[go: up one dir, main page]

FI81931C - Foerfarande foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon. - Google Patents

Foerfarande foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon. Download PDF

Info

Publication number
FI81931C
FI81931C FI892314A FI892314A FI81931C FI 81931 C FI81931 C FI 81931C FI 892314 A FI892314 A FI 892314A FI 892314 A FI892314 A FI 892314A FI 81931 C FI81931 C FI 81931C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
signal
power levels
amplifier
radiotelephone
control
Prior art date
Application number
FI892314A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI892314A0 (fi
FI81931B (fi
Inventor
Risto Vaeisaenen
Jukka Sarasmo
Vesa Pekkarinen
Original Assignee
Nokia Mobira Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nokia Mobira Oy filed Critical Nokia Mobira Oy
Priority to FI892314A priority Critical patent/FI81931C/fi
Publication of FI892314A0 publication Critical patent/FI892314A0/fi
Priority to US07/516,762 priority patent/US5152004A/en
Priority to AT90304937T priority patent/ATE131673T1/de
Priority to EP90304937A priority patent/EP0397445B1/en
Priority to DE69024096T priority patent/DE69024096T2/de
Application granted granted Critical
Publication of FI81931B publication Critical patent/FI81931B/fi
Publication of FI81931C publication Critical patent/FI81931C/fi

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7239—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers and shunting lines by one or more switch(es)
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
    • H04B2001/0416—Circuits with power amplifiers having gain or transmission power control

Landscapes

  • Transmitters (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Near-Field Transmission Systems (AREA)
  • Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
  • Medicines Containing Antibodies Or Antigens For Use As Internal Diagnostic Agents (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)

