ES2363955B1 - Metodo para el analisis del indice de refraccion de un medio dielectrico adyacente a un medio plasmonico, y dispositivo correspondiente - Google Patents
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Abstract
El método comprende los pasos de dirigir luz desde una fuente de luz (1) hacia un medio plasmónico, para excitar una resonancia de plasmón superficial, y analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico (4). Como fuente de luz (1) se usa un diodo láser, y se varía periódicamente la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser. La invención también se refiere a un dispositivo correspondiente.
Description
Método para el análisis del índice de refracción de un medio dieléctrico adyacente a un medio plasmónico, y dispositivo correspondiente.
Campo técnico de la invención
La invención se engloba en el campo de la detección de cambios en los índices de refracción de medios dieléctricos, basada en el fenómeno de la resonancia de plasmón superficial (por ejemplo, SPR o LSPR).
Antecedentes de la invención
Es conocida la detección de cambios índices de refracción en medios dieléctricos adyacentes a una superficie metálica mediante la detección de la Resonancia de Plasmón Superficial (SPR por sus siglas en inglés: “Surface Plasmón Resonance”), incluyendo variantes como la resonancia de plasmón superficial localizada (LSPR).
Una onda de plasmón superficial es una onda electromagnética transversal magnética que se propaga en la intercara de un metal y un dieléctrico cuando el metal se comporta de forma parecida a un gas de electrones libres. La onda de plasma está caracterizada por un vector de propagación (vector de ondas) que define las condiciones necesarias para poder ser excitada. Si el medio metálico y el dieléctrico son semi-infinitos, el vector kSP de propagación del plasmón viene dado por la siguiente expresión:
donde λ es la longitud de onda y nm ynd son, respectivamente, los índices de refracción del metal y del dieléctrico
√
(y εmy εd son sus constantes dieléctricas, con n= ε).
Para que se produzca el fenómeno de resonancia de plasmón es necesario que
- -
- la parte real de la constante dieléctrica del metal sea negativa, Re[εm]<0,
- -
- que Re[εd]<-Re[εm],
- -
- y que la onda producida sea transversal magnética (TM).
Estas condiciones se cumplen para diversos metales, entre los cuales los más utilizados son el oro y la plata. El campo electromagnético de una onda de plasma superficial está caracterizado por tener la máxima intensidad en la intercara del metal y del dieléctrico y un decaimiento exponencial en ambos medios, tal y como se ilustra esquemáticamente en la Figura 1 (esta figura ilustra el decaimiento exponencial de la onda en la intercara del metal 1001 y del medio dieléctrico 1002).
Como consecuencia, la excitación de la onda de plasma superficial va a depender fuertemente de la constante dieléctrica (o índice de refracción) del medio dieléctrico.
Hay distintas formas de excitar estás ondas superficiales, por ejemplo, con electrones o con luz. Sin embargo, la excitación de esta onda de plasmón superficial no puede realizarse incidiendo directamente con luz sobre el metal. Esto se debe a que el vector de ondas de la luz viene dado por la siguiente expresión:
siendo θ el ángulo de incidencia de la luz y λ la longitud de onda. Para que se produzca la excitación es necesario que ambos vectores de ondas sean iguales. Si comparamos los vectores de ondas del plasmón y de la luz se cumple que, para cualquier ángulo de incidencia de la luz:
Para poder excitar con luz el plasmón superficial se utilizan distintas técnicas, entre las que cabe destacar:
a) Acoplamiento con prisma (ilustrado de forma esquemática en la Figura 2): se utiliza un prisma 1003 con un índice de refracción np y constante dialéctrica εp mayor que los del medio dieléctrico 1002 en el que se van a producir los cambios ópticos (εp>εd), y una lámina o capa metálica 1001 delgada con un espesor determinado (que depende de la longitud de onda de la luz y del metal utilizado) interpuesta entre el prisma 1003 y el medio dieléctrico 1002. En la Figura 2, kx0 es la componente del vector de ondas de la luz en el aire paralela a la superficie de reflexión (y ε0 es la constante dieléctrica del aire), kxp es la componente del vector de ondas de la luz en el prisma paralela a la superficie de reflexión (y εp es la constante dieléctrica del prisma), y kSP es el vector de propagación del plasmón.
La excitación se realiza mediante la reflexión interna total de la luz en la intercara entre el prisma y el metal, y el plasmón se genera en la intercara del metal y del medio dieléctrico en el que se va a realizar la medida. En esta configuración, el espesor de la capa metálica es un parámetro esencial para poder observar la resonancia de plasmón. El espesor óptimo puede calcularse con diversos métodos, por ejemplo, a través del formalismo descrito en la publicación M. Shubert, Polarization-dependent optical parameters of arbitrarily anisotropic homogeneous layered media, Physical Review B, vol. 53, p. 4265 (1996).
b) Diseñando una estructura periódica, como una rejilla, en la capa metálica. De esta manera se produce un fenómeno de difracción de la luz que incide sobre la estructura periódica, y que lleva a un incremento en el vector de ondas de la luz:
donde Λ es el periodo de la estructura periódica y N es el orden de difracción de la luz. Con este método el espesor de la capa metálica no es un parámetro muy importante, sin embargo, si serán importantes el periodo y profundidad de las estructuras periódicas.
c) Mediante luz guiada en una guía de ondas o en una fibra óptica. La excitación se realiza a través del campo evanescente de la luz confinada en el núcleo de la guía o de la fibra óptica.
Estas maneras de excitar el plasmón superficial mediante la incidencia de luz son convencionalmente utilizadas (tal vez, sobre todo el sistema basado en acoplamiento con prisma) en sistemas de medición/detección de cambios en los índices de refracción de medios dieléctricos.
Estos sistemas de medición y detección se basan en el hecho de que la condición de excitación de la resonancia de plasmón depende del índice de refracción, nd del medio dieléctrico. Esto implica que si cambia el índice de refracción cambiará la condición de excitación del plasmón. Este cambio en la condición de resonancia se puede detectar de distintas maneras, por ejemplo, analizando la luz reflejada por la capa metálica en función del ángulo de incidencia de la luz, manteniendo la longitud de onda fija, y en una configuración de acoplamiento con prisma.
La Figura 3A ilustra una configuración conocida para la detección de cambios del índice de refracción de un medio dieléctrico, que comprende una fuente de luz 1004 monocromática con polarización transversal magnética (también conocida como “polarización TM” o “polarización p”, es decir, con el campo eléctrico dentro del plano de incidencia de la luz), un detector de intensidad de luz 1005 conectado a medios de procesamiento electrónico de datos 1006 configurados para analizar las señales a la salida del detector de intensidad de luz 1005. Además, la configuración comprende un prisma 1003 de acoplamiento, una fina capa metálica 1001 (típicamente, de oro) situada sobre una superficie del prisma 1003 y, en el otro lado de la capa metálica, es decir, en contacto con la superficie de la capa metálica que no está en contacto con el prisma, el medio dieléctrico 1002 (por ejemplo, un fluido). La luz 1007 se refleja al incidir sobre la capa metálica y la luz reflejada incide sobre el detector de luz 1005, que detecta su intensidad, la cual es registrada por los medios de procesamiento electrónico de datos 1006.
