JP2000040270A - 光ディスク基板の製造方法 - Google Patents
光ディスク基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスク基板の溝部及びピット部の高精度
微細形成を可能とすることで光ディスク基板の大容量化
と、ノイズレベルの低減を実現する光ディスクの製造方
法を提供する。 【解決手段】 マスタリング原盤となる基板１に有機材
料からなる皮膜２を形成し、前記有機材料皮膜２上にエ
ッチングマスクとなるマスク材料３のパターンを形成し
て前記有機材料皮膜２をエッチングした後、前記マスク
材料３を除去してマスタリング原盤１０を作成し、前記
マスタリング原盤１０に金属皮膜４ａを形成した後その
金属皮膜４ａ上に金属本体部４ｂを一体に形成し、次い
で金属皮膜４ａ及び金属本体部４ｂよりなる金属部をマ
スタリング原盤１０より剥離させて金属製スタンパ４を
形成する。
微細形成を可能とすることで光ディスク基板の大容量化
と、ノイズレベルの低減を実現する光ディスクの製造方
法を提供する。 【解決手段】 マスタリング原盤となる基板１に有機材
料からなる皮膜２を形成し、前記有機材料皮膜２上にエ
ッチングマスクとなるマスク材料３のパターンを形成し
て前記有機材料皮膜２をエッチングした後、前記マスク
材料３を除去してマスタリング原盤１０を作成し、前記
マスタリング原盤１０に金属皮膜４ａを形成した後その
金属皮膜４ａ上に金属本体部４ｂを一体に形成し、次い
で金属皮膜４ａ及び金属本体部４ｂよりなる金属部をマ
スタリング原盤１０より剥離させて金属製スタンパ４を
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＤ、ＤＶＤ−ＲＯ
ＭやＤＶＤ−ＲＡＭなどの光ディスク基板の製造に関し
て主として利用されるものである。
ＭやＤＶＤ−ＲＡＭなどの光ディスク基板の製造に関し
て主として利用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の光ディスク基板の製造方法
について説明する。
について説明する。
【０００３】従来の光ディスクの製造方法の例として
は、電気学会研究会マグネティクス研究会資料（ｐ２
９、１９９６年）にＤｅｅｐ Ｇｒｏｏｖｅ方式を用い
た高密度光ディスクの製造方法が開示され、ここには、
ドライエッチング法を用いたマスタリング原盤の作成が
報告されている。
は、電気学会研究会マグネティクス研究会資料（ｐ２
９、１９９６年）にＤｅｅｐ Ｇｒｏｏｖｅ方式を用い
た高密度光ディスクの製造方法が開示され、ここには、
ドライエッチング法を用いたマスタリング原盤の作成が
報告されている。
【０００４】図３は、ドライエッチング法を用いたマス
タリング原盤の作成工程の従来例を示している。図３に
おいて、３１ａはマスタリング原盤となる石英基板、３
２はエッチングマスクとなるレジストパターンで、その
マスクパターンはレーザーカッティングマシンによる露
光と現像により形成されている。３１ｂはドライエッチ
ング後にレジストを除去した石英基板である。３４はＮ
ｉスタンパで、スパッタ法により形成したＮｉ皮膜３４
ａと電鋳法により形成されたＮｉ本体部３４ｂからな
る。３５は樹脂成形されたポリカーボネート材の光ディ
スク基板である。
タリング原盤の作成工程の従来例を示している。図３に
おいて、３１ａはマスタリング原盤となる石英基板、３
２はエッチングマスクとなるレジストパターンで、その
マスクパターンはレーザーカッティングマシンによる露
光と現像により形成されている。３１ｂはドライエッチ
ング後にレジストを除去した石英基板である。３４はＮ
ｉスタンパで、スパッタ法により形成したＮｉ皮膜３４
ａと電鋳法により形成されたＮｉ本体部３４ｂからな
る。３５は樹脂成形されたポリカーボネート材の光ディ
スク基板である。
【０００５】以下光ディスク基板製造における、ドライ
エッチング法を用いたマスタリング原盤の作成工程につ
いて説明する。
エッチング法を用いたマスタリング原盤の作成工程につ
いて説明する。
【０００６】まず、石英基板３１ａ上に回転塗布法によ
りレジストを１４０ｎｍ膜厚形成する。次に、レーザー
カッティングマシンによりレジストを溝パターン、ピッ
トパターンを形成するよう露光した後、現像し、レジス
トパターン３２を得る（図３、）。次にこのレジスト
パターン３２をエッチングマスクとして、酸素およびフ
ッ素を含むガス（例えばＣＨＦ3 とＯ2 の混合ガス）を