Description

1 81931
Menetelmä pienten tehotasojen muodostamiseksi radiopuhelimen lähettimessä 5 Keksintö kohdistuu menetelmään, jolla ohjatun yksi tai useampiasteisen vahvistimen käsittävässä lähettimessä voidaan muodostaa kaikkein pienimmät tehotasot.
Radiopuhelimen lähettimessä käytetään yleisesti C-luokan 10 vahvistimia, joille on tyypillistä hyvä hyötysuhde, 60-80 %, suurilla tehotasoilla. Vahvistimen voimakkaan epälineaarisuuden vuoksi on hallittu tehonsäätö hankala toteuttaa pienillä tehotasoilla ja lisäksi pieniä tehoja käytettäessä vahvistimen hyötysuhde pienenee. Tämä ei haittaa silloin, 15 kun kyseessä on järjestelmä (tai käyttöpaikka), jossa kaikkein pienimpiä lähetystehoja ei tarvitse lainkaan käyttää. Tilanne on toinen esim. ensi vuosikymmenen alussa käynnistyvässä Euroopan laajuisessa digitaalisessa gsm-järjestelmässä, jossa tulee olemaan käytössä hyvin pieniä tehotasoja. 20 Mikäli puhelinta aiotaan käyttää lentokoneessa, joudutaan itse lentokoneen elektroniikkaan aiheutuvien mahdollisten häiriöiden estämiseksi käyttämään todennäköisesti erittäin pieniä, jopa -17 dBm tehotasoja.
25 Tyypillinen gsm-radiopuhelimen lähettimen periaatteellinen lohkokaavio on esitetty kuvassa 1. Lohkokaaviossa on esitetty vain toiminnan ymmärtämiselle välttämättömät lohkot. Lähetettävä signaali tulee esim. kolmiportaisen C-luokan vahvistimen 1 tuloon RFin. Vahvistimen 1 vahvistusta ohjaa 30 vertailuvahvistin 3, jonka anto suodatetaan ennen vientiä tehovahvistimeen 1. Vertailuvahvistimen 3 tulosignaalit ovat tehoanturilta 2 saatava jännite, joka on verrannollinen tehovahvistimen 1 lähtöjännitteeseen RFout sekä puhelimen logiikkaosalta saatava ohjausjännite TXC1. Nämä lohkot 1, 35 2 ja 3 muodostavat säätösilmukan, joka pyrkii säätymään ti laan, jossa tehoanturilta 2 saatava jännite ja radiopuhelimen logiikkaosilta saatava ohjausjännite TXC1 ovat yhtä suuria.
2 81 931 Tällä tunnetulla menetelmällä voidaan saada aikaan tehota-sot, jotka ovat enintään noin 25 dB maksimitehotason alapuolella. Haluttaessa laajempaa tehonsäätöaluetta törmätään 5 vaikeuksiin: tehoanturin dynamiikka-alueen kapeus ja epälineaarisuus sekä C-luokassa toimivan tehovahvistimen huono säädettävyys tekevät pienten tehotasojen hallinnan vaikeaksi. Pienillä tehoilla vahvistimen hyötysuhde on erittäin pieni. GSM-järjestelmän spesifikaatioiden mukaan tehonnosto 10 noudattaa pienillä tehoilla COS2-käyrää ja tämä on C-luokan vahvistimella hankalaa.
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on saada aikaan menetelmä, jolla käytettäessä C-luokan vahvistinta voidaan silti 15 synnyttää pieniä tehotasoja hallitusti ja hyvällä hyötysuhteella.
Keksinnön mukaiselle menetelmälle on tunnusomaista se, että rf-signaali jaetaan ennen vahvistinastetta tehonjakajassa 20 kahteen haaraan, joista toisessa rf-signaali johdetaan mainittuiin vahvistinasteeseen suurten tehotasojen muodostamiseksi ja toisessa haarassa rf-signaali johdetaan elimelle, jolla muodostetaan pienet tehotasot, ja mainitut haarat yhdistyvät lähettimen lähdössä.
25
Menetelmän mukaisesti radiotaajuinen signaali johdetaan kahteen haaraan, joista ensimmäinen on tarkoitettu suurille tehotasoille. Tässä ensimmäisessä haarassa signaali vahvistetaan tunnetulla tavalla C-luokan tehovahvistimen sisältä-30 vässä säätösilmukassa.
Toinen haara on tarkoitettu käytettäväksi silloin kun tarvitaan erittäin pieniä lähetyssignaalin tehotasoja. Tässä toisessa haarassa signaalin tasoa voidaan vaimentaa ha-35 lutusti sopivalla vaimentimella. Maksimitehotaso tästä haarasta saadaan, kun vaimennus on nolla ja lisättäessä vaimennusta tehotaso luonnollisesti pienenee.
