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HK1065641B - Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices - Google Patents

Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices Download PDF

Info

Publication number
HK1065641B
HK1065641B HK04108226.5A HK04108226A HK1065641B HK 1065641 B HK1065641 B HK 1065641B HK 04108226 A HK04108226 A HK 04108226A HK 1065641 B HK1065641 B HK 1065641B
Authority
HK
Hong Kong
Prior art keywords
base
lid
heat
circuit device
semiconductor circuit
Prior art date
Application number
HK04108226.5A
Other languages
English (en)
French (fr)
Chinese (zh)
Other versions
HK1065641A1 (en
Inventor
Raymond S. Bregante
Tony Shaffer
K. Scott Mellen
Richard J. Ross
Original Assignee
Rjr Polymers, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/904,583 external-priority patent/US6511866B1/en
Application filed by Rjr Polymers, Inc. filed Critical Rjr Polymers, Inc.
Publication of HK1065641A1 publication Critical patent/HK1065641A1/en
Publication of HK1065641B publication Critical patent/HK1065641B/en

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Claims (10)

  1. Verfahren zum Umhüllen einer Halbleiterschaltkreis-Vorrichtung zur Bildung eines versiegelten Gehäuses mit Lufthohlraum, wobei das Verfahren umfasst:
    (a) Löten der Halbleiterschaltkreis-Vorrichtung auf einen wärmeleitfähigen Sockel bei einer Temperatur über 250 °C;
    (b) Anbringen eines Kunststoffrahmens von Seitenwänden auf dem wärmeleitfähigen Sockel nach Beendigung von Schritt (a) durch Bilden einer Versiegelung der Seitenwände mit dem wärmeleitfähigen Sockel bei einer Temperatur unter 200 °C; wodurch eine Teilummantelung der Halbleiterschaltkreis-Vorrichtung gebildet wird, wobei der Kunststoffrahmen oder der wärmeleitfähige Sockel mit elektrisch leitfähigen Leitungen vorgeformt worden ist, derart, dass die Leitungen die Teilummantelung durchdringen;
    (c) Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen dem Schaltkreis der Halbleiterschaltkreis-Vorrichtung und den Leitungen; und
    (d) Anbringen eines Deckels auf der Teilummantelung, wodurch die Halbleiterschaltkreis-Vorrichtung von einem Gehäuse umhüllt wird, das für Gase im wesentlichen undurchlässig ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Temperatur in Schritt (a) in dem Bereich von 300 °C bis 400 °C liegt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Temperatur in Schritt (b) in dem Bereich von 125 °C bis 185 °C liegt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der wärmeleitfähige Sockel ein Metallsockel ist, der aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Kupfer, Legierungen von Kupfer, in denen Kupfer der Hauptbestandteil ist, Eisen-Nickel-Legierungen und Eisen-Nickel-Kobalt-Legierungen besteht, und der Deckel aus Kunststoffmaterial ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der wärmeleitfähige Sockel ein Glied ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die besteht aus Al2O3, BeO, AlN, SiN und Al2O3, das mit einem Glied modifiziert ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus BaO, SiO2 und CuO besteht, und der Deckel aus Glas ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Kunststoffrahmen entweder aus einem aromatischen Polyester oder aus einem Flüssigkristallpolymer gebildet ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Kunststoffrahmen und der Deckel beide aus thermoplastischem Polymer gebildet sind.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei Schritt (b) das Versiegeln des Kunststoffrahmens mit dem Sockel mittels eines warmhärtbaren polymeren Klebstoffes, der aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Epoxidklebstoffen, Polyamiden, Siliconen, Phenolharzen, Polysulfonen und Phenoxyklebstoffen besteht, umfasst.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei Schritt (b) und (d) das Versiegeln des Kunststoffrahmens mit dem Sockel bzw. des Deckels mit dem Kunststoffrahmen mittels eines warmhärtbaren polymeren Klebstoffes bei einer Temperatur in dem Bereich von 125 °C bis 185 °C umfassen.
  10. Verfahren zum Umhüllen einer optischen Halbleiterschaltkreis-Vorrichtung zur Bildung eines versiegelten Gehäuses mit Lufthohlraum, wobei das Verfahren umfasst:
    (a) Befestigen der Halbleiterschaltkreis-Vorrichtung auf einem Sockel mittels eines warmhärtbaren polymeren Klebstoffes bei einer Temperatur in dem Bereich von 125 °C bis 175 °C;
    (b) Anbringen eines Kunststoffrahmens von Seitenwänden auf dem Sockel nach Beendigung von Schritt (a) durch Bilden einer Versiegelung der Seitenwände mit dem Sockel bei einer Temperatur unter 200 C, wodurch eine Teilumhüllung um die Halbleiterschaltkreis-Vorrichtung gebildet wird, wobei der Kunststoffrahmen oder der Sockel mit elektrisch leitfähigen Leitungen vorgeformt worden ist, derart, dass die Leitungen die Teilumhüllung durchdringen;
    (c) Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen dem Schaltkreis der Halbleiterschaltkreis-Vorrichtung und den Leitungen; und
    (d) Anbringen eines Deckels auf der Teilumhüllung, wodurch die Halbleiterschaltkreis-Vorrichtung von einem Gehäuse umhüllt wird, das für Gase im wesentlichen undurchlässig ist, wobei der Deckel einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der weniger als 0,5mal so groß ist wie der Wärmeausdehnungskoeffizient des Sockels.
HK04108226.5A 2001-07-12 2002-06-19 Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices HK1065641B (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/904,583 US6511866B1 (en) 2001-07-12 2001-07-12 Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices
US09/904,583 2001-07-12
PCT/US2002/019501 WO2003007362A1 (en) 2001-07-12 2002-06-19 Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
HK1065641A1 HK1065641A1 (en) 2005-02-25
HK1065641B true HK1065641B (en) 2007-05-04

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