用いたドライエッチングにより石英基板を７０ｎｍの深
さまでエッチングした後、レジストを除去して表面凹凸
を有する石英基板３１ｂを形成する（図３、）。石英
基板３１ｂを洗浄した後、石英基板３１ｂ上にＮｉ皮膜
３４ａを５０ｎｍ膜厚でスパッタリング法により成膜す
る。次にこのＮｉ皮膜３４ａ上に電鋳法により厚さ０．
４ｍｍＮｉメッキしてＮｉ本体部３４ｂを形成する（図
３、）。この後、石英基板３１ｂからＮｉ部を剥離さ
せ、Ｎｉスタンパ３４を得る（図３、）。このＮｉス
タンパ３４を金型として、ポリカーボネートの光ディス
ク基板３５を樹脂成形し、この基板３５上に記録膜、保
護膜を成膜し、保護基板を接着剤で貼り合わせること
で、光ディスク基板を得る（図３、、）。
りレジストを１４０ｎｍ膜厚形成する。次に、レーザー
カッティングマシンによりレジストを溝パターン、ピッ
トパターンを形成するよう露光した後、現像し、レジス
トパターン３２を得る（図３、）。次にこのレジスト
パターン３２をエッチングマスクとして、酸素およびフ
ッ素を含むガス（例えばＣＨＦ3 とＯ2 の混合ガス）を
用いたドライエッチングにより石英基板を７０ｎｍの深
さまでエッチングした後、レジストを除去して表面凹凸
を有する石英基板３１ｂを形成する（図３、）。石英
基板３１ｂを洗浄した後、石英基板３１ｂ上にＮｉ皮膜
３４ａを５０ｎｍ膜厚でスパッタリング法により成膜す
る。次にこのＮｉ皮膜３４ａ上に電鋳法により厚さ０．
４ｍｍＮｉメッキしてＮｉ本体部３４ｂを形成する（図
３、）。この後、石英基板３１ｂからＮｉ部を剥離さ
せ、Ｎｉスタンパ３４を得る（図３、）。このＮｉス
タンパ３４を金型として、ポリカーボネートの光ディス
ク基板３５を樹脂成形し、この基板３５上に記録膜、保
護膜を成膜し、保護基板を接着剤で貼り合わせること
で、光ディスク基板を得る（図３、、）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、ドライエッチングにより溝、ピットが作
成された石英基板３１ｂからＮｉスタンパ３４を剥離す
る際に、石英基板３１ｂとＮｉスタンパ３４の熱膨張係
数の差とＮｉ皮膜３４ａの内部応力のために、石英基板
３１ｂとＮｉスタンパ３４が凹凸部で擦れ合い、石英と
Ｎｉとの硬度差のために図３、に示すようにスタンパ
表面にバリＰが発生し、その結果成形した光ディスク基
板３５にもこの形状が転写されて凹溝Ｑが生じ、記録再
生におけるノイズが発生するという問題がある。また、
石英基板をドライエッチングにより溝、ピットを形成す
る際に、その深さは、ドライエッチングの処理時間で制
御することとなり、エッチングの面内均一性、再現性の
ばらつきで、深さ精度が高精度に得られず、ノイズ特性
がばらつくという問題もある。
来の方法では、ドライエッチングにより溝、ピットが作
成された石英基板３１ｂからＮｉスタンパ３４を剥離す
る際に、石英基板３１ｂとＮｉスタンパ３４の熱膨張係
数の差とＮｉ皮膜３４ａの内部応力のために、石英基板
３１ｂとＮｉスタンパ３４が凹凸部で擦れ合い、石英と
Ｎｉとの硬度差のために図３、に示すようにスタンパ
表面にバリＰが発生し、その結果成形した光ディスク基
板３５にもこの形状が転写されて凹溝Ｑが生じ、記録再
生におけるノイズが発生するという問題がある。また、
石英基板をドライエッチングにより溝、ピットを形成す
る際に、その深さは、ドライエッチングの処理時間で制
御することとなり、エッチングの面内均一性、再現性の
ばらつきで、深さ精度が高精度に得られず、ノイズ特性
がばらつくという問題もある。
【０００８】また、別の光ディスクの製造方法として従
来から石英基板上に形成したレジストパターン上に直接
Ｎｉスタンパを形成する方法も行われているが、レジス
トパターンを高密度記録のための微細パターンに対応し
た矩形状に形成することが難しく、また、パターニング
したレジスト膜の表面が、平滑でなく、荒れていること
から、ノイズ特性が悪く、微細化が難しいという問題が
ある。
来から石英基板上に形成したレジストパターン上に直接
Ｎｉスタンパを形成する方法も行われているが、レジス
トパターンを高密度記録のための微細パターンに対応し
た矩形状に形成することが難しく、また、パターニング
したレジスト膜の表面が、平滑でなく、荒れていること
から、ノイズ特性が悪く、微細化が難しいという問題が
ある。
【０００９】本発明は、光ディスク基板の溝部及びピッ
ト部の微細高密度形成を可能とすることで光ディスクの
