。図７（ｂ）の断面Ｖ字溝基板５には２本
の断面Ｖ字溝が形成される一方、図７（ｃ）の断面Ｖ字
溝基板５には１本の断面Ｖ字溝が形成されている。次い
で、断面Ｖ字溝６のそれぞれには光ファイバ８が嵌合位
置決め接合される。
【０００４】上述の通り、光導波路２が形成された光導
波路基板１と光ファイバ８が嵌合接合された断面Ｖ字溝
基板５は各別に構成され、断面Ｖ字溝基板５を図８にお
いて矢印に示される向きに駆動して３者を結合一体化す
る。この結合一体化に際して左方の断面Ｖ字溝基板５に
嵌合接合される光ファイバ８に光を送り込んで、この光
が光導波路基板１の光導波路２を介して右方の断面Ｖ字
溝基板５に嵌合接合される２本の光ファイバ８に伝送さ
れる光量をモニタしながら３枚の基板間を最適相互位置
関係に調整して芯合わせした状態において接合する。伝
送される光量をモニタしながら基板間を最適相互位置関
係に調整することをアクティブアライメントと称してい
る。このアクティブアライメントにおいては光導波路基
板１と断面Ｖ字溝基板５に位置合わせマークを付与して
相互の位置関係を保証する様なことはしていない。
波路基板１と光ファイバ８が嵌合接合された断面Ｖ字溝
基板５は各別に構成され、断面Ｖ字溝基板５を図８にお
いて矢印に示される向きに駆動して３者を結合一体化す
る。この結合一体化に際して左方の断面Ｖ字溝基板５に
嵌合接合される光ファイバ８に光を送り込んで、この光
が光導波路基板１の光導波路２を介して右方の断面Ｖ字
溝基板５に嵌合接合される２本の光ファイバ８に伝送さ
れる光量をモニタしながら３枚の基板間を最適相互位置
関係に調整して芯合わせした状態において接合する。伝
送される光量をモニタしながら基板間を最適相互位置関
係に調整することをアクティブアライメントと称してい
る。このアクティブアライメントにおいては光導波路基
板１と断面Ｖ字溝基板５に位置合わせマークを付与して
相互の位置関係を保証する様なことはしていない。
【０００５】光導波路デバイスの従来例としては、特公
平７−６９４９７号公報に記載されるが如きデバイスが
ある。この従来例も、光導波路基板と断面Ｖ字溝が形成
されて光ファイバが嵌合固定されるシリコン基板は別体
に構成され、両基板間を最適相互位置関係に調整した後
に接合固定するものである。但し、この実施例は、両基
板間を最適相互位置関係に調整するに、位置合わせマー
クを光導波路基板に付与すると共にこれに対応する参照
マークをシリコン基板に付与して調整の用に供してい
る。基板間を最適相互位置関係に調整するに、光量をモ
ニタすることはせず、位置合わせマークと参照マークに
より簡略に相互位置関係を調整することをパッシブアラ
イメントと称している。
平７−６９４９７号公報に記載されるが如きデバイスが
ある。この従来例も、光導波路基板と断面Ｖ字溝が形成
されて光ファイバが嵌合固定されるシリコン基板は別体
に構成され、両基板間を最適相互位置関係に調整した後
に接合固定するものである。但し、この実施例は、両基
板間を最適相互位置関係に調整するに、位置合わせマー
クを光導波路基板に付与すると共にこれに対応する参照
マークをシリコン基板に付与して調整の用に供してい
る。基板間を最適相互位置関係に調整するに、光量をモ
ニタすることはせず、位置合わせマークと参照マークに
より簡略に相互位置関係を調整することをパッシブアラ
イメントと称している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した通り、光導波
路デバイスを構成するには、伝送される光量をモニタし
ながら両基板間を最適相互位置関係に調整芯合わせをす
るアクティブアライメントが採用されるが、これによる
と芯合わせは正確に実施されるが、最適位置を求める芯
合わせ工程が複雑である上に、芯合わせ工程に長時間を
要する。
路デバイスを構成するには、伝送される光量をモニタし
ながら両基板間を最適相互位置関係に調整芯合わせをす
るアクティブアライメントが採用されるが、これによる
と芯合わせは正確に実施されるが、最適位置を求める芯
合わせ工程が複雑である上に、芯合わせ工程に長時間を
要する。
【０００７】この発明は、アクティブアライメントは採
用せずに、パッシブアライメントによりシリコン基板と
光導波路基板とを簡略に最適相互位置関係に調整芯合わ
せすることができる光導波路デバイスおよびその製造方
法を提供するものである。
用せずに、パッシブアライメントによりシリコン基板と
光導波路基板とを簡略に最適相互位置関係に調整芯合わ
せすることができる光導波路デバイスおよびその製造方
法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１：原材料基板表
面にエッチング技術および薄膜成膜技術を適用してクラ
ッド３に埋設される光導波路２と位置合わせマーク４を
形成して光導波路基板１を構成し、原材料基板表面にエ
ッチング技術および薄膜成膜技術を適用して断面Ｖ字溝
６および位置合わせマーク４’を形成して断面Ｖ字溝基
板５を構成し、これら両位置合わせマーク４および４’
を参照して光導波路基板１と断面Ｖ字溝基板５の両者を
位置決め接合し、断面Ｖ字溝６に光ファイバ８を嵌合固
定した光導波路デバイスを構成した。
面にエッチング技術および薄膜成膜技術を適用してクラ
ッド３に埋設される光導波路２と位置合わせマーク４を
形成して光導波路基板１を構成し、原材料基板表面にエ
ッチング技術および薄膜成膜技術を適用して断面Ｖ字溝
６および位置合わせマーク４’を形成して断面Ｖ字溝基
板５を構成し、これら両位置合わせマーク４および４’
を参照して光導波路基板１と断面Ｖ字溝基板５の両者を
位置決め接合し、断面Ｖ字溝６に光ファイバ８を嵌合固
定した光導波路デバイスを構成した。
【０００９】そして、請求項２：請求項１に記載される
光導波路デバイスにおいて、光導波路２は直線部２１’
およびＹ分岐部２２’より成るＹ分岐光導波路である光
導波路デバイスを構成した。また、請求項３：請求項２
に記載される光導波路デバイスにおいて、光導波路２の
直線部２１’の端面をその軸方向に関して傾斜面に加工
してこれに誘電体多層膜フィルタ１４を形成した光導波
路デバイスを構成した。
光導波路デバイスにおいて、光導波路２は直線部２１’
およびＹ分岐部２２’より成るＹ分岐光導波路である光
導波路デバイスを構成した。また、請求項３：請求項２
に記載される光導波路デバイスにおいて、光導波路２の
直線部２１’の端面をその軸方向に関して傾斜面に加工
してこれに誘電体多層膜フィルタ１４を形成した光導波
路デバイスを構成した。
【００１０】更に、請求項４：請求項２および請求項３
