HK1165609B - Semiconductor light-emitting device - Google Patents

Claims (14)

1. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs (10 ; 40), comprenant :

   un boîtier (11 ; 41) constitué en lamifiant d'un seul tenant une première couche isolante (21 ; 51) ayant une paire de fils conducteurs positif et négatif (14a, 14b) formés sur sa face supérieure, un fil de couche intérieure (23) au-dessous de la première couche isolante (21 ; 51), et une deuxième couche isolante (22 ; 52) au-dessous du fil de couche intérieure (23), les fils conducteurs positif et négatif (14a, 14b) étant revêtus par dépôt électrolytique avec de l'or ou de l'argent sur leurs surfaces ;

   un élément d'émission de lumière à semi-conducteurs (12) qui comporte une paire d'électrodes positive et négative sur le même côté de face et qui est disposé avec ces électrodes sur les fils conducteurs (14a, 14b) respectifs, une région périphérique extérieure (12b) étant présente autour d'une périphérie extérieure (12a) de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteurs (12) ; et

   un élément d'étanchéité en forme de lentille convexe (13) qui recouvre l'élément d'émission de lumière à semi-conducteurs (12), l'élément d'étanchéité (13) comportant un bord extérieur (13a),

   dans lequel les fils conducteurs positif et négatif (14a, 14b) s'étendent sur la face supérieure de la première couche isolante (21 ; 51) vers le bord extérieur (13a) de l'élément d'étanchéité (13) directement à partir du dessous de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteurs (12), et sont connectés au fil de couche intérieure (23) par l'intermédiaire d'un autre fil conducteur disposé dans la direction d'épaisseur du boîtier (11 ; 41), et

   le fil de couche intérieure (23) est disposé à l'extérieur du bord extérieur (13a) de l'élément d'étanchéité (13) de manière à être espacé de la périphérie extérieure (12a) de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteurs (12) dans une vue à travers le boîtier (11 ; 41) à partir du côté de face supérieure de la première couche isolante (21 ; 51) de sorte que le fil de couche intérieure (23) ne soit pas disposé directement au-dessous d'une région entre les première et deuxième couches isolantes (21, 22 ; 51, 52) qui correspond à la région périphérique extérieure (12b) de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteurs (12).
2. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon la revendication 1, dans lequel une marque d'alignement (18) est formée sur la face supérieure de la première couche isolante (21 ; 51), et la marque d'alignement est disposée de manière à être espacée de la périphérie extérieure de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteurs (12).
3. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le boîtier (11 ; 41) comprend un élément thermoconducteur (55 ; 55a, 55b) directement au-dessous de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteurs (12), la conductivité thermique dudit élément thermoconducteur étant supérieure à celle des première et deuxième couches isolantes (21, 22 ; 51, 52).
4. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon la revendication 3, dans lequel l'élément thermoconducteur (55a, 55b) a une forme qui s'étend du dessous de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteurs (12) vers la face arrière du boîtier (11 ; 41) .
5. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon la revendication 3 ou 4, dans lequel l'élément thermoconducteur (55a, 55b) est constitué par une première couche de conduction thermique (55a) sous l'élément d'émission de lumière à semi-conducteurs (12), une couche isolante sous celle-ci, et une deuxième couche de conduction thermique (55b) sous la couche isolante.
6. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le boîtier (11 ; 41) comporte un évidement (42) qui s'ouvre sur la face supérieure de la première couche isolante (21 ; 51), et l'évidement (42) est disposé à l'extérieur du bord extérieur (13a) de l'élément d'étanchéité (13).
7. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche isolante est composée d'une céramique.
8. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel l'élément thermoconducteur (55 ; 55a, 55b) ou la couche de conduction thermique est réalisée à partir de CuW ou de CuMo.
9. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le fil de couche intérieure (23) est disposé de manière à être éloigné d'au moins 0,2 mm de la périphérie extérieure (12a) de l'élément d'émission de lumière à semi-conducteurs (12).
10. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 3 à 5 ou la revendication 8, ou la revendication 9 lorsqu'elle est lue telle qu'ajoutée à l'une quelconque des revendications 3 à 5 ou à la revendication 8, dans lequel la première couche isolante (21 ; 51) et/ou la deuxième couche isolante (22 ; 52) ont des aires qui sont supérieures à celle de l'élément thermoconducteur (55 ; 55a, 55b), dans une vue à travers la première couche isolante (21 ; 51) à partir du côté de face supérieure du boîtier (11 ; 41).
11. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le fil de couche intérieure (23) s'étend vers la région périphérique extérieure du boîtier (11 ; 41) entre la première couche isolante (21 ; 51) et la deuxième couche isolante (22 ; 52).
12. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant en outre un rebord (15) qui est formé relié au bord extérieur (13a) de l'élément d'étanchéité (13), et le fil de couche intérieure (23) est disposé à l'extérieur de la frontière entre l'élément d'étanchéité (13) et le rebord (15) tel que vu dans une vue à travers la première couche isolante (21 ; 51) à partir du côté de face supérieure du boîtier (11 ; 41).
13. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, comprenant en outre des câblages de face arrière qui sont connectés électriquement aux fils de couche intérieure, les câblages de face arrière étant formés sur une face arrière de la deuxième couche isolante (22 ; 52).
14. Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la couche isolante comprend trois couches ou plus, et le fil de couche intérieure (23) est disposé entre n'importe quelle paire de couches isolantes adjacentes.