[go: up one dir, main page]

FI20000125A0 - Förfarande för framställning av en optoelektronisk komponent och optoelektronisk komponent - Google Patents

Förfarande för framställning av en optoelektronisk komponent och optoelektronisk komponent

Info

Publication number
FI20000125A0
FI20000125A0 FI20000125A FI20000125A FI20000125A0 FI 20000125 A0 FI20000125 A0 FI 20000125A0 FI 20000125 A FI20000125 A FI 20000125A FI 20000125 A FI20000125 A FI 20000125A FI 20000125 A0 FI20000125 A0 FI 20000125A0
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
optoelectronic component
producing
optoelectronic
component
Prior art date
Application number
FI20000125A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20000125L (sv
FI20000125A7 (sv
Inventor
Tomi Leinonen
Seppo Orsila
Markus Pessa
Petteri Uusimaa
Original Assignee
Optoelectronics Research Centr
Tampereen Teknillinen Korkeako
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Optoelectronics Research Centr, Tampereen Teknillinen Korkeako filed Critical Optoelectronics Research Centr
Priority to FI20000125A priority Critical patent/FI20000125A7/sv
Publication of FI20000125A0 publication Critical patent/FI20000125A0/sv
Priority to AU2001230269A priority patent/AU2001230269A1/en
Priority to PCT/FI2001/000043 priority patent/WO2001054173A1/en
Publication of FI20000125L publication Critical patent/FI20000125L/sv
Publication of FI20000125A7 publication Critical patent/FI20000125A7/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34326—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on InGa(Al)P, e.g. red laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0207—Substrates having a special shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/341—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10P14/2911—
    • H10P14/2926—
    • H10P14/3221—
    • H10P14/3421—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
FI20000125A 2000-01-21 2000-01-21 Förfarande för framställning av en optoelektronisk komponent och optoelektronisk komponent FI20000125A7 (sv)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20000125A FI20000125A7 (sv) 2000-01-21 2000-01-21 Förfarande för framställning av en optoelektronisk komponent och optoelektronisk komponent
AU2001230269A AU2001230269A1 (en) 2000-01-21 2001-01-19 A method for manufacturing an opto-electronic quantum well component, and an opto-electronic quantum well component
PCT/FI2001/000043 WO2001054173A1 (en) 2000-01-21 2001-01-19 A method for manufacturing an opto-electronic quantum well component, and an opto-electronic quantum well component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20000125A FI20000125A7 (sv) 2000-01-21 2000-01-21 Förfarande för framställning av en optoelektronisk komponent och optoelektronisk komponent

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20000125A0 true FI20000125A0 (sv) 2000-01-21
FI20000125L FI20000125L (sv) 2001-10-16
FI20000125A7 FI20000125A7 (sv) 2001-10-16

Family

ID=8557156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20000125A FI20000125A7 (sv) 2000-01-21 2000-01-21 Förfarande för framställning av en optoelektronisk komponent och optoelektronisk komponent

Country Status (3)

Country Link
AU (1) AU2001230269A1 (sv)
FI (1) FI20000125A7 (sv)
WO (1) WO2001054173A1 (sv)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2905667B2 (ja) * 1992-12-17 1999-06-14 シャープ株式会社 Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体薄膜の製造方法およびｉｉ−ｖｉ族化合物半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001054173A1 (en) 2001-07-26
FI20000125L (sv) 2001-10-16
FI20000125A7 (sv) 2001-10-16
AU2001230269A1 (en) 2001-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI20011202A0 (sv) Flerskiktsrör och förfarande för framställning av detsamma
FI20010847A0 (sv) Fiberbana och förfarande för framställning därav
FI20010848A0 (sv) Flerskikts fiberprodukt och förfarande för framställning därav
DE50014725D1 (de) Optoelektronische Vorrichtung
SE0302328L (sv) Absorberande klädesplagg samt förfarande för framställning av sådant
FI20001612A0 (sv) Förfarande för framställning av fiberplattor
FI20000755A0 (sv) Förfarande för framställning av produktsensor och produktsensor
FI112534B (sv) Förfarande för framställning av kylelement och kylelement
FI20000411A0 (sv) Förfarande för framställning av en elektrod och en elektrod
FI20000125A0 (sv) Förfarande för framställning av en optoelektronisk komponent och optoelektronisk komponent
FI20022050A0 (sv) Förfarande och anordning för framställning av mekaniska fibrer
FI20002275A0 (sv) Bestrykningsförfarande och bestrykningsanordning
FI20002668A0 (sv) Förfarande och anordning för tillverkning av en glasbeläggning
FI20002635A0 (sv) Förfarande för framställning av lättgrus och lättgrus
DE50015263D1 (de) Optoelektronische Vorrichtung
FI20000134A0 (sv) Dämpare för förpackningar och förfarande för framställning av denna
FI981114A0 (sv) Förfarande för framställning av en optisk plastfiber och optisk plastfiber
FI20015025A0 (sv) Balkongelement och förfarande för framställning därav
FI20000785A0 (sv) Förfarande och anordning för uppkoppling och mottagning av samtal
FI20002118A0 (sv) Förfarande och anordning för framställning av brännved
FI20000037A0 (sv) Byggnadsskiva och förfarande för framställning därav
FI20011580A0 (sv) Förfarande och anordning för skarvning av faner
SE0100526D0 (sv) Förfarande och anläggning för tvätt av fordon
FI20001370A0 (sv) Förfarande och anordning för framställning av pyrolysolja
FI20000260A0 (sv) Monteringsutsprång och framställningsförfarande