の内の何れかに記載される光導波路デバイスにおいて、
光導波路基板１の表面に光導波路２のＹ分岐部２２’の
端面に対向して発光器９或いは受光器１０を位置決め固
定した光導波路デバイスを構成した。ここで、請求項
５：請求項１に記載される光導波路デバイスにおいて、
光導波路２は直線光導波路２１とＹ分岐光導波路２２よ
り成り、直線光導波路２１の一方の端部とＹ分岐光導波
路２２の直線部２１’は結合端部を構成し、結合端部の
端面をＹ分岐光導波路２２の直線部２１’の軸方向に関
して傾斜面に加工してこれに誘電体多層膜フィルタ１４
を形成した光導波路デバイスを構成した。
の内の何れかに記載される光導波路デバイスにおいて、
光導波路基板１の表面に光導波路２のＹ分岐部２２’の
端面に対向して発光器９或いは受光器１０を位置決め固
定した光導波路デバイスを構成した。ここで、請求項
５：請求項１に記載される光導波路デバイスにおいて、
光導波路２は直線光導波路２１とＹ分岐光導波路２２よ
り成り、直線光導波路２１の一方の端部とＹ分岐光導波
路２２の直線部２１’は結合端部を構成し、結合端部の
端面をＹ分岐光導波路２２の直線部２１’の軸方向に関
して傾斜面に加工してこれに誘電体多層膜フィルタ１４
を形成した光導波路デバイスを構成した。
【００１１】そして、請求項６：請求項５に記載される
光導波路デバイスにおいて、光導波路基板１の表面にＹ
分岐光導波路２２のＹ分岐部２２’の端面に対向して発
光器９或いは受光器１０を位置決め固定した光導波路デ
バイスを構成した。また、請求項７：請求項６に記載さ
れる光導波路デバイスにおいて、光導波路基板１の表面
にＹ分岐光導波路２２のＹ分岐部２２’の一方の端面に
対向して発光器９を位置決め固定すると共に他方の端面
に受光器１０を位置決め固定した光導波路デバイスを構
成した。
光導波路デバイスにおいて、光導波路基板１の表面にＹ
分岐光導波路２２のＹ分岐部２２’の端面に対向して発
光器９或いは受光器１０を位置決め固定した光導波路デ
バイスを構成した。また、請求項７：請求項６に記載さ
れる光導波路デバイスにおいて、光導波路基板１の表面
にＹ分岐光導波路２２のＹ分岐部２２’の一方の端面に
対向して発光器９を位置決め固定すると共に他方の端面
に受光器１０を位置決め固定した光導波路デバイスを構
成した。
【００１２】更に、請求項８：請求項１ないし請求項７
の内の何れかに記載される光導波路デバイスにおいて、
光導波路２はポリマー材料により構成したものである光
導波路デバイスを構成した。また、請求項９：シリコン
より成る光導波路基板１の表面にアンダークラッド層３
１を形成し、アンダークラッド層３１の表面の所定の位
置に位置合わせマーク４形成用の金属被膜３２を形成
し、位置合わせマーク４形成用の金属被膜３２を含みア
ンダークラッド層３１の表面全面に光導波路２形成用の
ポリマ材料層２３を形成し、光導波路形成用のポリマ材
料層２３の表面に光導波路２形成用のパターン２’と位
置合わせマーク４形成用のパターン４’を形成し、反応
性イオンエッチング法により光導波路形成用のポリマ材
料層２３を除去し、光導波路２形成用のパターン２’、
位置合わせマーク４形成用のパターン４’および位置合
わせマーク４形成用の金属被膜３２の露出部分を除去
し、アンダークラッド層３１の表面全面にオーバークラ
ッド層３１’を成膜した光導波路デバイスの製造方法を
構成した。
の内の何れかに記載される光導波路デバイスにおいて、
光導波路２はポリマー材料により構成したものである光
導波路デバイスを構成した。また、請求項９：シリコン
より成る光導波路基板１の表面にアンダークラッド層３
１を形成し、アンダークラッド層３１の表面の所定の位
置に位置合わせマーク４形成用の金属被膜３２を形成
し、位置合わせマーク４形成用の金属被膜３２を含みア
ンダークラッド層３１の表面全面に光導波路２形成用の
ポリマ材料層２３を形成し、光導波路形成用のポリマ材
料層２３の表面に光導波路２形成用のパターン２’と位
置合わせマーク４形成用のパターン４’を形成し、反応
性イオンエッチング法により光導波路形成用のポリマ材
料層２３を除去し、光導波路２形成用のパターン２’、
位置合わせマーク４形成用のパターン４’および位置合
わせマーク４形成用の金属被膜３２の露出部分を除去
し、アンダークラッド層３１の表面全面にオーバークラ
ッド層３１’を成膜した光導波路デバイスの製造方法を
構成した。
【００１３】更に、請求項１０：請求項９に記載される
光導波路デバイスの製造方法において、オーバークラッ
ド層３１’の光導波路２上方の表面のみに金属被膜３’
を成膜し、反応性イオンエッチング法によりオーバーク
ラッド層３１’下部のオーバークラッド層３１’以外の
オーバークラッド層３１’を除去して位置合わせマーク
４および光導波路基板１表面を露出せしめる光導波路デ
バイスの製造方法を構成した。
光導波路デバイスの製造方法において、オーバークラッ
ド層３１’の光導波路２上方の表面のみに金属被膜３’
を成膜し、反応性イオンエッチング法によりオーバーク
ラッド層３１’下部のオーバークラッド層３１’以外の
オーバークラッド層３１’を除去して位置合わせマーク
４および光導波路基板１表面を露出せしめる光導波路デ
バイスの製造方法を構成した。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１の実
施例を参照して説明する。図１は光導波路スプリッタの
分解斜視図である。図１の実施例においては、シリコン
より成る原材料基板表面に周知慣用のエッチング技術お
よび薄膜成膜技術を適用し、この基板表面に光導波路２
と位置合わせマーク４とを形成したクラッド３が形成さ
れた光導波路基板１を構成する。シリコンより成る原材
料基板に、周知慣用のエッチング技術および薄膜成膜技
術を適用して断面Ｖ字溝６および位置合わせマーク４’
を形成した断面Ｖ字溝基板５を構成する。そして、これ
ら両位置合わせマーク４および４’を参照して光導波路
基板１と断面Ｖ字溝基板５の両者を高精度に位置決めし
て接合する。これにより光ファイバ８の中心と光導波路
２の中心とが正確に一致した光導波路デバイスを構成す
る。ここで、光導波路２の中心と位置合わせマーク４と
の間の位置関係は予め高精度に設定構成し、光ファイバ
８の中心と断面Ｖ字溝６に嵌合固定された光ファイバ８
の中心が正確に一致すべく位置合わせマーク４’と断面
Ｖ字溝６との間の位置関係を予め高精度に設定構成す
る。以下、これについて説明する。
施例を参照して説明する。図１は光導波路スプリッタの
分解斜視図である。図１の実施例においては、シリコン
