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IT201900007213A1 - Metodo di fabbricazione di un trasduttore piezoelettrico impilato, e trasduttore piezoelettrico - Google Patents

Metodo di fabbricazione di un trasduttore piezoelettrico impilato, e trasduttore piezoelettrico Download PDF

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IT201900007213A1
IT201900007213A1 IT102019000007213A IT201900007213A IT201900007213A1 IT 201900007213 A1 IT201900007213 A1 IT 201900007213A1 IT 102019000007213 A IT102019000007213 A IT 102019000007213A IT 201900007213 A IT201900007213 A IT 201900007213A IT 201900007213 A1 IT201900007213 A1 IT 201900007213A1
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
piezoelectric element
protective layer
lower electrode
opening
layer
Prior art date
Application number
IT102019000007213A
Other languages
English (en)
Inventor
Davide Assanelli
Irene Martini
Lorenzo Vinciguerra
Carla Maria Lazzari
Paolo Ferrarini
Original Assignee
St Microelectronics Srl
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by St Microelectronics Srl filed Critical St Microelectronics Srl
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Priority to US16/879,269 priority patent/US11433669B2/en
Priority to CN202020878400.3U priority patent/CN212182361U/zh
Priority to CN202010444097.0A priority patent/CN111987213A/zh
Priority to EP20176147.5A priority patent/EP3742506B1/en
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Description

DESCRIZIONE
del brevetto per invenzione industriale dal titolo: “METODO DI FABBRICAZIONE DI UN TRASDUTTORE PIEZOELETTRICO IMPILATO, E TRASDUTTORE PIEZOELETTRICO”
La presente invenzione riguarda un metodo di fabbricazione di un trasduttore piezoelettrico e un trasduttore piezoelettrico.
È noto fabbricare trasduttori, o attuatori, a base piezoelettrica, quali ad esempio materiale PZT (Pb, Zr, TiO3). I trasduttori piezoelettrici possono quindi essere usati in una varietà di campi tecnici, quali ad esempio getto di inchiostro, autofocus, altoparlanti, eccetera.
Solitamente, il trasduttore piezoelettrico include una pila in cui un elemento piezoelettrico è interposto tra un elettrodo inferiore e un elettrodo superiore. La corretta polarizzazione degli elettrodi superiore e inferiore attiva l'elemento PZT secondo necessità.
L'elettrodo superiore è solitamente depositato per ”sputtering” direttamente sulla sommità dell'elemento piezoelettrico ed entrambi gli strati sono successivamente attaccati chimicamente (ad esempio con una stessa maschera fotoresist). L'elettrodo inferiore è invece modellato con una fase di attacco chimico dedicata. L'intera pila viene successivamente passivata, sono formate vie attraverso lo strato di passivazione per formare i contatti elettrici per la polarizzazione e strisce/piazzole metalliche sono formate attraverso un ulteriore deposizione di metallo e attacco chimico.
L'elettrodo superiore, nel flusso di processo standard, è pertanto sottoposto a numerose fasi di processo, che possono influenzarne l'integrità e l'affidabilità. Allo stesso tempo, anche l'elemento piezoelettrico è sottoposto a fasi di processo che possono alterarne le proprietà e la risposta fisica piezoelettrica in funzione della tensione di polarizzazione, conducendo a un invecchiamento piezoelettrico prematuro.
Le figure da 1A a 1D illustrano, in vista in sezione trasversale laterale, un processo di flusso per fabbricare un trasduttore, o attuatore, piezoelettrico impilato secondo una forma di realizzazione che non fa parte della presente invenzione.
Facendo riferimento alla figura 1A, è fornita una fetta 1, che include un substrato 2 realizzato in materiale semiconduttore, quale silicio. Su una prima superficie 2a del substrato 2 è formata una pila che include un elemento piezoelettrico ed elettrodi per l'attivazione dell'elemento piezoelettrico. La formazione della pila include depositare un primo strato di materiale conduttivo 4; successivamente, sul primo strato di materiale conduttivo 4, è depositato uno strato di materiale piezoelettrico 6-; successivamente, sullo strato di materiale piezoelettrico 6 è depositato un secondo strato di materiale conduttivo 8, ad esempio materiale metallico quale esempio Ru o Pt.
