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JP2000040762A - Electronic element sealing package and electronic element sealing structure - Google Patents

Electronic element sealing package and electronic element sealing structure

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JP2000040762A
JP2000040762A JP20845298A JP20845298A JP2000040762A JP 2000040762 A JP2000040762 A JP 2000040762A JP 20845298 A JP20845298 A JP 20845298A JP 20845298 A JP20845298 A JP 20845298A JP 2000040762 A JP2000040762 A JP 2000040762A
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Japan
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cap
electronic element
ceramic base
package
ceramic
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Application number
JP20845298A
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Japanese (ja)
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Taro Hirai
平井太郎
Masaya Ishijima
石嶋正弥
Eigo Kishi
栄吾 岸
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】セラミック材料を用いた封止パッケージないし
は電子素子封止構体についてはその内部に封止される電
子素子片を外部の電磁界から有効に遮蔽することができ
ないという問題がある。 【解決手段】セラミックベ−ス11上に導電性材料から
なるキャップ12を被せた電子素子封止用パッケ−ジ1
0であって、前記キャップ12には表面に金又は/及び
銀からなる金属薄膜13が形成され、この金属薄膜13
が形成された部分に導電性接着剤14を配してこのキャ
ップ12を前記セラミックベ−ス11上に被着し、この
セラミックベ−ス11が有する接地電極15を介して前
記キャップ12を接地電位に導くことができる電子素子
封止用パッケ−ジ10を提供する。
(57) [Summary] [PROBLEMS] A problem that a sealed package or an electronic element sealing structure using a ceramic material cannot effectively shield an electronic element piece sealed therein from an external electromagnetic field. There is. A package for sealing an electronic element in which a cap made of a conductive material is covered on a ceramic base.
0, a metal thin film 13 made of gold or / and silver is formed on the surface of the cap 12.
The cap 12 is adhered on the ceramic base 11 by disposing a conductive adhesive 14 at the portion where the ceramic base 11 is formed, and the cap 12 is grounded via the ground electrode 15 of the ceramic base 11. Provided is a package for sealing an electronic element, which can be led to a potential.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は電子素子を封止す
るための電子素子封止用パッケージであってその封止の
ために導電性ガラスを用いた導電性ガラス封止パッケー
ジ及びこれを用いた電子素子封止構体に関するものであ
り、特に電子素子に対する電磁シールド効果を有するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for sealing an electronic element, for sealing an electronic element, and a conductive glass sealing package using a conductive glass for sealing the electronic element. The present invention relates to an electronic element sealing structure, and particularly has an electromagnetic shielding effect on electronic elements.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子素子、例えば水晶振動子や圧電素子
あるいは半導体装置等は使用状態において外気に直接晒
された状態で放置するのはよくないため一般的には何ら
かの形のパッケージに収納されて使用に供されている。
パッケージに組み込まれた後、電子回路の一部を構成す
べくプリント基板構体等に組み込まれているのが実状で
ある。例えば水晶振動子や圧電素子等の電子素子をパッ
ケージングする場合には図11に示すようなパッケージ
が用いられている。
2. Description of the Related Art It is not good to leave an electronic element, for example, a quartz oscillator, a piezoelectric element, a semiconductor device, or the like in a state of being directly exposed to the outside air in use, so that it is generally housed in a package of some form. Are in use.
After being assembled in a package, it is actually assembled in a printed circuit board structure or the like so as to constitute a part of an electronic circuit. For example, when packaging an electronic element such as a quartz oscillator or a piezoelectric element, a package as shown in FIG. 11 is used.

【0003】図11に示すものはセラミックベース11
1とキャップ113とからなる電子素子封止用パッケー
ジ110の内部に何らかの電子素子片112をパッケー
ジングし、蓋を閉じることによって内部に収納された電
子素子片112が直接外部の環境に晒されるのを防止し
て悪い環境のもとでも電子素子片112の機能を十分に
確保することができるようにしたものである。例えばこ
のようなパッケージ材料はアルミナを主材料とするセラ
ミックからなっており、又内部に収納される電子素子片
としては例えば水晶振動子や圧電素子等の電子素子片が
用いられている。
FIG. 11 shows a ceramic base 11.
Some electronic element pieces 112 are packaged inside an electronic element encapsulating package 110 composed of the electronic element sealing cap 110 and the cap 113. By closing the lid, the electronic element pieces 112 housed inside are directly exposed to the external environment. Thus, the function of the electronic element piece 112 can be sufficiently ensured even in a bad environment. For example, such a package material is made of a ceramic having alumina as a main material, and an electronic element piece such as a quartz oscillator or a piezoelectric element is used as an electronic element piece housed therein.

【0004】このようのパッケージングされた後、封止
された電子素子封止構体はプリント基板構体上にはんだ
リフロー等で実装され他の電子素子と一体となって電子
回路を形成するようになっている。ところでこの種のパ
ッケージは所謂面実装に適しており、更に熱膨張係数を
内部に収納封止する電子素子片に比較的合わせ易いた
め、近年その使用が増加しつつある。
After such packaging, the sealed electronic element sealing structure is mounted on a printed circuit board structure by solder reflow or the like to form an electronic circuit integrally with other electronic elements. ing. By the way, this type of package is suitable for so-called surface mounting, and its use is increasing in recent years because its thermal expansion coefficient is relatively easy to match with an electronic element piece to be housed and sealed therein.

【0005】ここで図11について簡単に説明すると上
下のセラミックベース111とキャップ113との間に
描かれているものは水晶振動子や圧電素子の類の電子素
子片112であり、電子素子片112はセラミックベー
ス111上に設けられた二つの電極118、118でも
ってセラミックベース111上に物理的に固定され且つ
電気的に導通されている。この電子素子片112がセラ
ミックベース111上に固着された状態でセラミックベ
ース111とキャップ113の接合界面に封止材114
を塗布して上下から圧力を加え、その封止材114でも
ってセラミックベース111とキャップ113を完全に
封止し電子素子片112を周辺の環境から完全に保護し
ている。
[0005] Referring briefly to FIG. 11, what is drawn between the upper and lower ceramic bases 111 and the cap 113 is an electronic element piece 112 such as a quartz oscillator or a piezoelectric element. Is physically fixed on the ceramic base 111 by two electrodes 118 provided on the ceramic base 111 and is electrically connected to the ceramic base 111. In a state where the electronic element piece 112 is fixed on the ceramic base 111, a sealing material 114 is attached to a bonding interface between the ceramic base 111 and the cap 113.
Is applied and pressure is applied from above and below, and the ceramic base 111 and the cap 113 are completely sealed with the sealing material 114 to completely protect the electronic element piece 112 from the surrounding environment.

【0006】又、従来一般的に半導体素子等に用いられ
るパッケージングについて見てみると、これは図12に
示すようなものである。半導体素子片123に用いられ
るパッケージングは半導体素子片123をリードフレー
ム122上に載置し必要なワイヤボンデイング124を
行った後にリードフレーム122と一体に樹脂125で
封止する構造が取られている。
[0006] Looking at the packaging generally used in conventional semiconductor devices and the like, this is as shown in FIG. The packaging used for the semiconductor element piece 123 has a structure in which the semiconductor element piece 123 is mounted on a lead frame 122, necessary wire bonding 124 is performed, and then the resin element 125 is integrally sealed with the lead frame 122. .

【0007】このようにして完成した半導体装置120
は信頼性が高く且つ安価であるために現在に至るまで半
導体装置の構造としては主流をなしてきたものであるが
近年の半導体装置の高性能化にともない半導体装置が微
小の応力にも弱くなるとともに消費電流が大きくなって
発熱が大きくなることにより従来の封止樹脂ではその熱
を十分に逃がすことができず、又はその熱により発生す
る封止樹脂の熱応力による悪影響等の問題が顕著になっ
ていている。
The semiconductor device 120 completed as described above
Has been the mainstream as a semiconductor device structure up to the present because of its high reliability and low cost. However, with the recent improvement in the performance of the semiconductor device, the semiconductor device has become weak to minute stress. At the same time, the current consumption increases and the heat generation increases, so that the conventional sealing resin cannot sufficiently release the heat, or problems such as adverse effects due to the thermal stress of the sealing resin generated by the heat are remarkable. Has become.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来は
電子素子片例えば水晶振動子や圧電素子あるいは半導体
素子片のようなものは、セラミックス材料からなる電子
素子封止用パッケージないしは封止樹脂を用いたパッケ
ージングが行われてきたのであるが、セラミック材料を
用いた封止パッケージないしは電子素子封止構体につい
てはその内部に封止される電子素子片を外部の電磁界か
ら有効に遮蔽することができないという問題がある。
As described above, conventionally, an electronic element piece, such as a quartz oscillator, a piezoelectric element, or a semiconductor element piece, is conventionally provided with an electronic element sealing package or a sealing resin made of a ceramic material. Has been performed, but for a sealed package or an electronic element sealing structure using a ceramic material, an electronic element piece sealed therein is effectively shielded from an external electromagnetic field. There is a problem that you can not.