より成る原材料基板表面に周知慣用のエッチング技術お
よび薄膜成膜技術を適用し、この基板表面に光導波路２
と位置合わせマーク４とを形成したクラッド３が形成さ
れた光導波路基板１を構成する。シリコンより成る原材
料基板に、周知慣用のエッチング技術および薄膜成膜技
術を適用して断面Ｖ字溝６および位置合わせマーク４’
を形成した断面Ｖ字溝基板５を構成する。そして、これ
ら両位置合わせマーク４および４’を参照して光導波路
基板１と断面Ｖ字溝基板５の両者を高精度に位置決めし
て接合する。これにより光ファイバ８の中心と光導波路
２の中心とが正確に一致した光導波路デバイスを構成す
る。ここで、光導波路２の中心と位置合わせマーク４と
の間の位置関係は予め高精度に設定構成し、光ファイバ
８の中心と断面Ｖ字溝６に嵌合固定された光ファイバ８
の中心が正確に一致すべく位置合わせマーク４’と断面
Ｖ字溝６との間の位置関係を予め高精度に設定構成す
る。以下、これについて説明する。
【００１５】図２を参照して光導波路基板１に対する光
導波路２と位置合わせマーク４の形成の仕方を説明す
る。図２（ａ）において、シリコンより成る光導波路基
板１の表面にアンダークラッド層３１を形成する。アン
ダークラッド層３１を形成する材料としては、一例とし
てポリイミドが使用される。ポリイミド層は複数種類の
ポリイミド溶液を適宜の割合で混合してこれを塗布し、
焼成して形成する。。アンダークラッド層３１は都合上
厚く図示されているが、実際の厚さは極く薄いものとす
る。アンダークラッド層３１の表面の所定の位置に、後
で位置合わせマーク４とされるべき金属被膜３２を形成
する。金属被膜３２を形成する材料としては、一例とし
てチタンＴｉが使用される。
導波路２と位置合わせマーク４の形成の仕方を説明す
る。図２（ａ）において、シリコンより成る光導波路基
板１の表面にアンダークラッド層３１を形成する。アン
ダークラッド層３１を形成する材料としては、一例とし
てポリイミドが使用される。ポリイミド層は複数種類の
ポリイミド溶液を適宜の割合で混合してこれを塗布し、
焼成して形成する。。アンダークラッド層３１は都合上
厚く図示されているが、実際の厚さは極く薄いものとす
る。アンダークラッド層３１の表面の所定の位置に、後
で位置合わせマーク４とされるべき金属被膜３２を形成
する。金属被膜３２を形成する材料としては、一例とし
てチタンＴｉが使用される。
【００１６】図２（ｂ）において、金属被膜３２を含み
アンダークラッド層３１の表面全面に後で光導波路２と
されるべきポリマ材料層２３を形成する。このポリマ材
料層２３も、具体的にはポリイミドにより形成される。
ポリマ材料層２３の表面に光導波路２のパターン２’と
位置合わせマーク４のパターン４’を形成する。図２
（ｃ）において、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）
によりポリマ材料層２３を除去する。ＲＩＥによるエッ
チングは金属被膜には及ばない。
アンダークラッド層３１の表面全面に後で光導波路２と
されるべきポリマ材料層２３を形成する。このポリマ材
料層２３も、具体的にはポリイミドにより形成される。
ポリマ材料層２３の表面に光導波路２のパターン２’と
位置合わせマーク４のパターン４’を形成する。図２
（ｃ）において、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）
によりポリマ材料層２３を除去する。ＲＩＥによるエッ
チングは金属被膜には及ばない。
【００１７】図２（ｄ）において、残存している金属被
膜であるパターン２’、４’、金属被膜３２の露出部分
を除去する。ここで、ポリマ材料の光導波路２と位置合
わせマーク４が形成されたことになる。図２（ｅ）にお
いて、露出せしめられたアンダークラッド層３１の表面
全面にオーバークラッド層３１’を成膜する。オーバー
クラッド層３１’を形成する材料も、アンダークラッド
層３１を形成する材料と同様に、一例としてポリイミド
が使用される。複数種類のポリイミド溶液を適宜の割合
で混合してこれを塗布し、焼成して形成する。このオー
バークラッド層３１’が光導波路２を保護する最終的な
クラッド層３であるものとすることができる。
膜であるパターン２’、４’、金属被膜３２の露出部分
を除去する。ここで、ポリマ材料の光導波路２と位置合
わせマーク４が形成されたことになる。図２（ｅ）にお
いて、露出せしめられたアンダークラッド層３１の表面
全面にオーバークラッド層３１’を成膜する。オーバー
クラッド層３１’を形成する材料も、アンダークラッド
層３１を形成する材料と同様に、一例としてポリイミド
が使用される。複数種類のポリイミド溶液を適宜の割合
で混合してこれを塗布し、焼成して形成する。このオー
バークラッド層３１’が光導波路２を保護する最終的な
クラッド層３であるものとすることができる。
【００１８】図２（ｆ）において、更に、オーバークラ
ッド層３１’の光導波路２上方の表面のみに金属被膜
３’を成膜する。図２（ｇ）において、ＲＩＥによりオ
ーバークラッド層３１’下部のオーバークラッド層３
１’以外のオーバークラッド層３１’は除去され、位置
合わせマーク４および光導波路基板１表面が露出する。
金属被膜３’の下部に残存するオーバークラッド層３
１’がクラッド層３に相当する。図において、金属被膜
３’が残存して示されているが、これは除去しても差し
支えなく、通常は除去される。
ッド層３１’の光導波路２上方の表面のみに金属被膜
３’を成膜する。図２（ｇ）において、ＲＩＥによりオ
ーバークラッド層３１’下部のオーバークラッド層３
１’以外のオーバークラッド層３１’は除去され、位置
合わせマーク４および光導波路基板１表面が露出する。
金属被膜３’の下部に残存するオーバークラッド層３
１’がクラッド層３に相当する。図において、金属被膜
３’が残存して示されているが、これは除去しても差し
支えなく、通常は除去される。
【００１９】以上の通りにして、光導波路２と位置合わ
せマーク４とを１枚のフォトマスク上に作り込むことに
より光導波路２と位置合わせマーク４との間の相互位置
関係を正確に規定することができるので、高精度の位置
合わせを実現することができる。光導波路２を形成する
クラッド層３中に金属被膜である位置合わせマーク４を
残存する必要があるところから、層２３を形成する材料
は４００℃以下の低いプロセス温度により形成すること
ができるポリマ光導波路が好適である。光導波路として
火炎堆積法により石英光導波路を形成しようとすると、
石英のプロセス温度は１０００℃を超えるので金属層を
層中に残存することができないからである。