大容量化と、ノイズレベルの低減を実現する金属製スタ
ンパの製造方法及び金属製スタンパ、並びに光ディスク
基板の製造方法及び光ディスク基板を提供することを目
的とする。また、本発明は、溝形成、ピット形成の深さ
精度を高精度化し、再現性良く形成することを目的とす
る。
ト部の微細高密度形成を可能とすることで光ディスクの
大容量化と、ノイズレベルの低減を実現する金属製スタ
ンパの製造方法及び金属製スタンパ、並びに光ディスク
基板の製造方法及び光ディスク基板を提供することを目
的とする。また、本発明は、溝形成、ピット形成の深さ
精度を高精度化し、再現性良く形成することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を特
許請求の範囲に記載した構成を有することによって達成
したものである。その具体例として、マスタリング原盤
となる基板に有機材料からなる皮膜を形成し、前記有機
材料皮膜上にエッチングマスクとなるマスク材料のパタ
ーンを形成して前記有機材料皮膜をエッチングした後、
前記マスク材料を除去してマスタリング原盤を作成し、
前記マスタリング原盤に金属皮膜を形成した後その金属
皮膜上に金属本体部を一体に形成し、次いで金属皮膜及
び金属本体部よりなる金属部をマスタリング原盤より剥
離させて金属製スタンパを形成し、この金属製スタンパ
を用いて光ディスク基板を樹脂成形すると好適なもので
ある。また、本発明の光ディスク基板の製造方法におい
ては、有機材料皮膜の膜厚が成形光ディスク基板におけ
る溝部あるいはピット部の深さであることを好適とする
ものである。
許請求の範囲に記載した構成を有することによって達成
したものである。その具体例として、マスタリング原盤
となる基板に有機材料からなる皮膜を形成し、前記有機
材料皮膜上にエッチングマスクとなるマスク材料のパタ
ーンを形成して前記有機材料皮膜をエッチングした後、
前記マスク材料を除去してマスタリング原盤を作成し、
前記マスタリング原盤に金属皮膜を形成した後その金属
皮膜上に金属本体部を一体に形成し、次いで金属皮膜及
び金属本体部よりなる金属部をマスタリング原盤より剥
離させて金属製スタンパを形成し、この金属製スタンパ
を用いて光ディスク基板を樹脂成形すると好適なもので
ある。また、本発明の光ディスク基板の製造方法におい
ては、有機材料皮膜の膜厚が成形光ディスク基板におけ
る溝部あるいはピット部の深さであることを好適とする
ものである。
【００１１】この発明によれば、例えば金属製スタンパ
をマスタリング原盤より剥離するときに、低硬度材料が
金属製スタンパの凸部を形成する金属より硬度が低いた
め、金属製スタンパにキズやバリを発生させないので、
光ディスク基板の溝部及びピット部の微細高精度形成を
可能とする。また、低硬度材料の膜厚が成形光ディスク
基板における溝部あるいはピット部の深さと同一とする
ことにより、低硬度材料を基板に対してほぼ選択的にエ
ッチングすることが可能となり、溝、ピット深さの面内
均一性、製作再現性を高めることができる結果、溝形
成、ピット形成の深さ精度を高精度化し、再現性よく良
く光ディスク基板を製作することができる。
をマスタリング原盤より剥離するときに、低硬度材料が
金属製スタンパの凸部を形成する金属より硬度が低いた
め、金属製スタンパにキズやバリを発生させないので、
光ディスク基板の溝部及びピット部の微細高精度形成を
可能とする。また、低硬度材料の膜厚が成形光ディスク
基板における溝部あるいはピット部の深さと同一とする
ことにより、低硬度材料を基板に対してほぼ選択的にエ
ッチングすることが可能となり、溝、ピット深さの面内
均一性、製作再現性を高めることができる結果、溝形
成、ピット形成の深さ精度を高精度化し、再現性よく良
く光ディスク基板を製作することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態である、金
属製スタンパの製造方法及び該製造方法により製造され
る金属製スタンパ、並びに上記金属製スタンパを使用し
た光ディスク基板の製造方法及び該製造方法により製造
される光ディスク基板について、図面を参照しながら説
明する。
属製スタンパの製造方法及び該製造方法により製造され
る金属製スタンパ、並びに上記金属製スタンパを使用し
た光ディスク基板の製造方法及び該製造方法により製造
される光ディスク基板について、図面を参照しながら説
明する。
【００１３】（実施の形態１）図１において、１は金属
製スタンパ４の型材である原盤の基材となるＳｉ基板、