【0009】一般的にはこのようなパッケージングによ
り用いられる電子素子片は非情に高精度の動作を要求さ
れるものであって外部の環境即ち湿度やガス等に対して
敏感でそれらからの影響を十分に排除しなければならな
いと共に電磁界から受ける影響も問題であり、電磁界を
有効に遮蔽することができない場合にはその素子の動作
を保証することができない場合もある。
In general, electronic element pieces used by such packaging are required to operate with extremely high precision and are sensitive to the external environment, that is, humidity, gas, etc., and are affected by them. And the influence of the electromagnetic field is also a problem. If the electromagnetic field cannot be effectively shielded, the operation of the element may not be guaranteed in some cases.

【0010】しかしながら従来用いられていたセラミッ
クス材料を用いたセラミックパッケージは一般的にはセ
ラミックパッケージ自体の材料が電磁遮蔽をすることが
できない材料即ち導電性材料でないものであるので、内
部に特に電磁界からの影響を受け易い電子素子片を封止
する場合には別途電磁遮蔽のための構造を設ける必要が
あった。
However, in the case of a ceramic package using a ceramic material which has been conventionally used, since the material of the ceramic package itself is generally a material that cannot be shielded from electromagnetic waves, that is, is not a conductive material, an electromagnetic field is particularly contained inside. In the case of sealing an electronic element piece which is susceptible to the influence of electromagnetic waves, it is necessary to separately provide a structure for electromagnetic shielding.

【0011】又図12に示す従来の半導体素子片をパッ
ケージする樹脂による封止構体のような場合もセラミッ
ク材料からなるパッケージングと同様外部からの電磁界
を有効に遮蔽することができない上に、前述のように消
費電流が大きくなることにより熱を十分外部に逃してや
る必要があるにも拘わらず、その樹脂の熱伝導性の問題
から現在では熱の悪影響を受けるというような場合も生
じてきている。
Further, in the case of a conventional sealing structure made of resin for packaging a semiconductor element piece shown in FIG. 12, as in the case of packaging made of a ceramic material, an electromagnetic field from the outside cannot be effectively shielded. As described above, despite the fact that it is necessary to sufficiently release the heat to the outside due to the large current consumption, there is a case where the heat conductivity of the resin adversely affects the heat at present. I have.

【0012】又、その他にこの内部に封入される半導体
素子片が益々高密度化するに伴って外部からの応力に対
して敏感になっているので全体を密着して樹脂で封止す
る場合にはその熱応力ないしは単純な力学的な樹脂が当
たることによる応力が半導体素子片に悪影響を与えると
いうような問題も生じている。
In addition, since the semiconductor element pieces encapsulated therein become more and more sensitive to external stress as the density of the semiconductor elements becomes higher and higher, when the whole is tightly sealed with a resin, There is also a problem that the thermal stress or the stress caused by the application of a simple mechanical resin adversely affects the semiconductor element piece.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために以下のような導電性ガラス封止パッケージ及
びこれを用いた電子素子封止構体を提供するものであ
る。即ち、セラミックベ−ス上に導電性材料からなるキ
ャップを被せた電子素子封止用パッケ−ジであって、前
記キャップには表面に金又は/及び銀からなる金属薄膜
が形成され、この金属薄膜が形成された部分に導電性接
着剤を配してこのキャップを前記セラミックベ−ス上に
被着し、このセラミックベ−スが有する接地電極を介し
て前記キャップを接地電位に導くことができる電子素子
封止用パッケ−ジを提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides the following conductive glass sealing package and an electronic element sealing structure using the same. That is, an electronic element sealing package in which a cap made of a conductive material is covered on a ceramic base, and a metal thin film made of gold or / and silver is formed on a surface of the cap. A conductive adhesive is disposed on the portion where the thin film is formed, the cap is attached to the ceramic base, and the cap is led to a ground potential via a ground electrode of the ceramic base. Provided is a package for sealing an electronic element.

【0014】また、前記導電性接着剤は、ガラス成分中
に金属材料からなる導電性粒子が分散させられた導電性
ガラスである請求項1に記載の電子素子封止用パッケ−
ジを提供する。また、前記キャップは、金属材料又は導
電性セラミック材料からなる請求項1又は2のいづれか
一に記載の電子素子封止用パッケ−ジを提供する。ま
た、前記セラミックベ−スは、ガラス中にフォルステラ
イトを30〜70wt%分散させた熱膨張率が100〜
150×10−7のガラスセラミック複合材料からなり
前記キャップはニッケル鉄合金からなる請求項1又は2
に記載の電子素子封止用パッケ−ジを提供する。
The electronic device sealing package according to claim 1, wherein the conductive adhesive is a conductive glass in which conductive particles made of a metal material are dispersed in a glass component.
Offer Further, the present invention provides the package for sealing an electronic element according to any one of claims 1 and 2, wherein the cap is made of a metal material or a conductive ceramic material. Further, the ceramic base has a coefficient of thermal expansion of 100 to 100, which is obtained by dispersing forsterite in glass at 30 to 70 wt%.
3. The cap according to claim 1, wherein said cap is made of a glass-ceramic composite material of 150 × 10 -7 and said cap is made of a nickel-iron alloy.
And a package for encapsulating an electronic element according to the item (1).

【0015】また、水晶振動子片を配置したセラミック
ベ−ス上に導電性材料からなるキャップを被せた電子素
子封止構体であって、前記セラミックベ−スは、ガラス
中にフォルステライトを30〜70wt%分散させた熱
膨張率が100〜150×10−7のガラスセラミック
複合材料からなり前記キャップは鉄ニッケル合金からな
り表面に金又は/及び銀からなる金属薄膜が形成され、
この金属薄膜が形成された部分に導電性接着剤を配して
このキャップを前記セラミックベ−ス上に被着し、この
セラミックベ−スが有する接地電極を介して前記キャッ
プを接地電位に導くことができる電子素子封止構体を提
供する。
An electronic element sealing structure in which a cap made of a conductive material is covered on a ceramic base on which a crystal resonator element is disposed, wherein the ceramic base contains forsterite in glass. The cap is made of a glass-ceramic composite material having a thermal expansion coefficient of 100 to 150 × 10 −7 dispersed therein and the cap is made of an iron-nickel alloy, and a metal thin film made of gold or / and silver is formed on the surface;
A conductive adhesive is disposed on the portion where the metal thin film is formed, and the cap is attached to the ceramic base. The cap is led to the ground potential via the ground electrode of the ceramic base. The present invention provides an electronic element sealing structure that can be used.

【0016】また、請求項1又は2のいづれか一に記載
の電子素子封止用パッケ−ジに前記電子素子として圧電
材料素子片を封止した電子素子封止構体。また、前記ベ
−スは略矩形であって、その長手方向に略矩形の電子素
子を両端で固定する請求項5に記載の電子素子封止構体
を提供する。
An electronic element sealing structure in which a piezoelectric material element piece is sealed as the electronic element in the electronic element sealing package according to any one of claims 1 and 2. The electronic element sealing structure according to claim 5, wherein the base is substantially rectangular, and the substantially rectangular electronic element is fixed at both ends in the longitudinal direction.

【0017】また、前記キャップの表面に酸化膜が形成
されている請求項1〜4のいづれか一に記載の電子素子
封止用パッケ−ジを提供する。
Further, the present invention provides the electronic device sealing package according to any one of claims 1 to 4, wherein an oxide film is formed on a surface of the cap.

【0018】また、前記キャップの表面に酸化膜が形成
されている請求項5〜7のいづれか一に記載の電子素子
封止構体を提供する。
The present invention also provides an electronic element sealing structure according to any one of claims 5 to 7, wherein an oxide film is formed on a surface of the cap.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下本発明について特許請求の範
囲に記載された請求項順に図面を参酌しながら順次発明
を説明する。先ず請求項1記載の発明についてである
が、図1から図7でもって説明することができる。請求
項1記載の発明は、セラミックベ−ス上に導電性材料か
らなるキャップを被せた電子素子封止用パッケ−ジであ
って、前記キャップには表面に金又は/及び銀からなる
金属薄膜が形成され、この金属薄膜が形成された部分に
導電性接着剤を配してこのキャップを前記セラミックベ
−ス上に被着し、このセラミックベ−スが有する接地電
極を介して前記キャップを接地電位に導くことができる
電子素子封止用パッケ−ジである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in order of claims described in the appended claims with reference to the drawings. First, the invention according to claim 1 will be described with reference to FIGS. The invention according to claim 1 is a package for sealing an electronic element in which a cap made of a conductive material is covered on a ceramic base, wherein the cap has a metal thin film made of gold and / or silver on its surface. Is formed, a conductive adhesive is disposed on the portion where the metal thin film is formed, and the cap is attached to the ceramic base. The cap is attached to the ceramic base via a ground electrode of the ceramic base. This is an electronic element sealing package that can be led to the ground potential.

【0020】請求項1記載の発明を代表的な図でもって
示したのが図1及び図2である。図1に示すものはセラ
ミックベース11上に導電性材料からなる平板状のキャ
ップ12が被された状態であって、そのキャップ12の
一部を破断して内部を見えるようにした電子素子封止用
パッケージ10であるが、この発明の特徴点はキャップ
自体が導電性材料からなるということの他にこのキャッ
プ12とセラミックベース11とを接着する際に予めキ
ャップ12の表面に金又は/及び銀からなる金属薄膜1
3を形成し、この金属薄膜13が形成された部分に導電
性接着剤14を配して、ないしは配されるようにしてこ
のキャップ12を前記セラミックベース11上に接着す
るようにしている点にある。
FIGS. 1 and 2 show the first embodiment of the present invention in a typical diagram. FIG. 1 shows a state in which a plate-like cap 12 made of a conductive material is covered on a ceramic base 11, and a part of the cap 12 is cut off so that the inside can be seen. A feature of the present invention is that the cap itself is made of a conductive material, and when the cap 12 and the ceramic base 11 are bonded together, gold or / and silver Metal thin film 1
3 is formed, and a conductive adhesive 14 is disposed on a portion where the metal thin film 13 is formed, or the cap 12 is bonded to the ceramic base 11 so as to be disposed. is there.