せマーク４とを１枚のフォトマスク上に作り込むことに
より光導波路２と位置合わせマーク４との間の相互位置
関係を正確に規定することができるので、高精度の位置
合わせを実現することができる。光導波路２を形成する
クラッド層３中に金属被膜である位置合わせマーク４を
残存する必要があるところから、層２３を形成する材料
は４００℃以下の低いプロセス温度により形成すること
ができるポリマ光導波路が好適である。光導波路として
火炎堆積法により石英光導波路を形成しようとすると、
石英のプロセス温度は１０００℃を超えるので金属層を
層中に残存することができないからである。
【００２０】そして、原材料基板にに対する断面Ｖ字溝
６と位置合わせマーク４’の形成の仕方については、先
ず、シリコンより成る原材料基板に周知慣用のエッチン
グ技術および金属被膜成膜技術を施して、断面Ｖ字溝６
および位置合わせマーク４’を容易に高精度に設定構成
することができる。図３および図４を参照して光送受信
モジュールの実施例を説明する。
６と位置合わせマーク４’の形成の仕方については、先
ず、シリコンより成る原材料基板に周知慣用のエッチン
グ技術および金属被膜成膜技術を施して、断面Ｖ字溝６
および位置合わせマーク４’を容易に高精度に設定構成
することができる。図３および図４を参照して光送受信
モジュールの実施例を説明する。
【００２１】先ず、図３（ａ）を参照するに、光導波路
基板１には、光導波路２が形成されるクラッド層３の他
に、レーザダイオード９とこれに接続する電極１１、フ
ォトダイオード１０とこれに接続する電極１１が取り付
け形成されている。更に、この光導波路基板１には位置
合わせマーク４も４箇所に形成されている。光導波路基
板１に取り付け形成される各部材と位置合わせマーク４
との間の位置関係は高精度に設定構成される。
基板１には、光導波路２が形成されるクラッド層３の他
に、レーザダイオード９とこれに接続する電極１１、フ
ォトダイオード１０とこれに接続する電極１１が取り付
け形成されている。更に、この光導波路基板１には位置
合わせマーク４も４箇所に形成されている。光導波路基
板１に取り付け形成される各部材と位置合わせマーク４
との間の位置関係は高精度に設定構成される。
【００２２】次いで、図３（ｂ）を参照するに、断面Ｖ
字溝６を形成する基板である断面Ｖ字溝基板５には、エ
ッチングにより光ファイバ８が嵌合接合される断面Ｖ字
溝６の他に、組み立てに際して光導波路基板１面に突出
して取り付けられているクラッド層３、レーザダイオー
ド９およびフォトダイオード１０が収容される凹み１２
が形成されている。７はダイシング溝を示す。そして、
この断面Ｖ字溝基板５の表面には、更に、位置合わせマ
ーク４が４箇所に形成されると共に、信号入出力用の電
極１１’が形成されている。そして、電極１１’の内の
光導波路基板１の電極１１に対応する位置には半田バン
プ１３が形成されている。断面Ｖ字溝基板５に取り付け
形成される各部材と位置合わせマーク４との間の位置関
係は高精度に設定構成される。
字溝６を形成する基板である断面Ｖ字溝基板５には、エ
ッチングにより光ファイバ８が嵌合接合される断面Ｖ字
溝６の他に、組み立てに際して光導波路基板１面に突出
して取り付けられているクラッド層３、レーザダイオー
ド９およびフォトダイオード１０が収容される凹み１２
が形成されている。７はダイシング溝を示す。そして、
この断面Ｖ字溝基板５の表面には、更に、位置合わせマ
ーク４が４箇所に形成されると共に、信号入出力用の電
極１１’が形成されている。そして、電極１１’の内の
光導波路基板１の電極１１に対応する位置には半田バン
プ１３が形成されている。断面Ｖ字溝基板５に取り付け
形成される各部材と位置合わせマーク４との間の位置関
係は高精度に設定構成される。
【００２３】ここで、この光送受信モジュールの実施例
の組み立ての仕方を図３（ｃ）をも参照して説明する。
図３（ａ）において説明された通りに構成された光導波
路基板１にレーザダイオード９およびフォトダイオード
１０を実装した後、この光導波路基板１を上下を逆に反
転し、図３（ｂ）において説明された通りに構成された
断面Ｖ字溝基板５に対して位置合わせマーク４、４’を
参照して相互位置合わせし、加熱、加圧することにより
半田バンプ１３による接合を実施する。更に、光導波路
基板１と断面Ｖ字溝基板５の間の隙間に樹脂を充填し、
実装したレーザダイオード９およびフォトダイオード１
０の保護を保証する。
の組み立ての仕方を図３（ｃ）をも参照して説明する。
図３（ａ）において説明された通りに構成された光導波
路基板１にレーザダイオード９およびフォトダイオード
１０を実装した後、この光導波路基板１を上下を逆に反
転し、図３（ｂ）において説明された通りに構成された
断面Ｖ字溝基板５に対して位置合わせマーク４、４’を
参照して相互位置合わせし、加熱、加圧することにより
半田バンプ１３による接合を実施する。更に、光導波路
基板１と断面Ｖ字溝基板５の間の隙間に樹脂を充填し、
実装したレーザダイオード９およびフォトダイオード１
０の保護を保証する。
【００２４】図５および図６を参照して光送受信モジュ
ールの他の実施例を説明する。光通信技術分野において
は、波長１. ３１μｍの信号光による双方向デジタル通
信と、波長１. ５５μｍの信号光によるアナログ映像放
送とを１本の光ファイバにより実施する計画が立てられ
ている。この場合、信号光をアクセスする末端において
は、波長１. ３１μｍの信号光と波長１. ５５μｍの信
号光の２波長光をフィルタにより分離し、波長１. ３１
μｍの信号光はレーザダイオード９およびフォトダイオ
ード１０の双方に導入すると共に、波長１. ５５μｍの
信号光は映像受信機に導入することができる双方向通信
モジュールが必要となる。
ールの他の実施例を説明する。光通信技術分野において
は、波長１. ３１μｍの信号光による双方向デジタル通
信と、波長１. ５５μｍの信号光によるアナログ映像放
送とを１本の光ファイバにより実施する計画が立てられ
ている。この場合、信号光をアクセスする末端において
は、波長１. ３１μｍの信号光と波長１. ５５μｍの信
号光の２波長光をフィルタにより分離し、波長１. ３１
μｍの信号光はレーザダイオード９およびフォトダイオ
ード１０の双方に導入すると共に、波長１. ５５μｍの
信号光は映像受信機に導入することができる双方向通信
モジュールが必要となる。
【００２５】ここで、図５（ａ）を参照するに、光導波
路基板１には光導波路２が形成されるクラッド層３が接
合固定されている。この実施例の光導波路２は波長１.