3 81 931
Keksinnön mukaista menetelmää selostetaan seuraavassa tarkemmin viittaamalla oheisiin kuviin, joissa kuva 1 esittää tunnetun tekniikan tason mukaista gsm-radio 5 puhelimen lähettimen lohkokaaviota, kuva 2 esittää gsm-radiopuhelimen periaatteellista lohkokaaviota keksinnön mukaisessa menetelmässä.
Kuvan 1 esittämää tekniikan tason mukaisen radiopuhelimen 10 lähettimen toimintaa on selostettu jo edellä. Tehoanturina 2 voidaan käyttää esim. diodi-ilmaisinta.
Keksinnön mukaisesti rf-ohjaussignaali jaetaan kuvan 2 mukaisesti kahteen haaraan tehonjakajassa 4. Tämä tehon-15 jakaja voidaan toteuttaa millä tahansa tunnetulla tavalla. Yksinkertaisin on kolmella vastuksella toteutettu jakaja. Tehonjakajasta 4 rf-signaali etenee sekä haaraan, jossa se vahvistetaan tunnetun tekniikan mukaisesti (kuva 1), että haaraan, jossa sitä vaimennetaan. Vaimentimena on erittäin 20 sopiva käyttää jänniteohjattua PIN-diodivaimenninta 5.
Vaimenninta 5 ohjataan radiopuhelimen logiikkaosasta saatavalla ohjaussignaalilla TXC2. PIN-diodivaimentimelta signaali ohjataan lähettimen lähtöön RFout.
25 Keksinnön menetelmän mukaisesti radiopuhelimen lähetin toimii seuraavasti: suurilla tehotasoilla lähetin toimii kuten tavanomainen kuvan 1 mukainen C-luokan vahvistin. Vahvistinta 1 ohjataan ohjauksen TXC1 avulla. PIN-diodivai-mentimen 5 ohjaus TXC2 ei ole käytössä ja vaimentimen 5 30 vaimennus on tässä toimintatilassa erittäin suuri, joten sen kautta tuleva signaali ulostulossa RFout on mitätön verrattuna vahvistimelta 1 tulevaan vahvistettuun rf-sig-naaliin. Tällöin voidaan päästä tehotasoihin, jotka ovat noin 25 dB maksimitehotason alapuolella. Haluttaessa tuottaa 35 pieniä alle +13 dBm tehotasoja ei ohjausta TXC1 käytetä, vaan ohjaus tapahtuu jännitteen TXC2 avulla, jolla ohjataan PIN-diodivaimentimen 5 vaimennusta. Tällöin tehovahvistin 1 ei ole käytössä ollenkaan, vaan signaali kulkee PIN-diodi- 4 81 931 vaimentimen 5 kautta ohittaen tehovahvistimen 1. Käytettäessä PIN-diodivaimenninta pienten tehotasojen muodostamiseen ei niiden säädössä tarvita lainkaan säätösilmukkaa, koska PIN-diodivaimentimen vaimennus pysyy vakiona lämpöti-5 lasta riippumatta, mikäli vaimentimen diodien läpikulkeva ohjausvirta pysyy vakiona. Tämän vuoksi pieniä tehotasoja muodostettaessa ei tarvita tehonmittausanturia.
Keksinnön mukainen pienten tehotasojen muodostamismenetelmä 10 on ominaisuuksiin nähden erittäin yksinkertainen ja sen toteuttamisessa käytettävä piiri on myös yksinkertainen ja halpa. Pienten tehotasojen muodostamisessa ei tarvita tehon-eäätösilmukkaa ja tehotasot pysyvät stabiileina. Näitä tasoja muodostettaessa ei tehovahvistin saa ohjausta eikä 15 se tällöin kuluta tehoa. Koska tehoanturia käytetään ainoastaan suurten tehotasojen muodostamisessa, ei siltä vaadita laajaa dynamiikka-aluetta.
Keksinnön mukainen menetelmä mahdollistaa usean erilaisen 20 piirin käytännön toteutuksen. Tehonjakajan jälkeen PIN- diodivaimentimelle menevässä haarassa voidaan käyttää vah-vistinastetta tarvittaessa ja se voidaan sijoittaa joko vaimentimen eteen tai sen jälkeen. PIN-diodivaimennin voidaan korvata säädettävällä jännite- tai virtaohjatulla vah-25 vistimella, joskin tällöin tehonsäätöalue jää pienemmäksi ja tehotasojen lämpötilastabiilisuus huononee. Jotta estettäisiin vahvistimen kautta vuotavan rf-signaalin pääsy antenniliitäntään silloin, kun lähetin ei saa olla päällä, voidaan rf-signaalin vahvistimen kautta kulkevalle signaa-30 litielle tai vaimentimen kautta kulkevalle signaalitielle sijoittaa erilliset diodikytkimet.
Il

