JP2000045062A - 電磁防止成形体 - Google Patents
電磁防止成形体Info
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- JP2000045062A JP2000045062A JP21225798A JP21225798A JP2000045062A JP 2000045062 A JP2000045062 A JP 2000045062A JP 21225798 A JP21225798 A JP 21225798A JP 21225798 A JP21225798 A JP 21225798A JP 2000045062 A JP2000045062 A JP 2000045062A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電磁シールド特性が高く、密着力および耐食
性に優れた電磁防止成形体を提供する。 【解決手段】 プラスチック成形体と、該プラスチック
成形体の表面に、膜厚が０．５〜２．０μｍに成膜した
Ｃｕの第１層被膜と、該第１層被膜の上に膜厚が０．２
〜１．０μｍに成膜したＮｉの第２層被膜とからなる電
磁防止成形体であり、前記プラスチック成形体の表面を
Ａｒガスのプラズマ中に曝し、続いてＯ2ガスのプラズ
マ中に曝してから、前記第１層被膜および第２層被膜を
真空工法による成膜により形成する。
性に優れた電磁防止成形体を提供する。 【解決手段】 プラスチック成形体と、該プラスチック
成形体の表面に、膜厚が０．５〜２．０μｍに成膜した
Ｃｕの第１層被膜と、該第１層被膜の上に膜厚が０．２
〜１．０μｍに成膜したＮｉの第２層被膜とからなる電
磁防止成形体であり、前記プラスチック成形体の表面を
Ａｒガスのプラズマ中に曝し、続いてＯ2ガスのプラズ
マ中に曝してから、前記第１層被膜および第２層被膜を
真空工法による成膜により形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック成形
体に金属被膜を成膜した電磁防止成形体に関する。
体に金属被膜を成膜した電磁防止成形体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パソコン、携帯電話、ＰＨＳなど
の機器が広く使用されているが、放射された電磁波が、
他の電子機器に誤動作を与えることや、人体に影響を与
えることが考えられる。そのため、それらの機器に電磁
防止（電磁波シールド）の処理が必要になる。電磁波シ
ールドの効果に優れ、低コストで、量産性に優れて、な
おかつ耐久性、耐食性が良好な電磁防止成形体が望まれ
ている。
の機器が広く使用されているが、放射された電磁波が、
他の電子機器に誤動作を与えることや、人体に影響を与
えることが考えられる。そのため、それらの機器に電磁
防止（電磁波シールド）の処理が必要になる。電磁波シ
ールドの効果に優れ、低コストで、量産性に優れて、な
おかつ耐久性、耐食性が良好な電磁防止成形体が望まれ
ている。
【０００３】従来より、電気機器、電子機器には種々の
電磁波シールドが施されてきた。プラスチック成形体の
中に導電性金属を混入したり、導電性塗料を塗布した
り、湿式メッキ被膜や金属被膜をプラスチック成形体の
表面に成膜する方法が知られている。
電磁波シールドが施されてきた。プラスチック成形体の
中に導電性金属を混入したり、導電性塗料を塗布した
り、湿式メッキ被膜や金属被膜をプラスチック成形体の
表面に成膜する方法が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】金属をプラスチック成
形体の表面に成膜する方法として、無電解メッキ法が従
来用いられていた。無電解メッキ法では、エッチング処
理や、触媒付加等の処理が行われ、プラスチック成形体
と金属との密着力は強固である。しかし、無電解メッキ
の廃液処理の問題と、メッキ時間が長いという量産性の
問題がある。さらに、プラスチック成形体の両面に金属
が付着してしまうので、該プラスチック成形体を商品に
する場合は、片面に塗装等を施す必要があり、コスト上
昇の原因となる問題もある。
形体の表面に成膜する方法として、無電解メッキ法が従
来用いられていた。無電解メッキ法では、エッチング処
理や、触媒付加等の処理が行われ、プラスチック成形体
と金属との密着力は強固である。しかし、無電解メッキ
の廃液処理の問題と、メッキ時間が長いという量産性の
