HK1018921B - Electrical device comprising a voltage dependant capacitance and method of manufacturing the same - Google Patents

Claims (15)

1. Diode à capacité variable (70 ; 80) ayant une capacité dépendant de la tension entre une première électrode et une deuxième électrode, caractérisée en ce que la diode à capacité variable comprend :

   au moins deux dispositifs électriques en parallèle, les dispositifs électriques ayant des capacités dépendant de la tension, et en ce que le dispositif électrique comprend :

   une première région (12 ; 22 ; 32 ; 72 ; 82) d'un matériau semiconducteur, et

   une deuxième région (13 ; 23 ; 33 ; 73 ; 83, 91) et une troisième région (14 ; 24 ; 34 ; 74 ; 84, 91) d'un matériau semiconducteur formées dans la première région, la deuxième région et la troisième région étant séparées par une région de séparation, et

   une couche électriquement isolante (15 ; 25 ; 35) formée sur la première région au moins au niveau d'une région correspondant à la région de séparation, et

   un élément conducteur (16 ; 26 ; 36 ; 76 ; 86) formé sur la couche isolante au moins au niveau d'une région correspondant à la région de séparation de sorte que la couche isolante isole électriquement l'élément conducteur des première, deuxième et troisième régions, et

   la première électrode connectée à l'élément conducteur, et

   la deuxième électrode connectée aux deuxième et troisième régions,

   caractérisée en ce que la deuxième région, la troisième région et l'élément conducteur constituent le drain, la source et la grille, respectivement, d'un transistor de type MOS, et la longueur de grille est inférieure à 2 µm, et les régions de drain et de source et l'élément conducteur sont formés de sorte que, en fonctionnement, une couche de déplétion dépendant de la tension soit formée dans la région de séparation et qu'une plage dynamique de capacité soit atteinte par la capacité de la couche de déplétion dépendant de la tension correspondante.
2. Diode à capacité variable selon la revendication 1, dans laquelle les éléments conducteurs sont connectés à la première électrode par du polysilicium.
3. Diode à capacité variable selon l'une quelconque de la revendication 1 ou de la revendication 2, dans laquelle les deuxième et troisième régions sont connectées à la deuxième électrode par des régions d'un matériau semiconducteur.
4. Diode à capacité variable selon la revendication 3, dans laquelle les drains et les sources forment des "doigts" d'une forme de peigne.
5. Diode à capacité variable selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle les transistors de type MOS sont alignés dans une matrice.
6. Diode à capacité variable selon la revendication 5, dans laquelle la longueur de grille est d'approximativement 1 µm.
7. Diode à capacité variable selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l'élément conducteur comprend du siliciure de métal.
8. Diode à capacité variable selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle la largeur de grille est inférieure à 5 µm.
9. Diode à capacité variable selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle la largeur de grille est inférieure à 20 µm.
10. Diode à capacité variable selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la première région (12 ; 22 ; 32 ; 72 ; 82) d'un matériau semiconducteur constitue une région de puits dans un substrat semiconducteur (11 ; 21 ; 31 ; 71 ; 81) et dans laquelle une troisième électrode est connectée au substrat.
11. Diode à capacité variable selon la revendication 10, dans laquelle la troisième électrode est connectée à l'une ou l'autre de la première et de la deuxième électrodes.
12. Oscillateur commandé en tension (60) ayant une borne d'entrée pour l'application d'une tension d'entrée et une borne de sortie pour la sortie d'un signal oscillant avec une fréquence dépendant de la tension d'entrée, l'oscillateur commandé en tension comprend une diode à capacité variable ayant une capacité dépendant de la tension selon l'une quelconque des revendications 1 à 11.
13. Circuit à boucle à verrouillage de phase comprenant une diode à capacité variable selon l'une quelconque des revendications 1 à 11.
14. Procédé de fabrication d'un dispositif électrique ayant une capacité dépendant de la tension au moyen d'un procédé CMOS classique comprenant les étapes consistant à :

    former une région de puits (72 ; 82) dans un substrat semiconducteur (70 ; 80),

    former une première couche isolante sur la surface de la région de puits,

    former une première couche de polysilicium sur la couche isolante,

    former une première couche de masque sur la première couche de polysilicium,

    exposer la première couche de masque et attaquer la couche de masque,

    attaquer le polysilicium dans des zones où la première couche de masque a été attaquée pour former une grille (76 ; 86),

    éliminer le reste de la première couche de masque,

    former une pluralité de régions de sources et de régions de drains (73, 74 ; 83, 84, 91), séparées par des régions de séparation, les régions de sources et de drains étant alignées avec la grille en utilisant la grille en tant que masque, caractérisé en ce que le procédé comprend en outre les étapes consistant à :

    connecter les régions de sources aux régions de drains, et

    former une couche de blocage, destinée à bloquer une étape ultérieure d'implantation de seuil de transistor MIS d'un procédé de fabrication d'un circuit intégré, au moins au niveau d'une région correspondant à la région de séparation.
15. Procédé de fabrication d'un dispositif électrique selon la revendication 14, dans lequel les régions de sources et de drains sont connectées par des régions formées par implantation ionique.