【0021】先ずキャップ12を導電性材料からなるよ
うにした趣旨であるが導電性材料からなるとするのは導
電性材料は電磁遮蔽の効果があるためである。従ってこ
のキャップ12はセラミックベース11に配される電子
素子片16の全体を被うようになっているのでこの電子
素子片16に外部特に上面側から電磁波が当てられる場
合であってもこのキャップ12によって電磁波が遮蔽さ
れてセラミックベース11に配置されている電子素子片
16に悪影響を与えるということがないのである。
First, the cap 12 is made of a conductive material. The reason why the cap 12 is made of a conductive material is that the conductive material has an electromagnetic shielding effect. Therefore, the cap 12 covers the entire electronic element piece 16 disposed on the ceramic base 11, so that even when an electromagnetic wave is applied to the electronic element piece 16 from the outside, particularly from the upper surface side, the cap 12 can be used. This prevents electromagnetic waves from being shielded from affecting the electronic element piece 16 disposed on the ceramic base 11.

【0022】又、このキャップ12に電磁遮蔽の効果を
有効に持たせるために単にキャップ12の材料が導電性
材料から成っているのみではなく、そのキャップ12が
セラミックベース11が有する接地電極15を介して接
地電位に導かれている点にも特徴がある。このように接
地電位に導かれると電磁波がキャップに当たった場合で
あってもキャップ12の状態を常にゼロ電位に保つこと
ができるので有効に電磁遮蔽をすることができるのであ
る。
Further, in order to effectively provide the cap 12 with an electromagnetic shielding effect, the material of the cap 12 is not merely made of a conductive material, but the cap 12 is provided with the ground electrode 15 of the ceramic base 11. There is also a characteristic in that it is led to the ground potential via the ground. When guided to the ground potential in this way, the state of the cap 12 can always be kept at zero potential even when an electromagnetic wave hits the cap, so that electromagnetic shielding can be effectively performed.

【0023】又この発明の更なる特徴点はキャップ12
とセラミックベース11との接着部分に金属薄膜13が
形成されている点である。一般的に考えればセラミック
ケース11上に形成された接地電極15とキャップ12
とを導電性接着剤14でもって接着し、キャップ12を
セラミックベース11上に被着すればそれで済むように
思えるが実際には導電性材料からなるキャップ12は酸
化され易く従って実際の導電性接着剤14被着面には薄
いながらも酸化膜が形成されており、この酸化膜の形成
によってセラミックベース11上に形成された接地電極
15とキャップ12との接続の抵抗値が大きな値となっ
ている。
A further feature of the present invention is that the cap 12
Is that the metal thin film 13 is formed at the bonding portion between the metal base 11 and the ceramic base 11. Generally speaking, the ground electrode 15 and the cap 12 formed on the ceramic case 11
It seems that it is sufficient if the cap 12 is adhered to the ceramic base 11 with the conductive adhesive 14, but the cap 12 made of a conductive material is liable to be oxidized in practice, so that the actual conductive bonding An oxide film is formed on the surface on which the agent 14 is applied, though it is thin, and the formation of this oxide film increases the resistance of the connection between the ground electrode 15 formed on the ceramic base 11 and the cap 12. I have.

【0024】この抵抗値が大きな値となれば必ずしもキ
ャップ12を全面的にゼロボルト即ち接地電位に導くこ
とができないので電磁遮蔽の能力に影響がでることとな
るのである。例えば請求項1記載の発明のようにキャッ
プの表面に金又は/及び銀からなる金属薄膜を形成しな
い場合には接地電極とキャップとの抵抗値は10オーム
〜数10オーム程度となるのであるが、本発明のように
このキャップの導電性接着剤が配される部分に金又は/
及び銀からなる金属薄膜を形成した場合には抵抗値を1
オーム以下に下げることができるのである。
If the resistance value becomes large, the cap 12 cannot always be brought to zero volt, that is, the ground potential, so that the capability of electromagnetic shielding is affected. For example, when the metal thin film made of gold and / or silver is not formed on the surface of the cap as in the first aspect of the invention, the resistance value between the ground electrode and the cap is about 10 ohms to several tens of ohms. In the present invention, gold or / and / or
And when a metal thin film made of silver is formed, the resistance value becomes 1
It can be reduced to below ohms.

【0025】このように金又は/及び銀からなる金属薄
膜としては例えば銀ペーストのようなもの、金ペースト
のようなものを用いて薄膜を形成することが考えられ
る。金ペーストや銀ペーストのようなものはスクリーン
印刷のような方法でキャップに配置することも可能であ
るし、スクリーン印刷ではなく少量づつ滴下するような
方法で配置することも可能である。金又は銀ペーストの
ようなものを用いた場合にはその後400℃程度に昇温
して溶媒を飛ばし金又は銀の薄膜を形成することができ
る。
As described above, as the metal thin film made of gold and / or silver, it is conceivable to form a thin film using a material such as a silver paste or a material such as a gold paste. A substance such as a gold paste or a silver paste can be disposed on the cap by a method such as screen printing, or can be disposed by a method of dropping a small amount instead of screen printing. When a material such as a gold or silver paste is used, the temperature is then raised to about 400 ° C. to remove the solvent and form a gold or silver thin film.

【0026】尚、ここで言うところの金又は/及び銀か
らなる金属薄膜はこのような材料が含まれていればよい
のであって例えば銀パラジウム合金からなるものであっ
ても又金とその他の金属との混合物のようなものであっ
てもよいことはいうまでもない。このようにキャップの
導電性接着剤が配される部分に金又は/及び銀からなる
金属薄膜を形成することにより、この接合部分の抵抗値
を下げられる作用であるがこれは導電性接着剤とキャッ
プとの間の導電の仕組みに関係がある。
It should be noted that the metal thin film made of gold and / or silver is only required to contain such a material. For example, the metal thin film may be made of a silver-palladium alloy, or may be made of gold and other metals. It goes without saying that it may be a mixture with a metal. By forming a metal thin film made of gold and / or silver on the portion of the cap where the conductive adhesive is disposed, the function of lowering the resistance value of the bonding portion can be achieved. It has to do with the mechanism of conduction between the cap.

【0027】導電性接着剤の内部には金属の微粒子例え
ば銀の微粒子のようなものが含まれているが、この金属
製の微粒子はこの導電性接着剤を導電性たり得るために
必須の役割を果たしている。しかしながらこのキャップ
が導電性材料からなり封止される段階でそのキャップの
接合部分の表面に薄いながらも酸化膜が形成されている
場合にはこの導電性接着剤中に含まれる銀等の金属製の
微粒子がキャップ側に被着することなくキャップの表面
にはその酸化物と相性がよい非導電性の材料が集中する
ような現象が見られるのである。
The inside of the conductive adhesive contains fine particles of metal, for example, fine particles of silver, and the fine particles made of metal play an essential role in making the conductive adhesive conductive. Plays. However, if the cap is made of a conductive material and is sealed, but has a thin but oxidized film formed on the surface of the joining portion of the cap, the cap is made of a metal such as silver contained in the conductive adhesive. A phenomenon is observed in which non-conductive materials compatible with the oxide are concentrated on the surface of the cap without the fine particles adhering to the cap side.

【0028】従って導電性接着剤中に含まれる金属製粒
子がキャップの界面側に現れず、従って導電性が低いも
のとなってしまうのである。勿論この導電性接着剤中に
含まれる金属粒子が全くキャップ側に存在しないという
ことではないがこのようにキャップの表面が酸化される
ことによりこの導電性接着剤に含まれる金属粒子がキャ
ップ側に存在する割合が減るのである。
Therefore, the metal particles contained in the conductive adhesive do not appear on the interface side of the cap, so that the conductivity is low. Of course, it does not mean that the metal particles contained in the conductive adhesive are not present at all on the cap side, but the metal particles contained in the conductive adhesive are oxidized on the cap side by oxidizing the surface of the cap in this way. The proportion that exists is reduced.

【0029】ところが本発明のようにこのキャップの表
面に金又は/及び銀からなる金属薄膜を形成した場合に
はこれらの金属薄膜は酸化しにくくないしは導電性接着
剤に含まれる銀粒子と相性がよいために導電性接着剤を
塗布した場合にその導電性接着剤中に含まれる金属粒子
がキャップ側に十分接触するような形で分布するのであ
る。
However, when a metal thin film made of gold and / or silver is formed on the surface of the cap as in the present invention, these metal thin films are hardly oxidized or compatible with silver particles contained in the conductive adhesive. For this reason, when a conductive adhesive is applied, metal particles contained in the conductive adhesive are distributed in such a manner as to sufficiently contact the cap.