Successivamente, figura 1B, una maschera 11 è formata o disposta sul secondo strato di materiale conduttivo 8, per coprire un'area del secondo strato di materiale conduttivo 8 corrispondente a porzioni di quest'ultimo che formeranno, successivamente, un elettrodo superiore per attivare l'elemento piezoelettrico 6. Una fase di attacco chimico (ad esempio attacco chimico a secco) permette di rimuovere porzioni del secondo strato di materiale conduttivo 8 non protette dalla maschera 11. Usando la stessa maschera 11, ma una diversa chimica di attacco chimico, l'attacco chimico della fetta 1 (ad esempio attacco chimico a secco) è continuata per rimuovere porzioni esposte dello strato di materiale piezoelettrico 6 in modo da formare un elemento piezoelettrico. L'attacco chimico è interrotto in corrispondenza del primo strato di materiale conduttivo 4, e la maschera 11 è rimossa.
Si possono eseguire successivamente uno o più fasi di pulizia dopo l'attacco chimico.
Successivamente, figura 1C, viene formata una maschera 15 (ad esempio una maschera fotoresist); la maschera 15 è progettata per proteggere l'elettrodo superiore 8 e l’elemento piezoelettrico 6, e per esporre porzioni del primo strato di materiale conduttivo 4 che deve essere rimosso. Una fase di attacco chimico è successivamente eseguita, per rimuovere le porzioni del primo strato di materiale conduttivo 4 non protetto dalla maschera 15. Viene formato pertanto un elettrodo inferiore, per attivare l'elemento piezoelettrico 6 durante l'uso.
Successivamente, la maschera 15 è rimossa dalla fetta 1, ed è eseguita una fase di deposizione di uno strato di passivazione 18 sulla fetta 1. Lo strato di passivazione 18 è, ad esempio, ossido di silicio (SiO2) depositato mediante CVD.
Con riferimento alla figura 1D, vengono aperte vie 17 attraverso lo strato di passivazione 18, utilizzando l'elettrodo superiore 6 e l'elettrodo inferiore 4 come strati di arresto, per esporre regioni di superficie degli elettrodi superiore e inferiore 6, 4, con cui possono pertanto entrare in contatto elettricamente rispettive strisce conduttive 21, 23, ad esempio formate per mezzo di deposizione di materiale conduttivo, quale un metallo, per esempio titanio e oro.
Le strisce conduttive 21, 23 si estendono sulla fetta 1, raggiungendo regioni in cui è desiderato formare piazzole conduttive, progettate per funzionare come punti di accesso elettrico per polarizzare, durante l'uso, l'elettrodo superiore 8 e l'elettrodo inferiore 4 in modo da attivare l'elemento piezoelettrico 6.
Come è evidente da quanto precede, l'elettrodo superiore 8 è esposto a diverse fasi di processo, incluse sostanze chimiche solitamente utilizzate per pulire la pila dopo l'attacco chimico a secco, tutte queste fasi influenzando negativamente le prestazioni e l'integrità dell'elettrodo superiore. Inoltre le fasi di pulizia dell'elettrodo inferiore 4 possono avere un impatto sull'elettrodo superiore 8, ad esempio modificandone le proprietà di conduttività (resistenza superficiale e morfologia). Per evitare, o limitare in parte gli impatti negativi sugli elettrodi superiori, possono essere selezionati materiali specifici per l'elettrodo superiore, limitando pertanto le capacità di integrazione di processo.
Si deve anche evidenziare che l'elettrodo superiore 8 è lo strato di arresto per l'attacco chimico delle vie, che può avere un impatto significativo sulla sua integrità.
Inoltre, l'elemento piezoelettrico 6 con l'elettrodo superiore 8 è sottoposto a diversi bilanci termici durante la fabbricazione, ad esempio durante la depressione per passivazione e la deposizione di metallo, il che è indesiderato. In effetti, è ben noto che le proprietà piezoelettriche della struttura impilata sopra descritta sono influenzate da trattamenti di ricottura.
Lo scopo della presente invenzione è fornire un metodo di fabbricazione di un trasduttore piezoelettrico, e un trasduttore piezoelettrico, che superino gli inconvenienti della tecnica nota.