２は低硬度材料に相当する有機材料の皮膜であって、具
体的には回転塗布法により厚さ１００ｎｍで成膜された
アクリル膜、３はエッチングマスクとなるレジスト材料
で、マスクパターンはレーザーカッティングマシンによ
る露光と現像により形成されている。２ａはドライエッ
チングされたアクリル膜である。４は金属製スタンパ
で、スパッタ法により形成した金属皮膜としてのＮｉ皮
膜４ａと、いわゆるメッキ方法である電鋳法により形成
された金属本体部としてのＮｉ本体部４ｂからなる。５
は樹脂成形されたポリカーボネート材の光ディスク基板
である。
製スタンパ４の型材である原盤の基材となるＳｉ基板、
２は低硬度材料に相当する有機材料の皮膜であって、具
体的には回転塗布法により厚さ１００ｎｍで成膜された
アクリル膜、３はエッチングマスクとなるレジスト材料
で、マスクパターンはレーザーカッティングマシンによ
る露光と現像により形成されている。２ａはドライエッ
チングされたアクリル膜である。４は金属製スタンパ
で、スパッタ法により形成した金属皮膜としてのＮｉ皮
膜４ａと、いわゆるメッキ方法である電鋳法により形成
された金属本体部としてのＮｉ本体部４ｂからなる。５
は樹脂成形されたポリカーボネート材の光ディスク基板
である。
【００１４】以上のように構成された、光ディスク基板
の製造方法について、図１を用いてその製造工程を説明
する。
の製造方法について、図１を用いてその製造工程を説明
する。
【００１５】まず、Ｓｉ基板１にアクリル樹脂を滴下し
た後、Ｓｉ基板１を回転させその遠心力にて、上記アク
リル樹脂をＳｉ基板１の全面に塗布し、すなわち回転塗
布法によりアクリルを主成分とした樹脂材を塗布した
後、熱処理により硬化させＳｉ基板１上にアクリル膜２
を１００ｎｍ膜厚で形成する。尚、アクリル膜２の形成
方法は、均一な膜厚が得られる方法であればよく、上記
回転塗布法に限定されない。次に、アクリル膜２上にホ
トレジスト膜を回転塗布法により成膜し、次いでレーザ
ーカッティングマシンにより上記レジスト材料を溝パタ
ーン、ピットパターンを形成するよう露光した後、現像
し、レジスト材料にてなるレジストパターン３を得る
（図１、）。例えば特許第２６２３６７２号に開示さ
れるように、次にこのレジストパターン３をエッチング
マスクとして、酸素およびフッ素を含むガス、例えば０
2 とＣＨＦ3 の混合ガスを用いたドライエッチングによ
りアクリル膜２の内、レジストパターン３にてマスクさ
れていない非マスク部分２ｃを７０ｎｍの深さまでエッ
チングした後、メチルイソブチルケトン溶液でレジスト
を除去し、次いでイソプロピルアルコールで洗浄するこ
とにより、表面凹凸を有するアクリル膜２ａを形成する
（図１、）。このようにＳｉ基板１上にアクリル膜２
ａが形成されたものをマスタリング原盤１０とする。こ
のアクリル膜２ａ付きのＳｉ基板１上にＮｉ皮膜４ａを
５０ｎｍ膜厚でスパッタリング法により成膜する。次に
このＮｉ皮膜４ａ上に電鋳法により厚さ０．４ｍｍＮｉ
メッキして、Ｎｉ本体部４ｂを一体形成し（図１、
）、次いで上記マスタリング原盤１０から、Ｎｉ皮膜
４ａ及びＮｉ本体部４ｂが一体形成されたＮｉ部を剥離
させ、Ｎｉスタンパ４を得る（図１、）。このように
作製されたＮｉスタンパ４には、アクリル膜２ａの凹凸
に応じて、凸部４ｃ、凹部４ｄが形成される。尚、この
凸部４ｃ及び凹部４ｄ又は凸部４ｃもしくは凹部４ｄに
は、光ディスク基板に転写されるデータを構成するピッ
トが形成される。この際、Ｎｉスタンパ４の表面にはわ
ずかではあるがアクリル膜２の一部が付着している場合
があるので、酸素ガスを用いたプラズマアッシング法に
よりＮｉスタンパ４表面をプラズマでクリーニングし、
残存アクリル膜を除去する。このＮｉスタンパ４を金型
として、ポリカーボネートの光ディスク基板５を樹脂成
形する（図１、、）。この基板５上に記録膜、保護
膜を成膜し、保護基板を接着剤で貼り合わせることで、
最終製品としての光ディスク基板を得る（図示せず）。
た後、Ｓｉ基板１を回転させその遠心力にて、上記アク
リル樹脂をＳｉ基板１の全面に塗布し、すなわち回転塗
布法によりアクリルを主成分とした樹脂材を塗布した
後、熱処理により硬化させＳｉ基板１上にアクリル膜２
を１００ｎｍ膜厚で形成する。尚、アクリル膜２の形成
方法は、均一な膜厚が得られる方法であればよく、上記
回転塗布法に限定されない。次に、アクリル膜２上にホ
トレジスト膜を回転塗布法により成膜し、次いでレーザ
ーカッティングマシンにより上記レジスト材料を溝パタ