３１μｍの信号光および波長１. ５５μｍの信号光を伝
送する直線光導波路２１と波長１. ３１μｍの信号光を
伝送するＹ分岐光導波路２２より成る。そして、直線光
導波路２１とＹ分岐光導波路２２の結合端面はクラッド
層３の端面に露出し、この露出した結合端面に波長１.
５５μｍの信号光は透過するが、波長１. ３１μｍの信
号光は反射する誘電体多層膜フィルタ１４を形成する。
図５（ａ′）は光導波路基板１を上から視た図であり、
クラッド層３の結合端面が露出した端面は直線光導波路
２１に対して直角ではなく、誘電体多層膜フィルタ１４
における反射光がＹ分岐光導波路２２に導入される角度
に構成されている。位置合わせマーク４の形成の仕方は
図２を参照して後で説明される。光導波路２は光導波路
基板１に形成される一方、断面Ｖ字溝６は断面Ｖ字溝基
板５の表面に形成されていて、両基板が別体であるの
で、光導波路２の端面に誘電体多層膜フィルタ１４を形
成する上において好都合であり、その形成を容易にして
いる。
路基板１には光導波路２が形成されるクラッド層３が接
合固定されている。この実施例の光導波路２は波長１.
３１μｍの信号光および波長１. ５５μｍの信号光を伝
送する直線光導波路２１と波長１. ３１μｍの信号光を
伝送するＹ分岐光導波路２２より成る。そして、直線光
導波路２１とＹ分岐光導波路２２の結合端面はクラッド
層３の端面に露出し、この露出した結合端面に波長１.
５５μｍの信号光は透過するが、波長１. ３１μｍの信
号光は反射する誘電体多層膜フィルタ１４を形成する。
図５（ａ′）は光導波路基板１を上から視た図であり、
クラッド層３の結合端面が露出した端面は直線光導波路
２１に対して直角ではなく、誘電体多層膜フィルタ１４
における反射光がＹ分岐光導波路２２に導入される角度
に構成されている。位置合わせマーク４の形成の仕方は
図２を参照して後で説明される。光導波路２は光導波路
基板１に形成される一方、断面Ｖ字溝６は断面Ｖ字溝基
板５の表面に形成されていて、両基板が別体であるの
で、光導波路２の端面に誘電体多層膜フィルタ１４を形
成する上において好都合であり、その形成を容易にして
いる。
【００２６】図５（ｂ）を参照するに、断面Ｖ字溝基板
５には、光ファイバ８が嵌合接合固定される断面Ｖ字溝
６が形成されると共にその表面にはレーザダイオード９
に接続する電極１１’およびフォトダイオード１０に接
続する電極１１’が形成される。ダイシング溝７は光導
波路基板１に対応して角度が付されている。そして、レ
ーザダイオード９およびフォトダイオード１０をそれぞ
れの電極１１’に接続固定する。
５には、光ファイバ８が嵌合接合固定される断面Ｖ字溝
６が形成されると共にその表面にはレーザダイオード９
に接続する電極１１’およびフォトダイオード１０に接
続する電極１１’が形成される。ダイシング溝７は光導
波路基板１に対応して角度が付されている。そして、レ
ーザダイオード９およびフォトダイオード１０をそれぞ
れの電極１１’に接続固定する。
【００２７】ここで、この実施例の光送受信モジュール
の組み立ての仕方を図６をも参照して説明する。図５
（ａ）において説明された通りに構成された光導波路基
板１を上下を逆に反転し、図５（ｂ）において説明され
た通りに構成された断面Ｖ字溝基板５に対して位置合わ
せマーク４、４’を参照して相互位置合わせをし、光導
波路基板１と断面Ｖ字溝基板５の間を接合一体化する。
更に、断面Ｖ字溝６の双方に光ファイバ８を嵌合接合固
定して組み立ては終了する。
の組み立ての仕方を図６をも参照して説明する。図５
（ａ）において説明された通りに構成された光導波路基
板１を上下を逆に反転し、図５（ｂ）において説明され
た通りに構成された断面Ｖ字溝基板５に対して位置合わ
せマーク４、４’を参照して相互位置合わせをし、光導
波路基板１と断面Ｖ字溝基板５の間を接合一体化する。
更に、断面Ｖ字溝６の双方に光ファイバ８を嵌合接合固
定して組み立ては終了する。
【００２８】光導波路基板１に形成される位置合わせマ
ーク４と断面Ｖ字溝６が形成される断面Ｖ字溝基板５に
形成される位置合わせマーク４’相互を認識して位置合
わせするには、対向させた夫々の基板の間にカメラを挿
入し、両位置合わせマークのパターンを同時に観察して
位置合わせを実施する。或いは、赤外線、Ｘ線の如き透
過性の強い光を使用して基板の位置合わせマークを照射
し、透過光を観察して位置合わせを実施する。光導波路
基板１および断面Ｖ字溝基板５は実際の厚さは小さいの
で、赤外線、Ｘ線は容易に透過して位置合わせマークを
透視することができる。以上の位置決め芯合わせ工程は
極く簡単である上に芯合わせ工程に要する時間は極く僅
かである。
ーク４と断面Ｖ字溝６が形成される断面Ｖ字溝基板５に
形成される位置合わせマーク４’相互を認識して位置合
わせするには、対向させた夫々の基板の間にカメラを挿
入し、両位置合わせマークのパターンを同時に観察して
位置合わせを実施する。或いは、赤外線、Ｘ線の如き透
過性の強い光を使用して基板の位置合わせマークを照射
し、透過光を観察して位置合わせを実施する。光導波路
基板１および断面Ｖ字溝基板５は実際の厚さは小さいの
で、赤外線、Ｘ線は容易に透過して位置合わせマークを
透視することができる。以上の位置決め芯合わせ工程は
極く簡単である上に芯合わせ工程に要する時間は極く僅
かである。
【００２９】組み立ての終了した光送受信モジュールに
おいて、光ファイバ８はそれぞれその中心軸を直線光導
波路２１の端面中心に対向した状態にあり、レーザダイ
オード９およびフォトダイオード１０はＹ分岐光導波路
２２のそれぞれの分岐端面に対向している。以上の構成
において、一方の光ファイバ８を介して入射した波長
１. ５５μｍの信号光は、直線光導波路２１に送り込ま
れ、誘電体多層膜フィルタ１４を透過して他方の光ファ
イバ８に出力される。
おいて、光ファイバ８はそれぞれその中心軸を直線光導
波路２１の端面中心に対向した状態にあり、レーザダイ
オード９およびフォトダイオード１０はＹ分岐光導波路
２２のそれぞれの分岐端面に対向している。以上の構成
において、一方の光ファイバ８を介して入射した波長
１. ５５μｍの信号光は、直線光導波路２１に送り込ま
れ、誘電体多層膜フィルタ１４を透過して他方の光ファ
イバ８に出力される。
【００３０】これに対して、一方の光ファイバ８を介し
て入射した波長１. ３１μｍの信号光は、直線光導波路
２１に送り込まれ、誘電体多層膜フィルタ１４において
反射してＹ分岐光導波路２２に導入され、その分岐端面
に対向設置されているフォトダイオード１０に受光され
るに到る。そして、レーザダイオード９から送信される
波長１. ３１μｍの信号光は、レーザダイオード９に対
向する分岐端面を介してＹ分岐光導波路２２に導入さ
れ、誘電体多層膜フィルタ１４において反射して直線光
導波路２１に送り込まれ、直線光導波路２１に対向する
一方の光ファイバ８に出力される。以上の通りにして、
波長１. ３１μｍの信号光による双方向通信と、波長
１. ５５μｍの信号光による通信を１本の光ファイバに
より実施することができる。
て入射した波長１. ３１μｍの信号光は、直線光導波路
２１に送り込まれ、誘電体多層膜フィルタ１４において
反射してＹ分岐光導波路２２に導入され、その分岐端面
に対向設置されているフォトダイオード１０に受光され
るに到る。そして、レーザダイオード９から送信される
波長１. ３１μｍの信号光は、レーザダイオード９に対
向する分岐端面を介してＹ分岐光導波路２２に導入さ
れ、誘電体多層膜フィルタ１４において反射して直線光
導波路２１に送り込まれ、直線光導波路２１に対向する
一方の光ファイバ８に出力される。以上の通りにして、
波長１. ３１μｍの信号光による双方向通信と、波長
１. ５５μｍの信号光による通信を１本の光ファイバに
より実施することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明に依れ
ば、原材料基板表面にエッチング技術および薄膜成膜技
術を適用してクラッドに埋設される光導波路と位置合わ
せマークを形成して光導波路基板を構成し、原材料基板
表面にエッチング技術および薄膜成膜技術を適用して断
面Ｖ字溝および位置合わせマークを形成して断面Ｖ字溝
基板を構成することにより、これら両位置合わせマーク
を参照して光導波路基板と断面Ｖ字溝基板の両者の位置
決め固定を容易正確に実施することができる。この発明
