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HK1028130B - Highly oriented magnetic thin films, recording media, transducers, devices made therefrom and methods of making - Google Patents

Highly oriented magnetic thin films, recording media, transducers, devices made therefrom and methods of making Download PDF

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Publication number
HK1028130B
HK1028130B HK00107477.7A HK00107477A HK1028130B HK 1028130 B HK1028130 B HK 1028130B HK 00107477 A HK00107477 A HK 00107477A HK 1028130 B HK1028130 B HK 1028130B
Authority
HK
Hong Kong
Prior art keywords
layer
magnetic
under
substrate
crystal
Prior art date
Application number
HK00107477.7A
Other languages
German (de)
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
HK1028130A1 (en
Inventor
N. Lambeth David
E. Laughlin David
Gong Heng
Yang Wei
Zou Jie
Original Assignee
Carnegie Mellon University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US08/967,669 external-priority patent/US6248416B1/en
Application filed by Carnegie Mellon University filed Critical Carnegie Mellon University
Publication of HK1028130A1 publication Critical patent/HK1028130A1/en
Publication of HK1028130B publication Critical patent/HK1028130B/en

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Claims (18)

  1. Un milieu d'enregistrement comprenant un substrat, un film en Co ou en alliage de Co ayant une structure cristalline (10 1 ¯ 0) formant une couche d'enregistrement magnétique, caractérisé en ce que le milieu comporte une structure de sous -couche ayant (i) au moins une première sous-couche ayant une face cubique à face centrée ou ayant une structure cubique à corps centré et une texture à cristal (110) disposée entre ledit substrat et ladite couche magnétique, et (ii) au moins une couche sous-jacente ayant une structure cubique à corps centré et une texture de cristal (112), disposée entre ladite première sous couche et la dite couche magnétique.
  2. Le milieu d'enregistrement selon la revendication 1, dans lequel ladite deuxième sous -couche est composée d'un matériau sélectionné dans le groupe composé de structures dérivées cubiques à corps centré B2, D03 et L2 1, ou un matériau sélectionné dans le groupe composé de Cr, d'alliages de Cr, de solutions solides d'alliages de Cr et d'un matériau a yant une structure ordonnée B2 et une constante de réseau sensiblement comparable au Cr.
  3. Le milieu d'enregistrement selon la revendication 1, dans lequel la deuxième sous -couche est composée d'un matériau sélectionné dans le groupe composé de Cr, CrV, CrMo, CrW, CrTi, CrMn, NiAl, AlCo, FeAl, FeTi, CoFe, CoTi, CoHf, CoZr, NiTi, CuBe, CuZn, AlMn, AlRe, AgMg, Al 2FeMn2, AlNi2Ta, ALNi 2Nb, AlNi 2Ti, Fe 3Al et d'une combinaison de ceux-ci.
  4. Le milieu d'enregistrement selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel ladite première sous couche comprend des structures dérivées cubiques à face centrée L10 et L12.
  5. Le milieu d'enregistrement selon la revendication 1, dans lequel ladite première sous -couche est composé de Ag, ladite deuxième sous -couche est composée de Cr et ledit substrat est composé d'un monocristal de Si(110).
  6. Le milieu d'enregistrement selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant une couche d'ensemencement disposé entre ledit substrat et ladite couche d'enregistrement magnétique.
  7. Le milieu d'enregistrement selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant en outre une couche de mouillage disposée entre ledit substrat et ladite couche d'enregistrement magnétique.
  8. Le milieu d'enregistrement se lon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit substrat est un substrat poly cristallin, sur lequel est disppsée ladite couche de mouillage, et comprenant en outre une troisième sous-couche ayant une structure cubique à corps centré et une texture de cristal (110) disposées entre ladite couche de mouillage et ladite première sous-couche.
  9. Le milieu d'enregistrement selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit substrat comprend un monocristal de Si(110) non oxydé.
  10. Le milieu d'enregistrement selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite première sous-couche est composée d'un matériau sélectionné dans le groupe comprenant Ag, Au, Cu, Al, et des combinaisons de ceux-ci.
  11. Le milieu d'enregistrement selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite couche magnétique comprend un alliage de Co sélectionné dans le groupe composé de CoCr, CoSm, CoPr, CoP, CoNi, CoPt, CoNiCr, CoNiZr, CoPtNi, CoCrTa, CoCrPt, C oCrP, CoCrTaSi, CoCrPtSi, CoCrPtB, CoCrPtTa, CoCrPtTaB, CoCrPtTaNb et des combinaisons de ceux-ci.
  12. le milieu d'enregistrement selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite structure de sous-couche comprend en outre une couch e intermédiaire entre ladite deuxième sous -couche et ladite couche d'enregistrement magnétique.
  13. Le milieu d'enregistrement selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une deuxième couche d'enregistrement magnétique compos ée de Co ou d'alliage de Co et une couche intérieure entre lesdites première et deuxième couches d'enregistrement magnétique.
  14. Le milieu d'enregistrement selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les structures de criscal dudit milieu ont au moins un rapport signal/bruit XRD de 10 à 1 pour une épaisseur de 50 nm est tel que déterminé par le procédé XRD à film mince.
  15. Un dispositif de stockage de données comprenant le milieu d'enregistrement indiqué selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, et un transducteur magnétique positionné à proximité immédiate dudit milieu pour enregistrer et lire des données sur et depuis ledit milieu.
  16. Un procédé de production d'une couche magnétique en Co ou en alliage de Co ayant une str ucture de cristal (10 1 ¯ 0) sur un substrat, ledit procédé comprenant la fourniture d'une structure de sous -couche, caractérisé par la fourniture d'au moins une première sous -couche ayant une structure cubique à face centrée et une structur e de cristal (110) sur un substrat, et par la mise en croissance d'au moins une deuxième sous -couche ayant une structure cubique à corps centré et une texture de cristal (112) à partir de la première sous -couche, et déposition d'une couche magnétique en Co en alliage de Co sur la deuxième sous-couche.
  17. Le procédé selon la revendication 16, dans lequel ledit procédé comprend en outre la fourniture d'un substrat ayant une texture de cristal (110) et ladite fourniture d'uns première sous -couche mettant en c roissance une première sous-couche ayant une texture de cristal (110) sur le substrat.
  18. Le procédé selon la revendication 16 ou 17, dans lequel ledit procédé comprend en outre la fourniture d'un substrat en Si monocristallin non oxydé, ayant une texture de cristal (110), ladite fourniture d'une deuxième sous-couche comprenant la mise en croissance d'une deuxième sous-couche ayant une texture de cristal (112) sur le substrat, ladite deuxième sous -couche étant formée de Cr, d'alliages de Cr, ou d'un matéri au ayant une structure ordonnée B2 et ayant une constante de réseau sensiblement comparable à Cr.
HK00107477.7A 1997-11-10 1998-11-09 Highly oriented magnetic thin films, recording media, transducers, devices made therefrom and methods of making HK1028130B (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US967669 1997-11-10
US08/967,669 US6248416B1 (en) 1997-11-10 1997-11-10 Highly oriented magnetic thin films, recording media, transducers, devices made therefrom and methods of making
PCT/US1998/023855 WO1999024973A1 (fr) 1997-11-10 1998-11-09 Films minces hautement orientes, supports d'enregistrement magnetiques, transducteurs, dispositifs formes a partir de ceux-ci et procedes de fabrication

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HK03106160.8A Division HK1053900A (en) 1997-11-10 2000-11-22 Highly oriented magnetic thin films, recording media, transducers, devices made therefrom and methods of making
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