La Figura 3B refleja, de forma esquemática, cómo el prisma 1003 y la capa metálica 1001 pueden ser girados con respecto a la fuente de luz 1004, de manera que varíe el ángulo θ de incidencia de la luz 1007 (esto se puede hacer desplazando la fuente de luz y/o el conjunto constituido por prisma 1003 y capa metálica 1001).
Tal y como se desprende de lo explicado más arriba, la condición de excitación del plasmón con luz depende de varios factores, entre ellos, de la longitud de onda de la luz, del ángulo de incidencia θ y del índice de refracción nd. Si con la configuración ilustrada se parte de un ángulo de incidencia θ pequeño y se va aumentando este ángulo, se llega a un momento en el que se produce una reflexión total de la luz en la intercara entre el prisma 1003 y la lámina
o capa de metal 1001. A partir de ese ángulo, si se sigue aumentando el ángulo de incidencia θ, se produce una fuerte disminución de la intensidad reflejada, hasta llegar a un mínimo, que coincide con la excitación de la onda de plasma superficial en la otra intercara del metal. Dado que la condición de excitación de la resonancia de plasmón depende tanto del ángulo de incidencia θ como del índice de refracción (nd) del medio dieléctrico, si las otras variables se mantienen constantes (por ejemplo, la constante dieléctrica εm y otras características de la capa de metal, la longitud de onda de la luz, etc.), un cambio en el índice de refracción (nd) del medio dieléctrico corresponderá a un cambio en el ángulo de incidencia θ para el cual se produce un mínimo en la intensidad de la luz reflejada.
La Figura 4 refleja dos curvas que relacionan la intensidad Rpp de la luz reflejada con polarizatión TM (medida con el detector 1005 de la configuración descrita más arriba) en función del ángulo de incidencia θ, para dos índices de refracción (nd1,nd2 con nd1<nd2) diferentes. Tal y como se puede observar, el aumento del índice de refracción desde nd1 hasta nd2 se refleja en un cierto desplazamiento hacia la derecha en el diagrama de la curva Rpp (θ) debido al aumento del ángulo de incidencia para el que se produce la excitación del plasmón. De esta manera, haciendo barridos de θ,se puede detectar el cambio en el ángulo para el que se produce la excitación del plasmón y relacionar dicho cambio con las variaciones del índice de refracción del medio dieléctrico 1002.
Es decir, la cuantificación del desplazamiento del ángulo para el que se produce la resonancia proporciona una medida del cambio de índice de refracción.
Por otro lado, la sensibilidad con la que se puedan detectar estos cambios de ángulo de resonancia depende de lo estrecha que sea esa curva de resonancia. Cuanto más estrecha, mayor será la sensibilidad, y eso va a depender, en este caso, del metal utilizado, del espesor de la capa y de la longitud de onda de la luz. Una configuración que se suele utilizar habitualmente es una capa de 50 nm de oro y luz con una longitud de onda de 632 nm.
Una forma alternativa de detectar cambios en el índice de refracción puede consistir en mantener el ángulo de incidencia θ constante y medir los cambios en la reflectividad (en el caso de la Figura 4, si se opta por mantener el ángulo de incidencia θ=72 grados, un aumento del índice de refracción de nd1 and2 se detectaría como un aumento de la reflectividad, etc.). Igualmente que en el caso anterior, la sensibilidad del sensor depende de lo estrecho que sea el pico de resonancia.
Si en lugar de variar el ángulo de incidencia θ se varía la longitud de onda de la luz, sucede exactamente lo mismo, la aparición de un pico de resonancia que se desplaza al variar el índice de refracción del medio dieléctrico adyacente a la capa de oro. Esto es aplicable también al caso de la excitación mediante una estructura periódica o mediante una guía de ondas.
Existe un gran número de sistemas de detección de cambios en los índices de refracción basados en la resonancia del plasmón superficial; ejemplos de tales sistemas se describen en:
US-A-5912456
US-A-5485277
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Lógicamente, una aplicación directa de este tipo de sensores es la de refractómetro (para medir cambios de índice de refracción). Sin embargo, otra importante aplicación de este tipo de sensores hoy en día es la de biosensor o la de sensor químico. La distancia de penetración del campo evanescente de la onda de plasma superficial dentro del medio dieléctrico está alrededor de los 100 nm. Por lo tanto, una interacción biomolecular que tenga lugar en la superficie de la capa metálica variará localmente el índice de refracción sobre la superficie. Esta variación, a su vez, producirá un cambio en el vector de propagación del plasmón y, como consecuencia, en la condición de resonancia. Este cambio puede ser detectado con los métodos descritos más arriba.
La utilización como biosensor puede estar basada en la inmovilización previa de biomoléculas receptoras 2001 sobre la superficie de la capa de metal 1001, tal y como se ilustra esquemáticamente en la Figura 5. Estas biomoléculas receptoras pueden unirse de forma selectiva a las moléculas analito 2002 que se quieren detectar y que pueden estar presentes en un líquido con el que está en contacto la capa metálica. Al unirse las moléculas analito 2002 con las moléculas receptoras 2001, se volverá a producir un cambio local del índice de refracción sobre la superficie metálica que variará, a su vez, la condición de resonancia del plasmón.
También existe al menos una variante de los sistemas de Resonancia de Plasmón Superficial (SPR) que no requiere los medios de acoplamiento (acoplamiento con prisma, con estructura periódica en la capa de metal, o mediante luz guiada en una guía de ondas o en una fibra óptica). Se trata de lo que se conoce como la Resonancia de Plasmón Superficial Localizada (LSPR por sus siglas en inglés: “Localized Surface Plasmón Resonance”). Básicamente, se suele usar el término SPR (Surface Plasmón Resonance) cuando el medio plasmónico es una estructura plana de metal (por ejemplo, tal y como se ha descrito más arriba, y que incluye algún tipo de medio de acoplamiento) y el término LSPR cuando el medio plasmónico comprende estructuras metálicas de un tamaño nanométrico, por ejemplo, una superficie de nanopartículas de metal. Las propiedades ópticas de nanopartículas metálicas (especialmente de Au y Ag) vienen marcadas por su resonancia de plasmón superficial localizada (LSPR). A diferencia del plasmón superficial de las capas delgadas (SPR), cuya naturaleza es propagante, el movimiento colectivo de los electrones de conducción inducido por la LSPR está confinado en las nanopartículas, y el fenómeno se puede entender, de forma simplificada, como el de un dipolo inducido resonante. Cuando se excita la LSPR, la absorción y dispersión de fotones por parte de las nanopartículas aumenta en gran medida y se generan campos electromagnéticos muy intensos alrededor de la nanoestructura. La excitación de la LSPR no requiere medios de acoplamiento como en el SPR, y puede conseguirse directamente a través de un haz de luz a una determinada longitud de onda. Dicha longitud de onda de excitación es sumamente dependiente de la forma, tamaño y composición de la nanoestructura, así como del índice de refracción del medio que la rodea. Esta última dependencia constituye el principio de detección biosensora de las nanoestructuras metálicas. Así, cuando se produce un cambio local de índice de refracción en la superficie de la nanopartícula, como el inducido por una interacción biomolecular, se produce un cambio en la longitud de onda de la resonancia que puede ser detectada espectroscópicamente. Como la LSPR está confinada en las nanopartículas, la capacidad de multiplexado es enorme y su límite se encuentra en una única nanopartícula. Además, la sensibilidad de las nanopartículas a los cambios locales de índice de refracción es mayor que la del SPR en determinadas zonas espectrales de la resonancia.