による位置決めはパッシブアライメントでありながら、
位置決め芯合わせ精度はアクティブアライメントに匹敵
するものであり、位置決め芯合わせ工程は極く簡単であ
る上に芯合わせ工程に要する時間は極く僅かである。
ば、原材料基板表面にエッチング技術および薄膜成膜技
術を適用してクラッドに埋設される光導波路と位置合わ
せマークを形成して光導波路基板を構成し、原材料基板
表面にエッチング技術および薄膜成膜技術を適用して断
面Ｖ字溝および位置合わせマークを形成して断面Ｖ字溝
基板を構成することにより、これら両位置合わせマーク
を参照して光導波路基板と断面Ｖ字溝基板の両者の位置
決め固定を容易正確に実施することができる。この発明
による位置決めはパッシブアライメントでありながら、
位置決め芯合わせ精度はアクティブアライメントに匹敵
するものであり、位置決め芯合わせ工程は極く簡単であ
る上に芯合わせ工程に要する時間は極く僅かである。
【図１】光導波路スプリッタの実施例の斜視図。
【図２】光導波路および基板の位置合わせマークの製造
工程を説明する図。
工程を説明する図。
【図３】光送受信モジュールの実施例を説明する図。
【図４】図３の続き。
【図５】光送受信モジュールの他の実施例を説明する
図。
図。
【図６】図５の続き。
【図７】従来例を説明する斜視図。
【図８】図７の続き。
１ 光導波路基板 １０ フォトダイオード １１ 電極 １１’信号入出力用の電極 １２ 凹み １３ 半田バンプ １４ 誘電体多層膜フィルタ ２ 光導波路 ２’光導波路のパターン ２１ 直線光導波路 ２１’直線部 ２２ Ｙ分岐光導波路 ２２’Ｙ分岐部 ２３ ポリマ材料層 ３ クラッド層 ３’金属被膜 ３１ アンダークラッド層 ３１’オーバークラッド層 ３２ 金属被膜 ４ 位置合わせマーク ４’位置合わせマークのパターン ５ 断面Ｖ字溝基板 ６ 断面Ｖ字溝 ７ ダイシング溝 ８ 光ファイバ ９ レーザダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加来 良二 東京都渋谷区道玄坂１丁目21番２号 日本 航空電子工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H037 BA04 BA13 BA24 DA02 DA03 DA04 DA11 DA12 2H047 AA04 AA12 CC05 CC07 EE24 GG07
Claims (10)
- 【請求項１】 原材料基板表面にエッチング技術および
薄膜成膜技術を適用してクラッドに埋設される光導波路
と位置合わせマークを形成して光導波路基板を構成し、 原材料基板表面にエッチング技術および薄膜成膜技術を
適用して断面Ｖ字溝および位置合わせマークを形成して
断面Ｖ字溝基板を構成し、 これら両位置合わせマークを参照して光導波路基板と断
面Ｖ字溝基板の両者を位置決め接合し、 断面Ｖ字溝に光ファイバを嵌合固定したことを特徴とす
る光導波路デバイス。 - 【請求項２】 請求項１に記載される光導波路デバイス
において、 光導波路は直線部およびＹ分岐部より成るＹ分岐光導波
路であることを特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項３】 請求項２に記載される光導波路デバイス
において、 光導波路の直線部の端面をその軸方向に関して傾斜面に
加工してこれに誘電体多層膜フィルタを形成したことを
特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項４】 請求項２および請求項３の内の何れかに
記載される光導波路デバイスにおいて、 光導波路基板の表面に光導波路のＹ分岐部の端面に対向
して発光器或いは受光器を位置決め固定したことを特徴
とする光導波路デバイス。 - 【請求項５】 請求項１に記載される光導波路デバイス
において、 光導波路は直線光導波路とＹ分岐光導波路より成り、直
線光導波路の一方の端部とＹ分岐光導波路の直線部は結
合端部を構成し、 結合端部の端面をＹ分岐光導波路の直線部の軸方向に関
して傾斜面に加工してこれに誘電体多層膜フィルタを形
成したことを特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項６】 請求項５に記載される光導波路デバイス
において、 光導波路基板の表面にＹ分岐光導波路のＹ分岐部の端面
に対向して発光器或いは受光器を位置決め固定したこと
を特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項７】 請求項６に記載される光導波路デバイス
において、 光導波路基板の表面にＹ分岐光導波路のＹ分岐部の一方
の端面に対向して発光器を位置決め固定すると共に他方
の端面に受光器を位置決め固定したことを特徴とする光
導波路デバイス。 - 【請求項８】 請求項１ないし請求項７の内の何れかに
記載される光導波路デバイスにおいて、 光導波路はポリマー材料により構成したものであること
を特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項９】 シリコンより成る光導波路基板の表面に
アンダークラッド層を形成し、 アンダークラッド層の表面の所定の位置に位置合わせマ
ーク形成用の金属被膜を形成し、 位置合わせマーク形成用の金属被膜を含みアンダークラ
ッド層の表面全面に光導波路形成用のポリマ材料層を形
成し、 光導波路形成用のポリマ材料層の表面に光導波路形成用
のパターン位置合わせマーク形成用のパターンを形成
し、 反応性イオンエッチング法により光導波路形成用のポリ
マ材料層を除去し、 光導波路形成用のパターン、位置合わせマーク形成用の
パターンおよび位置合わせマーク形成用の金属被膜の露
出部分を除去し、 アンダークラッド層の表面全面にオーバークラッド層を
成膜したことを特徴とする光導波路デバイスの製造方
法。 - 【請求項１０】 請求項９に記載される光導波路デバイ
スの製造方法において、 オーバークラッド層の光導波路上方の表面のみに金属被
膜を成膜し、 反応性イオンエッチング法によりオーバークラッド層下
部のオーバークラッド層以外のオーバークラッド層を除
去して位置合わせマーク４および光導波路基板１表面を
露出せしめることを特徴とする光導波路デバイスの製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21222898A JP2000047055A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 光導波路デバイスおよびその製造方法 |
| CA 2278826 CA2278826C (en) | 1998-07-28 | 1999-07-26 | Optical waveguide device and method of producing the same |
| DE1999633176 DE69933176T2 (de) | 1998-07-28 | 1999-07-28 | Optische Wellenleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
| EP19990114254 EP0977061B1 (en) | 1998-07-28 | 1999-07-28 | Optical waveguide device and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21222898A JP2000047055A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 光導波路デバイスおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000047055A true JP2000047055A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16619088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21222898A Pending JP2000047055A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 光導波路デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0977061B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000047055A (ja) |