Claims (7)

1. Menetelmä pienten tehotasojen muodostamiseksi radiopuhelimen lähettimessä, jossa radiotaajuinen signaali, rf-signaali, johdetaan vahvistukseltaan säädettävän vahvis- 5 tinasteen, esim. C-luokan tehovahvistimen, kautta vahvistettuna lähettimen ulostuloon, tunnettu siitä, että rf-signaali jaetaan ennen vahvistinastetta (1) tehojakajassa (4) kahteen haaraan, joista toisessa rf-signaali johdetaan mainittuun vahvistinasteeseen (1) suurten tehotasojen muo-10 dostamiseksi ja toisessa haarassa rf-signaali johdetaan elimelle (5), jolla muodostetaan pienet tehotasot, ja mainitut haarat yhdistyvät lähettimen lähdössä (RFout).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, t u n -15 n e t t u siitä, että vahvistinasteen (1) vahvistusta säätää vertailuvahvistin (3), jonka tulosignaalit ovat vahvistinasteen (1) jälkeiseltä tehoanturilta (2) saatava jännite ja radiopuhelimen ohjauslogiikalta saatava ohjaus-jännite (TXC1), jolloin mainitut elimet (1, 2, 3) muodos-20 tavat säätösilmukan.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, t u n - n e t t u siitä, että elin (5) on PIN-diodivaimennin, jonka vaimennusta ohjataan radiopuhelimen ohjauslogiikalta saa-25 tavalla ohjausjännitteellä (TXC2).
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että elin (5) on säädettävä jännite- tai virtaohjattu vahvistin, jota ohjataan radiopuhelimen ohjaus- 30 logiikalta saatavalla ohjausjänniteellä (TXC2).
5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että radiopuhelimen ohjauslogiikalta saatavilla ohjausjännitteillä (TXC1 ja TXC2) ohja- 35 taan lähetintä niin, että lähetyksen aikana rf-signaali etenee vain yhden haaran kautta. 6 81 931
5 81 931
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että pienet tehotasot ovat alle -*-13 dBm.
7. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetel-5 mä, tunnettu siitä, että sitä käytetään digitaalisessa radiopuhelinjärjestelmässä, esim. gsm-järjestelmässä.
FI892314A 1989-05-12 1989-05-12 Foerfarande foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon. FI81931C (fi)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI892314A FI81931C (fi) 1989-05-12 1989-05-12 Foerfarande foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon.
US07/516,762 US5152004A (en) 1989-05-12 1990-04-30 Procedure for forming low power levels in a radio telephone transmitter
AT90304937T ATE131673T1 (de) 1989-05-12 1990-05-08 Schaltung zur bildung niedriger leistungspegel in einem funktelefonsender
EP90304937A EP0397445B1 (en) 1989-05-12 1990-05-08 Procedure for forming low power levels in a radio telephone transmitter
DE69024096T DE69024096T2 (de) 1989-05-12 1990-05-08 Schaltung zur Bildung niedriger Leistungspegel in einem Funktelefonsender

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI892314 1989-05-12
FI892314A FI81931C (fi) 1989-05-12 1989-05-12 Foerfarande foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI892314A0 FI892314A0 (fi) 1989-05-12
FI81931B FI81931B (fi) 1990-08-31
FI81931C true FI81931C (fi) 1990-12-10