Secondo la presente invenzione, sono forniti un metodo di fabbricazione di un trasduttore piezoelettrico e un trasduttore piezoelettrico, come definito nelle rivendicazioni allegate.
Per una migliore comprensione della presente invenzione, le sue forme di realizzazione preferite sono ora descritte puramente a titolo di esempio non limitativo facendo riferimento ai disegni allegati, in cui:
- le figure da 1A a 1D mostrano, in vista in sezione trasversale, fasi per la fabbricazione di un trasduttore piezoelettrico secondo una forma di realizzazione che non fa parte della presente invenzione;
- le figure da 2 a 8 mostrano, in vista in sezione trasversale, fasi per la fabbricazione di un trasduttore piezoelettrico secondo una forma di realizzazione della presente invenzione; e
- le figure 9 e 10 mostrano un dispositivo di espulsione di fluido che include il trasduttore piezoelettrico fabbricato secondo le figure da 2 a 8 durante rispettive condizioni di funzionamento.
Le figure da 2 a 8 mostrano, in un sistema di riferimento cartesiano (triassiale) di assi X, Y, Z, fasi per la fabbricazione di un trasduttore, o attuatore, piezoelettrico, secondo una forma di realizzazione della presente invenzione.
Facendo riferimento alla figura 2, è fornita una fetta 30, che include un corpo di semiconduttore 32 (nel seguito, denominato "substrato" senza perdere generalità) realizzato almeno in parte in materiale semiconduttore, quale ad esempio silicio o un composto di silicio.
Un primo strato di elettrodo 34 è formato su una prima superficie 32a del substrato 32, in particolare mediante deposizione di materiale conduttivo quale metallo, più in particolare materiali che possono garantire un buon orientamento di strato piezoelettrico quali platino (Pt), titanio/platino (TiPt) o iridio (Ir). Successivamente, sul primo strato di elettrodo 34, uno strato piezoelettrico, in particolare PZT drogato o non drogato (Pb, Zr, TiO3) o un tipo di materiale di perovskite senza piombo, è depositato e successivamente sagomato, ad esempio attraverso fotolitografia, per formare un elemento piezoelettrico 36. Questa fase può includere l'uso di una maschera (non mostrata) e di una fase di attacco chimico (ad esempio attacco chimico a secco) per rimuovere porzioni desiderate dello strato di strato piezoelettrico in modo da formare l'elemento piezoelettrico 36 avente una forma progettata. L'attacco chimico è interrotto in corrispondenza del primo strato di elettrodo 32, che non è rimosso. L’elemento piezoelettrico 36 ha una superficie superiore 36a opposta, lungo la direzione Z, a una superficie inferiore 36b che è affacciata direttamente al (in particolare è in contatto elettrico diretto con il) primo strato di elettrodo 34.
Successivamente, figura 3, viene formata una maschera (ad esempio una maschera fotoresist, non mostrata); la maschera è progettata per proteggere l'elemento piezoelettrico 36, e per lasciare porzioni del primo strato di elettrodo 34 che devono essere rimosse esposte a un elemento di attacco chimico. Una fase di attacco chimico è successivamente eseguita, per rimuovere le porzioni del primo elettrodo 34 non protette dalla maschera. Viene formato pertanto un elettrodo inferiore 40, per attivare l'elemento piezoelettrico 6 durante l'uso.
Quindi, la maschera è rimossa e viene eseguita una fase di deposizione di uno strato di passivazione 42 sulla fetta 30. Lo strato di passivazione 42 include materiali dielettrici usati per l'isolamento elettrico degli elettrodi, ad esempio strati di SiO2 o SiN o anche Al2O, O come singoli strati o come una pluralità di strati impilati l'uno sull'altro.