【0030】従って、例えキャップが酸化されるような
環境に置かれている場合であってもその部分は酸化して
ないか、ないしは導電性接着剤中に含まれる銀粒子と同
一の金属が存在するため導電性接着剤中の金属粒子のキ
ャップに対するなじみがよくなってセラミックベースが
有する接地電極とキャップとの抵抗値を大きく下げるこ
とができるのである。
Therefore, even if the cap is placed in an environment where it is oxidized, the portion is not oxidized, or the same metal as the silver particles contained in the conductive adhesive is present. Therefore, the familiarity of the metal particles in the conductive adhesive with the cap is improved, and the resistance value between the ground electrode and the cap of the ceramic base can be greatly reduced.

【0031】図2もセラミックベース21とキャップ2
2の間に電子素子片26が配されており、基本的には図
1と同様な構造を持つ請求項1記載の発明を現す電子素
子異封止用パッケージ20であるが図2のものと図1の
ものとの相違点は接地電極の配され方である。図1のも
のは接地電極15がセラミックベース11の短辺側から
外部に存在してプリント基板構体側に延在するのである
が図2の場合にはセラミックベース21の側面に凹部2
7が設けられて、この凹部27の内部が金属材料で被覆
されこの部分が接地電極25として用いられているので
ある。
FIG. 2 also shows the ceramic base 21 and the cap 2
An electronic element piece 26 is arranged between the two, and has a structure basically similar to that of FIG. The difference from FIG. 1 lies in the arrangement of the ground electrode. In FIG. 1, the ground electrode 15 extends from the short side of the ceramic base 11 to the printed circuit board structure side, but in the case of FIG.
7 is provided, the inside of the concave portion 27 is covered with a metal material, and this portion is used as the ground electrode 25.

【0032】又図3に示すものは図1及び図2に記載し
たような電子素子封止用パッケージないしはこれを用い
た電子素子封止構体31がプリント回路基板30上に配
置される状態を示すものである。このようにプリント回
路基板上に配置された場合に、例え周囲に強い電磁波を
発生するような部品が存在する場合であってもこのキャ
ップが導電性であるために特にその他に遮蔽機構を設け
る必要もなくこの電子素子封止用パッケージの内部の電
子素子片を電磁遮蔽することが可能となるのである。
FIG. 3 shows a state in which an electronic element sealing package as shown in FIGS. 1 and 2 or an electronic element sealing structure 31 using the same is arranged on a printed circuit board 30. Things. When placed on a printed circuit board in this way, even if there is a component that generates strong electromagnetic waves around it, since the cap is conductive, it is necessary to provide another shielding mechanism especially. Without this, it becomes possible to electromagnetically shield the electronic element pieces inside the electronic element sealing package.

【0033】又図4(a)及び(b)に示すものは図1
及び図2に示した電子素子封止用パッケージのその他の
実施例40a、40bを示すものである。この場合にキ
ャップ42a、42bは図1及び図2のものとは異なり
弁当箱の蓋のような形状をしているのであるが、いずれ
にしてもそのキャップ42a、42bの内面ないしは外
面に金又は/及び銀からなる金属薄膜42af、42b
fが形成され導電性接着剤44a、44bでセラミック
ベース41a、41bの接地電極45a、45bに導か
れているために十分によい電磁遮蔽効果を持つものであ
る。
FIGS. 4 (a) and 4 (b) correspond to FIG.
7A and 7B show other examples 40a and 40b of the electronic device sealing package shown in FIG. In this case, the caps 42a and 42b have a shape like a lid of a lunch box unlike those in FIGS. 1 and 2, but in any case, gold or gold is formed on the inner or outer surface of the caps 42a and 42b. / And metal thin films 42af, 42b made of silver
Since f is formed and is led to the ground electrodes 45a and 45b of the ceramic bases 41a and 41b by the conductive adhesives 44a and 44b, it has a sufficiently good electromagnetic shielding effect.

【0034】尚、このように弁当箱の蓋状にすることに
よって嵩が高い電子素子を内部に収納する場合であって
もその電子素子全体を包み込むようにキャップをするこ
とができるので電磁遮蔽の効果は大である。図4(a)
に示すものはキャップ42aの内面に金属薄膜42af
を形成したものであり、図4(b)に示すものはキャッ
プ42bの外面に金属薄膜42bfを形成したものであ
る。
Even when a bulky electronic element is housed inside by making the lunch box cover like this, a cap can be provided so as to enclose the entire electronic element, so that the electromagnetic shielding is prevented. The effect is great. FIG. 4 (a)
Shows a metal thin film 42af on the inner surface of the cap 42a.
The one shown in FIG. 4B is one in which a metal thin film 42bf is formed on the outer surface of a cap 42b.

【0035】何れにしてもキャップ42a、42bの表
面に金又は/及び銀からなる金属薄膜42af、42b
fを形成し、この金属薄膜が形成された部分に導電性接
着剤44a、44bを配してこのキャップ42a、42
bを前記セラミックベース41a、41b上に被着しこ
のセラミックベースが有する接地電極45a、45bを
介してキャップ42a、42bを接地電位に導くことが
できるようにしてあるので従来のものと比べて接地電極
45a、45bとキャップ42a、42bとの間の抵抗
値を極めて小さくすることができ、具体的には1オーム
以下にすることができ大きな電磁遮蔽効果を実現するこ
とができるのである。
In any case, the metal thin films 42af, 42b made of gold and / or silver are formed on the surfaces of the caps 42a, 42b.
f, and conductive adhesives 44a, 44b are disposed on the portion where the metal thin film is formed to form caps 42a, 42b.
b is attached to the ceramic bases 41a and 41b, and the caps 42a and 42b can be guided to the ground potential via the ground electrodes 45a and 45b of the ceramic base. The resistance value between the electrodes 45a, 45b and the caps 42a, 42b can be made extremely small, specifically, 1 ohm or less, and a large electromagnetic shielding effect can be realized.

【0036】図5に示すものはこのセラミックベースの
製造工程を簡単に示したものである。前述のように樹脂
等のモールドでもって半導体素子を封止する場合にはそ
の熱が問題になるのであるが半導体素子をこのようなセ
ラミックパッケージに封止する場合には高い熱伝導率を
持つセラミックス材料を用いることにより半導体素子片
が発生する熱を有効に外部に排除して半導体素子片の機
能を担保するのである。
FIG. 5 shows a simplified process of manufacturing this ceramic base. As mentioned above, when sealing a semiconductor element with a mold such as resin, the heat is a problem, but when sealing a semiconductor element in such a ceramic package, ceramics having a high thermal conductivity are used. By using the material, the heat generated by the semiconductor element piece is effectively eliminated to the outside, and the function of the semiconductor element piece is secured.

【0037】例えばアルミナを用いてこのようなセラミ
ックパッケージのベースを製造する場合について簡単に
説明する。図5に示すのがそれである。IC素子の進歩
に伴い基板には配線回路の高密度化、発熱の防止、温度
湿度変化や埃からの保護が要求されるようになり多層化
基板やICパッケージや圧電素子等の素子を組み合わせ
たパッケージが発展してきているが本発明はこれらをさ
らに改良したものであって、このセラミックベース材料
はグリーンシート法を用いて製造することができる。
The case of manufacturing such a ceramic package base using, for example, alumina will be briefly described. This is shown in FIG. With the advancement of IC elements, higher density of wiring circuits, prevention of heat generation, protection from temperature / humidity changes and dust are required for substrates, and elements such as multilayered substrates, IC packages, and piezoelectric elements are combined. Although packages have evolved, the present invention is a further improvement of these, and the ceramic base material can be manufactured using a green sheet method.

【0038】グリーンシート法はドクターブレード法に
より作成したガラス、セラミックやアルミナのグリーン
シートに導体ペーストを印刷したものを積層し一括して
焼成したものであり、電子素子片例えば圧電素子や水晶
振動子、LSIやVLSIにとって又更により高信頼性
を必要とされる素子にとって極めて信頼性の高い多層回
路基板ないしは多層回路を有するセラミックベースの製
造方法である。
The green sheet method is a method in which a conductive sheet is printed on a green sheet of glass, ceramic or alumina prepared by a doctor blade method and laminated and fired together. This is a method for manufacturing a ceramic base having a multi-layer circuit board or a multi-layer circuit which is extremely reliable for LSIs and VLSIs and for elements requiring even higher reliability.

【0039】この方法で作られるセラミックベースには
多くの特徴があるが、先ず第一点として微細配線を施し
た多数のシートの積層が容易であるため高密度配線が可
能であるということである。従ってこの電子素子封止用
パッケージのセラミックベースも多層に配線することに
より内部に多くの電極ポイントを有する素子を容易に収
納することができるのである。
The ceramic base produced by this method has many features. First, the first point is that high-density wiring is possible because a large number of sheets with fine wiring are easily laminated. . Therefore, by wiring the ceramic base of the electronic element sealing package in multiple layers, an element having many electrode points inside can be easily accommodated.

【0040】第二に絶縁基板や導体を同時焼成してつく
るので一体化が完全で信頼性が高いというメリットもあ
る。グリーンシート法による多層回路基板等のセラミッ
ク体の基本的製造プロセスを説明すると先ず、原料粉体
とフラックス、有機バインダ、溶剤、可塑剤をボールミ
ル中で良く混合しスラリーとする。このスラリーをブレ
ードによりキャリアテープ上に伸展し、乾燥したものを
グリーンシートとする。
Secondly, since the insulating substrate and the conductor are formed by simultaneous firing, there is also an advantage that the integration is complete and the reliability is high. The basic manufacturing process of a ceramic body such as a multilayer circuit board by a green sheet method will be described. First, a raw material powder, a flux, an organic binder, a solvent, and a plasticizer are thoroughly mixed in a ball mill to form a slurry. This slurry is spread on a carrier tape by a blade and dried to obtain a green sheet.