ーン、ピットパターンを形成するよう露光した後、現像
し、レジスト材料にてなるレジストパターン３を得る
（図１、）。例えば特許第２６２３６７２号に開示さ
れるように、次にこのレジストパターン３をエッチング
マスクとして、酸素およびフッ素を含むガス、例えば０
2 とＣＨＦ3 の混合ガスを用いたドライエッチングによ
りアクリル膜２の内、レジストパターン３にてマスクさ
れていない非マスク部分２ｃを７０ｎｍの深さまでエッ
チングした後、メチルイソブチルケトン溶液でレジスト
を除去し、次いでイソプロピルアルコールで洗浄するこ
とにより、表面凹凸を有するアクリル膜２ａを形成する
（図１、）。このようにＳｉ基板１上にアクリル膜２
ａが形成されたものをマスタリング原盤１０とする。こ
のアクリル膜２ａ付きのＳｉ基板１上にＮｉ皮膜４ａを
５０ｎｍ膜厚でスパッタリング法により成膜する。次に
このＮｉ皮膜４ａ上に電鋳法により厚さ０．４ｍｍＮｉ
メッキして、Ｎｉ本体部４ｂを一体形成し（図１、
）、次いで上記マスタリング原盤１０から、Ｎｉ皮膜
４ａ及びＮｉ本体部４ｂが一体形成されたＮｉ部を剥離
させ、Ｎｉスタンパ４を得る（図１、）。このように
作製されたＮｉスタンパ４には、アクリル膜２ａの凹凸
に応じて、凸部４ｃ、凹部４ｄが形成される。尚、この
凸部４ｃ及び凹部４ｄ又は凸部４ｃもしくは凹部４ｄに
は、光ディスク基板に転写されるデータを構成するピッ
トが形成される。この際、Ｎｉスタンパ４の表面にはわ
ずかではあるがアクリル膜２の一部が付着している場合
があるので、酸素ガスを用いたプラズマアッシング法に
よりＮｉスタンパ４表面をプラズマでクリーニングし、
残存アクリル膜を除去する。このＮｉスタンパ４を金型
として、ポリカーボネートの光ディスク基板５を樹脂成
形する（図１、、）。この基板５上に記録膜、保護
膜を成膜し、保護基板を接着剤で貼り合わせることで、
最終製品としての光ディスク基板を得る（図示せず）。
【００１６】以上のように本実施形態によれば、マスタ
リング原盤１０の凹凸表面を底面及び頂面（溝、ピット
の側面以外の面）が平滑となるように微細加工すること
が可能となり、かつ、マスタリング原盤１０の表面がＮ
ｉスタンパ４のＮｉよりも硬度の低いアクリルであるた
め、Ｎｉスタンパ４を剥離する際にＮｉスタンパ４の表
面にキズやバリを発生させることがなくなり、光ディス
ク基板５の溝部及びピット部の微細形成を可能とするこ
とで光ディスクの大容量化と、ノイズレベルを低減する
ことができる。
リング原盤１０の凹凸表面を底面及び頂面（溝、ピット
の側面以外の面）が平滑となるように微細加工すること
が可能となり、かつ、マスタリング原盤１０の表面がＮ
ｉスタンパ４のＮｉよりも硬度の低いアクリルであるた
め、Ｎｉスタンパ４を剥離する際にＮｉスタンパ４の表
面にキズやバリを発生させることがなくなり、光ディス
ク基板５の溝部及びピット部の微細形成を可能とするこ
とで光ディスクの大容量化と、ノイズレベルを低減する
ことができる。
【００１７】（実施の形態２）以下、本発明の第２の実
施の形態について、図２を用いて具体的に説明する。
施の形態について、図２を用いて具体的に説明する。
【００１８】図２において、実施の形態１と異なるの
は、アクリル膜２の塗布膜厚を溝およびピットの深さに
設定して成膜していることであり、その他は実施の形態
１と同一である。
は、アクリル膜２の塗布膜厚を溝およびピットの深さに
設定して成膜していることであり、その他は実施の形態
１と同一である。
【００１９】以上のように構成された、光ディスク基板
の製造方法について、図２を用いてその製造工程を説明
する。
の製造方法について、図２を用いてその製造工程を説明
する。
【００２０】まず、Ｓｉ基板１上に回転塗布法によりア
クリルを塗布した後、熱処理により硬化させＳｉ基板１
上にアクリル膜２を溝およびピットの設計深さと同一の
７０ｎｍの膜厚で形成する。次に、アクリル膜２上にレ
ジスト材料にてなるホトレジスト膜を回転塗布法により
成膜し、次いでレーザーカッティングマシンにより上記
レジスト材料を溝パターン、ピットパターンを形成する
よう露光した後、現像し、上記レジスト材料にてなるレ
ジストパターン３を得る（図２、）。次にこのレジス
トパターン３をエッチングマスクとして、酸素系のガス
を用いたドライエッチングによりアクリル膜２の非マス
ク部２ｃを下地のＳｉ基板１の平滑な表面１ａとほぼ同
一高さに達する深さまでエッチングした後、メチルイソ
