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JP2000042901A - 研磨布およびその製造方法 - Google Patents

研磨布およびその製造方法

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Publication number
JP2000042901A
JP2000042901A JP21431898A JP21431898A JP2000042901A JP 2000042901 A JP2000042901 A JP 2000042901A JP 21431898 A JP21431898 A JP 21431898A JP 21431898 A JP21431898 A JP 21431898A JP 2000042901 A JP2000042901 A JP 2000042901A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polishing cloth
urethane foam
urethane
foaming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21431898A
Other languages
English (en)
Inventor
Norihiro Shimoi
規弘 下井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP21431898A priority Critical patent/JP2000042901A/ja
Publication of JP2000042901A publication Critical patent/JP2000042901A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Molding Of Porous Articles (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】周辺部と中心部で研磨量の差が生じることがな
く、長寿命で研磨剤の効率的使用が可能な研磨布および
その製造方法を提供する。 【解決手段】規則的に配列された長気孔2を多数有する
発泡ウレタン部材3よりなる研磨布1。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は化学的機械研磨等に
使用される研磨布およびその製造方法に係わり、特に研
磨効率がよく長寿命化を実現した研磨布およびその製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】超高平坦度、高純度化が要求される大口
径の300mm半導体ウェーハの表面研磨には化学的機
械研磨(CMP=Chemical and Mechanical Polishin
g)またはメカノケミカルポリッシング(以下代表して
CMPという)が不可欠である。このCMPは研磨液に
化学的に被研磨材をエッチングする能力を持たせ研磨を
行うと同時に、研磨液に含まれる粒子により機械的に被
研磨材を研磨する方法である。
【0003】CMPのために従来一般に用いられる研磨
装置20は図9に示すように冷却水cの水路21を有す
る定盤22と、この定盤22に取り付けられたウレタン
製の研磨布23を有し、一方研磨布23には被研磨部材
である半導体ウェーハWが押圧接触される。この半導体
ウェーハWはワックス24によりマウントプレート25
に着脱自在に固定され、このマウントプレート25は前
記定盤22の方向に加圧され、かつ可変的に回転するヘ
ッド26に取り付けられている。
【0004】また、前記研磨布23に研磨剤27を常時
供給するための供給管28が設けられている。上述のよ
うな研磨装置20を用いたCMPによる半導体ウェーハ
Wの研磨工程において、マウントプレート25と定盤2
2が共に回転し、マウントプレート25が降下し、半導
体ウェーハWの表面を定盤22上の研磨布23に接触さ
せ加圧することにより行われる。この研磨工程において
は半導体ウェーハWの表面状態を考慮し化学的研磨のエ
ッチング量と機械的研磨の加圧のバランスを最適化する
ことが重要であり、化学的研磨の研磨量は研磨液の種
類、pH、組成等の条件によって決定され、また機械的
研磨の研磨量は研磨剤に含まれる粒子の種類や濃度、研
磨布、圧力、回転速度、回転方向等の条件によって決定
される。
【0005】しかし、このような条件の設定において、
研磨布23の中央部23cに研磨剤27が溜まり易く、
同一の半導体ウェーハW内または半導体ウェーハW間で
研磨量にバラツキを生じる問題点があった。
【0006】また、ウレタン製の研磨布23は発泡構造
により研磨剤を保持して研磨を行っているが、研磨剤2
7の保持能力にも限界があり、研磨によって生じた反応
生成物の置換も容易でなく、結果として研磨量の不足、
研磨布の目詰まり発生による研磨布の寿命の短縮等の問
題があった。
【0007】そこで、上述の問題点を解決するために、
特開平7−321076号公報には図10に示すような