【0041】このグリーンシートは厚みが0.1〜1.
0mm程度のもので厚さは必要に応じて調整することが
できる。このグリーンシート上に金属粉末にて作成した
導体ペーストをスクリーン印刷する。この導体ペースト
は電極材料となり、具体的には接地電極もこの方法によ
って形成される。グリーンシート法における多層化の方
法にはシート積層、印刷多層と両者を併用の3方法があ
るがよく用いられているのはシート積層法である。
This green sheet has a thickness of 0.1 to 1.
The thickness is about 0 mm, and the thickness can be adjusted as needed. A conductor paste made of metal powder is screen-printed on the green sheet. This conductor paste becomes an electrode material, and specifically, a ground electrode is also formed by this method. In the green sheet method, there are three methods of multi-layering, a sheet laminating method, a printing multi-layer method and a method using both of them, and the sheet laminating method is often used.

【0042】シート積層法によればグリーンシートに金
型やマイクロドリルにて穴あけを行いその中に導体ペー
ストを充填し、パターンを印刷したものを複数枚積層し
焼成することによってセラミックベース体が製造され
る。このようなシート積層法により製造されるセラミッ
クベースの概略仕様としては配線材質は銀、銀パラジウ
ム、ないしは銅のようなもので最小線幅は0.08mm
程度、配線最小線間隔は0.1mm程度、最小スルーホ
ール径は0.1mm程度、最小スルーホールピッチは
0.25mm程度である。
According to the sheet lamination method, a ceramic base body is manufactured by piercing a green sheet with a mold or a micro drill, filling the green sheet with a conductive paste, laminating a plurality of printed patterns, and firing. Is done. As a general specification of the ceramic base manufactured by such a sheet lamination method, the wiring material is such as silver, silver palladium, or copper, and the minimum line width is 0.08 mm.
The minimum line spacing is about 0.1 mm, the minimum through hole diameter is about 0.1 mm, and the minimum through hole pitch is about 0.25 mm.

【0043】又従来用いられてきた材料粉体の材質とし
ては熱伝導性がよいものとして90〜94%程度のアル
ミナを用い、熱膨張係数は75×10−7/℃、誘電率
は8.5、比抵抗は1014Ω/cm程度のものであ
る。又このように積層されるシートの最大積層数は45
層程度までが可能であるがこのようなセラミックパッケ
ージにおいては高々10層程度もあれば十分高密度のセ
ラミックパッケージ即ち電子素子封止用パッケージを製
造することができる。
As the material of the conventionally used material powder, alumina of about 90 to 94% is used as a material having good thermal conductivity, the coefficient of thermal expansion is 75 × 10 −7 / ° C., and the dielectric constant is 8. 5. The specific resistance is about 10 14 Ω / cm. The maximum number of sheets to be stacked in this way is 45.
Although it is possible to have up to about 10 layers, in such a ceramic package, if there are at most about 10 layers, a sufficiently high-density ceramic package, that is, an electronic element sealing package can be manufactured.

【0044】複数枚のグリーンシートを一体化する工程
を説明するとこれは図6に示すようなものである。一般
的には低温等方圧圧密成形所謂CIP法が用いられてい
る。CIP法ではもとの材料となる積層されたグリーン
シートをゴム質の袋の中に入れそれを圧縮容器の中に入
れてある圧力伝達液(純粘性液体)の中に入れその伝達
液を圧縮し、伝達液中に発生するパスカル圧によって袋
中の原料粉体を等方的に圧縮圧密する。
The step of integrating a plurality of green sheets will be described with reference to FIG. Generally, a so-called CIP method is used for low-temperature isotropic consolidation molding. In the CIP method, a laminated green sheet as an original material is put into a rubber bag, which is put into a pressure transmitting liquid (pure viscous liquid) put in a compression container, and the transmitting liquid is compressed. Then, the raw material powder in the bag is isotropically compacted by the Pascal pressure generated in the transmission liquid.

【0045】パスカル圧によって四方八方から等方的に
締められるので一軸圧密の場合に比べてより高度の等方
加圧や高密度加圧均質加圧が達成される。このため保形
成に優れた高密度形成体を得ることができ電子素子封止
用のセラミックベースの製造方法として最適である。
Since it is tightened isotropically from all directions by the Pascal pressure, a higher degree of isostatic pressing and high-density uniform pressing can be achieved as compared with uniaxial consolidation. For this reason, a high-density formed body excellent in preservation can be obtained, and it is most suitable as a method for manufacturing a ceramic base for electronic element sealing.

【0046】この方法は先ずセラミックスシートを目的
の形状にパンチングしたグリーンシート60とパターン
を印刷したグリーンシート61、62に加工する工程、
これらのグリーンシート61,62を重ねあわせ積層体
63を形成する工程、その積層体63をビニール袋64
に入れ包装する工程、グリーンシートの積層体63を入
れ包装されたビニール袋64を真空引きする工程、ビニ
ール袋64がグリーンシート積層体63に密着するよう
にする工程、等方プレスをする工程からなっている。
In this method, first, a ceramic sheet is processed into a green sheet 60 punched into a desired shape and green sheets 61 and 62 on which a pattern is printed.
A step of laminating these green sheets 61 and 62 to form a laminate 63;
, Packaging the green sheet laminate 63, evacuating the packaged plastic bag 64, bringing the plastic bag 64 into close contact with the green sheet laminate 63, and isostatic pressing. Has become.

【0047】尚、低温等方圧圧密成形の他に高温等方圧
圧密成形所謂HIPを用いるものもあるが原理的には同
様である。このように低温等方圧圧密成形を行うのは等
方プレスをすることによりシート中に含まれるバインダ
ーを軟化させ、軟化させたバインダーでグリーンシート
間を接着しセラミック体を完成するためである。従来は
以上のようにグリーンシートの成形においては主に低温
等方圧圧密成形が行なわれていたが本発明者等は更にセ
ラミックベースを形成するための最適な方法をも見出し
ている。
Incidentally, in addition to low-temperature isostatic consolidation molding, there is also a type using high-temperature isostatic consolidation molding, so-called HIP, but the same is in principle the same. The reason why the low-temperature isotropic consolidation molding is performed is to soften the binder contained in the sheet by performing isotropic pressing, and to bond the green sheets with the softened binder to complete the ceramic body. Conventionally, low-temperature isotropic consolidation molding was mainly performed in forming a green sheet as described above, but the present inventors have further found an optimal method for forming a ceramic base.

【0048】この方法ではセラミックシート61,62
を正確に重ねあわせビニール袋64にて包装し真空引き
する工程を数回繰り返す必要がなく、又ビニール袋64
等の廃棄物が多量に発生するという問題も回避すること
ができる。即ちグリーンシート61,62を積層して形
成されるセラミック体の製造方法であり、グリーンシー
トの積層面にこのグリーンシート61,62に含まれる
バインダーを溶解する溶剤を塗布する工程とこの溶剤を
塗布されたグリーンシートを積層する工程と、この積層
されたグリーンシートをプレスして一体化する工程とプ
レスされたグリーンシートを焼成する工程とからなるセ
ラミックベースの製造方法である。
In this method, the ceramic sheets 61, 62
It is not necessary to repeat the process of stacking the bags accurately in a plastic bag 64 and evacuating several times.
Such a problem that a large amount of waste is generated can be avoided. That is, this is a method of manufacturing a ceramic body formed by laminating green sheets 61 and 62, a step of applying a solvent for dissolving a binder contained in the green sheets 61 and 62 to the lamination surface of the green sheets, and applying the solvent. This is a method for manufacturing a ceramic base, comprising a step of stacking the green sheets thus pressed, a step of pressing and integrating the stacked green sheets, and a step of firing the pressed green sheets.

【0049】このような方法についてこの溶剤の塗布は
濡らされたメッシュシートを前記グリーンシートの積層
面に密接して行うことができ、又溶剤蒸気を積層面にス
プレーすることによって行うものでもよい。又積層され
たグリーンシートをプレスして一体化する工程において
はプレス圧力が1kg/cm以上10kg/cm以下
の圧力で行うのが好ましい。また、一方向プレスでは3
0〜50kg/cm100℃前後にて接着が可能であ
る。また、グリーンシート中の可塑剤の見直しで低圧接
着も可能である。
Regarding such a method, the application of the solvent can be performed by bringing the wet mesh sheet into close contact with the lamination surface of the green sheet, or by spraying a solvent vapor onto the lamination surface. In the step of pressing and integrating the laminated green sheets, it is preferable to perform the pressing at a pressure of 1 kg / cm 2 to 10 kg / cm 2 . Also, in one-way press, 3
Adhesion is possible at around 0 to 50 kg / cm 2 100 ° C. Low pressure bonding is also possible by reviewing the plasticizer in the green sheet.

