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HK1167019B - Fabrication of low defectivity electrochromic devices - Google Patents

Fabrication of low defectivity electrochromic devices Download PDF

Info

Publication number
HK1167019B
HK1167019B HK12107737.9A HK12107737A HK1167019B HK 1167019 B HK1167019 B HK 1167019B HK 12107737 A HK12107737 A HK 12107737A HK 1167019 B HK1167019 B HK 1167019B
Authority
HK
Hong Kong
Prior art keywords
layer
electrochromic
substrate
counter electrode
depositing
Prior art date
Application number
HK12107737.9A
Other languages
German (de)
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
HK1167019A (en
Inventor
Mark Kozlowski
Eric Kurman
Zhongchun Wang
Mike Scobey
Jeremy Dixon
Anshu Pradhan
Robert Rozbicki
Original Assignee
View, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by View, Inc. filed Critical View, Inc.
Publication of HK1167019A publication Critical patent/HK1167019A/en
Publication of HK1167019B publication Critical patent/HK1167019B/en

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Claims (7)

  1. Une méthode de confection d'une fenêtre électrochromatique, la méthode comprenant :
    un dépôt séquentiel sur un substrat de verre architectural qui est d'au moins 508 mm sur 508 mm (i) une couche électrochromatique, (ii) une couche conductrice d'ions, et (iii) une contre-électrode pour former une pile dans laquelle la couche conductrice d'ions sépare la couche électrochromatique et la couche de contre-électrode, et comprenant davantage le dépôt de lithium métallique sur au moins l'une des couches électrochromatique et de contre-électrode, dans laquelle du lithium métallique est déposé en une quantité suffisante en vue de compenser la charge aveugle dans la couche électrochromatique et une quantité supplémentaire de 1,5 à 2,5 fois, en masse, la quantité utilisée pour compenser la charge aveugle,
    dans laquelle chacune des couches déposées séquentiellement est déposée en phase vapeur en utilisant un système unique de dépôt intégré ayant un environnement ambiant contrôlé dans lequel la pression et la composition de gaz sont commandées indépendamment d'un extérieur de l'environnement externe du système de dépôt intégré, dans lequel le système de dépôt intégré comprend une pluralité de stations de dépôt alignées en série et interconnectées et pouvant être mises en oeuvre afin de faire passer le substrat d'une station à l'autre sans exposer le substrat à un environnement externe, et dans lequel le lithium est déposé physiquement en phase vapeur,
    dans lequel un support de substrat tenant le substrat de verre architectural dans une orientation sensiblement verticale se transforme à travers la pluralité de stations de dépôt du système de dépôt intégré sans exposer le substrat de verre architectural à l'environnement externe pendant le dépôt ;
    et dans lequel le substrat de verre architectural ne quitte pas le système de dépôt intégré à aucun moment pendant le dépôt séquentiel de la couche électrochromatique comprenant l'oxyde métallique, la couche conductrice d'ions, la couche de contre-électrode et le lithium métallique.
  2. La méthode selon la revendication 1, dans laquelle le dépôt de la couche électrochromatique comprend le dépôt de WOx, dans lequel x est inférieur à 3,0 et au moins 2,7.
  3. La méthode selon la revendication 1, dans laquelle le dépôt de la couche conductrice d'ions comprend le dépôt d'un matériau sélectionné dans le groupe constitué par un oxyde de tungstène, un oxyde de tantale, un oxyde de niobium et un oxyde de silicium et d'aluminium.
  4. La méthode selon la revendication 1, dans laquelle le dépôt de la couche de contre-électrode comprend la pulvérisation d'une cible comprenant 10 à 40 % d'atomes de tungstène dans du nickel dans un environnement contenant de l'oxygène pour produire une couche d'oxyde de nickel et de tungstène.
  5. La méthode selon la revendication 1, dans laquelle le dépôt de la couche de contre-électrode comprend le dépôt de la couche de contre-électrode à une épaisseur comprise entre 150 nm et 350 nm.
  6. La méthode selon la revendication 1, dans laquelle la couche électrochromatique comprend de l'oxyde de tungstène et la contre-électrode comprend de l'oxyde de nickel et de tungstène, et le rapport des épaisseurs de la couche électrochromatique à la contre-électrode est compris entre 1,7: 1 et 2,3: 1.
  7. La méthode selon la revendication 1, comprenant davantage le dépôt d'une couche d'oxyde conducteur transparent sur la pile.
HK12107737.9A 2009-03-31 2010-03-31 Fabrication of low defectivity electrochromic devices HK1167019B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US61/165,484 2009-03-31
US12/645,111 2009-12-22

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HK18107603.4A Division HK1248324B (en) 2009-03-31 2012-08-07 Fabrication of low defectivity electrochromic devices

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HK18107603.4A Addition HK1248324B (en) 2009-03-31 2012-08-07 Fabrication of low defectivity electrochromic devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
HK1167019A HK1167019A (en) 2012-11-16
HK1167019B true HK1167019B (en) 2018-07-27

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