研磨布30が開示され、この研磨布30は、厚さ数mm
のウレタン基材31の表面に厚さ1mm程度の扇状のウ
レタン製の研磨パッド32を貼付し、各研磨パッド32
間に多数研磨剤27の流路用溝33を放射状に形成して
いる。研磨剤27は定盤22の回転により生じる遠心力
によって定盤22の中心部30cより流路用溝33を通
って周辺部30pに流れるため、研磨布30の中心部3
0cに研磨剤27が多く溜まることなく、効率的に研磨
剤27を周辺部30pにも供給して、周辺部30pと中
心部30cでの研磨量の差が生じるという問題を解決し
ている。
【0008】さらに、上述の特開平7−321076号
公報は研磨布23の周辺部と中心部23cでの研磨量の
差が生じるという問題を解決するため、図11に示すよ
うに流路用溝36を一定方向に湾曲した放射状を形成す
るようにウレタン基材37の表面に研磨パッド38を多
数貼付した研磨布35を開示し、さらに図10および図
11の研磨布30、35において、ウレタン基材31、
37と研磨パッド32,38を一体に形成されたものが
開示されている。
【0009】この開示の研磨布30、35は、周辺部3
0p、35pと中心部30c、35cでの研磨量の差が
生じるという問題の解決は可能であるが、研磨布30、
35の表面に流路用溝33、36が形成されるため、研
磨工程中に流路用溝33、36の周縁部から破損が生じ
ることがあり、また流路用溝33、36を通って研磨剤
27が多量に研磨布30、36の周辺部30p、36p
に流れるので、研磨剤27を大量に使用し不経済であっ
た。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
を考慮してなされたもので、周辺部と中心部で研磨量の
差が生じることがなく、長寿命で研磨剤の効率的使用が
可能な研磨布およびその製造方法を提供することを目的
としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に成された本発明は、規則的に配列された長気孔を多数
有する発泡ウレタン部材よりなることを特徴とする研磨
布であることを要旨としている。
【0012】本願請求項2の発明では上記長気孔は放射
状に配列されたことを特徴とする請求項1に記載の研磨
布であることを要旨としている。
【0013】本願請求項3の発明では上記長気孔は研磨
布の回転方向と反対方向に湾曲した放射状に配列された
ことを特徴とする請求項1に記載の研磨布であることを
要旨としている。
【0014】本願請求項4の発明では上記発泡ウレタン
部材は複数枚積層されたことを特徴とする請求項1ない
し3のいずれか1項に記載の研磨布であることを要旨と
している。
【0015】本願請求項5の発明では上記長気孔の方向
性をずらして発泡ウレタン部材は複数枚積層されたこと
を特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の
研磨布であることを要旨としている。
【0016】本願請求項6の発明では上記長気孔が一方
方向に直線的に配列された発泡ウレタンは長気孔の方向
性をずらして積層されたこと特徴とする請求項1に記載
の研磨布であることを要旨としている。
【0017】本願請求項7の発明は発泡ウレタンの発泡
型を用意する工程と、この発泡型に発泡ウレタン原料を
供給する工程と、前記発泡ウレタン原料の発泡時発泡ウ
レタン原料に遠心力をかける工程と、発泡が完了した発
泡ウレタン部材をスライスする工程とを有することを特
徴とする研磨布の製造方法であることを要旨としてい
る。
【0018】本願請求項8の発明は発泡ウレタン原料を
発泡させてウレタンシートにする工程と、この発泡ウレ
タンシートの発泡時、発泡ウレタンシートを直線方向に
引張り応力を加える工程と、この発泡ウレタンシートを
硬化させる工程と、この硬化した発泡ウレタンシートを
研磨布の大きさの打ち抜く工程とを有することを特徴と
する研磨布の製造方法であることを要旨としている。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる研磨布およ
びその製造方法の第1の実施の形態について図面を参照
して説明する。
【0020】図1および図2に示すように研磨布、例え
ば化学的機械研磨用研磨布1は、ディスク形状をなし例
えば厚さtが5mmで、硬質の発泡ウレタン部材3より
なり、規則的に配列例えば放射状に配列された平面視長
円形状の長気孔2を多数備えている。
【0021】次に化学的機械研磨用研磨布1の製造方法
を図3に従い説明する。
【0022】モータ駆動の回転軸4に設けられた円筒形
状で栓体5を有する割型の発泡型6に発泡ウレタン原液
Mを供給し、加熱発泡させる。発泡が開始すると同時に
モータ駆動により回転軸4を介して発泡型6を回転させ
て、発泡ウレタン原液Mに遠心力を働かせて、発泡ウレ
タン部材3に発生する長気孔2を長くかつ放射状に成長
させる。放冷後、発泡型5を分割して発泡ウレタン部材
3を取り出して、スライスし、研磨布1形状に成形して
研磨面に平行な方向性を持って放射状に配列された長気
孔2を多数有する研磨布1を得る。
【0023】なお、研磨布1は厚さ1mm程度の発泡ウ