Borja Sepúlveda, et al., “LSPR-based biosensors”, Nano Today (2009) 4, páginas 244-251 resume algunos aspectos de los biosensores basados en LSPR.
La figura 6A refleja, de forma esquemática, un detalle de un sensor de Resonancia de Plasmón Superficial Localizada en una aplicación de biosensor. Sobre un sustrato dieléctrico 3001 se han fijado nanopartículas metálicas 3002, por ejemplo, mediante uniones químicas, o se han formado dichas nanopartículas metálicas 3002 mediante, por ejemplo, nanolitografía. Esto representa una nanoestructura metálica, en la que se puede inducir LSPR.
Para que cumpla su función de biosensor, se han unido moléculas receptoras 3003 a las nanopartículas metálicas 3002. A estas moléculas receptoras pueden unirse moléculas analito 3004, produciendo un cambio en el índice de refracción de nd1 and2. La figura 6B refleja el desplazamiento de la curva de la señal del plasmón antes y después del cambio de índice de refracción por la unión de moléculas analito 3004 a los receptores 3003 inmovilizados en la nanoestructura. Como se intuye en la figura 6B, las señales de plasmón tienen curvas parecidas a las que se ven en la figura 4, es decir, curvas que presentan un pico para la longitud de onda (en el caso del SPR en una capa metálica a la que se refieren las figuras 1-5, para un ángulo o para una longitud de onda, según qué parámetro se usa para el “escaneado”) en el que se produce el pico de la resonancia de plasmón.
Mientras que en el caso de la SPR en una capa metálica la “señal plasmónica” que se suele detectar es la intensidad de la luz reflejada (con el fin de determinar la reflectividad en función de ángulo o longitud de onda), en el caso de la LSPR se puede determinar, por ejemplo, a través de la medida de la absorción o dispersión de la luz, tanto en configuraciones de reflexión como en transmisión. En todas estas medidas aparece un pico en el espectro en función de la longitud de onda de la luz, asociado a la LSPR. Ahora bien, en ambos casos el resultado es una curva cuyo desplazamiento es indicativo de cambios en el índice de refracción de un medio contiguo a la estructura metálica. Por lo tanto, determinar la “posición” de la curva correctamente puede ser clave para un análisis de índice de refracción.
Tanto en el caso del SPR “normal” como en el caso del LSPR se puede hablar de un “medio plasmónico” en el que se puede excitar una resonancia de plasmón superficial. En este documento se utiliza el término “medio plasmónico” para referirse a este tipo de medio; en el caso de la figura 3A, el medio plasmónico podría incluir la capa metálica 1001 y el prisma de acoplamiento 1003. En el caso de la figura 6A, el medio plasmónico incluye las nanopartículas metálicas 3002 (a nanoagujeros, o una combinación de nanopartículas y nanoagujeros).
Actualmente existen múltiples dispositivos comerciales y un gran número de publicaciones describiendo los distintos tipos de configuración de medida y aplicaciones de este tipo de sensores.
Los sensores de Resonancia de Plasmón Superficial (SPR y LSPR) tienen generalmente una alta sensibilidad para detectar cambios de índice de refracción así como bajas concentraciones de biomoléculas. Sin embargo, a veces su sensibilidad puede resultar insuficiente; por ejemplo, actualmente, los sensores conocidos presentan problemas para detectar cambios del índice de refracción por debajo de 10−5 y moléculas con un pequeño peso molecular (inferior a 1000 unidades de masa atómica), cuando se utilizan como biosensores. Esto hace que la detección de determinadas sustancias, como sustancias tóxicas químicas o contaminantes medioambientales, sea compleja y no se pueda realizar adecuadamente de forma directa (usando la tecnología descrita más arriba). Esta problemática se ha descrito en WOA-2005/121754, donde se propone una forma de aumentar el límite de sensibilidad de los sensores, aprovechando que no sólo los metales nobles (como oro, plata, etc.) permiten la creación de ondas de plasma superficiales, sino que también existen materiales ferromagnéticos (como el hierro, cobalto o níquel) que tienen unas propiedades ópticas que permiten la creación de ondas de plasma superficiales. Los materiales ferromagnéticos son materiales magnetoópticamente activos, es decir, son capaces de cambiar las propiedades ópticas de la luz que interacciona con ellos cuando se someten a un campo magnético que cambia su estado de imanación. Aunque la onda de plasma superficial en materiales ferromagnéticos presenta mucha absorción, los efectos magneto-ópticos se pueden aumentar mucho cuando el plasmón es excitado en estas capas. WO-A-2005/121754 describe cómo se puede aprovechar los efectos magneto-ópticos en presencia de ondas de plasma superficiales para mejorar la sensibilidad de los sensores de índice de refracción basados en la resonancia de plasmón superficial. Es decir, se combinan los efectos magneto-ópticos de los metales ferromagnéticos y la resonancia de plasmón superficial en la intercara de un metal y un dieléctrico. Para ello, el dispositivo comprende, en adición a una serie de componentes convenciones, una capa de metal que contiene un material ferromagnético (por ejemplo, hierro, cobalto o níquel) y, además, opcionalmente, medios de imanación configurados para imanar la capa de metal.
Ahora bien, y aunque la invención descrita en WO-A-2005/121754 sirve para aumentar el límite de sensibilidad, el uso del material ferromagnético, la imanación del mismo, etc., implica una limitación en las posibilidades de diseño de este tipo de dispositivos. Por lo tanto, existe una necesidad de encontrar alternativas que permitan el uso de otros materiales y/o configuraciones.
Otras maneras de mejorar la sensibilidad en este tipo de sistemas y también en otros (como, por ejemplo, en espectroscopia diferencial de líquidos) se describen en GB-A-2254693 y se basan en el uso de dispositivos acustoópticos que se usan para modular el haz de luz que se dirige al medio que se analiza. En el caso del análisis del plasmón superficial, se modifica el ángulo del haz, mediante un deflector acusto-óptico. En el caso de la espectroscopia, se usa un filtro acusto-óptico asociado a una fuente de luz blanca, de manera que se podría seleccionar una porción de la luz blanca y así realizar un escaneado en longitud de onda, en una aplicación de espectroscopia diferencial de líquidos.