Facendo riferimento alla figura 4, vengono aperte vie 44, 45 attraverso lo strato di passivazione 42, utilizzando l'elemento piezoelettrico 36 e l'elettrodo inferiore 34 come strati di arresto, per esporre regioni di superficie dell'elemento piezoelettrico 36 e dell'elettrodo inferiore 34. In particolare, si evidenzia che la via 44 formata in corrispondenza dell'elemento piezoelettrico 36 ha, nella vista in pianta dall'alto, un'estensione (area) che è approssimativamente uguale all'estensione (area) dell'elemento piezoelettrico 36. L'estensione, in vista in pianta dall'alto, della via 44 è scelta in modo da esporre una porzione di superficie dell'elemento piezoelettrico 36 sufficientemente ampia da fornire un'area di contatto sufficiente per un elettrodo superiore che formerà, insieme all'elettrodo inferiore 40, una pila piezoelettrica per attivare l'elemento piezoelettrico 36. Per esempio, la porzione di superficie esposta dell'elemento piezoelettrico 36 è nell'intervallo dal 70 al 99% (idealmente, 100%) dell'area di superficie dell'elemento piezoelettrico 36. La superficie dell'elemento piezoelettrico 36 considerata in questo contesto è la superficie superiore 36a dell'elemento piezoelettrico 36 parallela al piano XY e opposta, lungo la direzione Z, alla superficie inferiore 36b dell'elemento piezoelettrico 36 che è in contatto diretto con l'elettrodo inferiore 40.
Successivamente, figura 5, viene eseguita una fase di formazione dell'elettrodo superiore 48, precisamente mediante deposizione (ad esempio deposizione per sputtering) e modellatura di un film di materiale conduttivo, quale ad esempio metallo (ad esempio Ru, TiW, Pt, Al, AlCu, Au, Mo, materiali a base di W) o materiali conduttivi metallici (ad esempio materiali a base di C, ossidi metallici, eccetera). L'elettrodo superiore 48 è formato all'interno della via 44, in particolare in contatto elettrico diretto con l'elemento piezoelettrico 36.
Secondo un aspetto della presente forma di realizzazione, contemporaneamente alla fase di formare l'elettrodo superiore 48, viene eseguita una fase opzionale di formare strisce conduttive 51, 52, per fornire collegamenti elettrici per polarizzare l'elettrodo inferiore 40 e l’elettrodo superiore 48, rispettivamente. In particolare, la striscia conduttiva 51 si estende sullo strato di passivazione 42 in continuità elettrica e meccanica con l'elettrodo superiore 48; la striscia conduttiva 52 si estende attraverso la via 45, in contatto elettrico con l'elettrodo inferiore 40, e sullo strato di passivazione 42. Come dettagliato nel seguito, le strisce conduttive 51, 52 possono essere in contatto elettrico per fornire, durante l'uso, la tensione di polarizzazione richiesta per pilotare la pila piezoelettrica.
Secondo un'altra forma di realizzazione della presente invenzione, i contatti elettrici possono essere formati direttamente in corrispondenza dello strato 44 e dello strato 45, in funzione della progettazione e/o di specifici requisiti di applicazione. Ciò significa che le strisce conduttive 51, 52, nella presente forma di realizzazione, non sono formate.
Successivamente, figura 6, uno strato di passivazione 56 è formato sulla fetta 30. Lo strato di passivazione 56 può essere organico o inorganico, ad esempio, nitruro di silicio (SixNy, in particolare Si3N4) depositato dal CVD. Lo strato di passivazione 56 copre completamente l'elettrodo superiore 48, l'elettrodo inferiore 40 e le strisce conduttive 51, 52.
Successivamente, figura 7, sono formate aperture 58, 59 attraverso lo strato di passivazione 56 per raggiungere ed esporre porzioni selettive della striscia conduttiva 51 e, rispettivamente della striscia conduttiva 52.
Vengono formati quindi contatti metallici 61, 62, in figura 8, all'interno delle aperture 58, 59, per entrare in contatto elettrico con le porzioni selettive esposte delle strisce conduttive 51 e 52, rispettivamente. In alternativa, come riportato in precedenza, i contatti elettrici possono essere realizzati direttamente sugli strati 44 e 45.
I contatti metallici 61, 62 possono essere usati come piazzole per la polarizzazione, durante l'uso, dell'elettrodo superiore 48 e dell'elettrodo inferiore 40 attraverso le strisce conduttive 51 e rispettivamente 52, in modo da attivare/far funzionare l'elemento piezoelettrico 36.