レタン部材(ウレタンパッド)を数mm程度のウレタン
基材に貼付して一体に形成してもよい。
【0024】図9に示すような研磨装置20に本発明に
係わる研磨布1を使用して、CMPによる半導体ウェー
ハWの研磨について説明する。
【0025】研磨装置20の冷却水Wの水路21を有す
る定盤22に研磨布1を取付け、この研磨布1に半導体
ウェーハWを押圧接触させる。この半導体ウェーハWは
ワックス24によりマウントプレート25に着脱自在に
固定され、このマウントプレート25は前記定盤22の
方向に加圧され、かつ可変的に回転するヘッド26に取
り付けられている。
【0026】前記研磨布1には供給管28から研磨剤2
7が常時供給され、半導体ウェーハWは研磨剤27によ
る化学的研磨と研磨剤に含まれる粒子による機械的研磨
によりCMP研磨されるが、研磨布1には図4に示すよ
うに研磨剤27の保持に寄与するに長気孔2が研磨面に
平行な方向性を持って放射状に水平方向に広がり多数配
列されているので、研磨剤の横方向(半径方向)の流れ
を促進し、従来のように研磨布に別個に流路用溝を形成
することなく、研磨剤の供給と反応生成物の置換が効率
よく行うことができて最適条件下で効率よく研磨を行う
ことができ、また研磨布の目詰まりを防止できる。
【0027】さらに、別個に設けた流路用溝が不要であ
り、研磨工程中に流路用溝の周縁部から破損を生じて研
磨布の寿命を縮めることもなく、また流路用溝を通って
研磨剤が多量に研磨布の周辺部に流れることもなく研磨
剤の有効活用が可能で経済的である。
【0028】次に第2の実施の形態について説明する。
【0029】図5に示すようなに化学的機械研磨用研磨
布10は、ディスク形状をなし例えば厚さが2mmで、
放射状に配列された長気孔11を多数有する硬質の発泡
ウレタン部材(ウレタンパッド)12が複数枚例えば3
枚積層されて構成されている。
【0030】3枚の発泡ウレタンパッド12a、12
b、12cの長気孔11a、11b、11cはそれぞれ
異なる位置に存在しているので、積層時長気孔11a、
11b、11cの配列方向を必ずしもずらす必要はない
が、各々ずらすことによりより研磨剤の有効活用が期待
できる。
【0031】この化学的機械研磨用研磨布10は発泡ウ
レタンパッド12を積層することにより、各層の発泡ウ
レタンパッド12の長気孔11が連通し、研磨剤13の
流れが半径方向のみならず深さ方向にも確保され、すな
わち平面的でなく立体的に確保されるので確保量が増大
し、単純な発泡ウレタン製の研磨布では限界のあった研
磨剤の置換効率を不織布張合せ形の研磨布並にし、かつ
不織布張合せ形の研磨布より安価な研磨布1が得られ
る。また、半導体ウェーハWの高平坦度の実現化のため
の硬度を維持した研磨布の製造が可能である。
【0032】さらに第3の実施の形態について説明す
る。
【0033】図6に示すようなに化学的機械研磨用研磨
布14は、デスク形状をなし例えば厚さが2mmで、1
本の中心線と平行に配列された長気孔15を多数有する
硬質の発泡ウレタン部材(ウレタンパッド)16が複数
枚例えば3枚積層されて構成されている。この各層の発
泡ウレタンパッド16a、16b、16cの中心線は各
々120度の角度を有しており、各層の発泡ウレタンパ
ッド16a、16b、16cの長気孔15a、15b、
15cも各々120度の角度を有して配設されている。
【0034】化学的機械研磨用研磨布14の製造は、発
泡ウレタンシート17の製造時、図7に示すようなに発
泡ウレタンシート17の長手方向に引っ張り応力を加
え、冷却後ウレタンパッド16の形状に合わせて打ち抜
く。このようにして製造されたウレタンパッド16は一
枚では第1および第2の実施の形態の研磨剤の流れの促
進性に比べて、研磨剤の流れの促進性は劣るが、長気孔
の方向性をずらして、複数枚積層することで研磨剤の流
れの促進性を向上させることができると共に、研磨布を
安価に製造できる利点がある。
【0035】また、第4の実施の形態について説明す
る。
【0036】図8に示すように長気孔18の方向性を化
学的機械研磨用研磨布19の回転方向と反対方向に湾曲
した放射状に配列する。研磨剤の保持に寄与するに長気
孔19が研磨面に平行な方向性を持って放射状に水平方
向に広がり多数配列されているので、研磨剤を遠心力の
方向性を利用してより効果的に横方向に流し、研磨剤の
供給と反応生成物の置換を効率よく行うことができて最
適条件下で効率よく研磨を行うことができ、また研磨布
の目詰まりを防止できる。
【0037】
【発明の効果】本発明に係わる研磨布およびその製造方
法は、規則的に配列された長気孔を多数有する発泡ウレ
タン部材よりなる研磨布を用いることで、半導体ウェー
ハの周辺部と中心部で研磨量の差が生じることがなく、
長寿命で研磨剤の効率的使用が可能な研磨布およびその
製造方法を提供する。
【0038】また、長気孔は放射状に配列されているの
で、より効果的に研磨剤の横方向の流れを促進し、研磨
剤の供給と反応生成物の置換が効率よく行うことができ
て最適条件下で効率よく研磨を行うことができ、また研
磨布の目詰まりを防止できる。
【0039】さらに、長気孔は研磨布の回転方向と反対