| CA (1) | CA2278826C (ja) |
| DE (1) | DE69933176T2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020077078A (ko) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | 주식회사일진 | 광도파로가 구비된 소형형상요소형 광모듈 |
| US6671438B2 (en) | 2000-11-01 | 2003-12-30 | Hitachi, Ltd. | Optical waveguide, optical module, and their fabrication method |
| KR20040026989A (ko) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | 전자부품연구원 | 수동 정렬 소자를 이용한 광도파로 소자의 패키지 모듈 및그의 제조방법 |
| KR20040042672A (ko) * | 2002-11-15 | 2004-05-20 | 전자부품연구원 | 수동 정렬 소자를 이용한 광도파로 소자의 패키지 모듈 및그의 제조방법 |
| JP2006053473A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Sony Corp | 光導波モジュール及びその実装構造 |
| KR100584115B1 (ko) | 2003-12-24 | 2006-05-30 | 전자부품연구원 | 광 스플리터 및 그의 제조방법 |
| KR100713498B1 (ko) * | 2002-07-02 | 2007-05-02 | 오므론 가부시키가이샤 | 광도파로 장치 및 광도파로 장치의 제조 방법 |
| JP2008542832A (ja) * | 2005-06-03 | 2008-11-27 | ザ センター フォー インテグレイテッド フォトニクス リミテッド | 光学素子と導波路とのアライメント方法 |
| JP4789619B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2011-10-12 | ホーヤ コーポレイション ユーエスエイ | 光学装置および光学装置を組み込んだ光学アセンブリ |
| TWI393928B (zh) * | 2008-11-19 | 2013-04-21 | Ind Tech Res Inst | 光波導結構及其製造方法 |
| JP2015194689A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-11-05 | シチズンホールディングス株式会社 | 光ファイバの実装部品、光モジュールおよび製造方法 |
| JP2016103545A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | シチズンホールディングス株式会社 | 光モジュールおよびその製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6956999B2 (en) | 2001-02-20 | 2005-10-18 | Cyberoptics Corporation | Optical device |
| US6546172B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-04-08 | Avanti Optics Corporation | Optical device |
| US6443631B1 (en) | 2001-02-20 | 2002-09-03 | Avanti Optics Corporation | Optical module with solder bond |
| US20040212802A1 (en) | 2001-02-20 | 2004-10-28 | Case Steven K. | Optical device with alignment compensation |
| US6546173B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-04-08 | Avanti Optics Corporation | Optical module |
| JP3667689B2 (ja) * | 2001-12-10 | 2005-07-06 | 三菱電機株式会社 | 光ファイバ保持装置、光分散等化器及び光ファイバ保持装置の製造方法 |
| US6819841B2 (en) | 2002-08-29 | 2004-11-16 | International Business Machines Corporation | Self-aligned optical waveguide to optical fiber connection system |
| JP2005049821A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-24 | Omron Corp | 光合分波器、光集積回路及びそれらを用いた光送受信器 |
| GB2463226B (en) * | 2008-07-22 | 2011-01-12 | Conjunct Ltd | Optical sub-assembly |
| GB2495518B (en) * | 2011-10-12 | 2016-08-31 | Oxsensis Ltd | Optical sensor for sensing temperature of an adjacent gas |
| GB202103138D0 (en) | 2021-03-05 | 2021-04-21 | Sivers Photonics Ltd | Photonic device with fiducial marks for alignment of an optical component |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0769497B2 (ja) * | 1988-02-05 | 1995-07-31 | 日本電信電話株式会社 | 光部品実装体 |
| EP0548440A1 (en) * | 1991-12-23 | 1993-06-30 | International Business Machines Corporation | Bilithic composite for optoelectronic integration |
| US5559914A (en) * | 1993-10-19 | 1996-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Components for optical circuits and method of manufacturing the same |
| US5611008A (en) * | 1996-01-26 | 1997-03-11 | Hughes Aircraft Company | Substrate system for optoelectronic/microwave circuits |
| US5600745A (en) * | 1996-02-08 | 1997-02-04 | Industrial Technology Research Institute | Method of automatically coupling between a fiber and an optical waveguide |
| EP0864893A3 (en) * | 1997-03-13 | 1999-09-22 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Packaging platform, optical module using the platform, and methods for producing the platform and the module |