ブチルケトン溶液でレジスト材料３を除去し、次いでイ
ソプロピルアルコールで洗浄することにより、アクリル
膜２のパターン２ｂを形成する（図２、）。以降の光
ディスク基板の作成工程（図２、〜）は実施の形態
１のそれ（図１、〜）と同一である。尚、上述のよ
うに、酸素系のガスを用いる理由は、フッ素原子を含む
ガスは、基板１のＳｉを侵食してしまい、平滑な表面１
ａを荒くしてしまうからである。
クリルを塗布した後、熱処理により硬化させＳｉ基板１
上にアクリル膜２を溝およびピットの設計深さと同一の
７０ｎｍの膜厚で形成する。次に、アクリル膜２上にレ
ジスト材料にてなるホトレジスト膜を回転塗布法により
成膜し、次いでレーザーカッティングマシンにより上記
レジスト材料を溝パターン、ピットパターンを形成する
よう露光した後、現像し、上記レジスト材料にてなるレ
ジストパターン３を得る（図２、）。次にこのレジス
トパターン３をエッチングマスクとして、酸素系のガス
を用いたドライエッチングによりアクリル膜２の非マス
ク部２ｃを下地のＳｉ基板１の平滑な表面１ａとほぼ同
一高さに達する深さまでエッチングした後、メチルイソ
ブチルケトン溶液でレジスト材料３を除去し、次いでイ
ソプロピルアルコールで洗浄することにより、アクリル
膜２のパターン２ｂを形成する（図２、）。以降の光
ディスク基板の作成工程（図２、〜）は実施の形態
１のそれ（図１、〜）と同一である。尚、上述のよ
うに、酸素系のガスを用いる理由は、フッ素原子を含む
ガスは、基板１のＳｉを侵食してしまい、平滑な表面１
ａを荒くしてしまうからである。
【００２１】以上のように本実施の形態によれば、マス
タリング原盤１０の表面がＮｉスタンパ４のＮｉよりも
硬度の低いアクリルであるため、Ｎｉスタンパ４を剥離
する際にＮｉスタンパ４の表面にキズやバリを発生させ
ることがなくなり、光ディスク基板５の溝部及びピット
部の微細形成を可能とすることで光ディスクの大容量化
と、ノイズレベルを低減することができる。また、フッ
素ガスを含まない酸素系のガスを用いることで下地Ｓｉ
基板１まで侵食することなくアクリル膜２のみを選択的
にエッチングすることで、図２、に示すように、Ｎｉ
スタンパ４の凸部４ｃの頂面４ｅを平滑にすることがで
きる。又、上記選択的なエッチングにより、成形される
光ディスク基板の溝、ピット形成の深さを塗布により作
成したアクリル皮膜の膜厚で規定することができ、エッ
チング時間やエッチング速度の均一性や再現性ばらつき
に影響を受けずに加工形成することができ、溝形成、ピ
ット形成の深さ精度をディスク面内で高精度化し、かつ
再現性良く形成することができる。
タリング原盤１０の表面がＮｉスタンパ４のＮｉよりも
硬度の低いアクリルであるため、Ｎｉスタンパ４を剥離
する際にＮｉスタンパ４の表面にキズやバリを発生させ
ることがなくなり、光ディスク基板５の溝部及びピット
部の微細形成を可能とすることで光ディスクの大容量化
と、ノイズレベルを低減することができる。また、フッ
素ガスを含まない酸素系のガスを用いることで下地Ｓｉ
基板１まで侵食することなくアクリル膜２のみを選択的
にエッチングすることで、図２、に示すように、Ｎｉ
スタンパ４の凸部４ｃの頂面４ｅを平滑にすることがで
きる。又、上記選択的なエッチングにより、成形される
光ディスク基板の溝、ピット形成の深さを塗布により作
成したアクリル皮膜の膜厚で規定することができ、エッ
チング時間やエッチング速度の均一性や再現性ばらつき
に影響を受けずに加工形成することができ、溝形成、ピ
ット形成の深さ精度をディスク面内で高精度化し、かつ
再現性良く形成することができる。
【００２２】なお、上記の実施の形態において有機膜と
してアクリルを主成分とした樹脂材を用いたが、ポリイ
ミド等の有機系の樹脂を用いてもよく、また材料として
これらに限るものでなく、金属製スタンパの硬度よりも
柔らかい低硬度材料であって、金属製スタンパの形状に
耐え、かつ金属製スタンパからの剥離時に金属製スタン
パの凸部の変形を防止できる程度の硬さを有する材料を
用いることで同様の効果が得られる。一方、金属製スタ
ンパを形成する金属として、Ｎｉを例示したがこれに限
定されるものではない。即ち、スタンパとしての機能を
発揮でき、かつ上記低硬度材料を剥離するときに、凸部
に変形を生じない程度の硬さを有する金属、その他の金
属に準ずる材料であればよい。
してアクリルを主成分とした樹脂材を用いたが、ポリイ
ミド等の有機系の樹脂を用いてもよく、また材料として
これらに限るものでなく、金属製スタンパの硬度よりも