【0050】又前記バインダーはポリビニルブチラー
ル、前記溶剤はメタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、N−ブタノール、の中から適当な組み合わ
せによって設計することが可能である。又前記溶剤では
シクロヘキサノン、イソホロンの組み合わせも良く、バ
インダにはポリビニルブチラール、溶剤にはN−Nジメ
チルホルムアミドを用いるのがよい。以上のように本発
明者等は電子素子封止用パッケージのうちセラミックベ
ースの製造方法について安価で且つ確実な製造方法をも
見出しているのである。
The binder can be designed by polyvinyl butyral, and the solvent can be designed by an appropriate combination of methanol, ethanol, isopropyl alcohol and N-butanol. The solvent may be a combination of cyclohexanone and isophorone, the binder may be polyvinyl butyral, and the solvent may be NN-dimethylformamide. As described above, the present inventors have also found an inexpensive and reliable method for manufacturing a ceramic base in an electronic element sealing package.

【0051】次にこの導電性封止剤について簡単に説明
する。これについてクレームしたのが請求項2である。
即ち請求項2記載の発明は前述のように、前記導電性接
着剤は、ガラス成分中に金属材料からなる導電性粒子が
分散させられた導電性ガラスである請求項1に記載の電
子素子封止用パッケ−ジである。一般的には導電性封止
剤としては先ず考えられるのは有機系の封止剤である
が、有機系の封止剤中のバインダには高温化することに
よってガスが発生するものがあり、このようなガスは封
止用パッケージ内に封止された電子素子片に対して悪影
響を与える場合がある。
Next, the conductive sealant will be briefly described. Claim 2 claims this.
That is, in the invention according to claim 2, as described above, the conductive adhesive is a conductive glass in which conductive particles made of a metal material are dispersed in a glass component. It is a package for stopping. Generally, an organic sealant is first considered as a conductive sealant, but some of the binders in the organic sealant generate gas when heated to a high temperature. Such a gas may adversely affect the electronic element pieces sealed in the sealing package.

【0052】従ってこのようなガスを発生しない材料と
してガラスが考えられ、そのガラスの中で特にガラス中
に導電性粒子を分散した導電性接着剤が請求項1記載の
導電性接着剤として適したものであるということが言え
る。これを図をもって示したのが図7(a)(b)であ
る。要は金属粒子72とガラスのバインダ73からなる
導電性接着剤70中の金属粒子72が連続して繋がって
いればよい。これにより図8に示すように導電性接着剤
80中の金属粒子82が連続している部分に電気の流れ
ができ、結果としてキャップを接地電位に導くことがで
きるのである。尚、この導電性接着剤中のバインダを有
機系のものにしても問題が生じない場合にはそれでもよ
い。
Accordingly, glass is considered as a material which does not generate such a gas, and among these glasses, a conductive adhesive in which conductive particles are dispersed in glass is particularly suitable as the conductive adhesive according to claim 1. It can be said that it is. This is shown in FIGS. 7A and 7B. The point is that the metal particles 72 in the conductive adhesive 70 composed of the metal particles 72 and the glass binder 73 should be continuously connected. As a result, as shown in FIG. 8, electricity flows to the portion where the metal particles 82 in the conductive adhesive 80 are continuous, and as a result, the cap can be led to the ground potential. If no problem occurs even if the binder in the conductive adhesive is made of an organic binder, it may be used.

【0053】この種の有機系の封止剤としてはポリイミ
ド系のものとエポキシ系のものがよい。ポリイミド系の
ものは特に銀粒子を含有する導電性ポリイミド封止剤が
よく、一般的な特性としては150℃〜300℃程度で
硬化させることができ、使用温度範囲は−55℃〜35
℃程度、最高継続使用温度は200℃程度、ダイシェア
接着強度は夫々25℃で205kg、150℃で170
kg、300℃で150kg、350℃で70kg程度
のものが実現できる。
As the organic sealing agent of this type, a polyimide-based sealing agent and an epoxy-based sealing agent are preferable. A polyimide-based material is preferably a conductive polyimide encapsulant containing silver particles, as a general property, can be cured at about 150 ° C. to 300 ° C., and a use temperature range is −55 ° C. to 35 ° C.
° C, the maximum continuous use temperature is about 200 ° C, and the die shear adhesive strength is 205 kg at 25 ° C and 170 kg at 150 ° C, respectively.
Approximately 150 kg at 300 ° C. and 70 kg at 350 ° C. can be realized.

【0054】又十分高密度に形成された体積抵抗率は
0.0001〜0.0002Ωcm程度を実現すること
ができる。従ってこの程度のダイシェア強度とこの程度
の体積抵抗率を有する場合には本発明の目的であるとこ
ろの電子素子片を外部の電磁界から十分有効に遮蔽する
ことができるのである。
The volume resistivity formed at a sufficiently high density can realize about 0.0001 to 0.0002 Ωcm. Accordingly, when the die shear strength and the volume resistivity are at this level, the electronic element piece, which is the object of the present invention, can be effectively shielded from an external electromagnetic field.

【0055】又この程度の機械的強度を有すればプリン
ト基板上に面実装する際にも十分な強度があり、又他の
電子部品等と合わせて高温炉に入れられはんだ工程やそ
の他の工程を通過する場合にも特に問題はない。エポキ
シ系の封止剤についてはその諸特性は原則的にはポリイ
ミド系の封止剤と同様であるが硬化減量いわゆるTGA
はポリイミド系の封止剤よりも小さく一般的には以下の
ような特性を有する。
With this level of mechanical strength, it has sufficient strength for surface mounting on a printed circuit board, and is put in a high-temperature furnace together with other electronic parts and the like, and is subjected to soldering and other processes. There is no particular problem when passing through. The properties of the epoxy-based sealant are basically the same as those of the polyimide-based sealant.
Is smaller than a polyimide-based sealant and generally has the following characteristics.

【0056】即ち硬化条件は120℃程度〜200℃程
度であり、使用温度範囲は−55℃〜150℃程度、ダ
イシェア接着強度は夫々25℃で380キロ、150℃
で84キロ、350℃で35キロである。又十分高密度
に形成されるので体積抵抗率も0.0002Ωcm程度
と低い。このような有機系の導電性接着剤はセラミック
体からなるセラミックパッケージのセラミックベースの
所定部分にスクリーン印刷やデイスペンサあるいはスタ
ンピング等の各方法で配置されるようになっている。勿
論セラミックベースに配置せずにキャップの金属薄膜が
形成される部分に配置するようなものであってもよいこ
とは言うまでもない。
That is, the curing conditions are about 120 ° C. to 200 ° C., the operating temperature range is about −55 ° C. to 150 ° C., and the die shear adhesive strength is 380 kg at 25 ° C. and 150 ° C., respectively.
84 kg and 35 kg at 350 ° C. Further, since it is formed at a sufficiently high density, the volume resistivity is as low as about 0.0002 Ωcm. Such an organic conductive adhesive is arranged on a predetermined portion of a ceramic base of a ceramic package made of a ceramic body by a method such as screen printing, dispenser or stamping. It goes without saying that the cap may be arranged at the portion where the metal thin film of the cap is formed, without being arranged at the ceramic base.

【0057】次に請求項3記載の発明について説明す
る。請求項3記載の発明は前述のように前記キャップ
は、金属材料又は導電性セラミック材料からなる請求項
1又は2のいづれか一に記載の電子素子封止用パッケ−
ジである。導電性のキャップの材料としては一般的に金
属材料を思い付くであろうが金属材料以外のセラミック
材料であって導電性のものを用いることも可能である。
Next, the third aspect of the present invention will be described. According to a third aspect of the present invention, as described above, the cap is made of a metal material or a conductive ceramic material.
It is di. As a material for the conductive cap, a metal material will generally be conceived, but it is also possible to use a conductive material which is a ceramic material other than the metal material.

【0058】このように導電性のセラミック材料を用い
た場合にはキャップの形状を比較的加工し易く例えば図
9に示すような嵩だかのキャップ92も可能であるので
外部からの電磁遮蔽が特に必要であってその電子素子片
93をキャップ92によって保護しようとする場合には
図9に示すように電子素子片93を縦に配置し、その電
子素子片93の全体がキャップ92によって収納される
ような電子素子封止用パッケージ90にすればよい。
When a conductive ceramic material is used as described above, the shape of the cap is relatively easy to process, and for example, a bulky cap 92 as shown in FIG. 9 is possible. When it is necessary to protect the electronic element piece 93 with the cap 92, the electronic element piece 93 is vertically arranged as shown in FIG. 9, and the entire electronic element piece 93 is housed by the cap 92. Such an electronic element sealing package 90 may be used.

【0059】次に請求項4記載の発明について説明す
る。請求項4記載の発明は前述のように前記セラミック
ベ−スは、ガラス中にフォルステライトを30〜70w
t%分散させた熱膨張率が100〜150×10−7
ガラスセラミック複合材料からなり前記キャップはニッ
ケル鉄合金からなる請求項1又は2に記載の電子素子封
止用パッケ−ジである。請求項4記載の発明の特徴点は
セラミックベースの材料が所謂ガラスセラミック複合材
料を用いている点とキャップの材料としてニッケル鉄合
金を用いている点にある。
Next, the invention according to claim 4 will be described. According to a fourth aspect of the present invention, as described above, the ceramic base contains forsterite in a glass of 30 to 70 watts.
The electronic device sealing package according to claim 1, wherein the cap is made of a glass-ceramic composite material having a thermal expansion coefficient of 100 to 150 × 10 −7 dispersed therein by t%, and the cap is made of a nickel-iron alloy. The feature of the invention according to claim 4 is that the so-called glass-ceramic composite material is used as the ceramic base material and the nickel-iron alloy is used as the material of the cap.