Family

ID=8528419

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI892314A FI81931C (fi) 1989-05-12 1989-05-12 Foerfarande foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5152004A (fi)
EP (1) EP0397445B1 (fi)
AT (1) ATE131673T1 (fi)
DE (1) DE69024096T2 (fi)
FI (1) FI81931C (fi)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5278519A (en) * 1991-11-13 1994-01-11 Ericsson Ge Mobile Communications Inc. Method and apparatus for controlling RF spectral splatter into adjacent channels when activating an RF transmitter
GB2296145B (en) * 1994-12-15 1999-09-22 Nokia Mobile Phones Ltd Radio transmitters and methods of operation
FI101505B1 (fi) * 1995-05-10 1998-06-30 Nokia Mobile Phones Ltd Menetelmä suuntakytkimellä toteutetun tehonmittauksen parantamiseksi pienillä tehotasoilla
US5661434A (en) * 1995-05-12 1997-08-26 Fujitsu Compound Semiconductor, Inc. High efficiency multiple power level amplifier circuit
JPH09148852A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 送信出力可変装置
JP3727431B2 (ja) * 1995-12-08 2005-12-14 シャープ株式会社 送話器、それを用いた電話機
US5872481A (en) * 1995-12-27 1999-02-16 Qualcomm Incorporated Efficient parallel-stage power amplifier
US5974041A (en) * 1995-12-27 1999-10-26 Qualcomm Incorporated Efficient parallel-stage power amplifier
SE506842C2 (sv) * 1996-06-28 1998-02-16 Ericsson Telefon Ab L M Anordning och förfarande vid radiosändare för styrning av effektförstärkare
US5752172A (en) * 1996-08-16 1998-05-12 Nokia Mobile Phones Limited Distributed transmitter output power control circuit and method for a radio telephone
FI963389L (fi) * 1996-08-30 1998-03-01 Nokia Mobile Phones Ltd Käsipuhelimen opastusjärjestelmä
KR100193842B1 (ko) * 1996-09-13 1999-06-15 윤종용 무선통신시스템의 전력조절 회로 및 방법
JP4463332B2 (ja) * 1996-09-30 2010-05-19 クゥアルコム・インコーポレイテッド 干渉する受信機イミュニティを増大させる方法および装置
FI106759B (fi) 1996-11-13 2001-03-30 Nokia Mobile Phones Ltd Matkaviestimen lähetystehon rajoitinjärjestelmä
US6173160B1 (en) 1996-11-18 2001-01-09 Nokia Mobile Phones Limited Mobile station having drift-free pulsed power detection method and apparatus
JPH10173453A (ja) * 1996-12-09 1998-06-26 Sony Corp 高周波可変利得増幅装置および無線通信装置
FI108177B (fi) 1997-01-03 2001-11-30 Nokia Mobile Phones Ltd Matkaviestinlaitteiden lähetin
US6208846B1 (en) * 1997-01-13 2001-03-27 Lucent Technologies, Inc. Method and apparatus for enhancing transmitter circuit efficiency of mobile radio units by selectable switching of power amplifier
US5884149A (en) * 1997-02-13 1999-03-16 Nokia Mobile Phones Limited Mobile station having dual band RF detector and gain control
DE19705735A1 (de) * 1997-02-14 1998-08-20 Nokia Mobile Phones Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion wenigstens eines Antennenzweigs, insbesondere in einem Fahrzeug
US6069525A (en) * 1997-04-17 2000-05-30 Qualcomm Incorporated Dual-mode amplifier with high efficiency and high linearity
KR100247013B1 (ko) 1997-12-19 2000-03-15 윤종용 무선 송신기의 전력 제어 장치
FI105611B (fi) * 1998-03-13 2000-09-15 Nokia Mobile Phones Ltd Radiotajuusvahvistimet
GB9811382D0 (en) 1998-05-27 1998-07-22 Nokia Mobile Phones Ltd A transmitter
GB9811381D0 (en) 1998-05-27 1998-07-22 Nokia Mobile Phones Ltd Predistortion control for power reduction
GB2339113B (en) 1998-06-30 2003-05-21 Nokia Mobile Phones Ltd Data transmission in tdma system
US6069526A (en) * 1998-08-04 2000-05-30 Qualcomm Incorporated Partial or complete amplifier bypass
FI114261B (fi) * 2000-09-12 2004-09-15 Nokia Corp Lähetin ja langaton viestintälaite
KR20040062783A (ko) * 2003-01-03 2004-07-09 주식회사 케이티 Ｔｄｓｌ 기반 ｔ-ｌａｎ 전송장치에 의한 누화간섭 영향저감 장치
US7161422B2 (en) * 2003-01-03 2007-01-09 Junghyun Kim Multiple power mode amplifier with bias modulation option and without bypass switches
US7023270B2 (en) * 2003-01-03 2006-04-04 Junghyun Kim High efficiency power amplifier
KR100518938B1 (ko) * 2003-01-03 2005-10-05 주식회사 웨이브아이씨스 고효율 다중 모드 전력 증폭 장치
DE102004026168A1 (de) * 2004-05-28 2005-12-22 Siemens Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten Abstrahlleistung für die Antenne eines Funkkommunikationsgeräts sowie Funkkommunikationsgerät
KR100704686B1 (ko) * 2004-09-14 2007-04-06 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 다이오드 전압제어를 통한 전력증폭기의 온도보상회로
KR100654646B1 (ko) * 2004-10-11 2006-12-08 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 전력증폭기의 온도보상 바이어스 회로
US7382186B2 (en) * 2005-01-24 2008-06-03 Triquint Semiconductor, Inc. Amplifiers with high efficiency in multiple power modes
US7385445B2 (en) * 2005-07-21 2008-06-10 Triquint Semiconductor, Inc. High efficiency amplifier circuits having bypass paths
US20070080750A1 (en) * 2005-08-31 2007-04-12 Triquint Semiconductor, Inc. High efficiency amplifiers having multiple amplification paths
US7616054B2 (en) * 2007-01-09 2009-11-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multiple output power mode amplifier
US7554392B2 (en) * 2007-04-24 2009-06-30 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multiple output power mode amplifier
US8095091B1 (en) * 2007-05-18 2012-01-10 Marvell International Ltd. Transmit power amplification control for wireless device
US8462684B1 (en) 2008-05-19 2013-06-11 Marvell International Ltd. Power saving technique for a wireless device
US8583190B1 (en) 2007-05-18 2013-11-12 Marvell International Ltd. Power saving technique for a wireless device
US7982543B1 (en) 2009-03-30 2011-07-19 Triquint Semiconductor, Inc. Switchable power amplifier
US8536950B2 (en) * 2009-08-03 2013-09-17 Qualcomm Incorporated Multi-stage impedance matching
US8102205B2 (en) 2009-08-04 2012-01-24 Qualcomm, Incorporated Amplifier module with multiple operating modes
US8207798B1 (en) 2009-09-09 2012-06-26 Triquint Semiconductor, Inc. Matching network with switchable capacitor bank
US8536949B1 (en) 2009-10-22 2013-09-17 Sprint Communications Company L.P. Variable power amplifier system