Descripción de la invención
Un primer aspecto de la invención se refiere a un método para el análisis del índice de refracción de un medio dieléctrico adyacente a un medio plasmónico. Un medio plasmónico es un medio en el que se puede excitar una resonancia de plasmón superficial. Por ejemplo, el medio plasmónico puede ser una capa delgada o conjunto de capas delgadas de metal, en la práctica normalmente se usa oro o plata, aunque también se pueden usar otros metales. Este tipo de medio requiere una estructura de acoplamiento, tal y como se explica en, por ejemplo, WO-A-2005/121754. Otro ejemplo de medido plasmónico conocido en el estado de la técnica es un medio metálico nanoestructurado, por ejemplo, nanopartículas de metal, nanoagujeros en una capa metálica, o combinaciones de estos.
El método comprende los pasos de:
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- dirigir luz desde una fuente de luz hacia el medio plasmónico, para excitar una resonancia de plasmón superficial (SPR O LSPR);
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- y analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico.
Tal y como es convencional, la luz se puede detectar con, por ejemplo, un fotodetector que produce una señal de salida en función de las características de la luz incidente sobre el mismo, por ejemplo, la intensidad de la luz, y se puede analizar esta señal de salida. El análisis de esta luz permite sacar conclusiones sobre el índice de refracción del medio dieléctrico y/o de variaciones en dicho índice, tal y como es convencional.
De acuerdo con la invención, como fuente de luz se usa un diodo láser, y se varía periódicamente la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser.
La longitud de onda de la luz emitida por un diodo láser varía con la potencia emitida, la cual depende de la corriente de alimentación del diodo láser, y de la temperatura del mismo. Esto hace que sea sumamente fácil implementar un control de la longitud de onda de la luz, e introducir una modulación de la longitud de onda de la luz de acuerdo con una señal eléctrica. Esto puede implicar ventajas frente al estado de la técnica, por ejemplo, frente al sistema de WOA-2005/121754, ya que puede ser difícil generar campos magnéticos externos de alta frecuencia, mientras que los diodos láser no presentan esta desventaja: se puede variar la longitud de la luz con frecuencias muy elevadas. También pueden requerir un menor gasto energético comparado con el que implica la generación de campos magnéticos.
A primera vista el uso de un diodo láser para variar la longitud de onda en aplicaciones del plasmón superficial puede parecer poco apropiada: en el caso de los diodos láser, el rango en el que se puede variar la longitud de onda es muy limitado, típicamente del orden de unos 3 nm (es decir, 1,5 nm en cada dirección a partir de una longitud de onda central). Esto puede parecer poco apropiado para una búsqueda de, por ejemplo, picos en la reflectividad, donde tradicionalmente se realiza un escaneado a lo largo de un rango de longitudes de onda sustancialmente mayor, a veces varios cientos de nm. Se conoce el uso de un tipo concreto de diodo láser (el “distributed feedback laser diode”) en otros sistemas de análisis óptico, al menos en la espectroscopia de modulación de longitud de onda, véase, por ejemplo,
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- Stéphane Schilt, et al., “Wavelength modulation spectroscopy: combined frequency and intensity láser modulation”; Applied Optlcs, Vol. 42, No. 33, 20/11/2003;y
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- Yuntao Wang, et al., “Logarithmic conversión of absorption detection in wavelength modulation spectroscopy with a current-modulated diode laser”; Applied Optics, Vol. 48, No. 21, 20/1/2009,
pero en estos casos se trata de aplicaciones de espectrometría con modulación de longitud de onda para análisis de gases, una aplicación donde se requiere precisamente un haz de luz con anchura espectral extremadamente fina, para analizar un rango muy estrecho del espectro.
Ahora bien, en el contexto del SPR y LSPR, se ha detectado que variando a longitud de la onda usando el diodo láser se puede detectar, en lugar del valor “absoluto” de la señal plasmónica, la variación de la misma o la variación relativa o derivada de la misma, algo que sirve para aumentar la sensibilidad del método. Con señal plasmónica se entiende en este contexto, por ejemplo, la reflectividad o intensidad de la luz reflejada detectada en el caso del SPR o, por ejemplo, la medida de la absorción o dispersión de la luz por las nanoestructuras en el caso del LSPR.
El paso de analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico puede comprender analizar al menos una característica de dicha luz en función de la variación de la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser. Es decir, se puede analizar como la señal plasmónica varía en función de la longitud de onda de la luz del diodo láser, y de esta manera determinar la variación de la señal plasmónica -o la variación relativa-de la señal plasmónica, en función de la longitud de onda. De esta manera, en lugar de analizar el valor absoluto de la señal plasmónica, se analiza su variación, por ejemplo, su derivada, algo que como es sabido sirve para aumentar la sensibilidad del método. De esta manera, el diodo láser es un medio extraordinariamente sencillo que, sin embargo, permite aumentar la sensibilidad del método.
El paso de analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico puede comprender analizar dicha luz proveniente de dicho medio plasmónico de forma sincronizada con la variación de la longitud de onda de la luz del diodo láser. Esta detección o análisis sincronizado de la señal plasmónica con la señal que excita la resonancia del plasmón permite determinar la variación, variación relativa o derivada de la señal plasmónica, con el consiguiente incremento de la sensibilidad del método. Un análisis sincronizado se puede realizar usando, por ejemplo, un amplificador “lock-in”.
El paso de analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico puede comprender realizar un análisis Fourier de al menos una característica de dicha luz. El análisis Fourier permite determinar la variación relativa de la señal plasmónica, por ejemplo, la variación relativa de la intensidad de la luz, y existe software comercial que fácilmente permite implementar esta medida, usando, por ejemplo, FFT (Fast-Fourier Transform).
La longitud de onda de la luz del diodo láser se puede variar entre una longitud de onda mínima (λmin) y una longitud de onda máxima (λmax), siendo la diferencia entre la longitud de onda mínima y la longitud de onda máxima inferior a 5 nm, o incluso inferior a 3 nm. Se considera que con más de 5 nm de diferencia ya no se calcularía muy bien la derivada de la señal plasmónica. En muchos diodos láser convencionales, la diferencia entre la longitud de onda máxima y la longitud de onda mínima es del orden de 2 nm.
El paso de variar periódicamente la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser puede comprender variar dicha longitud de onda mediante una variación de la potencia de emisión del diodo láser. Existen diodos láser convencionales cuya longitud de onda de emisión varía con la potencia de emisión, lo cual permite variar la longitud de onda variando la corriente de alimentación, la cual se puede variar fácilmente en función de un patrón de modulación predeterminado, que puede ser una señal senoidal con una frecuencia determinada, una señal cuadrada, etc.