【0060】このようにガラスセラミック材料を用いる
ことによって熱膨張係数を比較的高くすることができる
のでこのセラミックベースの熱膨張係数を例えば水晶振
動子片の熱膨張係数に合わせることが可能となる。又キ
ャップの材料としてニッケル鉄合金を用いた場合には非
常に高い電磁遮蔽性能を有するため薄いキャップを用い
る場合であっても有効な電磁遮蔽性能を確保することが
できるのである。
As described above, since the thermal expansion coefficient can be made relatively high by using the glass ceramic material, it becomes possible to match the thermal expansion coefficient of this ceramic base to, for example, the thermal expansion coefficient of a quartz resonator element. Also, when a nickel-iron alloy is used as the material of the cap, the electromagnetic shielding performance is extremely high, so that even when a thin cap is used, effective electromagnetic shielding performance can be ensured.

【0061】次に請求項5記載の発明を説明する。請求
項5記載の発明は前述のように、水晶振動子片を配置し
たセラミックベ−ス上に導電性材料からなるキャップを
被せた電子素子封止構体であって、前記セラミックベ−
スは、ガラス中にフォルステライトを30〜70wt%
分散させた熱膨張率が100〜150×10−7のガラ
スセラミック複合材料からなり前記キャップは鉄ニッケ
ル合金からなり表面に金又は/及び銀からなる金属薄膜
が形成され、この金属薄膜が形成された部分に導電性接
着剤を配してこのキャップを前記セラミックベ−ス上に
被着し、このセラミックベ−スが有する接地電極を介し
て前記キャップを接地電位に導くことができる電子素子
封止構体である。
Next, the invention according to claim 5 will be described. According to a fifth aspect of the present invention, as described above, there is provided an electronic element sealing structure in which a cap made of a conductive material is placed on a ceramic base on which a quartz resonator element is disposed.
Is forsterite in glass 30-70wt%
The cap is made of a dispersed glass-ceramic composite material having a coefficient of thermal expansion of 100 to 150 × 10 −7 , the cap is made of an iron-nickel alloy, and a metal thin film made of gold or / and silver is formed on the surface. The cap is attached to the ceramic base by arranging a conductive adhesive on the ceramic base, and the electronic element seal capable of guiding the cap to the ground potential through the ground electrode of the ceramic base. It is a stop structure.

【0062】請求項5記載の発明は請求項4記載の発明
を更に具体的にしたものであってフォルステライとを含
有するガラスセラミックス複合材料をベースとする場合
には水晶振動子が最適であることから水晶振動子片を配
置したセラミックベースに限定したものである。
The invention according to claim 5 is a more specific example of the invention according to claim 4, and when a glass-ceramic composite material containing forsterei is used as a base, a quartz oscillator is most suitable. For this reason, the present invention is limited to the ceramic base on which the quartz oscillator pieces are arranged.

【0063】次に請求項6記載の発明について説明す
る。請求項6記載の発明は前述のように請求項1又は2
のいづれか一に記載の電子素子封止用パッケ−ジに前記
電子素子として圧電材料素子片を封止した電子素子封止
構体である。請求項6記載の発明は請求項1又は2記載
の発明が実際の電子素子片を封止して電子素子封止構体
となったものをクレームするものである。
Next, the invention according to claim 6 will be described. The invention according to claim 6 is as described above in claim 1 or 2
An electronic element sealing structure in which a piezoelectric material element piece is sealed as the electronic element in the electronic element sealing package according to any one of the above. The invention of claim 6 claims the invention of claim 1 or 2 in which an actual electronic element piece is sealed to form an electronic element sealing structure.

【0064】次に請求項7記載の発明について説明す
る。請求項7記載の発明は前述のように前記ベ−スは略
矩形であって、その長手方向に略矩形の電子素子を両端
で固定する請求項5に記載の電子素子封止構体である。
このようにセラミックベース上に配置される電子素子が
両端で固定されている場合即ち図11に示されているよ
うな場合には実際にこの電子素子封止構体が加熱工程に
供された場合に内部の電子素子に生じる熱応力が問題と
なる。即ち熱膨張係数が一般的には電子素子片のものと
セラミックベースのものとは異なるためその熱膨張率の
違いによって電子素子片に対して熱応力が加えられる。
Next, the invention according to claim 7 will be described. The invention according to claim 7 is the electronic element sealing structure according to claim 5, wherein the base is substantially rectangular as described above, and the substantially rectangular electronic element is fixed at both ends in the longitudinal direction.
In the case where the electronic element arranged on the ceramic base is fixed at both ends in this way, that is, as shown in FIG. 11, when the electronic element sealing structure is actually subjected to a heating step, The thermal stress generated in the internal electronic element becomes a problem. That is, since the thermal expansion coefficient is generally different from that of the electronic element piece and that of the ceramic base, thermal stress is applied to the electronic element piece due to the difference in the coefficient of thermal expansion.

【0065】この熱応力は電子素子片に悪影響を与える
のでできるだけこの熱応力っは小さい方がよい。そこで
このようなセラミックベースの材料として前述のように
ガラスセラミックス複合体を用いたのである。このよう
にガラスセラミックス複合体を用いた場合には図10に
示すように電子素子片102が両端で固定される電子素
子封止用パッケージ100であっても電子素子片102
とセラミックベース101との熱膨張係数が合致してい
るので熱応力が必要以上に電子素子片102に与えられ
るということもなく、このような電子素子片の固定方法
であってもその電子素子片の性能を損なうということが
ないという特徴を有する。
Since this thermal stress has an adverse effect on the electronic element piece, the thermal stress should be as small as possible. Therefore, a glass-ceramic composite was used as such a ceramic-based material as described above. When the glass-ceramic composite is used in this manner, even if the electronic element sealing package 100 has the electronic element pieces 102 fixed at both ends as shown in FIG.
Since the thermal expansion coefficients of the ceramic element and the ceramic base 101 match, no thermal stress is applied to the electronic element piece 102 more than necessary, and even with such an electronic element piece fixing method, It has the feature that the performance of is not impaired.

【0066】次に請求項8及び請求項9記載の発明につ
いて説明する。請求項8記載の発明は前述のように、前
記キャップの表面に酸化膜が形成されている請求項1〜
4のいづれか一に記載の電子素子封止用パッケ−ジであ
る。請求項9記載の発明は前述のように前記キャップの
表面に酸化膜が形成されている請求項5〜7のいづれか
一に記載の電子素子封止構体である。このようにキャッ
プの表面に酸化膜が形成されていても金属薄膜をその上
に形成することによって導電性接着剤中に含まれる金属
粒子の偏在を防止してキャップとセラミックパッケージ
の接地電極との間の低い抵抗値を実現することができる
のである。
Next, the invention according to claims 8 and 9 will be described. In the invention according to claim 8, as described above, an oxide film is formed on the surface of the cap.
4. The package for sealing an electronic element according to any one of 4. The invention according to claim 9 is the electronic element sealing structure according to any one of claims 5 to 7, wherein an oxide film is formed on the surface of the cap as described above. Even if an oxide film is formed on the surface of the cap in this way, by forming a metal thin film thereon, the uneven distribution of metal particles contained in the conductive adhesive is prevented, and the gap between the cap and the ground electrode of the ceramic package is reduced. A low resistance value between them can be realized.

【0067】従って請求項8又は請求項9記載のように
キャップの表面に酸化膜が形成されている場合であって
も十分に電磁遮蔽効果を有する電子素子封止構体ないし
は電子素子っ封止用パッケージを実現できる。特にこの
キャップの表面に酸化膜を形成する必要がある場合例え
ば酸化膜を形成してその金属キャップないしは導電性キ
ャップの外部環境からの保護を図ろうとするような場合
にはキャップの表面を酸化することが必須となるのであ
るが、このような場合であっても電磁遮蔽性能を損なわ
ないというのが請求項8又は請求項9記載の発明のあ特
徴点であるということができる。
Therefore, even when an oxide film is formed on the surface of the cap as described in claim 8 or 9, an electronic element sealing structure or an electronic element sealing structure having a sufficient electromagnetic shielding effect. Package can be realized. In particular, when it is necessary to form an oxide film on the surface of the cap, for example, when an oxide film is formed to protect the metal cap or the conductive cap from the external environment, the surface of the cap is oxidized. It is essential that the electromagnetic shielding performance is not impaired even in such a case, which is a feature of the invention according to claim 8 or claim 9.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上説明したように請求項1〜9記載の
発明によれば導電性材料からなるキャップを用いセラミ
ックベース上にこれを封止し、特にセラミックベースの
接地電極に対して導電性接着剤を用いて封止する際にキ
ャップの部分に金属薄膜を形成したので非常に小さな接
続抵抗を実現することができ、十分な電磁遮蔽を実現す
ることができる。又セラミックベース上に電子素子片を
封止するので熱の問題もなく、又特定の熱膨張係数に合
わせることによって熱応力が内部に収納される電子素子
片に溜まるということもない優れた電子素子封止用パッ
ケージ及び電子素子封止構体が実現される。
As described above, according to the first to ninth aspects of the present invention, a cap made of a conductive material is sealed on a ceramic base, and in particular, the cap is made conductive with respect to the ground electrode of the ceramic base. Since a thin metal film is formed on the cap when sealing with an adhesive, a very small connection resistance can be realized, and sufficient electromagnetic shielding can be realized. Also, since the electronic element piece is sealed on the ceramic base, there is no problem of heat, and an excellent electronic element in which thermal stress does not accumulate in the electronic element piece housed therein by adjusting to a specific coefficient of thermal expansion. A sealing package and an electronic element sealing structure are realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の電子素子封止用パッケージの実施例
の一部破断斜視図
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view of an embodiment of an electronic element sealing package of the present invention.

