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HK1167019B - Fabrication of low defectivity electrochromic devices - Google Patents

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Publication number
HK1167019B
HK1167019B HK12107737.9A HK12107737A HK1167019B HK 1167019 B HK1167019 B HK 1167019B HK 12107737 A HK12107737 A HK 12107737A HK 1167019 B HK1167019 B HK 1167019B
Authority
HK
Hong Kong
Prior art keywords
layer
electrochromic
substrate
counter electrode
depositing
Prior art date
Application number
HK12107737.9A
Other languages
English (en)
French (fr)
Chinese (zh)
Other versions
HK1167019A (en
Inventor
Mark Kozlowski
Eric Kurman
Zhongchun Wang
Mike Scobey
Jeremy Dixon
Anshu Pradhan
Robert Rozbicki
Original Assignee
View, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by View, Inc. filed Critical View, Inc.
Publication of HK1167019A publication Critical patent/HK1167019A/en
Publication of HK1167019B publication Critical patent/HK1167019B/en

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Claims (7)

  1. Verfahren zur Herstellung eines elektrochromen Fensters, das Verfahren umfassend:
    sequenzielles Aufbringen (i) einer elektrochromen Schicht, (ii) einer ionenleitenden Schicht und (iii) einer Gegenelektrodenschicht auf einem mindestens 20 Zoll (508 mm) mal 20 Zoll (508 mm) großen Architekturglassubstrat zur Bildung eines Stapels, in dem eine ionenleitende Schicht die elektrochrome Schicht und die Gegenelektrodenschicht voneinander trennt und ferner das Aufbringen von metallischem Lithium auf mindestens einer der elektrochromen Schicht oder der Gegenelektrodenschicht, wobei das metallische Lithium in ausreichender Menge aufgebracht wird, um die Fehlmenge in der elektrochromen Schicht auszugleichen und das zusätzliche Aufbringen der 1,5 bis 2,5-fachen Menge der Masse, die zum Ausgleich der Fehlmenge verwendet wurde,
    wobei jede der nacheinander aufgebrachten Schichten mittels einem integrierten Abscheidungssystem unter Einsatz von kontrollierten Umgebungsbedingungen, bei denen Druck und Gaszusammensetzung unabhängig von der Umgebung außerhalb des integrierten Abscheidungssystems geregelt werden können, aufgedampft wird, wobei das integrierte Abscheidungssystem eine Vielzahl von in Reihe geschalteten und miteinander verbundenen Abscheidungsstationen aufweist, die so gesteuert werden können, dass das Substrat von einer Station zur nächsten geleitet werden kann, ohne das Substrat der äußeren Umgebung auszusetzen, und wobei das metallische Lithium physikalisch aufgedampft wird,
    wobei ein Substrathalter, der das Architekturglassubstrat im Wesentlichen in einer vertikalen Ausrichtung hält, mehrere Abscheidungsstationen des integrierten Abscheidungssystems durchläuft, ohne dabei das Architekturglassubstrat während der Abscheidung der äußeren Umgebung auszusetzen; und
    wobei das Architekturglassubstrat das integrierte Abscheidungssystem während der sequenziellen Abscheidung der elektrochromen Schicht mit Metalloxid, der ionenleitenden Schicht, der Gegenelektrodenschicht und des metallischen Lithiums zu keiner Zeit verlässt.
  2. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Aufbringen der elektrochromen Schicht das Abscheiden von WO x umfasst, wobei x kleiner als 3,0 und mindestens 2,7 ist.
  3. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Abscheiden der ionenleitenden Schicht das Abscheiden eines Materials umfasst, das aus einer Gruppe bestehend aus einem Wolframoxid, einem Tantaloxid, einem Nioboxid und einem Silizium-Aluminiumoxid ausgewählt wurde.
  4. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Abscheiden der Gegenelektrodenschicht das Zerstäuben einer Zielstruktur umfasst, welche in einer sauerstoffhaltigen Umgebung 10 bis 40 Atom-% Wolfram in Nickel umfasst, um eine Schicht aus Nickel-Wolframoxid herzustellen.
  5. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Abscheiden der Gegenelektrodenschicht das Abscheiden der Gegenelektrodenschicht mit einer Stärke zwischen 150 nm und 350 nm umfasst.
  6. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die elektrochrome Schicht Wolframoxid und die Gegenelektrode Nickel-Wolframoxid enthält und wobei das Verhältnis der Dicke der elektrochromen Schicht zur Gegenelektrodenschicht zwischen 1,7: 1 und 2,3:1 liegt.
  7. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, ferner umfassend das Aufbringen einer Schicht aus transparentem leitfähigem Oxid auf den Stapel.
HK12107737.9A 2009-03-31 2010-03-31 Fabrication of low defectivity electrochromic devices HK1167019B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US61/165,484 2009-03-31
US12/645,111 2009-12-22

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Application Number Title Priority Date Filing Date
HK18107603.4A Division HK1248324B (en) 2009-03-31 2012-08-07 Fabrication of low defectivity electrochromic devices

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HK18107603.4A Addition HK1248324B (en) 2009-03-31 2012-08-07 Fabrication of low defectivity electrochromic devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
HK1167019A HK1167019A (en) 2012-11-16
HK1167019B true HK1167019B (en) 2018-07-27

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