問題がある。さらに、プラスチック成形体の両面に金属
が付着してしまうので、該プラスチック成形体を商品に
する場合は、片面に塗装等を施す必要があり、コスト上
昇の原因となる問題もある。
【０００５】また、真空工法を利用し、金属をプラスチ
ック成形体の表面に成膜する方法では、Ａｌを膜厚が厚
く成膜する方法や、導電性の高いＣｕと、耐食性の高い
Ｎｉとを積層する方法が一般的である。それらの密着力
を高めるには、プラスチック成形体にプライマー処理を
したり、湿式メッキを施したり、プラズマクリーニング
をする必要がある。しかし、これらの方法は生産性やコ
ストに問題がある。
ック成形体の表面に成膜する方法では、Ａｌを膜厚が厚
く成膜する方法や、導電性の高いＣｕと、耐食性の高い
Ｎｉとを積層する方法が一般的である。それらの密着力
を高めるには、プラスチック成形体にプライマー処理を
したり、湿式メッキを施したり、プラズマクリーニング
をする必要がある。しかし、これらの方法は生産性やコ
ストに問題がある。
【０００６】すなわち、プライマー処理をする方法に
は、塗装設備および乾燥設備が必要で、コーティングが
不必要な部分のマスキング作業も必要になる。湿式メッ
キをする方法には、メッキ設備および廃水処理設備が必
要で、メッキが不必要な部分のマスキング作業および塗
装作業も必要となる。
は、塗装設備および乾燥設備が必要で、コーティングが
不必要な部分のマスキング作業も必要になる。湿式メッ
キをする方法には、メッキ設備および廃水処理設備が必
要で、メッキが不必要な部分のマスキング作業および塗
装作業も必要となる。
【０００７】また、Ａｒガスなどの不活性ガスによるプ
ラズマクリーニングをする方法には、初期密着性等の密
着力の向上には効果があるが、長時間の耐湿試験および
塩水噴霧試験に耐えうるほどの密着力は得られない。
ラズマクリーニングをする方法には、初期密着性等の密
着力の向上には効果があるが、長時間の耐湿試験および
塩水噴霧試験に耐えうるほどの密着力は得られない。
【０００８】そこで本発明は、電磁シールド特性が高
く、密着力および耐食性に優れた電磁防止成形体を提供
することを目的とする。
く、密着力および耐食性に優れた電磁防止成形体を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電磁防止成形体は、プラスチック成形体
と、該プラスチック成形体の表面に成膜したＣｕの第１
層被膜と、該第１層被膜の上に成膜したＮｉの第２層被
膜とからなる電磁防止成形体であり、前記プラスチック
成形体の表面をＡｒガスのプラズマ中に曝し、続いてＯ
2 ガスのプラズマ中に曝してから、前記第１層被膜およ
び第２層被膜を真空工法による成膜により形成する。
に、本発明の電磁防止成形体は、プラスチック成形体
と、該プラスチック成形体の表面に成膜したＣｕの第１
層被膜と、該第１層被膜の上に成膜したＮｉの第２層被
膜とからなる電磁防止成形体であり、前記プラスチック
成形体の表面をＡｒガスのプラズマ中に曝し、続いてＯ
2 ガスのプラズマ中に曝してから、前記第１層被膜およ
び第２層被膜を真空工法による成膜により形成する。
【００１０】また、好ましくは、前記第１層被膜の膜厚
が０．５〜２．０μｍであり、前記第２層被膜の膜厚が
０．２〜１．０μｍである
が０．５〜２．０μｍであり、前記第２層被膜の膜厚が
０．２〜１．０μｍである
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明では、先ずプラスチック成
形体を真空槽内でＡｒガスのプラズマ中に曝し、続いて
Ｏ2 ガスのプラズマ中に曝す手順でプラズマ処理を行
う。続いて真空工法により、膜厚が０．５〜２．０μｍ
のＣｕの第１層被膜を成膜し、膜厚が０．２〜１．０μ
ｍのＮｉの第２層被膜を成膜する手順で成膜処理を行
い、電磁防止成形体を得る。
形体を真空槽内でＡｒガスのプラズマ中に曝し、続いて
Ｏ2 ガスのプラズマ中に曝す手順でプラズマ処理を行
う。続いて真空工法により、膜厚が０．５〜２．０μｍ
のＣｕの第１層被膜を成膜し、膜厚が０．２〜１．０μ
ｍのＮｉの第２層被膜を成膜する手順で成膜処理を行
い、電磁防止成形体を得る。
【００１２】本発明に用いられるプラスチック成形体に
は、ＡＢＳ、ＡＢＳとポリカーボネイトの混合物、ポリ
カーボネイト等で、パソコンや携帯電話などに多く使用
されている樹脂が好ましい。また、従来から金属との密
着力が低いとされているポリプロピレンなどの樹脂でも
よい。
は、ＡＢＳ、ＡＢＳとポリカーボネイトの混合物、ポリ