【図2】 本発明の電子素子封止用パッケージの他の実
施例の一部破断斜視図
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of another embodiment of the electronic device sealing package of the present invention.

【図3】 本発明の電子素子封止構体がプリント基板上
に配置された状態を示す斜視図
FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the electronic element sealing structure of the present invention is disposed on a printed circuit board.

【図4】 本発明の電子素子封止用パッケージの他の実
施例を示す側断面図
FIG. 4 is a side sectional view showing another embodiment of the electronic device sealing package of the present invention.

【図5】 セラミックベースの製造工程図FIG. 5 is a manufacturing process diagram of a ceramic base.

【図6】 グリーンシートを一体化する工程図FIG. 6 is a process chart for integrating green sheets.

【図7】 導電性接着剤の構成を示す概念図FIG. 7 is a conceptual diagram showing a configuration of a conductive adhesive.

【図8】 導電性接着剤を導電する仕組みを示す概念図FIG. 8 is a conceptual diagram showing a mechanism for conducting a conductive adhesive.

【図9】 嵩だかのキャップによる電子素子片の収納を
示す電子素子封止用パッケージの分解斜視図
FIG. 9 is an exploded perspective view of an electronic element sealing package showing the storage of electronic element pieces by a bulky cap.

【図10】 電子素子片が両端で固定されている場合の
熱応力を示す正面図
FIG. 10 is a front view showing thermal stress when an electronic element piece is fixed at both ends.

【図11】 従来の半導体装置の側断面図FIG. 11 is a side sectional view of a conventional semiconductor device.

【図12】 従来の電子素子封止用パッケージの分解斜
視図
FIG. 12 is an exploded perspective view of a conventional electronic element sealing package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、20、電子素子封止用パッケージ 31 電子素子封止構体 41a、41b、91、101 セラミックベース 42a、42b、92 キャップ 42af、42bf 金属薄膜 14、44a、44b 導電性接着剤 45a、45b 接地電極 72,82 導電性粒子 10, 20; package for electronic element sealing 31 electronic element sealing structure 41a, 41b, 91, 101 ceramic base 42a, 42b, 92 cap 42af, 42bf metal thin film 14, 44a, 44b conductive adhesive 45a, 45b ground electrode 72,82 conductive particles

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸 栄吾 滋賀県大津市晴嵐2丁目9番1号 関西日 本電気株式会社内 Fターム(参考) 5J033 GG03 GG08 GG14 GG15 KK04 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Eigo Kishi, Inventor 2-9-1, Hararashi, Otsu-shi, Shiga Prefecture Kansai Nippon Electric Co., Ltd. F-term (reference) 5J033 GG03 GG08 GG14 GG15 KK04

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】セラミックベ−ス上に導電性材料からなる
キャップを被せた電子素子封止用パッケ−ジであって、
前記キャップには表面に金又は/及び銀からなる金属薄
膜が形成され、この金属薄膜が形成された部分に導電性
接着剤を配してこのキャップを前記セラミックベ−ス上
に被着し、このセラミックベ−スが有する接地電極を介
して前記キャップを接地電位に導くことができる電子素
子封止用パッケ−ジ。
An electronic device sealing package comprising a ceramic base covered with a cap made of a conductive material,
A metal thin film made of gold or / and silver is formed on the surface of the cap, a conductive adhesive is disposed on a portion where the metal thin film is formed, and the cap is attached on the ceramic base. An electronic element sealing package capable of guiding the cap to a ground potential via a ground electrode of the ceramic base.
【請求項2】前記導電性接着剤は、ガラス成分中に金属
材料からなる導電性粒子が分散させられた導電性ガラス
である請求項1に記載の電子素子封止用パッケ−ジ。
2. The electronic device sealing package according to claim 1, wherein the conductive adhesive is a conductive glass in which conductive particles made of a metal material are dispersed in a glass component.
【請求項3】前記キャップは、金属材料又は導電性セラ
ミック材料からなる請求項1又は2のいづれか一に記載
の電子素子封止用パッケ−ジ。
3. The package according to claim 1, wherein the cap is made of a metal material or a conductive ceramic material.
【請求項4】前記セラミックベ−スは、ガラス中にフォ
ルステライトを30〜70wt%分散させた熱膨張率が
100〜150×10−7のガラスセラミック複合材料
からなり前記キャップはニッケル鉄合金からなる請求項
1又は2に記載の電子素子封止用パッケ−ジ。
4. The ceramic base is made of a glass-ceramic composite material having a thermal expansion coefficient of 100 to 150 × 10 −7 in which forsterite is dispersed in a glass by 30 to 70% by weight, and the cap is made of a nickel-iron alloy. The package for sealing an electronic element according to claim 1 or 2.
【請求項5】水晶振動子片を配置したセラミックベ−ス
上に導電性材料からなるキャップを被せた電子素子封止
構体であって、前記セラミックベ−スは、ガラス中にフ
ォルステライトを30〜70wt%分散させた熱膨張率
が100〜150×10−7のガラスセラミック複合材
料からなり前記キャップは鉄ニッケル合金からなり表面
に金又は/及び銀からなる金属薄膜が形成され、この金
属薄膜が形成された部分に導電性接着剤を配してこのキ
ャップを前記セラミックベ−ス上に被着し、このセラミ
ックベ−スが有する接地電極を介して前記キャップを接
地電位に導くことができる電子素子封止構体。
5. An electronic element sealing structure in which a cap made of a conductive material is covered on a ceramic base on which a quartz-crystal vibrating piece is arranged, wherein said ceramic base contains forsterite in glass. The cap is made of a glass-ceramic composite material having a thermal expansion coefficient of 100 to 150 × 10 −7 dispersed in an amount of about 70 wt%, and the cap is made of an iron-nickel alloy, and a metal thin film made of gold or / and silver is formed on the surface. The cap can be attached to the ceramic base by arranging a conductive adhesive on the portion where the ceramic base is formed, and the cap can be led to the ground potential through the ground electrode of the ceramic base. Electronic element sealing structure.
【請求項6】請求項1又は2のいづれか一に記載の電子
素子封止用パッケ−ジに前記電子素子として圧電材料素
子片を封止した電子素子封止構体。
6. An electronic element sealing structure in which a piezoelectric material element piece is sealed as the electronic element in the electronic element sealing package according to claim 1.
【請求項7】前記ベ−スは略矩形であって、その長手方
向に略矩形の電子素子を両端で固定する請求項5に記載
の電子素子封止構体。
7. The electronic element sealing structure according to claim 5, wherein the base is substantially rectangular, and a substantially rectangular electronic element is fixed at both ends in the longitudinal direction.
【請求項8】前記キャップの表面に酸化膜が形成されて
いる請求項1〜4のいづれか一に記載の電子素子封止用
パッケ−ジ。
8. The package for sealing an electronic element according to claim 1, wherein an oxide film is formed on a surface of said cap.
【請求項9】前記キャップの表面に酸化膜が形成されて
いる請求項5〜7のいづれか一に記載の電子素子封止構
体。
9. The electronic element sealing structure according to claim 5, wherein an oxide film is formed on a surface of said cap.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100411206B1 (en) * 2001-02-19 2003-12-18 삼성전자주식회사 Semiconductor package
JP2006310805A (en) * 2005-03-29 2006-11-09 Kyocera Corp Manufacturing method of electronic parts
US7436272B2 (en) 2004-06-25 2008-10-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device
WO2017022504A1 (en) * 2015-07-31 2017-02-09 株式会社村田製作所 Electronic component and method for producing same
JP2017038227A (en) * 2015-08-10 2017-02-16 株式会社村田製作所 Electronic component and manufacturing method therefor
WO2019065519A1 (en) * 2017-09-27 2019-04-04 株式会社村田製作所 Piezoelectric oscillator and method for producing piezoelectric oscillator

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100411206B1 (en) * 2001-02-19 2003-12-18 삼성전자주식회사 Semiconductor package
US7436272B2 (en) 2004-06-25 2008-10-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device
JP2006310805A (en) * 2005-03-29 2006-11-09 Kyocera Corp Manufacturing method of electronic parts
WO2017022504A1 (en) * 2015-07-31 2017-02-09 株式会社村田製作所 Electronic component and method for producing same
US11196405B2 (en) 2015-07-31 2021-12-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and method of manufacturing the same
JP2017038227A (en) * 2015-08-10 2017-02-16 株式会社村田製作所 Electronic component and manufacturing method therefor
WO2019065519A1 (en) * 2017-09-27 2019-04-04 株式会社村田製作所 Piezoelectric oscillator and method for producing piezoelectric oscillator
JPWO2019065519A1 (en) * 2017-09-27 2019-11-14 株式会社村田製作所 Piezoelectric vibrator and method for manufacturing the piezoelectric vibrator

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