In una forma di realizzazione della presente invenzione, in cui le strisce conduttive 51 e 52 sono omesse, anche i contatti metallici 61, 62 sono omessi. Questa forma di realizzazione è vantaggiosa poiché non si esegue un'ulteriore fase (ulteriori fasi) di deposizione di metallo per formare le strisce conduttive e i cuscinetti, risparmiando in tal modo costi e riducendo il tempo di fabbricazione.
Viene formato pertanto un trasduttore piezoelettrico 100.
Il trasduttore piezoelettrico 100 può essere usato, ad esempio per far funzionare un dispositivo di espulsione di liquido.
Le figure 9 e 10 mostrano schematicamente, in una differenziazione trasversale, un dispositivo di espulsione di fluido 200 in rispettivi stati di funzionamento. Il dispositivo di espulsione di fluido 200 include un corpo 201, ad esempio di materiale semiconduttore, all'interno del quale è presente una camera 202, atta a essere riempita con un fluido che deve essere espulso. Il fluido è caricato attraverso un canale di ingresso 204 ed espulso attraverso un ugello 206, entrambi formati nel corpo 201 e accoppiati a livello di fluido alla camera 204. Uno strato di membrana 208 è rivolto verso la camera 202.
In questo caso, il trasduttore piezoelettrico 100 è accoppiato meccanicamente allo strato di membrana 208 ed è isolato dal fluido nella camera 202. Secondo una forma di realizzazione alternativa, non mostrata, il trasduttore piezoelettrico 100 può essere disposto sullo strato di membrana su un lato dello strato di membrana 208 che è affacciato direttamente alla camera 202 e che è immerso, durante l'uso, nel fluido.
Facendo riferimento alla figura 9, l’elemento piezoelettrico 36 è controllato attraverso l'elettrodo superiore 48 e l'elettrodo inferiore 40 (che sono polarizzati attraverso collegamenti elettrici, non mostrati) in modo tale da generare una deviazione dello strato di membrana 208 verso l'interno della camera 202 (freccia D1). Tale deviazione causa un movimento del fluido passante verso l'ugello 206 e genera un'espulsione controllata di una goccia verso l'esterno del dispositivo di espulsione di fluido 200.
Facendo riferimento alla figura 10, l'elemento piezoelettrico 36 è controllato attraverso l'elettrodo superiore 48 e l’elettrodo inferiore 40 (che sono polarizzati attraverso i collegamenti elettrici) in modo tale da generare una deviazione dello strato di membrana 208 in una direzione opposta a quella della figura 9 (freccia D2) in modo da aumentare il volume della camera 202 e richiamando pertanto ulteriore fluido verso la camera 202 attraverso il canale di ingresso 204. La camera 202 è pertanto ricaricata con fluido.
L'elemento piezoelettrico può successivamente essere nuovamente attivato per l'espulsione di una ulteriore goccia di fluido. Le fasi delle figure 9 e 10 sono ripetute in tutto il processo di espulsione di fluido.
L'attivazione dell'elemento piezoelettrico mediante polarizzazione dell'elettrodo superiore 48 e dell'elettrodo inferiore 40 è di per sé nota e non descritta in ulteriore dettaglio.
È evidente che il trasduttore piezoelettrico 100 può essere impiegato in una varietà di applicazioni e campi tecnici, non limitati alla tecnologia di espulsione di fluido.
Da un esame delle caratteristiche dell'invenzione fornita secondo la presente descrizione, i vantaggi che essa ottiene sono evidenti.
In particolare, poiché l'elemento PZT 36 è modellato prima della deposizione dell'elettrodo superiore 48, l'elettrodo superiore 48 non è esposto alle fasi di rimozione di resist/maschera PZT e di pulizia e pertanto non è sottoposto a possibili danni derivanti da tali fasi.
Inoltre, poiché l'elettrodo superiore 48 è formato soltanto dopo le fasi di attacco chimico/modellatura dell'elettrodo inferiore 40, l'elettrodo inferiore 40 non è esposto alle fasi di rimozione di resist/maschera e di pulizia eseguite in relazione alla fabbricazione dell'elettrodo inferiore 40, che possono danneggiare l'elettrodo superiore 48.