-
1998
- 1998-07-28 JP JP21222898A patent/JP2000047055A/ja active Pending
-
1999
- 1999-07-26 CA CA 2278826 patent/CA2278826C/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-28 DE DE1999633176 patent/DE69933176T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-28 EP EP19990114254 patent/EP0977061B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6671438B2 (en) | 2000-11-01 | 2003-12-30 | Hitachi, Ltd. | Optical waveguide, optical module, and their fabrication method |
| KR20020077078A (ko) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | 주식회사일진 | 광도파로가 구비된 소형형상요소형 광모듈 |
| KR100713498B1 (ko) * | 2002-07-02 | 2007-05-02 | 오므론 가부시키가이샤 | 광도파로 장치 및 광도파로 장치의 제조 방법 |
| KR100766686B1 (ko) * | 2002-07-02 | 2007-10-15 | 오므론 가부시키가이샤 | 광도파로 장치, 광도파로 장치의 제조 방법 및 광통신용 장치 |
| KR20040026989A (ko) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | 전자부품연구원 | 수동 정렬 소자를 이용한 광도파로 소자의 패키지 모듈 및그의 제조방법 |
| JP4789619B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2011-10-12 | ホーヤ コーポレイション ユーエスエイ | 光学装置および光学装置を組み込んだ光学アセンブリ |
| KR20040042672A (ko) * | 2002-11-15 | 2004-05-20 | 전자부품연구원 | 수동 정렬 소자를 이용한 광도파로 소자의 패키지 모듈 및그의 제조방법 |
| KR100584115B1 (ko) | 2003-12-24 | 2006-05-30 | 전자부품연구원 | 광 스플리터 및 그의 제조방법 |
| JP2006053473A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Sony Corp | 光導波モジュール及びその実装構造 |
| JP2008542832A (ja) * | 2005-06-03 | 2008-11-27 | ザ センター フォー インテグレイテッド フォトニクス リミテッド | 光学素子と導波路とのアライメント方法 |
| TWI393928B (zh) * | 2008-11-19 | 2013-04-21 | Ind Tech Res Inst | 光波導結構及其製造方法 |
| JP2015194689A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-11-05 | シチズンホールディングス株式会社 | 光ファイバの実装部品、光モジュールおよび製造方法 |
| JP2016103545A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | シチズンホールディングス株式会社 | 光モジュールおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0977061A2 (en) | 2000-02-02 |
| EP0977061B1 (en) | 2006-09-13 |
| DE69933176D1 (de) | 2006-10-26 |
| CA2278826A1 (en) | 2000-01-28 |
| CA2278826C (en) | 2006-09-12 |
| EP0977061A3 (en) | 2001-02-28 |
| DE69933176T2 (de) | 2007-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000047055A (ja) | 光導波路デバイスおよびその製造方法 | |
| JP3302458B2 (ja) | 集積化光装置及び製造方法 | |
| CN101432649B (zh) | 光学模块及其制造方法 | |
| US4725114A (en) | Optical waveguide lateral alignment arrangement | |
| US6965714B2 (en) | Integrated aspheric optical coupler for RF planarized automatic photonics packaging | |
| US5499732A (en) | Method for fabricating an optical device | |
| US7486846B2 (en) | Optical transmitting /receiving module | |
| US6904220B2 (en) | Optical waveguide, optical module, and method for producing same module | |
| JP4060023B2 (ja) | 光導波路送受信モジュール | |
| EP0874258A1 (en) | Connection of an optoelectronic element or to a waveguide with an optical fibre ferrule | |
| JP2001242339A (ja) | 光ファイバーレンズアレイ | |
| CA2199895A1 (en) | Photoplethysmographic instrument having an integrated multimode optical coupler device | |
| US6766076B2 (en) | Optical module and method for assembling the same | |
| JP2005122084A (ja) | 光素子モジュール | |
| TW201312191A (zh) | 透明光學插入件 | |
| CN1361877A (zh) | 利用soi光学波导的可拆卸光学无线收发装置 | |
| JPH1123914A (ja) | 光素子と光ファイバとの固定構造 | |
| JP2001091794A (ja) | 光モジュールの実装方法及び実装構造 | |
| JPS6146911A (ja) | 導波形光モジユ−ル | |
| US6238102B1 (en) | Multiaxial optical coupler | |
| JPS6360413A (ja) | 発光素子と光フアイバの結合方法および光導波型結合装置 | |
| EP1043608A1 (en) | Optical device and optical module with optical device | |
| US20060193560A1 (en) | Coupling structure between a fiber and a planar lightwave circuit (PLC) and manufacturing method therefor | |
| JP2004271894A (ja) | 光モジュール、光軸調整装置、及び光通信システム | |
| JP2897742B2 (ja) | 光送受信モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041012 |