カーボネイト等で、パソコンや携帯電話などに多く使用
されている樹脂が好ましい。また、従来から金属との密
着力が低いとされているポリプロピレンなどの樹脂でも
よい。
【００１３】前記プラズマ処理では、不活性ガスである
Ａｒガスのプラズマ中に曝すことにより、プラスチック
成型体の表面がＡｒイオンの衝突で物理的に凹凸にな
り、表面積が増大する。続いて、Ｏ2 ガスのプラズマ中
に曝すことにより、プラスチック成型体の表面は、化学
的にエッチングされて活性な状態になり、金属との濡れ
性が増大する。
Ａｒガスのプラズマ中に曝すことにより、プラスチック
成型体の表面がＡｒイオンの衝突で物理的に凹凸にな
り、表面積が増大する。続いて、Ｏ2 ガスのプラズマ中
に曝すことにより、プラスチック成型体の表面は、化学
的にエッチングされて活性な状態になり、金属との濡れ
性が増大する。
【００１４】以上のプラズマ処理を行うことにより、成
膜処理におけるアンカー効果が増大し、金属との親和性
が増加するので、プラスチック成形体と金属被膜との高
い密着力を得ることができる。
膜処理におけるアンカー効果が増大し、金属との親和性
が増加するので、プラスチック成形体と金属被膜との高
い密着力を得ることができる。
【００１５】それぞれのガスをイオン化する方法は、高
周波放電、グロー放電、アーク放電など、公知のいずれ
の方法でもよく、ガスのプラズマの圧力は、１×１０-4
〜５×１０-2ｔｏｒｒの範囲内であればよい。
周波放電、グロー放電、アーク放電など、公知のいずれ
の方法でもよく、ガスのプラズマの圧力は、１×１０-4
〜５×１０-2ｔｏｒｒの範囲内であればよい。
【００１６】また、Ｏ2 ガスのプラズマを安定させるた
めに、イオン化前のＯ2 ガスにＡｒガスを１〜１０％添
加してもよい。
めに、イオン化前のＯ2 ガスにＡｒガスを１〜１０％添
加してもよい。
【００１７】プラズマ処理の時間は、Ａｒガスのプラズ
マ中に曝すのが１分間〜１０分間、かつＯ2 ガスのプラ
ズマ中に曝すのが３０秒間〜５分間で十分である。これ
以上の長時間にわたるプラズマ処理では、特性の向上が
得られない。却って、プラスチック成形体の温度が上昇
し過ぎることで、プラスチック成形体が熱により変形し
たり、あるいはプラスチック成形体の構造が破壊され、
金属被膜により期待するシールド特性が得られなかった
りするので、長時間にわたるプラズマ処理は好ましくな
い。
マ中に曝すのが１分間〜１０分間、かつＯ2 ガスのプラ
ズマ中に曝すのが３０秒間〜５分間で十分である。これ
以上の長時間にわたるプラズマ処理では、特性の向上が
得られない。却って、プラスチック成形体の温度が上昇
し過ぎることで、プラスチック成形体が熱により変形し
たり、あるいはプラスチック成形体の構造が破壊され、
金属被膜により期待するシールド特性が得られなかった
りするので、長時間にわたるプラズマ処理は好ましくな
い。
【００１８】前記成膜処理の第１層被膜には、膜厚が
０．５〜２．０μｍの導電性の高いＣｕが望ましい。Ｃ
ｕの第１層被膜の膜厚は電磁シールド特性に影響し、
０．５μｍ以上の膜厚が必要で、厚くなるほど電磁シー
ルド特性は高くなるが、２．０μｍの膜厚で得られる電
磁シールド特性で実用上は十分であり、２．０μｍを超
えると生産性が劣り、また経済的にも不利である。
０．５〜２．０μｍの導電性の高いＣｕが望ましい。Ｃ
ｕの第１層被膜の膜厚は電磁シールド特性に影響し、
０．５μｍ以上の膜厚が必要で、厚くなるほど電磁シー
ルド特性は高くなるが、２．０μｍの膜厚で得られる電
磁シールド特性で実用上は十分であり、２．０μｍを超
えると生産性が劣り、また経済的にも不利である。
【００１９】Ｃｕの第１層被膜だけでは、耐候性や耐食
性、機械的特性の面で不十分である。そこで、Ｃｕに比
べ、耐食性に優れたＮｉを第２層被膜として０．２〜
１．０μｍの膜厚で成膜する。第２層被膜が０．２μｍ
より薄いと、ピンホールが多数生じるため、十分な耐食
性が得られない。また、１．０μｍを超えると、金属被
膜中の内部応力によりクラックや剥離が生じるので好ま
しくない。
性、機械的特性の面で不十分である。そこで、Ｃｕに比
べ、耐食性に優れたＮｉを第２層被膜として０．２〜
１．０μｍの膜厚で成膜する。第２層被膜が０．２μｍ
より薄いと、ピンホールが多数生じるため、十分な耐食
性が得られない。また、１．０μｍを超えると、金属被
膜中の内部応力によりクラックや剥離が生じるので好ま
しくない。
