HK1008111B - Magnetron sputtering device and method for thin film coating - Google Patents
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Claims (9)
- Dispositif de pulvérisation cathodique à magnétron destiné à être utilisé pour le dépôt d'une couche mince de matériau sur un substrat, comprenant:une chambre de pulvérisation hermétique (10) pouvant maintenir un gaz à une pression requise pour établir une décharge et comportant une paroi externe sensiblement cylindrique (12) et un premier (14) et un second couvercle (114) perpendiculaires à un axe central de ladite paroi cylindrique externe ;un ensemble cathode (19) disposé à l'intérieur de ladite chambre en étroite proximité avec ledit premier couvercle (14) de ladite chambre, ledit ensemble cathode ayant un matériau cible (38) disposé sur une surface cible plane dudit ensemble cathode tournée à l'opposé dudit premier couvercle; etun ensemble magnétique (40) situé derrière ledit ensemble cathode et à l'opposé de ladite surface cible, les lignes de force magnétique dudit ensemble magnétique quittant ladite surface cible et revenant à ladite surface cible;une source à radiofréquence (26) de potentiel électrique ayant une paire de contacts, un premier contact étant relié électriquement à ladite chambre et un second contact étant relié électriquement audit ensemble cathode (19); etun moyen de manipulation de substrats (80) placé à l'intérieur de ladite chambre afin de supporter une pluralité de substrats (50), caractérisé en ce que ledit moyen de manipulation de substrats (80) est positionné sous une orientation telle que la surface de substrat à recouvrir est perpendiculaire et adjacente à ladite surface cible, ledit moyen de manipulation de substrats permettant une rotation desdits substrats autour d'un premier axe (90) perpendiculaire à ladite surface cible et permettant aussi une rotation desdits substrats autour d'un second axe (92) parallèle à ladite surface cible.
- Dispositif de pulvérisation cathodique à magnétron selon la revendication 1, destiné en particulier à une utilisation dans la fabrication de miroirs par pulvérisation cathodique d'une combinaison de couches de matériaux alternées sur un substrat, caractérisé en ce que:a) ledit ensemble cathode comprend:a1) un premier ensemble cathode (19) disposé à l'intérieur de ladite chambre (10) en étroite proximité avec ledit premier couvercle (14), ledit premier ensemble cathode ayant un premier matériau cible (38) sur une première surface cible dudit premier ensemble cathode, ladite première surface cible étant à l'opposé dudit premier couvercle et perpendiculaire audit axe central; eta2) un second ensemble cathode (119) disposé à l'intérieur de ladite chambre en étroite proximité avec ledit second couvercle (114) de ladite chambre (10), et ayant un second matériau cible (138) sur une seconde surface cible dudit second ensemble cathode, ladite seconde surface cible étant à l'opposé dudit second couvercle et parallèle à ladite première surface cible;b) un écran de pulvérisation cathodique (70) est disposé entre ledit premier ensemble cathode (19) et ledit second ensemble cathode (119), ledit écran de pulvérisation comprenant ledit premier matériau cible sur une surface faisant face audit premier ensemble cathode et ledit second matériau cible, sur une surface faisant face audit second ensemble cathode;c) ledit ensemble magnétique comprend:c1) un premier ensemble magnétique (40) situé derrière ledit premier ensemble cathode (19) et à l'opposé de ladite première surface cible, les lignes de force magnétique dudit premier ensemble magnétique quittant ladite première surface cible et revenant à ladite première surface cible;c2) un second ensemble magnétique (140) situé derrière ledit second ensemble cathode (119) et à l'opposé de ladite seconde surface cible, les lignes de force magnétique dudit second ensemble magnétique quittant ladite seconde surface cible et revenant à ladite seconde surface cible; etd) ladite source à radiofréquence (26) est commutable, ayant un premier contact connecté à ladite chambre et un second contact pouvant être connecté par commutation, soit audit premier ensemble cathode (19), soit audit second ensemble cathode (119); ete) ledit moyen de manipulation de substrats (80) étant disposé de manière à placer lesdits substrats dans une position parmi plusieurs possibles, une première position étant telle qu'un vecteur radial perpendiculaire à ladite surface de substrat coupe perpendiculairement ledit axe central entre ledit premier ensemble cathode (19) et ledit écran de pulvérisation cathodique (70), et une seconde position étant telle qu'un vecteur radial perpendiculaire à ladite surface de substrat coupe perpendiculairement ledit axe central entre ledit second ensemble cathode (119) et ledit écran de pulvérisation cathodique (70).