La variación de dicha longitud de onda de forma periódica entre una longitud de onda mínima (λmin) y una longitud de onda máxima (λmax) se puede realizar con una frecuencia superior a 1 kHz, preferiblemente superior a 2 kHz. Una frecuencia elevada mejora la relación señal/ruido, aunque puede implicar dispositivos más costosos, especialmente en el caso de frecuencias muy elevadas.
El medio plasmónico puede estar configurado para que la longitud de onda correspondiente a la resonancia de plasmón superficial corresponda sustancialmente a la longitud de onda central de emisión del diodo láser. Lo ideal es que la longitud de onda central de emisión del diodo láser coincida exactamente con la longitud de onda correspondiente a la resonancia de plasmón, pero lo importante es que no se desvíe demasiado de dicha longitud de onda. Por ejemplo, una diferencia entre la longitud de onda central de emisión del diodo láser y la longitud de onda a la que se produce la resonancia del plasmón superficial del orden de, por ejemplo, 1 nm, 2 nm, 3 nm, o 5 nm, puede ser aceptable.
Los medios plasmónicos son sintonizables, es decir, se puede sintonizar la longitud de onda a la que se produce el fenómeno del plasmón superficial. Por ejemplo, en el caso de capas delgadas de metal, la longitud de onda a la que se produce la resonancia (es decir, el pico en la resonancia, que puede ser, por ejemplo, un mínimo en reflectividad en el caso de SPR) se puede modificar cambiando el ángulo de incidencia de la luz, el índice de refracción del prisma de acoplamiento, o el metal usado. En el caso de las nanoestructuras, la longitud de onda a la que se produce dicha resonancia (por ejemplo, un máximo en dispersión o absorción) puede sintonizarse variando la forma, el tamaño, la composición (el material) y la distribución de las nanoestructuras.
El paso de analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico puede comprender analizar una señal plasmónica asociada a dicha luz. Con señal plasmónica se entiende, por ejemplo, la reflectividad en el caso de SPR con capa metálica, y, por ejemplo, la dispersión o absorción, en el caso de LSPR.
El paso de analizar una señal plasmónica puede comprender determinar la variación del valor de la señal plasmónica inducida por la variación de la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser, dividida por el valor de dicha señal plasmónica. Dicha señal plasmónica puede ser Rpp en el caso del SPR, y puede ser una medida de absorción o dispersión, por ejemplo, en el LSPR.
Otro aspecto de la invención se refiere a un dispositivo para el análisis del índice de refracción de un medio dieléctrico, que comprende:
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- una fuente de luz configurada para dirigir un haz de luz hacia un medio plasmónico, para excitar la resonancia de plasmón superficial; y
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- un detector para analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico. Tal y como es convencional, el detector puede comprender, por ejemplo, un fotodetector que produce una señal de salida en función de las características de la luz incidente sobre el mismo, por ejemplo, la intensidad de la luz, y un sistema de análisis de la señal de salida, etc.
De acuerdo con la invención, la fuente de luz comprende un diodo láser, y el dispositivo comprende un subsistema de variación periódica de la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser.
Lo que se ha dicho en relación con el método aplica, mutatis mutandis.
El detector puede estar configurado para analizar la luz proveniente de dicho medio plasmónico de forma sincronizada con una variación de la longitud de onda de la luz del diodo láser.
El detector puede estar configurado para realizar un análisis Fourier de al menos una característica de la luz proveniente de dicho medio plasmónico.
El subsistema de variación periódica de la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser puede estar configurado para variar la longitud de onda de la luz del diodo láser entre una longitud de onda mínima (λmin) y una longitud de onda máxima (λmax), siendo la diferencia entre la longitud de onda mínima y la longitud de onda máxima inferior a 5 nm, o incluso inferior a 3 nm. Se considera que con más de 5 nm de diferencia ya no se calcularía bien la derivada de la señal plasmónica. En muchos diodos láser convencionales, la diferencia entre la longitud de onda máxima y la longitud de onda mínima es del orden de 2 nm.
El dispositivo puede adicionalmente comprender dicho medio plasmónico.
Descripción de las figuras
A continuación se pasa a describir de manera muy breve una serie de dibujos que ayudan a comprender mejor la invención y algunas de las cuales se relacionan expresamente con una realización de dicha invención que se presenta como un ejemplo ilustrativo y no limitativo de ésta.
La figura 1 ilustra de forma esquemática la distribución del campo electromagnético de un plasmón superficial.
La figura 2 ilustra, de forma esquemática, una configuración convencional para excitar con luz el plasmón superficial, basada en el acoplamiento con prisma.
Las figuras 3A y 3B ilustran, de forma esquemática, un sistema de detección de cambios en el índice de refracción de un medio dieléctrico, de acuerdo con el estado de la técnica.
La figura 4 es un diagrama que refleja dos curvas que relacionan la intensidad Rpp de luz reflejada TM con diferentes ángulos de incidencia θ de la luz, para dos índices de refracción (nd1,nd2) diferentes del medio dieléctrico, según el estado de la técnica.
La figura 5 refleja, de forma esquemática, un detalle de un sensor de resonancia de plasmón superficial en una aplicación de biosensor, según el estado de la técnica.
La figura 6A refleja, de forma esquemática, un detalle de un sensor de resonancia de plasmón superficial localizada en una aplicación de biosensor, según el estado de la técnica.
La figura 6B refleja el desplazamiento de la curva de la señal del plasmón antes y después del cambio de índice de refracción por la unión de moléculas analito a unos receptores inmovilizados en la nanoestructura, según el estado de la técnica.
La figura 7 muestra una curva de reflectividad angular para dos longitudes de onda separadas 2 nm.
Las figuras 8A y 8B reflejan, para un caso de SPR, curvas teóricas de modulación en longitud de onda para una capa de 50 nm de Au cuando la longitud de onda de la luz varía 1 nm.
La figura 9 muestra curvas experimentales de emisión del diodo láser ML101J27.
La figura 10 muestra el efecto de la frecuencia de modulación en la curva de resonancia SPR experimental para una capa de Au con espesor no optimizado.
La figura 11 refleja de forma esquemática un dispositivo de acuerdo con una posible realización de la presente invención.
Realización preferente de la invención
Se puede decir que la invención se basa en el principio de aumentar la sensibilidad de los sensores de resonancia de plasmón superficial mediante la introducción de un sistema de modulación que varía la longitud de onda del haz incidente, haciendo uso de que los metales plasmónicos son altamente dispersivos, es decir, su constante dieléctrica cambia mucho con λ.