【００２０】上記第１層被膜および第２層被膜は、真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法などの真
空工法で成膜する。これらの真空工法で作製された金属
被膜は、湿式メッキ法などにより作製された金属被膜に
比べ高純度であるので、薄い金属被膜でも十分な電磁シ
ールド効果が得られる。また、成膜処理を真空工法で行
うので、前処理として行うプラズマ処理に連続してで
き、プラズマ処理後のプラスチック成形体の表面が、大
気に曝され、汚染されることがないので、プラスチック
成形体と金属被膜との高い密着力を得ることができる。
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法などの真
空工法で成膜する。これらの真空工法で作製された金属
被膜は、湿式メッキ法などにより作製された金属被膜に
比べ高純度であるので、薄い金属被膜でも十分な電磁シ
ールド効果が得られる。また、成膜処理を真空工法で行
うので、前処理として行うプラズマ処理に連続してで
き、プラズマ処理後のプラスチック成形体の表面が、大
気に曝され、汚染されることがないので、プラスチック
成形体と金属被膜との高い密着力を得ることができる。
【００２１】
【実施例】以下に実施例を示し、詳しくこの発明につい
て説明する。
て説明する。
【００２２】（実施例１）□１５０ｍｍ×３ｍｍのポリ
プロピレンの基板をエタノールで拭き、電子ビーム方式
のイオンプレーティング装置（神港精機製ＡＩＦ−８５
０ＳＢ）内に設置し、真空度２×１０-5ｔｏｒｒまで排
気した。その後、Ａｒガスを０．０３ｔｏｒｒまで導入
し、対向電極に−８００Ｖを印加したグロー放電中に、
基板表面を１０分間曝した。引き続き、Ｏ2 ガスを０．
０２ｔｏｒｒまで導入し、対向電極に−１０００Ｖを印
加したグロー放電中に、基板表面を５分間曝した。次
に、ペレット状のＣｕを電子ビームで溶解、蒸発させ、
５分間成膜した。続いて、ハースを回転させて、Ｎｉの
インゴットを電子ビームで溶解、蒸発させ、１２分間成
膜した。得られた金属被膜の膜厚を蛍光Ｘ線にて測定し
たところ、Ｃｕの第１層被膜が１．２μｍ、Ｎｉの第２
層被膜が０．３μｍであった。
プロピレンの基板をエタノールで拭き、電子ビーム方式
のイオンプレーティング装置（神港精機製ＡＩＦ−８５
０ＳＢ）内に設置し、真空度２×１０-5ｔｏｒｒまで排
気した。その後、Ａｒガスを０．０３ｔｏｒｒまで導入
し、対向電極に−８００Ｖを印加したグロー放電中に、
基板表面を１０分間曝した。引き続き、Ｏ2 ガスを０．
０２ｔｏｒｒまで導入し、対向電極に−１０００Ｖを印
加したグロー放電中に、基板表面を５分間曝した。次
に、ペレット状のＣｕを電子ビームで溶解、蒸発させ、
５分間成膜した。続いて、ハースを回転させて、Ｎｉの
インゴットを電子ビームで溶解、蒸発させ、１２分間成
膜した。得られた金属被膜の膜厚を蛍光Ｘ線にて測定し
たところ、Ｃｕの第１層被膜が１．２μｍ、Ｎｉの第２
層被膜が０．３μｍであった。
【００２３】得られた金属被膜の評価結果を表１にまと
める。
める。
【００２４】
【表１】 （実施例２）ＡＢＳ樹脂からなる基板を、Ａｒガスのプ
ラズマ中に１分間曝し、続いてＯ2ガスのプラズマ中に
１分間曝した以外は、実施例１同様のプラズマ処理およ
び成膜処理を行った。得られた金属被膜の膜厚を蛍光Ｘ
線にて測定したところ、Ｃｕの第１層被膜が１．１μ
ｍ、Ｎｉの第２層被膜が０．３２μｍであった。
ラズマ中に１分間曝し、続いてＯ2ガスのプラズマ中に
１分間曝した以外は、実施例１同様のプラズマ処理およ
び成膜処理を行った。得られた金属被膜の膜厚を蛍光Ｘ
線にて測定したところ、Ｃｕの第１層被膜が１．１μ
ｍ、Ｎｉの第２層被膜が０．３２μｍであった。
【００２５】得られた金属被膜の評価結果は、表１に示
した実施例１の金属被膜の評価結果と変わらないもので
あった。
した実施例１の金属被膜の評価結果と変わらないもので
あった。
【００２６】
【発明の効果】本発明の電磁防止成形体は、Ａｒガスの
プラズマ中および、Ｏ2 ガスのプラズマ中でプラズマ処
理を行った後に、導電性の高いＣｕの第１層被膜と、耐
食性の高いＮｉの第２層被膜とからなり、電磁シールド
特性に優れた金属被膜を真空工法で成膜処理する。該プ
ラズマ処理により、プラスチック成形体の表面が改質さ
れるので、金属被膜との密着力を高くでき、耐食性や耐
候性に優れる。
プラズマ中および、Ｏ2 ガスのプラズマ中でプラズマ処
理を行った後に、導電性の高いＣｕの第１層被膜と、耐
