HK1065641B - Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices - Google Patents
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Claims (10)
- Procédé d'encapsulation d'un dispositif à circuit semi-conducteur pour former un emballage scellé avec cavité à air, ledit procédé comprenant :(a) le soudage dudit dispositif à circuit semi-conducteur à une base conductrice de chaleur à une température excédant 250°C,(b) l'apposition d'une structure plastique de parois latérales sur ladite base conductrice de chaleur à l'issue de l'étape (a) par formation d'un joint étanche entre lesdites parois latérales et ladite base conductrice de chaleur à une température inférieure à 200°C, formant de ce fait une enceinte partielle autour dudit dispositif à circuit semi-conducteur, ladite structure plastique ou ladite base conductrice de chaleur ayant été préformées avec des broches électro-conductrices de façon que lesdites broches pénètrent ladite enceinte partielle ;(c) le raccordement électrique du circuit dudit dispositif à circuit semi-conducteur auxdites broches ; et(d) l'apposition d'un opercule à ladite enceinte partielle, encapsulant de ce fait ledit dispositif à circuit semi-conducteur dans un logement qui est essentiellement imperméable aux gaz.
- Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite température de l'étape (a) est comprise dans une plage de 300°C à 400°C.
- Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite température de l'étape (b) est comprise dans une plage de 125°C à 185°C.
- Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite base conductrice de chaleur est une base dans un métal choisi dans le groupe constitué du cuivre, d'alliages de cuivre dans lesquels le cuivre est le composant principal, d'alliages fer-nickel et d'alliages fer-nickel-cobalt, et dans lequel ledit opercule est en matière plastique.
- Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite base conductrice de chaleur est un élément choisi dans le groupe constitué de Al2O3, BeO, AlN, SiN et Al2O3 modifié par un élément choisi dans le groupe constitué de BaO, SiO2 et CuO, et dans lequel ledit opercule est du verre.
- Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite structure plastique est formée soit d'un polyester aromatique, soit d'un polymère cristal liquide.
- Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite structure plastique et ledit opercule sont formés tous les deux d'un polymère thermoplastique.
- Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape (b) comprend le scellement de ladite structure plastique à ladite base avec un adhésif polymère thermopolymérisable choisi dans le groupe constitué des adhésifs époxy, des polyamides, des silicones, des résines phénoliques, des polysulfones et des adhésifs phénoxy.
- Procédé selon la revendication 1, dans lequel les étapes (b) et (d) comprennent respectivement le scellement de ladite structure plastique à ladite base, et dudit opercule à ladite structure plastique, avec un adhésif polymère thermopolymérisable à une température comprise dans une plage de 125°C à 185°C.
- Procédé d'encapsulation d'un dispositif à circuit semi-conducteur optique pour former un emballage scellé avec cavité à air, ledit procédé comprenant :(a) la fixation dudit dispositif à circuit semi-conducteur à une base avec un adhésif polymère thermopolymérisable à une température comprise dans une plage de 125°C à 175°C ;(b) l'apposition d'une structure plastique de parois latérales sur ladite base à l'issue de l'étape (a) par formation d'un sceau entre lesdites parois latérales et ladite base à une température inférieure à 200°C, formant de ce fait une enceinte partielle autour dudit dispositif à circuit semi-conducteur, ladite structure plastique ou ladite base conductrice de chaleur ayant été préformée avec des broches électroconductrices de façon que lesdites broches pénètrent ladite enceinte partielle ;(c) la connexion électrique du circuit dudit dispositif à circuit semi-conducteur auxdites broches; et(d) l'apposition d'un opercule à ladite enceinte partielle, encapsulant de ce fait ledit dispositif à circuit semi-conducteur dans un logement qui est essentiellement imperméable aux gaz, ledit opercule ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à 0,5 fois le coefficient de dilatation thermique de ladite base.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/904,583 US6511866B1 (en) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices |
| US09/904,583 | 2001-07-12 | ||
| PCT/US2002/019501 WO2003007362A1 (fr) | 2001-07-12 | 2002-06-19 | Utilisation de divers materiaux dans un assemblage d'appareils electroniques contenant une cavite d'air |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| HK1065641A1 HK1065641A1 (en) | 2005-02-25 |
| HK1065641B true HK1065641B (en) | 2007-05-04 |
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