Por ello, y si se considera el caso del SPR en capas metálicas (la situación en el caso de LSPR es análoga, por lo que no es necesario explicarla aquí más detalladamente), un pequeño cambio en la longitud de onda de la luz incidente puede inducir una considerable variación del vector de ondas del plasmón superficial:
Cuando se incide con luz monocromática, la condición de excitación del plasmón superficial viene dado por:
donde na es el índice de refracción del medio incidente (prisma) y θ es el ángulo de incidencia de la luz. Por lo tanto el ángulo al que ocurre la resonancia viene dado por
Por lo tanto, un pequeño cambio en la longitud de onda incidente producirá un pequeño desplazamiento del ángulo de resonancia. Este efecto se puede observar en la figura 7, donde se muestra la curva de reflectividad angular para dos longitudes de onda separadas 2 nm.
El pequeño cambio en la longitud de onda incidente se traduce, por lo tanto, en un desplazamiento angular de la curva de resonancia. Como lo que se mide en los sensores de SPR es la reflectividad, se puede expresar el cambio de reflectividad debido a la variación de longitud de onda de la siguiente manera:
Es decir, el cambio diferencial de la reflectividad se puede ver como la pendiente de la curva angular multiplicado por el desplazamiento de la resonancia cuando varía la longitud de onda. Por lo tanto, un cambio pequeño en la longitud de onda permite tener acceso a medir la derivada de la curva angular.
Si en el intervalo de medida se produce un pequeño cambio en la longitud de onda, se puede medir simultáneamente la reflectividad Rpp y la variación de reflectividad ΔRpp (Fig. 8A). Como se accede simultáneamente a ambas cantidades, se puede obtener en cada medida el cociente ΔRpp/Rpp. Este cociente es totalmente independiente de las fluctuaciones de intensidad de la fuente de luz. Además, la medida ΔRpp/Rpp presenta una resonancia angular muy estrecha ya que, cuando se excita el plasmón superficial, ΔRpp se maximiza, mientras que Rpp disminuye drásticamente (Fig. 8A). Por ello, ΔRpp/Rpp posee una curva angular con una resonancia muy estrecha (Fig. 8B) que permite aumentar la sensibilidad.
De acuerdo con la invención, para conseguir un pequeño cambio en la longitud de onda la luz incidente, se usa un diodo láser y se puede aprovechar el cambio de la longitud de onda que se produce cuando se varía la potencia de emisión en un diodo láser. Con diodos láser comercialmente disponibles se puede conseguir una variación mayor a 1 nm, tal y como se ilustra en la Figura 9, que muestra curvas experimentales de emisión del diodo láser ML101J27.
Con este método de modulación se puede conseguir un cambio en la reflectividad ΔRpp casi 10 veces mayor que el obtenido mediante la modulación magneto-óptica descrita en WO-A-2005/121754. La frecuencia máxima a la que se puede modular la longitud de onda de la luz del diodo láser está alrededor de 2 kHz (véase la Fig. 9, que refleja el valor de ΔRpp/Rpp según ángulo de incidencia, para modulaciones con frecuencia de 2 kHz, 1 kHz, 500 Hz, 250 Hz y 100 Hz). La frecuencia de 2 kHz es mucho mayor a las que actualmente se han podido obtener con sensores con modulación magnetoóptica del tipo de los que se describen en WO-A-2005/121754. Gracias a ello, la relación señalruido del sensor con modulación en longitud de onda es considerablemente mayor.
La detección de ΔRpp/Rpp, que es una medida que permite aumentar la sensibilidad, se puede realizar de forma sencilla, a través de un análisis de Fourier de la intensidad de luz reflejada por la capa metálica, ya que tanto la potencia de emisión como la longitud de onda del láser están moduladas a la misma frecuencia ω. Como la reflectividad depende de la longitud de onda, la intensidad reflejada por la lámina metálica se puede expresar mediante la fórmula:
donde I0 es la intensidad del diodo láser sin modular y ΔI es la intensidad de modulación. La reflectividad Rpp (ω) se puede desarrollar en serie de Fourier, por lo que la intensidad reflejada será:
Tomando el cociente del primer armónico entre el valor continuo (0ω) se obtiene:
De esta manera, podemos acceder de forma sencilla al valor ΔRpp/Rpp en el que está basada la medida del sensor, según una realización de la invención. Para obtener esta cantidad, se puede analizar la señal por software, calculando la FFT (Fast Fourier Transform) de la señal, o se puede obtener a través de un amplificador lock-in.
La figura 11 refleja de forma esquemática un sistema de acuerdo con una realización de la presente invención, y que comprende una fuente de luz 1 en forma de un diodo láser controlado desde un módulo controlador 2 que regula la corriente de alimentación del diodo láser, para variar periódicamente la longitud de onda del haz de luz emitida por el diodo láser 1 más o menos 1 nm en cada dirección desde una longitud de onda central (el módulo controlador puede también controlar la temperatura, que también puede influir en la longitud de onda). Se considera que en algunos casos puede ser preferible usar un diodo láser cuya longitud de onda sin modular esté, preferiblemente, en el rango 650-800 nm, por ejemplo, el diodo láser ML101J27 (λ ∼ 660 nm). La luz se hace incidir sobre un medio plasmónico 4, que puede ser una capa fina de metal (por ejemplo, una capa de Au de unos 50 nm de espesor y opcionalmente con 1 nm de Ti para aumentar la adhesión sobre el sustrato de vidrio) o un medio metálico nanoestructurado (por ejemplo, nanopartículas de metal, nanoagujeros en una capa metálica, o combinaciones de estos) (en el caso de una capa de metal, se puede necesitar un medio de acoplamiento, como el prisma de vidrio 41 ilustrado en la figura 11). Por otra parte, hay un sistema de gestión de fluidos 5 que lleva un fluido a analizar en proximidad al medio plasmónico, para que se pueda estudiar eventuales cambios en el índice de refracción del dieléctrico asociado al medio plasmónico y ocasionados por analitos en el fluido, como es convencional en este tipo de aplicaciones.
Por otra parte, se ha previsto un detector para analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico, es decir, por ejemplo, en el caso del SPR en una capa metálica, para determinar la reflectividad de dicha capa (que puede representar la señal plasmónica en el caso de SPR) o para determinar el nivel de dispersión o absorción de la luz en el caso del LSPR en un medio metálico nanoestructurado. En este caso, el detector comprende un fotodiodo7yun sistema de detección y análisis que recibe la señal de salida del fotodiodo (indicativo de la intensidad de la luz que incide sobre el fotodiodo) y que lo analiza en sincronización con la señal de alimentación del diodo láser.
Aunque la anterior descripción se ha centrado sobre todo en los sistemas de SPR, la descripción es directamente aplicable también a los sistemas LSPR, aunque éstos, en lugar de basarse en la reflectividad del medio plasmónico para luz polarizada TM, se basan en las correspondientes características de los medios nanoestructurados, es decir, en el análisis de la absorción o dispersión de la luz, o cualquier combinación de estas, tanto en configuraciones de reflexión o transmisión.