柔らかい低硬度材料であって、金属製スタンパの形状に
耐え、かつ金属製スタンパからの剥離時に金属製スタン
パの凸部の変形を防止できる程度の硬さを有する材料を
用いることで同様の効果が得られる。一方、金属製スタ
ンパを形成する金属として、Ｎｉを例示したがこれに限
定されるものではない。即ち、スタンパとしての機能を
発揮でき、かつ上記低硬度材料を剥離するときに、凸部
に変形を生じない程度の硬さを有する金属、その他の金
属に準ずる材料であればよい。
【００２３】また、上記実施の形態において、マスタリ
ング原盤１０の基板にＳｉ基板１を用いたが、これに限
られるものではなく、石英基板やガラス基板などの表面
平滑な基板を用いてもよい。
ング原盤１０の基板にＳｉ基板１を用いたが、これに限
られるものではなく、石英基板やガラス基板などの表面
平滑な基板を用いてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、低硬度材
料にて、金属製スタンパに凹凸部を形成させるパターン
をマスタリング原盤の基板上に形成したことで金属製ス
タンパの金属部より硬度の低い金属製スタンパをマスタ
リング原盤より剥離する際に金属製スタンパ表面にキズ
やバリを発生させることがなくなる。よって該金属製ス
タンパを用いて成形される光ディスク基板の溝部及びピ
ット部の高精度微細形成が可能となり光ディスク基板の
大容量化と、ノイズレベルを低減することができ、ま
た、溝形成、ピット形成の深さ精度をディスク面内で高
精度化し、かつ再現性良く光ディスク基板を製作するこ
とができる。
料にて、金属製スタンパに凹凸部を形成させるパターン
をマスタリング原盤の基板上に形成したことで金属製ス
タンパの金属部より硬度の低い金属製スタンパをマスタ
リング原盤より剥離する際に金属製スタンパ表面にキズ
やバリを発生させることがなくなる。よって該金属製ス
タンパを用いて成形される光ディスク基板の溝部及びピ
ット部の高精度微細形成が可能となり光ディスク基板の
大容量化と、ノイズレベルを低減することができ、ま
た、溝形成、ピット形成の深さ精度をディスク面内で高
精度化し、かつ再現性良く光ディスク基板を製作するこ
とができる。
【図１】本発明の実施の形態１における光ディスク基板
の製造工程を示す図である。
の製造工程を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態２における光ディスク基板
の製造工程を示す図である。
の製造工程を示す図である。
【図３】従来例の光ディスク基板の製造工程を示す図で
ある。
ある。
１ 基板 ２ 有機材料皮膜 ３ レジスト材料 ４ 金属製スタンパ ４ａ 金属皮膜 ４ｂ 金属本体部 ５ 光ディスク基板 １０ マスタリング原盤
Claims (13)
- 【請求項１】 原盤となる基板の上に低硬度材料からな
る皮膜を形成し、上記低硬度材料皮膜上にエッチングマ
スクとなるマスク材のパターンを形成し、上記マスク材
にてマスクされていない上記低硬度材料の非マスク部分
について上記基板の厚み方向に沿って少なくとも一部を
エッチングした後、上記マスク材を除去して上記原盤を
製作し、上記原盤上に金属部を形成し、次いで上記原盤
から上記金属部を剥離させて金属製スタンパを製作し、
上記低硬度材料は、上記金属製スタンパの凸部における
金属に比して上記剥離させるときに上記凸部の変形を防
止する程度に硬度の低い材料であることを特徴とする金
属製スタンパの製造方法。 - 【請求項２】 上記低硬度材料の上記非マスク部分を上
記基板の厚み方向に沿って全て除去して上記基板の平滑
な表面を露出させ、該表面にて上記凸部の平滑な頂面を
形成する、請求項１記載の金属製スタンパの製造方法。 - 【請求項３】 上記原盤の基板上に形成される上記低硬
度材料の膜厚は、上記金属製スタンパを用いて作製され
る光ディスク基板における溝部又はピット部の深さに相
当する、請求項２記載の金属製スタンパの製造方法。 - 【請求項４】 上記低硬度材料は有機材料にてなる、請
求項１ないし３のいずれかに記載の金属製スタンパの製
造方法。 - 【請求項５】 上記非マスク部分の除去は、酸素を含む
ガスのドライエッチングにより行う、請求項４記載の金
属製スタンパの製造方法。 - 【請求項６】 上記非マスク部分の除去は、酸素を含む
ガスにフッ素原子を含むガスを添加したガスのドライエ
ッチングにより行う、請求項４記載の金属製スタンパの
製造方法。 - 【請求項７】 上記低硬度材料は、ポリイミドを主成分