- Dispositif de pulvérisation cathodique selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit moyen de manipulation de substrats comprend un élément annulaire (80) ayant une pluralité de supports de substrats (86) fixés sur lui, sur la face interne dudit élément annulaire, lesdits supports de substrats pouvant tourner autour d'un axe radial (92) dudit élément annulaire.
- Dispositif de pulvérisation cathodique selon la revendication 3, caractérisé en ce que les supports de substrats (86) sont polarisés électriquement à une tension de polarisation prédéfinie.
- Dispositif de pulvérisation cathodique selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit moyen de manipulation de substrats dispose d'un premier moyen d'entraînement en rotation destiné à faire tourner lesdits substrats autour dudit axe central et d'un second moyen d'entraînement en rotation destiné à faire tourner lesdits substrats autour d'un axe perpendiculaire à ladite surface de substrat.
- Dispositif de pulvérisation cathodique selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites première et seconde surfaces cibles sont circulaires.
- Dispositif de pulvérisation cathodique selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit premier moyen magnétique (40) oblige lesdites lignes de force magnétique à quitter ladite première surface cible (38) depuis une partie centrale et à s'étendre radialement vers l'extérieur jusqu'à ce que lesdites lignes reviennent à ladite première surface cible, sur une partie extérieure, et dans lequel ledit second moyen magnétique (140) oblige lesdites lignes de force magnétique à quitter ladite seconde surface cible (138) depuis une partie centrale et à s'étendre radialement vers l'extérieur jusqu'à ce que lesdites lignes reviennent à ladite seconde surface cible, sur une partie extérieure.
- Dispositif de pulvérisation cathodique selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit écran de pulvérisation cathodique (70) comprend ledit premier matériau cible sur une surface parallèle à ladite première surface cible et lui faisant face, et ledit écran de pulvérisation cathodique comprend ledit second matériau cible sur une surface parallèle à ladite seconde surface cible et lui faisant face.
- Procédé de revêtement d'un substrat par une pluralité de couches minces, comprenant les étapes de:a) positionnement d'un substrat (50) à proximité immédiate d'une première cathode (19), afin que ledit substrat soit perpendiculaire à une première surface cible de ladite première cathode, ladite première cathode et ledit substrat étant tous les deux situés à l'intérieur d'une chambre pleine de gaz;b) application d'un potentiel électrique entre ladite première cathode et ladite chambre pleine de gaz, créant une décharge de gaz à l'intérieur de ladite chambre pleine de gaz et provoquant par ce moyen une pulvérisation cathodique du matériau de ladite première surface cible sur ledit substrat, et mise en rotation dudit substrat autour d'un axe qui est perpendiculaire à ladite première surface cible et mise en rotation simultanée dudit substrat autour d'un axe qui est perpendiculaire à la surface dudit substrat;c) repositionnement dudit substrat (50) à proximité immédaite d'une seconde cathode (119), de telle manière que ledit substrat soit perpendiculaire à une seconde surface cible de ladite seconde cathode, ladite seconde cathode et ledit substrat étant tous les deux situés à l'intérieur d'une chambre pleine de gaz;d) application d'un potentiel électrique entre ladite seconde cathode et ladite chambre pleine de gaz, créant une décharge de gaz à l'intérieur de ladite chambre pleine de gaz et provoquant par ce moyen une pulvérisation cathodique du matériau de ladite seconde surface cible sur ledit substrat, et mise en rotation simultanée dudit substrat autour d'un axe qui est perpendiculaire à ladite seconde surface cible, pendant que ledit substrat est également mis en rotation autour d'un axe qui est perpendiculaire à la surface dudit substrat.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/986,834 US5328582A (en) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | Off-axis magnetron sputter deposition of mirrors |
| US986834 | 1992-12-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| HK1008111A1 HK1008111A1 (en) | 1999-04-30 |
| HK1008111B true HK1008111B (en) | 1999-04-30 |
Family
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