HK1165609B - Semiconductor light-emitting device - Google Patents

Claims (14)

1. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung (10; 40), umfassend:

   ein Gehäuse (11; 41), das gebildet ist durch einstückiges Laminieren einer ersten isolierenden Schicht (21; 51) mit einem auf seiner oberen Fläche ausgebildeten Paar aus einem positiven und einem negativen leitenden Draht (14a, 14b), eines Innenlagen-Drahts (23) unterhalb der ersten isolierenden Schicht (21; 51) und einer zweiten isolierenden Schicht (22; 52) unter dem Innenlagen-Draht (23), wobei der positive und der negative leitende Draht (14a, 14b) mit Gold oder Silber auf ihren Oberflächen elektroplattiert sind;

   ein lichtemittierendes Halbleiterelement (12), das ein Paar aus einer positiven und einer negativen Elektrode auf derselben Flächenseite aufweist und mit diesen Elektroden auf den jeweiligen leitenden Drähten (14a, 14b) angeordnet ist, wobei es eine äußere periphere Region (12b) um eine äußere Peripherie (12a) des lichtemittierenden Halbleiterelements (12) gibt; und

   ein Dichtungsglied (13) in der Form einer konvexen Linse, welches das lichtemittierende Halbleiterelement (12) bedeckt, wobei das Dichtungsglied (13) einen Außenrand (13a) aufweist, wobei der positive und der negative leitende Draht (14a, 14b) auf der oberen Fläche der ersten isolierenden Schicht (12; 51) von direkt unterhalb des lichtemittierenden Halbleiterelements (12) auf den Außenrand (13a) des Dichtungsglieds (13) zu verlaufen und über einen weiteren leitenden Draht, der in der Dickenrichtung des Gehäuses (11; 41) angeordnet ist, mit dem Innenlagen-Draht (23) verbunden sind, und

   der Innenlagen-Draht (23) außerhalb des Außenrands (13a) des Dichtungsglieds (13) derart angeordnet ist, dass er bei einer Durchsicht durch das Gehäuse (11; 41) von der oberen Flächenseite der ersten isolierenden Schicht (21; 51) aus derart zu der äußeren Peripherie (12a) des lichtemittierenden Halbleiterelements (12) beabstandet ist, dass der Innenlagen-Draht (23) nicht direkt unterhalb einer Region zwischen der ersten und zweiten isolierenden Schicht (21, 22; 41, 52) angeordnet ist, welche der äußeren peripheren Region (12b) des lichtemittierenden Halbleiterelements (12) entspricht.
2. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Ausrichtungsmarkierung (18) auf der oberen Fläche der ersten isolierenden Schicht (21; 51) ausgebildet ist und die Ausrichtungsmarkierung derart angeordnet ist, dass sie zu der äußeren Peripherie des lichtemittierenden Halbleiterelements (12) beabstandet ist.
3. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Gehäuse (11; 41) ein thermisch leitendes Glied (55; 55a; 55b) direkt unterhalb des lichtemittierenden Halbleiterelements (12) aufweist, wobei die thermische Leitfähigkeit des thermisch leitenden Glieds höher als die der ersten und der zweiten isolierenden Schicht (21, 22; 51, 52) ist.
4. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach Anspruch 3, wobei das thermisch leitende Glied (55a, 55b) eine Form aufweist, die sich von unterhalb des lichtemittierenden Halbleiterelements (12) zur rückwärtigen Fläche des Gehäuses (11; 41) hin aufweitet.
5. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach Anspruch 3 oder 4, wobei das thermisch leitende Glied (55a, 55b) durch eine erste thermische Leitungsschicht (55a) unter dem lichtemittierenden Halbleiterelement (12), einer isolierenden Schicht darunter, und einer zweiten thermischen Leitungsschicht (55b) unter der isolierenden Schicht gebildet ist.
6. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Gehäuse (11; 41) eine Aussparung (42) aufweist, die zur oberen Fläche der ersten isolierenden Schicht (21; 51) offen ist, und die Aussparung (42) außerhalb des Außenrands (13a) des Dichtungsglieds (13) angeordnet ist.
7. Lichtemittierendes Halbleiterelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die isolierende Schicht aus einer Keramik zusammengesetzt ist.
8. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei das thermisch leitende Glied (55; 55a, 55b) oder die thermische Leitungsschicht aus CuW oder CuMo hergestellt ist.
9. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Innenlagen-Draht (23) derart angeordnet ist, dass er mindestens 0,2 mm von der äußeren Peripherie (12a) des lichtemittierenden Halbleiterelements (12) entfernt ist.
10. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5 oder Anspruch 8 oder Anspruch 9, wenn dieser als von einem der Ansprüche 3 bis 5 oder Anspruch 8 gelesen wird, wobei die erste isolierende Schicht (21; 51) und/oder die zweite isolierende Schicht (22; 52) in einer Durchsicht durch die erste isolierende Schicht (21; 51) von der oberen Flächenseite des Gehäuses (11; 41) aus Bereiche aufweisen, die größer als der Bereich des thermisch leitenden Glieds (55; 55a, 55b) sind.
11. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der Innenlagen-Draht (23) zwischen der ersten isolierenden Schicht (21; 51) und der zweiten isolierenden Schicht (22; 42) zu dem äußeren peripheren Bereich des Gehäuses (11; 41) verläuft.
12. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, ferner umfassend einen Flansch (15), der verbunden mit dem Außenrand (13a) des Dichtungsglieds (13) ausgebildet ist, und wobei der Innenlagen-Draht (23) bei Betrachtung in einer Durchsicht durch die erste isolierende Schicht (21; 51) von der oberen Flächenseite des Gehäuses (11; 41) aus auf einer Außenseite der Grenze zwischen dem Dichtungsglied (13) und dem Flansch (15) angeordnet ist.
13. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, ferner umfassend rückwärtige Flächenverdrahtungen, die elektrisch mit den Innenlagen-Drähten verbinden sind, wobei die rückwärtigen Flächenverdrahtungen auf einer rückwärtigen Fläche der zweiten isolierenden Schicht (22; 52) ausgebildet sind.
14. Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die isolierende Schicht drei oder mehr Schichten umfasst und der Innenlagen-Draht (23) zwischen einem beliebigen benachbarten Paar isolierender Schichten angeordnet ist.