とする樹脂材料である、請求項４ないし６のいずれかに
記載の金属製スタンパの製造方法。 - 【請求項８】 上記低硬度材料は、アクリルを主成分と
する樹脂材料である、請求項４ないし６のいずれかに記
載の金属製スタンパの製造方法。 - 【請求項９】 上記基板はＳｉ又は石英にてなる、請求
項１ないし８のいずれかに記載の金属製スタンパの製造
方法。 - 【請求項１０】 上記金属製スタンパの上記金属部は、
上記原盤の上記パターンを有する上記基板上に、Ｎｉ膜
をスパッタリング法により形成した後、Ｎｉ電鋳法によ
りＮｉ本体部を上記Ｎｉ膜上に形成してなる、請求項１
ないし９のいずれかに記載の金属製スタンパの製造方
法。 - 【請求項１１】 請求項１ないし１０のいずれかに記載
の金属製スタンパの製造方法を使用して製造されること
を特徴とする金属製スタンパ。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載する金属製スタンパ
を用いて樹脂成形することを特徴とする光ディスク基板
の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載する光ディスク基板
の製造方法にて樹脂成形されたことを特徴とする光ディ
スク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11133747A JP2000040270A (ja) | 1998-05-14 | 1999-05-14 | 光ディスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-130919 | 1998-05-14 | ||
| JP13091998 | 1998-05-14 | ||
| JP11133747A JP2000040270A (ja) | 1998-05-14 | 1999-05-14 | 光ディスク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000040270A true JP2000040270A (ja) | 2000-02-08 |
Family
ID=26465907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11133747A Pending JP2000040270A (ja) | 1998-05-14 | 1999-05-14 | 光ディスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000040270A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334484A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-22 | Sony Corp | 光記録媒体、光記録媒体作製用原盤、マザースタンパ、成形用スタンパとこれらの製造方法 |
| SG104941A1 (en) * | 2000-09-04 | 2004-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic transfer method |
-
1999
- 1999-05-14 JP JP11133747A patent/JP2000040270A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG104941A1 (en) * | 2000-09-04 | 2004-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic transfer method |
| JP2002334484A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-22 | Sony Corp | 光記録媒体、光記録媒体作製用原盤、マザースタンパ、成形用スタンパとこれらの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040608 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040615 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041019 |