Inoltre, poiché lo strato di passivazione 42 è formato prima della formazione dell'elettrodo superiore 48, l'elettrodo superiore 48, e la stessa pila piezoelettrica, non sono sottoposti ai bilanci termici correlati alla fabbricazione dello strato di passivazione 42, che possono danneggiare l'elettrodo superiore 48.
Inoltre, poiché le vie/le aperture 44, 45 attraverso lo strato di passivazione 42 sono formate prima della formazione dell'elettrodo superiore 48, l'elettrodo superiore 48 non è sottoposto alle fasi di attacco chimico di vie e di pulizia, che possono danneggiare l'elettrodo superiore 48.
Inoltre, le fasi di (i) formare l'elettrodo superiore 48 e (ii) le strisce conduttive 51, 52, in una forma di realizzazione, sono eseguite allo stesso tempo. Pertanto, si evitano ulteriori bilanci termici associati a una formazione separata delle strisce conduttive 51, 52.
Infine, è chiaro che possono essere apportate modifiche e variazioni a quanto è stato descritto e illustrato qui, senza allontanarsi in tal modo dall'ambito di protezione della presente invenzione, come definito nelle rivendicazioni allegate.
Ad esempio, possono essere formati strati intermedi (non mostrati nei disegni) tra l'elettrodo inferiore 34 e l'elemento piezoelettrico 36, e/o tra l'elettrodo superiore 48 e l’elemento piezoelettrico 36, con lo scopo di potenziare il contatto elettrico tra di essi e/o la reciproca adesione meccanica.

Claims (12)

  1. RIVENDICAZIONI 1. Metodo per fabbricare un trasduttore piezoelettrico (100), comprendente le fasi di: - formare, su un corpo di semiconduttore (32), un elettrodo inferiore (34) di materiale conduttivo; - formare, sull’elettrodo inferiore (34), un elemento piezoelettrico (36); e - formare, sull’elettrodo inferiore (34) e sull'elemento piezoelettrico (36), un primo strato protettivo (42) avente una prima apertura (44) attraverso cui è esposta una porzione di detto elemento piezoelettrico (36), e una seconda apertura (45) attraverso cui è esposta una porzione di detto elettrodo inferiore (34), caratterizzato dal comprendere inoltre le fasi di: - formare, sul primo strato protettivo (42) e all'interno della prima e della seconda apertura (44, 45), uno strato conduttivo (48, 51, 52); e - modellare detto strato conduttivo (48, 51, 52) per formare contestualmente: un elettrodo superiore (48) in contatto elettrico con l'elemento piezoelettrico (36) in corrispondenza di detta prima apertura (44), una prima striscia di polarizzazione (51) in contatto elettrico con l'elettrodo superiore (48), e una seconda striscia di polarizzazione (52) in contatto elettrico con l'elettrodo inferiore (40) in corrispondenza di detta seconda apertura (45).
  2. 2. Metodo secondo la rivendicazione 1, comprendente inoltre le fasi di: - formare un secondo strato protettivo (56) sull'elettrodo superiore (48), sulla prima striscia di polarizzazione (51) e sulla seconda striscia di polarizzazione (52); e - attaccare chimicamente il secondo strato protettivo (56) in corrispondenza di detta prima striscia di polarizzazione (51) e detta seconda striscia di polarizzazione (52) per formare un primo e un secondo passaggio (58, 59) per entrare in contatto elettrico con la prima striscia di polarizzazione (51) e, rispettivamente, la seconda striscia di polarizzazione (52).
  3. 3. Metodo secondo la rivendicazione 1 o 2, in cui la fase di formare il primo strato protettivo (42) include: - depositare una pluralità di strati di passivazione che coprono completamente l’elemento piezoelettrico (36) e l'elettrodo inferiore (40); - rimuovere localmente detta pluralità di strati di passivazione in corrispondenza di detto elemento piezoelettrico (36), formando pertanto la prima apertura (44); e - rimuovere localmente detta pluralità di strati di passivazione in corrispondenza di detto elettrodo inferiore (40), sfalsati lateralmente rispetto a detto elemento piezoelettrico (36), formando pertanto la seconda apertura (45).