方向に湾曲した放射状に配列されているので、研磨剤を
遠心力の方向性を利用してより効果的に横方向に流し、
研磨剤の供給と反応生成物の置換を効率よく行うことが
できて最適条件下で効率よく研磨を行うことができ、ま
た研磨布の目詰まりを防止できる。
【0040】また、研磨布は長気孔が一方方向に直線的
に配列された複数枚の発泡ウレタン部材を長気孔の方向
をずらして積層して形成したので、研磨剤に流れの促進
性を向上させることができると共に、研磨布を安価に製
造できる利点がある。
【0041】さらに、発泡ウレタン部材は複数枚積層さ
れたので、研磨剤は研磨布に平面的でなく立体的に確保
されるので確保量が増大し、単純な発泡ウレタン製の研
磨布では限界のあった研磨剤の置換効率を不織布張合せ
形の研磨布並し、かつ不織布張合せ形の研磨布より安価
な研磨布が得られる。
【0042】また、半導体ウェーハの高平坦度の実現可
能のための硬度を維持した研磨布の作製が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる研磨布の第1の実施の形態を示
す平面図。
【図2】図1の本発明に係わる研磨布の第1の実施の形
態の断面図。
【図3】図1の本発明に係わる研磨布の第1の実施の形
態の製造方法を示す説明図。
【図4】図1の本発明に係わる研磨布の第1の実施の形
態の使用時の状態を示す説明図。
【図5】本発明に係わる研磨布の第2の実施の形態の使
用時の状態を示す説明図。
【図6】本発明に係わる研磨布の第3の実施の形態の一
部を切欠した平面図。
【図7】図6の本発明に係わる研磨布の第3の実施の形
態の製造方法を示す説明図。
【図8】本発明に係わる研磨布の第4の実施の形態の断
面図。
【図9】一般に用いられている研磨装置の説明図。
【図10】従来の研磨布の一部を切欠した平面図。
【図11】従来の他の研磨布の一部を切欠した平面図。
【符号の説明】
1 研磨布(化学的機械研磨用研磨布) 2 長気孔 3 ウレタン部材 4 回転軸 5 栓体 6 発泡型 10 研磨布(化学的機械研磨用研磨布) 11 長気孔 12 発泡ウレタン部材(ウレタンパッド) 13 研磨剤 14 研磨布(化学的機械研磨用研磨布) 15 長気孔 16 発泡ウレタン部材(ウレタンパッド) 17 発泡ウレタンシート 18 長気孔 19 研磨布(化学的機械研磨用研磨布)

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 規則的に配列された長気孔を多数有する
    発泡ウレタン部材よりなることを特徴とする研磨布。
  2. 【請求項2】 上記長気孔は放射状に配列されたことを
    特徴とする請求項1に記載の研磨布。
  3. 【請求項3】 上記長気孔は研磨布の回転方向と反対方
    向に湾曲した放射状に配列されたことを特徴とする請求
    項1に記載の研磨布。
  4. 【請求項4】 上記発泡ウレタン部材は複数枚積層され
    たことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に
    記載の研磨布。
  5. 【請求項5】 上記長気孔の方向性をずらして発泡ウレ
    タン部材は複数枚積層されたことを特徴とする請求項1
    ないし4のいずれか1項に記載の研磨布。
  6. 【請求項6】 上記長気孔が一方方向に直線的に配列さ
    れた発泡ウレタンは長気孔の方向性をずらして積層され
    たこと特徴とする請求項1に記載の研磨布。
  7. 【請求項7】 発泡ウレタンの発泡型を用意する工程
    と、この発泡型に発泡ウレタン原料を供給する工程と、
    前記発泡ウレタン原料の発泡時発泡ウレタン原料に遠心
    力をかける工程と、発泡が完了した発泡ウレタン部材を
    スライスする工程とを有することを特徴とする研磨布の
    製造方法。
  8. 【請求項8】 発泡ウレタン原料を発泡させてウレタン
    シートにする工程と、この発泡ウレタンシートの発泡
    時、発泡ウレタンシートを直線方向に引張り応力を加え
    る工程と、この発泡ウレタンシートを硬化させる工程
    と、この硬化した発泡ウレタンシートを研磨布の大きさ
    の打ち抜く工程とを有することを特徴とする研磨布の製
    造方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006167908A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 重複する段差溝構造を有するcmpパッド
JP2006167907A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 研磨媒体利用度を改善するために設けられた溝を有するcmp研磨パッド
JP2007214379A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Nec Electronics Corp 研磨パッド
JP2007290114A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Toshiba Corp 研磨パッド、研磨方法及び研磨装置