食性の高いＮｉの第２層被膜とからなり、電磁シールド
特性に優れた金属被膜を真空工法で成膜処理する。該プ
ラズマ処理により、プラスチック成形体の表面が改質さ
れるので、金属被膜との密着力を高くでき、耐食性や耐
候性に優れる。
【００２７】また、プラズマ処理および成膜処理が連続
して行えるので、低コストで製造でき、生産性に優れる
という効果も有する。
して行えるので、低コストで製造でき、生産性に優れる
という効果も有する。
Claims (3)
- 【請求項１】 プラスチック成形体と、該プラスチック
成形体の表面に成膜したＣｕの第１層被膜と、該第１層
被膜の上に成膜したＮｉの第２層被膜とからなる電磁防
止成形体であり、前記プラスチック成形体の表面をＡｒ
ガスのプラズマ中に曝し、続いてＯ2 ガスのプラズマ中
に曝してから、前記第１層被膜および第２層被膜が真空
工法による成膜により形成されたことを特徴とする電磁
防止成形体。 - 【請求項２】 前記第１層被膜の膜厚が０．５〜２．０
μｍである請求項１に記載の電磁防止成形体。 - 【請求項３】 前記第２層被膜の膜厚が０．２〜１．０
μｍである請求項１または請求項２に記載の電磁防止成
形体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21225798A JP2000045062A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 電磁防止成形体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21225798A JP2000045062A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 電磁防止成形体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000045062A true JP2000045062A (ja) | 2000-02-15 |
Family
ID=16619588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21225798A Pending JP2000045062A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 電磁防止成形体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000045062A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007051886A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Fujifilm Corp | センサー用基板 |
| CN109666896A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-04-23 | 江苏新思达电子有限公司 | 一种在塑胶上真空电镀ni的电磁防辐射层emi工艺 |
| CN109811315A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-05-28 | 江苏新思达电子有限公司 | 一种在硬盘上真空电镀ni的增强表面粗糙度的工艺 |
-
1998
- 1998-07-28 JP JP21225798A patent/JP2000045062A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007051886A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Fujifilm Corp | センサー用基板 |
| CN109666896A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-04-23 | 江苏新思达电子有限公司 | 一种在塑胶上真空电镀ni的电磁防辐射层emi工艺 |
| CN109811315A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-05-28 | 江苏新思达电子有限公司 | 一种在硬盘上真空电镀ni的增强表面粗糙度的工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040713 |