  4. 4. Metodo secondo la rivendicazione 3, in cui detta pluralità di strati di passivazione include uno strato di ossido di alluminio e uno strato di biossido di silicio.
  5. 5. Metodo secondo una qualsiasi delle precedenti rivendicazioni, in cui la fase di formare lo strato conduttivo (48, 51, 52) include la deposizione per sputtering del materiale metallico sul primo strato protettivo (42) e all'interno della prima e della seconda apertura (44, 45); e in cui la fase di modellatura dello strato conduttivo (48, 51, 52) include attaccare chimicamente porzioni selettive del materiale metallico depositato per sputtering sul primo strato protettivo (42) per isolare elettricamente detto materiale metallico depositato per sputtering nella prima apertura (44) dal materiale metallico depositato per sputtering nella seconda apertura (45).
  6. 6. Metodo secondo la rivendicazione 5, in cui l'attacco chimico di porzioni selettive del materiale metallico depositato per sputtering sul primo strato protettivo (42) include eseguire una fase di attacco chimico utilizzando una maschera di attacco chimico che è sagomata in modo tale da permettere la rimozione del materiale metallico depositato per sputtering con l'eccezione di regioni del materiale metallico depositato per sputtering che sono progettate per formare detto elettrodo superiore (48), detta prima striscia di polarizzazione (51) e detta seconda striscia di polarizzazione (52).
  7. 7. Metodo secondo una qualsiasi delle precedenti rivendicazioni, in cui detto elemento piezoelettrico (36) è di materiale PZT.
  8. 8. Trasduttore piezoelettrico (100), comprendente: - un elettrodo inferiore (34), di materiale conduttivo, su un corpo di semiconduttore (32); - un elemento piezoelettrico (36) su, e in diretto contatto con, l'elettrodo inferiore (34); - un primo strato protettivo (42), che si estende sull'elettrodo inferiore (34) e sull'elemento piezoelettrico (36), avente una prima apertura (44) che raggiunge una porzione di detto elemento piezoelettrico (36) e una seconda apertura (45) che raggiunge una porzione di detto elettrodo inferiore (34); - un elettrodo superiore (48) in contatto elettrico diretto con l'elemento piezoelettrico (36) attraverso detta prima apertura (44); - una prima striscia di polarizzazione (51) sul primo strato protettivo (42), in contatto elettrico diretto con l’elettrodo superiore (48); e - una seconda striscia di polarizzazione (52) sul primo strato protettivo (42), in contatto elettrico diretto con l'elettrodo inferiore (40) attraverso detta seconda apertura (45).
  9. 9. Trasduttore piezoelettrico (100) secondo la rivendicazione 8, comprendente inoltre un secondo strato protettivo (56) che si estende su, e in contatto diretto con, l'elettrodo superiore (48), la prima striscia di polarizzazione (51) e la seconda striscia di polarizzazione (52), in cui il secondo strato protettivo (56) ha una prima via (58) in corrispondenza di detta prima striscia di polarizzazione (51), e una seconda via (59) in corrispondenza di detta seconda striscia di polarizzazione (52), esponendo una porzione di superficie della prima striscia di polarizzazione (51) e, rispettivamente, della seconda striscia di polarizzazione (52).
  10. 10. Trasduttore piezoelettrico (100) secondo la rivendicazione 8 o 9, in cui il primo strato protettivo (42) include una pluralità di strati di passivazione impilati, in particolare uno strato di ossido di alluminio e uno strato di biossido di silicio.
  11. 11. Trasduttore piezoelettrico (100) secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 8 a 10, in cui detto elemento piezoelettrico (36) è di materiale PZT.
  12. 12. Dispositivo di espulsione di fluido (200), che include: - un corpo (201), avente un foro di ingresso e un ugello di uscita; - una camera (202) all'interno di detto corpo (201), configurata per alloggiare un fluido da espellere, accoppiata a livello di fluido tra detto foro di ingresso e un ugello di uscita; - una membrana (208) affacciata alla camera interna (202); - un attuatore piezoelettrico (100) secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 8 a 10, disposto sulla membrana (208) e configurato per essere attivato in modo tale da causare uno spostamento della membrana (208) verso la prima camera e/o, alternativamente, lontano dalla prima camera.
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