JP2011000676A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨パッド
JP2014034083A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Fujibo Holdings Inc 研磨パッド
US10022842B2 (en) 2012-04-02 2018-07-17 Thomas West, Inc. Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material
JP2020032469A (ja) * 2018-08-27 2020-03-05 東レコーテックス株式会社 研磨シート
US10722997B2 (en) 2012-04-02 2020-07-28 Thomas West, Inc. Multilayer polishing pads made by the methods for centrifugal casting of polymer polish pads
US11090778B2 (en) 2012-04-02 2021-08-17 Thomas West, Inc. Methods and systems for centrifugal casting of polymer polish pads and polishing pads made by the methods
WO2024257742A1 (ja) * 2023-06-12 2024-12-19 株式会社クラレ 研磨パッド、研磨方法及び半導体の製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006167908A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 重複する段差溝構造を有するcmpパッド
JP2006167907A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 研磨媒体利用度を改善するために設けられた溝を有するcmp研磨パッド
KR101200424B1 (ko) * 2004-12-14 2012-11-12 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 중첩 단차를 형성하는 그루브 배열을 구비한 씨엠피 패드
JP2007214379A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Nec Electronics Corp 研磨パッド
JP2007290114A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Toshiba Corp 研磨パッド、研磨方法及び研磨装置
JP2011000676A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨パッド
US10722997B2 (en) 2012-04-02 2020-07-28 Thomas West, Inc. Multilayer polishing pads made by the methods for centrifugal casting of polymer polish pads
US10022842B2 (en) 2012-04-02 2018-07-17 Thomas West, Inc. Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material
US11090778B2 (en) 2012-04-02 2021-08-17 Thomas West, Inc. Methods and systems for centrifugal casting of polymer polish pads and polishing pads made by the methods
US11219982B2 (en) 2012-04-02 2022-01-11 Thomas West, Inc. Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material
JP2014034083A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Fujibo Holdings Inc 研磨パッド
JP2020032469A (ja) * 2018-08-27 2020-03-05 東レコーテックス株式会社 研磨シート
JP7093521B2 (ja) 2018-08-27 2022-06-30 東レコーテックス株式会社 研磨シート
WO2024257742A1 (ja) * 2023-06-12 2024-12-19 株式会社クラレ 研磨パッド、研磨方法及び半導体の製造方法

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