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6110327Y2 (fi) * 1980-01-10 1986-04-03
US4439744A (en) * 1981-12-24 1984-03-27 Rca Corporation Variable power amplifier
US4560949A (en) * 1982-09-27 1985-12-24 Rockwell International Corporation High speed AGC circuit
US4523155A (en) * 1983-05-04 1985-06-11 Motorola, Inc. Temperature compensated automatic output control circuitry for RF signal power amplifiers with wide dynamic range
US4646036A (en) * 1985-12-23 1987-02-24 Motorola, Inc. Signal attenuation circuit
JP2667388B2 (ja) * 1986-02-28 1997-10-27 株式会社東芝 自動電力制御装置
DE3742270C1 (en) * 1987-12-12 1989-02-23 Ant Nachrichtentech Control stage for a radio-frequency power amplifier
GB8826918D0 (en) * 1988-11-17 1988-12-21 Motorola Inc Power amplifier for radio frequency signal
US4985686A (en) * 1989-12-04 1991-01-15 Motorola, Inc. Active load impedance control system for radio frequency power amplifiers

Also Published As

Publication number Publication date
ATE131673T1 (de) 1995-12-15
FI892314A0 (fi) 1989-05-12
EP0397445A2 (en) 1990-11-14
EP0397445A3 (en) 1992-01-15
FI81931B (fi) 1990-08-31
US5152004A (en) 1992-09-29
DE69024096T2 (de) 1996-05-30
DE69024096D1 (de) 1996-01-25
EP0397445B1 (en) 1995-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI81931C (fi) Foerfarande foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon.
FI82796B (fi) Koppling foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon.
US5101172A (en) Linear amplifier
FI104299B (fi) Lähetysannon ohjauspiiri
US7873334B2 (en) Power control circuitry for a mobile terminal application
US6930549B2 (en) Variable gain amplifier for use in communications
FI85316C (fi) Koppling foer utvidgning av effektomraodet hos en saendare.
EP1450479B1 (en) Efficient modulation of RF signals
US5023937A (en) Transmitter with improved linear amplifier control
KR100248886B1 (ko) 다단 가변이득 증폭회로
US6081156A (en) Method and apparatus for amplifying feedforward linear power using pilot tone hopping
CA2074124A1 (en) Transmitter with nonlinearity correction circuits
CN115473524A (zh) 一种自动电平控制的捷变频率源
US5912588A (en) Gain control circuit for a linear power amplifier
US5373251A (en) Transmission output amplifier
US20020187766A1 (en) Circuit for compensating temperature of automatic gain control circuit
US20060038617A1 (en) Continuously variable gain radio frequency driver amplifier having linear in decibel gain control characteristics
KR100325573B1 (ko) 광학데이타신호를변조하기위해레이저에의해사용되는전기변조신호를발생하는방법및이에적합한이퀄라이저
JPH0449298B2 (fi)
JPH0470203A (ja) フィードフォワード増幅器
CN215641523U (zh) 一种新型毫米波大动态高线性对数检波器
FI74844B (fi) Kopplingsarrangemang foer reglering av hoegfrekvens- och mellanfrekvensstegens foerstaerkning vid radio- och televisionsmottagare.
KR100377083B1 (ko) 파워컨트롤회로
KR200153869Y1 (ko) 초고주파 신호출력 이득제어회로
JPH0440104A (ja) 超高周波ダイオード発振器の位相同期回路

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Owner name: NOKIA-MOBIRA OY

MA Patent expired