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FR2288390A1 - Procede de realisation d'une structure semi-conductrice pour hyperfrequence et composant electronique ainsi obtenu - Google Patents

Procede de realisation d'une structure semi-conductrice pour hyperfrequence et composant electronique ainsi obtenu

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Publication number
FR2288390A1
FR2288390A1 FR7435143A FR7435143A FR2288390A1 FR 2288390 A1 FR2288390 A1 FR 2288390A1 FR 7435143 A FR7435143 A FR 7435143A FR 7435143 A FR7435143 A FR 7435143A FR 2288390 A1 FR2288390 A1 FR 2288390A1
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FR
France
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hyperfrequency
semi
making
electronic component
conductive structure
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Granted
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FR7435143A
Other languages
English (en)
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FR2288390B1 (fr
Inventor
Paul-Cyril Moutou
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
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Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
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Priority to US05/622,455 priority patent/US4045252A/en
Priority to JP50125219A priority patent/JPS5166772A/ja
Priority to GB42824/75A priority patent/GB1524709A/en
Priority to DE19752546673 priority patent/DE2546673A1/de
Publication of FR2288390A1 publication Critical patent/FR2288390A1/fr
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
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    • H10P30/208—
    • H10P30/21—
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FR7435143A 1974-10-18 1974-10-18 Procede de realisation d'une structure semi-conductrice pour hyperfrequence et composant electronique ainsi obtenu Granted FR2288390A1 (fr)

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JP50125219A JPS5166772A (fr) 1974-10-18 1975-10-17
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DE19752546673 DE2546673A1 (de) 1974-10-18 1975-10-17 Verfahren zur herstellung einer halbleiterstruktur

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FR2288390B1 (fr) 1978-07-13
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