En este texto, la palabra “comprende” y sus variantes (como “comprendiendo”, etc.) no deben interpretarse de forma excluyente, es decir, no excluyen la posibilidad de que lo descrito incluya otros elementos, pasos etc.
Por otra parte, la invención no está limitada a las realizaciones concretas que se han descrito sino abarca también, por ejemplo, las variantes que pueden ser realizadas por el experto medio en la materia (por ejemplo, en cuanto a la elección de materiales, dimensiones, componentes, configuración, etc.), dentro de lo que se desprende de las reivindicaciones.
Claims (16)
- REIVINDICACIONES
- 1.
- Método para el análisis del índice de refracción de un medio dieléctrico adyacente a un medio plasmónico (4), que comprende los pasos de: -dirigir luz desde una fuente de luz (1) hacia el medio plasmónico, para excitar una resonancia de plasmón superficial; -y analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico (4); caracterizado porque
-como fuente de luz (1) se usa un diodo láser, y -se varía periódicamente la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser. -
- 2.
- Método según la reivindicación 1, en el que el paso de analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico (4) comprende analizar al menos una característica de dicha luz en función de la variación de la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser.
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- 3.
- Método según la reivindicación 2, en el que el paso de analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico (4) comprende analizar dicha luz proveniente de dicho medio plasmónico de forma sincronizada con la variación de la longitud de onda de la luz del diodo láser.
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- 4.
- Método según la reivindicación 1, en el que el paso de analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico (4) comprende realizar un análisis Fourier de al menos una característica de dicha luz.
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- 5.
- Método según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que la longitud de onda de la luz del diodo láser se varía entre una longitud de onda mínima (λmin) y una longitud de onda máxima (λmax), siendo la diferencia entre la longitud de onda mínima y la longitud de onda máxima inferiora5nm.
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- 6.
- Método según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que el paso de variar periódicamente la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser comprende variar dicha longitud de onda mediante una variación de la potencia de emisión del diodo láser.
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- 7.
- Método según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que la longitud de onda se varía de forma periódica entre una longitud de onda mínima (λmin) y una longitud de onda máxima (λmax), con una frecuencia superior a 1 kHz, preferiblemente superior a 2 kHz.
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- 8.
- Método según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que el medio plasmónico (4) está configurado para que la longitud de onda correspondiente a la resonancia de plasmón superficial corresponde sustancialmente a la longitud de onda central de emisión del diodo láser.
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- 9.
- Método según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que el paso de analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico (4) comprende analizar una señal plasmónica asociada a dicha luz.
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- 10.
- Método según la reivindicación 9, en el que el paso de analizar una señal plasmónica comprende determinar la variación del valor de la señal plasmónica inducida por la variación de la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser, dividida por el valor de dicha señal plasmónica.
- 11. Dispositivo para el análisis del índice de refracción de un medio dieléctrico, que comprende: -una fuente de luz (1) configurada para dirigir un haz de luz (3) hacia un medio plasmónico (4), para excitar laresonancia de plasmón superficial;
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- un detector (6) para analizar luz proveniente de dicho medio plasmónico (4);
caracterizado porquela fuente de luz (1) comprende un diodo láser,y porqueel dispositivo comprende un subsistema (2) de variación periódica de la longitud de onda de la luz emitida por eldiodo láser. -
- 12.
- Dispositivo según la reivindicación 11, en el que el detector (6) está configurado para analizar la luz proveniente de dicho medio plasmónico de forma sincronizada con una variación de la longitud de onda de la luz del diodo láser.
-
- 13.
- Dispositivo según la reivindicación 11, en el que el detector (6) está configurado para realizar un análisis Fourier de al menos una característica de la luz proveniente de dicho medio plasmónico.
-
- 14.
- Dispositivo según cualquiera de las reivindicaciones 11-13, en el que el subsistema (2) de variación periódica de la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser está configurado para variar la longitud de onda de la luz del diodo láser entre una longitud de onda mínima (λmin) y una longitud de onda máxima (λmax), siendo la diferencia entre la longitud de onda mínima y la longitud de onda máxima inferiora5nm.
-
- 15.
- Dispositivo según cualquiera de las reivindicaciones 11-14, que adicionalmente comprende dicho medio plasmónico.
OFICINA ESPAÑOLA DE PATENTES Y MARCASN.º solicitud: 201030166ESPAÑAFecha de presentación de la solicitud: 09.02.2010Fecha de prioridad:INFORME SOBRE EL ESTADO DE LA TECNICA51 Int. Cl. : G01N21/55 (2006.01)DOCUMENTOS RELEVANTES- Categoría
- Documentos citados Reivindicaciones afectadas
- X Y A Y A A A A
- US 7483140 B1 (CHO, H. ET AL.) 27.01.2009, resumen; columna 1, líneas 20-58; columna 3, líneas 29-67; columna 5, líneas 27-50; columna 5, línea 60 -columna 6, línea 4; columna 7, líneas 1-55; columna 8, líneas 29-39; figuras 1-3, 6 y 7. US 2003/0081875 A1 (KOCHERGIN, V. ET AL.) 01.05.2003, resumen; párrafos [0015]-[0017], [0023], [0035]-[0043], [0046], [0051]-[0055], [0058]; figuras 1, 2A, 3A-3C, 3E-3G y 4. US 2005/0244093 A1 (VAN VIGGEREN, G. ET AL.) 03.11.2005, resumen; párrafos [0001]-[0002], [0010]-[0016], [0018]-[0024], [0033]-[0034]; figuras 1-5 y 8. US 2006/0012795 A1 (NIEMAX, K. ET AL.) 19.01.2006, resumen; párrafos [0001]-[0003], [0010]-[0015], [0019]-[0024]; figura 1. EP 1621870 A2 (AGILENT TECHNOLOGIES, INC.) 01.02.2006, todo el documento. DE 19650899 A1 (BRINK, G.) 18.06.1998., 1, 2, 6, 9, 11, 15 3-5, 7, 8, 12-14 1, 2, 6, 9-11, 15 3-5, 7, 8, 12-14 1-3, 5-9, 11, 12, 14, 15 1, 2, 8, 11, 15 1-3, 9, 11, 12, 15 -
- Categoría de los documentos citados X: de particular relevancia Y: de particular relevancia combinado con otro/s de la misma categoría A: refleja el estado de la técnica O: referido a divulgación no escrita P: publicado entre la fecha de prioridad y la de presentación de la solicitud E: documento anterior, pero publicado después de la fecha de presentación de la solicitud
- El presente informe ha sido realizado • para todas las reivindicaciones • para las reivindicaciones nº:
- Fecha de realización del informe 13.07.2011
- Examinador Ó. González Peñalba Página 1/4
INFORME DEL ESTADO DE LA TÉCNICANº de solicitud: 201030166Documentación mínima buscada (sistema de clasificación seguido de los símbolos de clasificación) G01N, G02B Bases de datos electrónicas consultadas durante la búsqueda (nombre de la base de datos y, si es posible, términos debúsqueda utilizados) INVENES, EPODOC, WPI, INSPECInforme del Estado de la Técnica Página 2/4OPINIÓN ESCRITANº de solicitud: 201030166Fecha de Realización de la Opinión Escrita: 13.07.2011Declaración- Novedad (Art. 6.1 LP 11/1986)
- Reivindicaciones Reivindicaciones 3-5, 7-9, 12-14 1, 2, 6, 11, 15 SI NO
- Actividad inventiva (Art. 8.1 LP11/1986)
- Reivindicaciones 10 Reivindicaciones 1-9, 11-15 SI NO
Se considera que la solicitud cumple con el requisito de aplicación industrial. Este requisito fue evaluado durante la fase de examen formal y técnico de la solicitud (Artículo 31.2 Ley 11/1986).Base de la Opinión.-La presente opinión se ha realizado sobre la base de la solicitud de patente tal y como se publica.Consideraciones:La presente Solicitud se refiere, respectivamente en sus reivindicaciones 1 y 11, a un método y un dispositivo para el análisis del índice de refracción de un medio dieléctrico adyacente a un medio plasmónico, en los que se dirige luz desde una fuente de luz consistente en un diodo láser hacia el medio plasmónico y se analiza la luz proveniente de dicho medio plasmónico mediante un fotodetector, de tal manera que se varía periódicamente la longitud de onda de la luz emita por el diodo láser mediante un subsistema del dispositivo.Las restantes reivindicaciones, dependientes directa o indirectamente de ambas reivindicaciones 1 y 11, añaden detalles y concretan características estructurales y funcionales (atendiendo, respectivamente según la dependencia, a los aspectos de método y dispositivo) de los diversos elementos implicados, sobre todo en lo que respecta a la generación, captación y tratamiento de las señales de medida con vistas a optimizar la resolución y flexibilidad del sistema.Informe del Estado de la Técnica Página 3/4OPINIÓN ESCRITANº de solicitud: 2010301661. Documentos considerados.-A continuación se relacionan los documentos pertenecientes al estado de la técnica tomados en consideración para la realización de esta opinión.- Documento
- Número Publicación o Identificación Fecha Publicación
- D01
- US 7483140 B1 (CHO, H. et al.) 27.01.2009
- D02
- US 2003/0081875 A1 (KOCHERGIN, V. et al.) 01.05.2003
- 2. Declaración motivada según los artículos 29.6 y 29.7 del Reglamento de ejecución de la Ley 11/1986, de 20 de marzo, de Patentes sobre la novedad y la actividad inventiva; citas y explicaciones en apoyo de esta declaraciónSe considera que la invención definida en las reivindicaciones 1, 2, 6, 11 y 15 carece de novedad por haber sido anticipada idénticamente en el estado de la técnica. En efecto, el documento D01, citado en el Informe sobre el Estado de la Técnica (IET) para dichas reivindicaciones y considerado como el estado de la técnica más próximo al objeto en ellas definido, describe un sensor de resonancia de plasmón superficial para medir los cambios del índice de refracción de un medio dieléctrico (referencia 154 -Figura 7) adyacente a un medio plasmónico (columna 5, líneas 29-37; columna 7, líneas 35-38; ref. 152 -Figura 7), que dirige una luz desde un diodo láser (columna 7, línea 15) hacia el medio plasmónico y analiza la luz proveniente de él (mediante un espectrómetro -columna 7, línea 8), y en el cual se varía periódicamente la longitud de onda emitida por el diodo láser (lo que es equivalente, expresado de otra manera, a la modulación de la luz proveniente del sensor mediante una sintonización en longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser -columna 7, líneas 9-12).Tanto el método como el dispositivo respectivamente de las reivindicaciones 1 y 11 se hallan, por tanto, idénticamente anticipados en este documento y carecen de novedad de acuerdo con el Artículo 6 de la LP.Además, el dispositivo de D01 analiza al menos una característica (espectro) de dicha luz en función de la variación de la longitud de onda de la luz emitida por el diodo láser, y el método que emplea para el barrido o sintonización de la longitud de onda de emisión del diodo láser, basado en la modificación de la corriente del diodo (para una tensión de trabajo previsiblemente constante), es equivalente a la variación de la potencia del diodo que se realiza en la presente invención (recuérdese que la potencia eléctrica es el producto de la tensión por la corriente, y la potencia de emisión guarda una relación directa con la potencia eléctrica aplicada en un diodo). Se anticipa, así, también idénticamente en D01 el contenido de las reivindicaciones 2, 6 y 15 (ésta última reivindicación es irrelevante puesto que se limita a incorporar un elemento ya recogido en reivindicaciones de las que depende), que carecen, por tanto, de novedad según el referido Art. 6 LP.Se considera, por su parte, que las reivindicaciones 3-5, 7, 8, 9 y 12-14 carecen de actividad inventiva por poder ser deducidas del estado de la técnica de un modo evidente por un experto en la materia. Estas reivindicaciones añaden características no recogidas explícitamente en D01 pero que, o bien están implícitas en dicho documento, como el análisis de una señal plasmónica asociada a la luz proveniente del medio plasmónico (el análisis del espectro de la señal plasmónica es equivalente, por mera complementariedad, al análisis del espectro de la luz reflejada o transmitida reivindicación 9), o bien implican diferencias técnicas cuyos efectos técnicos pueden obtenerse de la misma manera en el estado de la técnica por un experto en la materia. Así, por ejemplo, el documento D02, citado también en el IET con la categoría Y para las reivindicaciones mencionadas (excepto la 9) en combinación con D01, describe un sensor óptico de láser sintonizable en longitud de onda que, en una de sus realizaciones, se sirve de SPR de un modo en todo similar al de la reivindicación 1, a excepción de que no recoge expresamente el uso de un diodo láser para la generación de la luz de medida. Este dispositivo, sin embargo, incorpora características como la sincronización entre el barrido de la longitud de onda en el diodo emisor y el análisis de la señal de medida (reivindicaciones 3 y 12), el paso de los datos del dominio del tiempo (F(t) -final del párrafo [0055]) al dominio de la longitud de onda (F(X)) (equivalente al análisis de Fourier de las reivindicaciones 4 y 13), o los intervalos de variación de longitud de onda (máximo 50 nm -párrafo [0055] y la frecuencia de su barrido (máximo de decenas de kHz), muy similares a los de las reivindicaciones 5, 7 y 14, por lo que un experto de la técnica podrá recurrir a él de un modo evidente para obtener los mismos efectos técnicos y resolver los mismos problemas técnicos planteados en la invención y que D01 no es capaz de solucionar por sí solo. Dichas reivindicaciones carecen, en conclusión, de actividad inventiva con respecto a la combinación de D01 y D02 de acuerdo con el Artículo 8 de la LP.Informe del Estado de la Técnica Página 4/4
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